JP2008306030A - マーク設計装置および位置検出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 位置検出用のマークを設計する際の担当者の人為的なパラメータの設定ミスを防止し、人為的ミスによる歩留まり低下や稼動率の低下を防止する。
【解決手段】 基板上に形成され且つ位置検出装置によって検出されるマークを設計するマーク設計装置において、マークの種類やマークを構成する線の幅や本数を含むパラメータを編集する手段と、それらパラメータにより決まるマークのイメージを形成する手段と、前記パラメータを編集するための要素と前記形成されたマークのイメージとを1つの画面でＧＵＩ表示する表示手段とを設ける。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体素子や液晶素子などの製造工程において、素子の基板上に形成され且つ位置検出装置によって検出されるマークの構成を設定するマーク設計装置に関する。

従来より、半導体素子や液晶素子の製造工程において、複数のパターンを位置合わせする際には、アライメントマークを使用してパターンの位置出しを行っていた。例えば、半導体素子の分野では、シリコン基板と露光用マスク（原版）との位置合わせにアライメントマークが利用されていた。また、液晶素子の分野では、カラーフィルタと透明導電膜との位置合わせやカラーフィルタ基板と対向基板との貼り合わせ位置合わせ等の工程においてアライメントマークが利用されていた。

また、位置合わせの他にも重ね合わせズレ検査などでは、誤差測定用のマークが用いられている。これは、マークの形状や線幅の違いにより、マークの検出精度や、測定精度が変化する為である。このように半導体や液晶メーカの各製造工程の担当者は半導体素子や液晶素子などの製造工程で、それぞれの工程に応じてマークの形状や線幅を選択する必要がある。このマークの選択を効率的に行うためのものとして、事前にマーク設計に関するシミュレーションを行い、既存のマークの中から最適なマークの選択を行うものがあった（特許文献１）。このとき、マークパターンを独自に作成したり、チューニングしたりする際には人手によるパラメータの入力を行う必要があった。そのため製造工程の担当者は露光装置メーカ等から用意されたマークデザイン編集画面によりマークデザインの関連パラメータの入力を行っていた。
特開２００４−０７７５５０号公報

しかしながら、製造工程の担当者がより微細な位置合わせの時に必要な細かなチューニングができるようにするために、露光装置メーカは設定できるパラメータを増加させる傾向がある。また、露光装置メーカは検出精度や測定精度を上げる為にアライメントマークを複雑化させる傾向にあり、やはり製造工程の担当者が設定するパラメータが増加することになる。

このようなパラメータの増加は、担当者が人為的なパラメータの設定ミスを起こす確率が増加し、歩留まり低下の要因となり、位置ズレ検出の為の計測処理の異常停止による露光装置の稼動率の低下の要因となる。
本発明は、上述の従来例における問題点を解消することを課題とする。

上記の課題を解決するために、本発明は、基板上に形成され且つ位置検出装置によって検出されるマークを設計するマーク設計装置であって、前記マークの構成を決定するパラメータを編集する編集手段と、前記パラメータにより決定されるマークのイメージを形成するイメージ形成手段と、前記パラメータを編集するための要素と前記形成されたマークのイメージとを１つの画面でＧＵＩ表示する表示手段とを有するマーク設計装置や、この装置を有する位置合わせ装置や露光装置を提供する。

本発明によれば、パラメータを編集要素とマークのイメージとを１つの画面でＧＵＩ表示する表示手段とを有するので、人為的なマークデザインパラメータの設定ミスを低減することができる。これにより、デザインパラメータの設定ミスによる製造不良を低減し、装置の稼動率を上げ、コストの削減が可能となる。

本発明の好ましい実施の形態において、本発明は、原版に形成されたパターンと基板に形成されたパターンとを重ね合わせて露光する露光装置において原版と基板との位置ズレ検出のために適用される。すなわち、基板上に形成された複数のマークを検出光学系で計測して該基板全体のズレ量や該基板上に形成されているパターンのズレ量を算出する位置検出装置により検出されるマークを設計できる装置となるのである。そして、この位置検出装置は、前記マークの構成を決定するパラメータを編集する編集手段と、前記パラメータにより決定されるマークのイメージを形成するイメージ形成手段とを有する。また、前記パラメータを編集するための要素と前記形成されたマークのイメージとを１つの画面でＧＵＩ表示する表示手段を有する。

ここで、原版は、マスクやレチクル等であり、基板は、半導体ウエハや液晶パネルまたはカラーフィルタのガラス基板等である。また、マークの構成を決定するパラメータとは、例えば、マークの種類やマークを構成する線の幅や本数である。

本実施の形態において、前記表示手段は、前記編集手段により編集されたパラメータが前記マークのイメージに与える影響を前記表示手段に強調表示する。また、前記編集手段は、前記表示手段におけるマークのイメージ上で直接イメージを操作することにより対応するパラメータを編集することができるようになっている。

なお、本実施の形態においては、前記表示手段に、前記パラメータの制約条件を表示させてもよい。さらに、前記マークのインポート時にそのマークのイメージを前記表示手段にサムネイル表示させてもよい。

図８は本発明の一実施例に係る半導体露光装置の外観を示す斜視図である。なお、この半導体露光装置は、ハードウエア構成が、一般的な半導体露光装置と同様である。

図８の半導体露光装置は、装置本体の環境温度制御を行う温調チャンバ８０１と、その内部に配置され、装置本体の制御を行うＣＰＵを有するＥＷＳ本体８０６とを備える。また、装置における所定の情報を表示するＥＷＳ用ディスプレイ８０２と、装置本体において撮像手段を介して得られる画像情報を表示するモニタＴＶ８０５とを備える。さらに、装置に対し所定の入力を行うための操作パネル８０３と、ＥＷＳ用キーボード８０４等を含むコンソール部とを備える。図中、８０７はＯＮ−ＯＦＦスイッチ、８０８は非常停止スイッチ、８０９は各種スイッチ、マウス等、８１０はＬＡＮ通信ケーブルである。また、８１１はコンソール機能からの発熱の排気ダクト、そして８１２はチャンバの排気装置である。

半導体露光装置本体はチャンバ８０１の内部に設置される。ＥＷＳ用ディスプレイ８０２は、ＥＬ、プラズマ、液晶等の薄型フラットタイプのものであり、チャンバ８０１前面に納められ、ＬＡＮケーブル８１０によりＥＷＳ本体８０６と接続される。操作パネル８０３、キーボード８０４、モニタＴＶ８０５等もチャンバ８０１前面に設置し、チャンバ８０１前面から従来と同様のコンソール操作が行えるようにしてある。

図９は、図８の装置の内部構造を示す図である。同図においては、半導体露光装置９０１としてステップ・アンド・リピート方式の露光装置であるステッパが示されている。半導体露光装置としては、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるスキャナ等、他の方式の露光装置であっても良い。

図中、９０２はレチクル、９０３はウエハである。光源装置９０４から出た光束が照明光学系９０５を通ってレチクル９０２を照明するとき、投影レンズ９０６によりレチクル９０２上のパターンをウエハ９０３上の感光層に転写することができる。レチクル９０２はレチクル９０２を保持、移動するためのレチクルステージ９０７により支持されている。ウエハ９０３はウエハチャック９９１により真空吸着された状態で露光される。ウエハチャック９９１はウエハステージ９０９により各軸方向に移動可能である。

レチクル９０２の上側にはレチクルの位置ズレ量を検出するためのレチクル光学系９８１が配置される。ウエハステージ９０９の上方に、投影レンズ９０６に隣接してオフアクシス顕微鏡９８２が配置されている。オフアクシス顕微鏡９８２は内部の基準マークとウエハ９０３上のアライメントマークとの相対位置検出を行うのが主たる役割である。また、これらステッパ本体に隣接して周辺装置であるレチクルライブラリ９２０やウエハキャリアエレベータ９３０が配置される。必要なレチクルやウエハはレチクル搬送装置９２１およびウエハ搬送装置９３１によってステッパ本体に搬送される。

チャンバ８０１は、主に空気の温度調節を行う空調機室９１０、微小異物を濾過し清浄空気の均一な流れを形成するフィルタボックス９１３、および装置環境を外部と遮断するブース９１４で構成されている。チャンバ８０１内では、空調機室９１０内にある冷却器９１５および再熱ヒータ９１６により温度調節された空気が、送風機９１７によりエアフィルタｇを介してブース９１４内に供給される。このブース９１４に供給された空気はリターン口ｒａより再度、空調機室９１０に取り込まれチャンバ８０１内を循環する。通常、このチャンバ８０１は厳密には完全な循環系ではない。つまり、ブース９１４内を常時陽圧に保つため循環空気量の約１割のブース９１４外の空気を空調機室９１０に設けられた外気導入口ｏａより送風機を介して導入している。このようにしてチャンバ８０１は本装置の置かれる環境温度を一定に保ち、かつ空気を清浄に保つことを可能にしている。

光源装置９０４には超高圧水銀灯の冷却やレーザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口ｓａと排気口ｅａが設けられている。そして、ブース９１４内の空気の一部が光源装置９０４を経由し、空調機室９１０に備えられた専用の排気ファンを介して工場設備に強制排気されている。また、空気中の化学物質を除去するための化学吸着フィルタｃｆを、空調機室９１０の外気導入口ｏａおよびリターン口ｒａにそれぞれ接続して備えている。

図１０は、図８の装置の電気回路構成を示すブロック図である。同図において、１０２１は装置全体の制御を司る、前記ＥＷＳ本体８０６に内蔵された本体ＣＰＵであり、マイクロコンピュータまたはミニコンピュータ等の中央演算処理装置からなる。１０２２はウエハステージ駆動装置、１０２３は前記オフアクシス顕微鏡９８２等のアライメント検出系（検出光学系）、１０２４はレチクルステージ駆動装置、１０２５は前記光源装置９０４等の照明系である。また、１０２６はシャッタ駆動装置、１０２７はフォーカス検出系（検出光学系）、１０２８はＺ駆動装置である。これらの各装置および系は、本体ＣＰＵ１０２１により制御される。

１０２９は前記レチクル搬送装置９２１、ウエハ搬送装置９３１等の搬送系である。１０３０は前記ディスプレイ８０２、キーボード８０４等を有するコンソールユニットであり、本体ＣＰＵ１０２１にこの露光装置の動作に関する各種のコマンドやパラメータを与えるためのものである。すなわち、オペレータとの間で情報の授受を行うためのものである。１０３１はコンソールＣＰＵ、１０３２はパラメータ等を記憶する外部メモリである。

図１１、図１２を用いて、図８〜図１０に示す構成からなる半導体露光装置でのウエハアライメントを説明する。このウエハアライメントも従来の半導体露光装置と同様に行われる。
ウエハ９０３が半導体露光装置９０１に供給されると、まず、ステップＳ０１において、メカ的なプリアライメントが行われる。これは、不図示のメカニカルアライメント装置において、ウエハの外周と、ウエハ外周に設けられたオリエンテーションフラット（オリフラ）或いはノッチを用いて行われるメカニカルな位置合わせである。図１２ではウエハ外周にノッチＮを設けた例が示されている。このメカ的なプリアライメントにより、ウエハ９０３のラフな位置が決定される。このメカニカルな位置合わせ精度は約２０μｍである。

次に、ステップＳ０２において、ウエハ９０３はウエハ搬送装置９３１でウエハチャック９９１に載せられてウエハステージ９０９に供給され、ステップＳ０３においてプリアライメントを行う。プリアライメントでは、アライメント検出系１０２３の制御により、オフアクシス顕微鏡９８２の倍率を低倍率に設定して検出するようにする。こうして、図１２に示される左右のプリアライメントマーク（ＰＡＬ、ＰＡＲ）を検出し、プリアライメントマークの位置を求め、ウエハ９０３の中心を取得する。このときの位置合わせ精度は４μｍ程度である。

次に、ステップＳ０４においてグローバルアライメントを行い、正確にウエハ９０３の位置および、露光ショットの位置が求められる。グローバルアライメントでは、オフアクシス顕微鏡９８２の倍率を高い倍率に設定して行う。こうして、高倍率で、図１２に示されるウエハ９０３上の複数のグローバルアライメントマーク（ＦＸ１〜ＦＸ４、ＦＹ１〜ＦＹ４）を計測し、ウエハのＸ、Ｙ方向のずれ、回転成分、およびショット配列の倍率成分を求める。グローバルアライメントの精度は、今日の２５６Ｍｂｉｔのメモリを製造するマシンにおいては誤差５０ｎｍ以下の精度になる。グローバルアライメントを終えると、ステップＳ０５で露光を開始する。

図１は、本発明のマーク設計装置に係る、図８の装置におけるマークパラメータ編集手段とマークイメージ表示を同時に表示する画面を示す図である。図１の画面は、ユーザがマークデザインの設定（マーク設計）をする際に表示される。また、この画面は、ウィンドウタイトル表示領域１１０とパラメータ入力領域１２０とマークイメージ表示部１３０とツールバー１４０から構成される。

図１において、１２１はパラメータのグループ分けを行いそのグループを切り替えるためのパラメータグループ切り替えタブである。１２２は前記パラメータグループの名前を表示するパラメータグループ表示部、１２３はパラメータ名表示部、１２４はパラメータの値を編集するためのパラメータ値入力部である。１３１は前記パラメータに応じたマークのイメージを表示したマークイメージである。１４１は編集したパラメータを保存する保存ボタン、１４２は直前の編集のやり直しボタン、１４３は新たなパラメータを開く、開くボタン、１４４はパラメータの編集を終える終了ボタンである。

図２は、図８の装置において使用するマークデザインパターン例を示す図である。これらのマークパターンは図１１におけるファインアライメントＳ０４の工程で用いられる。図２（ａ）に示すような十字のパターン、図２（ｂ）に示すような棒状で、矩形内部をヌキまたはノコシにしたパターン、図２（ｃ）に示すような棒状で矩形部をすべてヌキまたはノコシにするようなパターンが挙げられる。さらに、他にもハの字状や回折格子、フレネルゾーンプレートによるもの等、工程や使用される装置ごとに種種のマークパターンが挙げられる。

図３はマークデザイン編集を実行した場合の処理を示すフローチャートである。図１と図３を参照してマークデザイン編集時の動作を示す。ディスプレイ８０２に表示された上位の操作画面においてマークデザイン設定エディタを実行すると、コンソールＣＰＵ１０３１は、ステップＳ３０１において、コンソールユニット１０３０の入力手段により既存のマークデザインを読み込むか、新規作成を行う。

次に、ステップＳ３０２において、図１に示す画面がディスプレイ上に表示される。このとき、マークイメージ表示部１３０にはパラメータに応じたマークイメージ１３１が表示される。次に、ステップＳ３０３において、コンソールユニット１０３０の入力手段によりパラメータグループ切り替えタブ１２１で編集するパラメータグループを切り替える。次いで、ステップＳ３０４において、コンソールユニット１０３０の入力手段により編集するパラメータを選択する。

次に、ステップＳ３０５において、コンソールユニット１０３０の入力手段によりパラメータ値入力部１２４を編集する。この結果ステップＳ３０６においてパラメータ値が制約条件を満たしていれば、ステップＳ３０７において、編集したパラメータに応じてマークイメージ１３１が更新される。

このとき、ステップＳ３０８において、オペレータは更新されたマークイメージ１３１を確認することで、マークイメージが意図した形状になることを確認することができる。また、意図した形状にならなければ、１４２の編集のやり直しボタンなどによりステップＳ３０５へ戻り、編集をやり直すことができる。そして、ステップＳ３０９において、編集が終われば編集結果の保存を行う。ステップＳ３１０において、終了ボタン１４４が指示されればマークデザイン設定エディタを終了して上位の操作画面へ戻る。このようにして、マークイメージの表示を確認しながらパラメータの編集を行うことができる。

なお、パラメータ編集のためのコマンドとしては、やり直し、繰り返し、パラメータのコピーや貼り付け、パラメータのクリア、パラメータ名やパラメータ値の検索、置換などを用意してもよい。

図４の画面において、マークパラメータ編集手段の編集の影響をマークイメージ表示手段上で表示する様子を示す。４２１は編集するために現在選択しているパラメータを示す表示手段、４３１は選択しているパラメータに対応するマークイメージ上でのイメージを示す表示手段である。

ステップＳ３０４において、編集するパラメータを選択すると、選択しているパラメータが表示手段４２１により太枠で囲むことで強調表示される。また、選択しているパラメータに対応するマークイメージ１３１上でのイメージが表示手段４３１により太枠で囲むことで強調表示される。このように、現在編集中のパラメータをマークイメージ上で強調表示させることで、パラメータ編集部分の視認性を高めることができ、人為的ミスの発生の抑制および操作性の向上などに寄与することができる。なお、上述の相違点の強調表示の方法としては、上述の太枠で囲む方法だけでなく、数値等を表示色やフォントを異ならせて表示させるようにしてもよい。また、パラメータとマークイメージとの対応を表すものとして、表示手段４２１と表示手段４３１を線で結んだり、表示色を揃えたりしてもよい。

図５の画面は、マークイメージ１３１上で直接イメージを操作し、パラメータを編集する様子を示す。図５（１）は、マークデザイン設定エディタの全体を示す図、図５（２）は、パラメータ編集前のマークイメージ１３１の編集部分５０３を拡大した図、図５（３）は、パラメータ編集後のマークイメージ１３１の編集部分５０３を拡大した図である。図５において、５０１はマウスポインタ、５０２はマウスポインタを移動する軌跡、５０３はマークイメージ１３１の編集部分である。また、５２１は操作するイメージに対応するパラメータ、５３１はマークイメージ上での操作可能なイメージ、５３２はパラメータの情報や寸法を表す補助イメージである。

パラメータを編集するときは、
（１）図３のステップＳ３０４において、マークイメージ１３１上で操作可能なイメージ５３１を選択する。すると対応するパラメータ５２１を選択することができる。
（２）次に、ステップＳ３０５において、操作可能なイメージ５３１にマウスポインタ５０１を合わせマウスボタンを押したままにし、マウス装置を破線５０２に沿って移動する。すると、イメージ５３１に対応するパラメータ値が破線５０２の移動距離に応じて編集される。
（３）この後、ステップＳ３０６において、編集後のパラメータ値が制約条件を満たしていれば、５３１のマークイメージ及び／又は５２１及び／又は５３２に表示されるパラメータの値が変更される。

このように、マークイメージ上のイメージを直接操作し、パラメータの編集を行うことで、パラメータ編集操作の認識性を高め、人為的ミスの発生の抑制および操作性の向上などに寄与することができる。なお、前述のパラメータ編集のためのイメージの操作方法としては、単一のパラメータ編集だけでなく、パラメータをグループ化し、１度の操作で複数のパラメータを編集するようにしてもよい。

図６の画面は、パラメータ編集手段及び／又はマークイメージ表示手段により、パラメータの制約条件を画面上で表示する様子を示す。同図において、６２１はパラメータの制約条件を表す文字列、６３１はパラメータの制約条件を表すイメージである。

ステップＳ３０３（図３）において、パラメータグループ切り替えタブ１２１により編集するパラメータグループを切り替える。すると、パラメータ入力領域１２０及び／またはマークイメージ表示部１３０にパラメータの制約条件を表す文字列６２１及び／又はパラメータの制約条件を表すイメージ６３１が表示される。次に、ステップＳ３０５において、パラメータ値入力部１２４を編集、又はマークイメージ１３１上で直接イメージを操作しパラメータを編集しようとする。この場合、ステップＳ３０６において、編集後のパラメータ値が制約条件を満たさなければ、ステップＳ３１１によりエラーを表示した後、ステップＳ３０５へ戻り、編集をやり直すことができる。これにより、パラメータの制約条件を確認しながら編集することができる。また、編集時に制約条件を満たさない値の入力を防ぐことができる。なお、上述の制約条件を表示するタイミングとしては、上述のパラメータグループの選択時Ｓ３０３だけでなく、マークの読み込み時Ｓ３０１やパラメータの選択時Ｓ３０３に表示させるようにしても良い。

図７の画面は、マークの保存、読み込み時にマークイメージをサムネイル表示する様子を示す。この画面はタイトル表示領域７１０とマークパラメータ表示領域７２０とマーク一覧表示領域７３０とツールバー７４０から構成される。７２１はマークパラメータ、７３１はマークイメージ縮小表示、７３２はマーク名、７４１は開くボタン、７４２はキャンセルボタン、７４３は選択マークのマーク名表示部である。

図３のステップＳ３０１において、開くボタン１４３を選ぶと図６の画面が表示される。このとき、図７のマーク一覧表示領域７３０に読み込み可能なマークの情報がマークイメージ縮小表示７２１、マーク名７２２、マークパラメータ７２３で表示される。これにより開きたいマークを選択し、開くボタン７３１を押下することで、マークを開くことができる。また、ステップＳ３０９においても同様の操作で保存先マークの選択を行うことができる。このとき、既存のマークに上書きする際には注意を促すメッセージなどを表示する。これにより、意図しないマークへの上書きなどを防ぐことができる。

なお、本発明のアライメントマークおよびアライメントマーク編集手段は半導体露光装置のファインアライメント工程に限定されたものではなく、プリアライメントの工程でも適応することができる。
また、本発明のアライメントマークおよびアライメントマーク編集手段は半導体露光以外にも、液晶素子やＴＦＴ基板製造にも活用できることは言うまでもない。

［デバイス製造方法の実施例］
次に、図１３および図１４を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図１３は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスク（原版またはレチクルともいう）を製作する。ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ（基板ともいう）を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組立）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。

図１４は、ステップ４のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

本発明の一実施例に係る、マークパラメータ編集手段とパラメータによる決まるマークイメージを表示する手段を同時に表示する初期画面を示す図である。 本発明の一実施例に係る、マークデザインパターンの例を示す図である。 本発明の一実施例に係る、マークデザイン編集を実行した場合の処理を示すフローチャートである。 本発明の一実施例に係る、マークパラメータ編集手段の編集の影響をマークイメージ表示手段上で表示する画面を示す図である。 本発明の一実施例に係る、マークイメージ上で直接イメージを操作し、パラメータを編集している画面を示す図である。 本発明の一実施例に係る、パラメータの制約条件を画面上で表示する画面を示す図である。 本発明の一実施例に係る、マークの保存、読み込み時にマークイメージをサムネイル表示している画面を示す図である。 本発明の一実施例に係る半導体露光装置の外観を示す斜視図である。 図８の装置の内部構造を示す図である。 図８の装置の電気回路構成を示すブロック図である。 図８の装置におけるアライメント処理手順を説明するフローチャートである。 一般的なウエハにおけるアライメントマークを示す図である。 露光装置を使用したデバイスの製造を説明するためのフローチャートである。 図１３に示すフローチャートにおけるウエハプロセスの詳細なフローチャートである。

符号の説明

１１０：ウィンドウタイトル表示領域、１２０：パラメータ入力領域、１２１：パラメータグループ切り替えタブ、１２２：パラメータグループ表示部、１２３：パラメータ名表示部、１２４：パラメータ値入力部、１３０：マークイメージ表示部、１３１：マークイメージ、１４０：ツールバー、１４１：保存ボタン、１４２：編集のやり直しボタン、１４３：開くボタン、１４４：終了ボタン、４２１：選択しているパラメータを示す表示手段、４３１：選択しているパラメータに対応するマークイメージ上でのイメージを示す表示手段、５０１：マウスポインタ、５０２：マウスポインタを移動する軌跡、５３１：マークイメージ上での操作可能なイメージ、５３２：パラメータの情報や寸法を表す補助イメージ、６２１：パラメータの制約条件を表す文字列、６３１：パラメータの制約条件を表すイメージ、７１０：タイトル表示領域、７２０：マークパラメータ表示領域、７２１：マークパラメータ、７３０：マーク一覧表示領域、７３１：マークイメージ縮小表示、７３２：マーク名、７４１：開くボタン、７４２：キャンセルボタン、７４３：選択マークのマーク名表示部。

Claims (8)

1. 基板上に形成され且つ位置検出装置によって検出されるマークを設計するマーク設計装置であって、
   前記マークの構成を決定するパラメータを編集する編集手段と、
   前記パラメータにより決定されるマークのイメージを形成するイメージ形成手段と、
   前記パラメータを編集するための要素と前記形成されたマークのイメージとを１つの画面でＧＵＩ表示する表示手段と、
   を有することを特徴とするマーク設計装置。
2. 前記編集手段により編集されたパラメータが前記マークのイメージに与える影響を前記表示手段に強調して表示することを特徴とする請求項１に記載のマーク設計装置。
3. 前記編集手段は、前記表示手段におけるマークのイメージ上で直接イメージを操作することにより対応するパラメータを編集する手段を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のマーク設計装置。
4. 前記編集手段は、前記パラメータの制約条件を前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のマーク設計装置。
5. 前記編集手段は、前記マークのインポート時にそのマークのイメージを前記表示手段にサムネイル表示させることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のマーク設計装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれかのマーク設計装置を有し、該設計装置により設定したマークが形成された基板上の当該マークを検出する検出光学系を備えたことを特徴とする位置検出装置。
7. 請求項６に記載の位置検出装置を備え、該位置検出装置による位置検出の結果に基づいて、原版に対して基板を位置合わせし、該原版に形成されたパターンを基板に形成されたパターン上に重ね合わせて露光することを特徴とする露光装置。
8. 請求項６に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、該露光した基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。

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