JPH1083944A - 画像表示方法および半導体製造装置 - Google Patents

画像表示方法および半導体製造装置

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JPH1083944A
JPH1083944A JP8235566A JP23556696A JPH1083944A JP H1083944 A JPH1083944 A JP H1083944A JP 8235566 A JP8235566 A JP 8235566A JP 23556696 A JP23556696 A JP 23556696A JP H1083944 A JPH1083944 A JP H1083944A
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wafer
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JP8235566A
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Hiroyuki Sakai
浩行 酒井
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画像表示方法および半導体製造装置に関し、
高倍率画像の表示範囲を容易に理解できるようにするこ
と。 【解決手段】 S401では、ウエハの微細な部分の画
像をある程度低倍率の任意倍率で読み取る。S402で
は、読み取ったウエハの画像の一部分を、当該任意倍率
よりもさらに高倍率で読み取る。S403では、CRT
表示装置の一画面を垂直に二つの表示領域に分割するS
404では、S403で分割された第1表示領域に任意
倍率の低倍率画像を表示する。S405では、分割され
た第2表示領域に高倍率画像を表示する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は画像表示方法および
半導体製造装置に関し、特に、複数種類の倍率で被写体
を表示する画像表示方法および半導体製造装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体製造装置では、ウエハ上の
アライメントマークなど微細な部分の高倍率の画像を表
示していた。この場合、予め決まった位置にアライメン
トマークがあると仮定した上で、その位置の高倍率画像
だけを一台の表示装置に表示する方式が一般的であっ
た。
【0003】また、特開昭61−131441号公報
(発明の名称「アライメント装置及び方法」)には、低
倍率カメラからの画像を低倍用テレビに、高倍率カメラ
からの画像を高倍用テレビに表示してアライメントを行
うことが開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
表示方式では、手動でウエハステージを移動する場合な
どは、表示された高倍率の画像がウエハやショットレイ
アウト上のどの部分を表示しているのか分かりづらいた
め、目視や低倍率表示と高倍率表示の切替えなどでどの
部分が表示されているかを理解する方法がとられるが、
作業が面倒で効率が悪く、現在表示している画像がウエ
ハ上のどの部分であるのか不明になる可能性もあるとい
う課題があった。また、前記公報の装置はコストがかか
るという課題があった。
【0005】そこで本発明は、上述の点に鑑みて成され
たもので、低倍率画像を高倍率画像ととも一台の表示装
置に同時に表示することで、ウエハのどの部分が高倍率
画像として表示されているかを分かりやすくすることの
できる画像表示方法および半導体製造装置を提供するこ
とを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の本発明の方法では、被写体の画像
を任意倍率で読み取る第1の読み取りステップと、前記
被写体の画像を前記任意倍率よりも高倍率で読み取る第
2の読み取りステップと、前記第1および第2の読み取
りステップで読み取った2つの画像を一つの表示装置に
同時に表示させる表示ステップとを含む構成とした。
【0007】また、請求項2に記載の本発明の方法で
は、前記第1の読み取りステップの後に、前記被写体を
移動する移動ステップと、前記第2の読み取りステップ
と、前記表示ステップとを含む構成とした。
【0008】また、請求項3に記載の本発明の方法で
は、前記表示ステップにおいて、前記第2の読み取りス
テップで読み取った画像が前記第1の読み取りステップ
で読み取った画像内で占める位置を表示する構成とし
た。
【0009】また、請求項4に記載の本発明の方法で
は、被写体の画像を任意倍率で読み取る読み取りステッ
プと、前記読み取りステップで読み取った画像の一部を
拡大する拡大ステップと、前記読み取りステップで読み
取った画像と前記拡大ステップで拡大した画像を一つの
表示装置に同時に表示させる表示ステップとを含む構成
とした。
【0010】また、請求項5に記載の本発明の方法で
は、被写体の画像を任意倍率で読み取る読み取りステッ
プと、前記被写体を移動する移動ステップと、前記被写
体の画像の一部を拡大する拡大ステップと、前記読み取
りステップで読み取った画像と前記拡大ステップで拡大
した画像を一つの表示装置に同時に表示させる表示ステ
ップとを含む構成とした。
【0011】また、請求項6に記載の本発明の方法で
は、前記表示ステップにおいて、前記拡大ステップで拡
大した画像が前記読み取りステップで読み取った画像内
で占める位置を表示する構成とした。
【0012】上記目的を達成するために、請求項7に記
載の本発明の装置では、ウエハの画像を任意倍率で読み
取る第1の読み取り手段と、前記ウエハの画像を前記任
意倍率よりも高倍率で読み取る第2の読み取り手段と、
前記第1および第2の読み取り手段により読み取った2
つの画像を同時に表示する一つの表示手段とを備えた構
成とした。
【0013】また、請求項8に記載の本発明の装置で
は、前記第1の読み取り手段により前記ウエハの画像を
任意倍率で読み取った後に前記ウエハを移動する移動手
段をさらに備え、移動後の前記ウエハの画像を前記第2
の読み取り手段により前記高倍率で読み取る構成とし
た。
【0014】また、請求項9に記載の本発明の装置で
は、前記一つの表示手段は、前記第2の読み取り手段に
より読み取った画像が前記第1の読み取り手段により読
み取った画像内で占める位置を表示する構成とした。
【0015】また、請求項10に記載の本発明の装置で
は、ウエハの画像を任意倍率で読み取る読み取り手段
と、前記読み取り手段により読み取った画像の一部を拡
大する拡大手段と、前記読み取り手段により読み取った
画像と前記拡大手段により拡大した画像を同時に表示す
る一つの表示手段とを備えた構成とした。
【0016】また、請求項11に記載の本発明の装置で
は、ウエハの画像を任意倍率で読み取る読み取り手段
と、前記ウエハを移動する移動手段と、前記ウエハの画
像の一部を拡大する拡大手段と、前記読み取り手段によ
り読み取った画像と前記拡大手段により拡大した画像を
同時に表示する一つの表示手段とを備えた構成とした。
【0017】また、請求項12に記載の本発明の装置で
は、前記一つの表示手段は、前記拡大手段で拡大した画
像が前記読み取り手段により読み取った画像内で占める
位置を表示する構成とした。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態を詳細に説明する。
【0019】(第1の実施の形態)図1は、本発明に係
わる半導体製造装置の第1の実施の形態の外観を示す斜
視図である。
【0020】同図に示すように、この半導体製造装置
は、装置本体の環境温度制御を行なう温調チャンバ10
1と、その内部に位置し、装置本体の制御を行なうCP
Uを有するEWS(Engineering Work Station)本体1
06と、コンソールユニット113を備えている。コン
ソールユニット113は、装置における所定の情報を表
示するEWS用ディスプレイ装置102、装置本体にお
いての撮像装置を介して得られる画像情報を表示するモ
ニタTV105、装置に対し所定の入力を行なうための
操作パネル103、EWS用キーボード104を含んで
いる。
【0021】また、図中107は、ON/OFFスイッ
チである。108は、非常停止スイッチである。109
は、各種スイッチ、マウス、ジョイスティック等の入力
装置である。110は、LAN通信ケーブルである。1
11は、コンソールユニット113からの発熱の排気ダ
クトである。そして、112は温調チャンバ101の排
気装置である。半導体製造装置本体は、温調チャンバ1
01の内部に設置される。
【0022】EWS用ディスプレイ装置102は、EL
(Electro ‐luminescence)、プラズマ、液晶等の薄型
フラットタイプのものである。EWS用ディスプレイ装
置102は温調チャンバ101の前面に設置され、LA
Nケーブル110によりEWS本体106と接続され
る。操作パネル103、キーボード104、モニタTV
105等も温調チャンバ101の前面に設置され、温調
チャンバ101の前面からコンソール操作が行なえる。
【0023】図2は、図1の半導体製造装置の内部構造
を示す側面透視図である。
【0024】同図においては、半導体製造装置としての
ステッパが示されている。図中、202はレチクル、2
03はウエハであり、光源装置204から出た光束が照
明光学系205を通ってレチクル202を照明すること
で、投影レンズ206によりレチクル202上のパター
ンをウエハ203上の感光層に転写することができる。
レチクル202はレチクルステージ207により支持さ
れており、これによりレチクル202が保持、移動され
る。ウエハ203は、ウエハチャック291により真空
吸着された状態で露光される。ウエハチャック291
は、ウエハステージ209の移動により各軸方向に移動
可能である。
【0025】レチクル202の上側には、レチクルの位
置ずれ量を検出するためのレチクル光学系281が配置
される。ウエハステージ209の上方には、投影レンズ
206に隣接してオフアクシス顕微鏡282が配置され
ている。オフアクシス顕微鏡282は、内部の基準マー
クとウエハ203上のアライメントマークとの相対位置
検出を主に行なう。また、上記の構成からなるステッパ
本体に隣接してブース214内には、周辺装置であるレ
チクルライブラリ220やウエハキャリアエレベータ2
30が配置される。これらの周辺装置からは、レチクル
搬送装置221およびウエハ搬送装置231によって、
必要なレチクル202やウエハ203がステッパ本体に
搬送される。
【0026】温調チャンバ101は、主に空気の温度調
節を行なう空調機室210と、微少な異物をろ過し清浄
空気の均一な流れを形成するフィルタボックス213
と、装置環境を外部と遮断するブース214とで構成さ
れている。温調チャンバ101内では、空調機室210
内にある冷却機215および再熱ヒータ216により温
度調節された空気が、送風機217によりエアフィルタ
gを介してブース214内に供給される。再熱ヒータ2
16は、温度コントローラ218により制御される。
【0027】このブース214に供給された空気は、リ
ターン口raから再度空調機室210に取り込まれ、温
調チャンバ101内を循環する。通常、この温調チャン
バ101は、厳密には完全な循環系ではなく、ブース2
14内を常時常圧に保つため、循環空気量の約1割に当
たる空気を空調機室210に設けられた外気導入口oa
より送風機を介してブース214外の空気から導入して
いる。このようにして温調チャンバ101は本装置の置
かれる環境温度を一定に保ち、かつ空気を清浄に保つこ
とを可能としている。
【0028】また、光源装置204には、超高圧水銀灯
の冷却やレーザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口s
aと排気口esが設けられている。これにより、ブース
214内の空気の一部が光源装置203を経由し、空調
機室210に備えられた専用の排気ファンを介して工場
設備に強制排気されている。また、空気中の化学物質を
除去するための化学吸着フィルタcfが、空調機室21
0の外気導入口oaおよびリターン口raにそれぞれ接
続され備えられている。
【0029】図3は、図1の装置の電気回路構成を示す
ブロック図である。
【0030】同図において、321は装置全体の制御を
司るEWS本体106に内蔵された本体CPUであり、
マイクロコンピュータまたはミニコンピュータ等の中央
演算処理装置からなる。322はウエハステージ駆動装
置、323はオフアクシス顕微鏡282等のアライメン
ト検出系、324はレチクルステージ駆動装置、325
は光源装置204等の照明系、326はシャッタ駆動装
置、327はフォーカス検出系、328はZ駆動装置で
ある。これらの構成要素は、本体CPU321により制
御される。また、329はレチクル搬送装置221、ウ
エハ搬送装置231等の搬送系である。
【0031】330はウエハステージ209上の被写体
であるウエハを撮像する高解像度の撮像管カメラ、低解
像度のCCDカメラ等の撮像装置であり、アライメント
光学系またはオフアクシス光学系に設けられる。撮像装
置330は、必要な画像の読み取り倍率に応じて撮像管
カメラとCCDカメラを使い分けてもよいし、高解像度
の撮像管カメラをズーミングして用いてもよい。331
は、ウエハ上の微細部分の拡大画像を複数種類の倍率で
一画面に同時に表示するための一つのCRT表示装置で
ある。
【0032】ディスプレイ装置102、キーボード10
4等を有するコンソールユニットユニット113は、本
体CPU321にこの露光装置の動作に関する各種のコ
マンドやパラメータを与えるためのものである。すなわ
ち、オペレータとの間で情報の授受を行なうためのもの
である。335はコンソールCPUであり、336はプ
ログラム、各種ジョブのパラメータ等を記憶する外部メ
モリである。ジョブパラメータには、使用するマスク、
マスキングブレードの開口、露光量、レイアウトデータ
等が含まれる。
【0033】図4は本実施の形態による高倍率画像と低
倍率画像の同時表示を説明するためのフローチャートで
ある。このフローチャートおよび以下のフローチャート
に示される処理は、CPUの制御・演算により外部メモ
リに記憶されたプログラムを実行することで行われる。
【0034】図4に示すステップS401では、ウエハ
ステージ209に載置されたウエハの微細な部分の画像
をある程度低倍率の任意倍率で読み取る。さらにステッ
プS402では、ステップS401で読み取ったウエハ
の画像の一部分を、当該任意倍率よりもさらに高倍率で
読み取る。ステップS403では、CRT表示装置の一
画面を垂直に二つの表示領域に分割する。すなわち、図
5に示すCRT表示装置の表示画面501の一例のよう
に、第1表示領域D1と第2表示領域D2とに分割す
る。
【0035】ステップS404では、ステップS403
で分割された第1表示領域D1にステップS401で読
み取った任意倍率の低倍率画像を表示する。第1表示領
域D1には、図5のようにウエハ上のアライメントマー
クなどを複数含む低倍率画像502が表示されることに
なる。さらにステップS405では、ステップS403
で分割された第2表示領域D2にステップS402で読
み取った高倍率画像を表示する。第2表示領域D2に
は、図5のようにステップS404で表示された第1表
示領域D1の画像502の一部分の画像503がさらに
高倍率で詳細に表示される。
【0036】このように本実施の形態によれば、任意倍
率のウエハの画像と、この画像の一部の高倍率の画像を
一台のCRT表示装置に同時に表示することができるの
で、低コストな構成により、ウエハのどの部分が高倍率
画像として表示されているかを分かりやすくすることが
できる。
【0037】(第2の実施の形態)図6は第2の実施の
形態の高倍率画像と低倍率画像の同時表示方法を説明す
るためのフローチャートである。本実施の形態は、画像
読み取りを一度で済ます処理を実現するものである。
【0038】図6に示すステップS601では、ウエハ
ステージ209に載置されたウエハの微細な部分の画像
をある程度低倍率の任意倍率で読み取り記憶する。さら
にステップS602では、ステップS601で記憶され
た画像の一部を高倍率画像に拡大処理する。ステップS
603では、CRT表示装置の一画面を垂直に二つの表
示領域に分割する。すなわち、図5に示したCRT表示
装置の表示画面501の一例のように、第1表示領域D
1と第2表示領域D2とに分割する。
【0039】ステップS604では、ステップS603
で分割された第1表示領域D1にステップS601で読
み取り記憶された任意倍率の低倍率画像を表示する。第
1表示領域D1には、図5のようにウエハ上のアライメ
ントマークなどを複数含む低倍率画像502が表示され
ることになる。さらにステップS605では、ステップ
S603で分割された第2表示領域D2にステップS6
02で拡大処理された高倍率画像を表示する。第2表示
領域D2には、図5のようにステップS604で表示さ
れた第1表示領域域D1の画像502の一部分の画像5
03がさらに高倍率で詳細に表示される。
【0040】このように本実施の形態によれば、一度の
画像読み取りにより、任意倍率のウエハの画像と、この
画像の一部の高倍率の画像を一台のCRT表示装置に同
時に表示することができるので、低コストな構成によ
り、ウエハのどの部分が高倍率画像として表示されてい
るかを分かりやすくすることができる。
【0041】(第3の実施の形態)次に図7は、第3の
実施の形態の高倍率画像と低倍率画像の同時表示方法を
説明するためのフローチャートである。本実施の形態
は、高倍率画像が表示する範囲を変更(移動)する処理
を実現するものである。
【0042】図7のステップS701からS704の処
理は図4のステップS401からS404の処理と同様
であり、その説明を省略する。
【0043】ステップS706では、任意倍率の低倍率
画像よりも高倍率の画像の表示範囲を変更(移動)する
ため、ウエハステージ209をジョイスティック等の入
力装置109を操作することで移動する。ステップS7
07では、移動したウエハの画像を再度高倍率で読み取
る。このとき、撮像装置の位置は固定のためウエハ移動
前とは違う部分の画像を読み取ることになる。
【0044】ステップS708では、図5の第2表示領
域D2に高倍率で表示されていた画像503に代えて、
ステップS707で読み取った高倍率画像803を図8
のように再表示する。この際、図8のように第1表示領
域D1の画像502は図5の時のままの表示状態で、こ
の表示領域の画像502は変更されない。
【0045】ステップS709で表示終了と判断される
までステップS706からS709を繰り返すことで、
次々に表示範囲を変更(移動)することができる。
【0046】このように本実施の形態によれば、第1の
実施の形態と同様の効果が得られる他に、移動したウエ
ハステージ上のウエハの高倍率画像を再表示することが
できる。
【0047】(第4の実施の形態)次に図9は、第4の
実施の形態の高倍率画像と低倍率画像の同時表示方法を
説明するためのフローチャートである。本実施の形態
は、画像読み取り回数が一回で、高倍率画像が表示する
範囲を変更(移動)する処理を実現するものである。
【0048】図9のステップS901からS904の処
理は図6のステップS601からS604の処理と同様
であり、その説明を省略する。
【0049】ステップS906では、任意倍率の低倍率
画像よりも高倍率の画像の表示範囲を変更(移動)する
ため、ウエハステージ209をジョイステック等の入力
装置109を操作することで移動する。ステップS90
7では、移動したウエハステージの駆動量から高倍率画
像の表示範囲を判断し、ステップS901で読み取った
低倍率画像のこの表示範囲の画像を再度拡大処理をす
る。撮像装置の位置は固定のためめウエハ移動前とは違
う画像を拡大することになる。
【0050】ステップS908では、図5の第2表示領
域D2に高倍率で表示されていた画像503に代えて、
ステップS907で拡大処理した高倍率画像803を図
8のように再表示する。この際、図8のように第1表示
領域D1の画像502は図5の時のままの表示状態で、
この表示領域の画像502は変更されない。
【0051】ステップS909で表示終了と判断される
までステップS906からS909を繰り返すことで、
次々に表示範囲を変更(移動)することができる。
【0052】このように本実施の形態によれば、第2の
実施の形態と同様の効果が得られる他に、移動したウエ
ハステージ上のウエハの高倍率画像を再表示することが
できる。
【0053】(他の実施の形態)さらに図10は、矩形
で高倍率画像の表示範囲を明確化する例を説明する説明
図である。ここでは、低倍率画像502内で高倍率画像
1003の表示範囲が占める位置を矩形1004で示す
ことにより、高倍率画像1003が低倍率画像502の
どの部分を表示しているか容易に理解できるようにした
ものである。
【0054】また図11は、矩形で高倍率画像の表示範
囲を明確化する他の例を説明する説明図である。図11
は、図10に示した高倍率画像1003の表示範囲が占
める位置を低倍率画像502内で変更して別の部分の高
倍率画像1103を表示した際の状態を示している。
【0055】図7または図9で示した手順で高倍率画像
の表示範囲を変更した場合、図11の高倍率画像110
3のように、高倍率画像の変更にともなって、矩形10
04も低倍率画像502内で、それ自身の位置を変更
(移動)し、高倍率画像1103がが占める位置が低倍
率画像502内のどの部分へ変更(移動)されたかを示
す。したがって、高倍率画像の表示範囲の移動を容易に
理解することができる。
【0056】さらに、図12はウエハ全体の図を用いて
さらに表示範囲を容易に理解する例を説明する説明図で
ある。
【0057】図12の表示画面1201に示すようにウ
エハ全体の画像をディスプレイ装置102などの表示装
置にグラフィック表示した上に、低倍率画像の表示範囲
が占める位置を矩形1202により表示することによ
り、さらにCRT表示装置331に表示されている詳細
画像がウエハのどの部分を表示しているか、容易に理解
することができる。
【0058】
【発明の効果】以上説明したとおり本発明によれば、被
写体の画像を任意倍率で読み取り、被写体の画像を任意
倍率よりも高倍率で読み取り、これら2つの画像を一つ
の表示装置に同時に表示させるようにしたので、被写体
のどの部分が高倍率画像として表示されているかを分か
りやすくすることができる特長がある。また、高倍率画
像の表示範囲の変更を容易に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる第1の実施の形態の半導体製造
装置の外観を示す斜視図である。
【図2】図1の半導体製造装置の内部構造を示す側面透
視図である。
【図3】図1の半導体製造装置の電気回路構成を示すブ
ロック図である。
【図4】第1の実施の形態の高倍率画像と低倍率画像の
同時表示方法を説明するためのフローチャートである。
【図5】図4、図6のフローチャートに示される同時表
示方法によるCRT表示装置の表示画面を説明する説明
図である。
【図6】第2の実施の形態の高倍率画像と低倍率画像の
同時表示方法を説明するためのフローチャートである。
【図7】第3の実施の形態の高倍率画像と低倍率画像の
同時表示方法を説明するためのフローチャートである。
【図8】図7、図9のフローチャートに示される同時表
示方法によるCRT表示装置の表示画面を説明する説明
図である。
【図9】第4の実施の形態の高倍率画像と低倍率画像の
同時表示方法を説明するためのフローチャートである。
【図10】矩形で高倍率画像の表示範囲を明確化する例
を説明する説明図である。
【図11】矩形で高倍率画像の表示範囲を明確化する他
の例を説明する説明図である。
【図12】ウエハ全体の図を用いてさらに表示範囲を容
易に理解する例を説明する説明図である。
【符号の説明】
101 温調チャンバ 102 EWS用ディスプレイ装置 103 操作パネル 104 キーボード 105 モニタTV 106 EWS本体 107 ON−OFFスイッチ 108 非常停止スイッチ 109 入力装置 110 LAN通信ケーブル 111 排気ダクト 112 排気装置 113 コンソールユニット 202 レチクル 203 ウエハ 204 光源装置 205 照明光学系 206 投影レンズ 207 レチクルステージ 209 ウエハステージ 210 空調機室 213 フィルタボックス 214 ブース 217 送風機 281 レチクル顕微鏡 282 オフアクシス顕微鏡 312 キーボード 321 本体CPU 331 CRT表示装置 335 コンソールCPU 336 外部メモリ g エアフィルタ cf 化学吸着フィルタ oa 外気導入口 ra リターン口

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被写体の画像を任意倍率で読み取る第1
    の読み取りステップと、 前記被写体の画像を前記任意倍率よりも高倍率で読み取
    る第2の読み取りステップと、 前記第1および第2の読み取りステップで読み取った2
    つの画像を一つの表示装置に同時に表示させる表示ステ
    ップとを含むことを特徴とする画像表示方法。
  2. 【請求項2】 前記第1の読み取りステップの後に、 前記被写体を移動する移動ステップと、前記第2の読み
    取りステップと、前記表示ステップとを含むことを特徴
    とする請求項1に記載の画像表示方法。
  3. 【請求項3】 前記表示ステップにおいて、前記第2の
    読み取りステップで読み取った画像が前記第1の読み取
    りステップで読み取った画像内で占める位置を表示する
    ことを特徴とする請求項1または2に記載の画像表示方
    法。
  4. 【請求項4】 被写体の画像を任意倍率で読み取る読み
    取りステップと、 前記読み取りステップで読み取った画像の一部を拡大す
    る拡大ステップと、 前記読み取りステップで読み取った画像と前記拡大ステ
    ップで拡大した画像を一つの表示装置に同時に表示させ
    る表示ステップとを含むことを特徴とする画像表示方
    法。
  5. 【請求項5】 被写体の画像を任意倍率で読み取る読み
    取りステップと、 前記被写体を移動する移動ステップと、 前記被写体の画像の一部を拡大する拡大ステップと、 前記読み取りステップで読み取った画像と前記拡大ステ
    ップで拡大した画像を一つの表示装置に同時に表示させ
    る表示ステップとを含むことを特徴とする画像表示方
    法。
  6. 【請求項6】 前記表示ステップにおいて、前記拡大ス
    テップで拡大した画像が前記読み取りステップで読み取
    った画像内で占める位置を表示することを特徴とする請
    求項4または5に記載の画像表示方法。
  7. 【請求項7】 ウエハの画像を任意倍率で読み取る第1
    の読み取り手段と、 前記ウエハの画像を前記任意倍率よりも高倍率で読み取
    る第2の読み取り手段と、 前記第1および第2の読み取り手段により読み取った2
    つの画像を同時に表示する一つの表示手段とを備えたこ
    とを特徴とする半導体製造装置。
  8. 【請求項8】 前記第1の読み取り手段により前記ウエ
    ハの画像を任意倍率で読み取った後に前記ウエハを移動
    する移動手段をさらに備え、移動後の前記ウエハの画像
    を前記第2の読み取り手段により前記高倍率で読み取る
    ことを特徴とする請求項7に記載の半導体製造装置。
  9. 【請求項9】 前記一つの表示手段は、前記第2の読み
    取り手段により読み取った画像が前記第1の読み取り手
    段により読み取った画像内で占める位置を表示すること
    を特徴とする請求項7または8に記載の半導体製造装
    置。
  10. 【請求項10】 ウエハの画像を任意倍率で読み取る読
    み取り手段と、 前記読み取り手段により読み取った画像の一部を拡大す
    る拡大手段と、 前記読み取り手段により読み取った画像と前記拡大手段
    により拡大した画像を同時に表示する一つの表示手段と
    を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
  11. 【請求項11】 ウエハの画像を任意倍率で読み取る読
    み取り手段と、 前記ウエハを移動する移動手段と、 前記ウエハの画像の一部を拡大する拡大手段と、 前記読み取り手段により読み取った画像と前記拡大手段
    により拡大した画像を同時に表示する一つの表示手段と
    を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
  12. 【請求項12】 前記一つの表示手段は、前記拡大手段
    で拡大した画像が前記読み取り手段により読み取った画
    像内で占める位置を表示することを特徴とする請求項1
    0または11に記載の半導体製造装置。
JP8235566A 1996-09-05 1996-09-05 画像表示方法および半導体製造装置 Pending JPH1083944A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005166991A (ja) * 2003-12-03 2005-06-23 Disco Abrasive Syst Ltd アライメント装置及び加工装置
JP2011203132A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Seiko Epson Corp 外観検査装置
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