JPH1092016A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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- JPH1092016A JPH1092016A JP8241550A JP24155096A JPH1092016A JP H1092016 A JPH1092016 A JP H1092016A JP 8241550 A JP8241550 A JP 8241550A JP 24155096 A JP24155096 A JP 24155096A JP H1092016 A JPH1092016 A JP H1092016A
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- recording
- groove
- land
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- G11B7/007—Arrangement of the information on the record carrier, e.g. form of tracks, actual track shape, e.g. wobbled, or cross-section, e.g. v-shaped; Sequential information structures, e.g. sectoring or header formats within a track
- G11B7/00718—Groove and land recording, i.e. user data recorded both in the grooves and on the lands
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24073—Tracks
- G11B7/24079—Width or depth
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 クロスイレーズを低減し、高密度記録を可能
にする。 【解決手段】 ディスク基板１の表面にトラッキングガ
イドとなるランド３とグルーブ４を形成し、記録膜１１
によって覆う。記録膜１１の段差ｄ2 を１００〜８００
ｎｍとし、グルーブ４の底面を覆う膜厚ｂとランド３の
上面を覆う膜厚ａとの比ｂ／ａを０．６〜１．１とす
る。また、グルーブ３の側壁部を覆う膜厚ｃとランド３
の上面を覆う膜厚ａとの比ｃ／ａを０〜０．８とする。
これにより熱の伝導を低減することができクロスイレー
ズ耐性が増大する。その結果として、トラックピッチを
小さくすることができ、高密度記録を可能にする。
にする。 【解決手段】 ディスク基板１の表面にトラッキングガ
イドとなるランド３とグルーブ４を形成し、記録膜１１
によって覆う。記録膜１１の段差ｄ2 を１００〜８００
ｎｍとし、グルーブ４の底面を覆う膜厚ｂとランド３の
上面を覆う膜厚ａとの比ｂ／ａを０．６〜１．１とす
る。また、グルーブ３の側壁部を覆う膜厚ｃとランド３
の上面を覆う膜厚ａとの比ｃ／ａを０〜０．８とする。
これにより熱の伝導を低減することができクロスイレー
ズ耐性が増大する。その結果として、トラックピッチを
小さくすることができ、高密度記録を可能にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスク基板にト
ラッキング用のグルーブとランドを形成した光ディスク
に関し、特に記録、再生、消去が可能な光ディスクに関
する。
ラッキング用のグルーブとランドを形成した光ディスク
に関し、特に記録、再生、消去が可能な光ディスクに関
する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは、高密度情報の蓄積と高速
に情報処理可能なことから民生用および計算機用に実用
化され普及しつつある。直径５．２５インチや３．５イ
ンチ等の光ディスクは、情報の書き換えが可能である光
磁気ディスクや相変化ディスクがＩＳＯ規格により標準
化されており、今後さらに広く普及するものと予想され
る。
に情報処理可能なことから民生用および計算機用に実用
化され普及しつつある。直径５．２５インチや３．５イ
ンチ等の光ディスクは、情報の書き換えが可能である光
磁気ディスクや相変化ディスクがＩＳＯ規格により標準
化されており、今後さらに広く普及するものと予想され
る。
【０００３】この光ディスクは、図６に示すようにディ
スク基板１に記録再生装置のピックアップ２からのレー
ザースポットを情報に沿って導くための、すなわちトラ
ッキングのためのガイドを凹と凸の形でディスクの内周
から外周へ向けて螺旋状に形成している。トラッキング
ガイドについて詳しく説明すると、ＩＳＯ規格において
定義されているように、ピックアップ２側から見た場合
に凹となる部分３、すなわち遠方になる部分はランドと
呼ばれ、一方、凸となる部分４、すなわち近くになる部
分はグルーブと呼ばれる。ランド３の中心から隣接する
ランド３の中心までの距離をトラックピッチＰと呼んで
いる。一般的に、グルーブ４の深さｄ3は５０ｎｍ、幅
Ｗは０．４〜０．６μｍであり、トラックピッチＰは
１．４μｍのものが主流であるが、最近ではさらに高密
度に情報を記録するため、トラックピッチＰを１．１μ
ｍにして狭トラックピッチ化した光ディスクも報告され
ている。
スク基板１に記録再生装置のピックアップ２からのレー
ザースポットを情報に沿って導くための、すなわちトラ
ッキングのためのガイドを凹と凸の形でディスクの内周
から外周へ向けて螺旋状に形成している。トラッキング
ガイドについて詳しく説明すると、ＩＳＯ規格において
定義されているように、ピックアップ２側から見た場合
に凹となる部分３、すなわち遠方になる部分はランドと
呼ばれ、一方、凸となる部分４、すなわち近くになる部
分はグルーブと呼ばれる。ランド３の中心から隣接する
ランド３の中心までの距離をトラックピッチＰと呼んで
いる。一般的に、グルーブ４の深さｄ3は５０ｎｍ、幅
Ｗは０．４〜０．６μｍであり、トラックピッチＰは
１．４μｍのものが主流であるが、最近ではさらに高密
度に情報を記録するため、トラックピッチＰを１．１μ
ｍにして狭トラックピッチ化した光ディスクも報告され
ている。
【０００４】このような光ディスクの記録密度をさらに
大きくするには、例えば光ディスクの表面を覆う記録膜
を照射するビームスポット径を小さくすればよい。ビー
ムスポット径を小さくする方法としては、光ビームの波
長を短くする方法や、対物レンズの開口数（ＮＡ）を大
きくする方法などがある。しかし、光ビームの波長を短
くする方法は、光ヘッドの光源に用いられる半導体レー
ザーの波長が限られており、また短波長のレーザーでは
レーザー光の形状や出力等が不十分であるという問題が
あった。一方、対物レンズの開口数（ＮＡ）を大きくす
る方法は、収差が増大するため、要求されるレベルまで
収差特性を抑えるには高度な技術が必要であり、現状で
は困難である。
大きくするには、例えば光ディスクの表面を覆う記録膜
を照射するビームスポット径を小さくすればよい。ビー
ムスポット径を小さくする方法としては、光ビームの波
長を短くする方法や、対物レンズの開口数（ＮＡ）を大
きくする方法などがある。しかし、光ビームの波長を短
くする方法は、光ヘッドの光源に用いられる半導体レー
ザーの波長が限られており、また短波長のレーザーでは
レーザー光の形状や出力等が不十分であるという問題が
あった。一方、対物レンズの開口数（ＮＡ）を大きくす
る方法は、収差が増大するため、要求されるレベルまで
収差特性を抑えるには高度な技術が必要であり、現状で
は困難である。
【０００５】そこで、最近では光源の波長と再生用光ス
ポットの大きさは現状のままでも、高密度に記録された
情報を読み出し、見掛け上の分解能を向上させる磁気超
解像（Magnetically Induced Super Resolution 以下、
ＭＳＲという）と呼ばれる技術が提案され、注目を浴び
ている。これは、再生光による媒体の温度上昇と媒体の
回転移動との組み合わせにより生じる光スポット内の媒
体の温度分布を利用して、光スポット内に入った媒体の
信号の一部を再生信号として検出できないように磁気的
にマスクし、再生の実効アパーチャーを小さくすること
により、ビーム径以下の情報を再生する方法である。こ
のＭＳＲ法には、高温部をマスクするＦＡＤ方式(Front
Aperture Detection)や低温部をマスクするＲＡＤ方式
(Rear Aperture Detection) 、初期化のための磁石を必
要とする方式等種々の方式がある。このようなＭＳＲ法
によれば、光学系の限界を超えて再生分解能を向上さ
せ、線密度方向の記録密度の向上が可能である。
ポットの大きさは現状のままでも、高密度に記録された
情報を読み出し、見掛け上の分解能を向上させる磁気超
解像（Magnetically Induced Super Resolution 以下、
ＭＳＲという）と呼ばれる技術が提案され、注目を浴び
ている。これは、再生光による媒体の温度上昇と媒体の
回転移動との組み合わせにより生じる光スポット内の媒
体の温度分布を利用して、光スポット内に入った媒体の
信号の一部を再生信号として検出できないように磁気的
にマスクし、再生の実効アパーチャーを小さくすること
により、ビーム径以下の情報を再生する方法である。こ
のＭＳＲ法には、高温部をマスクするＦＡＤ方式(Front
Aperture Detection)や低温部をマスクするＲＡＤ方式
(Rear Aperture Detection) 、初期化のための磁石を必
要とする方式等種々の方式がある。このようなＭＳＲ法
によれば、光学系の限界を超えて再生分解能を向上さ
せ、線密度方向の記録密度の向上が可能である。
【０００６】また最近では、狭トラックピッチ化の他の
手法として、ランドとグルーブの両方に情報を記録する
技術（以下、ランド・グルーブ記録方式という）が提案
されている。これは、従来ランドまたはグルーブのいず
れか一方に情報を記録し、他方をトラック間のガイドバ
ンドとしていたのを、ランドとグルーブの両方に情報を
記録し、トラックピッチを疑似的に半分にして情報容量
を２倍にする方式である。
手法として、ランドとグルーブの両方に情報を記録する
技術（以下、ランド・グルーブ記録方式という）が提案
されている。これは、従来ランドまたはグルーブのいず
れか一方に情報を記録し、他方をトラック間のガイドバ
ンドとしていたのを、ランドとグルーブの両方に情報を
記録し、トラックピッチを疑似的に半分にして情報容量
を２倍にする方式である。
【０００７】しかしながら、ランド・グルーブ記録方式
では、トラックピッチＰが従来の半分になるため、再生
時における隣合ったランドとグルーブ間の信号クロスト
ークの他に記録時における熱クロストークが問題とな
る。すなわち、光磁気ディスクや相変化ディスクは、レ
ーザー光によってディスクの温度を上昇させる熱記録で
あるため、隣接するトラックとの間隔が小さくなれば隣
接トラックへの熱拡散がより大きくなる。そのため、ト
ラックに情報を書き込んだり、消去したりするとき、隣
接トラックに書き込まれている情報を消してしまう。こ
れを熱クロストークまたはクロスイレーズと呼んでい
る。特にランド・グルーブ記録方式では、ランドとグル
ーブの双方を記録トラックとして使用するため、クロス
イレーズの影響を受け易く、多数回の繰り返し記録時に
おけるクロスイレーズの制御が重要である。従来の光デ
ィスクにおいて、このようなクロスイレーズが問題とな
るランドおよびグルーブの幅は、０．９μｍ程度が限界
となっている。
では、トラックピッチＰが従来の半分になるため、再生
時における隣合ったランドとグルーブ間の信号クロスト
ークの他に記録時における熱クロストークが問題とな
る。すなわち、光磁気ディスクや相変化ディスクは、レ
ーザー光によってディスクの温度を上昇させる熱記録で
あるため、隣接するトラックとの間隔が小さくなれば隣
接トラックへの熱拡散がより大きくなる。そのため、ト
ラックに情報を書き込んだり、消去したりするとき、隣
接トラックに書き込まれている情報を消してしまう。こ
れを熱クロストークまたはクロスイレーズと呼んでい
る。特にランド・グルーブ記録方式では、ランドとグル
ーブの双方を記録トラックとして使用するため、クロス
イレーズの影響を受け易く、多数回の繰り返し記録時に
おけるクロスイレーズの制御が重要である。従来の光デ
ィスクにおいて、このようなクロスイレーズが問題とな
るランドおよびグルーブの幅は、０．９μｍ程度が限界
となっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、ラン
ド・グルーブ記録方式の光ディスクにおいては、ランド
とグルーブを共に記録トラックとして使用するため、ク
ロスイレーズの影響を受け易いという問題があった。そ
のため、トラックピッチを狭くすることができず、高密
度記録の大きな障害となっていた。
ド・グルーブ記録方式の光ディスクにおいては、ランド
とグルーブを共に記録トラックとして使用するため、ク
ロスイレーズの影響を受け易いという問題があった。そ
のため、トラックピッチを狭くすることができず、高密
度記録の大きな障害となっていた。
【０００９】本発明は上記した従来の問題点を解決する
ためになされたもので、その目的とするところは、クロ
スイレーズを改善し、トラック密度を上げて高密度記録
を可能にした光ディスクを提供することにある。
ためになされたもので、その目的とするところは、クロ
スイレーズを改善し、トラック密度を上げて高密度記録
を可能にした光ディスクを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る光ディスクは、表面にトラッキング用の
グルーブとランドが形成されたディスク基板と、このデ
ィスク基板の表面を覆う記録膜を備えた光ディスクにお
いて、前記グルーブの幅（Ｗｇ）とランドの幅（Ｗｌ）
を０．４〜１．０μｍとし、前記ランドとグルーブを覆
う前記記録膜の段差（ｄ2 ）を１００〜８００ｎｍと
し、前記グルーブの底面を覆う記録膜の膜厚（ｂ）とラ
ンドの上面を覆う記録膜の膜厚（ａ）との比（ｂ／ａ）
を０．６〜１．１にしたことを特徴とする。また、本発
明に係る光ディスクは、グルーブの側壁部を覆う記録膜
の膜厚（ｃ）とランドの上面を覆う記録膜の膜厚（ａ）
との比（ｃ／ａ）を０〜０．８にしたことを特徴とす
る。
に本発明に係る光ディスクは、表面にトラッキング用の
グルーブとランドが形成されたディスク基板と、このデ
ィスク基板の表面を覆う記録膜を備えた光ディスクにお
いて、前記グルーブの幅（Ｗｇ）とランドの幅（Ｗｌ）
を０．４〜１．０μｍとし、前記ランドとグルーブを覆
う前記記録膜の段差（ｄ2 ）を１００〜８００ｎｍと
し、前記グルーブの底面を覆う記録膜の膜厚（ｂ）とラ
ンドの上面を覆う記録膜の膜厚（ａ）との比（ｂ／ａ）
を０．６〜１．１にしたことを特徴とする。また、本発
明に係る光ディスクは、グルーブの側壁部を覆う記録膜
の膜厚（ｃ）とランドの上面を覆う記録膜の膜厚（ａ）
との比（ｃ／ａ）を０〜０．８にしたことを特徴とす
る。
【００１１】本発明において、記録膜の段差ｄを大きく
すると、熱の伝導距離が長くなるため、クロスイレーズ
耐性が増加する。また、記録膜のランドとグルーブ部分
における膜厚比ｂ／ａを変化させると、記録感度がラン
ドとグルーブで異なる。ｂ／ａを大きくすると、クロス
イレーズ耐性も増加する。グルーブの側壁部を覆う記録
膜の膜厚が薄いと、熱の伝導を遮断するため、クロスイ
レーズ耐性は増加する。クロスイレーズ耐性は、キャリ
アレベルが落ちはじめる消去レーザーパワーＰｅと、最
適記録レーザーパワーＰｐとの比（Ｐｅ／Ｐｐ）で表さ
れ、大きいほどクロスイレーズが発生せず、トラックピ
ッチを小さくすることができる。
すると、熱の伝導距離が長くなるため、クロスイレーズ
耐性が増加する。また、記録膜のランドとグルーブ部分
における膜厚比ｂ／ａを変化させると、記録感度がラン
ドとグルーブで異なる。ｂ／ａを大きくすると、クロス
イレーズ耐性も増加する。グルーブの側壁部を覆う記録
膜の膜厚が薄いと、熱の伝導を遮断するため、クロスイ
レーズ耐性は増加する。クロスイレーズ耐性は、キャリ
アレベルが落ちはじめる消去レーザーパワーＰｅと、最
適記録レーザーパワーＰｐとの比（Ｐｅ／Ｐｐ）で表さ
れ、大きいほどクロスイレーズが発生せず、トラックピ
ッチを小さくすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る光
ディスクの概略構成を示す断面図、図２は同ディスクの
要部の拡大断面図である。これらの図において、光ディ
スク１０は、透明なポリカーボネート等によって円板状
に形成され一表面にランド３とグルーブ４が形成された
ディスク基板１を備え、このディスク基板１の一表面を
記録膜１１によって覆っている。ランド幅Ｗｌとグルー
ブ幅Ｗｇ３は、ともに０．４〜１．０μｍで等しい。グ
ルーブ４の深さｄ1 は、従来のグルーブの深さ（５０ｎ
ｍ程度）より深く（１００ｎｍ以上）形成されている。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る光
ディスクの概略構成を示す断面図、図２は同ディスクの
要部の拡大断面図である。これらの図において、光ディ
スク１０は、透明なポリカーボネート等によって円板状
に形成され一表面にランド３とグルーブ４が形成された
ディスク基板１を備え、このディスク基板１の一表面を
記録膜１１によって覆っている。ランド幅Ｗｌとグルー
ブ幅Ｗｇ３は、ともに０．４〜１．０μｍで等しい。グ
ルーブ４の深さｄ1 は、従来のグルーブの深さ（５０ｎ
ｍ程度）より深く（１００ｎｍ以上）形成されている。
【００１３】記録膜１１は、スパッタリング、蒸着等に
よって形成されるもので、下地層を形成するＳｉＮから
なる透明誘電体層１２と、ＴｂＦｅＣｏからなる記録層
１３と、ＳｉＮからなる保護層１４の３層で構成されて
いる。ここで、従来の光ディスクにおいては、記録膜を
均一な膜厚で形成しているのに対し、本発明においては
膜厚が不均一な記録膜１１とし、ランド３の上面を覆う
部分の膜厚をａ、グルーブ４の底面を覆う部分の膜厚を
ｂ、グルーブ４の側壁部を覆う部分の膜厚をｃとする
と、ｂ／ａが０．６〜１．１になるように、またｃ／ａ
が０．〜０．８になるように制御されて形成される。こ
のような膜厚の制御は、成膜時に斜め方向からスパッタ
リングするとともに、供給ガスの圧力を調整したり、デ
ィスク基板１を回転させるなどすることにより可能であ
る。ランド３とグルーブ４による記録膜１１の段差ｄ2
は、１００〜８００ｎｍである。
よって形成されるもので、下地層を形成するＳｉＮから
なる透明誘電体層１２と、ＴｂＦｅＣｏからなる記録層
１３と、ＳｉＮからなる保護層１４の３層で構成されて
いる。ここで、従来の光ディスクにおいては、記録膜を
均一な膜厚で形成しているのに対し、本発明においては
膜厚が不均一な記録膜１１とし、ランド３の上面を覆う
部分の膜厚をａ、グルーブ４の底面を覆う部分の膜厚を
ｂ、グルーブ４の側壁部を覆う部分の膜厚をｃとする
と、ｂ／ａが０．６〜１．１になるように、またｃ／ａ
が０．〜０．８になるように制御されて形成される。こ
のような膜厚の制御は、成膜時に斜め方向からスパッタ
リングするとともに、供給ガスの圧力を調整したり、デ
ィスク基板１を回転させるなどすることにより可能であ
る。ランド３とグルーブ４による記録膜１１の段差ｄ2
は、１００〜８００ｎｍである。
【００１４】次に、このような光ディスク１０の製造方
法について説明するが、本実施の形態においては、光磁
気ディスクの例で説明する。先ず、光ディスクの原盤
（スタンパ）とガラス基板を用意する。そして、スタン
パとガラス基板間に紫外線硬化樹脂を注入して紫外線で
注入樹脂を硬化させる２Ｐ法により、ランド３およびグ
ルーブ４を有する直径８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ
１．２ｍｍの透明な円板状のディスク基板１をガラス基
板上に製作する。また、他の方法としてスタンパを用い
て射出成形を行うことにより、同様なディスク基板１を
製作してもよい。
法について説明するが、本実施の形態においては、光磁
気ディスクの例で説明する。先ず、光ディスクの原盤
（スタンパ）とガラス基板を用意する。そして、スタン
パとガラス基板間に紫外線硬化樹脂を注入して紫外線で
注入樹脂を硬化させる２Ｐ法により、ランド３およびグ
ルーブ４を有する直径８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ
１．２ｍｍの透明な円板状のディスク基板１をガラス基
板上に製作する。また、他の方法としてスタンパを用い
て射出成形を行うことにより、同様なディスク基板１を
製作してもよい。
【００１５】続いて、このディスク基板１の上にＳｉＮ
からなる透明誘電体層１２をスパッタリングによって形
成する。透明誘電体層１２の膜厚は７０ｎｍである。ま
た、透明誘電体層１２の上に膜厚５０ｎｍのＴｂＦｅＣ
ｏ層（記録層）１３をスパッタリングによって成膜す
る。ＴｂＦｅＣｏの組成は、Ｔｂ２１（Ｆｅ９０Ｃｏ１
０）７９である。さらに、この記録層１３の上にＳｉＮ
からなる膜厚７０ｎｍの保護層１４を形成することによ
り記録膜１１が形成され、もって光磁気ディスク１０の
製作が完了する。なお、本発明に係る光ディスクは、相
変化ディスクにも用いることができる。
からなる透明誘電体層１２をスパッタリングによって形
成する。透明誘電体層１２の膜厚は７０ｎｍである。ま
た、透明誘電体層１２の上に膜厚５０ｎｍのＴｂＦｅＣ
ｏ層（記録層）１３をスパッタリングによって成膜す
る。ＴｂＦｅＣｏの組成は、Ｔｂ２１（Ｆｅ９０Ｃｏ１
０）７９である。さらに、この記録層１３の上にＳｉＮ
からなる膜厚７０ｎｍの保護層１４を形成することによ
り記録膜１１が形成され、もって光磁気ディスク１０の
製作が完了する。なお、本発明に係る光ディスクは、相
変化ディスクにも用いることができる。
【００１６】
【実施例】以上のような製造方法により記録膜１１の段
差ｄ2 ，膜厚ａ，ｂ，ｃを変えながら複数の光ディスク
を製作した。そして、これらの光ディスクを記録再生装
置に順次装着し、各ディスクのランドまたはグルーブに
情報を記録しクロスイレーズを測定した。測定は、半導
体レーザーの波長が６８０ｎｍ、対物レンズの開口数
（ＮＡ）が０．５５の光ピックアップを用いて行なっ
た。
差ｄ2 ，膜厚ａ，ｂ，ｃを変えながら複数の光ディスク
を製作した。そして、これらの光ディスクを記録再生装
置に順次装着し、各ディスクのランドまたはグルーブに
情報を記録しクロスイレーズを測定した。測定は、半導
体レーザーの波長が６８０ｎｍ、対物レンズの開口数
（ＮＡ）が０．５５の光ピックアップを用いて行なっ
た。
【００１７】本実施例では、以下のようにしてクロスイ
レーズを測定した。先ず、記録膜１１に磁界を加えて記
録層１３の磁化の方向を一方向に揃える（消去状態）。
次に、ランド３に線速９ｍ／ｓｅｃの下で０．６４μｍ
の長さの単一周波数記録ビットを１トラックだけ記録す
る。このときの最適記録レーザーパワーをＰｐとする。
記録されたランドの両隣のグルーブを、消去レーザーで
それぞれ数１０回程度照射する。この消去レーザーは一
定強度で、最適記録レーザーパワーＰｐより低いパワー
とされる。その後、記録されたランドに戻ってキャリア
レベルとノイズレベルの測定を行なった。ここで、キャ
リアレベルが落ちはじめる消去レザーパワーＰｅを見つ
ける。クロスイレーズは、Ｐｅ／Ｐｐで定量化を行なっ
た。これをクロスイレーズ耐性と呼ぶ。同様にして、ラ
ンドについても測定を行なった。
レーズを測定した。先ず、記録膜１１に磁界を加えて記
録層１３の磁化の方向を一方向に揃える（消去状態）。
次に、ランド３に線速９ｍ／ｓｅｃの下で０．６４μｍ
の長さの単一周波数記録ビットを１トラックだけ記録す
る。このときの最適記録レーザーパワーをＰｐとする。
記録されたランドの両隣のグルーブを、消去レーザーで
それぞれ数１０回程度照射する。この消去レーザーは一
定強度で、最適記録レーザーパワーＰｐより低いパワー
とされる。その後、記録されたランドに戻ってキャリア
レベルとノイズレベルの測定を行なった。ここで、キャ
リアレベルが落ちはじめる消去レザーパワーＰｅを見つ
ける。クロスイレーズは、Ｐｅ／Ｐｐで定量化を行なっ
た。これをクロスイレーズ耐性と呼ぶ。同様にして、ラ
ンドについても測定を行なった。
【００１８】図３に上記の条件の光ディスクにおいて、
記録膜１１のグルーブ側壁部における膜厚ｃとランド上
面における膜厚ａとの比ｃ／ａに対するクロスイレーズ
耐性Ｐｅ／Ｐｐを示す。この図から明かなように、ｄ2
とｂ／ａをそれぞれ一定にした場合、それぞれのトラッ
クピッチにおいて、ｃ／ａが小さい程クロスイレーズ耐
性Ｐｅ／Ｐｐが増加することを示している。例えば、ト
ラックピッチＰ＝０．５μｍにおいて、ｃ／ａ＝１にす
ると、クロスイレーズ耐性Ｐｅ／Ｐｐは１となり、ｃ／
ａ＝０．８にするとＰｅ／Ｐｐが約１．０５となり、５
％増加する。また、トラックピッチＰ＝０．６μｍにお
いて、ｃ／ａ＝１にすると、クロスイレーズ耐性Ｐｅ／
Ｐｐは１．約３５となり、ｃ／ａ＝０．８にするとＰｅ
／Ｐｐが約１．３９に増加する。さらに、トラックピッ
チＰ＝０．７μｍにおいて、ｃ／ａ＝１にすると、クロ
スイレーズ耐性Ｐｅ／Ｐｐは１．５となり、ｃ／ａ＝
０．８にするとＰｅ／Ｐｐが１．５８に増加する。この
ことから、ｃ／ａは０．８以下、望ましくは０．７以下
にすることが好ましい。
記録膜１１のグルーブ側壁部における膜厚ｃとランド上
面における膜厚ａとの比ｃ／ａに対するクロスイレーズ
耐性Ｐｅ／Ｐｐを示す。この図から明かなように、ｄ2
とｂ／ａをそれぞれ一定にした場合、それぞれのトラッ
クピッチにおいて、ｃ／ａが小さい程クロスイレーズ耐
性Ｐｅ／Ｐｐが増加することを示している。例えば、ト
ラックピッチＰ＝０．５μｍにおいて、ｃ／ａ＝１にす
ると、クロスイレーズ耐性Ｐｅ／Ｐｐは１となり、ｃ／
ａ＝０．８にするとＰｅ／Ｐｐが約１．０５となり、５
％増加する。また、トラックピッチＰ＝０．６μｍにお
いて、ｃ／ａ＝１にすると、クロスイレーズ耐性Ｐｅ／
Ｐｐは１．約３５となり、ｃ／ａ＝０．８にするとＰｅ
／Ｐｐが約１．３９に増加する。さらに、トラックピッ
チＰ＝０．７μｍにおいて、ｃ／ａ＝１にすると、クロ
スイレーズ耐性Ｐｅ／Ｐｐは１．５となり、ｃ／ａ＝
０．８にするとＰｅ／Ｐｐが１．５８に増加する。この
ことから、ｃ／ａは０．８以下、望ましくは０．７以下
にすることが好ましい。
【００１９】図４に上記の条件の光ディスクにおいて、
トラックピッチに対するクロスイレーズ耐性Ｐｅ／Ｐｐ
を示す。この図は、トラックピッチＰを大きくすると、
当然のことながらクロスイレーズ耐性が増加することを
示している。また、記録膜の段差ｄ2 を大きくすると、
従来の光ディスクに比べてクロスイレーズ耐性がよくな
ることを示している。従来の光ディスクはトラックピッ
チｐが０．９μｍまでが限界であったが、本発明におい
てはトラックピッチｐを０．５μｍにしても十分なクロ
スイレーズ耐性が得られる。また、ランドとグルーブ部
における膜厚の比ｂ／ａを変化させると、記録感度がラ
ンドとグルーブとで異なる。さらに、クロスイレーズ耐
性もｂ／ａを小さくすると低下する。しかしながら、本
発明の光ディスクは、従来の光ディスクと比較して十分
なクロスイレーズ耐性が得られることを示している。
トラックピッチに対するクロスイレーズ耐性Ｐｅ／Ｐｐ
を示す。この図は、トラックピッチＰを大きくすると、
当然のことながらクロスイレーズ耐性が増加することを
示している。また、記録膜の段差ｄ2 を大きくすると、
従来の光ディスクに比べてクロスイレーズ耐性がよくな
ることを示している。従来の光ディスクはトラックピッ
チｐが０．９μｍまでが限界であったが、本発明におい
てはトラックピッチｐを０．５μｍにしても十分なクロ
スイレーズ耐性が得られる。また、ランドとグルーブ部
における膜厚の比ｂ／ａを変化させると、記録感度がラ
ンドとグルーブとで異なる。さらに、クロスイレーズ耐
性もｂ／ａを小さくすると低下する。しかしながら、本
発明の光ディスクは、従来の光ディスクと比較して十分
なクロスイレーズ耐性が得られることを示している。
【００２０】図５に上記の条件の光ディスクにおいて、
記録膜の段差ｄ2 に対するクロスイレーズ耐性Ｐｅ／Ｐ
ｐを示す。この図は、記録膜の段差ｄ2 を大きくすると
従来の光ディスクに比べてクロスイレーズ耐性がよくな
ることを示している。
記録膜の段差ｄ2 に対するクロスイレーズ耐性Ｐｅ／Ｐ
ｐを示す。この図は、記録膜の段差ｄ2 を大きくすると
従来の光ディスクに比べてクロスイレーズ耐性がよくな
ることを示している。
【００２１】このように本発明によれば、記録膜１１の
膜厚を不均一にすることによりクロスイレーズ耐性を向
上させることができる。特に、ｄ2 ＝１００〜８００ｎ
ｍ、ｂ／ａ＝０．６〜１．１、ｃ／ａ＝０〜０．８に設
定すると、良好なクロスイレーズ耐性が得られた。その
結果として、従来の光ディスクに比べてトラックピッチ
Ｐを狭くすることが可能になった。すなわち、通常は
０．９μｍが限界とされていたが、０．５μｍ以下にお
いても十分なクロスイレーズ耐性が得られた。
膜厚を不均一にすることによりクロスイレーズ耐性を向
上させることができる。特に、ｄ2 ＝１００〜８００ｎ
ｍ、ｂ／ａ＝０．６〜１．１、ｃ／ａ＝０〜０．８に設
定すると、良好なクロスイレーズ耐性が得られた。その
結果として、従来の光ディスクに比べてトラックピッチ
Ｐを狭くすることが可能になった。すなわち、通常は
０．９μｍが限界とされていたが、０．５μｍ以下にお
いても十分なクロスイレーズ耐性が得られた。
【００２２】クロスイレーズ耐性が増加する理由として
は、以下に述べる理由によるものと考えられる。ランド
における膜厚ａよりグルーブ側壁部の膜厚ｃを薄くする
と、熱の伝導を遮断するため、クロスイレーズ耐性がよ
くなるものと考えられる。また、記録膜１１の段差ｄ2
を大きくすると、熱が伝わる距離が長くなるため、クロ
スイレーズ耐性がよくなるものと考えられる。
は、以下に述べる理由によるものと考えられる。ランド
における膜厚ａよりグルーブ側壁部の膜厚ｃを薄くする
と、熱の伝導を遮断するため、クロスイレーズ耐性がよ
くなるものと考えられる。また、記録膜１１の段差ｄ2
を大きくすると、熱が伝わる距離が長くなるため、クロ
スイレーズ耐性がよくなるものと考えられる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る光ディ
スクは、ディスク基板を覆う記録膜の膜厚を不均一に
し、グルーブの幅（Ｗｇ）とランドの幅（Ｗｌ）を０．
４〜１．０μｍとし、ランドとグルーブを覆う記録膜の
段差（ｄ2 ）を１００〜８００ｎｍとし、グルーブの底
面を覆う記録膜の膜厚（ｂ）とランドの上面を覆う記録
膜の膜厚（ａ）との比（ｂ／ａ）を０．６〜１．１にし
たので、従来の光ディスクに比べて熱の伝導距離を長く
することができる。その結果として、トラックピッチを
狭くしてもクロスイレーズが発生せず、高密度記録が可
能な光ディスクを実現することができる。また、本発明
は、グルーブの側壁部を覆う記録膜の膜厚（ｃ）とラン
ドの上面を覆う記録膜の膜厚（ａ）との比（ｃ／ａ）を
０〜０．８にしたので、熱を遮断しクロスイレーズの発
生を低減することができる。したがって、高密度記録が
可能な光ディスクを実現することができる。
スクは、ディスク基板を覆う記録膜の膜厚を不均一に
し、グルーブの幅（Ｗｇ）とランドの幅（Ｗｌ）を０．
４〜１．０μｍとし、ランドとグルーブを覆う記録膜の
段差（ｄ2 ）を１００〜８００ｎｍとし、グルーブの底
面を覆う記録膜の膜厚（ｂ）とランドの上面を覆う記録
膜の膜厚（ａ）との比（ｂ／ａ）を０．６〜１．１にし
たので、従来の光ディスクに比べて熱の伝導距離を長く
することができる。その結果として、トラックピッチを
狭くしてもクロスイレーズが発生せず、高密度記録が可
能な光ディスクを実現することができる。また、本発明
は、グルーブの側壁部を覆う記録膜の膜厚（ｃ）とラン
ドの上面を覆う記録膜の膜厚（ａ）との比（ｃ／ａ）を
０〜０．８にしたので、熱を遮断しクロスイレーズの発
生を低減することができる。したがって、高密度記録が
可能な光ディスクを実現することができる。
【図１】 本発明に係る光ディスクの概略構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】 同光ディスクの要部の拡大断面図である。
【図３】 膜厚比（ｃ／ａ）とクロスイレーズ耐性との
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図４】 トラックピッチとクロスイレーズ耐性との関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図５】 記録膜の段差とクロスイレーズ耐性との関係
を示す図である。
を示す図である。
【図６】 従来のディスク基板の要部の断面図である。
１…ディスク基板、２…ピックアップ、３…ランド、４
…グルーブ、１０…光ディスク、１１…記録膜、１２…
透明誘電体層、１３…記録層、１４…保護層、ｄ2 …記
録膜の段差、ａ…ランド部の膜厚、ｂ…グルーブ部の膜
厚、ｃ…グルーブ側壁部の膜厚。
…グルーブ、１０…光ディスク、１１…記録膜、１２…
透明誘電体層、１３…記録層、１４…保護層、ｄ2 …記
録膜の段差、ａ…ランド部の膜厚、ｂ…グルーブ部の膜
厚、ｃ…グルーブ側壁部の膜厚。
Claims (2)
- 【請求項１】 表面にトラッキング用のグルーブとラン
ドが形成されたディスク基板と、このディスク基板の表
面を覆う記録膜を備えた光ディスクにおいて、 前記グルーブの幅（Ｗｇ）とランドの幅（Ｗｌ）を０．
４〜１．０μｍとし、前記ランドとグルーブを覆う前記
記録膜の段差（ｄ2 ）を１００〜８００ｎｍとし、前記
グルーブの底面を覆う記録膜の膜厚（ｂ）とランドの上
面を覆う記録膜の膜厚（ａ）との比（ｂ／ａ）を０．６
〜１．１にしたことを特徴とする光ディスク。 - 【請求項２】 請求項１記載の光ディスクにおいて、 グルーブの側壁部を覆う記録膜の膜厚（ｃ）とランドの
上面を覆う記録膜の膜厚（ａ）との比（ｃ／ａ）を０〜
０．８にしたことを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8241550A JPH1092016A (ja) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | 光ディスク |
| US08/928,732 US5856969A (en) | 1996-09-12 | 1997-09-12 | Optical disk which reduces cross erasure of data recorded on lands and grooves |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8241550A JPH1092016A (ja) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092016A true JPH1092016A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17076030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8241550A Pending JPH1092016A (ja) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | 光ディスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5856969A (ja) |
| JP (1) | JPH1092016A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7936661B2 (en) | 2007-07-31 | 2011-05-03 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Optical information recording medium |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000005288A (ko) * | 1996-04-10 | 2000-01-25 | 사토 도리 | 광기록매체_ |
| JPH11213301A (ja) * | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Hitachi Ltd | 記録媒体および記録装置 |
| JP2002510836A (ja) | 1998-04-06 | 2002-04-09 | イメイション・コーポレイション | データ記憶ディスク用リバース光マスタリング |
| US6587427B1 (en) * | 1998-06-01 | 2003-07-01 | Terastor Corporation | Magneto-optical recording medium |
| JP2001266495A (ja) | 2000-03-24 | 2001-09-28 | Sony Corp | 光ディスク及び光ディスク駆動装置 |
| JP2002050090A (ja) * | 2000-05-25 | 2002-02-15 | Fujitsu Ltd | 光記録媒体 |
| JP4147753B2 (ja) * | 2001-07-02 | 2008-09-10 | ソニー株式会社 | 光情報記録媒体、光情報記録媒体用原盤およびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2671139B2 (ja) * | 1987-12-10 | 1997-10-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 情報記録媒体，光情報記録方法および光情報記録再生方法 |
| JPH08124211A (ja) * | 1994-10-19 | 1996-05-17 | Fuji Xerox Co Ltd | 光記録媒体 |
| JP3246583B2 (ja) * | 1994-10-27 | 2002-01-15 | 沖電気工業株式会社 | 磁気記録媒体書き込み方法およびその装置 |
| JP3652017B2 (ja) * | 1995-08-23 | 2005-05-25 | 三井化学株式会社 | 光記録媒体 |
-
1996
- 1996-09-12 JP JP8241550A patent/JPH1092016A/ja active Pending
-
1997
- 1997-09-12 US US08/928,732 patent/US5856969A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7936661B2 (en) | 2007-07-31 | 2011-05-03 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Optical information recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5856969A (en) | 1999-01-05 |
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