JPH1075195A - 半導体による送信−受信−切換えスイツチ - Google Patents
半導体による送信−受信−切換えスイツチInfo
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- JPH1075195A JPH1075195A JP9089851A JP8985197A JPH1075195A JP H1075195 A JPH1075195 A JP H1075195A JP 9089851 A JP9089851 A JP 9089851A JP 8985197 A JP8985197 A JP 8985197A JP H1075195 A JPH1075195 A JP H1075195A
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/74—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of diodes
- H03K17/76—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
- H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
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- Transceivers (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 接続された受信機内において有効な高周波入
力信号のレベルの低下が可能であり、その際、構成部分
の費用が初めに述べた装置に対して減少しているよう
に、半導体による送信−受信−切換えスイッチを構成す
る。 【解決手段】 送信機端子、受信機端子及びアンテナ端
子、高周波スイッチとしての半導体素子、半導体素子に
制御信号を供給するための端子が設けられており、その
際、半導体素子が、制御信号によるその制御に依存し
て、切換えるべき高周波に対してほぼオーム性の制御可
能な抵抗を形成している、送信−受信−切換えスイッチ
において、少なくとも１つの（Ｄ２、Ｄ３、Ｄ５、Ｄ
７）半導体素子が、別の半導体素子に無関係に制御可能
であるように配置が行なわれており、受信機端子（Ｒ
Ｘ）が、アンテナ端子（ＡＮＴ）に連結されていると
き、受信機端子に供給可能な高周波電力が、少なくとも
１つの半導体素子の制御によって可変である。
力信号のレベルの低下が可能であり、その際、構成部分
の費用が初めに述べた装置に対して減少しているよう
に、半導体による送信−受信−切換えスイッチを構成す
る。 【解決手段】 送信機端子、受信機端子及びアンテナ端
子、高周波スイッチとしての半導体素子、半導体素子に
制御信号を供給するための端子が設けられており、その
際、半導体素子が、制御信号によるその制御に依存し
て、切換えるべき高周波に対してほぼオーム性の制御可
能な抵抗を形成している、送信−受信−切換えスイッチ
において、少なくとも１つの（Ｄ２、Ｄ３、Ｄ５、Ｄ
７）半導体素子が、別の半導体素子に無関係に制御可能
であるように配置が行なわれており、受信機端子（Ｒ
Ｘ）が、アンテナ端子（ＡＮＴ）に連結されていると
き、受信機端子に供給可能な高周波電力が、少なくとも
１つの半導体素子の制御によって可変である。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波送信機出力
端子、受信機入力端子又はアンテナを接続する送信機端
子、受信機端子及びアンテナ端子、送信機端子からアン
テナ端子への送信路に及びアンテナ端子から受信機端子
への受信路に付属する制御可能な高周波スイッチとして
の半導体素子、半導体素子に制御信号（電流又は電圧）
を供給するための端子が設けられており、その際、半導
体素子が、制御信号によるその制御に依存して、切換え
るべき高周波に対してほぼオーム性の制御可能な抵抗を
形成している、送信−受信−切換えスイッチに関する。
端子、受信機入力端子又はアンテナを接続する送信機端
子、受信機端子及びアンテナ端子、送信機端子からアン
テナ端子への送信路に及びアンテナ端子から受信機端子
への受信路に付属する制御可能な高周波スイッチとして
の半導体素子、半導体素子に制御信号（電流又は電圧）
を供給するための端子が設けられており、その際、半導
体素子が、制御信号によるその制御に依存して、切換え
るべき高周波に対してほぼオーム性の制御可能な抵抗を
形成している、送信−受信−切換えスイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】ドイツ連邦共和国特許第３２０３９６１
号明細書によれば、電流制御されるダイオードを利用す
る送受信機（トランシーバ）のための電子−送信−受信
−切換えスイッチが公知である。このような受信切換え
スイッチを装備した送受信機において、強力な受信信号
の際に必要な高周波レベルの低下は、受信機の第１の高
周波増幅段において行なわれる。このために必要な減衰
部材に対して、ピン（ｐｉｎ）ダイオードを利用するこ
とが知られており、これらピンダイオードは、所定の高
周波、例えば１ＭＨｚより上において高周波に対して、
大体においてオーム性の抵抗を形成しており、この抵抗
は、ピンダイオードを通って流れる直流電流によって調
節することができる。ピンダイオードを通って電流が流
れない場合、これは、高周波に対して高オーム性であ
る。このような減衰部材に対して、ピンダイオードの代
わりに、ＧａＡｓ電界効果トランジスタも利用すること
ができる。
号明細書によれば、電流制御されるダイオードを利用す
る送受信機（トランシーバ）のための電子−送信−受信
−切換えスイッチが公知である。このような受信切換え
スイッチを装備した送受信機において、強力な受信信号
の際に必要な高周波レベルの低下は、受信機の第１の高
周波増幅段において行なわれる。このために必要な減衰
部材に対して、ピン（ｐｉｎ）ダイオードを利用するこ
とが知られており、これらピンダイオードは、所定の高
周波、例えば１ＭＨｚより上において高周波に対して、
大体においてオーム性の抵抗を形成しており、この抵抗
は、ピンダイオードを通って流れる直流電流によって調
節することができる。ピンダイオードを通って電流が流
れない場合、これは、高周波に対して高オーム性であ
る。このような減衰部材に対して、ピンダイオードの代
わりに、ＧａＡｓ電界効果トランジスタも利用すること
ができる。
【０００３】送信−受信−切換えスイッチとして利用す
るために考慮された高周波ダイオードスイッチは、Ｎ
ｏ．ＬＭＸ−ＰＲ−０１４なる番号を有する、ムラタ
社、マルチレイヤー・コンポーネント・デパートメン
ト、ニュー・ビジネス・デベロップメント・デビジョン
の１９９４年６月のパンフレットからも公知である。こ
の切換えスイッチは、２つのダイオード及び２つのラム
ダ／４−線路片を有し、かつ送信機、受信機及びアンテ
ナのために高周波端子が設けられており、かつその上、
２つの制御端子が設けられており、これら制御端子に、
送信の際に＋５ボルト及び０ボルトの電圧が、かつ受信
の際に０ボルト及び＋５ボルトの電圧が加えられ、その
際、送信の際に、両方のダイオードに直流電流が流さ
れ、かつそれにより送信機からアンテナへの経路が導通
し、かつ受信機の入力端子は、高周波的に短絡されてお
り、それに対して制御端子に供給される電圧の別の極性
の際、両方のダイオードはしゃ断されており、それによ
り高周波は、アンテナ端子から受信機にだけ到達するこ
とできる。
るために考慮された高周波ダイオードスイッチは、Ｎ
ｏ．ＬＭＸ−ＰＲ−０１４なる番号を有する、ムラタ
社、マルチレイヤー・コンポーネント・デパートメン
ト、ニュー・ビジネス・デベロップメント・デビジョン
の１９９４年６月のパンフレットからも公知である。こ
の切換えスイッチは、２つのダイオード及び２つのラム
ダ／４−線路片を有し、かつ送信機、受信機及びアンテ
ナのために高周波端子が設けられており、かつその上、
２つの制御端子が設けられており、これら制御端子に、
送信の際に＋５ボルト及び０ボルトの電圧が、かつ受信
の際に０ボルト及び＋５ボルトの電圧が加えられ、その
際、送信の際に、両方のダイオードに直流電流が流さ
れ、かつそれにより送信機からアンテナへの経路が導通
し、かつ受信機の入力端子は、高周波的に短絡されてお
り、それに対して制御端子に供給される電圧の別の極性
の際、両方のダイオードはしゃ断されており、それによ
り高周波は、アンテナ端子から受信機にだけ到達するこ
とできる。
【０００４】第１の受信機段の範囲における受信レベル
の低下のために、そのためとくに設けられたピンダイオ
ードの代わりに、ゲート２に制御によるデュアルゲート
ＭＯＳ−ＦＥＴを利用すること、ゲート電圧制御による
ＧａＡｓ−ＦＥＴを利用すること、動作点調節によるト
ランジスタ、又はほぼ１つ又は複数のトランジスタ段を
例えば高周波リレーを介してしゃ断し、又は切換えるこ
と（２段制御）は周知である。そのために、特別な費用
も必要である。
の低下のために、そのためとくに設けられたピンダイオ
ードの代わりに、ゲート２に制御によるデュアルゲート
ＭＯＳ−ＦＥＴを利用すること、ゲート電圧制御による
ＧａＡｓ−ＦＥＴを利用すること、動作点調節によるト
ランジスタ、又はほぼ１つ又は複数のトランジスタ段を
例えば高周波リレーを介してしゃ断し、又は切換えるこ
と（２段制御）は周知である。そのために、特別な費用
も必要である。
【０００５】周知の解決策は、追加的な回路費用の欠
点、及びこれに結び付いたコスト及び所要空間を有す
る。相互変調及び混変調による問題も生じることがあ
る。追加的な電子構成素子は、追加的な電子雑音貢献を
提供する。一層望ましい相互変調及び混変調−特性のた
めに、周知の解決策において前記の２段制御だけしか可
能でない。
点、及びこれに結び付いたコスト及び所要空間を有す
る。相互変調及び混変調による問題も生じることがあ
る。追加的な電子構成素子は、追加的な電子雑音貢献を
提供する。一層望ましい相互変調及び混変調−特性のた
めに、周知の解決策において前記の２段制御だけしか可
能でない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、接続
された受信機内において有効な高周波入力信号のレベル
の低下が可能であり、その際、構成部分の費用が初めに
述べた装置に対して減少しているように、初めに述べた
ような装置を構成することにある。
された受信機内において有効な高周波入力信号のレベル
の低下が可能であり、その際、構成部分の費用が初めに
述べた装置に対して減少しているように、初めに述べた
ような装置を構成することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、この課
題は、次のようにして解決される。すなわち少なくとも
１つの半導体素子が、別の半導体素子に無関係に制御可
能であるように配置が行なわれており、受信機端子が、
アンテナ端子に連結されているとき、受信機端子に供給
可能な高周波電力が、少なくとも１つの半導体素子の制
御によって可変である。
題は、次のようにして解決される。すなわち少なくとも
１つの半導体素子が、別の半導体素子に無関係に制御可
能であるように配置が行なわれており、受信機端子が、
アンテナ端子に連結されているとき、受信機端子に供給
可能な高周波電力が、少なくとも１つの半導体素子の制
御によって可変である。
【０００８】したがって本発明において、送信−受信−
切換えスイッチ内にいずれにせよ存在する高周波構成部
分（ピンダイオード又はガリウム−ひ素−ＦＥＴ）、又
はこれら素子のうち１つを、受信レベル低下のために利
用することが可能である。それにより周知の解決策にお
いて必要な追加的な費用は省略され、コストの節約、わ
ずかな所要空間が生じ、追加的な電子雑音貢献は生じ
ず、かつ受信機に供給されかつアンテナからでる高周波
電力の無段階の制御又は調整が、良好な相互変調及び混
変調の特性において可能である。
切換えスイッチ内にいずれにせよ存在する高周波構成部
分（ピンダイオード又はガリウム−ひ素−ＦＥＴ）、又
はこれら素子のうち１つを、受信レベル低下のために利
用することが可能である。それにより周知の解決策にお
いて必要な追加的な費用は省略され、コストの節約、わ
ずかな所要空間が生じ、追加的な電子雑音貢献は生じ
ず、かつ受信機に供給されかつアンテナからでる高周波
電力の無段階の制御又は調整が、良好な相互変調及び混
変調の特性において可能である。
【０００９】本発明は、あらゆる種類の送信−受信−切
換えスイッチに適用可能である。ピンダイオードを使用
する場合、ピンダイオードがこの周波数に対して大体に
おいてオーム性の抵抗を形成する程度に高いところにあ
る周波数を有する高周波だけが、切換えることができる
ことは明らかである。ピンダイオードの下側限界周波数
は、製造の際にドーピングによって確定される。本発明
が有利に適用される適用分野は、ＴＤＭＡ−送受信機に
ある（ＴＤＭＡ＝タイム・デビジョン・マルチプレック
ス・アクセス、時分割多重アクセス）。ＴＤＭＡ−送受
信機において、同時に送信及び受信は行なわれず、送信
又は受信が行なわれる。例えばＩＳ−５４、ＩＳ−１３
６、ＧＳＭ、ＤＣＳ１８００、ＰＤＣ、ＣＴ２／ＣＴ２
＋、ＤＥＣＴ、ＰＨＳのようなＴＤＭＡ−無線システム
の送信又は受信のタイムスロット内に、ほとんどの場合
きわめて短いタイムスロット内に、データパッケージが
送信され又は受信される。ＧＳＭ（ドイツ国においてＤ
１−／Ｄ２−網）の場合、送信され又は受信されるデー
タパッケージは、０．５７ミリ秒の長さである。動作周
波数は、ほぼ９００ＭＨｚにある。
換えスイッチに適用可能である。ピンダイオードを使用
する場合、ピンダイオードがこの周波数に対して大体に
おいてオーム性の抵抗を形成する程度に高いところにあ
る周波数を有する高周波だけが、切換えることができる
ことは明らかである。ピンダイオードの下側限界周波数
は、製造の際にドーピングによって確定される。本発明
が有利に適用される適用分野は、ＴＤＭＡ−送受信機に
ある（ＴＤＭＡ＝タイム・デビジョン・マルチプレック
ス・アクセス、時分割多重アクセス）。ＴＤＭＡ−送受
信機において、同時に送信及び受信は行なわれず、送信
又は受信が行なわれる。例えばＩＳ−５４、ＩＳ−１３
６、ＧＳＭ、ＤＣＳ１８００、ＰＤＣ、ＣＴ２／ＣＴ２
＋、ＤＥＣＴ、ＰＨＳのようなＴＤＭＡ−無線システム
の送信又は受信のタイムスロット内に、ほとんどの場合
きわめて短いタイムスロット内に、データパッケージが
送信され又は受信される。ＧＳＭ（ドイツ国においてＤ
１−／Ｄ２−網）の場合、送信され又は受信されるデー
タパッケージは、０．５７ミリ秒の長さである。動作周
波数は、ほぼ９００ＭＨｚにある。
【００１０】このような装置において例えばそれぞれ
０．５ミリ秒にわたって、送信機がアンテナに接続する
ことができ、かつ０．５ｍｓにわたって、受信機がアン
テナに接続され、かつ以下同様である。その際、切換え
スイッチを制御する制御信号が、パルス信号であるとは
いえ、これは、以下直流電流又は直流電圧信号と称す
る。なぜなら制御可能な半導体素子は、直流電圧又は直
流電流による制御の場合と著しく異なった動作をするわ
けではないからである。
０．５ミリ秒にわたって、送信機がアンテナに接続する
ことができ、かつ０．５ｍｓにわたって、受信機がアン
テナに接続され、かつ以下同様である。その際、切換え
スイッチを制御する制御信号が、パルス信号であるとは
いえ、これは、以下直流電流又は直流電圧信号と称す
る。なぜなら制御可能な半導体素子は、直流電圧又は直
流電流による制御の場合と著しく異なった動作をするわ
けではないからである。
【００１１】本発明の１つの構成において、前記両方の
半導体素子が、互いに無関係に制御可能であることが考
慮されている。このことは、通常の送信／受信切換えを
越える可能性を明らかにしている。本発明の別の構成に
おいて、制御の関係が存在する。
半導体素子が、互いに無関係に制御可能であることが考
慮されている。このことは、通常の送信／受信切換えを
越える可能性を明らかにしている。本発明の別の構成に
おいて、制御の関係が存在する。
【００１２】本発明の１つの構成において、次のことが
考慮されている。すなわち送信機端子からアンテナ端子
への高周波路及びアンテナ端子から受信機端子への高周
波路が互いに出合う分岐点への送信機端子からの高周波
路内に、第１の半導体素子が挿入接続されており、分岐
点が、直流に対して導通する高周波しゃ断器（なるべく
ラムダ／４−変成素子）を介して高周波アースに接続さ
れており、第１の半導体素子を高周波に対して導通し
（送信動作）又はしゃ断する（受信動作）ために、第１
の半導体素子に、分岐点に接続されていない第１の半導
体素子の端子を介してかつ高周波しゃ断器（ラムダ／４
−変成素子）によって、第１の制御信号が供給可能であ
り、受信機端子に第２の半導体素子が付属しており、か
つ第２の制御信号のために少なくとも１つの別の端子が
設けられており、受信機端子への高周波の供給を可能に
するため、又は阻止するため、第２の半導体素子が、こ
れに供給される第２の制御信号によって、高周波に対し
て高オーム性の又は低オーム性の状態にすることができ
るようになっており、かつ受信機端子への高周波の弱め
られた供給を可能にする状態にすることができる。
考慮されている。すなわち送信機端子からアンテナ端子
への高周波路及びアンテナ端子から受信機端子への高周
波路が互いに出合う分岐点への送信機端子からの高周波
路内に、第１の半導体素子が挿入接続されており、分岐
点が、直流に対して導通する高周波しゃ断器（なるべく
ラムダ／４−変成素子）を介して高周波アースに接続さ
れており、第１の半導体素子を高周波に対して導通し
（送信動作）又はしゃ断する（受信動作）ために、第１
の半導体素子に、分岐点に接続されていない第１の半導
体素子の端子を介してかつ高周波しゃ断器（ラムダ／４
−変成素子）によって、第１の制御信号が供給可能であ
り、受信機端子に第２の半導体素子が付属しており、か
つ第２の制御信号のために少なくとも１つの別の端子が
設けられており、受信機端子への高周波の供給を可能に
するため、又は阻止するため、第２の半導体素子が、こ
れに供給される第２の制御信号によって、高周波に対し
て高オーム性の又は低オーム性の状態にすることができ
るようになっており、かつ受信機端子への高周波の弱め
られた供給を可能にする状態にすることができる。
【００１３】このことは、受信レベルの低下を簡単に可
能にする。ラムダ／４−変成素子として、周知のように
ラムダ／４−線路片を利用することができる。高周波し
ゃ断器による制御信号の供給は、次の構成を含んでい
る。すなわち分岐点から離れた方の高周波しゃ断器の端
子が、アースに接続されており、又はコンデンサによっ
てアースから切離されて、０ボルトとは異なった一定の
動作電圧に接続されている。本発明は、とりわけ９００
ＭＨｚの周波数範囲において使用されるので、以下簡単
化のために、それより低い周波数範囲において例えばチ
ョークコイルとして構成することができる高周波しゃ断
器は、ほとんどの場合、ラムダ／４−線路と称する。
能にする。ラムダ／４−変成素子として、周知のように
ラムダ／４−線路片を利用することができる。高周波し
ゃ断器による制御信号の供給は、次の構成を含んでい
る。すなわち分岐点から離れた方の高周波しゃ断器の端
子が、アースに接続されており、又はコンデンサによっ
てアースから切離されて、０ボルトとは異なった一定の
動作電圧に接続されている。本発明は、とりわけ９００
ＭＨｚの周波数範囲において使用されるので、以下簡単
化のために、それより低い周波数範囲において例えばチ
ョークコイルとして構成することができる高周波しゃ断
器は、ほとんどの場合、ラムダ／４−線路と称する。
【００１４】本発明の構成において、制御信号の供給の
種々の可能性が明らかであり、これら構成において、第
２の半導体素子は、高周波的に受信機端子とアースの間
に接続されており、第２の半導体素子の高周波的にアー
スに接続された端子は、動作中に直流的にアースに、０
ボルトとは異なった直流電圧に、又は制御信号源に接続
されており；かつ／又はこれら構成において、第１に挙
げたラムダ／４−変成素子及び／又は別のものの高周波
的にアースに接続された端子は、動作中に直流的にアー
スに、０ボルトとは異なった直流電圧に、又は制御信号
源に接続されている。直流分離のために、必要なところ
に、コンデンサが挿入接続される。
種々の可能性が明らかであり、これら構成において、第
２の半導体素子は、高周波的に受信機端子とアースの間
に接続されており、第２の半導体素子の高周波的にアー
スに接続された端子は、動作中に直流的にアースに、０
ボルトとは異なった直流電圧に、又は制御信号源に接続
されており；かつ／又はこれら構成において、第１に挙
げたラムダ／４−変成素子及び／又は別のものの高周波
的にアースに接続された端子は、動作中に直流的にアー
スに、０ボルトとは異なった直流電圧に、又は制御信号
源に接続されている。直流分離のために、必要なところ
に、コンデンサが挿入接続される。
【００１５】本発明による送信−受信−切換えスイッチ
を装備しかつとりわけ特許請求の範囲第１０及び１１項
に記載した高周波−送信−受信装置も、本発明に属す
る。
を装備しかつとりわけ特許請求の範囲第１０及び１１項
に記載した高周波−送信−受信装置も、本発明に属す
る。
【００１６】受信機端子における高周波レベルが所定の
最大値に制限されるようにした送信−受信−切換えスイ
ッチを制御する方法も、本発明に属する。制限のため
に、高周波レベル減衰調整部が使用される。減衰なしの
受信の他に、制御電圧又は制御電流を介して調節可能な
１つの個別の減衰値（例えば−２０ｄＢ又は−３０ｄ
Ｂ）でしばしば十分である。この時必要な場合には、例
えば８０ｄＢの受信ダイナミックレンジは、減衰値だけ
広げることができる。制御電圧又は制御電流と減衰との
関係は、送信−受信−切換えスイッチのアンテナ端子に
おける受信高周波レベルを高周波−送信−受信装置によ
って検出できるようにするために、正確にわかっていな
ければならない。
最大値に制限されるようにした送信−受信−切換えスイ
ッチを制御する方法も、本発明に属する。制限のため
に、高周波レベル減衰調整部が使用される。減衰なしの
受信の他に、制御電圧又は制御電流を介して調節可能な
１つの個別の減衰値（例えば−２０ｄＢ又は−３０ｄ
Ｂ）でしばしば十分である。この時必要な場合には、例
えば８０ｄＢの受信ダイナミックレンジは、減衰値だけ
広げることができる。制御電圧又は制御電流と減衰との
関係は、送信−受信−切換えスイッチのアンテナ端子に
おける受信高周波レベルを高周波−送信−受信装置によ
って検出できるようにするために、正確にわかっていな
ければならない。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明のその他の特徴及び利点
は、本発明にとって重要な詳細を示した図面による本発
明の実施例の説明、及び特許請求の範囲から明らかであ
る。個々の特徴は、それぞれそれ自体個別的に又は複数
を任意の組合せで、本発明の構成の際に実現することが
できる。
は、本発明にとって重要な詳細を示した図面による本発
明の実施例の説明、及び特許請求の範囲から明らかであ
る。個々の特徴は、それぞれそれ自体個別的に又は複数
を任意の組合せで、本発明の構成の際に実現することが
できる。
【００１８】すべての図においてアンテナを接続するた
めに設けられた送信−受信−切換えスイッチのアンテナ
端子は、ＡＮＴによって示されており、受信機入力端子
のために設けられた受信機端子は、ＲＸで、かつ送信機
出力端子のために設けられた送信機端子は、ＴＸで示さ
れている。装置は、大体において狭帯域の用途に対して
図示されているので、図示されたすべての装置に設けら
れたラムダ／４−線路片は、高周波の興味ある範囲全体
においてその重要な変成特性を有し、すなわちとりわけ
それぞれのラムダ／４−線路の入力端子におけるきわめ
て高い抵抗への入力端子における短絡の変成を示す。ラ
ムダ／４−線路片は、満たされた四角形要素として図示
されており、かつそれぞれラムダ／４で示されている。
めに設けられた送信−受信−切換えスイッチのアンテナ
端子は、ＡＮＴによって示されており、受信機入力端子
のために設けられた受信機端子は、ＲＸで、かつ送信機
出力端子のために設けられた送信機端子は、ＴＸで示さ
れている。装置は、大体において狭帯域の用途に対して
図示されているので、図示されたすべての装置に設けら
れたラムダ／４−線路片は、高周波の興味ある範囲全体
においてその重要な変成特性を有し、すなわちとりわけ
それぞれのラムダ／４−線路の入力端子におけるきわめ
て高い抵抗への入力端子における短絡の変成を示す。ラ
ムダ／４−線路片は、満たされた四角形要素として図示
されており、かつそれぞれラムダ／４で示されている。
【００１９】図５による周知の装置において、送信機端
子ＴＸは、高周波結合コンデンサＣ１を介して結合点に
接続されており、この結合点は、一方においてラムダ／
４−線路Ｌ１及びコンデンサＣ２を介してアースに接続
されており、他方において第１のピンダイオードＤ１の
アノードに接続されており、このピンダイオードのカソ
ードは、分岐点Ｐに接続されており、この分岐点は、一
方において結合コンデンサＣ３を介してアンテナ端子Ａ
ＮＴに接続されており、他方においてラムダ／４−線路
Ｌ２を介して結合点Ｑに接続されており、この結合点
は、一方において結合コンデンサＣ４を介して受信機端
子ＲＸに、かつ他方において第２のピンダイオードＤ２
のアノードに接続されており、このピンダイオードのカ
ソードは、アースに接続されている。コンデンサＣ２と
ラムダ／４−線路Ｌ１の結合点は、電流制限のために使
われるオーム性抵抗Ｒを介して、正の極性を有する制御
電圧源ＶＣ１に接続可能であり、この制御電圧源の他方
の端子は、アースに接続されている。抵抗Ｒに制御電圧
ＶＣ１が加わると、両方のピンダイオードＤ１及びＤ２
に、直流電流が導通方向に流れる。この時、両方のピン
ダイオードは、高周波に対して小さな抵抗を有する。そ
れ故に高周波に対して、送信機端子からアンテナ端子に
経路が空けられる。しかし他方において受信機端子ＲＸ
とアースの間にほとんど短絡が存在するので、高周波
は、第２のラムダ／４−線路Ｌ２のブロックによって
も、アンテナから受信機端子に達することはできない。
子ＴＸは、高周波結合コンデンサＣ１を介して結合点に
接続されており、この結合点は、一方においてラムダ／
４−線路Ｌ１及びコンデンサＣ２を介してアースに接続
されており、他方において第１のピンダイオードＤ１の
アノードに接続されており、このピンダイオードのカソ
ードは、分岐点Ｐに接続されており、この分岐点は、一
方において結合コンデンサＣ３を介してアンテナ端子Ａ
ＮＴに接続されており、他方においてラムダ／４−線路
Ｌ２を介して結合点Ｑに接続されており、この結合点
は、一方において結合コンデンサＣ４を介して受信機端
子ＲＸに、かつ他方において第２のピンダイオードＤ２
のアノードに接続されており、このピンダイオードのカ
ソードは、アースに接続されている。コンデンサＣ２と
ラムダ／４−線路Ｌ１の結合点は、電流制限のために使
われるオーム性抵抗Ｒを介して、正の極性を有する制御
電圧源ＶＣ１に接続可能であり、この制御電圧源の他方
の端子は、アースに接続されている。抵抗Ｒに制御電圧
ＶＣ１が加わると、両方のピンダイオードＤ１及びＤ２
に、直流電流が導通方向に流れる。この時、両方のピン
ダイオードは、高周波に対して小さな抵抗を有する。そ
れ故に高周波に対して、送信機端子からアンテナ端子に
経路が空けられる。しかし他方において受信機端子ＲＸ
とアースの間にほとんど短絡が存在するので、高周波
は、第２のラムダ／４−線路Ｌ２のブロックによって
も、アンテナから受信機端子に達することはできない。
【００２０】接続端子ＶＣ１に制御電圧が加わらない場
合（ＶＣ１＝０ボルト）、両方のピンダイオードは、高
周波に対して高オーム性なので、一方において送信機端
子からアンテナ端子への経路はしゃ断されており、かつ
他方においてアンテナ端子から受信機端子への経路は、
高周波に対して空いている。受信機端子ＲＸに接続され
た受信機の入力インピーダンスは、一般に利用される高
周波線路の特性インピーダンスに相当する。両方のピン
ダイオードＤ１及びＤ２は、同時に高オーム性と低オー
ム性の状態の間において切換えられる。
合（ＶＣ１＝０ボルト）、両方のピンダイオードは、高
周波に対して高オーム性なので、一方において送信機端
子からアンテナ端子への経路はしゃ断されており、かつ
他方においてアンテナ端子から受信機端子への経路は、
高周波に対して空いている。受信機端子ＲＸに接続され
た受信機の入力インピーダンスは、一般に利用される高
周波線路の特性インピーダンスに相当する。両方のピン
ダイオードＤ１及びＤ２は、同時に高オーム性と低オー
ム性の状態の間において切換えられる。
【００２１】それに対して本発明の重要な特徴は、受信
機入力端子に付属するピンダイオード、又は一般に受信
機入力端子に付属の高周波に対して切換え可能なオーム
性抵抗を形成する半導体構成素子（例えばＧａＡＳ−Ｆ
ＥＴ）が、切換えスイッチを受信動作に切換えた際に入
力信号が弱い場合、アンテナ端子から到来する高周波電
力をできるだけ減衰させずに、受信機端子に供給する
が、アンテナによって受信された高周波が支障ない処理
のために高すぎるレベルを有する場合、受信機端子に付
属の制御可能な半導体素子のオーム性抵抗を変化するこ
とによって、受信機端子に供給される高周波電力を減少
することができるように構成されている点にあり；しか
しながらその際、受信機端子への高周波の供給は、通常
完全に抑圧されるわけではない。
機入力端子に付属するピンダイオード、又は一般に受信
機入力端子に付属の高周波に対して切換え可能なオーム
性抵抗を形成する半導体構成素子（例えばＧａＡＳ−Ｆ
ＥＴ）が、切換えスイッチを受信動作に切換えた際に入
力信号が弱い場合、アンテナ端子から到来する高周波電
力をできるだけ減衰させずに、受信機端子に供給する
が、アンテナによって受信された高周波が支障ない処理
のために高すぎるレベルを有する場合、受信機端子に付
属の制御可能な半導体素子のオーム性抵抗を変化するこ
とによって、受信機端子に供給される高周波電力を減少
することができるように構成されている点にあり；しか
しながらその際、受信機端子への高周波の供給は、通常
完全に抑圧されるわけではない。
【００２２】図示した例において、かつ従来の技術にお
いても、受信機端子に付属の半導体素子は、これに対し
て並列に接続されている。この場合、本発明によれば、
受信レベルの制御又は調整のために制御可能な半導体素
子は、アンテナ信号が強すぎる場合に、そのオーム性抵
抗が、きわめて高いオーム性の値から出発して小さくな
るが、通常値０を採ることがないように、制御される。
いても、受信機端子に付属の半導体素子は、これに対し
て並列に接続されている。この場合、本発明によれば、
受信レベルの制御又は調整のために制御可能な半導体素
子は、アンテナ信号が強すぎる場合に、そのオーム性抵
抗が、きわめて高いオーム性の値から出発して小さくな
るが、通常値０を採ることがないように、制御される。
【００２３】アンテナ端子から受信機端子への高周波の
経路内に、制御可能な半導体素子が直列に配置されてい
る、本発明の構成も考えることができる。このような場
合、アンテナから到来する高周波レベルが高すぎる場
合、この半導体素子のオーム性抵抗は、きわめて小さい
値から出発して増大されるが、通常しゃ断状態に対して
特徴的な極端に高い値には達しない。このような場合、
アンテナ端子と受信機端子との間にあるラムダ／４−線
路を、きわめて短い線路片に又はラムダ／２線路に置き
換えるようにすることは、明らかである。
経路内に、制御可能な半導体素子が直列に配置されてい
る、本発明の構成も考えることができる。このような場
合、アンテナから到来する高周波レベルが高すぎる場
合、この半導体素子のオーム性抵抗は、きわめて小さい
値から出発して増大されるが、通常しゃ断状態に対して
特徴的な極端に高い値には達しない。このような場合、
アンテナ端子と受信機端子との間にあるラムダ／４−線
路を、きわめて短い線路片に又はラムダ／２線路に置き
換えるようにすることは、明らかである。
【００２４】図１に示した装置において送信−受信−切
換えスイッチは、図５に示した構成素子を有するが、第
２のピンダイオードが逆極性になっており、かつ異なっ
た参照符号Ｄ３で示されているという相違点を有する。
ラムダ／４−線路も、異なっているように示されてい
る。分岐点Ｐは、ラムダ／４−線路Ｌ３を介してアース
に接続されている。図５のラムダ／４−線路Ｌ１は、こ
こでは別のラムダ／４−線路Ｌ４として示されており、
図５のラムダ／４−線路Ｌ２は、ラムダ／４−線路Ｌ５
として示されている。ラムダ／４−線路Ｌ３は、ピンダ
イオードを制御するための２つの切離された直流路を提
供するために設けられている。これらは、別の適当な高
周波しゃ断器によって形成してもよい。ダイオードＤ３
のアノードは、一方においてコンデンサＣ５を介してア
ースに、かつ他方において抵抗Ｒを介して給電電圧源の
ための端子ＶＣ２に接続されている。端子ＶＣ１及びＶ
Ｃ２に接続可能な給電電圧源は、そのそれぞれ異なった
極性によって、アースに接続される。次の接続可能性が
与えられる：
換えスイッチは、図５に示した構成素子を有するが、第
２のピンダイオードが逆極性になっており、かつ異なっ
た参照符号Ｄ３で示されているという相違点を有する。
ラムダ／４−線路も、異なっているように示されてい
る。分岐点Ｐは、ラムダ／４−線路Ｌ３を介してアース
に接続されている。図５のラムダ／４−線路Ｌ１は、こ
こでは別のラムダ／４−線路Ｌ４として示されており、
図５のラムダ／４−線路Ｌ２は、ラムダ／４−線路Ｌ５
として示されている。ラムダ／４−線路Ｌ３は、ピンダ
イオードを制御するための２つの切離された直流路を提
供するために設けられている。これらは、別の適当な高
周波しゃ断器によって形成してもよい。ダイオードＤ３
のアノードは、一方においてコンデンサＣ５を介してア
ースに、かつ他方において抵抗Ｒを介して給電電圧源の
ための端子ＶＣ２に接続されている。端子ＶＣ１及びＶ
Ｃ２に接続可能な給電電圧源は、そのそれぞれ異なった
極性によって、アースに接続される。次の接続可能性が
与えられる：
【００２５】制御電圧ＶＣ１及びＶＣ２、正（例えば＋
５ボルト）：両方のピンダイオードＤ１及びＤ３に、直
流電流が流れる。図５により説明したように、それによ
り切換えスイッチは、送信動作に切換えられている。
５ボルト）：両方のピンダイオードＤ１及びＤ３に、直
流電流が流れる。図５により説明したように、それによ
り切換えスイッチは、送信動作に切換えられている。
【００２６】ＶＣ１、０ボルト、ＶＣ２、０ボルト：両
方のピンダイオードＤ１及びＤ３に、直流電流は流れ
ず、それ故に高周波に対して有効なその抵抗は、きわめ
て大きく、このことは、切換えスイッチが受信に切換え
られている図５により説明した状態に相当する。
方のピンダイオードＤ１及びＤ３に、直流電流は流れ
ず、それ故に高周波に対して有効なその抵抗は、きわめ
て大きく、このことは、切換えスイッチが受信に切換え
られている図５により説明した状態に相当する。
【００２７】制御電圧ＶＣ１、０ボルト、ＶＣ２、正で
あるが、切換えスイッチを送信動作に切換える場合より
低い：ここでは切換えスイッチは、受信動作に切換えら
れているが、受信機端子ＲＸに、アンテナから到来した
全部の高周波電力が供給されるわけではない。なぜなら
ピンダイオードＤ３のオーム性抵抗は、高周波電力のか
なりの部分をアースにそらし、又はＤ３内において熱に
変換する程度に小さく、他方においてすべての高周波が
受信機端子に達することができるほど大きくないからで
ある。
あるが、切換えスイッチを送信動作に切換える場合より
低い：ここでは切換えスイッチは、受信動作に切換えら
れているが、受信機端子ＲＸに、アンテナから到来した
全部の高周波電力が供給されるわけではない。なぜなら
ピンダイオードＤ３のオーム性抵抗は、高周波電力のか
なりの部分をアースにそらし、又はＤ３内において熱に
変換する程度に小さく、他方においてすべての高周波が
受信機端子に達することができるほど大きくないからで
ある。
【００２８】図１においてブロック回路図として、なお
送信−受信−装置の、例えば１つのハウジング１０内に
収容された無線電話の本発明の理解のために重要な部分
が示されている。ハウジング１０は、大幅に簡略化した
図１において装置の実際の形を示していない。ハウジン
グ１０内にマイクロホン１２が配置されており、このマ
イクロホンは、利用者から出る通話信号を送信部分１４
（増幅器及び送信機装置）によって増幅し、かつ適当に
変調された高周波に変換し、この高周波は、線路を介し
て送信機端子ＴＸに供給することができる。受信機端子
ＲＸは、線路を介して受信部分１６（受信増幅器及び復
調器及び低周波増幅器）の入力端子に接続されており、
この受信部分は、データパッケージの適当な復調を介し
て拡声器又は受話器１８に供給を行ない、この拡声器又
は受話器において利用者は、耳により受信された情報を
知覚することができる。受信部分１６は、明確にするた
めに装置部分１６の外側に図示した装置２０を有し、こ
の装置は、アンテナから出て受信機端子ＲＸに供給され
た高周波信号のレベルに対する尺度である出方信号を供
給する。装置２０の出力信号は、制御装置２２に供給さ
れ、この制御装置は、クロック信号発生器を含み、この
クロック信号発生器は、初めに説明したように常に送信
状態と受信状態との間において送信−受信−切換えスイ
ッチを切換え、かつその上受信状態において、装置２０
から供給される出力信号に依存して、高周波信号のそれ
ぞれ必要な減衰のために不可欠な大きさの電圧を端子Ｖ
Ｃ２に供給する。
送信−受信−装置の、例えば１つのハウジング１０内に
収容された無線電話の本発明の理解のために重要な部分
が示されている。ハウジング１０は、大幅に簡略化した
図１において装置の実際の形を示していない。ハウジン
グ１０内にマイクロホン１２が配置されており、このマ
イクロホンは、利用者から出る通話信号を送信部分１４
（増幅器及び送信機装置）によって増幅し、かつ適当に
変調された高周波に変換し、この高周波は、線路を介し
て送信機端子ＴＸに供給することができる。受信機端子
ＲＸは、線路を介して受信部分１６（受信増幅器及び復
調器及び低周波増幅器）の入力端子に接続されており、
この受信部分は、データパッケージの適当な復調を介し
て拡声器又は受話器１８に供給を行ない、この拡声器又
は受話器において利用者は、耳により受信された情報を
知覚することができる。受信部分１６は、明確にするた
めに装置部分１６の外側に図示した装置２０を有し、こ
の装置は、アンテナから出て受信機端子ＲＸに供給され
た高周波信号のレベルに対する尺度である出方信号を供
給する。装置２０の出力信号は、制御装置２２に供給さ
れ、この制御装置は、クロック信号発生器を含み、この
クロック信号発生器は、初めに説明したように常に送信
状態と受信状態との間において送信−受信−切換えスイ
ッチを切換え、かつその上受信状態において、装置２０
から供給される出力信号に依存して、高周波信号のそれ
ぞれ必要な減衰のために不可欠な大きさの電圧を端子Ｖ
Ｃ２に供給する。
【００２９】制御装置２２は、分離した制御線によって
端子ＶＣ１及びＶＣ２に接続されており、かつその上ア
ースに接続されているので、この制御装置は、送信一受
信−切換えスイッチに切離された２つの制御電圧を供給
することができる。
端子ＶＣ１及びＶＣ２に接続されており、かつその上ア
ースに接続されているので、この制御装置は、送信一受
信−切換えスイッチに切離された２つの制御電圧を供給
することができる。
【００３０】送信側のラムダ／４−線路は、直流を通す
高周波しゃ断器として使われるだけであるが、一方受信
側のラムダ／４−線路において、その周知の変成特性
は、従来の技術におけるように、種々の終端抵抗のため
に利用される。
高周波しゃ断器として使われるだけであるが、一方受信
側のラムダ／４−線路において、その周知の変成特性
は、従来の技術におけるように、種々の終端抵抗のため
に利用される。
【００３１】図１による装置において、制御電圧ＶＣ１
及びＶＣ２は、アースに対して正であるが、一方図２に
示した装置は、制御電圧ＶＣ１及びＶＣ２が、ここでは
参照符号Ｄ４及びＤ５を有する相応するピンダイオード
に導通方向に電流を加えようとするとき、負でなければ
ならないように変更されている。ここでは図１に対する
変更において、アンテナ端子ＡＮＴから離れた方のラム
ダ／４−線路Ｌ３の端子は、直流的にアースに接続され
ているのではなく、コンデンサＣ６を介して高周波的に
アースに接続されており、かつ今述べたラムダ／４−線
路Ｌ３の端子に、正の動作電圧が接続可能である。端子
ＶＣ１及びＶＣ２に供給される制御電圧は、この時、相
応するピンダイオードＤ４及びＤ５に導通電流を加える
ために、アースに対して負であることができるが、又は
これら制御電圧は、アースに対して正であることができ
るが、ラムダ／４−線路Ｌ３に供給される正の直流電圧
（動作電圧）に対して低いので、この場合にも、ダイオ
ードＤ４及びＤ５を通って直流電流が流れる。ここでも
端子ＶＣ１とＶＣ２に適当な電圧を加えることによっ
て、送信動作と受信動作の間において切換えを行なうこ
とができ、かつ受信動作において高周波に対して有効な
ダイオードＤ５のオーム性抵抗は、受信機端子ＲＸに供
給される高周波信号を減衰するために、きわめて高い値
から出発して、低い値の方向に変化することができる。
及びＶＣ２は、アースに対して正であるが、一方図２に
示した装置は、制御電圧ＶＣ１及びＶＣ２が、ここでは
参照符号Ｄ４及びＤ５を有する相応するピンダイオード
に導通方向に電流を加えようとするとき、負でなければ
ならないように変更されている。ここでは図１に対する
変更において、アンテナ端子ＡＮＴから離れた方のラム
ダ／４−線路Ｌ３の端子は、直流的にアースに接続され
ているのではなく、コンデンサＣ６を介して高周波的に
アースに接続されており、かつ今述べたラムダ／４−線
路Ｌ３の端子に、正の動作電圧が接続可能である。端子
ＶＣ１及びＶＣ２に供給される制御電圧は、この時、相
応するピンダイオードＤ４及びＤ５に導通電流を加える
ために、アースに対して負であることができるが、又は
これら制御電圧は、アースに対して正であることができ
るが、ラムダ／４−線路Ｌ３に供給される正の直流電圧
（動作電圧）に対して低いので、この場合にも、ダイオ
ードＤ４及びＤ５を通って直流電流が流れる。ここでも
端子ＶＣ１とＶＣ２に適当な電圧を加えることによっ
て、送信動作と受信動作の間において切換えを行なうこ
とができ、かつ受信動作において高周波に対して有効な
ダイオードＤ５のオーム性抵抗は、受信機端子ＲＸに供
給される高周波信号を減衰するために、きわめて高い値
から出発して、低い値の方向に変化することができる。
【００３２】図２による装置において、ピンダイオード
Ｄ４及びＤ５は、それぞれ図１による装置と比較して逆
極性になっている。
Ｄ４及びＤ５は、それぞれ図１による装置と比較して逆
極性になっている。
【００３３】図３による装置において、ピンダイオード
Ｄ１及びＤ２は、図５による周知の装置におけるような
極性になっており、第１の制御電圧ＶＣ１による給電可
能性を有する別のラムダ／４−線路Ｌ４の配線は、同様
に図５と一致しているが、ここでも図１及び２と一致し
て、ラムダ／４−線路Ｌ３が設けられており、このラム
ダ／４−線路は、分岐点Ｐ（ラムダ／４−線路Ｌ５及び
アンテナ結合コンデンサＣ３とダイオードＤ１の結合
点）に接続されている。ラムダ／４−線路Ｌ３の他方の
端子に、図２の際と同様に、コンデンサＣ６によってア
ースから直流的に切離されて端子ＶＣ２が設けられてお
り、この端子は、抵抗Ｒを介して線路Ｌ３の下側の端子
に電流を供給することができる。電圧ＶＣ１が正であ
り、かつ電圧ＶＣ２が０ボルトであるとき、両方のダイ
オードＤ１及びＤ２に直流電流が流れ、かつ装置は、す
でに説明したように、送信動作に切換えられている。電
圧ＶＣ１が０ボルトであり、かつ電圧ＶＣ２が同様に０
ボルトである場合、装置は、受信動作に切換えられてお
り、その際、アンテナから受信機端子ＥＸに流れる高周
波電力は、減衰されていない。このとき、制御電圧ＶＣ
２が、正の方向に増大すると、受信機端子ＲＸに付属の
ダイオードＤ２を通って、ゼロから上昇する直流電流が
流れ、この直流電流は、このダイオードのオーム性抵抗
を小さな値の方向に変化させ、かつそれにより受信機端
子ＲＸにおいて得られる高周波電力が減少する。
Ｄ１及びＤ２は、図５による周知の装置におけるような
極性になっており、第１の制御電圧ＶＣ１による給電可
能性を有する別のラムダ／４−線路Ｌ４の配線は、同様
に図５と一致しているが、ここでも図１及び２と一致し
て、ラムダ／４−線路Ｌ３が設けられており、このラム
ダ／４−線路は、分岐点Ｐ（ラムダ／４−線路Ｌ５及び
アンテナ結合コンデンサＣ３とダイオードＤ１の結合
点）に接続されている。ラムダ／４−線路Ｌ３の他方の
端子に、図２の際と同様に、コンデンサＣ６によってア
ースから直流的に切離されて端子ＶＣ２が設けられてお
り、この端子は、抵抗Ｒを介して線路Ｌ３の下側の端子
に電流を供給することができる。電圧ＶＣ１が正であ
り、かつ電圧ＶＣ２が０ボルトであるとき、両方のダイ
オードＤ１及びＤ２に直流電流が流れ、かつ装置は、す
でに説明したように、送信動作に切換えられている。電
圧ＶＣ１が０ボルトであり、かつ電圧ＶＣ２が同様に０
ボルトである場合、装置は、受信動作に切換えられてお
り、その際、アンテナから受信機端子ＥＸに流れる高周
波電力は、減衰されていない。このとき、制御電圧ＶＣ
２が、正の方向に増大すると、受信機端子ＲＸに付属の
ダイオードＤ２を通って、ゼロから上昇する直流電流が
流れ、この直流電流は、このダイオードのオーム性抵抗
を小さな値の方向に変化させ、かつそれにより受信機端
子ＲＸにおいて得られる高周波電力が減少する。
【００３４】図４による装置において、ここでは参照符
号Ｄ６及びＤ７によって示されたピンダイオードは、図
３による装置と比較して逆極性になっている。受信機端
子への高周波信号路から離れた方のダイオードＤ７のア
ノードは、コンデンサＣ５によってアースから切離され
ており、かつこのアノードに正の給電電圧が接続可能で
ある。高周波路から離れた方のラムダ／４−線路Ｌ３及
びＬ４の端子は、図３による装置の場合と同じ構成素子
によって配線されているが、図４に設けられた制御端子
ＶＣ１及びＶＣ２におけるものは、例えば次のように選
択される：
号Ｄ６及びＤ７によって示されたピンダイオードは、図
３による装置と比較して逆極性になっている。受信機端
子への高周波信号路から離れた方のダイオードＤ７のア
ノードは、コンデンサＣ５によってアースから切離され
ており、かつこのアノードに正の給電電圧が接続可能で
ある。高周波路から離れた方のラムダ／４−線路Ｌ３及
びＬ４の端子は、図３による装置の場合と同じ構成素子
によって配線されているが、図４に設けられた制御端子
ＶＣ１及びＶＣ２におけるものは、例えば次のように選
択される：
【００３５】送信動作のため、制御端子ＶＣ１に供給さ
れる制御電圧は、ダイオードＤ７のアノードに供給され
る電圧に対して負の値の方向に、両方のダイオードＤ６
及びＤ７が利用された高周波に対して低オーム性の状態
を有する程度だけ多い値を持たなければならない。
れる制御電圧は、ダイオードＤ７のアノードに供給され
る電圧に対して負の値の方向に、両方のダイオードＤ６
及びＤ７が利用された高周波に対して低オーム性の状態
を有する程度だけ多い値を持たなければならない。
【００３６】端子ＲＸに供給される高周波電力の減衰の
ない受信動作のため、例えば両方の端子ＶＣ１及びＶＣ
２は、給電電圧源から切離されるので、ダイオードＤ６
及びＤ７を通って直流電流が流れることは、不可能であ
る。減衰を有する受信動作のため、例えば制御端子ＶＣ
１が、給電電圧源から切離されるので、ダイオードＤ６
を通って直流電流が流れることはできず、かつそれ故に
このダイオードは、高周波に対してしゃ断されており、
かつ端子ＶＣ２に、一方においてダイオードＤ７を通っ
て高周波電力がアースにそらされるが、他方においてな
お電力が受信機端子ＲＸにおいて得られる程度に小さい
直流電流が、このダイオードＤ７を通って流れるような
電圧が供給される。
ない受信動作のため、例えば両方の端子ＶＣ１及びＶＣ
２は、給電電圧源から切離されるので、ダイオードＤ６
及びＤ７を通って直流電流が流れることは、不可能であ
る。減衰を有する受信動作のため、例えば制御端子ＶＣ
１が、給電電圧源から切離されるので、ダイオードＤ６
を通って直流電流が流れることはできず、かつそれ故に
このダイオードは、高周波に対してしゃ断されており、
かつ端子ＶＣ２に、一方においてダイオードＤ７を通っ
て高周波電力がアースにそらされるが、他方においてな
お電力が受信機端子ＲＸにおいて得られる程度に小さい
直流電流が、このダイオードＤ７を通って流れるような
電圧が供給される。
【００３７】実施例において示した本発明によるすべて
の装置において、ダイオードは、ピンダイオードによっ
て形成されている。その代わりに、利用された高周波に
対して制御可能なオーム性抵抗として使用することがで
きるその他の半導体構成素子、とくにＧａＡｓ−電界効
果トランジスタも利用することができる。
の装置において、ダイオードは、ピンダイオードによっ
て形成されている。その代わりに、利用された高周波に
対して制御可能なオーム性抵抗として使用することがで
きるその他の半導体構成素子、とくにＧａＡｓ−電界効
果トランジスタも利用することができる。
【００３８】図１ないし４による本発明による実施例に
おいて、前記の値とは相違した制御電流又は制御電圧を
適当に選択することによって、高周波が、直接送信機端
子から受信機端子に到達することができるようにするこ
とが可能である。このことは、おそらく受信部分に対し
て有害ではないときでさえ、ほとんどの場合負所望であ
り、かつそれ故に回路の、とくに制御装置２２の適当な
構成によって避けるようにする。しかしこの可能性を利
用することは、個々の場合において、例えばテストの目
的に対して、有用であることがある。例えば装置はテス
トボタンを有することができ、このテストボタンは、装
置内に発生された高周波電力のレベルを極端に大幅に低
下させ、かつそれから受信機端子への導通接続を引起こ
す。利用者又はサービス技術者は、このようにして、独
立した測定装置なしでさえ装置において、送信部分及び
受信部分の動作能力を大雑把に判定することが可能であ
るようにすることができる。
おいて、前記の値とは相違した制御電流又は制御電圧を
適当に選択することによって、高周波が、直接送信機端
子から受信機端子に到達することができるようにするこ
とが可能である。このことは、おそらく受信部分に対し
て有害ではないときでさえ、ほとんどの場合負所望であ
り、かつそれ故に回路の、とくに制御装置２２の適当な
構成によって避けるようにする。しかしこの可能性を利
用することは、個々の場合において、例えばテストの目
的に対して、有用であることがある。例えば装置はテス
トボタンを有することができ、このテストボタンは、装
置内に発生された高周波電力のレベルを極端に大幅に低
下させ、かつそれから受信機端子への導通接続を引起こ
す。利用者又はサービス技術者は、このようにして、独
立した測定装置なしでさえ装置において、送信部分及び
受信部分の動作能力を大雑把に判定することが可能であ
るようにすることができる。
【００３９】本発明にとって、ダイオードＤ１及びラム
ダ／４−線路Ｌ４が、図示したように送信部分１４の外
にあることは、不可欠というわけではない。送信部分１
４が、送信間隔において送信部分内に配置されたダイオ
ードＤ１に相当するスイッチを導通制御するか、又は図
１ないし４におけるダイオードＤ１に直流電圧を供給す
るように構成されている場合、このような装置は、同様
に動作することができ、かつこれにおいても送信−受信
−切換えスイッチが存在するので、本発明に属する。
ダ／４−線路Ｌ４が、図示したように送信部分１４の外
にあることは、不可欠というわけではない。送信部分１
４が、送信間隔において送信部分内に配置されたダイオ
ードＤ１に相当するスイッチを導通制御するか、又は図
１ないし４におけるダイオードＤ１に直流電圧を供給す
るように構成されている場合、このような装置は、同様
に動作することができ、かつこれにおいても送信−受信
−切換えスイッチが存在するので、本発明に属する。
【図１】両方のピンダイオードの完全に切離された制御
能力を有する本発明による送信−受信−切換えスイッチ
を備えた本発明による送信−受信−装置の、一部ブロッ
ク回路図として示す概略回路図である。
能力を有する本発明による送信−受信−切換えスイッチ
を備えた本発明による送信−受信−装置の、一部ブロッ
ク回路図として示す概略回路図である。
【図２】わずかだけ変形された送信−受信−装置におい
て使用可能な、両方のピンダイオードの完全に切離され
た制御能力を有する送信−受信−切換えスイッチの第２
の構成を示す図である。
て使用可能な、両方のピンダイオードの完全に切離され
た制御能力を有する送信−受信−切換えスイッチの第２
の構成を示す図である。
【図３】段階的な制御能力を有する送信−受信−切換え
スイッチの第３の実施例を示す図である。
スイッチの第３の実施例を示す図である。
【図４】同様に段階的な制御能力を有する送信−受信−
切換えスイッチの第４の実施例を示す図である。
切換えスイッチの第４の実施例を示す図である。
【図５】送信−受信−切換えスイッチの周知の回路を示
す図である。
す図である。
ＴＸ 送信機端子、 ＲＸ 受信機端子、 ＡＮＴ アンテナ端子、 Ｄ ダイオード、 Ｐ 分岐点、 Ｌ ラムダ／４−変成素子、 １６ 受信部分、 ２０ 装置
Claims (14)
- 【請求項１】 高周波送信機出力端子、受信機入力端子
又はアンテナを接続する送信機端子、受信機端子及びア
ンテナ端子、送信機端子からアンテナ端子への送信路に
及びアンテナ端子から受信機端子への受信路に付属する
制御可能な高周波スイッチとしての半導体素子、半導体
素子に制御信号（電流又は電圧）を供給するための端子
が設けられており、その際、半導体素子が、制御信号に
よるその制御に依存して、切換えるべき高周波に対して
ほぼオーム性の制御可能な抵抗を形成している、送信−
受信−切換えスイッチにおいて、少なくとも１つの（Ｄ
２、Ｄ３、Ｄ５、Ｄ７）半導体素子が、別の半導体素子
に無関係に制御可能であるように配置が行なわれてお
り、受信機端子（ＲＸ）が、アンテナ端子（ＡＮＴ）に
連結されているとき、受信機端子に供給可能な高周波電
力が、少なくとも１つの半導体素子の制御によって可変
であることを特徴とする、送信−受信−切換えスイッ
チ。 - 【請求項２】 前記両方の半導体素子が、互いに無関係
に制御可能であることを特徴とする、請求項１記載の送
信−受信−切換えスイッチ。 - 【請求項３】 送信機端子からアンテナ端子への高周波
路及びアンテナ端子から受信機端子への高周波路が互い
に出合う分岐点（Ｐ）への送信機端子からの高周波路内
に、第１の半導体素子（Ｄ１、Ｄ４、Ｄ６）が挿入接続
されており、分岐点（Ｐ）が、直流を通す高周波しゃ断
器（なるべくラムダ／４−変成素子Ｌ３）を介して高周
波アースに接続されており、第１の半導体素子を高周波
に対して導通し（送信動作）又はしゃ断する（受信動
作）ために、第１の半導体素子（Ｄ１、Ｄ４、Ｄ６）
に、分岐点（Ｐ）に接続されていない第１の半導体素子
の端子を介してかつ高周波しゃ断器（ラムダ／４−変成
素子）によって、第１の制御信号が供給可能であり、受
信機端子（ＲＸ）に第２の半導体素子（Ｄ２、Ｄ３、Ｄ
５、Ｄ７）が付属しており、かつ第２の制御信号のため
に少なくとも１つの別の端子が設けられており、受信機
端子への高周波の供給を可能にするため、又は阻止する
ため、第２の半導体素子が、これに供給される第２の制
御信号によって、高周波に対して高オーム性の又は低オ
ーム性の状態にすることができるようになっており、か
つ受信機端子への高周波の弱められた供給を可能にする
状態にすることができることを特徴とする、請求項１又
は２記載の送信−受信−切換えスイッチ。 - 【請求項４】 第１の半導体素子の両方の高周波端子
が、それぞれラムダ／４−変成素子（Ｌ３）及び別のラ
ムダ／４−変成素子（Ｌ４）を介して、高周波アースに
接続されており、第１の半導体素子を高周波に対して導
通し、又はしゃ断するために、第１の半導体素子に、前
記のラムダ／４−変成素子を介して直流電流又は直流電
圧が供給可能であることを特徴とする、請求項３記載の
送信−受信−切換えスイッチ。 - 【請求項５】 第２の半導体素子が、高周波的に受信機
端子（ＲＸ）とアースの間に接続されており、第２の半
導体素子の高周波的にアースに接続された端子が、動作
中に直流的にアースに、０ボルトとは異なった直流電圧
に、又は制御信号源に接続されていることを特徴とす
る、請求項３又は４記載の送信−受信−切換えスイッ
チ。 - 【請求項６】 第１に挙げたラムダ／４−変成素子（Ｌ
３）及び／又は別のもの（Ｌ４）の高周波的にアースに
接続された端子が、動作中に直流的にアースに、０ボル
トとは異なった直流電圧に、又は制御信号源に接続され
ていることを特徴とする、請求項３ないし５の１つに記
載の送信−受信−切換えスイッチ。 - 【請求項７】 少なくとも１つの半導体素子が、ピンー
ダイオードであることを特徴とする、請求項１ないし６
の１つに記載の送信−受信−切換えスイッチ - 【請求項８】 少なくとも１つの半導体素子が、ガリウ
ム−ひ素−電界効果トランジスタであることを特徴とす
る、請求項１ないし７の１つに記載の送信−受信−切換
えスイッチ。 - 【請求項９】 受信動作の際に、受信機端子における高
周波レベルを確認し、かつ受信機端子における高周波レ
ベルを所定の最大値に制限する装置を有することを特徴
とする、請求項１ないし８の１つに記載の送信−受信−
切換えスイッチ。 - 【請求項１０】 送信−受信−切換えスイッチ及び装置
の受信レベルを低下する手段を有する、高周波−送信−
受信−装置において、請求項１ないし９の１つにしたが
って送信−受信−切換えスイッチが構成されており、受
信レベルが、送信−受信−切換えスイッチによって低下
することができるようになっていることを特徴とする、
高周波−送信−受信−装置。 - 【請求項１１】 装置の受信部分（１６）が、受信機入
力端子（ＲＸ）における高周波レベルに依存する制御信
号を発生する装置であり、この制御信号が、送信−受信
−切換えスイッチに供給され、受信動作の際に、前記の
レベルが、所定の程度を上回らないようになっているこ
とを特徴とする、請求項１０記載の装置。 - 【請求項１２】 受信機端子における高周波レベルが、
所定の最大値に制限されるようにしたことを特徴とす
る、請求項１ないし１１の１つに記載の送信−受信−切
換えスイッチを制御する方法。 - 【請求項１３】 制限のために、高周波レベル減衰調整
部が使用されることを特徴とする、請求項１２記載の方
法。 - 【請求項１４】 制御電圧又は制御電流を介して調節可
能な個別の減衰値が設けられていることを特徴とする、
請求項１ないし１３の１つに記載の装置及び方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19610760.1 | 1996-03-19 | ||
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|---|---|
| JPH1075195A true JPH1075195A (ja) | 1998-03-17 |
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| EP (1) | EP0797312A2 (ja) |
| JP (1) | JPH1075195A (ja) |
| DE (1) | DE19610760A1 (ja) |
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