JPH1078590A - カラー液晶表示装置および画素配列方法 - Google Patents
カラー液晶表示装置および画素配列方法Info
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- JPH1078590A JPH1078590A JP8235613A JP23561396A JPH1078590A JP H1078590 A JPH1078590 A JP H1078590A JP 8235613 A JP8235613 A JP 8235613A JP 23561396 A JP23561396 A JP 23561396A JP H1078590 A JPH1078590 A JP H1078590A
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- crystal display
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来、アクティブマトリックス型ＬＣＤのカ
ラーフィルタにおける一つ一つの画素形状は一般に矩形
状であり、かかる矩形状の画素を斜め方向に配列したモ
ザイク配列のカラーフィルタにおいては、同一色の画素
が並んでいる方向に沿って縞模様が見えてしまうという
不具合があった。 【解決手段】 カラーフィルタの画素形状（Ｐ）を、同
一色画素が整列する方向の画素の対角線上の角部を切り
欠いた形状となすことにより、斜め方向に隣接する画素
のうち同一色の画素間距離の方が異色の画素間距離より
も大きくなるように設定し、これによって画面上に斜め
方向の縞模様が現れにくくした。
ラーフィルタにおける一つ一つの画素形状は一般に矩形
状であり、かかる矩形状の画素を斜め方向に配列したモ
ザイク配列のカラーフィルタにおいては、同一色の画素
が並んでいる方向に沿って縞模様が見えてしまうという
不具合があった。 【解決手段】 カラーフィルタの画素形状（Ｐ）を、同
一色画素が整列する方向の画素の対角線上の角部を切り
欠いた形状となすことにより、斜め方向に隣接する画素
のうち同一色の画素間距離の方が異色の画素間距離より
も大きくなるように設定し、これによって画面上に斜め
方向の縞模様が現れにくくした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カラー液晶表示装
置さらにはアクティブマトリックス型ＬＣＤ（液晶表示
装置）のカラーフィルタの画素形状およびその配列方法
に関し、特に斜めモザイク配列のカラーフィルタを有す
る液晶表示装置に利用して好適な技術に関する。
置さらにはアクティブマトリックス型ＬＣＤ（液晶表示
装置）のカラーフィルタの画素形状およびその配列方法
に関し、特に斜めモザイク配列のカラーフィルタを有す
る液晶表示装置に利用して好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶テレビ等に使用されるカラー液晶表
示装置として、格子状に配置された走査線と信号線の各
交点に、画素電極とこれに電圧を印加するスイッチ素子
としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）とを形成したアク
ティブマトリックス型ＬＣＤが用いられている。アクテ
ィブマトリックス型ＬＣＤにおけるカラーフィルタの画
素配列としては同一色の画素を縦方向もしくは横方向に
配列したストライプ形や同一色の画素を斜め方向に配列
したモザイク形等がある。
示装置として、格子状に配置された走査線と信号線の各
交点に、画素電極とこれに電圧を印加するスイッチ素子
としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）とを形成したアク
ティブマトリックス型ＬＣＤが用いられている。アクテ
ィブマトリックス型ＬＣＤにおけるカラーフィルタの画
素配列としては同一色の画素を縦方向もしくは横方向に
配列したストライプ形や同一色の画素を斜め方向に配列
したモザイク形等がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、アクティブマト
リックス型ＬＣＤのカラーフィルタにおける一つ一つの
画素形状は一般に矩形状であり、かかる矩形状の画素を
斜め方向に配列したモザイク配列のカラーフィルタにお
いては、同一色の画素が並んでいる方向に沿って縞模様
が見えてしまうという不具合があった。
リックス型ＬＣＤのカラーフィルタにおける一つ一つの
画素形状は一般に矩形状であり、かかる矩形状の画素を
斜め方向に配列したモザイク配列のカラーフィルタにお
いては、同一色の画素が並んでいる方向に沿って縞模様
が見えてしまうという不具合があった。
【０００４】この発明の目的は、同一色が斜めに配列さ
れた斜めモザイク配列のカラーフィルタを使用したカラ
ー液晶表示装置における画質の低下を防止する技術を提
供することにある。
れた斜めモザイク配列のカラーフィルタを使用したカラ
ー液晶表示装置における画質の低下を防止する技術を提
供することにある。
【０００５】この発明の他の目的は、アクティブマトリ
ックス型ＬＣＤにおける開口率を高めることができる技
術を提供することにある。
ックス型ＬＣＤにおける開口率を高めることができる技
術を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記目的を
達成するため、カラーフィルタの画素形状を、同一色画
素が整列する方向の画素の対角線上の角部を切り欠いた
形状となすことにより、斜め方向に隣接する画素のうち
同一色の画素間距離の方が異色の画素間距離よりも大き
くなるように設定したものである。これによって、画面
上に斜め方向の縞模様が現れにくくすることができる。
達成するため、カラーフィルタの画素形状を、同一色画
素が整列する方向の画素の対角線上の角部を切り欠いた
形状となすことにより、斜め方向に隣接する画素のうち
同一色の画素間距離の方が異色の画素間距離よりも大き
くなるように設定したものである。これによって、画面
上に斜め方向の縞模様が現れにくくすることができる。
【０００７】上記の場合、カラーフィルタの各画素に設
けられる切り欠きの大きさは、列を異にする同一色で列
を異にする画素のうち最も近い画素との距離をＬ、同一
列上の隣接する画素間距離をｌとしたときに、Ｌ／３＜
ｌとなるように決定すると良い。
けられる切り欠きの大きさは、列を異にする同一色で列
を異にする画素のうち最も近い画素との距離をＬ、同一
列上の隣接する画素間距離をｌとしたときに、Ｌ／３＜
ｌとなるように決定すると良い。
【０００８】また、カラーフィルタの画素の切り欠きを
設けた角部に対応する位置に画素電極に電圧を印加する
ＴＦＴ等のスイッチング素子や保持容量を構成する電極
を配置するようにする。あるいはカラーフィルタの切り
欠きを設けた角部に対応する位置に、画素電極に電圧を
印加するスイッチング素子と上記画素電極とのコンタク
トホールまたは上記スイッチング素子と上記画素電極に
印加される電圧を供給する配線層とのコンタクトホール
を配置するようにしても良い。これによって、実質的な
開口面積を低減することなく、切り欠き部を設けること
ができる。また画素電極の形状とカラーフィルタの画素
の形状とを近似させることができ、全体としての開口率
を高めることができる。
設けた角部に対応する位置に画素電極に電圧を印加する
ＴＦＴ等のスイッチング素子や保持容量を構成する電極
を配置するようにする。あるいはカラーフィルタの切り
欠きを設けた角部に対応する位置に、画素電極に電圧を
印加するスイッチング素子と上記画素電極とのコンタク
トホールまたは上記スイッチング素子と上記画素電極に
印加される電圧を供給する配線層とのコンタクトホール
を配置するようにしても良い。これによって、実質的な
開口面積を低減することなく、切り欠き部を設けること
ができる。また画素電極の形状とカラーフィルタの画素
の形状とを近似させることができ、全体としての開口率
を高めることができる。
【０００９】なお、上記の場合、カラーフィルタの画素
の切り欠きを設けた角部に対応する位置に設けられるＴ
ＦＴや保持容量を構成する電極、コンタクトホールは、
当該画素に対応する画素電極のためのＴＦＴや保持容量
電極、コンタクトホールに限定されず、当該画素に隣接
する画素電極用のＴＦＴ等であってもよい。
の切り欠きを設けた角部に対応する位置に設けられるＴ
ＦＴや保持容量を構成する電極、コンタクトホールは、
当該画素に対応する画素電極のためのＴＦＴや保持容量
電極、コンタクトホールに限定されず、当該画素に隣接
する画素電極用のＴＦＴ等であってもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例を図
面に基づいて説明する。
面に基づいて説明する。
【００１１】図１は、本発明を適用した液晶表示装置の
カラーフィルタの画素形状および画素配列を示す。図１
において、ピッチの広いハッチングが付されたパターン
Ｐ１同士、ピッチの狭いハッチングが付されたパターン
Ｐ２同士、およびハッチングが付されていないパターン
Ｐ３同士がそれぞれ同一色の画素であり、各パターンに
対応して赤、青、緑のいずれかのフィルタ層が形成され
る。
カラーフィルタの画素形状および画素配列を示す。図１
において、ピッチの広いハッチングが付されたパターン
Ｐ１同士、ピッチの狭いハッチングが付されたパターン
Ｐ２同士、およびハッチングが付されていないパターン
Ｐ３同士がそれぞれ同一色の画素であり、各パターンに
対応して赤、青、緑のいずれかのフィルタ層が形成され
る。
【００１２】同図に示されているように、この実施例に
おいては、カラーフィルタの画素形状を、同一色画素が
整列する方向の画素の対角線上の角部を切り欠いた形状
とされている。これによって、斜め方向に隣接する画素
のうち同一色の画素間距離の方が異色の画素間距離より
も大きくなり、その結果、画素が矩形状である場合に比
べて、画面上に斜め方向の縞模様が現れにくくすること
ができる。
おいては、カラーフィルタの画素形状を、同一色画素が
整列する方向の画素の対角線上の角部を切り欠いた形状
とされている。これによって、斜め方向に隣接する画素
のうち同一色の画素間距離の方が異色の画素間距離より
も大きくなり、その結果、画素が矩形状である場合に比
べて、画面上に斜め方向の縞模様が現れにくくすること
ができる。
【００１３】上記画素に設けられる切り欠きの大きさ
は、例えば同図に示すように、列を異にする同一色で列
を異にする画素のうち最も近い画素との距離をＬ、同一
列上の隣接する画素間距離をｌとしたときに、Ｌ／３＜
ｌとなるように決定する。あるいは、画素のピッチを
Ｌ’、切り欠いた方向の対角間距離をｌ’としたとき
に、Ｌ’＞ｌ’となるように決定すると望ましい結果が
得られる。
は、例えば同図に示すように、列を異にする同一色で列
を異にする画素のうち最も近い画素との距離をＬ、同一
列上の隣接する画素間距離をｌとしたときに、Ｌ／３＜
ｌとなるように決定する。あるいは、画素のピッチを
Ｌ’、切り欠いた方向の対角間距離をｌ’としたとき
に、Ｌ’＞ｌ’となるように決定すると望ましい結果が
得られる。
【００１４】また、切り欠き線の形状は、図１に示され
ているように、単に斜め方向にカットするものに限定さ
れず、図２（ａ），（ｂ）に示すように、中心に向かっ
て凹状あるいは凸状をなす円弧、図２（ｃ）に示すよう
な楔状等であっても良い。さらに、図２（ｄ）に示すよ
うに切り欠きを異なる大きさにしたり、図２（ａ）〜
（ｄ）に示されている異なる形状を組み合わせた切り欠
きを設けるようにすることも可能である。
ているように、単に斜め方向にカットするものに限定さ
れず、図２（ａ），（ｂ）に示すように、中心に向かっ
て凹状あるいは凸状をなす円弧、図２（ｃ）に示すよう
な楔状等であっても良い。さらに、図２（ｄ）に示すよ
うに切り欠きを異なる大きさにしたり、図２（ａ）〜
（ｄ）に示されている異なる形状を組み合わせた切り欠
きを設けるようにすることも可能である。
【００１５】なお、従来においてもカラーフィルタの画
素の形状を矩形状でなく角部を切り欠いた形状にした発
明が提案されているが、従来の技術はエッチング等プロ
セスによる形状のばらつき等を防止したりするためのも
のであり、すべての角部を切り欠くなど、同一色画素が
整列する方向の画素の対角線上の角部を切り欠いた形状
ではない。また、従来の液晶表示装置における切り欠き
はその大きさも比較的小さく、上記のような条件につい
ても規定されていない。
素の形状を矩形状でなく角部を切り欠いた形状にした発
明が提案されているが、従来の技術はエッチング等プロ
セスによる形状のばらつき等を防止したりするためのも
のであり、すべての角部を切り欠くなど、同一色画素が
整列する方向の画素の対角線上の角部を切り欠いた形状
ではない。また、従来の液晶表示装置における切り欠き
はその大きさも比較的小さく、上記のような条件につい
ても規定されていない。
【００１６】図３には、上記実施例のカラーフィルタを
用いる場合の対向する基板側の画素の構成例が示されて
いる。図において、ＧＬは各画素ごとに設けられたＴＦ
Ｔのうち同一行のＴＦＴのゲート電極が結合もしくは一
体に形成されるゲート線（走査線）、ＳＬは各画素ごと
に設けられたＴＦＴのうち同一列のＴＦＴのソース（も
しくはドレイン）が接続されるソース線（信号線）であ
る。この実施例では、各画素の上記カラーフィルタ画素
パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３の切り欠き部に対向する部位
Ａ，ＢのうちＡにはＴＦＴを、またＢには保持容量の電
極を設けるようにしている。これによって、画素電極の
形状とカラーフィルタの画素の形状とを近似させること
ができ、全体としての開口率を高めることができる。
用いる場合の対向する基板側の画素の構成例が示されて
いる。図において、ＧＬは各画素ごとに設けられたＴＦ
Ｔのうち同一行のＴＦＴのゲート電極が結合もしくは一
体に形成されるゲート線（走査線）、ＳＬは各画素ごと
に設けられたＴＦＴのうち同一列のＴＦＴのソース（も
しくはドレイン）が接続されるソース線（信号線）であ
る。この実施例では、各画素の上記カラーフィルタ画素
パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３の切り欠き部に対向する部位
Ａ，ＢのうちＡにはＴＦＴを、またＢには保持容量の電
極を設けるようにしている。これによって、画素電極の
形状とカラーフィルタの画素の形状とを近似させること
ができ、全体としての開口率を高めることができる。
【００１７】なお、上記の場合、カラーフィルタの画素
の切り欠きを設けた角部に対応する位置に設けられるＴ
ＦＴや保持容量を構成する電極は、当該画素に対応する
画素電極のためのＴＦＴや保持容量電極に限定されず、
当該画素に隣接する画素電極のためのＴＦＴや保持容量
電極であってもよい。例えば符号Ａが付された部位に形
成されるＴＦＴは、符号Ｃが付された画素を駆動するＴ
ＦＴとしたり、符号Ｂが付された部位に形成される保持
容量電極は符号Ｄが付された画素を駆動するＴＦＴに接
続される保持容量の電極とするような変形も可能であ
る。
の切り欠きを設けた角部に対応する位置に設けられるＴ
ＦＴや保持容量を構成する電極は、当該画素に対応する
画素電極のためのＴＦＴや保持容量電極に限定されず、
当該画素に隣接する画素電極のためのＴＦＴや保持容量
電極であってもよい。例えば符号Ａが付された部位に形
成されるＴＦＴは、符号Ｃが付された画素を駆動するＴ
ＦＴとしたり、符号Ｂが付された部位に形成される保持
容量電極は符号Ｄが付された画素を駆動するＴＦＴに接
続される保持容量の電極とするような変形も可能であ
る。
【００１８】図４は、図３の実施例のより具体的なレイ
アウト構成例を示す。図４（ａ）は画素の平面図を示
し、図４（ｂ）はＩ−Ｉ’の断面図を示す。図４におい
て、１はＴＦＴの能動層を構成する１層目のポリシリコ
ン層、２はＩＴＯからなる画素電極と上記ポリシリコン
層１のＴＦＴドレイン領域とを接続するためのコンタク
トホール、３は例えばアルミニウム層からなるソース線
ＳＬと上記ポリシリコン層１のＴＦＴソース領域とを接
続するためのコンタクトホール、４は上記ポリシリコン
層１と交差するように２層目のポリシリコン層からなる
ゲート線ＧＬから延設されたゲート電極で、ハッチング
Ｈが付されている箇所がＴＦＴのチャネル部分である。
また、Ｐは対向基板側に形成されるカラーフィルタの画
素フィルタ層のパターンである。このような液晶表示装
置は、図４（ｂ）に沿って製造工程を説明すると、ま
ず、基板１０上に能動層となるポリシリコン等のシリコ
ン薄膜１を形成した後にパターニングする。シリコン薄
膜１の上にゲート絶縁膜９を熱酸化やＣＶＤ法により形
成する。次にゲート電極及び走査線ＧＬを形成してパタ
ーニングし、ゲート電極をマスクにしてイオン打ち込み
することにより、シリコン薄膜１にソース・ドレイン領
域を形成する。次にゲート電極及び走査線上に第１層間
絶縁膜１１を形成する。層間絶縁膜１１にコンタクトホ
ール３を形成して、ソース線ＳＬを形成することによ
り、シリコン薄膜１とソース線ＳＬが接続される。次
に、第１層間絶縁膜１１上に第２層間絶縁膜１２を形成
する。第２層間絶縁膜１２にコンタクトホール２を形成
した後、画素電極８を形成することにより、シリコン薄
膜１と画素電極とが接続される。
アウト構成例を示す。図４（ａ）は画素の平面図を示
し、図４（ｂ）はＩ−Ｉ’の断面図を示す。図４におい
て、１はＴＦＴの能動層を構成する１層目のポリシリコ
ン層、２はＩＴＯからなる画素電極と上記ポリシリコン
層１のＴＦＴドレイン領域とを接続するためのコンタク
トホール、３は例えばアルミニウム層からなるソース線
ＳＬと上記ポリシリコン層１のＴＦＴソース領域とを接
続するためのコンタクトホール、４は上記ポリシリコン
層１と交差するように２層目のポリシリコン層からなる
ゲート線ＧＬから延設されたゲート電極で、ハッチング
Ｈが付されている箇所がＴＦＴのチャネル部分である。
また、Ｐは対向基板側に形成されるカラーフィルタの画
素フィルタ層のパターンである。このような液晶表示装
置は、図４（ｂ）に沿って製造工程を説明すると、ま
ず、基板１０上に能動層となるポリシリコン等のシリコ
ン薄膜１を形成した後にパターニングする。シリコン薄
膜１の上にゲート絶縁膜９を熱酸化やＣＶＤ法により形
成する。次にゲート電極及び走査線ＧＬを形成してパタ
ーニングし、ゲート電極をマスクにしてイオン打ち込み
することにより、シリコン薄膜１にソース・ドレイン領
域を形成する。次にゲート電極及び走査線上に第１層間
絶縁膜１１を形成する。層間絶縁膜１１にコンタクトホ
ール３を形成して、ソース線ＳＬを形成することによ
り、シリコン薄膜１とソース線ＳＬが接続される。次
に、第１層間絶縁膜１１上に第２層間絶縁膜１２を形成
する。第２層間絶縁膜１２にコンタクトホール２を形成
した後、画素電極８を形成することにより、シリコン薄
膜１と画素電極とが接続される。
【００１９】なお、特に限定されないが、この実施例で
は、トランジスタ（ＴＦＴ）のドレインに接続される容
量を増加させるため、能動層を構成する上記１層目のポ
リシリコン層１を、１ａのようにソース線ＳＬに沿って
上方へ延設するとともに、隣接する画素（図では左側）
の角部（図では各画素の右上隅）に突出するように形成
している。一方、前段（図では上段の画素のゲート線Ｇ
Ｌ）の一部を同じくソース線ＳＬに沿って符号５で示す
ように下方へ延設するとともに、上記１層目のポリシリ
コン延設部１ａに対応して隣接する画素の角部に突出す
るように形成されている。
は、トランジスタ（ＴＦＴ）のドレインに接続される容
量を増加させるため、能動層を構成する上記１層目のポ
リシリコン層１を、１ａのようにソース線ＳＬに沿って
上方へ延設するとともに、隣接する画素（図では左側）
の角部（図では各画素の右上隅）に突出するように形成
している。一方、前段（図では上段の画素のゲート線Ｇ
Ｌ）の一部を同じくソース線ＳＬに沿って符号５で示す
ように下方へ延設するとともに、上記１層目のポリシリ
コン延設部１ａに対応して隣接する画素の角部に突出す
るように形成されている。
【００２０】これによって、ソース線ＳＬの下方に形成
された１層目と２層目のポリシリコン層間の容量（ゲー
ト絶縁膜を誘電体とする）が、保持容量として各画素電
極に電圧を印加するＴＦＴのドレイン（ソースと呼ばれ
ることもある）に接続されることとなる。しかも、ポリ
シリコン層１の一部を隣接する画素の角部にまで延設し
ているため、その分さらにＴＦＴに接続される保持容量
を大きくすることができる。
された１層目と２層目のポリシリコン層間の容量（ゲー
ト絶縁膜を誘電体とする）が、保持容量として各画素電
極に電圧を印加するＴＦＴのドレイン（ソースと呼ばれ
ることもある）に接続されることとなる。しかも、ポリ
シリコン層１の一部を隣接する画素の角部にまで延設し
ているため、その分さらにＴＦＴに接続される保持容量
を大きくすることができる。
【００２１】図５は、図３のレイアウトの他の実施例を
示す。図５（ａ）は画素の平面図を示し、図５（ｂ）は
II→II’の断面図を示す。図５において、図４と同一符
号が付された部分は同一部材を示す。すなわち、１はＴ
ＦＴの能動層を構成する１層目のポリシリコン層、２は
画素電極と上記ポリシリコン層１のＴＦＴドレイン領域
とを接続するためのコンタクトホール、３はアルミニウ
ム層からなるソース線ＳＬと上記ポリシリコン層１のＴ
ＦＴソース領域とを接続するためのコンタクトホールで
ある。また、この実施例も図４と同様な方法により形成
される。
示す。図５（ａ）は画素の平面図を示し、図５（ｂ）は
II→II’の断面図を示す。図５において、図４と同一符
号が付された部分は同一部材を示す。すなわち、１はＴ
ＦＴの能動層を構成する１層目のポリシリコン層、２は
画素電極と上記ポリシリコン層１のＴＦＴドレイン領域
とを接続するためのコンタクトホール、３はアルミニウ
ム層からなるソース線ＳＬと上記ポリシリコン層１のＴ
ＦＴソース領域とを接続するためのコンタクトホールで
ある。また、この実施例も図４と同様な方法により形成
される。
【００２２】この実施例では、上記ポリシリコン層１が
２層目のポリシリコン層からなるゲート線ＧＬと交差す
るように形成されており、この交差部分ＣがＴＦＴのチ
ャネル部分とされている。また、ソース線ＳＬの一部か
ら斜め方向に隣接する画素領域（図では左下）の角部に
突出するように延設部６が形成され、これと同様にポリ
シリコン層１にもＴＦＴのソース領域となる延設部７が
形成され、そこに上記ソース線ＳＬとソース領域とを接
続するためのコンタクトホール３が形成されている。つ
まり、この実施例では、コンタクトホール２と３が、斜
め方向に隣接する画素領域角部に、ＴＦＴのチャネル部
Ｈを挟んで対称的に位置するように構成されている。本
実施例において、ソース線ＳＬとして遮光性を有するア
ルミニウム等の膜により形成してもよい。その場合、図
５（ａ）に示されるように、ソース線ＳＬがゲート電極
を完全にオーバーラップする構成であるため、このソー
ス線が入射光に対する遮光膜となって、ＴＦＴのチャネ
ル領域を透過する光の量を抑えることができ、リーク電
流を減少させることができる。遮光膜となるソース線Ｓ
Ｌの材料としては、アルミニウムの他に、アルミニウム
合金、クロム、クロム合金等光が透過しにくい導電性材
料であればどのような材料であってもよい。また、本実
施例におけるＴＦＴの構成は、ソース・ドレイン領域に
低濃度領域を有するＬＤＤ構造であっても、オフセット
構造であってもよい。本実施例のＴＦＴがＬＤＤ構造、
あるいはオフセット構造で形成されている場合、ＬＤＤ
構造の低濃度領域やオフセット領域も光を透過しにくい
導電性材料からなるソース線により、完全に覆うことが
できる構成となるため、リーク電流の低減に一層効果的
な構成となる。
２層目のポリシリコン層からなるゲート線ＧＬと交差す
るように形成されており、この交差部分ＣがＴＦＴのチ
ャネル部分とされている。また、ソース線ＳＬの一部か
ら斜め方向に隣接する画素領域（図では左下）の角部に
突出するように延設部６が形成され、これと同様にポリ
シリコン層１にもＴＦＴのソース領域となる延設部７が
形成され、そこに上記ソース線ＳＬとソース領域とを接
続するためのコンタクトホール３が形成されている。つ
まり、この実施例では、コンタクトホール２と３が、斜
め方向に隣接する画素領域角部に、ＴＦＴのチャネル部
Ｈを挟んで対称的に位置するように構成されている。本
実施例において、ソース線ＳＬとして遮光性を有するア
ルミニウム等の膜により形成してもよい。その場合、図
５（ａ）に示されるように、ソース線ＳＬがゲート電極
を完全にオーバーラップする構成であるため、このソー
ス線が入射光に対する遮光膜となって、ＴＦＴのチャネ
ル領域を透過する光の量を抑えることができ、リーク電
流を減少させることができる。遮光膜となるソース線Ｓ
Ｌの材料としては、アルミニウムの他に、アルミニウム
合金、クロム、クロム合金等光が透過しにくい導電性材
料であればどのような材料であってもよい。また、本実
施例におけるＴＦＴの構成は、ソース・ドレイン領域に
低濃度領域を有するＬＤＤ構造であっても、オフセット
構造であってもよい。本実施例のＴＦＴがＬＤＤ構造、
あるいはオフセット構造で形成されている場合、ＬＤＤ
構造の低濃度領域やオフセット領域も光を透過しにくい
導電性材料からなるソース線により、完全に覆うことが
できる構成となるため、リーク電流の低減に一層効果的
な構成となる。
【００２３】なお、図５には、ＩＴＯからなる画素電極
を一点鎖線８で示してある。符号Ｐは図４の実施例と同
様、対向基板側に形成されるカラーフィルタの画素フィ
ルタ層のパターンである。同図より明らかなように、本
実施例では、画素電極８と画素フィルタ層Ｐとはほぼ同
一形状であり、画素開口面積を損なうことなく、各画素
フィルタ層の対角線上の角部を切り欠いた形状を得るこ
とができる。従って、この対角線上に沿って斜め方向に
同一色の画素フィルタ層を配列することにより斜め方向
の縞模様をなくすことができる。画素の構成は、図４や
図５に示されているものに限定されず、容量線を設ける
ようにしたもの、その他任意の構成の画素からなる液晶
表示装置に適用することができる。また、切り欠きが形
成された角部に設ける構造はＴＦＴのコンタクトホール
や保持容量の電極に限定されるものでない。さらに、上
記実施例では、斜めモザイク配列のカラーフィルタに適
用した場合について説明したが、この発明は、トライア
ングル配列のカラーフィルタに適用することも可能であ
る。その場合、切り欠きの大きさは上記実施例よりも小
さくすることが可能である。
を一点鎖線８で示してある。符号Ｐは図４の実施例と同
様、対向基板側に形成されるカラーフィルタの画素フィ
ルタ層のパターンである。同図より明らかなように、本
実施例では、画素電極８と画素フィルタ層Ｐとはほぼ同
一形状であり、画素開口面積を損なうことなく、各画素
フィルタ層の対角線上の角部を切り欠いた形状を得るこ
とができる。従って、この対角線上に沿って斜め方向に
同一色の画素フィルタ層を配列することにより斜め方向
の縞模様をなくすことができる。画素の構成は、図４や
図５に示されているものに限定されず、容量線を設ける
ようにしたもの、その他任意の構成の画素からなる液晶
表示装置に適用することができる。また、切り欠きが形
成された角部に設ける構造はＴＦＴのコンタクトホール
や保持容量の電極に限定されるものでない。さらに、上
記実施例では、斜めモザイク配列のカラーフィルタに適
用した場合について説明したが、この発明は、トライア
ングル配列のカラーフィルタに適用することも可能であ
る。その場合、切り欠きの大きさは上記実施例よりも小
さくすることが可能である。
【００２４】カラー液晶表示装置は、図４や図５の実施
例のようにＴＦＴとそれに接続された走査線、信号線、
画素電極が形成されたガラス基板の表面側に、ＬＣコモ
ン電位が印加される透明導電膜（ＩＴＯ）からなる対向
電極および図１の実施例のように配列されたカラーフィ
ルタ層を有するガラス基板が適当な間隔をおいて配置さ
れ、周囲をシール材で封止された間隙内にＴＮ（Twiste
d Nematic）型液晶またはＳＨ（Super Homeotropic）型
液晶などが充填されて構成される。
例のようにＴＦＴとそれに接続された走査線、信号線、
画素電極が形成されたガラス基板の表面側に、ＬＣコモ
ン電位が印加される透明導電膜（ＩＴＯ）からなる対向
電極および図１の実施例のように配列されたカラーフィ
ルタ層を有するガラス基板が適当な間隔をおいて配置さ
れ、周囲をシール材で封止された間隙内にＴＮ（Twiste
d Nematic）型液晶またはＳＨ（Super Homeotropic）型
液晶などが充填されて構成される。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は、カラ
ーフィルタの画素形状を、同一色画素が整列する方向の
画素の対角線上の角部を切り欠いた形状としたので、斜
め方向に隣接する画素のうち同一色の画素間距離の方が
異色の画素間距離よりも大きくなるように設定されるた
め、画面上に斜め方向の縞模様が現れにくくなという効
果がある。
ーフィルタの画素形状を、同一色画素が整列する方向の
画素の対角線上の角部を切り欠いた形状としたので、斜
め方向に隣接する画素のうち同一色の画素間距離の方が
異色の画素間距離よりも大きくなるように設定されるた
め、画面上に斜め方向の縞模様が現れにくくなという効
果がある。
【００２６】また、カラーフィルタの画素の切り欠きを
設けた角部に対応する位置に画素電極に電圧を印加する
ＴＦＴ等のスイッチング素子や保持容量を構成する電極
を配置するようにしたので、実質的な開口面積を低減す
ることなく、切り欠き部を設けることができる。また画
素電極の形状とカラーフィルタの画素の形状とを近似さ
せることができ、全体としての開口率を高めることがで
きるという効果がある。
設けた角部に対応する位置に画素電極に電圧を印加する
ＴＦＴ等のスイッチング素子や保持容量を構成する電極
を配置するようにしたので、実質的な開口面積を低減す
ることなく、切り欠き部を設けることができる。また画
素電極の形状とカラーフィルタの画素の形状とを近似さ
せることができ、全体としての開口率を高めることがで
きるという効果がある。
【００２７】さらに、カラーフィルタの画素の切り欠き
を設けた角部に対応する位置に設けられるＴＦＴや保持
容量を構成する電極、コンタクトホールは、当該画素に
対応する画素電極のためのＴＦＴや保持容量電極、コン
タクトホールに限定されず、当該画素に隣接する画素電
極用のＴＦＴとしたので、レイアウト効率に優れ、集積
度を高めることができるという効果がある。
を設けた角部に対応する位置に設けられるＴＦＴや保持
容量を構成する電極、コンタクトホールは、当該画素に
対応する画素電極のためのＴＦＴや保持容量電極、コン
タクトホールに限定されず、当該画素に隣接する画素電
極用のＴＦＴとしたので、レイアウト効率に優れ、集積
度を高めることができるという効果がある。
【図１】本発明を適用した液晶表示装置のカラーフィル
タの画素形状および画素配列を示す平面図。
タの画素形状および画素配列を示す平面図。
【図２】本発明に係るカラーフィルタの画素形状の他の
例を示すパターン説明図。
例を示すパターン説明図。
【図３】本発明を適用したカラーフィルタを用いる場合
の対向する基板側の画素の概略構成例を示す平面図。
の対向する基板側の画素の概略構成例を示す平面図。
【図４】本発明を適用したカラーフィルタを用いる場合
の対向する基板側の画素の具体的な構成例を示す平面レ
イアウト図及び断面図。
の対向する基板側の画素の具体的な構成例を示す平面レ
イアウト図及び断面図。
【図５】本発明を適用したカラーフィルタを用いる場合
の対向する基板側の画素の他の具体例を示す平面レイア
ウト図及び断面図。
の対向する基板側の画素の他の具体例を示す平面レイア
ウト図及び断面図。
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３ 画素フィルタ層（カラーフィルタの
画素形状） ＳＬ ソース線（信号線） ＧＬ ゲート線（走査線） １ ポリシリコン層 ２，３ コンタクトホール ４ ゲート電極 ８ 画素電極 ９ ゲート絶縁膜 １１ 第１層間絶縁膜 １２ 第２層間絶縁膜
画素形状） ＳＬ ソース線（信号線） ＧＬ ゲート線（走査線） １ ポリシリコン層 ２，３ コンタクトホール ４ ゲート電極 ８ 画素電極 ９ ゲート絶縁膜 １１ 第１層間絶縁膜 １２ 第２層間絶縁膜
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に画素電極がマトリックス状に形
成されるとともに、上記各画素電極に対応して各々ほぼ
矩形状の画素フィルタ層が設けられてなるカラー液晶表
示装置において、 上記各画素フィルタ層の一方の対角線上の角部を切り欠
き、該切り欠き部が存在する対角線の方向に沿って同一
色の画素フィルタ層を配列するようにしたことを特徴と
するカラー液晶表示装置における画素配列方法。 - 【請求項２】 基板上に画素電極がマトリックス状に形
成されるとともに、各画素電極に対応して各々ほぼ矩形
状の画素フィルタ層が、斜め方向に沿って同一色の画素
フィルタ層が並ぶように配列され、前記画素フィルタ層
の同一色の配列方向対角線上の角部に切り欠き部が形成
されてなることを特徴とするカラー液晶表示装置。 - 【請求項３】 上記画素フィルタに設けられた切り欠き
の大きさは、列を異にする同一色で列を異にする画素の
うち最も近い画素との距離をＬ、同一列上の隣接する画
素間距離をｌとしたときに、Ｌ／３＜ｌとなるように設
定されていることを特徴とする請求項２に記載のカラー
液晶表示装置。 - 【請求項４】 上記画素フィルタ層の切り欠きを設けた
角部に対応する位置に、画素電極に電圧を印加するスイ
ッチング素子または保持容量を構成する電極が配置され
ていることを特徴とする請求項２または３に記載のカラ
ー液晶表示装置。 - 【請求項５】 上記画素フィルタ層の切り欠きを設けた
一方の角部に対応する位置に配置されるスイッチング素
子は当該画素の画素電極に電圧を印加するスイッチング
素子であり、切り欠きを設けた他方の角部に対応する位
置に配置される保持容量電極は隣接する画素のスイッチ
ング素子に接続される保持容量を構成する電極であるこ
とを特徴とする請求項４に記載のカラー液晶表示装置。 - 【請求項６】 上記画素フィルタ層の切り欠きを設けた
角部に対応する位置に、画素電極に電圧を印加するスイ
ッチング素子と前記画素電極とのコンタクトホールまた
は上記スイッチング素子と上記画素電極に印加される電
圧を供給する配線層とのコンタクトホールが配置されて
いることを特徴とする請求項２または３に記載のカラー
液晶表示装置。 - 【請求項７】 上記画素フィルタ層の切り欠きを設けた
一方の角部に対応する位置に配置されるコンタクトホー
ルは当該画素の画素電極に電圧を印加するスイッチング
素子と画素電極とのコンタクトホールであり、切り欠き
を設けた他方の角部に対応する位置に配置されるコンタ
クトホールは隣接する画素のスイッチング素子と画素電
極に印加される電圧を供給する配線層とのコンタクトホ
ールであることを特徴とする請求項６に記載のカラー液
晶表示装置。 - 【請求項８】 上記スイッチング素子は薄膜トランジス
タであり、画素電極に印加される電圧を供給する上記配
線層と、上記薄膜トランジスタのゲート電圧を供給する
配線層とは互いに交差する方向に沿って配設され、それ
ぞれの配線層の交差領域に上記薄膜トランジスタのチャ
ネル領域が設けられていることを特徴とする請求項７に
記載のカラー液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23561396A JP3329206B2 (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | カラー液晶表示装置および画素配列方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23561396A JP3329206B2 (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | カラー液晶表示装置および画素配列方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1078590A true JPH1078590A (ja) | 1998-03-24 |
| JP3329206B2 JP3329206B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=16988608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23561396A Expired - Fee Related JP3329206B2 (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | カラー液晶表示装置および画素配列方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3329206B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518709B2 (en) | 2000-10-16 | 2003-02-11 | Nec Corporation | Color organic EL display and method for driving the same |
| JP2005352140A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Seiko Epson Corp | カラー画像表示装置および電子機器 |
| JP2011128265A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置 |
| EP2624299A1 (en) * | 2012-02-01 | 2013-08-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Semiconductor device and flat panel display including the same |
| CN104252069A (zh) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | 立景光电股份有限公司 | 有源矩阵结构和液晶显示面板 |
| CN104538424A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-04-22 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 一种oled像素排列结构 |
| JP2015158670A (ja) * | 2011-04-04 | 2015-09-03 | クゥアルコム・メムス・テクノロジーズ・インコーポレイテッドＱＵＡＬＣＯＭＭ ＭＥＭＳ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， Ｉｎｃ． | ピクセルビア（ｐｉｘｅｌｖｉａ）およびそれを形成する方法 |
| CN105572935A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-05-11 | 上海天马微电子有限公司 | 一种触控显示面板和显示装置 |
| WO2018171360A1 (zh) * | 2017-03-24 | 2018-09-27 | 深圳安芯微电子有限公司 | 一种色彩滤镜阵列及图像传感器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7341775B2 (ja) | 2019-07-31 | 2023-09-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
1996
- 1996-09-05 JP JP23561396A patent/JP3329206B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518709B2 (en) | 2000-10-16 | 2003-02-11 | Nec Corporation | Color organic EL display and method for driving the same |
| DE10150836B4 (de) * | 2000-10-16 | 2008-07-31 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Organisches Farb-EL-Display |
| JP2005352140A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Seiko Epson Corp | カラー画像表示装置および電子機器 |
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| JP2011128265A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置 |
| JP2015158670A (ja) * | 2011-04-04 | 2015-09-03 | クゥアルコム・メムス・テクノロジーズ・インコーポレイテッドＱＵＡＬＣＯＭＭ ＭＥＭＳ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ， Ｉｎｃ． | ピクセルビア（ｐｉｘｅｌｖｉａ）およびそれを形成する方法 |
| US9053986B2 (en) | 2012-02-01 | 2015-06-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Semiconductor device and flat panel display including the same |
| EP2624299A1 (en) * | 2012-02-01 | 2013-08-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Semiconductor device and flat panel display including the same |
| CN104252069A (zh) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | 立景光电股份有限公司 | 有源矩阵结构和液晶显示面板 |
| CN104538424A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-04-22 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 一种oled像素排列结构 |
| CN105572935A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-05-11 | 上海天马微电子有限公司 | 一种触控显示面板和显示装置 |
| CN105572935B (zh) * | 2015-12-16 | 2019-01-15 | 上海天马微电子有限公司 | 一种触控显示面板和显示装置 |
| WO2018171360A1 (zh) * | 2017-03-24 | 2018-09-27 | 深圳安芯微电子有限公司 | 一种色彩滤镜阵列及图像传感器 |
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| JP3329206B2 (ja) | 2002-09-30 |
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