JPH08124211A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH08124211A JPH08124211A JP6253971A JP25397194A JPH08124211A JP H08124211 A JPH08124211 A JP H08124211A JP 6253971 A JP6253971 A JP 6253971A JP 25397194 A JP25397194 A JP 25397194A JP H08124211 A JPH08124211 A JP H08124211A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording
- groove
- optical recording
- land
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/007—Arrangement of the information on the record carrier, e.g. form of tracks, actual track shape, e.g. wobbled, or cross-section, e.g. v-shaped; Sequential information structures, e.g. sectoring or header formats within a track
- G11B7/00718—Groove and land recording, i.e. user data recorded both in the grooves and on the lands
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24073—Tracks
- G11B7/24079—Width or depth
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/913—Material designed to be responsive to temperature, light, moisture
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ランド・グルーブ記録方式の光記録媒体とし
て、トラックの高密度化による大容量化を図るうえで、
クロストークを抑えながらかつクロスイレーズ（ジッタ
ーの増加）も抑えることができる光記録媒体を提供す
る。 【構成】 グルーブ部の深さを６０ｎｍ以上とし、か
つ、光ビームがグルーブ部又はランド部からなる所定の
トラックに照射された際に、そのトラックと隣接する隣
接トラックにおける記録状態にある部位と非記録状態に
ある部位との光ビームに対する反射率が互いに等しくな
るよう、保護層、記録層及び干渉層のうち少なくとも１
層以上をグルーブ部とランド部の間において異なる層厚
でもって形成した。また、保護層、記録層、干渉層及び
反射層のいずれかの層のランド側壁部を、グルーブ部及
びランド部の層厚よりも薄膜化するか或いは除去した。
て、トラックの高密度化による大容量化を図るうえで、
クロストークを抑えながらかつクロスイレーズ（ジッタ
ーの増加）も抑えることができる光記録媒体を提供す
る。 【構成】 グルーブ部の深さを６０ｎｍ以上とし、か
つ、光ビームがグルーブ部又はランド部からなる所定の
トラックに照射された際に、そのトラックと隣接する隣
接トラックにおける記録状態にある部位と非記録状態に
ある部位との光ビームに対する反射率が互いに等しくな
るよう、保護層、記録層及び干渉層のうち少なくとも１
層以上をグルーブ部とランド部の間において異なる層厚
でもって形成した。また、保護層、記録層、干渉層及び
反射層のいずれかの層のランド側壁部を、グルーブ部及
びランド部の層厚よりも薄膜化するか或いは除去した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、グルーブ部とその間の
ランド部との双方に対して情報信号の記録及び再生が可
能な光記録媒体に係り、特に、トラックの高密度化によ
る大容量化が可能な光記録媒体に関するものである。
ランド部との双方に対して情報信号の記録及び再生が可
能な光記録媒体に係り、特に、トラックの高密度化によ
る大容量化が可能な光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの処理データ、オー
ディオやビデオのデジタル信号等を記録するための光記
録媒体として、情報の書き換えが可能な書き換えタイプ
のものが種々研究されている。特に、ビデオ信号のデジ
タル化などはデータ量が膨大になるため、これまで以上
に光記録媒体やその装置に係る情報記録の大容量化が求
められている。
ディオやビデオのデジタル信号等を記録するための光記
録媒体として、情報の書き換えが可能な書き換えタイプ
のものが種々研究されている。特に、ビデオ信号のデジ
タル化などはデータ量が膨大になるため、これまで以上
に光記録媒体やその装置に係る情報記録の大容量化が求
められている。
【０００３】そこで、このような情報記録の大容量化に
対応するため、現在、レーザの短波長化（山崎他；’９
３相変化光ディスクシンポジウム「ＧｅＳｂＴｅ系相変
化光ディスクの４８８ｎｍ光による記録消去特性」ｐｐ
７５）や、超解像光記録方式（Ｙａｍａｎａｋａ ｅｔ
ｃ．；Ｊｐｎ Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２８’８９、
ｐｐ１９７）や、Ｖ溝基板（Ｍ．Ｎａｇａｓｈｉｍａ；
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．４２’８３、ｐｐ１４
４）等の様々な試みがなされている。
対応するため、現在、レーザの短波長化（山崎他；’９
３相変化光ディスクシンポジウム「ＧｅＳｂＴｅ系相変
化光ディスクの４８８ｎｍ光による記録消去特性」ｐｐ
７５）や、超解像光記録方式（Ｙａｍａｎａｋａ ｅｔ
ｃ．；Ｊｐｎ Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２８’８９、
ｐｐ１９７）や、Ｖ溝基板（Ｍ．Ｎａｇａｓｈｉｍａ；
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．４２’８３、ｐｐ１４
４）等の様々な試みがなされている。
【０００４】しかし、これらの技術はいずれも、その手
法を実現するために光記録再生装置の光学系部品や電気
回路等に特別な機能を新たに付加しなければならないと
いう大きな制約があった。
法を実現するために光記録再生装置の光学系部品や電気
回路等に特別な機能を新たに付加しなければならないと
いう大きな制約があった。
【０００５】そのため、装置側に特別な機能を付加する
ことなく上記の大容量化を図る技術として、相変化型光
記録方式を用いたランド・グルーブ記録方式が提案され
ている（宮川他；’９２秋季応用物理学会予稿集１８ａ
−Ｔ−３「ランド・グルーブ記録における溝深さ制御に
よるクロストーク低減効果」）。この記録方式は、それ
までの光記録方式において光記録媒体のグルーブ部若し
くはランド部のいずれか一方にのみ行っていた記録をラ
ンド部及びグルーブ部の双方に行うことにより、トラッ
ク密度を倍に高め、もって情報記録の大容量化を容易に
実現できる技術的手段として注目されている。
ことなく上記の大容量化を図る技術として、相変化型光
記録方式を用いたランド・グルーブ記録方式が提案され
ている（宮川他；’９２秋季応用物理学会予稿集１８ａ
−Ｔ−３「ランド・グルーブ記録における溝深さ制御に
よるクロストーク低減効果」）。この記録方式は、それ
までの光記録方式において光記録媒体のグルーブ部若し
くはランド部のいずれか一方にのみ行っていた記録をラ
ンド部及びグルーブ部の双方に行うことにより、トラッ
ク密度を倍に高め、もって情報記録の大容量化を容易に
実現できる技術的手段として注目されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このラ
ンド・グルーブ記録方式は、トラックピッチを小さくす
ることによりさらにトラック密度を高めて大容量化を図
ろうとした場合、下記のようなクロストークとクロスイ
レーズに関する問題がある。
ンド・グルーブ記録方式は、トラックピッチを小さくす
ることによりさらにトラック密度を高めて大容量化を図
ろうとした場合、下記のようなクロストークとクロスイ
レーズに関する問題がある。
【０００７】まず、クロストークは、ランド部（又はグ
ルーブ部）上の所定のトラックに記録された信号を再生
する際に、その隣接するグルーブ部（又はランド部）上
のトラックに記録されている信号成分を読み出してしま
う現象である。そして、このクロストークを抑えるため
には、現在、光記録媒体のグルーブ部の深さを適宜選択
することにより対応できることが知られており、また、
その最適なグルーブ部の深さはトラックの高密度化によ
りトラック幅が狭くなるにつれて浅くなることが知れら
ている。
ルーブ部）上の所定のトラックに記録された信号を再生
する際に、その隣接するグルーブ部（又はランド部）上
のトラックに記録されている信号成分を読み出してしま
う現象である。そして、このクロストークを抑えるため
には、現在、光記録媒体のグルーブ部の深さを適宜選択
することにより対応できることが知られており、また、
その最適なグルーブ部の深さはトラックの高密度化によ
りトラック幅が狭くなるにつれて浅くなることが知れら
ている。
【０００８】一方、クロスイレーズは、ランド部（グル
ーブ部）上の所定のトラックに対して記録或いは消去を
行う際に、その隣接するグルーブ部（ランド部）上のト
ラックに記録されている信号（マーク）を一部消去して
しまう現象であり、特に、このクロスイレーズの影響に
より隣接トラックのジッターが増加してしまい、最悪の
場合には記録信号の読み出しエラーが発生するという不
具合がある。なお、かかるジッター増加や信号読み出し
のエラー発生は、上記クロストークの影響によってもあ
る程度起こり得る問題でもある。そして、このクロスイ
レーズはグルーブ部の深さが浅くなるにつれて増大する
ことが知られている。
ーブ部）上の所定のトラックに対して記録或いは消去を
行う際に、その隣接するグルーブ部（ランド部）上のト
ラックに記録されている信号（マーク）を一部消去して
しまう現象であり、特に、このクロスイレーズの影響に
より隣接トラックのジッターが増加してしまい、最悪の
場合には記録信号の読み出しエラーが発生するという不
具合がある。なお、かかるジッター増加や信号読み出し
のエラー発生は、上記クロストークの影響によってもあ
る程度起こり得る問題でもある。そして、このクロスイ
レーズはグルーブ部の深さが浅くなるにつれて増大する
ことが知られている。
【０００９】このため、ランド・グルーブ記録方式で
は、さらにトラックの高密度化を進めようとすると、ク
ロストークを抑えるためにグルーブ部の深さを浅くしな
けらばならない反面、その深さを浅くすることでクロス
イレーズの影響により隣接トラックのジッターが増加
し、記録特性が劣化するという相反する問題が発生して
しまうのである。従って、この記録方式においてトラッ
クの高密度化による情報記録の大容量化を図ることは困
難であった。ちなみに、ランド・グルーブ記録方式にお
けるトラック高密度化の限界は、トラックピッチにする
と０．７μｍである旨の報告がなされている（西内
他；’９４春季応用物理学会予稿集２８ｐ−Ｌ−５「相
変化光ディスクのランド＆グルーブ記録（３）トラック
ピッチ依存性」）。
は、さらにトラックの高密度化を進めようとすると、ク
ロストークを抑えるためにグルーブ部の深さを浅くしな
けらばならない反面、その深さを浅くすることでクロス
イレーズの影響により隣接トラックのジッターが増加
し、記録特性が劣化するという相反する問題が発生して
しまうのである。従って、この記録方式においてトラッ
クの高密度化による情報記録の大容量化を図ることは困
難であった。ちなみに、ランド・グルーブ記録方式にお
けるトラック高密度化の限界は、トラックピッチにする
と０．７μｍである旨の報告がなされている（西内
他；’９４春季応用物理学会予稿集２８ｐ−Ｌ−５「相
変化光ディスクのランド＆グルーブ記録（３）トラック
ピッチ依存性」）。
【００１０】本発明の目的は、ランド・グルーブ記録方
式の光記録媒体として、トラックの高密度化による大容
量化を図るうえで、クロストークを抑えながらかつクロ
スイレーズ（ジッターの増加）も抑えることができる光
記録媒体を提供することにある。
式の光記録媒体として、トラックの高密度化による大容
量化を図るうえで、クロストークを抑えながらかつクロ
スイレーズ（ジッターの増加）も抑えることができる光
記録媒体を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の光記録媒体は、溝状のグルーブ部を有する
基板上に少なくとも保護層、記録層、干渉層及び反射層
を積層した媒体構造からなり、グルーブ部とその間のラ
ンド部との双方に対して光ビームをそれぞれ照射して得
られる反射率の変化を利用することにより情報信号の記
録及び再生を行う光記録媒体において、上記グルーブ部
の深さを６０ｎｍ以上とし、かつ、光ビームがグルーブ
部又はランド部からなる所定のトラックに照射された際
に、そのトラックと隣接する隣接トラックにおける記録
状態にある部位と非記録状態にある部位との光ビームに
対する反射率が互いに等しくなるよう、上記保護層、記
録層及び干渉層のうち少なくとも１層以上をグルーブ部
とランド部の間において異なる層厚でもって形成してな
ることを特徴とするものである。
め、本発明の光記録媒体は、溝状のグルーブ部を有する
基板上に少なくとも保護層、記録層、干渉層及び反射層
を積層した媒体構造からなり、グルーブ部とその間のラ
ンド部との双方に対して光ビームをそれぞれ照射して得
られる反射率の変化を利用することにより情報信号の記
録及び再生を行う光記録媒体において、上記グルーブ部
の深さを６０ｎｍ以上とし、かつ、光ビームがグルーブ
部又はランド部からなる所定のトラックに照射された際
に、そのトラックと隣接する隣接トラックにおける記録
状態にある部位と非記録状態にある部位との光ビームに
対する反射率が互いに等しくなるよう、上記保護層、記
録層及び干渉層のうち少なくとも１層以上をグルーブ部
とランド部の間において異なる層厚でもって形成してな
ることを特徴とするものである。
【００１２】この技術的手段において、グルーブ部の深
さを６０ｎｍよりも浅くすると、クロストークを抑える
には有効ではあるが、クロスイレーズが発生してジッタ
ーが増加する等の問題がある。但し、ここでいうグルー
ブ部の深さとは、反射層（基板側の面）における（グル
ーブ）凹部の深さである。
さを６０ｎｍよりも浅くすると、クロストークを抑える
には有効ではあるが、クロスイレーズが発生してジッタ
ーが増加する等の問題がある。但し、ここでいうグルー
ブ部の深さとは、反射層（基板側の面）における（グル
ーブ）凹部の深さである。
【００１３】異なる層厚で形成する層のグルーブ部とラ
ンド部における各層厚は、上記の条件を満たすような範
囲内で適宜設定されるが、グルーブ部とランド部の各層
厚の比が１：１．５〜１：５程度となるように設定する
ことが好ましい。非記録状態にある部位とは、未記録部
分又は消去部分をさす。また、光ビームがグルーブ部又
はランド部からなる所定のトラックに照射された際に、
そのトラックと隣接する隣接トラックにおける記録状態
にある部位と非記録状態にある部位との光ビームに対す
る反射率が互いに等しくなるようするためには、グルー
ブ部の幅とランド部の幅の比を適宜調整する手法も可能
である。この場合、グルーブ部の幅とランド部の幅の比
は、通常、１：２〜２：１程度とすることが望ましい。
ンド部における各層厚は、上記の条件を満たすような範
囲内で適宜設定されるが、グルーブ部とランド部の各層
厚の比が１：１．５〜１：５程度となるように設定する
ことが好ましい。非記録状態にある部位とは、未記録部
分又は消去部分をさす。また、光ビームがグルーブ部又
はランド部からなる所定のトラックに照射された際に、
そのトラックと隣接する隣接トラックにおける記録状態
にある部位と非記録状態にある部位との光ビームに対す
る反射率が互いに等しくなるようするためには、グルー
ブ部の幅とランド部の幅の比を適宜調整する手法も可能
である。この場合、グルーブ部の幅とランド部の幅の比
は、通常、１：２〜２：１程度とすることが望ましい。
【００１４】上記のごとき層厚が異なる層を形成するに
当たっては、斜め着膜方法が適用でき、その他にも斜め
エッチング法、スピンコート法、ＲＦバイアススパッタ
法、ＣＶＤ法等の層厚をグルーブ部とランド部において
異ならせることが可能な手法を適用することができる。
例えば、斜め着膜方法は、着膜（堆積）させる材料を基
板に対して斜め方向から投射して堆積させることにより
凹凸面にそれぞれ異なる厚さで着膜する手法であり、そ
の着膜にはＲＦスパッタ法、イオンビームスパッタ法、
蒸着法、ＣＶＤ法等の薄膜形成手段が適用される。ま
た、斜めエッチング法は、着膜した後の層を基板に対し
て斜め方向からエッチングすることにより凹凸面でそれ
ぞれ異なる厚さにする手法であり、その斜め方向からエ
ッチングにはイオンミリング法、逆スパッタ法等の薄膜
エッチング手段が適用される。なお、この層厚が異なる
層を形成する場合、上記の各手段を適宜組み合せて用い
ることも可能である。
当たっては、斜め着膜方法が適用でき、その他にも斜め
エッチング法、スピンコート法、ＲＦバイアススパッタ
法、ＣＶＤ法等の層厚をグルーブ部とランド部において
異ならせることが可能な手法を適用することができる。
例えば、斜め着膜方法は、着膜（堆積）させる材料を基
板に対して斜め方向から投射して堆積させることにより
凹凸面にそれぞれ異なる厚さで着膜する手法であり、そ
の着膜にはＲＦスパッタ法、イオンビームスパッタ法、
蒸着法、ＣＶＤ法等の薄膜形成手段が適用される。ま
た、斜めエッチング法は、着膜した後の層を基板に対し
て斜め方向からエッチングすることにより凹凸面でそれ
ぞれ異なる厚さにする手法であり、その斜め方向からエ
ッチングにはイオンミリング法、逆スパッタ法等の薄膜
エッチング手段が適用される。なお、この層厚が異なる
層を形成する場合、上記の各手段を適宜組み合せて用い
ることも可能である。
【００１５】また、本発明の光記録媒体は、上記技術的
手段の前提条件とした光記録媒体において、保護層、記
録層、干渉層及び反射層のいずれかの層のランド側壁部
が、グルーブ部及びランド部の層厚よりも薄膜化されて
いるか或いは除去されていることを特徴とするものであ
る。
手段の前提条件とした光記録媒体において、保護層、記
録層、干渉層及び反射層のいずれかの層のランド側壁部
が、グルーブ部及びランド部の層厚よりも薄膜化されて
いるか或いは除去されていることを特徴とするものであ
る。
【００１６】この技術的手段において、ランド側壁部と
はランド部とグルーブ部の間の段差部となる側壁部分を
いう。そして、このランド側壁部を薄膜化するか或いは
除去する膜は、保護層、記録層、干渉層及び反射層のい
ずれか１つの層若しくは複数の層であるが、なかでも反
射層が最も有効である。
はランド部とグルーブ部の間の段差部となる側壁部分を
いう。そして、このランド側壁部を薄膜化するか或いは
除去する膜は、保護層、記録層、干渉層及び反射層のい
ずれか１つの層若しくは複数の層であるが、なかでも反
射層が最も有効である。
【００１７】上記のごときランド側壁部を形成するに当
たっては、斜めエッチング法を適用できる他、ドライエ
ッチング法、逆スパッタ、ウエットエッチング法等を適
用できる。なかでも、斜めエッチング法は傾斜部のエッ
チングレートが高いうえに、ランド部及びグルーブ部上
の層へのエッチングの影響が少ないため、効果的な手段
である。この斜めエッチング法は、前記した斜めエッチ
ング法と基本的に同様のものであり、単にランド側壁部
となる段差部に着膜された層を主にエッチングするよう
に設定する点で多少相違するのみである。
たっては、斜めエッチング法を適用できる他、ドライエ
ッチング法、逆スパッタ、ウエットエッチング法等を適
用できる。なかでも、斜めエッチング法は傾斜部のエッ
チングレートが高いうえに、ランド部及びグルーブ部上
の層へのエッチングの影響が少ないため、効果的な手段
である。この斜めエッチング法は、前記した斜めエッチ
ング法と基本的に同様のものであり、単にランド側壁部
となる段差部に着膜された層を主にエッチングするよう
に設定する点で多少相違するのみである。
【００１８】本発明に係る光記録媒体の光記録方式とし
ては、光ビームの照射による反射率の変化を利用して記
録及び再生を行うものであればよく、例えば、相変化
型、相分離型等の光記録方式を適用することができる。
記録層は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系等の相変化型の記録材料や、Ｓｂ−Ｏｘ等の相分離
型の記録材料等により形成される。また、保護層及び干
渉層は、ＳｉＯ2、ＺｎＳ−ＳｉＯ2をはじめ、ＳｉＮ、
ＳｉＣ、ＴｉＯ2、ＺｎＳ、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、Ｔａ2Ｏ
5、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏ
ｎ）等の誘電体材料を主成分とする材料により形成され
る。更に、基板及び反射層は従来公知の材料を適宜選択
して用いることにより形成される。
ては、光ビームの照射による反射率の変化を利用して記
録及び再生を行うものであればよく、例えば、相変化
型、相分離型等の光記録方式を適用することができる。
記録層は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系等の相変化型の記録材料や、Ｓｂ−Ｏｘ等の相分離
型の記録材料等により形成される。また、保護層及び干
渉層は、ＳｉＯ2、ＺｎＳ−ＳｉＯ2をはじめ、ＳｉＮ、
ＳｉＣ、ＴｉＯ2、ＺｎＳ、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、Ｔａ2Ｏ
5、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏ
ｎ）等の誘電体材料を主成分とする材料により形成され
る。更に、基板及び反射層は従来公知の材料を適宜選択
して用いることにより形成される。
【００１９】なお、本発明には、位相差記録方式、ＰＲ
ＭＬ方式、短波長レーザ光記録方式等の高記録密度化を
図るための他の技術を適宜組み合せることも可能であ
る。特に、本発明の光記録媒体と短波長レーザ光記録方
式を組み合せた場合には、光ビームのスポット径がさら
に小さくなるため、より一層トラックの高密度化（トラ
ックピッチの狭小化）を図ることができる。
ＭＬ方式、短波長レーザ光記録方式等の高記録密度化を
図るための他の技術を適宜組み合せることも可能であ
る。特に、本発明の光記録媒体と短波長レーザ光記録方
式を組み合せた場合には、光ビームのスポット径がさら
に小さくなるため、より一層トラックの高密度化（トラ
ックピッチの狭小化）を図ることができる。
【００２０】
【作用】本発明によれば、トラックの高密度化のために
トラックピッチを小さくしても、グルーブ部（反射層の
グルーブ凹部）の深さを特定の深さ以上にすることによ
りクロスイレーズが抑えられ、しかも、グルーブ部が深
くなるにもかかわらず、所定の層におけるグルーブ部と
ランド部との両層厚を異ならしめて隣接トラックの反射
率を記録状態及び非記録状態のいずれの状態に関係なく
一様にしていることによりクロストークも抑えられる。
また、グルーブ部の深さを浅めにすることによりクロス
トークを抑えた場合でも、ランド側壁部の薄膜化或いは
層の除去により隣接トラックへの熱の伝導が大幅に低減
又は遮断されるためクロスイレーズが抑えられる。
トラックピッチを小さくしても、グルーブ部（反射層の
グルーブ凹部）の深さを特定の深さ以上にすることによ
りクロスイレーズが抑えられ、しかも、グルーブ部が深
くなるにもかかわらず、所定の層におけるグルーブ部と
ランド部との両層厚を異ならしめて隣接トラックの反射
率を記録状態及び非記録状態のいずれの状態に関係なく
一様にしていることによりクロストークも抑えられる。
また、グルーブ部の深さを浅めにすることによりクロス
トークを抑えた場合でも、ランド側壁部の薄膜化或いは
層の除去により隣接トラックへの熱の伝導が大幅に低減
又は遮断されるためクロスイレーズが抑えられる。
【００２１】この結果、トラックの高密度化による情報
記録の大容量化が可能となる。このようなことから、本
発明ではトラックピッチを０．３〜０．６５μｍの範囲
内、好ましくは０．４〜０．５μｍの範囲内で設定し得
るというトラックの高密度化が可能である。
記録の大容量化が可能となる。このようなことから、本
発明ではトラックピッチを０．３〜０．６５μｍの範囲
内、好ましくは０．４〜０．５μｍの範囲内で設定し得
るというトラックの高密度化が可能である。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。なお、本発明はこれらの実施例等に何ら限
定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲内
において適宜設計変更することができるものである。
に説明する。なお、本発明はこれらの実施例等に何ら限
定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲内
において適宜設計変更することができるものである。
【００２３】＜実施例１＞この実施例に係る光記録媒体
は、図１に示すように、グルーブ部１の深さｈが３５ｎ
ｍ、ランド部２のピッチが１．０μｍ、グルーブ部１の
幅とランド部２の幅の比が１：１、トラックピッチが
０．５μｍとなるようにグルーブ部１及びランド部２が
形成されたポリカーボネートからなる基板３と、この基
板３上に、通常のＲＦスパッタリング法により形成され
るＳｉＯ2からなる厚さ８０ｎｍの保護層４と、通常の
ＲＦスパッタリング法により形成されるＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ
5からなる厚さ２０ｎｍの記録層５と、斜めスパッタリ
ング法により形成されるグルーブ部１の層厚ｄGが２５
ｎｍで且つランド部２の層厚ｄLが５０ｎｍであるＳｉ
Ｏ2からなる干渉層６と、通常のＲＦスパッタリング法
により形成されるＡｌ−Ｔｉからなる厚さ６０ｎｍの反
射層７と、紫外線硬化性樹脂からなる表面保護層８とで
構成されている。この光記録媒体における反射層７の
（グルーブ）凹部の深さＤは６０ｎｍである。
は、図１に示すように、グルーブ部１の深さｈが３５ｎ
ｍ、ランド部２のピッチが１．０μｍ、グルーブ部１の
幅とランド部２の幅の比が１：１、トラックピッチが
０．５μｍとなるようにグルーブ部１及びランド部２が
形成されたポリカーボネートからなる基板３と、この基
板３上に、通常のＲＦスパッタリング法により形成され
るＳｉＯ2からなる厚さ８０ｎｍの保護層４と、通常の
ＲＦスパッタリング法により形成されるＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ
5からなる厚さ２０ｎｍの記録層５と、斜めスパッタリ
ング法により形成されるグルーブ部１の層厚ｄGが２５
ｎｍで且つランド部２の層厚ｄLが５０ｎｍであるＳｉ
Ｏ2からなる干渉層６と、通常のＲＦスパッタリング法
により形成されるＡｌ−Ｔｉからなる厚さ６０ｎｍの反
射層７と、紫外線硬化性樹脂からなる表面保護層８とで
構成されている。この光記録媒体における反射層７の
（グルーブ）凹部の深さＤは６０ｎｍである。
【００２４】干渉層６は、下記のごとき斜めスパッタリ
ング法を用いた斜め着膜方法により形成した。図２は、
斜めスパッタリング装置の構成を概略的に示すものであ
る。図中の符号２０はチャンバー、２１は基板３を回転
可能に保持しつつ矢印Ｓ方向にチャンバー２０内を搬送
させる基板搬送用ホルダ、２２はチャンバー２０内の搬
送路に沿って配設されたマスク、２３はターゲット、２
４は複数枚のスリット板を所定の角度で傾斜させ且つ所
定間隔をあけて配設してなるスリットを示す。また、こ
のスパッタリング装置はインライン型のものである。基
板搬送用ホルダ２１により搬送する基板３上には、この
スパッタリング装置の手前側に連続的に接続されている
別のチャンバールームにおいて干渉層の下層となる記録
層や保護層が積層されるようになっている。
ング法を用いた斜め着膜方法により形成した。図２は、
斜めスパッタリング装置の構成を概略的に示すものであ
る。図中の符号２０はチャンバー、２１は基板３を回転
可能に保持しつつ矢印Ｓ方向にチャンバー２０内を搬送
させる基板搬送用ホルダ、２２はチャンバー２０内の搬
送路に沿って配設されたマスク、２３はターゲット、２
４は複数枚のスリット板を所定の角度で傾斜させ且つ所
定間隔をあけて配設してなるスリットを示す。また、こ
のスパッタリング装置はインライン型のものである。基
板搬送用ホルダ２１により搬送する基板３上には、この
スパッタリング装置の手前側に連続的に接続されている
別のチャンバールームにおいて干渉層の下層となる記録
層や保護層が積層されるようになっている。
【００２５】まず、記録層等がすでに積層された状態の
基板３は、基板搬送用ホルダ２１により自転しながら、
チャンバー２０内の中央を矢印Ｓ方向に搬送され、その
搬送路の両側に設置されたターゲット２３にて斜め方向
からのスパッタリングが記録層等が積層された基板の積
層面側３ａに対して行われる。この斜めスパッタリング
は、スパッタ粒子の発散などを抑制するためスリット２
４を介して行われる。このときのスパッタ粒子であるＳ
ｉＯ2が基板３に入射する角度（投射角度）θはほぼ１
０°となるように設定した。この各ターゲットからのス
パッタ粒子の各投射角度はいずれも等しいことが望まし
い。かかる角度が大幅に異なる場合は、層厚が回転方向
に対して左右非対称になり、トラッキング制御やトラッ
クカウントに際して支障となるおそれがある。
基板３は、基板搬送用ホルダ２１により自転しながら、
チャンバー２０内の中央を矢印Ｓ方向に搬送され、その
搬送路の両側に設置されたターゲット２３にて斜め方向
からのスパッタリングが記録層等が積層された基板の積
層面側３ａに対して行われる。この斜めスパッタリング
は、スパッタ粒子の発散などを抑制するためスリット２
４を介して行われる。このときのスパッタ粒子であるＳ
ｉＯ2が基板３に入射する角度（投射角度）θはほぼ１
０°となるように設定した。この各ターゲットからのス
パッタ粒子の各投射角度はいずれも等しいことが望まし
い。かかる角度が大幅に異なる場合は、層厚が回転方向
に対して左右非対称になり、トラッキング制御やトラッ
クカウントに際して支障となるおそれがある。
【００２６】この際、着膜する層厚は、基板の搬送速
度、スパッタパワー等を適宜設定することで調整され
る。また、基板３におけるグルーブ部とランド部の層厚
の比は、マスク２２により調節した。すなわち、マスク
２２により基板３のグルーブ部における着膜（堆積）速
度を抑制した。このマスク２２は着膜条件等の設計内容
によっては設置しなくてもよい。
度、スパッタパワー等を適宜設定することで調整され
る。また、基板３におけるグルーブ部とランド部の層厚
の比は、マスク２２により調節した。すなわち、マスク
２２により基板３のグルーブ部における着膜（堆積）速
度を抑制した。このマスク２２は着膜条件等の設計内容
によっては設置しなくてもよい。
【００２７】このような斜めスパッタリングが行われる
チャンバー２０内を搬送させることにより、その基板３
には大別すると次のような２つの状態でもって着膜がな
される。すなわち、図３に示すように回転している基板
３がターゲット２３に接近した領域（Ｐ−Ｐ線周辺）に
ある場合には、図４ａに示すように各ターゲット２３
ａ，ｂからのスパッタリング粒子２５ａ，ｂは、ランド
部２により遮断（或いは低減）されて該グルーブ部１に
到達しない（或いは抑制される）ため主にランド部２上
に堆積し、一方、図３に示すように回転する基板３がタ
ーゲット２３から離れた領域（Ｑ−Ｑ線付近）にある場
合には、図４ｂに示すようにスパッタリング粒子２５
ａ，ｂはグルーブ部１とランド部２のいずれにもほぼ同
量堆積する。この結果、スパッタリング粒子はグルーブ
部１に比べてランド部２上により多く堆積する。以上の
ようにして、グルーブ部とランド部において層厚が異な
る干渉層６が形成される。
チャンバー２０内を搬送させることにより、その基板３
には大別すると次のような２つの状態でもって着膜がな
される。すなわち、図３に示すように回転している基板
３がターゲット２３に接近した領域（Ｐ−Ｐ線周辺）に
ある場合には、図４ａに示すように各ターゲット２３
ａ，ｂからのスパッタリング粒子２５ａ，ｂは、ランド
部２により遮断（或いは低減）されて該グルーブ部１に
到達しない（或いは抑制される）ため主にランド部２上
に堆積し、一方、図３に示すように回転する基板３がタ
ーゲット２３から離れた領域（Ｑ−Ｑ線付近）にある場
合には、図４ｂに示すようにスパッタリング粒子２５
ａ，ｂはグルーブ部１とランド部２のいずれにもほぼ同
量堆積する。この結果、スパッタリング粒子はグルーブ
部１に比べてランド部２上により多く堆積する。以上の
ようにして、グルーブ部とランド部において層厚が異な
る干渉層６が形成される。
【００２８】このような層厚でもって干渉層６を形成し
たことにより、図５に示すように、光ビームＬＢが非記
録状態にある所定のトラックＴ1に照射された際に、そ
のトラックＴ1と隣接する隣接トラックＴ2、Ｔ3におけ
る光ビームＬＢに対する反射特性が、隣接トラックのマ
ークが形成されて記録状態にある部位９の反射率Ｒ9と
非記録状態にある部位１０の反射率Ｒ10とが等しい関係
になるようになっている。
たことにより、図５に示すように、光ビームＬＢが非記
録状態にある所定のトラックＴ1に照射された際に、そ
のトラックＴ1と隣接する隣接トラックＴ2、Ｔ3におけ
る光ビームＬＢに対する反射特性が、隣接トラックのマ
ークが形成されて記録状態にある部位９の反射率Ｒ9と
非記録状態にある部位１０の反射率Ｒ10とが等しい関係
になるようになっている。
【００２９】次に、この実施例の光記録媒体を用い、そ
のグルーブ部及びランド部に対して（１．７）ＲＬＬ信
号（ピット長０．４μｍ、最短マーク長０．６μｍ）か
らなるランダムなデータ信号をマーク長記録した。そし
て、記録後の光記録媒体についてクロストークを測定
し、また上記の記録条件で隣接トラックに１０，０００
回の書き換えを行ったときのジッターの変化を測定して
クロスイレーズの影響を調べた。図１０に、クロストー
クとジッターの測定結果を示す。この図１０の横軸は反
射層におけるグルーブ凹部の深さである。
のグルーブ部及びランド部に対して（１．７）ＲＬＬ信
号（ピット長０．４μｍ、最短マーク長０．６μｍ）か
らなるランダムなデータ信号をマーク長記録した。そし
て、記録後の光記録媒体についてクロストークを測定
し、また上記の記録条件で隣接トラックに１０，０００
回の書き換えを行ったときのジッターの変化を測定して
クロスイレーズの影響を調べた。図１０に、クロストー
クとジッターの測定結果を示す。この図１０の横軸は反
射層におけるグルーブ凹部の深さである。
【００３０】図１０に示す測定結果から、この実施例に
よる光記録媒体においては、クロストークは許容レベル
の−３０ｄＢ以下であって充分に抑えられていると同時
に、ジッター増加量も許容レベルの２０％以下であるこ
とからクロスイレーズも充分に抑えられており、トラッ
クピッチを０．５μｍにした場合であっても良好な記録
特性及び再生特性が得られることが確認された。
よる光記録媒体においては、クロストークは許容レベル
の−３０ｄＢ以下であって充分に抑えられていると同時
に、ジッター増加量も許容レベルの２０％以下であるこ
とからクロスイレーズも充分に抑えられており、トラッ
クピッチを０．５μｍにした場合であっても良好な記録
特性及び再生特性が得られることが確認された。
【００３１】なお、この実施例において前記したような
斜めスパッタリング法により層厚が異なる層を形成する
場合、必要に応じて、図３に示すようにターゲット２３
から離れる領域（Ｑ−Ｑ線周辺）となる基板３とターゲ
ット２３の間にマスク部材２６（点線で囲まれる形状か
らなるマスク）を設置し、これにより、回転する基板３
がターゲット２３から離れている際の着膜、特にグルー
ブ部１上への着膜を阻止（抑制）して着膜度合いを調整
することができる。
斜めスパッタリング法により層厚が異なる層を形成する
場合、必要に応じて、図３に示すようにターゲット２３
から離れる領域（Ｑ−Ｑ線周辺）となる基板３とターゲ
ット２３の間にマスク部材２６（点線で囲まれる形状か
らなるマスク）を設置し、これにより、回転する基板３
がターゲット２３から離れている際の着膜、特にグルー
ブ部１上への着膜を阻止（抑制）して着膜度合いを調整
することができる。
【００３２】また、必要に応じて、一対のターゲット２
３ａ、２３ｂに加えてさらに一対のターゲットを設置
し、４方向からのスパッタリング粒子の投射を行うよう
にしてもよい。この場合においても、必要に応じて、各
ターゲット間にマスク部材を適宜設置することにより着
膜度合いの調整をすることができる。
３ａ、２３ｂに加えてさらに一対のターゲットを設置
し、４方向からのスパッタリング粒子の投射を行うよう
にしてもよい。この場合においても、必要に応じて、各
ターゲット間にマスク部材を適宜設置することにより着
膜度合いの調整をすることができる。
【００３３】更に、前記斜めスパッタリング法における
投射角度θは、一般に投射される着膜材料がランド部に
よりその進行を遮へいされることにより発生するグルー
ブ部底面における非投射面積が当該底面全体の半分以上
となるようにな角度に設定することが好ましい。この角
度θを上記のごとき好適な角度よりも大きくした場合に
は、グルーブ部とランド部との間で着膜度合いに差をも
たせることが困難となるため目的の層厚差を実現するこ
とが難しくなる。反対に、角度θを小さくした場合に
は、膜形成速度が遅くなるため生産効率が低下する。
投射角度θは、一般に投射される着膜材料がランド部に
よりその進行を遮へいされることにより発生するグルー
ブ部底面における非投射面積が当該底面全体の半分以上
となるようにな角度に設定することが好ましい。この角
度θを上記のごとき好適な角度よりも大きくした場合に
は、グルーブ部とランド部との間で着膜度合いに差をも
たせることが困難となるため目的の層厚差を実現するこ
とが難しくなる。反対に、角度θを小さくした場合に
は、膜形成速度が遅くなるため生産効率が低下する。
【００３４】＜実施例２＞この実施例に係る光記録媒体
は、図６に示すように、実施例１における基板３のグル
ーブ部１の深さｈを８５ｎｍとした基板を使用し、ま
た、実施例１における干渉層６に代えてグルーブ部１の
層厚ｄGが５０ｎｍで且つランド部２の層厚ｄLが２５ｎ
ｍである、層厚条件のみが異なる干渉層６０を形成した
以外は実施例１と同じ構成からなるものである。そし
て、この光記録媒体における反射層のグルーブ凹部の深
さＤは６０ｎｍである。
は、図６に示すように、実施例１における基板３のグル
ーブ部１の深さｈを８５ｎｍとした基板を使用し、ま
た、実施例１における干渉層６に代えてグルーブ部１の
層厚ｄGが５０ｎｍで且つランド部２の層厚ｄLが２５ｎ
ｍである、層厚条件のみが異なる干渉層６０を形成した
以外は実施例１と同じ構成からなるものである。そし
て、この光記録媒体における反射層のグルーブ凹部の深
さＤは６０ｎｍである。
【００３５】上記の干渉層６０は通常のＲＦスパッタリ
ング法により干渉層形成材料（ＳｉＯ2）を所定の厚さ
で着膜した後、下記のように斜めエッチングを行うこと
により形成した。図７は、斜めエッチング装置の構成を
概略的に示すものである。図中の符号３０はチャンバ
ー、３１は排気口、３２は基板３を回転可能に保持する
基板用ホルダ、３３はエッチングビーム発生源を示す。
また、この斜めエッチングはインライン型のものであ
る。基板用ホルダ３２に保持する基板３上には、このエ
ッチング装置の手前側に連続的に接続されている別のチ
ャンバールームにおいて干渉層の下層となる記録層や保
護層が積層されるようになっている。なお、必要に応じ
て、図７に例示するように基板３とエッチングビーム発
生源３３の間にマスク部材３５（２点線で囲まれる形状
からなるマスク）を設置し、これによりエッチング度合
いを適宜調整することができる。
ング法により干渉層形成材料（ＳｉＯ2）を所定の厚さ
で着膜した後、下記のように斜めエッチングを行うこと
により形成した。図７は、斜めエッチング装置の構成を
概略的に示すものである。図中の符号３０はチャンバ
ー、３１は排気口、３２は基板３を回転可能に保持する
基板用ホルダ、３３はエッチングビーム発生源を示す。
また、この斜めエッチングはインライン型のものであ
る。基板用ホルダ３２に保持する基板３上には、このエ
ッチング装置の手前側に連続的に接続されている別のチ
ャンバールームにおいて干渉層の下層となる記録層や保
護層が積層されるようになっている。なお、必要に応じ
て、図７に例示するように基板３とエッチングビーム発
生源３３の間にマスク部材３５（２点線で囲まれる形状
からなるマスク）を設置し、これによりエッチング度合
いを適宜調整することができる。
【００３６】まず、干渉層等がすでに積層された状態の
基板３は、基板用ホルダ３２により自転し、その干渉層
等が積層された積層面側３ａに対して、チャンバー３０
内において両側に設置されたエッチングビーム発生源３
３にて斜め方向からのエッチングがなされる。このとき
のエッチングビーム３４が基板３に入射する角度（照射
角度）θはほぼ１５°となるように設定した。この各ビ
ーム発生源からのエッチングビームの各照射角度はいず
れも等しいことが望ましい。かかる角度が大幅に異なる
場合は、エッチング後の層厚が回転方向に対して左右非
対称になり、トラッキング制御やトラックカウントに際
して支障となるおそれがある。
基板３は、基板用ホルダ３２により自転し、その干渉層
等が積層された積層面側３ａに対して、チャンバー３０
内において両側に設置されたエッチングビーム発生源３
３にて斜め方向からのエッチングがなされる。このとき
のエッチングビーム３４が基板３に入射する角度（照射
角度）θはほぼ１５°となるように設定した。この各ビ
ーム発生源からのエッチングビームの各照射角度はいず
れも等しいことが望ましい。かかる角度が大幅に異なる
場合は、エッチング後の層厚が回転方向に対して左右非
対称になり、トラッキング制御やトラックカウントに際
して支障となるおそれがある。
【００３７】このような斜めエッチング装置のチャンバ
ー３０内では、大別すると、次のような２つの状態でも
って基板３に対するエッチングが行われる。すなわち、
回転している基板３がエッチングビーム発生源３３に接
近した領域にある場合には、図８ａに示すように各ビー
ム発生源３３ａ，ｂからのエッチングビーム３４ａ，ｂ
は、ランド部２により遮断（或いは低減）されてグルー
ブ部１に到達しない（或いは抑制される）ため主にラン
ド部２上に照射され、一方、回転する基板３がビーム発
生源３３から離れた領域にある場合には、図８ｂに示す
ようにエッチングビーム３４ａ，ｂはグルーブ部１とラ
ンド部２のいずれにもほぼ同量照射される。この結果、
エッチングビームはグルーブ部１に比べてランド部２上
により多く照射され、その多く照射された部位の層厚が
より多くエッチング除去される。以上のようにして、グ
ルーブ部とランド部において層厚が異なる干渉層６が形
成される。
ー３０内では、大別すると、次のような２つの状態でも
って基板３に対するエッチングが行われる。すなわち、
回転している基板３がエッチングビーム発生源３３に接
近した領域にある場合には、図８ａに示すように各ビー
ム発生源３３ａ，ｂからのエッチングビーム３４ａ，ｂ
は、ランド部２により遮断（或いは低減）されてグルー
ブ部１に到達しない（或いは抑制される）ため主にラン
ド部２上に照射され、一方、回転する基板３がビーム発
生源３３から離れた領域にある場合には、図８ｂに示す
ようにエッチングビーム３４ａ，ｂはグルーブ部１とラ
ンド部２のいずれにもほぼ同量照射される。この結果、
エッチングビームはグルーブ部１に比べてランド部２上
により多く照射され、その多く照射された部位の層厚が
より多くエッチング除去される。以上のようにして、グ
ルーブ部とランド部において層厚が異なる干渉層６が形
成される。
【００３８】このような層厚でもって干渉層６を形成し
たことにより、実施例１と同様に、光ビームＬＢが非記
録状態にある所定のトラックＴ1に照射された際に、そ
のトラックＴ1と隣接する隣接トラックＴ2、Ｔ3におけ
る光ビームＬＢに対する反射特性が、隣接トラックのマ
ークが形成されて記録状態にある部位９の反射率Ｒ9と
非記録状態にある部位１０の反射率Ｒ10とが等しい関係
になるようになっている（図５参照）。
たことにより、実施例１と同様に、光ビームＬＢが非記
録状態にある所定のトラックＴ1に照射された際に、そ
のトラックＴ1と隣接する隣接トラックＴ2、Ｔ3におけ
る光ビームＬＢに対する反射特性が、隣接トラックのマ
ークが形成されて記録状態にある部位９の反射率Ｒ9と
非記録状態にある部位１０の反射率Ｒ10とが等しい関係
になるようになっている（図５参照）。
【００３９】次に、この実施例の光記録媒体を用い、そ
のグルーブ部及びランド部に対して実施例１と同様のマ
ーク長記録を行った後、記録後の光記録媒体について実
施例１と同様にクロストークを測定すると共にジッター
の変化を測定した。図１０に、クロストークとジッター
の測定結果を示す。
のグルーブ部及びランド部に対して実施例１と同様のマ
ーク長記録を行った後、記録後の光記録媒体について実
施例１と同様にクロストークを測定すると共にジッター
の変化を測定した。図１０に、クロストークとジッター
の測定結果を示す。
【００４０】図１０に示す測定結果から、この実施例に
よる光記録媒体においては、クロストークは許容レベル
の−３０ｄＢ以下であって充分に抑えられていると同時
に、ジッター増加量も許容レベルの２０％以下であるこ
とからクロスイレーズも充分に抑えられており、トラッ
クピッチを０．５μｍにした場合であっても良好な記録
特性及び再生特性が得られることが確認された。
よる光記録媒体においては、クロストークは許容レベル
の−３０ｄＢ以下であって充分に抑えられていると同時
に、ジッター増加量も許容レベルの２０％以下であるこ
とからクロスイレーズも充分に抑えられており、トラッ
クピッチを０．５μｍにした場合であっても良好な記録
特性及び再生特性が得られることが確認された。
【００４１】＜実施例３＞この実施例に係る光記録媒体
は、実施例１における基板３のグルーブ部１の深さｈを
８２ｎｍとした基板を使用し、また、実施例１における
記録層５に代えてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ2からなるグルーブ
部１の層厚ｄGが４０ｎｍで且つランド部２の層厚ｄLが
２０ｎｍである記録層を形成し、更に、干渉層６をグル
ーブ部１及びランド部２で同一の厚さで形成した以外は
実施例１と同じ構成からなるものである。そして、この
光記録媒体における反射層のグルーブ凹部の深さＤは６
２ｎｍである。
は、実施例１における基板３のグルーブ部１の深さｈを
８２ｎｍとした基板を使用し、また、実施例１における
記録層５に代えてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ2からなるグルーブ
部１の層厚ｄGが４０ｎｍで且つランド部２の層厚ｄLが
２０ｎｍである記録層を形成し、更に、干渉層６をグル
ーブ部１及びランド部２で同一の厚さで形成した以外は
実施例１と同じ構成からなるものである。そして、この
光記録媒体における反射層のグルーブ凹部の深さＤは６
２ｎｍである。
【００４２】上記の記録層は通常のＲＦスパッタリング
法により上記の記録層形成材料を所定の厚さで着膜した
後、実施例２と同様に、斜めエッチングを行うことによ
り形成した。
法により上記の記録層形成材料を所定の厚さで着膜した
後、実施例２と同様に、斜めエッチングを行うことによ
り形成した。
【００４３】このような層厚でもって記録層を形成した
ことにより、実施例１と同様に、光ビームＬＢが非記録
状態にある所定のトラックＴ1に照射された際に、その
トラックＴ1と隣接する隣接トラックＴ2、Ｔ3における
光ビームＬＢに対する反射特性が、隣接トラックのマー
クが形成されて記録状態にある部位９の反射率Ｒ9と非
記録状態にある部位１０の反射率Ｒ10とが等しい関係に
なるようになっている（図５参照）。
ことにより、実施例１と同様に、光ビームＬＢが非記録
状態にある所定のトラックＴ1に照射された際に、その
トラックＴ1と隣接する隣接トラックＴ2、Ｔ3における
光ビームＬＢに対する反射特性が、隣接トラックのマー
クが形成されて記録状態にある部位９の反射率Ｒ9と非
記録状態にある部位１０の反射率Ｒ10とが等しい関係に
なるようになっている（図５参照）。
【００４４】次に、この実施例の光記録媒体を用い、そ
のグルーブ部及びランド部に対して実施例１と同様のマ
ーク長記録を行った後、記録後の光記録媒体について実
施例１と同様にクロストークを測定すると共にジッター
の変化を測定した。図１０に、クロストークとジッター
の測定結果を示す。
のグルーブ部及びランド部に対して実施例１と同様のマ
ーク長記録を行った後、記録後の光記録媒体について実
施例１と同様にクロストークを測定すると共にジッター
の変化を測定した。図１０に、クロストークとジッター
の測定結果を示す。
【００４５】図１０に示す測定結果から、この実施例に
よる光記録媒体においては、クロストークは許容レベル
の−３０ｄＢ以下であって充分に抑えられていると同時
に、ジッター増加量も許容レベルの２０％以下であるこ
とからクロスイレーズも充分に抑えられており、トラッ
クピッチを０．５μｍにした場合であっても良好な記録
特性及び再生特性が得られることが確認された。
よる光記録媒体においては、クロストークは許容レベル
の−３０ｄＢ以下であって充分に抑えられていると同時
に、ジッター増加量も許容レベルの２０％以下であるこ
とからクロスイレーズも充分に抑えられており、トラッ
クピッチを０．５μｍにした場合であっても良好な記録
特性及び再生特性が得られることが確認された。
【００４６】＜実施例４＞この実施例に係る光記録媒体
は、実施例１における基板３のグルーブ部１の深さｈを
１０４ｎｍとした基板を使用し、また、実施例１におけ
る干渉層６に代えてポリビニルアルコールからなるグル
ーブ部１の層厚ｄGが１２０ｎｍ、ランド部２の層厚ｄL
が８０ｎｍの干渉層６０を形成した以外は実施例１と同
じ構成からなるものである。そして、この光記録媒体に
おける反射層のグルーブ凹部の深さＤは６４ｎｍであ
る。また、上記干渉層はスピンコート法を用いた斜め着
膜方法により形成した。
は、実施例１における基板３のグルーブ部１の深さｈを
１０４ｎｍとした基板を使用し、また、実施例１におけ
る干渉層６に代えてポリビニルアルコールからなるグル
ーブ部１の層厚ｄGが１２０ｎｍ、ランド部２の層厚ｄL
が８０ｎｍの干渉層６０を形成した以外は実施例１と同
じ構成からなるものである。そして、この光記録媒体に
おける反射層のグルーブ凹部の深さＤは６４ｎｍであ
る。また、上記干渉層はスピンコート法を用いた斜め着
膜方法により形成した。
【００４７】このような層厚でもって干渉層を形成した
ことにより、実施例１と同様に、光ビームＬＢが非記録
状態にある所定のトラックＴ1に照射された際に、その
トラックＴ1と隣接する隣接トラックＴ2、Ｔ3における
光ビームＬＢに対する反射特性が、隣接トラックのマー
クが形成されて記録状態にある部位９の反射率Ｒ9と非
記録状態にある部位１０の反射率Ｒ10とが等しい関係に
なるようになっている（図５参照）。
ことにより、実施例１と同様に、光ビームＬＢが非記録
状態にある所定のトラックＴ1に照射された際に、その
トラックＴ1と隣接する隣接トラックＴ2、Ｔ3における
光ビームＬＢに対する反射特性が、隣接トラックのマー
クが形成されて記録状態にある部位９の反射率Ｒ9と非
記録状態にある部位１０の反射率Ｒ10とが等しい関係に
なるようになっている（図５参照）。
【００４８】次に、この実施例の光記録媒体を用い、そ
のグルーブ部及びランド部に対して実施例１と同様のマ
ーク長記録を行った後、記録後の光記録媒体について実
施例１と同様にクロストークを測定すると共にジッター
の変化を測定した。図１０に、クロストークとジッター
の測定結果を示す。
のグルーブ部及びランド部に対して実施例１と同様のマ
ーク長記録を行った後、記録後の光記録媒体について実
施例１と同様にクロストークを測定すると共にジッター
の変化を測定した。図１０に、クロストークとジッター
の測定結果を示す。
【００４９】図１０に示す測定結果から、この実施例に
よる光記録媒体においては、クロストークは許容レベル
の−３０ｄＢ以下であって充分に抑えられていると同時
に、ジッター増加量も許容レベルの２０％以下であるこ
とからクロスイレーズも充分に抑えられており、トラッ
クピッチを０．５μｍにした場合であっても良好な記録
特性及び再生特性が得られることが確認された。
よる光記録媒体においては、クロストークは許容レベル
の−３０ｄＢ以下であって充分に抑えられていると同時
に、ジッター増加量も許容レベルの２０％以下であるこ
とからクロスイレーズも充分に抑えられており、トラッ
クピッチを０．５μｍにした場合であっても良好な記録
特性及び再生特性が得られることが確認された。
【００５０】＜実施例５＞この実施例に係る光記録媒体
は、実施例１における基板３のグルーブ部１の深さｈを
７０ｎｍとした基板を使用し、また、実施例１における
記録層５に代えてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ2からなるグルーブ
部１の層厚ｄGが２０ｎｍで且つランド部２の層厚ｄLが
４０ｎｍである記録層を形成し、更に、実施例１におけ
る干渉層６に代えてグルーブ部１の層厚ｄGが５０ｎｍ
で且つランド部２の層厚ｄLが３０ｎｍである干渉層を
形成した以外は実施例１と同じ構成からなるものであ
る。そして、この光記録媒体における反射層のグルーブ
凹部の深さＤは７０ｎｍである。
は、実施例１における基板３のグルーブ部１の深さｈを
７０ｎｍとした基板を使用し、また、実施例１における
記録層５に代えてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ2からなるグルーブ
部１の層厚ｄGが２０ｎｍで且つランド部２の層厚ｄLが
４０ｎｍである記録層を形成し、更に、実施例１におけ
る干渉層６に代えてグルーブ部１の層厚ｄGが５０ｎｍ
で且つランド部２の層厚ｄLが３０ｎｍである干渉層を
形成した以外は実施例１と同じ構成からなるものであ
る。そして、この光記録媒体における反射層のグルーブ
凹部の深さＤは７０ｎｍである。
【００５１】上記の記録層は実施例１と同様に斜めスパ
ッタリング法により形成し、また、干渉層は通常のＲＦ
スパッタリング法により干渉層形成材料を所定の厚さで
着膜した後、実施例２と同様に斜めエッチングを行うこ
とにより形成した。
ッタリング法により形成し、また、干渉層は通常のＲＦ
スパッタリング法により干渉層形成材料を所定の厚さで
着膜した後、実施例２と同様に斜めエッチングを行うこ
とにより形成した。
【００５２】このような層厚でもって記録層を形成した
ことにより、実施例１と同様に、光ビームＬＢが非記録
状態にある所定のトラックＴ1に照射された際に、その
トラックＴ1と隣接する隣接トラックＴ2、Ｔ3における
光ビームＬＢに対する反射特性が、隣接トラックのマー
クが形成されて記録状態にある部位９の反射率Ｒ9と非
記録状態にある部位１０の反射率Ｒ10とが等しい関係に
なるようになっている（図５参照）。
ことにより、実施例１と同様に、光ビームＬＢが非記録
状態にある所定のトラックＴ1に照射された際に、その
トラックＴ1と隣接する隣接トラックＴ2、Ｔ3における
光ビームＬＢに対する反射特性が、隣接トラックのマー
クが形成されて記録状態にある部位９の反射率Ｒ9と非
記録状態にある部位１０の反射率Ｒ10とが等しい関係に
なるようになっている（図５参照）。
【００５３】次に、この実施例の光記録媒体を用い、そ
のグルーブ部及びランド部に対して実施例１と同様のマ
ーク長記録を行った後、記録後の光記録媒体について実
施例１と同様にクロストークを測定すると共にジッター
の変化を測定した。図１０に、クロストークとジッター
の測定結果を示す。
のグルーブ部及びランド部に対して実施例１と同様のマ
ーク長記録を行った後、記録後の光記録媒体について実
施例１と同様にクロストークを測定すると共にジッター
の変化を測定した。図１０に、クロストークとジッター
の測定結果を示す。
【００５４】図１０に示す測定結果から、この実施例に
よる光記録媒体においては、クロストークは許容レベル
の−３０ｄＢ以下であって充分に抑えられていると同時
に、ジッター増加量も許容レベルの２０％以下であるこ
とからクロスイレーズも充分に抑えられており、トラッ
クピッチを０．５μｍにした場合であっても良好な記録
特性及び再生特性が得られることが確認された。
よる光記録媒体においては、クロストークは許容レベル
の−３０ｄＢ以下であって充分に抑えられていると同時
に、ジッター増加量も許容レベルの２０％以下であるこ
とからクロスイレーズも充分に抑えられており、トラッ
クピッチを０．５μｍにした場合であっても良好な記録
特性及び再生特性が得られることが確認された。
【００５５】＜比較例＞この比較例に係る光記録媒体
は、実施例１における基板３のグルーブ部１の深さｈを
６０ｎｍとした基板を使用し、また、実施例１における
記録層５に代えてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ2からなる層厚が２
５ｎｍの記録層を形成し、さらに、実施例１における干
渉層６に代えて層厚が２０ｎｍの干渉層を形成した以外
は実施例１と同じ構成からなるものである。なお、この
記録層及び干渉層における上記層厚はいずれもグルーブ
部とランド部との層厚が同等であることを意味する。ま
た、この光記録媒体における反射層のグルーブ凹部の深
さＤは６０ｎｍである。
は、実施例１における基板３のグルーブ部１の深さｈを
６０ｎｍとした基板を使用し、また、実施例１における
記録層５に代えてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ2からなる層厚が２
５ｎｍの記録層を形成し、さらに、実施例１における干
渉層６に代えて層厚が２０ｎｍの干渉層を形成した以外
は実施例１と同じ構成からなるものである。なお、この
記録層及び干渉層における上記層厚はいずれもグルーブ
部とランド部との層厚が同等であることを意味する。ま
た、この光記録媒体における反射層のグルーブ凹部の深
さＤは６０ｎｍである。
【００５６】このように基板上に積層する各層（表面保
護層を除く）のいずれをもグルーブ部とランド部との層
厚が同等となるように形成したことにより、光ビームＬ
Ｂが非記録状態にある所定のトラックＴ1に照射された
際に、そのトラックＴ1と隣接する隣接トラックＴ2、Ｔ
3における光ビームＬＢに対する反射特性が、隣接トラ
ックのマークが形成されて記録状態にある部位９の反射
率Ｒ9と非記録状態にある部位１０の反射率Ｒ10とが互
いに異なる関係になっている（図５参照）。
護層を除く）のいずれをもグルーブ部とランド部との層
厚が同等となるように形成したことにより、光ビームＬ
Ｂが非記録状態にある所定のトラックＴ1に照射された
際に、そのトラックＴ1と隣接する隣接トラックＴ2、Ｔ
3における光ビームＬＢに対する反射特性が、隣接トラ
ックのマークが形成されて記録状態にある部位９の反射
率Ｒ9と非記録状態にある部位１０の反射率Ｒ10とが互
いに異なる関係になっている（図５参照）。
【００５７】次に、この比較例の光記録媒体を用い、そ
のグルーブ部及びランド部に対して実施例１と同様のマ
ーク長記録を行った後、記録後の光記録媒体について実
施例１と同様にクロストークを測定すると共にジッター
の変化を測定した。図１０に、クロストーク（□）とジ
ッター（■）の測定結果を示す。また、この光記録媒体
におけるグルーブ部の深さを変えてときのクロストーク
とジッターの変化を測定し、その結果を図１０に実線で
示す。なお、参考のために、この比較例でのトラックピ
ッチを０．８μｍとした場合の光記録媒体におけるクロ
ストークの特性曲線を同図に点線で示した。
のグルーブ部及びランド部に対して実施例１と同様のマ
ーク長記録を行った後、記録後の光記録媒体について実
施例１と同様にクロストークを測定すると共にジッター
の変化を測定した。図１０に、クロストーク（□）とジ
ッター（■）の測定結果を示す。また、この光記録媒体
におけるグルーブ部の深さを変えてときのクロストーク
とジッターの変化を測定し、その結果を図１０に実線で
示す。なお、参考のために、この比較例でのトラックピ
ッチを０．８μｍとした場合の光記録媒体におけるクロ
ストークの特性曲線を同図に点線で示した。
【００５８】図１０に示す測定結果から、この比較例に
よる光記録媒体においては、ジッター増加量が許容レベ
ルの２０％を多少越えるためクロスイレーズを十分に抑
えることができないばかりか、クロストークも許容レベ
ルの−３０ｄＢ以下に抑えることができないことが確認
された。仮にこの比較例においてクロストークを−３０
ｄＢ以下に抑えようとすると、図１０中の比較例（Ｔ）
に係る実線からわかるように反射層のグルーブ凹部の深
さを６０ｎｍよりも小さくしなければならない。ちなみ
に、参考例で示すようにトラックピッチを０．８μｍの
ように大きくすれば、反射層のグルーブ凹部の深さを７
０〜８０ｎｍ程度に設定した場合にはクロストーク（さ
らにはクロスイレーズも）を抑えることができるが、こ
れではトラックの高密度化（トラックピッチを０．６５
μｍ以下にすること）を達成できないことがわかる。
よる光記録媒体においては、ジッター増加量が許容レベ
ルの２０％を多少越えるためクロスイレーズを十分に抑
えることができないばかりか、クロストークも許容レベ
ルの−３０ｄＢ以下に抑えることができないことが確認
された。仮にこの比較例においてクロストークを−３０
ｄＢ以下に抑えようとすると、図１０中の比較例（Ｔ）
に係る実線からわかるように反射層のグルーブ凹部の深
さを６０ｎｍよりも小さくしなければならない。ちなみ
に、参考例で示すようにトラックピッチを０．８μｍの
ように大きくすれば、反射層のグルーブ凹部の深さを７
０〜８０ｎｍ程度に設定した場合にはクロストーク（さ
らにはクロスイレーズも）を抑えることができるが、こ
れではトラックの高密度化（トラックピッチを０．６５
μｍ以下にすること）を達成できないことがわかる。
【００５９】＜実施例６＞この実施例に係る光記録媒体
は、図９に示すように、実施例１における基板３のグル
ーブ部１の深さｈを５２ｎｍとした基板を使用し、ま
た、実施例１における干渉層６に代えてグルーブ部１及
びランド部２上の層厚がいずれも２５ｎｍである干渉層
を通常のＲＦスパッタリング法により形成し、更に、反
射層７のランド側壁部９の層厚を１０ｎｍに形成した以
外は実施例１と同じ構成からなるものである。
は、図９に示すように、実施例１における基板３のグル
ーブ部１の深さｈを５２ｎｍとした基板を使用し、ま
た、実施例１における干渉層６に代えてグルーブ部１及
びランド部２上の層厚がいずれも２５ｎｍである干渉層
を通常のＲＦスパッタリング法により形成し、更に、反
射層７のランド側壁部９の層厚を１０ｎｍに形成した以
外は実施例１と同じ構成からなるものである。
【００６０】上記反射層７のランド側壁部９（の層厚）
は、通常のスパッタリング法により反射層形成材料を所
定の厚さで形成した後、斜めエッチング法により１０ｎ
ｍの層厚になるまで薄膜化することによって形成した。
その斜めエッチング法は、実施例２の斜めエッチング法
の場合と基本的に同様の構成からなるものであり、エッ
チングビームとしてＡｒ+イオンビームを使用し、その
ビームの照射角度θを４５°に設定した点で異なるのみ
である。そのときのイオンビームの照射状態を図９に２
点鎖線で示す。また、このエッチングの際にはグルーブ
部及びランド部上の反射層部分もある程度エッチングさ
れて除去されるため、この減少分をあらかじめ考慮した
層厚でスパッタリング法による着膜を行っている。
は、通常のスパッタリング法により反射層形成材料を所
定の厚さで形成した後、斜めエッチング法により１０ｎ
ｍの層厚になるまで薄膜化することによって形成した。
その斜めエッチング法は、実施例２の斜めエッチング法
の場合と基本的に同様の構成からなるものであり、エッ
チングビームとしてＡｒ+イオンビームを使用し、その
ビームの照射角度θを４５°に設定した点で異なるのみ
である。そのときのイオンビームの照射状態を図９に２
点鎖線で示す。また、このエッチングの際にはグルーブ
部及びランド部上の反射層部分もある程度エッチングさ
れて除去されるため、この減少分をあらかじめ考慮した
層厚でスパッタリング法による着膜を行っている。
【００６１】次に、この実施例の光記録媒体を用い、そ
のグルーブ部及びランド部に対して実施例１と同様のマ
ーク長記録を行った後、記録後の光記録媒体について実
施例１と同様にクロストークを測定すると共にジッター
の変化を測定した。図１０に、クロストークとジッター
の測定結果を示す。
のグルーブ部及びランド部に対して実施例１と同様のマ
ーク長記録を行った後、記録後の光記録媒体について実
施例１と同様にクロストークを測定すると共にジッター
の変化を測定した。図１０に、クロストークとジッター
の測定結果を示す。
【００６２】図１０に示す測定結果から、この実施例に
よる光記録媒体においては、クロストークは許容レベル
の−３０ｄＢ以下であって充分に抑えられていると同時
に、ジッター増加量も許容レベルの２０％以下であるこ
とからクロスイレーズも充分に抑えられており、トラッ
クピッチを０．５μｍにした場合であっても良好な記録
特性及び再生特性が得られることが確認された。
よる光記録媒体においては、クロストークは許容レベル
の−３０ｄＢ以下であって充分に抑えられていると同時
に、ジッター増加量も許容レベルの２０％以下であるこ
とからクロスイレーズも充分に抑えられており、トラッ
クピッチを０．５μｍにした場合であっても良好な記録
特性及び再生特性が得られることが確認された。
【００６３】＜実施例７＞この実施例に係る光記録媒体
は、実施例６における基板３のグルーブ部１の深さｈを
５５ｎｍとした基板を使用し、また、反射層７のランド
側壁部９の層厚がゼロになるように形成した以外は実施
例１と同じ構成からなるものである。この反射層７のラ
ンド側壁部９（層厚ゼロ）は、通常のスパッタリング法
により反射層形成材料を所定の厚さで反射層を形成した
後、ドライエッチング法によりその側壁部分に着膜した
反射層形成材料を完全に除去するまで薄膜化処理を行う
ことによって形成した。
は、実施例６における基板３のグルーブ部１の深さｈを
５５ｎｍとした基板を使用し、また、反射層７のランド
側壁部９の層厚がゼロになるように形成した以外は実施
例１と同じ構成からなるものである。この反射層７のラ
ンド側壁部９（層厚ゼロ）は、通常のスパッタリング法
により反射層形成材料を所定の厚さで反射層を形成した
後、ドライエッチング法によりその側壁部分に着膜した
反射層形成材料を完全に除去するまで薄膜化処理を行う
ことによって形成した。
【００６４】次に、この実施例の光記録媒体を用い、そ
のグルーブ部及びランド部に対して実施例１と同様のマ
ーク長記録を行った後、記録後の光記録媒体について実
施例１と同様にクロストークを測定すると共にジッター
の変化を測定した。図１０に、クロストークとジッター
の測定結果を示す。
のグルーブ部及びランド部に対して実施例１と同様のマ
ーク長記録を行った後、記録後の光記録媒体について実
施例１と同様にクロストークを測定すると共にジッター
の変化を測定した。図１０に、クロストークとジッター
の測定結果を示す。
【００６５】図１０に示す測定結果から、この実施例に
よる光記録媒体においては、クロストークは許容レベル
の−３０ｄＢ以下であって充分に抑えられていると同時
に、ジッター増加量も許容レベルの２０％以下であるこ
とからクロスイレーズも充分に抑えられており、トラッ
クピッチを０．５μｍにした場合であっても良好な記録
特性及び再生特性が得られることが確認された。
よる光記録媒体においては、クロストークは許容レベル
の−３０ｄＢ以下であって充分に抑えられていると同時
に、ジッター増加量も許容レベルの２０％以下であるこ
とからクロスイレーズも充分に抑えられており、トラッ
クピッチを０．５μｍにした場合であっても良好な記録
特性及び再生特性が得られることが確認された。
【００６６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光記録媒
体は、ランド・グルーブ記録方式の光記録媒体であり、
しかも、クロストークを抑えながらかつクロスイレーズ
（ジッターの増加）も抑えてトラックの高密度化を図
り、もって大容量化を達成できるものである。従って、
本発明の光記録媒体は、ビデオのデジタル信号等をはじ
めとする各種の膨大なデータを記録するのに極めて有効
である。
体は、ランド・グルーブ記録方式の光記録媒体であり、
しかも、クロストークを抑えながらかつクロスイレーズ
（ジッターの増加）も抑えてトラックの高密度化を図
り、もって大容量化を達成できるものである。従って、
本発明の光記録媒体は、ビデオのデジタル信号等をはじ
めとする各種の膨大なデータを記録するのに極めて有効
である。
【図１】 本発明の一実施例（実施例１）に係る光記録
媒体を示す概略断面図である。
媒体を示す概略断面図である。
【図２】 斜め着膜方法の一例を示すもので、（ａ）は
その方法に使用する装置例の概念平面図、（ｂ）はＢ−
Ｂ線の断面図である。
その方法に使用する装置例の概念平面図、（ｂ）はＢ−
Ｂ線の断面図である。
【図３】 図２ａの要部拡大図である。
【図４】 斜め着膜方法における２つの着膜状態を説明
するための断面説明である。
するための断面説明である。
【図５】 光ビームに対する各トラックにおける反射特
性を説明するための概念斜視図である。
性を説明するための概念斜視図である。
【図６】 本発明の他の実施例（実施例２）に係る光記
録媒体を示す概略断面図である。
録媒体を示す概略断面図である。
【図７】 斜めエッチング方法の一例を示すもので、
（ａ）はその方法に使用する装置例の概念平面図、
（ｂ）はＢ−Ｂ線の断面図である。
（ａ）はその方法に使用する装置例の概念平面図、
（ｂ）はＢ−Ｂ線の断面図である。
【図８】 斜めエッチング方法における２つのエッチン
グ状態を説明するための断面説明である。
グ状態を説明するための断面説明である。
【図９】 本発明の他の実施例（実施例６）に係る光記
録媒体を示す概略断面図である。
録媒体を示す概略断面図である。
【図１０】 実施例１〜７及び比較例におけるクロスト
ークとジッター増加（クロスイレーズ）の測定結果を示
す図である。
ークとジッター増加（クロスイレーズ）の測定結果を示
す図である。
１…グルーブ部、２…ランド部、３…基板、４…保護
層、５…記録層、６…干渉層、７…反射層、９…記録状
態にある部位、１０…非記録状態にある部位、１１…ラ
ンド側壁部、Ｔ…トラック、Ｄ…グルーブ部（反射層の
凹部）の深さ、ｄ G…グルーブ部の層厚、ｄR…ランド部
の層厚。
層、５…記録層、６…干渉層、７…反射層、９…記録状
態にある部位、１０…非記録状態にある部位、１１…ラ
ンド側壁部、Ｔ…トラック、Ｄ…グルーブ部（反射層の
凹部）の深さ、ｄ G…グルーブ部の層厚、ｄR…ランド部
の層厚。
Claims (2)
- 【請求項１】 溝状のグルーブ部を有する基板上に少な
くとも保護層、記録層、干渉層及び反射層を積層した媒
体構造からなり、グルーブ部とその間のランド部との双
方に対して光ビームをそれぞれ照射して得られる反射率
の変化を利用することにより情報信号の記録及び再生を
行う光記録媒体において、 上記グルーブ部の深さを６０ｎｍ以上とし、かつ、光ビ
ームがグルーブ部又はランド部からなる所定のトラック
に照射された際に、そのトラックと隣接する隣接トラッ
クにおける記録状態にある部位と非記録状態にある部位
との光ビームに対する反射率が互いに等しくなるよう、
上記保護層、記録層及び干渉層のうち少なくとも１層以
上をグルーブ部とランド部の間において異なる層厚でも
って形成してなることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 溝状のグルーブ部を有する基板上に少な
くとも保護層、記録層、干渉層及び反射層を積層した媒
体構造からなり、グルーブ部とその間のランド部との双
方に対して光ビームをそれぞれ照射して得られる反射率
の変化を利用することにより情報信号の記録及び再生を
行う光記録媒体において、 上記保護層、記録層、干渉層及び反射層のいずれかの層
のランド側壁部が、グルーブ部及びランド部の層厚より
も薄膜化されているか或いは除去されていることを特徴
とする光記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6253971A JPH08124211A (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 光記録媒体 |
| US08/544,938 US5645909A (en) | 1994-10-19 | 1995-10-18 | Optical recording medium and method for forming same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6253971A JPH08124211A (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124211A true JPH08124211A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17258482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6253971A Pending JPH08124211A (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 光記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5645909A (ja) |
| JP (1) | JPH08124211A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0825590A2 (en) * | 1996-08-20 | 1998-02-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium adapted for use in land groove recording |
| US6324156B1 (en) | 1998-06-08 | 2001-11-27 | Nec Corporation | Optical recording medium having concave and convex portions of different reflection |
| WO2006022360A1 (en) | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Ricoh Company, Ltd. | Optical-recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical-recording medium |
| US7045188B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0991761A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Sony Corp | 光記録媒体 |
| JPH09326136A (ja) * | 1996-06-05 | 1997-12-16 | Sony Corp | 光記録媒体及びその製造方法 |
| JPH1092016A (ja) * | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Nikon Corp | 光ディスク |
| US5740148A (en) * | 1997-01-07 | 1998-04-14 | Read-Rite Corporation | Stationary optical data storage system using holographic or acousto-optical deflection |
| WO1999026236A2 (en) * | 1997-11-17 | 1999-05-27 | Seagate Technology, Inc. | Method for thermal crosstalk control on optical media |
| US6191384B1 (en) | 1998-05-05 | 2001-02-20 | Tapematic S.P.A. | Apparatus for trimming dye coated on a recordable disc substrate and related method |
| US20030124458A1 (en) * | 1998-07-31 | 2003-07-03 | Hitachi Maxell, Ltd. | Information recording medium and information recording method |
| JP3689612B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2005-08-31 | 株式会社日立製作所 | 情報記録媒体 |
| JP2001291262A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-19 | Samsung Electro Mech Co Ltd | クロスイレーズ抑制装置 |
| KR100750099B1 (ko) * | 2001-05-30 | 2007-08-17 | 삼성전자주식회사 | 랜드 및 그루브 트랙에 기록 가능한 광디스크 |
| FR2827070B1 (fr) * | 2001-07-04 | 2004-07-09 | Commissariat Energie Atomique | Support de stockage d'informations a reseau de plots aimantes lateralement et procede de fabrication de ce support |
| JP2004219261A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜の解析方法 |
| US20070184231A1 (en) * | 2004-02-18 | 2007-08-09 | Pioneer Corporation | Information recording medium |
| TWI356404B (en) * | 2004-03-08 | 2012-01-11 | Panasonic Corp | Optical recording medium, method for manufacturing |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05282705A (ja) * | 1992-04-01 | 1993-10-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク |
-
1994
- 1994-10-19 JP JP6253971A patent/JPH08124211A/ja active Pending
-
1995
- 1995-10-18 US US08/544,938 patent/US5645909A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0825590A2 (en) * | 1996-08-20 | 1998-02-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium adapted for use in land groove recording |
| EP0825590A3 (en) * | 1996-08-20 | 1999-11-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information recording medium adapted for use in land groove recording |
| US6324156B1 (en) | 1998-06-08 | 2001-11-27 | Nec Corporation | Optical recording medium having concave and convex portions of different reflection |
| US7045188B2 (en) | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| WO2006022360A1 (en) | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Ricoh Company, Ltd. | Optical-recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical-recording medium |
| US7636289B2 (en) | 2004-08-27 | 2009-12-22 | Ricoh Company, Ltd. | Optical-recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical-recording |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5645909A (en) | 1997-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08124211A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2785763B2 (ja) | 相変化光ディスク | |
| US6240060B1 (en) | Phase change optical recording medium | |
| JPH11500253A (ja) | 二重情報層を有する光記録媒体 | |
| US6731589B2 (en) | Substrate for optical recording media, optical recording medium, manufacturing process for optical recording media, and optical recording/reproducing method | |
| US5904819A (en) | Optical disk and method of manufacturing optical disk | |
| JPH08329528A (ja) | 光記録媒体および記録再生方法 | |
| JPH1064120A (ja) | ランド・グルーブ記録用情報記録媒体 | |
| JP2001202661A (ja) | 情報記録媒体用原盤、スタンパー及び情報記録媒体の製造方法 | |
| JP3261863B2 (ja) | 反射率増加型光記録媒体 | |
| JP2982668B2 (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JP2002237098A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2968541B2 (ja) | 光ディスク | |
| JP3905581B2 (ja) | 光記録媒体および記録再生方法 | |
| JPH07334874A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JPH0935329A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2001195785A (ja) | 光記録媒体及びその記録再生方法 | |
| JPH08147758A (ja) | 光記録媒体及び光ディスク再生方法及び光ディスク再生装置 | |
| JPS59160847A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH04221446A (ja) | 磁気光学記録媒体 | |
| US6324156B1 (en) | Optical recording medium having concave and convex portions of different reflection | |
| KR100239770B1 (ko) | 광자기 디스크용 기판 | |
| JPH03290842A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH1153763A (ja) | 光ディスク | |
| JPH1097735A (ja) | 光学的情報記録媒体 |