JPH10228035A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置及びその製造方法

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JPH10228035A
JPH10228035A JP9311904A JP31190497A JPH10228035A JP H10228035 A JPH10228035 A JP H10228035A JP 9311904 A JP9311904 A JP 9311904A JP 31190497 A JP31190497 A JP 31190497A JP H10228035 A JPH10228035 A JP H10228035A
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liquid crystal
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insulating film
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Mitsuharu Nakazawa
光晴 中澤
Hiroshi Murakami
浩 村上
Hiroshi Yoshioka
浩史 吉岡
Masashi Itokazu
昌史 糸数
Keizo Morita
敬三 森田
Munehiro Haraguchi
宗広 原口
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ショート欠陥や容量のばらつきが防止され、
大光量の光源を用いてもオフ電流特性の低下が防止でき
る液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ドレインバスライン１６と同時に、コン
デンサ電極１６ａを形成する。このコンデンサ電極１６
ａは、コンタクトホール１５ｂを介してＴＦＴ２１a ，
２１ｂの接続点に電気的に接続される。その後、全面に
層間絶縁膜を形成した後、この層間絶縁膜上にＴｉ等の
遮光性金属膜からなるブラックマトリクス１８を形成
し、ＴＦＴ２１ａ，２１ｂのチャネル部及びそれらの相
互接続点並びにコンデンサ電極１６ａ上をこのブラック
マトリクス１８で覆う。コンデンサ電極１６ａとその上
の層間絶縁膜及びブラックマトリクス１８とによりコン
デンサが構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マルチゲートＴＦ
Ｔ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）構造を
有する液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス方式の液晶表示装
置は、非選択時にオフ状態となって信号を遮断するスイ
ッチを各画素に設けることによってクロストークを防止
するものであり、単純マトリクス方式の液晶表示装置に
比べて優れた表示特性を示す。特に、スイッチとしてＴ
ＦＴを使用した液晶表示装置（以下、ＴＦＴ液晶表示装
置という）は、ＴＦＴの駆動能力が高いので、極めて優
れた表示性能が得られる。
【０００３】一般的に、液晶表示装置は２枚の基板の間
に液晶を封入した構造を有している。それらの基板の相
互に対向する２つの面（対向面）のうち、一方の面側に
は対向電極、カラーフィルタ及び配向膜等が形成され、
また他方の面側にはアクティブマトリクス回路、画素電
極及び配向膜等が形成されている。更に、各基板の対向
面と反対側の面には、それぞれ偏光板が貼り付けられて
いる。これらの２枚の偏光板は、例えば偏光板の偏光軸
が互いに直交するように配置され、これによれば、電界
をかけない状態では光を透過し、電界を印加した状態で
は遮光するモード、すなわちノーマリーホワイトモード
となる。その反対に、２枚の偏光板の偏光軸が平行な場
合には、ノーマリーブラックモードとなる。以下、ＴＦ
Ｔが形成されているほうの基板をＴＦＴ基板、対向電極
が形成されているほうの基板を対向基板という。
【０００４】図３２は従来の液晶表示装置を示す模式図
である。この図３２に示すように、液晶表示装置の一方
の基板には、複数本のゲートバスライン５４及び複数本
のドレインバスライン５６が相互に直角に交差するよう
にして形成されている。これらのゲートバスライン５４
及びドレインバスライン５６により区画された複数の矩
形状の領域には、それぞれＴＦＴ５１と画素電極５０と
が配置されている。ＴＦＴ５１のゲートはゲートバスラ
イン５４に接続され、ドレインはドレインバスライン５
６に接続され、ソースは画素電極５０に接続されてい
る。
【０００５】図３３は、ゲートバスライン５４及びドレ
インバスライン５６に印加される電圧波形を示す図であ
る。ゲートバスライン５４には画素をリフレッシュする
タイミングでオン−オフするような信号が供給される。
例えばパーソナルコンピュータのＶＧＡ（Video Graphi
cs array）表示（６４０×４８０ドット表示）の場合、
ある１つの画素に注目すると、その画素のＴＦＴ５１
は、約１６ｍ秒間のオフ状態と、３０μ秒間のオン状態
とを交互に繰り返すタイミングでオン−オフする。
【０００６】ＴＦＴ５１がオン状態の間に、ドレインバ
スライン５６に印加される電圧により画素電極５０に電
荷が蓄積され、この画素電極５０から発生する電界によ
り液晶分子の傾きが変化して画素を透過する光量が変化
し、画像を表示することができる。ここで、ＴＦＴ５１
のオン−オフは電流−電圧特性（Ｉ−Ｖ特性）により決
定される。
【０００７】図３４は、横軸にゲート電圧Ｖg をとり、
縦軸にドレイン−ソース間電流量Ｉd をとって、液晶表
示装置のＴＦＴのＩ−Ｖ特性の一例を示す図である。図
中符号ａの領域はＴＦＴがオン状態であり、符号ｂの領
域ではオフ状態となる。この図３４に示すように、ＴＦ
Ｔがオフ状態であっても、ＴＦＴには数ｐＡ〜数十ｐＡ
の電流（オフ電流）が流れ、画素電極に蓄積された電荷
がリークして、画素電極の電圧が低下する。この電圧低
下量ΔＶは、ＴＦＴのオフ電流をＩoff 、ＴＦＴがオフ
の時間（上述の例では１６ｍ秒間）をΔＴ、画素電極と
対向電極との間の容量成分の容量値をＣとすると、下記
（１）式に示す関係がある。
【０００８】ΔＶ＝Ｉoff ・ΔＴ／Ｃ …（１） 電圧低下量ΔＶが大きいと、画面の上下方向に表示むら
やクロストークが発生し、表示品質が低下する。このた
め、ΔＶを小さくする方法が種々提案されている。例え
ば、図３５に示すように、画素電極と対向電極とにより
構成される容量成分Ｃ11に並列にコンデンサＣ12を接続
する付加容量方式又は蓄積容量方式といわれる液晶表示
装置が提案されている。この場合は、コンデンサＣ12の
容量を大きくしなければ電荷のリークを低減する効果が
得られない。コンデンサＣ12の容量を大きくすると、必
然的に開口率が低減してしまう。特に、画素ピッチが細
かい小型の液晶表示装置では、付加コンデンサの容量値
を大きくすると開口率が著しく小さくなり、実用的でな
い。
【０００９】また、ドレインバスラインと画素電極との
間に複数のＴＦＴを直列接続してオフ電流を低減したい
わゆるマルチゲートＴＦＴ構造の液晶表示装置が提案さ
れている。図３６は従来のマルチゲートＴＦＴ構造の液
晶表示装置を示す上面図である。ガラス板（図示せず）
上には複数本のゲートバスライン６４と、複数本のドレ
インバスライン６６とが上から見て直角に交差するよう
に配置されており、これらのゲートバスライン６４とド
レインバスライン６６とにより区画された矩形状の各領
域にはＩＴＯ（インジウム錫酸素）からなる画素電極６
０が形成されている。そして、各画素の間、すなわちゲ
ートバスライン６４及びドレインバスライン６６の上に
は遮光性金属膜からなるブラックマトリクス６８（図
中、斜線で示す）が形成されている。
【００１０】ガラス板上にはポリシリコン膜６２が選択
的に形成されており、このポリシリコン膜６２とその上
を交差するゲートバスライン６４とにより、1 画素当り
２個のＴＦＴ６１a ，６１ｂが形成されている。これら
のＴＦＴ６１ａ，６１ｂは、画素電極６０とドレインバ
スライン６６との間に直列接続されている。この液晶表
示装置は、上述の如く、画素電極６０とドレインバスラ
イン６６との間に２つのＴＦＴ６１ａ，６１ｂが直列に
接続されているので、オフ電流が極めて小さい。
【００１１】また、図３６に示す液晶表示装置に比べて
ＴＦＴのオフ電流を更に低減させた液晶表示装置とし
て、１画素当り複数のＴＦＴを設け、これらのＴＦＴの
ソース・ドレインに付加容量を接続した液晶表示装置が
提案されている（特開平５−８８６４４号、M.Itoh et.
al. High-Resolution Low-Temperature Poly-Si TFT-LC
Ds Using a Novel Structure with TFT Capacitors, SI
D INTERNATIONAL SYMPOSIUM DIGEST of TECHNICAL PAPE
RS p17〜p20 1996）。
【００１２】図３７は、上述の液晶表示装置を示す上面
図、図３８は同じくその回路図である。この液晶表示装
置は、ガラス板（図示せず）上に複数本のゲートバスラ
イン７４と複数本のドレインバスライン７６とが直角に
交差するように形成されている。また、隣接する２本の
ゲートバスライン７４の間には電源ライン７５が配置さ
れており、この電源ライン７５は一定の電位に保持され
るようになっている。また、ガラス板上にはポリシリコ
ン膜７２がジグザグ状に形成されており、このポリシリ
コン膜７２とその上のゲートバスライン７４とにより、
１画素当り３個のＴＦＴ７１ａ，７１ｂ，７１ｃが形成
されている。更に、ポリシリコン膜７２と電源ライン７
５とによりＴＦＴ７３が形成されている。
【００１３】これらのＴＦＴ７１ａ〜７１ｃ及びＴＦＴ
７３は、ドレインバスライン７６と画素電極７０との間
に直列に接続されている。ＴＦＴ７３はコンデンサとし
て動作する。つまり、ＴＦＴ７３のポリシリコン膜がコ
ンデンサの一方の電極として機能し、ゲート電極が他方
の電極として機能する。このように構成された液晶表示
装置は、ＴＦＴのオフ電流を極めて小さくできるという
利点がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ここ
で、図３６に示す従来の液晶表示装置では、図３７に示
す液晶表示装置に比べオフ電流の低減が十分でないだけ
でなく、投射型液晶表示装置に適用した場合に、以下に
示す問題点がある。すなわち、投射型液晶表示装置では
大光量（〜数百万ｌｘ）の光源を用いて画像を投射す
る。ＴＦＴは、光に対してその電流特性、特にオフ電流
特性が悪くなる性質があるため、チャネル部を遮光する
必要がある。図３６の液晶表示装置では、符号Ｂで示す
部分はチャネル部ではないが、このようにシリコンを用
いたＴＦＴの接続部分に数百万ｌｘの光が照射される
と、ＴＦＴのオフ電流特性が悪くなる。
【００１５】一方、図３７に示す従来の液晶表示装置で
は、以下に示す問題点がある。すなわち、通常、配線
（ゲート、ドレイン、ブラックマトリクス等）層間の絶
縁膜の厚さは３０００Å前後であるが、ＴＦＴのゲート
酸化膜は、ＴＦＴとして必要な特性を得るために、１２
００〜１５００Å程度と薄く形成される。図３７に示す
液晶表示装置では、このゲート絶縁膜をコンデンサの電
極間の誘電体として使用するため、上下の電極間でショ
ート欠陥が発生しやすい。また、ガラス板の面積が大き
い場合、膜の均一性が保ちにくくなり、容量値のばらつ
きが大きくなるという欠点もある。更に、電源ライン７
５をゲートバスライン７４と同層に同じ材料で形成する
ため、ゲートバスライン７４と電源ライン７５とがショ
ートするおそれがある。仮に、ゲートバスライン７４と
電源ライン７５とがショートしたとすると、１ライン分
の画素が全て表示されなくなる。
【００１６】本発明の目的は、ショート欠陥や容量のば
らつきが防止され、大光量の光源を用いてもオフ電流特
性の低下が防止できる液晶表示装置及びその製造方法を
提供することである。また、本発明の他の目的は、製造
工程を増加させることなく、安定なコンデンサを有し表
示性能が優れた液晶表示装置を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、第１の
基板と、前記第１の基板に対向して配置された第２の基
板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入さ
れた液晶とを有し、前記第１の基板は、第１の透明板
と、前記第１の透明板上に相互に平行に配置された複数
本のゲートバスラインと、前記第１の透明板上に形成さ
れ、前記ゲートバスラインに立体交差する複数本のドレ
インバスラインと、前記ゲートバスライン及び前記ドレ
インバスラインにより区画された前記第１の透明板上の
各領域毎に配置された画素電極と、前記ゲートバスライ
ンをゲート電極とし、前記画素電極と前記ドレインバス
ラインとの間に直列接続された複数の薄膜トランジスタ
と、前記複数の薄膜トランジスタのソースとドレインと
の接続部のいずれか１つに電気的に接続された第１の電
極と、前記薄膜トランジスタ及び前記第１の電極上を覆
う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に前記第１の電極に
対向して配置された遮光性金属膜からなる第２の電極
と、少なくとも前記複数の薄膜トランジスタのチャネル
部及びソースとドレインとの接続部の上方に形成された
遮光膜とを具備し、前記第２の基板は、第２の透明板
と、前記第２の透明板上に形成された透明導電体からな
る対向電極とを具備することを特徴とする液晶表示装置
により解決する。
【００１８】上記した課題は、第１の基板と、前記第１
の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の
基板と前記第２の基板との間に封入された液晶とを有
し、前記第１の基板は、第１の透明板と、前記第１の透
明板上に相互に平行に配置された複数本のゲートバスラ
インと、前記第１の透明板上に形成され、前記ゲートバ
スラインと立体交差する複数本のデータバスラインと、
前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインによ
り区画される前記透明板上の各領域ごとに配置された画
素電極と、前記ゲートバスラインをゲート電極とし、前
記画素電極と前記ドレインバスラインとの間に直列接続
された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トラ
ンジスタのソースのいずれか１つに電気的に接続された
金属からなる第１の電極と、前記第１の電極の上方又は
下方に絶縁膜を介して配置された金属膜からなる第２の
電極とを具備し、前記第２の基板は、第２の透明板と、
前記第２の透明板上に形成され、前記第１の基板の前記
ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインを覆う遮
光性金属膜と、前記遮光性金属膜の上又は下に絶縁膜を
介して配置された透明導電体からなる対向電極とを具備
することを特徴とする液晶表示装置により解決する。
【００１９】上記した課題は、第１の基板と、前記第１
の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の
基板と前記第２の基板との間に封入された液晶とを有
し、前記第１の基板は、第１の透明板と、前記第１の透
明板上に相互に平行に配置された複数本のゲートバスラ
インと、前記第１の透明板上に形成され、前記ゲートバ
スラインと立体交差する複数本のデータバスラインと、
前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインによ
り区画される前記透明板上の各領域ごとに配置された画
素電極と、前記ゲートバスラインをゲート電極とし、前
記画素電極と前記ドレインバスラインとの間に直列接続
された複数の薄膜トランジスタと、少なくとも前記ゲー
トバスライン及び前記ドレインバスラインを覆う遮光性
金属膜と、前記複数の薄膜トランジスタのソースのいず
れか１つに電気的に接続された金属からなる第１の電極
と、前記第１の電極の層の上方又は下方に絶縁膜を介し
て配置された金属膜からなる第２の電極とを具備し、前
記第２の基板は、第２の透明板と、前記第２の透明板上
に形成された透明導電体からなる対向電極とを具備する
ことを特徴とする液晶表示装置により解決する。
【００２０】上記した課題は、第１の基板と、前記第１
の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の
基板と前記第２の基板との間に封入された液晶とを有
し、前記第１の基板は、第１の透明板と、前記第１の透
明板上に相互に平行に配置された複数本のゲートバスラ
インと、前記ゲートバスラインを覆う絶縁膜と、前記絶
縁膜上に形成され、前記ゲートバスラインと立体的に交
差する複数本のドレインバスラインと、前記ドレインバ
スラインと同じ層に形成されて前記ゲートバスラインと
ともにコンデンサを構成するコンデンサ電極と、前記ゲ
ートバスライン及び前記ドレインバスラインにより区画
された前記透明板上の各領域ごとに配置され、前記コン
デンサ電極に電気的に接続された画素電極と、前記ゲー
トバスラインをゲート電極とし、前記コンデンサ電極と
前記ドレインバスラインとの間に直列接続された複数の
薄膜トランジスタと、少なくとも前記ゲートバスライン
及び前記ドレインバスラインを覆う遮光性金属膜とを具
備し、前記第２の基板は、第２の透明板と、前記第２の
透明板上に形成された透明導電体からなる対向電極とを
具備することを特徴とする液晶表示装置により解決す
る。
【００２１】上記した課題は、第１の基板と、前記第１
の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の
基板と前記第２の基板との間に封入された液晶とを有
し、前記第１の基板は、第１の透明板と、前記第１の透
明板上に相互に平行に配置された複数本のゲートバスラ
インと、前記ゲートバスラインをゲート電極として直列
接続された複数のトランジスタと、前記ゲートバスライ
ンを覆う第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成さ
れ、前記ゲートバスラインと立体交差するドレインバス
ラインと、前記ゲートバスラインと同じ層に形成され、
前記第１の絶縁膜に形成された第１のコンタクトホール
を介して前記直列接続されたトランジスタの端部に接続
された第１の電極と、前記ゲートバスライン及び第１の
電極を覆う第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に形成
され、前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスライ
ンを覆う遮光性金属膜と、前記遮光性金属膜と同一の層
に形成され、前記第２の絶縁膜の上方に配置されて、中
央部が開口された第２の電極と、前記遮光性金属膜と同
一の層に形成され、前記第２の電極と前記遮光性金属膜
とを電気的に接続する配線と、前記遮光性金属膜及び前
記第２の絶縁膜を覆う第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁
膜上の前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスライ
ンにより区画された領域ごとに配置され、前記第２の絶
縁膜及び前記第３の絶縁膜に形成された第２のコンタク
トホールを介して前記第１の電極に電気的に接続された
画素電極とを具備し、前記第２の基板は、第２の透明板
と、前記第２の透明板上に形成された透明導電体からな
る対向電極とを具備することを特徴とする液晶表示装置
により解決する。
【００２２】また、上記した課題は、透明基板上にシリ
コン膜を選択的に形成する工程と、前記シリコン膜上に
ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記透明基板上に、前
記ゲート絶縁膜上を通るゲートバスラインを形成する工
程と、前記シリコン膜に不純物を選択的に導入し、該シ
リコン膜と前記ゲート絶縁膜及び前記ゲートバスライン
とにより構成されて直列接続される複数の薄膜トランジ
スタを形成する工程と、前記基板上の全面に前記薄膜ト
ランジスタを覆う第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜に第１及び第２のコンタクトホー
ルを選択的に形成する工程と、前記第１の層間絶縁膜上
に導電膜を形成し該導電膜をパターニングすることによ
り、前記第１のコンタクトホールを介して前記直接接続
される複数の薄膜トランジスタのうちの一端側のトラン
ジスタに電気的に接続されたドレインバスラインと、前
記第２のコンタクトホールを介して前記複数の薄膜トラ
ンジスタの相互接続点に電気的に接続された第１の電極
とを形成する工程と、前記基板上の全面に前記ドレイン
バスライン及び前記第１の電極を覆う第２の層間絶縁膜
を形成する工程と、前記第２の層間絶縁膜上に遮光性金
属膜を形成し、該遮光性金属膜をパターニングすること
により、前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラ
インの上を覆う遮光膜と前記第１の電極上を覆う第２の
電極とを形成する工程とを有することを特徴とする液晶
表示装置の製造方法により解決する。
【００２３】以下、本発明の作用について説明する。本
発明においては、ドレインバスラインと画素電極との間
に接続された複数の薄膜トランジスタの少なくとも１つ
に第１の電極が接続されており、この第１の電極は層間
絶縁膜及びその上の遮光性金属膜とともにコンデンサを
構成する。一般的に、層間絶縁膜はゲート絶縁膜に比べ
て十分厚く形成される。従って、ＴＦＴのゲート絶縁膜
をコンデンサの誘電体として使用する場合に比べて、シ
ョート欠陥や容量のばらつきが抑制される。また、本発
明においては、前記複数の薄膜トランジスタのチャネル
部及び相互接続点の上方が遮光膜に覆われているので、
大光量の光源を用いても、オフ電流特性の低下が防止で
きる。
【００２４】また、本発明の他の液晶表示装置において
は、金属膜からなる第１の電極と、この第１の電極の上
方又は下方に配置された金属膜からなる第２の電極とに
よりコンデンサを形成する。そして、このコンデンサ
を、直列接続された複数の薄膜トランジスタの１つのソ
ースに接続する。この場合、第１の電極をゲートバスラ
インが形成された層又はドレインバスラインが形成され
た層のいずれか一方に形成し、第２の電極を他方の層に
形成することができる。これにより、製造工程の増加が
回避される。
【００２５】更に、一方の基板側にＴＦＴと遮光性金属
膜（ブラックマトリクス）とを形成するタイプの液晶表
示装置の場合は、第１の電極をゲートバスラインが形成
された層、ドレインバスラインが形成された層及び遮光
性金属膜が形成された層のいずれか１つの層で形成し、
第２の電極を残りの２つの層のうちの一方で形成するこ
とができる。
【００２６】画素電極をゲートバスライン及びドレイン
バスラインよりも上の層に形成する場合、画素電極とト
ランジスタとを直接接続しようとすると、両者の間に複
数層の絶縁膜が存在するので、コンタクトホールの深さ
が深くなり、断線が発生しやすくなる。従って、画素電
極とトランジスタとの間の層に中間電極を形成し、この
中間電極を介して画素電極とトランジスタとを接続する
ことが好ましい。中間電極は、ドレインバスラインと同
じ層、ゲートバスラインと同じ層又は遮光性金属膜と同
じ層に形成することができる。
【００２７】ゲートバスラインと同一の層に形成された
中間電極を介して画素電極とトランジスタとを接続する
場合、中間電極を第１の電極とし、遮光性金属膜と同じ
層に第２の電極を形成すると、これらの第１及び第２の
電極によりコンデンサが構成される。画素領域内にコン
デンサを構成した場合、コンデンサの電極を一定の電位
に維持するための配線を形成する必要があるが、開口率
を大きくするためには配線の長さは短いほうがよい。配
線をゲートバスライン側に引き出す場合、開口率を大き
くするためには、画素領域のサイズを、ゲートバスライ
ンの長さ方向（水平方向）を長くし、ドレインバスライ
ンの長さ方向（垂直方向）を短くすることが好ましい。
この場合、垂直方向に並ぶ３つの画素領域をカラー表示
時における１つのドットとし、各ドットに赤（Ｒ）・緑
（Ｇ）・青（Ｂ）のカラーフィルタを配置すると、１ド
ットが正方形に近い形状となる。
【００２８】また、本発明の液晶表示装置の製造方法に
おいては、ドレインバスラインと第１の電極とを同時に
形成し、ゲートバスライン及びドレインバスラインの上
を覆う遮光膜と前記第１の電極の上を覆う第２の電極と
を同時に形成する。従って、工程の増加を回避できて、
付加容量を有するマルチゲートＴＦＴ構造の液晶表示装
置を容易に製造することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１は本発明の第１の実施の形態
の液晶表示装置を示す断面図、図２は同じくその液晶表
示装置の対向基板の断面図、図３は同じくそのＴＦＴ基
板の上面図、図４は図３のＩ−Ｉ線による断面図であ
る。
【００３０】本実施の形態の液晶表示装置は、ＴＦＴ基
板１と対向基板２とを対向させて配置し、これらの基板
１，２の縁部をシール材４で接合して、基板１，２間に
液晶３を封入して構成されている。対向基板２は、図２
に示すように、ガラス板６と、ガラス板６上に形成され
たＩＴＯからなる対向電極７と、この対向電極７上を覆
う配向膜８とにより構成されている。そして、配向膜８
が形成された面をＴＦＴ基板１に向けて配置される。
【００３１】一方、ＴＦＴ基板１は、図３に示すように
構成されている。ガラス板１１上には複数本のゲートバ
スライン１４が相互に平行に配置されており、更にこれ
らのゲートバスライン１４に直角に立体交差する複数本
のドレインバスライン１６が形成されている。これらの
ゲートバスライン１４及びドレインバスライン１６によ
り区画された各矩形状の領域がそれぞれ画素領域となっ
ている。各画素領域には、ＩＴＯ等の透明金属膜からな
る画素電極２０と、コンデンサ電極（第１の電極）１６
ａとが形成されている。このコンデンサ電極１６ａは、
その上に層間絶縁膜を介して形成された遮光性金属膜か
らなるブラックマトリクス１８とともにコンデンサを構
成している。また、ゲートバスライン１４とドレインバ
スライン１６とが交差する部分の近傍には、１画素当り
２個のＴＦＴ２１ａ，２１ｂが形成されている。
【００３２】すなわち、図４の断面図に示すように、ガ
ラス板１１上にはＴＦＴ２１ａ，２１ｂのソース・ドレ
インとなるポリシリコン膜１２が選択的に形成されてお
り、このポリシリコン膜１２上にはゲート絶縁膜１３を
介してゲートバスライン１４が選択的に形成されてい
る。また、ガラス板１１上には、これらのポリシリコン
膜１２及びゲートバスライン１４を覆うようにして第１
の層間絶縁膜１５が形成されている。
【００３３】この第１の層間絶縁膜１５上には、ドレイ
ンバスライン１６、コンデンサ電極１６ａ及びパッド
（中間電極）１６ｂが選択的に形成されている。ドレイ
ンバスライン１６は、層間絶縁膜１５のコンタクトホー
ル１５ａを介してＴＦＴ２１ａのドレインに電気的に接
続されている。また、コンデンサ電極１６ａは、コンタ
クトホール１５ｂを介してＴＦＴ２１ａのソースとＴＦ
Ｔ２１ｂのドレインとの接続部に電気的に接続されてい
る。更に、パッド１６ｂはコンタクトホール１５ｃを介
してＴＦＴ２１ｂのソースに電気的に接続されている。
【００３４】第１の層間絶縁膜１５上には、これらのド
レインバスライン１６、コンデンサ電極１６ａ及びパッ
ド１６ｂを覆うようにして、第２の層間絶縁膜１７が形
成されている。この第２の層間絶縁膜１７上には、ゲー
トバスライン１４、ドレインバスライン１６及びコンデ
ンサ電極１６ａの上方を覆うブラックマトリクス１８が
形成されている。なお、ブラックマトリクス１８のう
ち、コンデンサ電極１６a と対向する部分が第２の電極
となり、コンデンサ電極１６ａ及び層間絶縁膜１７とと
もにコンデンサ（付加容量）を構成する。
【００３５】第２の層間絶縁膜１７上の全面には第３の
層間絶縁膜１９が形成されており、この第３の層間絶縁
膜１９上には画素電極２０が形成されている。この画素
電極２０は、コンタクトホール１７ａを介してパッド１
６ｂに接続されており、更にこのパッド１６ｂを介して
ＴＦＴ２１ｂのソースに電気的に接続されている。第３
の層間絶縁膜１９上の全面には配向膜（図示せず）が形
成されている。このように構成されたＴＦＴ基板１は、
配向膜が形成された面を対向基板２に向けて配置され
る。
【００３６】なお、本実施の形態では、ブラックマトリ
クス１８は表示領域の外で対向電極に電気的に接続され
て、対向電極と同一の電位に保持される。ブラックマト
リクス１８は、対向電極の電位と異なる電位に保持され
るようになっていてもよい。図５は本実施の形態の液晶
表示装置の画素部分の等価回路図である。図中Ｃ1は電
極１６ａとブラックマトリクス１８とにより構成される
コンデンサであり、Ｃ2 は画素電極２０と対向電極との
間の容量成分である。本実施の形態では、ＴＦＴ２１ａ
とＴＦＴ２１ｂとの間にコンデンサＣ1 が接続されてい
るので、ＴＦＴ２１ａ，２１ｂがオフのときは、ＴＦＴ
２１ｂのソースとドレインとの間の電位がほぼ同じにな
り、ＴＦＴ２１ｂのオフ電流が極めて少ない。また、Ｔ
ＦＴ２１ａ，２１ｂのチャネル領域及びＴＦＴ２１ａと
ＴＦＴ２１ｂとの接続部を構成する部分のポリシリコン
膜１２がブラックマトリクス１８により覆われているの
で、本実施の形態の液晶表示装置を投射型液晶表示装置
に適用した場合に、強い光で照射されてもＴＦＴ２１
ａ，２１ｂのオフ電流が増加することを回避でき、良好
な表示特性が得られる。
【００３７】図６はＴＦＴのオフ電流が１００ｐＡ、５
０ｐＡ及び１０ｐＡのときにおけるコンデンサ容量と電
圧低下との関係を示す図であり、横軸はコンデンサＣ1
の容量値ＣＲと画素電極２０と対向電極との間の容量成
分Ｃ2 の容量値ＣＬとの比を示し、縦軸は電圧低下量を
示す。ＴＦＴのオフ電流が数十ｐＡ程度の場合は、ＣＲ
＝ｍ×ＣＬ（但し、０＜ｍ＜１）とすればよい。ｍが１
以上となると、開口率が著しく低下する。この図を用い
て、例えば電圧低下量をある値以下とするときに、コン
デンサＣ1 の容量値をどのくらいにすればよいかがわか
る。
【００３８】図７〜図１０は上述の液晶表示装置の製造
方法を工程順に示す模式的断面図である。まず、図７に
示すように、プラズマＣＶＤ法を使用し、ガラス板１１
上にアモルファスシリコン膜を５００Åの厚さで形成す
る。そして、このアモルファスシリコン膜にレーザ光を
照射することにより、アモルファスシリコン膜をポリシ
リコン膜１２に変える。その後、ドライエッチング法に
よりポリシリコン膜１２を選択的にエッチングし、所定
領域にのみジグザグ状にポリシリコン膜１２を残存させ
る。
【００３９】次に、プラズマＣＶＤ法を使用し、ガラス
板１１上の全面にＳｉＯ2 膜３３を１２００Åの厚さに
形成する。その後、スパッタ法により、ＳｉＯ2 膜３３
上にアルミニウム等の金属膜３４を３０００Åの厚さに
形成する。次に、図８に示すように、フォトリソグラフ
ィ法を使用して、金属膜３４を所定の形状にパターニン
グして、ゲートバスライン１４を形成する。その後、フ
ォトリソグラフィ法を使用してＳｉＯ2 膜３３をパター
ニングし、ゲートバスライン１４の近傍にのみＳｉＯ2
膜３３を残存させ、他の領域のＳｉＯ2 膜３３を除去す
る。これにより、ゲートバスライン１４の下方に残存し
たＳｉＯ2 膜３３がゲート絶縁膜１４となる。その後、
ポリシリコン膜１２が露出するように開口部が設けられ
たマスク３５を形成し、ポリシリコン膜１２にｎ型不純
物をイオン注入し、レーザでポリシリコン膜１２を照射
し活性化して、ＴＦＴ２１ａ，２１ｂのソース・ドレイ
ンとなる不純物拡散領域を形成する。その後、マスク３
５を除去する。
【００４０】次に、図９に示すように、全面に第１の層
間絶縁膜１５を４０００Åの厚さに形成する。この第１
の層間絶縁膜１５は、例えばＳｉＯ2 膜とＳｉＮ膜との
２層構造とする。その後、この第１の層間絶縁膜１５に
コンタクトホール１５ａ，１５ｂ，１５ｃを選択的に形
成する。次に、これらのコンタクトホール１５ａ，１５
ｂ，１５ｃを埋め込むようにして、第１の層間絶縁膜１
５上にＴｉ（チタン）膜／Ａｌ（アルミニウム）膜／Ｔ
ｉ膜の３層構造の導電膜を４０００〜５０００Åの厚さ
に形成する。そして、この導電膜を所定の形状にパター
ニングすることにより、ドレインバスライン１６、コン
デンサ電極１６ａ及びパッド１６ｂを形成する。
【００４１】次に、図１０に示すように、第１の層間絶
縁膜１５上に、ドレインバスライン１６、コンデンサ電
極１６ａ及びパッド１６ｂを覆うようにして、ＳｉＮか
らなる第２の層間絶縁膜１７を４０００Åの厚さに形成
する。その後、この第２の層間絶縁膜１７上にＴｉ膜を
２０００Åの厚さに形成し、このＴｉ膜を所定のパター
ンでエッチングすることにより、ブラックマトリクス１
８を形成する。なお、ブラックマトリクス１８の材料と
しては、上述のＴｉに替えてクロム（Ｃｒ）等を使用し
てもよい。
【００４２】次いで、図４に示すように、全面に第３の
層間絶縁膜１９として、ＳｉＮ膜を３０００Åの厚さに
形成する。そして、フォトリソグラフィ法を使用して、
この第３の層間絶縁膜１９の表面からパッド１６ｂに到
達するコンタクトホール１７ａを形成する。その後、コ
ンタクトホール１７ａを埋め込むようにして第３の層間
絶縁膜１９上の全面にＩＴＯ膜を１０００Åの厚さに形
成し、このＩＴＯ膜をエッチングして所定の形状の画素
電極２０を得る。
【００４３】そして、全面に配向膜（図示せず）を形成
する。これにより、ＴＦＴ基板１が完成する。このＴＦ
Ｔ基板１に対向して、対向電極７及び配向膜８が形成さ
れた対向基板２を配置し、ＴＦＴ基板１と対向基板２と
をシール材４で接合し、両基板１，２の間に液晶３を封
入する。このようにして、本実施の形態の液晶表示装置
が完成する。
【００４４】上述の製造方法においては、ドレインバス
ライン１６と同時にコンデンサ電極１６ａを形成し、こ
のコンデンサ電極１６ａと層間絶縁膜１７及びブラック
マトリクス１８とによりコンデンサを構成するので、製
造工程の増加を回避できて、図３，４に示す構造のＴＦ
Ｔ基板１を有する液晶表示装置を容易に製造することが
できる。
【００４５】また、上述の方法により形成された液晶表
示装置では、仮にコンデンサ電極１６ａとドレインバス
ライン１６とがショートしたとしても、ショートが発生
した画素の表示欠陥となるものの、従来のように１ライ
ンの画素全てが表示欠陥となることはない。更に、上述
の製造方法によれば、第２の層間絶縁膜１７をコンデン
サの電極間の誘電体として使用するので、図３７，３８
に示すようにＴＦＴのゲート絶縁膜をコンデンサの誘電
体として使用する場合に比べて、ショート欠陥の発生を
より確実に回避できる。
【００４６】なお、上述の製造方法においては、ドレイ
ンバスライン１６とコンデンサ電極１６ａとを同時に形
成したが、これらは個別に形成してもよい。また、上述
の製造方法においては、ブラックマトリクスの一部をコ
ンデンサの電極として使用したが、コンデンサの電極と
ブラックマトリクスとを個別に形成してもよい。更に、
上述の実施の形態ではＴＦＴのソース・ドレインとなる
半導体層がポリシリコンにより形成されている場合につ
いて説明したが、アモルファスシリコンにより形成され
ていてもよい。
【００４７】（第２の実施の形態）図１１は本発明の第
２の実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す上面
図である。本実施の形態において、対向基板の構造は第
１の実施の形態と同じであるので、対向基板の図示を省
略する。また、図１１において、図３と同一物には同一
符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００４８】本実施の形態においては、１画素当り３個
のＴＦＴ４１ａ，４１ｂ，４１ｃが設けられており、こ
れらのＴＦＴ４１ａ，４１ｂ，４１ｃはドレインバスラ
イン１６と画素電極２０との間に直列に接続されてい
る。そして、第１の実施の形態と同様に、コンデンサ電
極１６ａとブラックマトリクス１８とによりコンデンサ
が構成されており、このコンデンサはＴＦＴ４１ｂとＴ
ＦＴ４１ｃとの接続部に接続されている。
【００４９】本実施の形態においては、ドレインバスラ
イン１６と画素電極２０との間に３個のＴＦＴが直列接
続されているので、第１の実施の形態に比べて、オフ電
流がより一層低減されるという効果が得られる。なお、
ドレインバスラインと画素電極との間にはＴＦＴが４個
以上接続されていてもよい。また、コンデンサは、ＴＦ
Ｔ４１ａとＴＦＴ４１ｂとの接続部に接続されていても
よく、更にＴＦＴ４１ａとＴＦＴ４１ｂとの接続部及び
ＴＦＴ４１ｂとＴＦＴ４１ｃとの接続部の両方にそれぞ
れコンデンサが接続されていてもよい。
【００５０】（第３の実施の形態）図１２は本発明の第
３の実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す上面
図である。本実施の形態においても、対向基板の構造は
第１の実施の形態と同じであるので、対向基板の図示を
省略する。また、図１２において、図３と同一物には同
一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００５１】本実施例においては、１画素当り３個のＴ
ＦＴ４２ａ，４２ｂ，４２ｃが設けられており、これら
のＴＦＴ４２ａ，４２ｂ，４２ｃはドレインバスライン
１６と画素電極２０との間に直列接続されている。そし
て、第１の実施の形態と同様に、コンデンサ電極１６ａ
とブラックマトリクス１８とによりコンデンサが構成さ
れており、このコンデンサはＴＦＴ４１ｂとＴＦＴ４１
ｃとの接続部に接続されている。また、本実施の形態に
おいては、ブラックマトリクス４８が１列毎に分離され
ている。
【００５２】本実施の形態においても、ドレインバスラ
イン１６と画素電極２０との間に３個のＴＦＴが直列接
続されているので、第２の実施の形態と同様に、第１の
実施の形態よりもオフ電流がより一層低減される。 （第４の実施の形態）図１３は本発明の第４の実施の形
態の液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す上面図、図１４は
図１３のII−II線による模式的断面図である。本実施の
形態においても、対向基板の構成は第１の実施の形態と
同じであるので、対向基板の図示を省略する。
【００５３】ガラス板１０１上にはポリシリコン膜１０
２がジグザグ状に形成されている。また、ガラス板１０
１上には、複数本のゲートバスライン１０４が形成され
ている。これらのゲートバスライン１０４は相互に平行
に配置されている。ゲートバスライン１０４とシリコン
膜１０２との間にはゲート絶縁膜１０３が形成されてい
る。この実施の形態では、ポリシリコン膜１０２とゲー
トバスライン１０４とにより、４個のＴＦＴ１１１ａ〜
１１１ｄが形成されており、これらのＴＦＴ１１１ａ〜
１１１ｄは直列に接続されている。
【００５４】ガラス板１０１上にはポリシリコン膜１０
２及びゲートバスライン１０４を覆う層間絶縁膜１０５
が形成されている。この絶縁膜１０５上には、複数本の
ドレインバスライン１０６と、コンデンサ電極１０６ａ
と、配線１０６ｂと、パッド１０６ｃとが形成されてい
る。ドレインバスライン１０６はゲートバスライン１０
４と直角に立体交差して配置され、ドレインバスライン
１０６とゲートバスライン１０４とにより区画された各
矩形状の領域がそれぞれ画素領域となっている。ドレイ
ンバスライン１０６は、コンタクトホール１０５ａを介
してポリシリコン膜１０２の端部に接続されている。コ
ンデンサ電極１０６ａは隣のゲートバスライン１０４の
上方に配置されている。そして、コンデンサ電極１０６
ａとその下方のゲートバスライン１０４とによりコンデ
ンサを構成している。パッド１０６ｃは絶縁膜１０５に
開孔されたコンタクトホール１０５ｂを介してシリコン
膜１０２の端部に電気的に接続されている。配線１０６
ｂはパッド１０６ｃとコンデンサ電極１０６ａとを電気
的に接続している。
【００５５】なお、配線１０６ｂはできるだけ短くする
ことが好ましい。これは、シリコン膜１０２が光を透過
するのに対し、配線１０６ｂは光を遮断するので、配線
１０６ｂの長さが長いと開口率が低下するためである。
絶縁膜１０５上には層間絶縁膜１０７が形成されてお
り、この絶縁膜１０７によりドレインバスライン１０
６、コンデンサ電極１０６ａ、配線１０６ｂ及びパッド
１０６ｃが覆われている。この絶縁膜１０７上にはＴｉ
又はＣｒからなるブラックマトリクス１０８（図１３に
は図示を省略）が形成されている。このブロックマトリ
クス１０８は、ゲートバスライン１０４及びドレインバ
スライン１０６の上方を覆っている。
【００５６】絶縁膜１０７上には、ブラックマトリクス
１０８を覆う層間絶縁膜１０９が形成されている。この
絶縁膜１０９上には、ＩＴＯからなる画素電極１１０
（図１３には図示を省略）が形成されている。画素電極
１１０は、絶縁膜１０７，１０９に開孔されたコンタク
トホール１０９ａを介して配線１０６ａに接続されてい
る。
【００５７】絶縁膜１０７上には、ポリイミドからなる
配向膜（図示せず）が形成されており、画素電極１１０
はこの配向膜に覆われている。このように構成されたＴ
ＦＴ基板は、図１に示すように対向基板と対向させて配
置され、これらの基板間に液晶（図示せず）が封入され
て液晶表示装置が構成されている。
【００５８】図１５は本実施の形態の液晶表示装置の画
素部分の等価回路図である。図中Ｃ3 はコンデンサ電極
１０６ａとゲートバスライン１０４とにより構成される
コンデンサであり、Ｃ2 は画素電極１１０と対向電極と
の間の容量成分である。本実施の形態では画素電極１１
０と対向電極との容量成分Ｃ2 にコンデンサＣ3 が付加
されるので、表示品質が向上する。また、ゲートバスラ
イン１０４の上方に配置されたコンデンサ電極１０６ａ
によりコンデンサを構成するので、コンデンサ電極１０
６ａで画素領域を覆うことがなく、開口率を大きくする
ことができる。これにより、明るい画像が得られる。
【００５９】以下、本実施の形態の液晶表示装置の製造
方法について説明する。まず、プラズマＣＶＤ法を使用
し、ガラス板１０１上にアモルファスシリコン膜を５０
０Åの厚さに形成する。そして、このアモルファスシリ
コン膜にレーザ光を照射することにより、アモルファス
シリコン膜をポリシリコン膜１０２に変える。その後、
ドライエッチング法によりポリシリコン膜１０２を選択
的にエッチングし、所定領域にのみポリシリコン膜１０
２を残存させる。
【００６０】次に、プラズマＣＶＤ法を使用し、基板１
０１上の全面に、ゲート絶縁膜１０３となるＳｉＯ2 膜
を１２００Åの厚さに堆積させる。その後、スパッタ法
により、ガラス板１０１上の全面にアルミニウム（Ａ
ｌ）膜を形成し、該アルミニウム膜を所定の形状にパタ
ーニングして、ゲートバスライン１０４を形成する。そ
の後、フォトリソグラフィ法を使用してＳｉＯ2 膜をパ
ターニングし、ゲートバスライン１０４の近傍にのみＳ
ｉＯ2 膜を残存させ、他の領域のＳｉＯ2 膜を除去す
る。これにより、ゲートバスライン１０４の下方に残存
したＳｉＯ2 膜がゲート絶縁膜１０３となる。
【００６１】その後、ゲートバスライン１０４の両側の
ポリシリコン膜１０２に不純物イオンを注入し、ＴＦＴ
１１１ａ〜１１１ｄのソース・ドレインとなる不純物拡
散領域を形成する。次に、ガラス板１０１上の全面に絶
縁膜１０５を４０００Åの厚さに形成する。絶縁膜１０
５は、ＳｉＯ2 又はＳｉＮにより形成する。その後、絶
縁膜１０５にコンタクトホール１０５ａ，１０５ｂを開
孔する。これらのコンタクトホール１０５ａ，１０５ｂ
は、シリコン膜１０２の両端部の上に開孔する。
【００６２】次に、絶縁膜１０５上の全面に金属膜を４
０００〜５０００Åの厚さに形成する。この金属膜は、
例えばＴｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）／Ｔｉ
（チタン）の３層構造とする。そして、この金属膜を所
定の形状にパターニングすることにより、ドレインバス
ライン１０６、コンデンサ電極１０６ａ、配線１０６ｂ
及びパッド１０６ｃを形成する。ドレインバスライン１
０６はコンタクトホール１０５ａを介してシリコン膜１
０２の一端側に電気的に接続され、パッド１０６ｃはコ
ンタクトホール１０５ｂを介してシリコン膜１０２の他
端側に電気的に接続される。
【００６３】次に、絶縁膜１０５上に例えばＳｉＮから
なる絶縁膜１０７を４０００Åの厚さに形成し、該絶縁
膜１０７によりドレインバスライン１０６、コンデンサ
電極１０６ａ、配線１０６ｂ及びパッド１０６ｃを覆
う。その後、絶縁膜１０７上にＴｉ膜を形成し、該Ｔｉ
膜をパターニングすることによりブラックマトリクス１
０８を形成する。ブラックマトリクス１０８はゲートバ
スライン１０４及びドレインバスライン１０６の上を覆
うように形成する。
【００６４】次に、絶縁膜１０７上に例えばＳｉＮから
なる絶縁膜１０９を３０００Åの厚さに形成し、ブラッ
クマトリクス１０８を覆う。その後、絶縁膜１０７，１
０９を選択的にエッチングしてコンタクトホール１０９
ａを開孔する。次に、全面にＩＴＯ膜を１０００Åの厚
さに形成し、このＩＴＯ膜をエッチングして所定の形状
の画素電極１１０を得る。この画素電極１１０は、コン
タクトホール１０９ａを介してパッド１０６ｃに電気的
に接続される。
【００６５】そして、絶縁膜１０９上に配向膜を形成し
て画素電極１１０を配向膜で覆う。その後、基板１０１
に対向して、対向電極及び配向膜が形成された対向基板
を配置し、基板１０１と対向基板との間に液晶を封入す
る。このようにして、本実施の形態の液晶表示装置が完
成する。上述した製造方法によれば、ドレインバスライ
ン１０６と同時にコンデンサ電極１０６ａ、配線１０６
ｂ及びパッド１０６ｃを形成するので、工程数の増加が
回避される。従って、図１３，図１４に示す構造の液晶
表示装置を低コストで製造できる。
【００６６】図１６は本実施の形態の液晶表示装置をカ
ラー液晶表示装置に適用した例を示す平面図である。図
１３，１４に示す構造の液晶表示装置では、画素領域の
一部が金属からなる配線１０６ｂに覆われる。このた
め、開口率を大きくするためには、１画素の形状を、ゲ
ートバスライン１０４の長さ方向（水平方向）に長く、
ドレインバスライン１０６の長さ方向（垂直方向）に短
くすることが好ましい。１画素の形状を水平方向に長
く、垂直方向に短い長方形とした場合、図１６に示すよ
うに、垂直方向に並ぶ３つの画素領域をカラー表示時の
１つのドットとする。そして、これらの３つの画素領域
のうちの１つにＲ（赤）のカラーフィルタを配置し、他
の２つの画素のうちの１つにＧ（緑）のカラーフィルタ
を配置し、残りの１つの画素領域にＢ（青）のカラーフ
ィルタを配置する。これにより、１ドットの大きさが、
ほぼ正方形となる。
【００６７】ＶＧＡの液晶表示装置の場合、データバス
ラインの本数は６４０本、ゲートバスラインの本数は４
８０×３本となる。従って、図１７に示すように、カラ
ー液晶表示装置では、１フレームの期間のうち１本のゲ
ートバスライン１０４に電圧が印加される時間は、白黒
液晶表示装置の場合に比べて１／３となる。なお、上記
第４の実施の形態においてはブラックマトリクス１０８
がドレインバスライン１０６と画素電極１１０との間の
層に形成されている場合について説明したが、ブラック
マトリクス１０８の位置はこれに限定されるものではな
い。図１８は液晶表示装置の層構造を示す模式図であ
る。図１８（Ａ）に示すように、ブラックマトリクスは
対向基板側に形成されていてもよく、図１８（Ｂ）に示
すようにＴＦＴ基板側に形成されていてもよい。また、
図１８（Ｃ）に示すように、ブラックマトリクスは、Ｔ
ＦＴ基板側及び対向基板側の両方に形成されていてもよ
い。ブラックマトリクスをＴＦＴ基板側に形成する場合
は、例えば、ガラス板１０４上にブラックマトリクス及
び絶縁膜を形成し、その上にシリコン膜１０２等を形成
してもよい。
【００６８】更に、上記第４の実施の形態においては、
コンデンサ電極１０６ａとゲートバスライン１０４とに
より構成されるコンデンサが画素電極１１０に接続され
る構造としたが、第１の実施の形態と同様に、ＴＦＴ間
にコンデンサを接続する構造としてもよい。更に、上記
第４の実施の形態においては、シリコン膜１０２がゲー
トバスライン１０４の下側にあるスタガ型ＴＦＴを有す
る液晶表示装置の場合について説明したが、本発明は逆
スタガ型ＴＦＴ又はコプレナー型ＴＦＴを有する液晶表
示装置に適用することも可能である。すなわち、ゲート
バスラインの上又は下にコンデンサ電極を配置し、該コ
ンデンサ電極をドレインバスラインと同時に形成するこ
とにより、上記第４の実施の形態と同様の効果が得られ
る。
【００６９】（第５の実施の形態）図１９は本発明の第
５の実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す平面
図、図２０は図１９のIII −III 線による断面図であ
る。図１９において、図１３と同一物には同一符号を付
して、その詳しい説明は省略する。本実施の形態におい
ては、コンデンサ電極１０６ｄがゲートバスライン１０
４から側方にはみ出している。図１３に示すようにコン
デンサ電極１０６ｄとゲート電極１０４とが重なってい
るいるときは、図２１に断面図を示すように、絶縁膜１
０７に大きな段差が形成される。しかし、本実施の形態
のようにコンデンサ電極１０６ｄがゲートバスライン１
０４の側方に若干飛び出すように配置すると、図２０に
示すように、絶縁膜１０７に大きな段差が形成されるこ
とを回避できる。従って、画素電極の断線等の不具合の
発生が防止される。
【００７０】図２２（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれコンデン
サ電極１０６ｄとゲートバスライン１０４との重なり状
態を示す上面図である。重ね保証最小距離（フォトリソ
グラフィの精度）をＤmin とすると、図２２（Ａ）に示
すように、コンデンサ電極１０６ｄの幅をゲートバスラ
イン１０４の幅よりも２×Ｄmin 以上大きくするか、又
は図２２（Ｂ）に示すように、コンデンサ電極１０６ｄ
の幅をゲートバスライン１０４の幅よりも２×Ｄmin 以
上小さくすることが好ましい。また、図２２（Ｃ）、
（Ｄ）に示すように、コンデンサ電極１０６ｄがゲート
バスライン１０４の側部のどちらか一方に飛び出して形
成されていてもよい。この場合は、ゲートバスライン１
０４のエッジとコンデンサ電極１０６ｄのエッジとの間
隔をＤmin以上とすることが好ましい。
【００７１】（第６の実施の形態）図２３は本発明の第
６の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図、図２４は
図２３のIV−IV線による断面図、図２５は画素電極１１
０とポリシリコン膜１０２とのコンタクト部分の拡大図
である。図２３にハッチングした部分はブラックマトリ
クス１０８を示す。
【００７２】ガラス板１０１上にはポリシリコン膜１０
２とゲートバスライン１０４とが形成されている。ゲー
トバスライン１０４は相互に平行に配置されており、ゲ
ートバスライン１０４とポリシリコン膜１０２との間に
はゲート絶縁膜１０３が設けられている。ポリシリコン
膜１０２及びゲートバスライン１０４はＳｉＯ2 からな
る絶縁膜１０５に覆われており、絶縁１０５上にはドレ
インバスライン１０６と第１のコンデンサ電極１０６ｄ
とが形成されている。ドレインバスライン１０６はゲー
トバスライン１０４と直角交差している。第１のコンデ
ンサ電極１０６ｄはドレインバスライン１０６と同じ材
料により同時に形成されたものである。この第１のコン
デンサ電極１０６ｄは八角形であり、ポリシリコン膜１
０２の端部の上方に配置されている。また、第１のコン
デンサ電極１０６ｄは、コンタクトホール１０５ｂを介
してポリシリコン膜１０２に電気的に接続されている。
【００７３】絶縁膜１０５上には絶縁膜１０７が形成さ
れており、ドレインバスライン１０６及びコンデンサ電
極１０６ｄは絶縁膜１０７に覆われている。絶縁膜１０
７上にはブラックマトリクス１０８と、第２のコンデン
サ電極１０８ａと、配線１０８ｂとが形成されている。
ブラックマトリクス１０８はゲートバスライン１０４及
びドレインバスライン１０６の上を覆う。第２のコンデ
ンサ電極１０８ａはブラックマトリクス１０８と同じ材
料（Ｔｉ）により同時に形成されたものであり、中央に
開口部１０８ｄを有し、内側部分が第１のコンデンサ電
極１０６ｄに重なっている。第１のコンデンサ電極１０
６ｄ及び第２のコンデンサ電極１０８ａと両者の間の絶
縁膜１０７とによりコンデンサが構成される。
【００７４】絶縁膜１０７上には絶縁膜１０９が形成さ
れており、ブラックマトリクス１０８、第２のコンデン
サ電極１０８ａ及び配線１０８ｂは絶縁膜１０９に覆わ
れている。また、絶縁膜１０９上にはＩＴＯからなる画
素電極１１０が形成されている。この画素電極１１０
は、絶縁膜１０７，１０９に開孔されたコンタクトホー
ル１０９ａを介して第１のコンデンサ電極１０６ｄに電
気的に接続されている。
【００７５】コンタクトホール１０９ａの幅ａ1 は約４
μｍ、コンタクトホール１０９ａと第２のコンデンサ電
極１０８ａとの間隔ａ2 は約３μｍ、第１のコンデンサ
電極１０６ｄと第２のコンデンサ電極１０９ａとの重な
り幅ａ3 は約２μｍ、第１のコンデンサ電極１０６ｄの
外縁と第２のコンデンサ電極１０９ａの外縁との間隔ａ
4 は約２μｍである。
【００７６】絶縁膜１０９上には配向膜（図示せず）が
形成されており、この配向膜により画素電極１１０が覆
われている。本実施の形態においては、画素電極１１０
が第１のコンデンサ電極１０６ｄを介してシリコン層１
０２に接続されており、第１のコンデンサ電極１０６ｄ
はパッドの機能を有する。仮に、第１のコンデンサ電極
１０６ｄがないとすると、画素電極１１０とポリシリコ
ン膜１０２との間のコンタクトホールの深さが深くな
り、画素電極１１０とポリシリコン膜１０２との間に断
線が発生するおそれがある。しかし、本実施の形態にお
いては、画素電極１１０とポリシリコン膜１０２との間
に第１のコンデンサ電極１０６ｄが設けられているの
で、コンタクトホールの深さが浅くなり、断線が回避さ
れる。また、第１のコンデンサ電極１０６ｄはドレイン
バスライン１０６と同一材料により同時に形成するの
で、工程数の増加が回避される。更に、本実施の形態に
おいては、第１及び第２のコンデンサ電極１０６ｄ，１
０８ａによりコンデンサを構成するので、画素電極１１
０と対向電極との間の容量成分が増大し、良好な表示特
性が得られる。
【００７７】本実施の形態においては、第１のコンデン
サ電極１０６ｄに比べて第２のコンデンサ電極１０８ａ
のほうがサイズが大きいので、製造時に位置ずれが発生
しても、画素電極１１０とポリシリコン膜１０２とのコ
ンタクト部分を第２のコンデンサ電極１０８ａにより確
実に遮光できる。ブラックマトリクスがなくゲートバス
ライン及びドレインバスラインで遮光するタイプの投写
型カラー液晶表示装置の場合、ゲートバスライン及びド
レインバスラインが異なる層に形成されているので、光
の回折の影響により、画素のエッジ部分に色ずれが発生
しやすい。しかしながら、本実施の形態の液晶表示装置
の場合は、単一層（ブラックマトリクス１０８及び第２
の容量電極１０８ａ）で遮光するので、色ずれの発生を
抑えることができる。
【００７８】図２５に示すように、デザインルールで決
まるコンタクトホール１０９ａの最小幅の１／２をＤ0
とし、前記コンタクトホール１０９ａから第２のコンデ
ンサ電極１０８ａの縁部までの最小距離をＤ1 とし、第
２のコンデンサ電極１０８ａの内側のエッジから外側の
エッジまでの最小距離をＤ3 としたときに、第１のコン
デンサ電極１０６ｄを、半径がＤ0 ＋Ｄ1 ＋Ｄ2 の円又
はその円に外接する多角形とすることが好ましい。これ
により、パターンの位置ずれが発生しても、ポリシリコ
ン層１０２と画素電極１１０との接続部を確実に遮光す
ることができ、開口形状が均一化される。
【００７９】（その他の実施の形態）図２６〜図３１は
その他の実施の形態を示す図である。これらの図２６〜
図３１は、ゲートバスライン等が形成されるゲート層１
１４、ドレインバスライン等が形成されるドレイン層１
１６及びブラックマトリクス等が形成されるブラックマ
トリクス層１１８の積層順を示すものである。これらの
図において、図１４と同一物には同一符号を付して、そ
の詳しい説明は省略する。
【００８０】図２６に示す構造では、ゲート層１１４、
ドレイン層１１６及びブラックマトリクス層１１８の順
で形成する。この例においては、画素電極１１０とブラ
ックマトリクス層１１８との重なり部分により構成され
る容量成分、ドレイン層１１６とブラックマトリクス層
１１８との重なり部分により構成される容量成分、及び
ゲート層１１４とドレイン層１１６との重なり部分によ
り構成される容量成分を、画素電極１１０と対向電極と
により構成される容量成分に付加する蓄積容量とするこ
とができる。
【００８１】図２７は、ゲート層１１４、ブラックマト
リクス層１１８及びドレイン層１１６の順で形成する。
この例においては、ドレイン層１１６とブラックマトリ
クス層１１８との重なり部分により構成される容量成
分、シリコン膜１０２とブラックマトリクス層との重な
り部分により構成される容量成分を、蓄積容量とするこ
とができる。
【００８２】図２８は、ブラックマトリクス層１１８、
ゲート層１１４及びドレイン層１１６の順で形成する。
この例においては、シリコン膜１０２とブラックマトリ
クス１１８との重なり部分により構成される容量成分、
及びゲート層１１４とドレイン層１１６との重なり部分
により構成される容量成分を、蓄積容量とすることがで
きる。
【００８３】これらの図２６〜図２８に示す構造は、コ
プレナー型及び逆スタガ型ＴＦＴを有する液晶表示装置
に適用することができる。図２９は、ドレイン層１１
６、ゲート層１１４及びブラックマトリクス層１１８の
順で形成する。この例においては、画素電極１１０とブ
ラックマトリクス層１１８との重なり部分により構成さ
れる容量成分、ゲート層１１４とブラックマトリクス層
１１８との重なり部分により構成される容量成分及びゲ
ート層１１４とドレイン層１１６との重なり部分により
構成される容量成分を、蓄積容量とすることができる。
【００８４】図３０は、ドレイン層１１６、ブラックマ
トリクス層１１８及びゲート層１１４の順で形成する。
この例においては、ゲート層１１４とブラックマトリク
ス層１１８との重なり部分により構成される容量成分、
及びシリコン層１０２とブラックマトリクス層１１８と
の重なり部分により構成される容量成分を、蓄積容量と
することができる。
【００８５】図３１は、ブラックマトリクス層１１８、
ドレイン層１１６及びゲート層１１４の順番で形成す
る。この例においては、シリコン膜１０２とブラックマ
トリクス層１１８との重なり部分により構成される容量
成分、及びゲート層１１４とドレイン層１１６との間の
容量成分を、蓄積容量とすることができる。
【００８６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置によれば、ドレインバスラインと画素電極との間に
接続された複数の薄膜トランジスタの少なくとも１つに
第１の電極が電気的に接続されており、この第１の電極
は層間絶縁膜及びその上に形成された遮光性金属膜から
なる第２の電極とによりコンデンサを構成しているの
で、オフ電流が極めて少ない。また、本発明の液晶表示
装置は、薄膜トランジスタのチャネル部及び相互接続点
が遮光膜により覆われているので、大光量の光源を有す
る投射型液晶表示装置として使用した場合も、光による
オフ電流の増加を回避できて、優れた表示性能が得られ
る。本発明は、特に大光量の光源を備えた投射型液晶表
示装置の表示性能の向上に多大な貢献をなす。
【００８７】また、本発明の液晶表示装置の製造方法に
よれば、ドレインバスラインと第１の電極とを同時に形
成し、遮光膜と第２の電極とを同時に形成するので、上
述の構造の液晶表示装置を容易に製造することができ
る。更に、本発明の他の液晶表示装置によれば、金属か
らなる電極によりコンデンサを構成する。この場合、電
極をゲートバスラインと同じ層、ドレインバスラインと
同じ層又はブラックマトリクスと同じ層に形成すること
により、工程数の増加が回避される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置を示
す断面図である。
【図２】第１の実施の形態の液晶表示装置の対向基板の
断面図である。
【図３】第１の実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板
の上面図である。
【図４】図３のＩ−Ｉ線による断面図である。
【図５】第１の実施の形態の液晶表示装置の画素部分の
等価回路図である。
【図６】第１の実施の形態の液晶表示装置において、Ｔ
ＦＴのオフ電流が１００ｐＡ、５０ｐＡ及び１０ｐＡの
ときにおけるコンデンサ容量と電圧低下との関係を示す
図である。
【図７】第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を
示す模式的断面図（その１）である。
【図８】第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を
示す模式的断面図（その２）である。
【図９】第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を
示す模式的断面図（その３）である。
【図１０】第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法
を示す模式的断面図（その４）である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態の液晶表示装置の
ＴＦＴ基板を示す上面図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態の液晶表示装置を
示す上面図である。
【図１３】本発明の第４の実施の形態の液晶表示装置の
ＴＦＴ基板を示す上面図である。
【図１４】図１３のII−II線による模式的断面図であ
る。
【図１５】第４の実施の形態の液晶表示装置の画素部分
の等価回路図である。
【図１６】第４の実施の形態の液晶表示装置をカラー液
晶表示装置に適用した例を示す平面図である。
【図１７】カラー液晶表示装置のゲートバスラインに印
加される電圧波形を示す図である。
【図１８】図１８（Ａ）はブラックマトリクスが対向基
板側に形成されている場合の層構造を示す図、図１８
（Ｂ）はブラックマトリクスがＴＦＴ基板側に形成され
ている場合の層構造を示す図、図１８（Ｃ）はブラック
マトリクスがＴＦＴ基板側及び対向基板側の両方に形成
されている場合の層構造を示す図である。
【図１９】本発明の第５の実施の形態の液晶表示装置の
ＴＦＴ基板を示す平面図である。
【図２０】図１９のIII −III 線による断面図である。
【図２１】コンデンサ電極とゲートバスラインとが完全
に重なっている場合の断面図である。
【図２２】図２２（Ａ）はコンデンサ電極の幅がゲート
バスラインの幅よりも大きい場合を示す平面図、図２２
（Ｂ）はコンデンサ電極の幅がゲートバスラインの幅よ
りも小さい場合の平面図、図２２（Ｃ）はコンデンサ電
極がゲートバスラインから一方の側に飛び出している場
合の平面図、図２２（Ｄ）はコンデンサ電極がゲートバ
スラインから他方の側に飛び出している場合の平面図で
ある。
【図２３】本発明の第６の実施の形態の液晶表示装置を
示す平面図である。
【図２４】図２３のIV−IV線による断面図である。
【図２５】画素電極とポリシリコン膜とのコンタクト部
分の拡大図である。
【図２６】ゲート層、ドレイン層及びブラックマトリク
ス層の順で形成された層構造を示す断面図である。
【図２７】ゲート層、ブラックマトリクス層及びドレイ
ン層の順で形成された層構造を示す断面図である。
【図２８】ブラックマトリクス層、ゲート層及びドレイ
ン層の順で形成された層構造を示す断面図である。
【図２９】ドレイン層、ゲート層及びブラックマトリク
ス層の順で形成された層構造を示す断面図である。
【図３０】ドレイン層、ブラックマトリクス層及びゲー
ト層の順で形成された層構造を示す断面図である。
【図３１】ブラックマトリクス層、ドレイン層及びゲー
ト層の順番で形成された層構造を示す断面図である。
【図３２】従来の液晶表示装置の一例を示す模式図であ
る。
【図３３】図３２の液晶表示装置のゲートバスライン及
びドレインバスラインに印加される電圧波形を示す図で
ある。
【図３４】液晶表示装置のＴＦＴのＩ−Ｖ特性の一例を
示す図である。
【図３５】付加容量方式の液晶表示装置の画素部分の等
価回路図である。
【図３６】従来のマルチゲートＴＦＴ構造の液晶表示装
置を示す上面図である。
【図３７】マルチゲートＴＦＴ構造の液晶表示装置の他
の例を示す上面図である。
【図３８】同じくその画素部分の等価回路図である。
【符号の説明】
１ ＴＦＴ基板 ２ 対向基板 ３ 液晶 ４ シール材 ６，１１，１０１ ガラス板 ７ 対向電極 ８ 配向膜 １２，６２，７２，１０２ ポリシリコン膜 １３ ゲート絶縁膜 １４，５４，６４，７４，１０４ ゲートバスライン １５，１７，１９，１０５，１０７ 層間絶縁膜 １５ａ〜１５ｃ，１７ａ，１０５ｂ，１０９ａ コンタ
クトホール １６，５６，６６，７６，１０６ ドレインバスライン １６ａ，１０６ａ，１０６ｄ コンデンサ電極 １８，６８，１０８ ブラックマトリクス ２０，５０，６０，１１０ 画素電極 ２１ａ，２１ｂ，４１ａ〜４１ｃ，５１，６１ａ，６１
ｂ，７１ａ〜７１ｃ，７３，１１１ａ〜１１１ｄ ＴＦ
Ｔ ３４ 金属膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉岡 浩史 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富 士通株式会社内 (72)発明者 糸数 昌史 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富 士通株式会社内 (72)発明者 森田 敬三 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富 士通株式会社内 (72)発明者 原口 宗広 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富 士通株式会社内

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の基板と、前記第１の基板に対向し
    て配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２
    の基板との間に封入された液晶とを有し、 前記第１の基板は、 第１の透明板と、 前記第１の透明板上に相互に平行に配置された複数本の
    ゲートバスラインと、 前記第１の透明板上に形成され、前記ゲートバスライン
    に立体交差する複数本のドレインバスラインと、 前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインによ
    り区画された前記第１の透明板上の各領域毎に配置され
    た画素電極と、 前記ゲートバスラインをゲート電極とし、前記画素電極
    と前記ドレインバスラインとの間に直列接続された複数
    の薄膜トランジスタと、 前記複数の薄膜トランジスタのソースとドレインとの接
    続部のいずれか１つに電気的に接続された第１の電極
    と、 前記薄膜トランジスタ及び前記第１の電極上を覆う層間
    絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に前記第１の電極に対向して配置され
    た遮光性金属膜からなる第２の電極と、 少なくとも前記複数の薄膜トランジスタのチャネル部及
    びソースとドレインとの接続部の上方に形成された遮光
    膜とを具備し、 前記第２の基板は、 第２の透明板と、 前記第２の透明板上に形成された透明導電体からなる対
    向電極とを具備することを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 前記第１の電極は前記複数の薄膜トラン
    ジスタのソースとドレインとの接続部に接続されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 前記第１の電極は、前記画素電極に接続
    されている薄膜トランジスタのドレイン側に接続されて
    いることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 前記第２の電極は液晶印加電圧に対して
    一定の電位に維持されることを特徴とする請求項１に記
    載の液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 第１の基板と、前記第１の基板に対向し
    て配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２
    の基板との間に封入された液晶とを有し、 前記第１の基板は、 第１の透明板と、 前記第１の透明板上に相互に平行に配置された複数本の
    ゲートバスラインと、 前記第１の透明板上に形成され、前記ゲートバスライン
    と立体交差する複数本のデータバスラインと、 前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインによ
    り区画される前記透明板上の各領域ごとに配置された画
    素電極と、 前記ゲートバスラインをゲート電極とし、前記画素電極
    と前記ドレインバスラインとの間に直列接続された複数
    の薄膜トランジスタと、 前記複数の薄膜トランジスタのソースのいずれか１つに
    電気的に接続された金属からなる第１の電極と、 前記第１の電極の上方又は下方に絶縁膜を介して配置さ
    れた金属膜からなる第２の電極とを具備し、 前記第２の基板は、 第２の透明板と、 前記第２の透明板上に形成され、前記第１の基板の前記
    ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインを覆う遮
    光性金属膜と、前記遮光性金属膜の上又は下に絶縁膜を
    介して配置された透明導電体からなる対向電極とを具備
    することを特徴とする液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 前記ドレインバスラインと同じ層に形成
    された中間電極を有し、前記画素電極は前記中間電極を
    介して前記薄膜トランジスタに接続されていることを特
    徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 前記第１の電極は、前記ゲートバスライ
    ンが形成された層及び前記ドレインバスラインが形成さ
    れた層の２つの層のうちのいずれか一方の層に形成さ
    れ、前記第２の電極は他方の層に形成されていることを
    特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項８】 前記ゲートバスラインと前記ドレインバ
    スラインとにより区画された領域を画素領域とし、この
    画素領域の前記ゲートバスラインの長さ方向の長さを
    ｘ、前記ドレインバスラインの長さ方向の長さをｙとし
    たときに、ｘ＞ｙであることを特徴とする請求項５に記
    載の液晶表示装置。
  9. 【請求項９】 前記ドレインバスラインの長さ方向に並
    ぶ３つの画素領域をカラー表示時の１つのドットとし、
    これら３つの画素表域のうちの１つに赤（Ｒ）のカラー
    フィルタを配置し、他の２つの画素領域のうちの１つに
    緑（Ｇ）のカラーフィルタを配置し、残りの１つの画素
    領域に青（Ｂ）のカラーフィルタを配置することを特徴
    とする請求項８に記載の液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 第１の基板と、前記第１の基板に対向
    して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第
    ２の基板との間に封入された液晶とを有し、 前記第１の基板は、 第１の透明板と、 前記第１の透明板上に相互に平行に配置された複数本の
    ゲートバスラインと、 前記第１の透明板上に形成され、前記ゲートバスライン
    と立体交差する複数本のデータバスラインと、 前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインによ
    り区画される前記透明板上の各領域ごとに配置された画
    素電極と、 前記ゲートバスラインをゲート電極とし、前記画素電極
    と前記ドレインバスラインとの間に直列接続された複数
    の薄膜トランジスタと、 少なくとも前記ゲートバスライン及び前記ドレインバス
    ラインを覆う遮光性金属膜と、 前記複数の薄膜トランジスタのソースのいずれか１つに
    電気的に接続された金属からなる第１の電極と、 前記第１の電極の層の上方又は下方に絶縁膜を介して配
    置された金属膜からなる第２の電極とを具備し、 前記第２の基板は、 第２の透明板と、 前記第２の透明板上に形成された透明導電体からなる対
    向電極とを具備することを特徴とする液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】 前記ドレインバスラインと同じ層に形
    成された中間電極を有し、前記画素電極は前記中間電極
    を介して前記薄膜トランジスタに接続されていることを
    特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
  12. 【請求項１２】 前記第１の電極は、前記ゲートバスラ
    インが形成された層、前記ドレインバスラインが形成さ
    れた層及び前記遮光性金属膜が形成された層の３つの層
    のうちのいずれか１つの層に形成され、前記第２の電極
    は残りの２つの層のうちの一方の層に形成されているこ
    とを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
  13. 【請求項１３】 前記ゲートバスラインと前記ドレイン
    バスラインとにより区画された領域を画素領域とし、こ
    の画素領域の前記ゲートバスラインの長さ方向の長さを
    ｘ、前記ドレインバスラインの長さ方向の長さをｙとし
    たときに、ｘ＞ｙであることを特徴とする請求項１０に
    記載の液晶表示装置。
  14. 【請求項１４】 前記ドレインバスラインの長さ方向に
    並ぶ３つの画素領域をカラー表示時の１つのドットと
    し、これら３つの画素表域のうちの１つに赤（Ｒ）のカ
    ラーフィルタを配置し、他の２つの画素領域のうちの１
    つに緑（Ｇ）のカラーフィルタを配置し、残りの１つの
    画素領域に青（Ｂ）のカラーフィルタを配置することを
    特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
  15. 【請求項１５】 第１の基板と、前記第１の基板に対向
    して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第
    ２の基板との間に封入された液晶とを有し、 前記第１の基板は、 第１の透明板と、 前記第１の透明板上に相互に平行に配置された複数本の
    ゲートバスラインと、 前記ゲートバスラインを覆う絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成され、前記ゲートバスラインと立体
    的に交差する複数本のドレインバスラインと、 前記ドレインバスラインと同じ層に形成されて前記ゲー
    トバスラインとともにコンデンサを構成するコンデンサ
    電極と、 前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインによ
    り区画された前記透明板上の各領域ごとに配置され、前
    記コンデンサ電極に電気的に接続された画素電極と、 前記ゲートバスラインをゲート電極とし、前記コンデン
    サ電極と前記ドレインバスラインとの間に直列接続され
    た複数の薄膜トランジスタと、 少なくとも前記ゲートバスライン及び前記ドレインバス
    ラインを覆う遮光性金属膜とを具備し、 前記第２の基板は、 第２の透明板と、 前記第２の透明板上に形成された透明導電体からなる対
    向電極とを具備することを特徴とする液晶表示装置。
  16. 【請求項１６】 前記ゲートバスラインの幅方向のエッ
    ジと前記コンデンサ電極のエッジとが、重ね合わせ保証
    最小距離以上離れていることを特徴とする請求項１５に
    記載の液晶表示装置。
  17. 【請求項１７】 前記ドレインバスラインと同じ層に形
    成されて前記コンデンサ電極に接続された中間電極を有
    し、前記画素電極は前記中間電極を介して前記薄膜トラ
    ンジスタに接続されていることを特徴とする請求項１５
    に記載の液晶表示装置。
  18. 【請求項１８】 前記ゲートバスラインと前記ドレイン
    バスラインとにより区画された領域を画素領域とし、こ
    の画素領域の前記ゲートバスラインの長さ方向の長さを
    ｘ、前記ドレインバスラインの長さ方向の長さをｙとし
    たときに、ｘ＞ｙであることを特徴とする請求項１５に
    記載の液晶表示装置。
  19. 【請求項１９】 前記ドレインバスラインの長さ方向に
    並ぶ３つの画素領域をカラー表示時の１つのドットと
    し、これら３つの画素表域のうちの１つに赤（Ｒ）のカ
    ラーフィルタを配置し、他の２つの画素領域のうちの１
    つに緑（Ｇ）のカラーフィルタを配置し、残りの１つの
    画素領域に青（Ｂ）のカラーフィルタを配置することを
    特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置。
  20. 【請求項２０】 第１の基板と、前記第１の基板に対向
    して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第
    ２の基板との間に封入された液晶とを有し、 前記第１の基板は、 第１の透明板と、 前記第１の透明板上に相互に平行に配置された複数本の
    ゲートバスラインと、 前記ゲートバスラインをゲート電極として直列接続され
    た複数のトランジスタと、 前記ゲートバスラインを覆う第１の絶縁膜と、 前記第１の絶縁膜上に形成され、前記ゲートバスライン
    と立体交差するドレインバスラインと、 前記ゲートバスラインと同じ層に形成され、前記第１の
    絶縁膜に形成された第１のコンタクトホールを介して前
    記直列接続されたトランジスタの端部に接続された第１
    の電極と、 前記ゲートバスライン及び第１の電極を覆う第２の絶縁
    膜と、 前記第２の絶縁膜上に形成され、前記ゲートバスライン
    及び前記ドレインバスラインを覆う遮光性金属膜と、 前記遮光性金属膜と同一の層に形成され、前記第２の絶
    縁膜の上方に配置されて、中央部が開口された第２の電
    極と、 前記遮光性金属膜と同一の層に形成され、前記第２の電
    極と前記遮光性金属膜とを電気的に接続する配線と、 前記遮光性金属膜及び前記第２の絶縁膜を覆う第３の絶
    縁膜と、 前記第３の絶縁膜上の前記ゲートバスライン及び前記ド
    レインバスラインにより区画された領域ごとに配置さ
    れ、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜に形成され
    た第２のコンタクトホールを介して前記第１の電極に電
    気的に接続された画素電極とを具備し、 前記第２の基板は、 第２の透明板と、 前記第２の透明板上に形成された透明導電体からなる対
    向電極とを具備することを特徴とする液晶表示装置。
  21. 【請求項２１】 前記ゲートバスラインと前記ドレイン
    バスラインとにより区画された領域を画素領域とし、こ
    の画素領域の前記ゲートバスラインの長さ方向の長さを
    ｘ、前記ドレインバスラインの長さ方向の長さをｙとし
    たときに、ｘ＞ｙであることを特徴とする請求項２０に
    記載の液晶表示装置。
  22. 【請求項２２】 前記ドレインバスラインの長さ方向に
    並ぶ３つの画素領域をカラー表示時の１つのドットと
    し、これら３つの画素表域のうちの１つに赤（Ｒ）のカ
    ラーフィルタを配置し、他の２つの画素領域のうちの１
    つに緑（Ｇ）のカラーフィルタを配置し、残りの１つの
    画素領域に青（Ｂ）のカラーフィルタを配置することを
    特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
  23. 【請求項２３】 デザインルールにより決まる前記第２
    のコンタクトホールの最小幅の１／２をＤ0 とし、前記
    第２のコンタクトホールから第２の電極の縁部までの最
    小距離をＤ1 とし、前記第２の電極の内側のエッジから
    外側のエッジまでの最小距離をＤ3 としたときに、前記
    第１の電極を、半径がＤ0 ＋Ｄ1 ＋Ｄ2 の円又はその円
    に外接する多角形とすることを特徴とする請求項２０に
    記載の液晶表示装置。
  24. 【請求項２４】 透明板上にシリコン膜を選択的に形成
    する工程と、 前記シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記透明板上に、前記ゲート絶縁膜上を通るゲートバス
    ラインを形成する工程と、 前記シリコン膜に不純物を選択的に導入し、該シリコン
    膜と前記ゲート絶縁膜及び前記ゲートバスラインとによ
    り構成され、且つ直列接続された複数の薄膜トランジス
    タを形成する工程と、 前記基板上の全面に前記薄膜トランジスタを覆う第１の
    層間絶縁膜を形成する工程と、 前記第１の層間絶縁膜に第１及び第２のコンタクトホー
    ルを選択的に形成する工程と、 前記第１の層間絶縁膜上に導電膜を形成し該導電膜をパ
    ターニングすることにより、前記第１のコンタクトホー
    ルを介して前記直列接続される複数の薄膜トランジスタ
    のうちの一端側のトランジスタに電気的に接続されたド
    レインバスラインと、第前記２のコンタクトホールを介
    して前記複数の薄膜トランジスタのソースとドレインと
    の接続部のいずれか１つに電気的に接続された第１の電
    極とを形成する工程と、 前記基板上の全面に前記ドレインバスライン及び前記第
    １の電極を覆う第２の層間絶縁膜を形成する工程と、 前記第２の層間絶縁膜上に遮光性金属膜を形成し、該遮
    光性金属膜をパターニングすることにより、前記ゲート
    バスライン及び前記ドレインバスラインの上を覆う遮光
    膜と前記第１の電極上を覆う第２の電極とを形成する工
    程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方
    法。
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