JPH11110304A

JPH11110304A - マイクロコンピュータ

Info

Publication number: JPH11110304A
Application number: JP9267194A
Authority: JP
Inventors: Kazumasa Chiaki; 一雅千明
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1997-09-30
Filing date: 1997-09-30
Publication date: 1999-04-23

Abstract

(57)【要約】【課題】マイコンにおいて、不揮発性メモリの書き込み
／消去特性の寿命を向上させる。【解決手段】制御部２は、アドレスデータを出力し、
不揮発性メモリ７のデータ領域のうち１つ例えばデータ
領域ａを指定する。これに対応するフラグ領域Ｆａから
フラグの値が制御部２に印加され、データ領域が記憶可
能か記憶不可能か判断される。記憶可能な場合データを
データ領域ａに書き込む。書き込み後、書き込み前のデ
ータとデータ領域ａの読み出しデータが一致するか確認
する。一致すれば書き込み動作を終了し、一致しなけれ
ばレジスタ領域Ｒａの値をインクリメントし、この値が
所定値を超えたか確認する。超えた場合フラグ領域Ｆａ
にデータ領域が記憶不可能であることを示すフラグをセ
ットする。超えない場合、フローティングゲートの電荷
を除去するため、消去動作を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、データの一括消去
可能な不揮発性メモリーを内蔵したマイクロコンピュー
タに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、マイクロコンピュータには動作
制御用のプログラムが記憶されるマスクＲＯＭやデータ
が記憶されるＲＡＭが内蔵されている。一方、メモリー
として、書き込まれたデータの電気的な一括消去が可能
な不揮発性メモリが知られており、最近ではマイクロコ
ンピュータにおいて前記マスクＲＯＭ及びＲＡＭの代わ
りに不揮発性メモリが内蔵されるようになった。不揮発
性メモリがマイクロコンピュータに内蔵されると、不揮
発性メモリが電気的に書き込み済みデータの消去が可能
なため、製品となってからも動作制御用のプログラムの
書き換えが可能となる利点がある。その為、不揮発性メ
モリをマイクロコンピュータに内蔵する用途が多くなっ
ている。

【０００３】ここで、不揮発性メモリの一つとして、図
３のようなスプリットゲート型フラッシュメモリーがあ
り、この不揮発性メモリーについて動作説明を行う。ま
ず、フラッシュメモリーへのデータの書き込みを行う場
合、ドレイン電極Ｄを接地し、ソース電極Ｓに１２Ｖの
電圧を印加し、ゲート電極Ｇに２Ｖの電圧を印加する。
ソース−ドレイン間に大きい電位差が生じるので、その
間に負の電荷が生じ、ソースからドレインに電流が流れ
る。このとき、ソース−ドレイン間の大きな電位差によ
りホットエレクトロンという電荷が発生する。さらに、
コントロールゲートＣＧに２Ｖの電圧を印加しているた
め、フローティングゲートＦＧ下部のチャネルの電圧は
約９Ｖとなり、前記ホットエレクトロンが引き上げられ
フローティングゲートＦＧに蓄えられる。フローティン
グゲートＦＧに電荷が蓄えられると、フローティングゲ
ートＦＧ下部のチャネルが正に帯電されるので、ソース
−ドレイン間に電流が流れることはない。よって、この
状態をデータ「０」の書き込み状態と定義する。尚、フ
ローティングゲートＦＧに電荷が蓄えられていないと、
フローティングゲートＦＧが正に帯電されるため、ソー
ス−ドレイン間のチャネルが負に帯電されるため、この
間を電流が流れる。よって、この状態はデータ「１」の
書き込み状態になる。

【０００４】また、フラッシュメモリーに書き込まれた
データを読み出す場合、ドレイン電極Ｄに２Ｖの電圧を
印加し、ソース電極Ｓを接地し、ゲート電極Ｇに電源電
圧程度の電圧を印加する。フローティングゲートＦＧに
電荷が蓄えられている場合、フローティングゲートＦＧ
下部のチャネルが正に帯電されているため、ソース−ド
レイン間に一定の電位差を与えても、その間にセル電流
が流れない。また、フローティングゲートＦＧに電荷が
蓄えれられていない場合、ゲート電極Ｇに電圧を印加す
るため、ソース−ドレイン間のチャネルがより一層負に
帯電し、ソース−ドレイン間により多くセル電流が流れ
る。よって、データの読み出しは、ソースから得られる
セル電流の有無を確認することにより行われる。

【０００５】次に、不揮発性メモリ中のデータの電気的
消去について説明する。図３において、ソース電極Ｓ及
びドレイン電極Ｄを接地（０Ｖ）し、ゲート電極Ｇを１
５Ｖ以上にして、コントロールゲートＣＧとソースとの
間の電位差を大きくする。この電位差により、フローテ
ィングゲートＦＧの突起部からコントロールゲートＣＧ
へトンネリング現象が起こり、フローティングゲートＦ
Ｇに蓄積された電荷がトンネリング電流としてコントロ
ールゲートＣＧに引き抜かれる。こうしてフローティン
グゲートＦＧの電荷を除去し、フローティングゲートＦ
Ｇを元の状態とし、電気的消去が実行される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図３の不揮
発性メモリーには、書き込み／消去を数万回行うと、フ
ローティングゲートＦＧの電荷を除去できなくなり、デ
ータの消去ができなくなるという問題点がある。フロー
ティングゲートＦＧ中の電荷をどの程度除去できるか
は、一定時間当たりにコントロールゲートＣＧに印加さ
れる電圧の大きさに依っている。コントロールゲートＣ
Ｇへの電圧が大きければフローティングゲートＦＧ中の
電荷を確実に除去できる。

【０００７】しかし、従来例では、消去時フローティン
グゲートＦＧの電荷を除去するためにゲートＣＧに印加
される電圧の大きさは一定であった。その為、不揮発性
メモリのデータの電気的消去を何度も繰り返している
と、場合によっては、電気的消去を行ったつもりでいて
も不揮発性メモリのメモリセルの中にはフローティング
ゲートＦＧ中の電荷が完全に除去されないで一部残って
いる状況が起こり得る（過書き込み状態）。すると、フ
ローティングゲートに電荷が残った状態で、メモリセル
に「１」を書き込もうとすると、フローティングゲート
１に電荷が残っているため、このメモリセルは「０」の
書き込み状態となり、「１」を書き込むことができなか
った。すると、フローティングゲートＦＧに電荷が残っ
た状態のメモリセルを「１」の書き込み状態とした場
合、フローティングゲートＦＧに電荷が残っているた
め、このメモリセルは「０」の書き込み状態となり、
「１」を書き込むことができなかった。

【０００８】上記の不揮発性メモリの問題は、不揮発性
メモリを内蔵したマイクロコンピュータにも悪影響を及
ぼす。例えば、不揮発性メモリをＲＡＭとして使用した
場合、データの書き換えにより不揮発性メモリは書き込
み／消去が繰り返される。この書き込み／消去が不揮発
性メモリの同一アドレス上、即ち所定のメモリセルを含
む領域で繰り返し続けられると、上記の過書き込み状態
が発生する。その為、マイクロコンピュータを動作させ
た場合、過書き込み状態により使用者の意図に反したデ
ータが書き込まれ、誤ったデータや誤ったプログラムが
不揮発性メモリに記憶され、マイクロコンピュータの誤
動作の原因となっていた。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、書き込み済み
のデータを電気的に一括消去可能な不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリの書き込み及び消去を制御する制御
部を備えるマイクロコンピュータにおいて、前記不揮発
性メモリ中に、所定単位の複数のデータ領域と、各々の
データ領域に対応し、データの書き込みに不都合がある
ことが検出された回数を保持するレジスタ領域と、各々
のデータ領域に対応し、データの書き込みが不可能なこ
とを示す状態が書き込まれるフラグ領域とを設けたこと
を特徴とする。

【００１０】特に、前記制御部は、前記複数のデータ領
域のうち１つのメモリ領域を選択する選択手段と、選択
されたデータ領域に書き込みデータを書き込む手段と、
書き込みデータと、前記書き込みデータに対応する読み
出しデータとが一致しているか否か確認する確認手段
と、前記２つのデータが一致しない場合、指定されたデ
ータ領域に対応するレジスタ領域をインクリメントする
インクリメント手段とを含むことを特徴とする。

【００１１】また、前記制御部は、前記２つのデータが
一致しない場合、前記データ領域に対して少なくとも１
回の消去動作を行う消去手段を含むことを特徴とする。
さらに、前記制御部は、前記レジスタ手段の値が所定値
を超えた場合、前記データ領域に対応するフラグ領域に
データの書き込みを禁止することを示す状態をセットす
るフラグ手段を含むことを特徴とする。

【００１２】また、前記不揮発性メモリは、前記データ
領域の対応するレジスタ手段の値が所定値を超えた場
合、前記データ領域に対応するフラグ領域にデータの書
き込みを禁止することを示す状態をセットするセット回
路を備えることを特徴とする。一方、前記制御部は、前
記２つのデータが一致した場合、書き込み動作を終了す
ることを特徴とする。

【００１３】さらにまた、前記制御部は、データの書き
換えごとに、指定するメモリ領域を変更することを特徴
とする。本発明に依れば、不揮発性メモリにおいて複数
のデータ領域に対応するレジスタ領域及びフラグ領域を
設け、所定のデータ領域にデータの書き込みを行う前
に、それに対応するフラグ領域が書き換え不可能な状態
になっている否か確認し、フラグがあればデータの書き
込みは行われず、フラグがなければデータをデータ領域
に書き込む。、書き込み後、書き込み前のデータとデー
タ領域から読み出されたデータとが一致するか否かを判
断し、一致すればデータの書き込み動作を終了し、一致
しなければレジスタ領域の値をインクリメントする。レ
ジスタ領域の値が所定値を超えた場合、フラグ領域にフ
ラグをセットする。

【００１４】

【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態を示す
図である。１は例えば外部データを入出力するための入
出力ポート、２は入出力ポート１からのデータを後述さ
れる不揮発性メモリに書き込むために各回路の動作を制
御する制御部であり、例えばＣＰＵ（中央演算処理装
置）で構成され、図示されない不揮発性メモリのプログ
ラム領域に記憶されるプログラムに基づいて動作し、主
に後述される不揮発性メモリ７へのデータの書き込み、
レジスタ領域Ｒａ乃至Ｒｅへのインクリメント動作やフ
ラグ領域Ｆａ乃至Ｆｅへのフラグのセットの動作を制御
する。

【００１５】３は制御部２の指示により、データやプロ
グラム動作中に生成されたデータを一旦記憶するＲＡ
Ｍ、４はアドレスバスを含み、入出力ポート１、制御部
２及びＲＡＭ３の間のデータ伝送を行うためのバス、５
は１ページ分の領域を有し、データバス６を介して伝送
された１ページ分のデータを一旦格納するページバッフ
ァ、７は１ページ分のデータの記憶可能な４つのデータ
領域ａ乃至ｄと、領域ａ乃至ｄに対応するレジスタ領域
Ｒａ乃至Ｒｄやフラグ領域Ｆａ乃至Ｆｄとを含み、デー
タ領域Ｆａ乃至Ｆｄにデータバス８を介して伝送される
データが記憶される不揮発性メモリであり、制御部２か
らアドレスバス９を介して伝送されるアドレスデータを
デコードして、データ領域ａ乃至ｄのうち一つを指定す
るアドレスデコーダ（図示せず）を含む。また、不揮発
性メモリ７は複数のデータ領域を形成し、前記アドレス
デコーダの出力によって所定のアドレスが指定されるこ
とにより、データ領域が指定される。

【００１６】また、不揮発性メモリ７中のフラグ領域の
状態は、データを消去しても不揮発性メモリ７のフロー
ティング中の電荷を完全に除去できないという理由で、
データの書き込みが不可能である状態の場合「０」とな
り、また、データの書き込みが可能である状態の場合、
「１」になる。尚、このフラグ領域は例えばデータ領域
と独立した領域に形成されており、状態を変えたいフラ
グのアドレスを指定し、フラグセット信号によりフラグ
の不揮発性メモリセルに「０」のデータを書き込むこと
によって、フラグ領域の状態が反転される。このよう
に、フラグ領域に「０」のデータを書き込むので、１ビ
ット毎の状態反転が可能になる。さらに、アドレス指定
されたフラグ領域からはフラグの値が制御部２に供給さ
れるようになる。

【００１７】不揮発性メモリ７中のレジスタ領域もデー
タ領域と独立した領域に形成される。値を変えたいレジ
スタ領域の指定は、そのレジスタ領域のアドレスを指定
することにより行われる。１つのレジスタ領域は例えば
３ビットで形成され、制御部２からのインクリメント信
号に応じてレジスタ領域に「１１１」、「１１０」、
「１００」、「０００」のデータを順次書き込むことに
よって、指定されたレジスタ領域の値を１０進法で
「０」、「１」、「２」、「３」とインクリメントす
る。また、アドレス指定されたレジスタ領域の値は制御
部２に印加されるようになる。

【００１８】まず、不揮発性メモリ７にデータを書き込
む場合、原則的に新規にデータの書き換えが行われるご
とに、書き込みが行われるデータ領域が変わっていく。
例えば図４に示されるように、新規の書き換えが行われ
るごとに、指定されるデータ領域がデータ領域ａからデ
ータ領域ｂ、データ領域ｂからデータ領域ｃへと順次変
更される。尚、データ領域の変更の順番は図４の限ら
ず、他の順番でも良い。

【００１９】次に、図１の不揮発性メモリ７中のデータ
の書き換え動作を、図２のフローチャートを参照しなが
ら説明する。まず、外部より書き換え命令が制御部２に
入力されると、制御部２は入力ポート１を介して外部か
らデータを取り込み、データをＲＡＭ３に一時記憶させ
る（Ｓ１）。次に、制御部２はアドレスデータをバス９
を介して不揮発性メモリ７に入力する。アドレスデータ
がデコードされ、その結果に応じて例えば不揮発性メモ
リ７のデータ領域ａが指定される。それに伴い、データ
領域ａに対応するレジスタ領域Ｒａ及びフラグ領域Ｆａ
も指定される（Ｓ２）。指定されたフラグ領域Ｆａから
その状態が制御部２に出力され、制御部２はフラグ領域
Ｆａの状態を判断する（Ｓ３）。

【００２０】ところで、このフラグは不揮発性メモリ７
のデータ領域が記憶可能な状態か、記憶不可能な状態か
を示すものである。不揮発性メモリ７のメモリセルは図
３のような構成であり、書き込み済みデータの消去時フ
ローティングゲートから電荷を完全に除去できないと、
メモリセルには誤ったデータが記憶される。書き込みデ
ータを正確に記憶できない場合、読み出しの際には当然
書き込みデータと異なるデータが読み出されるため、こ
の状態を記憶不可能な状態としている。また、書き込み
データに対して、メモリセルから誤りなくデータを読み
出せる場合、この状態を記憶可能な状態としている。そ
こで、フラグ領域の状態は「０」または「１」の値を有
し、フラグが「１」の場合データ領域は書き込み可能な
状態にあることを示し、フラグが「０」の場合データ領
域は書き込み不可能な状態を示す。

【００２１】Ｓ３において、フラグ領域Ｆａが「０」の
場合、制御部２は次のデータ領域ｂを選択する（Ｓ
４）。Ｓ２に戻り、制御部２はデータ領域ｂに対応した
アドレスデータを出力し、前記アドレスデータによりデ
ータ領域ｂ及びフラグ領域Ｆｂが指定される。フラグ領
域Ｆｂが指定されると、フラグ領域Ｆｂのフラグが制御
部２に出力され、フラグ領域Ｆｂの値によってデータ領
域ｂが記憶可能な状態か、記憶不可能な状態かが判断さ
れる。このように、指定されたフラグ領域が「０」であ
ると、次のデータ領域及びフラグ領域を指定して、再び
フラグの状態を判断される。

【００２２】また、Ｓ３において、フラグ領域Ｆａが
「１」の場合、データ領域ａは記憶可能な状態と判断さ
れる。続いて、制御部２は不揮発性メモリ７に消去信号
をデータバス９を介して出力し、指定されるデータ領域
ａに書き込まれているデータの一括消去を行う（Ｓ
５）。データの消去後、制御部２はＲＡＭ３に記憶され
たデータを読み出し、ページバッファ５に１ページ分の
データを一時格納させる（Ｓ６）。制御部２は不揮発性
メモリにライト信号Ｗを印加し、ページバッファ５のデ
ータはデータ領域ａに書き込まれる（Ｓ７）。

【００２３】次に、データ領域ａを指定した状態で、Ｓ
６で書き込まれたデータの読み出しを行う。読み出しデ
ータはデータバス６及び８を介して制御部２に印加され
る（Ｓ８）。読み出されたデータは、制御部２におい
て、ＲＡＭ３に記憶されたデータに一致するか否か、比
較される。Ｓ９において、１ページ分のデータのうち１
つでもデータが一致しない場合、制御部２は指定された
レジスタ領域のデータを読み出し、レジスタ領域の値を
検出し、検出された値をインクリメントするためにイン
クリメント信号を不揮発性メモリ７に出力する。インク
リメント信号に応じて、レジスタ領域Ｒａの状態が書き
換えられ、その値がインクリメントされる（Ｓ１０）。
このレジスタ領域の値は、ＲＡＭ３のデータと読み出し
データとの不一致が確認された回数を示しており、レジ
スタ領域の値を検出することによりデータ領域のメモリ
セルのフローティングゲートから電荷を完全に除去でき
ない状態が何回あったかを知ることができる。

【００２４】その後、制御部２はレジスタ領域Ｒａの値
が所定値Ｎ、例えば３という所定値を超えたか否か検出
する（Ｓ１１）。レジスタ領域Ｒａの値が所定値３を超
えない場合、制御部２は不揮発性メモリ７に対して所定
回数の消去動作を行う。この消去動作はＳ５におけるデ
ータの一括消去と同一の動作で行う。データの不一致は
メモリセルのフローティングゲート中の電荷を完全に除
去できないことに起因している。消去動作によってフロ
ーティングゲートの電荷を除去できる可能性があるた
め、所定回数の消去動作を行うことにより再び正確なデ
ータの書き込みを行わせようとしている（Ｓ１２）。

【００２５】また、Ｓ１０においてレジスタ領域Ｒｂの
値が３を超えた場合、制御部２はフラグセット信号ｓｅ
ｔを出力する。つまり、データの一致がとれない場合、
何回も消去動作を行ってメモリセルのフローティングゲ
ート中の電荷を除去しても、フローティング中の電荷を
完全に除去できないと判断できるため、指定されたデー
タ領域は正確な記憶を行うことができないと見なすこと
ができる。フラグセット信号ｓｅｔにより、フラグ領域
Ｆａに「０」の値がセットされ、データ領域ａは記憶不
可能な状態になる（Ｓ１３）。その結果、今後データ領
域ａにデータ書き込もうとしても、Ｓ３でデータ領域ａ
にフラグがあると検出されるので、今後はデータ領域ａ
にはデータは書き込まれなくなる。

【００２６】その後、Ｓ１２またはＳ１３の動作が終了
すると、Ｓ４へ行き、データ領域ａの次に指定されるデ
ータ領域、例えばデータ領域ｂが選択される。さらに、
Ｓ２へ戻り、不揮発性メモリ７のデータ領域ｂが指定さ
れ、フラグの検出、データの一致の確認、レジスタ領域
Ｒａの値のインクリメント及び確認、データの書き込み
の各動作が繰り返される。

【００２７】また、Ｓ９において、ＲＡＭ３のデータと
読み出しデータとが一致した場合、データの書き込みが
誤りなく行えたとして、データの書き換えを終了する。
データの一致は、データ領域ａにおいて正確な書き込み
が行えることを示している。制御部２はインクリメント
信号及びフラグセット信号を発生しないので、レジスタ
領域Ｒａの値はそのままとなり、フラグ領域Ｆａは
「１」のままとなって、データ領域ａは今後もデータの
書き込みを行うことができる。

【００２８】図５は他の実施の形態を示す図であり、図
１と異なる点についてのみ説明する。図１ではレジスタ
領域の値を制御部２に入力し、制御部２でレジスタ領域
の値が所定値を超えたか否か確認させているが、これに
代えて図５では、不揮発性メモリ７中にレジスタ領域の
値を見てフラグ領域にフラグをセットさせるセット回路
１０を備えている。

【００２９】図６は図５の回路動作を説明するためのフ
ローチャートであり、図２のフローチャートとは不揮発
性メモリ７のレジスタ領域の値をインクリメントした後
の動作が異なるので、この異なる点についてのみ説明す
る。Ｓ１０で、例えばレジスタ領域Ｒａの値をインクリ
メントした後、制御部２は、メモリセルのフローティン
グゲートに帯電される電荷を完全に除去するために、所
定回数の消去動作を行う（Ｓ１４）。その後、Ｓ４に行
き、次のデータ領域、例えばデータ領域ｂを選択する。
一方、インクリメントの後、不揮発性メモリ７におい
て、指定されたデータ領域ａに対応するレジスタ領域Ｒ
ａの値がセット回路１０に入力される。セット回路１０
において、レジスタ領域Ｒａの値と所定値（例えば、
３）とが比較され、レジスタ領域Ｒａの値が所定値３を
超える場合セット回路１０はキャリー信号ｃを出力す
る。キャリー信号ｃによって、指定されたデータ領域ａ
に対応するフラグ領域Ｆａにフラグが「０」にセットさ
れる。フラグがセットされることにより、今後データ領
域ａには書き込みは行われなくなる。また、レジスタ領
域Ｒａの値が所定値３を超えない場合、セット回路１０
はキャリー信号ｃを出力せず、フラグ領域Ｆａの値は
「１」のままであって、データ領域ａは書き込み可能な
状態を維持する。

【００３０】

【発明の効果】本発明に依れば、不揮発性メモリに複数
のデータ領域を設け、新規の書き込みを行うごとにデー
タ領域を変えるので、連続した同一データ領域への書き
込みを防止することができ、書き込み／消去特性の寿命
を向上させることができる。特に、データ領域にフラグ
領域を設けることによって、書き込み前に正確な記憶が
不可能なデータ領域がわかるので、記憶不可能なデータ
領域にデータを書き込むことが防止される。その為、マ
イクロコンピュータに使用した場合、過書き込み状態が
防止され、マイクロコンピュータの誤動作を防ぐことが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態を示すブロック図である。

【図２】図１の動作を説明するためのフローチャートで
ある。

【図３】スプリットゲート型不揮発性メモリを示す断面
図である。

【図４】データの書き換え時データ領域の選択を示すフ
ローチャートである。

【図５】本発明の他の実施の形態を示すブロック図であ
る。

【図６】図５の動作を説明するためのフローチャートで
ある。

【図７】図１の動作を説明するための他のフローチャー
トである。

【図８】図５の動作を説明するための他のフローチャー
トである。

【符号の説明】

１入出力ポート２制御部３ＲＡＭ５バッファ回路７不揮発性メモリ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】書き込み済みのデータを電気的に一括消
去可能な不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリの書き
込み及び消去を制御する制御部を備えるマイクロコンピ
ュータにおいて、前記不揮発性メモリ中に、所定単位の複数のデータ領域
と、各々のデータ領域に対応し、データの書き込みに不
都合があることが検出された回数を保持するレジスタ領
域と、各々のデータ領域に対応し、データの書き込みが
不可能なことを示す状態が書き込まれるフラグ領域とを
設けたことを特徴とするマイクロコンピュータ。
【請求項２】前記制御部は、前記複数のデータ領域の
うち１つのメモリ領域を選択する選択手段と、選択され
たデータ領域に書き込みデータを書き込む手段と、書き
込みデータと、前記書き込みデータに対応する読み出し
データとが一致しているか否か確認する確認手段と、前
記２つのデータが一致しない場合、指定されたデータ領
域に対応するレジスタ領域をインクリメントするインク
リメント手段とを含むことを特徴とする請求項１記載の
マイクロコンピュータ。
【請求項３】前記制御部は、前記２つのデータが一致
しない場合、前記データ領域に対して少なくとも１回の
消去動作を行う消去手段を含むことを特徴とする請求項
２記載のマイクロコンピュータ。
【請求項４】前記制御部は、前記レジスタ手段の値が
所定値を超えた場合、前記データ領域に対応するフラグ
領域にデータの書き込みを禁止することを示す状態をセ
ットするフラグ手段を含むことを特徴とする請求項３記
載のマイクロコンピュータ。
【請求項５】前記不揮発性メモリは、前記データ領域
の対応するレジスタ手段の値が所定値を超えた場合、前
記データ領域に対応するフラグ領域にデータの書き込み
を禁止することを示す状態をセットするセット回路を備
えることを特徴とする請求項２記載のマイクロコンピュ
ータ。
【請求項６】前記制御部は、前記２つのデータが一致
した場合、書き込み動作を終了することを特徴とする請
求項２記載のマイクロコンピュータ。
【請求項７】前記制御部は、データの書き換えごと
に、指定するメモリ領域を変更することを特徴とする請
求項２記載ののマイクロコンピュータ。