JPH1092742A - ゲルマニウムを含有する反射防止用の組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents

ゲルマニウムを含有する反射防止用の組成物及びそれを用いたパターン形成方法

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JPH1092742A
JPH1092742A JP9209135A JP20913597A JPH1092742A JP H1092742 A JPH1092742 A JP H1092742A JP 9209135 A JP9209135 A JP 9209135A JP 20913597 A JP20913597 A JP 20913597A JP H1092742 A JPH1092742 A JP H1092742A
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Tokan Kin
東 完 金
Koei Kyo
浩 英 姜
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゲルマニウムを含む反射防止用の組成物とそ
れを用いるパターン形成方法を提供する。 【解決手段】 半導体装置の製造時、下地膜から反射し
てフォトレジスト膜に浸透する光を減少させるための反
射防止膜をゲルマニウムナイトライドのようなゲルマニ
ウム（Ｇｅ）を含む組成物で形成するため、厚さの調節
及び除去が容易になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子製造用の
組成物及び半導体素子の製造方法に係り、特に反射防止
用の組成物およびそれを用いたパターン形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体素子の製造工程中のフォ
トリソグラフィ工程では、半導体基板上に素子を形成す
るためにフォトレジストパターンをマスクとして物質層
を食刻したり、イオン注入を行ったりする。
【０００３】この際、フォトレジストパターンを形成す
るための露光工程時、物質層から反射してフォトレジス
ト膜内に入射する光により次の問題が生ずる。
【０００４】第一に、フォトレジスト膜内における光の
多重干渉による定在波効果（standing wave effect）に
よりフォトレジストパターンに波状のリプルが生じて確
かな線幅の制御が困難である。
【０００５】第二に、半導体素子の製造工程中に発生す
る段差部位で光のバラツキにより露光されるべき部分が
露光されず、露光すべきでない部分が露光される。した
がって、パタニングされる物質層にノッチングまたはブ
リッジングが発生する。これを、図１及び図２を参照し
て説明する。
【０００６】図１及び図２は、従来の一般的な半導体装
置のパターン形成方法を説明するための断面図である。
図１において、トランジスタなどを含む下部構造物が形
成された半導体基板１の上に絶縁層３を形成する。その
絶縁層３の上にパターンを形成しようとする物質層５及
びフォトレジスト膜を形成する。次に、フォトマスク９
を用いてフォトレジスト膜７を露光したのち、現像する
ことにより、図２に示されるフオトレジストパターン１
１を形成する。
【０００７】図１に示されるように、前記絶縁層３の表
面には下部構造物により段差が形成される。これによ
り、前記物質層５の上に塗布されるフォトレジスト膜７
は、段差の低い部位で厚く塗布されるが、段差の高い部
位では薄く塗布される。したがって、フォトレジスト７
の厚さがその全面にかけて均一でなくなる。また、フォ
トマスク９を用いた露光及び現像工程を経ながら、上述
したように光の多重干渉によりフォトレジストパターン
１１の線幅が段差により異なり、段差による光のバラツ
キによりノッチングまたはブリッジングが発生する。
【０００８】上述した問題点は、パターンを形成しよう
とする物質層がアルミニウムのような高反射物質で形成
されるとき、一層深刻になる。
【０００９】かかる問題を解決するため、フォトレジス
ト膜の下部に形成された物質層から反射した光がフォト
レジストの内部に入射しないように、フォトレジスト膜
と物質層との間に反射防止膜を形成する方法が提案され
ている。
【００１０】従来の反射防止膜としては、有機物質を用
いる有機反射防止膜と、チタニウムナイトライド（Ｔｉ
Ｎｘ）またはシリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）などを
用いる無機反射防止膜がある。
【００１１】このなかでも、有機反射防止膜は、フォト
レジストパターンをマスクとして食刻またはイオン注入
工程を行った後、酸素（Ｏ2 ）プラズマを用いるフォト
レジストエッチング工程で残余有機反射防止膜とフォト
レジスト膜を容易に取り除くことができる。しかしなが
ら、有機反射防止膜はスピンコーティング方法を用いて
形成されるので、段差が形成されている部位で反射防止
膜の厚さを均一に調節することは殆ど不可能である。さ
らに、フォトレジストと有機反射防止膜との食刻選択比
が殆どなく、有機反射防止膜の食刻時にフォトレジスト
パターンの損失が避けられない。
【００１２】一方、有機反射防止膜は上述した有機反射
防止膜の欠点は克服できるが、物質層パターンの形成
後、残余反射防止膜を容易に取り除くことができない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、有機及び有機反射防止膜の欠点を解決して、段
差が形成された半導体基板上にも均一に形成することが
でき、他の膜質との食刻選択比の制御が容易であり、か
つ、除去しやすい反射防止用の組成物を提供することに
ある。
【００１４】本発明の他の目的は、前記反射防止用の組
成物を用いたパターン形成方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的は、反射防止膜
をゲルマニウムナイトライド（germanium nitride ）の
ようなゲルマニウム（Ｇｅ）を含む組成物で形成するこ
とにより達成される。また、前記組成物は、半導体製造
工程で多用される酸素、水素及びフッ素などの他の元素
を少なくとも一つ以上含めてもよい。
【００１６】前記他の目的は、半導体基板上にパタニン
グされる物質層を形成し、前記物質層上にゲルマニウム
（Ｇｅ）を含む物質で反射防止膜を形成することにより
達成される。また、前記反射防止膜上にフォトレジスト
膜を形成し、前記フォトレジスト膜を露光・現像してフ
ォトレジストパターンを形成する。次いで、前記フォト
レジストパターンをマスクとして前記反射防止膜及び物
質層を食刻することにより、反射防止膜パターン及び物
質層パターンを順次形成し、前記フォトレジストパター
ンを取り除いた後、前記反射防止膜パターンを取り除く
と、半導体装置に用いられる物質層パターンを形成する
ことができる。
【００１７】上述したように、ゲルマニウムナイトライ
ドのようにゲルマニウムを含む組成物で反射防止膜を形
成すると、段差のある半導体基板上にも反射防止膜を均
一に形成することができ、他の膜質との食刻選択比の制
御が容易であり、除去しやすい反射防止膜を得ることが
できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明の実施の形態を詳しく説明する。
【００１９】図３は、本発明の一実施例による反射防止
膜を説明するための断面図である。図３を参照すれば、
半導体基板５０の上にトランジスタなどを含む下部構造
物（図示せず）を覆う第１物質層５２が形成されてお
り、前記第１物質層５２の上にパターンを形成しようと
する第２物質層５４が形成されている。また、前記第２
物質層５４に入射した光を反射しないようにゲルマニウ
ム（Ｇｅ）を含有する物質よりなる反射防止膜５６が前
記第２物質層５４の上に形成されており、フォトレジス
ト膜５８が前記反射防止膜５６の上に形成されている。
前記第２物質層５４のパターンの形成時に、マスクとし
て用いられるフォトレジストパターンを形成するため、
フォトマスク６０を用いて前記フォトレジスト膜５８を
露光させる。
【００２０】本発明による反射防止膜５６は、他の膜質
との食刻選択比の調節が容易であり、湿式食刻により除
去しやすい特性を有するゲルマニウム（Ｇｅ）を含有す
る組成物、例えば、ゲルマニウムナイトライド（ＧｅＮ
ｘ）で形成される。前記ゲルマニウムナイトライド反射
防止膜５６は、食刻剤、例えば加熱された硫酸により容
易に取り除くことができる。したがって、残余反射防止
膜を容易に除去できない従来の無機反射防止膜の欠点を
改善することができる。
【００２１】一方、前記ゲルマニウムナイトライド反射
防止膜内に酸素、水素、フッ素などの元素が含まれてい
てもよい。
【００２２】また、本発明による前記反射防止膜５６
は、厚さを均一に形成しうる蒸着方法で形成される。し
たがって、スピンコーティング方法を用いて塗布する従
来の一般的な有機反射防止膜に比べ厚さの調節が容易で
あるため、有機反射防止膜の欠点が解消される。
【００２３】
【外１】
【００２４】通常、干渉型反射防止膜５６の厚さ（ｄ）
は、λ／４ｎ（ここで、λは露光波長をいい、ｎは露光
波長における反射防止膜の屈折率をいう）の奇数倍の近
傍の厚さを有しなければならなく、干渉型反射防止膜の
正確な最適の厚さは、露光波長で前記反射防止膜の屈折
率とその上下部に形成される膜の屈折率とを考慮する反
射率の計算により決められる。このように、干渉型反射
防止膜は、その厚さの調節が容易であり、均一な厚さで
蒸着可能な物質で形成されなければならない。一方、吸
収型反射防止膜が用いられる場合、反射した光が反射防
止膜を通過しながら吸収されるように十分に厚い反射防
止膜を用いるべきである。
【００２５】本発明によるゲルマニウムナイトライド反
射防止膜５６は、通常の無機反射防止膜のようにスパッ
タリングまたは化学気相蒸着法で形成される。したがっ
て、前記ゲルマニウムナイトライド反射防止膜５６は、
段差部位で均一な厚さで形成され、厚さの調節が容易で
あるため、干渉型あるいは吸収型の反射防止膜としても
用いられる。
【００２６】図４〜図９は、本発明の第１実施例による
パターン形成方法を説明するための断面図である。
【００２７】図４は、フォトレジスト膜５８を形成する
段階を示す。
【００２８】半導体基板５０の上にトランジスタのよう
な下部構造物（図示せず）を形成し、その上に下部構造
物を覆う第１物質層５２、例えば絶縁層を形成する。第
１物質層５２の上にパターンを形成しようとする物質を
蒸着して第２物質層５４を形成したのち、第２物質層５
４に入射した光を反射しないようにゲルマニウムを含有
する反射防止膜５６を、例えば５０〜１５０ｎｍの厚さ
で形成する。次に、前記反射防止膜５６の上にフォトレ
ジストを塗布してフォトレジスト膜５８を形成する。
【００２９】ここで、前記第１物質層５２の表面には前
記下部構造物により段差が形成されており、前記パター
ンを形成しようとする第２物質層５４は、ポリシリコ
ン、金属、金属シリサイド又はポリサイドなどの高反射
物質で形成されることもある。本発明の望ましい実施例
によれば、前記反射防止膜５６は、ゲルマニウムと窒素
を含有する、例えばゲルマニウムナイトライド（ＧｅＮ
ｘ）層で形成される。ここで、前記ゲルマニウムナイト
ライド反射防止膜５６は、ゲルマニウムをターゲットと
して用い、窒素（Ｎ2 ）ガス、あるいはアルゴン（Ａ
ｒ）ガスと窒素ガスとを混合した雰囲気でＲＦスパッタ
リング法を用いて形成するか、化学気相蒸着法（ＣＶ
Ｄ）、プラズマ処理された化学気相蒸着法（ＰＥＣＶ
Ｄ）またはゾル−ゲル方法により形成することができ
る。
【００３０】したがって、従来のスピンコーティング方
法を用いる有機反射防止膜の工程に比べ、段差部位にお
いで均一な厚さで形成することができる。
【００３１】本発明によるゲルマニウムナイトライド反
射防止膜は、同一の露光波長でゲルマニウムの含量に応
じて消滅係数ｋが異なる。
【００３２】一般に、反射防止膜は、露光に用いる波長
で０．０５以上の消滅係数ｋを有するべきであり、特に
０．２５〜１．０の範囲の値を有するものであれば、望
ましい。
【００３３】実験の結果、ゲルマニウムナイトライド内
のゲルマニウムの含量が多いほど、消滅係数ｋが大きく
なる。したがって、窒素ガスの流量を調節することによ
り、露光波長における消滅係数を容易に調節することが
できる。
【００３４】例えば、窒素ガスの流量が７７ｓｃｃｍで
あり、ＲＦパワーが１５０Ｗの条件で形成されるゲルマ
ニウムナイトライド反射防止膜の消滅係数は０．３７で
ある。この値は前記条件で蒸着されたゲルマニウムナイ
トライド反射防止膜の複素屈折率を求めた後、虚数部を
とったものである。この際、露光波長は４３６ｎｍ、３
６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍを含む４５０ｎｍ以
下の波長帯域を示す。
【００３５】すなわち、本発明による前記ゲルマニウム
ナイトライド反射防止膜５６の形成時、その消滅係数が
０．２５〜１．０の範囲の値を有するようにゲルマニウ
ムの含量を調節することができる。
【００３６】一方、前記ゲルマニウムナイトライド反射
防止膜５６は、図３を参照して述べたように、反射防止
膜の上下部に形成される膜の屈折率を考慮する反射率
（ｒ）の計算により、最小の反射率を有する厚さを求め
ることができる。本発明の一実施例により形成されたゲ
ルマニウムナイトライド反射防止膜の厚さと反射率
（ｒ）との関係を図１０に示す。
【００３７】一方、前記反射防止膜５６を形成した後、
アニーリングのような高温熱処理を行うことにより反射
防止膜の膜質の向上を図ることができ、ＲＦプラズマ処
理を行うことにより反射防止膜の表面状態の改善を図る
こともできる。
【００３８】図５は、フォトレジストパターン６２を形
成する段階を示す。フォトマスク６０を用いて前記フォ
トレジスト膜５８を露光及び現像することにより、前記
反射防止膜５６の上にフォトレジストパターン６２を形
成する。
【００３９】図６は、反射防止膜パターン５６′及び第
２物質層パターン５４′を形成する段階を示す。前記フ
ォトレジストパターン６２を食刻マスクとして前記反射
防止膜５６及び第２物質層５４を食刻することにより、
反射防止膜パターン５６′及び第２物質層パターン５
４′を順次形成する。ここで、前記ゲルマニウムナイト
ライド反射防止膜５６はフォトレジストに対して高い食
刻選択比を有するため、従来の有機反射防止膜のパタニ
ング時のフォトレジストパターンの損失を避けることが
できる。
【００４０】図７は、フォトレジストパターン６２及び
反射防止膜パターン５６′を取り除く段階を示す。前記
フォトレジストパターン６２を、例えば、酸素プラズマ
を用いたフォトレジストエッチング工程で取り除いた
後、前記反射防止膜パターン５６′を食刻剤、例えば加
熱された硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）と過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）
との混合液を用いて取り除く。
【００４１】一方、本発明によるパターン形成方法は、
前記第１実施例のようにパターンを形成しようとする第
２物質層５４の上に反射防止膜５６を直接形成する場合
のみならず、第２物質層５４の上に露光波長に対して透
明あるいは半透明な物質層５５を形成し、その上に反射
防止膜５６を形成する場合（図８参照）や、フォトレジ
ストパターン６２と反射防止膜５６との間に露光波長に
対して透明あるいは半透明な物質層５５を形成する場合
（図９参照）にも適用できる。ここで、露光波長に対し
て透明あるいは半透明な前記物質層５５は、不純物がト
ープされないシリコン酸化物、不純物がトープされたシ
リコン酸化物、熱酸化により成長したシリコン酸化物、
オキシナイトライド、シリコンナイトライドなどを用い
て形成することができる。
【００４２】図１０は、ゲルマニウムナイトライド酸化
防止膜の厚さと反射率との関係のシミュレーション結果
を示すグラフである。図１０を参照すれば、反射防止膜
の下部に形成された第２物質層を異にする各々の場合に
対して反射防止膜の厚さに応じる反射係数を計算して示
す。ここで、実線（ａ）はタングステンシリサイド層
が、点線（ｂ）はポリシリコン層が、一点鎖線（ｃ）は
アルミニウム層が第２物質層として形成された場合を示
す。最下の反射率を有する最適の厚さとなるように反射
防止膜を形成し、これを干渉型反射防止膜として用いる
ことができる。
【００４３】上述したように、本発明の第１実施例によ
れば、第一に、線幅の変化がなく、ノッチングもないフ
ォトレジストパターンを形成することができる。
【００４４】第二に、スパッタリングまたは化学気相蒸
着法で反射防止膜を形成するので、段差部位で均一な厚
さで形成することができ、反射防止膜の厚さの調節も容
易である。したがって、スピンコーティング方法を用い
る従来の有機反射防止膜の欠点が解決される。
【００４５】第三に、フォトレジストに対する食刻選択
比が大きいので、従来の有機反射防止膜のパタニング時
のフォトレジストパターンの損失を避けることができ
る。
【００４６】第四に、他の膜質に対する食刻選択比の調
節が容易であり、特定の食刻剤により除去しやすいの
で、従来の無機反射防止膜の欠点が改善される。
【００４７】図１１〜図１４は、本発明の第２実施例に
よるパターン形成方法を説明するための断面図である。
【００４８】本発明の第２実施例によるパターン形成方
法は、前記ゲルマニウムを含有する反射防止膜５６の上
に食刻防止層５７をさらに形成することを除いては、前
記第１実施例と同様である。第２実施例において、前記
第１実施例における同じ参照符号は同じ物質を示す。
【００４９】図１１を参照すれば、ゲルマニウムを含有
する反射防止膜５６を形成する工程まで前記第１実施例
と同様に行った後、前記反射防止膜５６の上に絶縁物、
例えばシリコン酸化物を蒸着して食刻防止膜５７を形成
する。次に、第１実施例と同様に、フォトレジスト膜を
形成した後、これを露光・現像することにより、フォト
レジストパターン６２を形成する。
【００５０】ここで、前記食刻防止膜５７は、前記フォ
トレジストパターン６２を形成する写真工程で行われる
現像段階で、前記ゲルマニウムを含有する反射防止膜５
６の食刻を防ぐために形成される。
【００５１】この際、前記食刻防止膜５７を形成する前
に、ウェーハエッジに形成される前記反射防止膜５６を
取り除く段階を加えて前記食刻防止膜５７が前記反射防
止膜を取り囲むようにすることにより、現像段階で前記
反射防止膜５６の側面の食刻を防ぐことができる（図１
４参照）。
【００５２】図１２を参照すれば、前記フォトレジスト
パターン６２を食刻マスクとして前記食刻防止膜５７、
反射防止膜５６及び第２物質層５４を食刻することによ
り、食刻防止膜パターン５７′、反射防止膜パターン５
６′及び第２物質層パターン５４′を順次形成する。
【００５３】図１３を参照すれば、前記フォトレジスト
パターン６２を取り除き、前記食刻防止膜パターン５
７′を、例えばＨＦを用いて取り除いた後、前記反射防
止膜パターン５６′を食刻剤、例えば加熱された硫酸
（Ｈ2 ＳＯ4 ）と過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）との混合液
を用いて取り除く。
【００５４】前記本発明の第２実施例によれば、ゲルマ
ニウムを含有する反射防止膜５６の上に食刻防止膜５７
を形成することにより、前記反射防止膜５６が工程条件
によって水溶性で製造されても、写真工程で行われる現
像段階で食刻されることが望ましい。
【００５５】本発明は上述した実施例に限るものでな
く、多くの変形が本発明の技術的な思想内の当分野での
通常の知識を持つ者により可能なのは明らかである。
【００５６】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、第一
に、一般の反射防止膜を用いる場合と同様に、フォトレ
ジスト膜の厚さ変化にもかかわらず、線幅の変化がな
く、ノッチングのないフォトレジストパターンを形成す
ることができる。第二に、スパッタリングまたは化学気
相蒸着法で反射防止膜を形成するので、段差部位でも均
一な厚さで形成することができ、反射防止膜の厚さ調節
も容易である。したがって、スピンコーティング方法を
用いる従来の有機反射防止膜の短所が改善される。第三
に、フォトレジストに対する食刻選択比が大きいため、
従来の有機反射防止膜のパタニング時のフォトレジスト
パターンの損失を避けることができる。第四に、他の膜
質に対する食刻選択比の調節が容易であり、特定の食刻
剤により容易に取り除かれるので、従来の無機反射防止
膜の欠点が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の一般的な半導体装置のパターン形成方法
を説明するための断面図である。
【図２】従来の一般的な半導体装置のパターン形成方法
を説明するための断面図である。
【図３】本発明の一実施例による反射防止膜を説明する
ための断面図である。
【図４】本発明の第１実施例によるパターン形成方法を
説明するための断面図である。
【図５】本発明の第１実施例によるパターン形成方法を
説明するための断面図である。
【図６】本発明の第１実施例によるパターン形成方法を
説明するための断面図である。
【図７】本発明の第１実施例によるパターン形成方法を
説明するための断面図である。
【図８】本発明の第１実施例によるパターン形成方法を
説明するための断面図である。
【図９】本発明の第１実施例によるパターン形成方法を
説明するための断面図である。
【図１０】本発明によるゲルマニウムナイトライド反射
防止膜の厚さと反射率との関係のシミュレーション結果
を示すグラフである。
【図１１】本発明の第２実施例によるパターン形成方法
を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の第２実施例によるパターン形成方法
を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の第２実施例によるパターン形成方法
を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の第２実施例によるパターン形成方法
を説明するための断面図である。
【符号の説明】
５０…半導体基板 ５２…第１物質層 ５４…第２物質層 ５５…透明あるいは半透明な物質層 ５６…反射防止層 ５７…食刻防止層 ５８…フォトレジスト膜 ６０…フォトマスク ６２…フォトレジストパターン

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体装置製造用の反射防止組成物にお
    いて、 前記組成物はゲルマニウム（Ｇｅ）を含むことを特徴と
    する半導体装置製造用の反射防止組成物。
  2. 【請求項２】 前記組成物はゲルマニウムナイトライド
    を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製
    造用の反射防止組成物。
  3. 【請求項３】 前記ゲルマニウムナイトライドは、酸
    素、水素及びフッ素よりなる群から選ばれる少なくとも
    一つを含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体装
    置製造用の反射防止組成物。
  4. 【請求項４】 前記反射防止組成物は半導体基板上に形
    成された下地膜から反射してフォトレジストに浸透する
    光を減少させる反射防止膜の形成に用いられ、前記下地
    膜は、ポリシリコン、金属シリサイド、アルミニウム、
    アルミニウム合金及びポリサイドよりなる群から選ばれ
    るいずれか一つで形成されることを特徴とする請求項１
    に記載の半導体装置製造用の反射防止組成物。
  5. 【請求項５】 （１）半導体基板上にパタニングされる
    物質層を形成する段階と、 （２）前記物質層上にゲルマニウム（Ｇｅ）を含む物質
    で反射防止膜を形成する段階と、 （３）前記反射防止膜上にフォトレジスト膜を形成する
    段階と、 （４）前記フォトレジスト膜を露光・現像してフォトレ
    ジストパターンを形成する段階と、 （５）前記フォトレジストパターンをマスクとして前記
    反射防止膜及び物質層を食刻することにより、反射防止
    膜パターン及び物質層パターンを順次形成する段階と、 （６）前記フォトレジストパターンを取り除く段階と、 （７）前記反射防止膜パターンを取り除く段階とを備え
    ることを特徴とする半導体装置のパターン形成方法。
  6. 【請求項６】 ゲルマニウムを含む前記物質は、ゲルマ
    ニウムナイトライド（ＧｅＮｘ）であることを特徴とす
    る請求項５に記載の半導体装置のパターン形成方法。
  7. 【請求項７】 反射防止膜を形成する前記段階は、ゲル
    マニウムをターゲットとして用い、窒素ガス、あるいは
    アルゴンガスと窒素ガスとを混合した雰囲気でＲＦスパ
    ッタリング法を用いて形成することを特徴とする請求項
    ６に記載の半導体装置のパターン形成方法。
  8. 【請求項８】 反射防止膜を形成する前記段階は、前記
    ＲＦスパッタリングの際、窒素ガスの流量とＲＦパワー
    を調節してゲルマニウムナイトライド反射防止膜の消滅
    係数を０．２５〜１．０とすることを特徴とする請求項
    ７に記載の半導体装置のパターン形成方法。
  9. 【請求項９】 前記反射防止膜は、スパッタリング法、
    化学気相蒸着法（ＣＶＤ）、プラズマ処理された化学気
    相蒸着法（ＰＥＣＶＤ）及びゾル−ゲル方法よりなる群
    から選ばれるいずれか一つで形成されることを特徴とす
    る請求項５に記載の半導体装置のパターン形成方法。
  10. 【請求項１０】 前記反射防止膜は、５ｎｍ〜１５０ｎ
    ｍの厚さで形成されることを特徴とする請求項５に記載
    の半導体装置のパターン形成方法。
  11. 【請求項１１】 前記反射防止膜パターンは、加熱され
    た硫酸と過酸化水素との混合溶液を用いて取り除かれる
    ことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置のパター
    ン形成方法。
  12. 【請求項１２】 前記反射防止膜を形成する段階の後、 高温熱処理工程を行い反射防止膜の膜質を改善すること
    を特徴とする請求項５に記載の半導体装置のパターン形
    成方法。
  13. 【請求項１３】 前記反射防止膜を形成する段階の後、 ＲＦプラズマ処理を行い反射防止膜の表面状態を改善す
    ることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置のパタ
    ーン形成方法。
  14. 【請求項１４】 パタニングされる物質層を形成する前
    記段階の後、 前記パタニングされる物質層上に、露光波長に対して透
    明または半透明層を形成する段階をさらに備え、 前記食刻段階は、前記フォトレジストパターンをマスク
    として前記反射防止膜、透明または半透明物質層及び物
    質層を順次食刻する段階を備えることにより、反射防止
    膜パターン、透明および半透明層パターン及び物質層パ
    ターンを形成し、 反射防止膜パターンを取り除く前記
    段階の後、 前記透明または半透明層パターンを取り除く段階をさら
    に備えることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置
    のパターン形成方法。
  15. 【請求項１５】 前記透明または半透明層は、不純物が
    ドープされないシリコン酸化物、不純物がドープされた
    シリコン酸化物、熱酸化により成長したシリコン酸化
    物、オキシナイトライド及びシリコンナイトライドより
    なる群から選ばれるいずれか一つで形成されることを特
    徴とする請求項１４に記載の半導体装置のパターン形成
    方法。
  16. 【請求項１６】 反射防止膜を形成する前記段階の後、 前記反射防止膜上に、前記反射防止膜の食刻を防止する
    ための食刻防止層を形成する段階をさらに備えることを
    特徴とする請求項５に記載の半導体装置のパターン形成
    方法。
  17. 【請求項１７】 前記食刻防止層は絶縁物で形成される
    ことを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置のパタ
    ーン形成方法。
  18. 【請求項１８】 パタニングされる物質層を形成する前
    記段階の後、 前記パタニングされる物質層上に、露光波長に対して透
    明または半透明層を形成する段階をさらに備え、 前記食刻段階は、前記フォトレジストパターンをマスク
    として前記食刻防止膜、反射防止膜、透明または半透明
    層及び物質層を順次食刻する段階を備えることにより、
    反射防止膜パターン、透明及び半透明層パターン及び物
    質層パターンを形成し、 フォトレジストパターンを取り除く前記段階の後、 前記食刻防止膜パターンを取り除く段階をさらに備え、 反射防止膜パターンを取り除く前記段階の後、 前記透明または半透明層パターンを取り除く段階をさら
    に備えることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装
    置のパターン形成方法。
  19. 【請求項１９】 （１）半導体基板上にパタニングされ
    る物質層を形成する段階と、 （２）前記物質層上にゲルマニウム（Ｇｅ）を含む物質
    で反射防止膜を形成する段階と、 （３）前記反射防止膜上に前記反射防止膜の食刻を防止
    するための食刻防止膜を形成する段階と、 （４）前記食刻防止膜上にフォトレジスト膜を形成する
    段階と、 （５）前記フォトレジスト膜を露光・現像してフォトレ
    ジストパターンを形成する段階と、 （６）前記フォトレジストパターンをマスクとして前記
    食刻防止膜、反射防止膜及び物質層を順次食刻すること
    により、食刻防止膜パターン、反射防止膜パターン及び
    物質層パターンを順次に形成する段階と、 （７）前記フォトレジストパターンを取り除く段階と、 （８）前記食刻防止膜パターンを取り除く段階と、 （９）前記反射防止膜パターンを取り除く段階とを備え
    ることを特徴とする半導体装置のパターン形成方法。
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