JPH1053498A - 半導体ウェーハの反応容器と該容器を用いた熱処理装置 - Google Patents
半導体ウェーハの反応容器と該容器を用いた熱処理装置Info
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- JPH1053498A JPH1053498A JP8224394A JP22439496A JPH1053498A JP H1053498 A JPH1053498 A JP H1053498A JP 8224394 A JP8224394 A JP 8224394A JP 22439496 A JP22439496 A JP 22439496A JP H1053498 A JPH1053498 A JP H1053498A
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Abstract
大型化の抑制やパーティクルの発生を抑え、高い熱遮断
性を維持し得る半導体ウェーハの反応容器と該容器を用
いた熱処理装置の提供を目的とする。 【解決手段】 図1に示すように半導体ウェーハを収納
した状態で熱処理を行うウエーハ熱処理用反応容器50
において、ウエーハを収納する反応容器本体52を透明
石英ガラス体で形成するとともに、該本体52に連設す
るフランジ部60を非透明石英ガラス体61と内部に多
数の微小空間を有し石英薄膜が縦横に張りめぐらされた
石英ガラス発泡体62とのサンドイッチ構造63で形成
したことを特徴とする。
Description
拡散処理、酸化処理、減圧CVDなどに使用される半導
体ウェーハの反応容器と該容器を用いた熱処理装置熱処
理装置に係わり、特にウェーハを直立状に収納する枚葉
式の半導体ウェーハの熱処理装置に関する。
場合、複数枚のウェーハをウェーハボート積層配設載置
して、反応容器内での一括熱処理するバッチ方式が採用
されている。この方式では、ウェーハとボートとの接触
部分近傍で生じる気流の乱れや、ウェーハを多段積層す
ることで気流に乱れを起し投入ウェーハを均質に処理す
ることは困難であった。また、ウェーハの口径の大口径
化につれ、前記バッチ処理方式では重量負担に対応する
ボート及び支持部の製作が困難であること、また、大口
径化に伴う反応容器の大型化、加熱温度分布やガス分布
の均一化、加熱源の無用の増大化につながり、ウェーハ
の大口径化に対応するのには従来のバッチ方式では対処
困難な種々の問題点があった。さらに、次世代の、64
M、1G等の高集積密度化の半導体製造プロセスではサ
ブミクロン単位の精度が要求され、複数枚のウェーハを
一括処理するバッチシステムではウェーハの積層位置や
ガス流の流入側と排出側とはそれぞれ処理条件にバラツ
キを生じ、また積層されたウェーハ相互間で影響を及ぼ
し合い、またボートの接触部位よりパーティクル等が発
生し、高品質の加工は困難であった。
熱処理を行なう枚葉式熱処理装置が注目され、種々の提
案がなされているが、最近の提案(特開平5ー2911
54号公報に開示)には、下記枚葉式熱処理装置が記載
されている。該熱処理装置においては、サセプタの下方
に設けた加熱源によりサセプタ上に水平状に載置したウ
ェーハを、低圧反応ガス雰囲気中で加熱してウェーハ上
に成膜するようにしてある。上記水平状にウェーハを載
置する場合は、下記問題点を内蔵している。即ち、 1)、ウェーハが水平状に載置されているため、ウェー
ハに自重による撓みの発生の問題がある。 2)、反応容器が大型になる。従って加熱源等の動力源
も大きくなる。
化と次世代の64M、1G等の高集積密度化に対処すべ
く、枚葉式のウェーハ熱処理装置の開発に携わつてきた
が、収納するウェーハの大きさに対し、必要最小限の大
きさを確保できる形状を持つ枚葉反応容器とウェーハの
直立支持装置を備えた半導体ウェーハの熱処理装置に関
する提案を特願平8ー224823に提案している。
(非公知)
は直立タイプであり、またウェーハ表面への熱分布を均
一と反応ガス流の分布も一様にするため、ウェーハの熱
処理面に対し扁平形状とした扁平ドーム状とし、反応容
器の大きさを必要最小限に押さえる構成としてある。即
ち、図5に示すように、偏平ドーム状の反応容器50と
該容器内にウエーハ10を直立支持する支持装置40と
前記反応容器50の偏平側に対面して配設した一対の平
板状発熱体57からなり、そして反応容器50は、透明
石英ガラスよりなる一体構成の反応容器本体52に非透
明石英ガラスよりなるフランジ51を溶接接合するとと
もに、必要に応じて反応ガスは容器52の上部流入孔5
3より流入し下部排出孔58より排出するようにしてあ
る。また、直立支持装置40は石英ガラス若しくは炭化
珪素よりなり、前記ウエーハを直立に支持する支持部4
1と前記フランジ下面にOリング54を介して密閉する
ベース体42からなる。
肉を図っても真空強度がある。肉薄の為に軽量化が図れ
る。内側曲面に沿ってガスの流れが良い。等の利点を持
っているが、前記反応容器50内の処理空間は600〜
1000℃前後の高温で熱処理を行うために、而もOリ
ング54その他のシール部して機能するフランジは熱処
理空間となる反応容器本体52の直下に位置する為に前
記シール部に高温が伝搬しやすく、この為前記技術にお
いては、前記フランジを非透明石英ガラスで形成し、O
リング54その他のシール部分に高温が伝搬するのを防
いでいるが必ずしも十分でない。このため円筒状の反応
容器を用いる縦型炉芯管においては炉心管内の加熱区域
と炉管開口端側間に石英ガラス製の断熱筒を配して前記
ウエハ熱処理用空間温度の均等化を図るとともに、前記
炉芯管周囲に囲繞した発熱体57を断熱筒上方に位置せ
しめ、前記断熱筒を熱遮断手段として機能させる事によ
り、炉心管開口端側に設けたOリング54その他のシー
ル部分に高温が伝搬するのを防いでいる。
れた石英ガラス製の円筒体内に、長繊維状の石英ガラス
ウールを封入して構成したが、特願昭62−20349
9において前記断熱筒を、内部に多数の微小空間を有し
石英薄膜が縦横に張りめぐらされた石英ガラス発泡体、
言い換えれば前記発泡体がガラスウール等の柔軟性を有
する部材で形成されているのではなく、例えば発泡ガラ
ス体のように多数の微小空間を内部に有し且つそれ自体
は硬質な薄膜石英ガラスが網目状に縦横に張りめぐらさ
れている石英ガラス体で形成したものを提案している。
を用いることは、部品点数の増加のみならず、断熱筒上
面に設置されるウエーハボードとの摺擦によりパーティ
クルが発生しやすくなる。また基本的に前記枚葉式の反
応容器50においては図5に示すように容器本体52と
フランジ間が極めて近接している為に、断熱筒を介装す
る余地がない。
技術の欠点に鑑み独立した断熱筒を用いることなく、又
装置の大型化の抑制やパーティクルの発生を抑え、高い
熱遮断性を維持し得る半導体ウェーハの反応容器と該容
器を用いた熱処理装置の提供を目的としたものである。
半導体ウェーハを収納した状態で熱処理を行うウエーハ
熱処理用反応容器50において、ウエーハを収納する反
応容器本体52を透明石英ガラス体で形成するととも
に、該本体52に連設するフランジ部60を非透明石英
ガラス体61と内部に多数の微小空間を有し石英薄膜が
縦横に張りめぐらされた石英ガラス発泡体62とのサン
ドイッチ構造63で形成したことを特徴とする。ここで
非透明ガラス体とは半透明若しくは不透明ガラス体のい
ずれも含むが摺りガラス状の表面のみが不透明のガラス
体は含まない。そして本発明は特に枚葉式反応容器50
に好適に適用されるものであるが、これのみに限定され
ず容器開口下端にフランジを有する縦型炉芯間にも適用
可能である。
52を特定し、ウエーハを直立状に収納可能に扁平曲面
体で形成したことを特徴とするものである。なお、非透
明石英ガラスは見かけ密度0.9g/cm3 以上の気泡
含有石英ガラスで構成しその気泡は直径10乃至250
μmのものが20000個/cm3以上、好ましくは4
0000〜70000個/cm3のものが存在するもの
をいう。又石英ガラス発泡体62は見かけ密度0.1〜
0.8g/cm3 の発泡石英ガラスで構成するのがよ
い。
納した反応容器50と該容器内にウエーハを支持させる
支持手段40とからなる熱処理装置において、前記支持
手段の非熱処理区域側に非透明石英ガラス体61と内部
に多数の微小空間を有し石英薄膜が縦横に張りめぐらさ
れた石英ガラス発泡体62とのサンドイッチ構造体63
を設けたことを特徴とする。
装置に適用するのが有効であり、請求項5記載のよう
に、前記支持手段40が半導体ウェーハを容器内にほぼ
直立支持させる支持手段40であり、前記反応容器50
が、ウエーハを直立状に収納可能に扁平曲面体で形成す
るのがよい。尚前記発泡体62はその表面側を透明ガラ
ス層で隠蔽するのがよく又前記発泡体62の微小空間は
減圧又は真空状態にあるのがよい。
強度不足を解消する為に、必要に応じ棒状キールを付設
しても良い。
図示例と共に説明する。ただし、この実施例に記載され
ている構成部品の寸法、形状、その相対的位置等は特に
特定的な記載がないかぎりは、この発明の範囲をそれに
限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。図1
は反応容器50のフランジ部60に前記サンドイッチ構
造体63を用いた熱処理装置の一例を示す概略構成図、
図2及び図3はウエーハ支持装置40にサンドイッチ構
造体63を組込んだ熱処理装置の概略構成図である。
反応容器50と該容器内にウエーハを直立支持する支持
装置40と前記反応容器50の偏平側に対面して配設し
た一対の平板状発熱体57からなり、前記反応容器50
は図5と同様に、反応容器50はウェーハの熱処理面に
対し扁平形状とした扁平ドーム状とし、反応容器50の
大きさを必要最小限に押さえるとともに、該反応容器5
0は、透明石英ガラスよりなる一体構成の反応容器本体
52に非透明石英ガラス板と内部に多数の微小空間を有
し石英薄膜が縦横に張りめぐらされた石英ガラス発泡体
62からなる発泡ガラス板とを順次積層溶接してサンド
イッチ構造63となしたフランジ部60を溶接接合す
る。尚、必要に応じて反応ガスは容器52の上部流入孔
53より流入し下部排出孔58より排出するようにして
ある。また、直立支持装置40は石英ガラス若しくは炭
化珪素よりなり、前記ウエーハを直立に支持する支持部
41と前記フランジ下面にOリング54を介して密閉す
るベース体42からなる。
順について図4に基づいて説明するに、先ず非透明ガラ
ス板とは内部に直径10〜250μmで1cm3当り2
0000個以上、好ましくは40000〜70000個
/cm3の気泡が含有されているものを作成する。この
作成方法は、公知のように原料粉として結晶水を含まな
い結晶質石英の粉体を使用し、その粒度分布を300〜
100μmの範囲に制御して加熱溶融条件をたとえば1
600℃以上の温度に制御しながら溶融することによ
り、容易に形成される。次に図4(A)に示すように、
前記非透明石英ガラス板61Bを、前記フランジ部60
とほぼ同形、具体的には外径を僅かに前記フランジ部6
0の楕円リング状に形成するとともに、その下面にやは
り棒状非透明石英ガラス体からなる脚610を溶接す
る。前記脚610の長さは後記する発泡体62厚さとほ
ぼ同長に設定する。
が開口し、前記フランジ部60と同形で且つ背高のみが
大なる前記非透明石英ガラス体61からなるリング楕円
形状の石英ガラス容器65を形成した後、該容器65内
に石英微粉62’及び前記脚付き非透明石英ガラス板6
1B更にその上に石英微粉62’を順次投入し、石英微
粉62’とフランジ部60が交互に積層された積層体を
形成した後、真空炉中で1300〜1600℃前後の温
度で加熱する事により、図4(B)に示すように内部に
多数の微小空間62aを有し、石英薄膜62bが縦横に
張りめぐらされた石英ガラス発泡体62(断面構造は図
6の(A),(B),(C)の様なもの)と前記非透明
の石英ガラス板61が交互に積層されたサンドイッチ構
造体63が形成される。61は61A、61B、61C
の総称である。この際前記石英微粉内にカーボン粉とと
もに水を混入して泥状にした状態で、加熱させる事によ
り更に多数の真空微小空間を有する発泡ガラス状の発泡
体62が形成出来、好ましい。
が石英容器65及び石英ガラス板61と一体的に溶着す
るとともに、前記加熱により体積が減少する為に、その
減少量に見合って石英ガラス粉を多く投入し、加熱によ
りフランジ部60の脚長と同程度の厚さの発泡体62に
なるように設定する。そして前記容器65の上側開放部
分を切断し、その上面に非透明石英ガラスからなる楕円
リング状の蓋体61Aを溶着して、図4(B)に示すサ
ンドイッチ構造体63が形成される。
63を前記反応容器本体52の開口端に溶着することに
より反応容器50が形成される。尚、このような構成を
採らずに、カーボン製のルツボ内で前記発泡体62を形
成した後、該発泡体62を板状に削成して楕円リング円
状の板状体にしたものを、前記非透明石英ガラス板と交
互に積層した後、真空炉中で加熱して一体的に溶着して
も良い。
ス板61自体は発泡体62に比較して大幅に強度性を有
し、一方発泡体62は非透明石英ガラス板61に比較し
て大幅に大なる断熱性を有し、従って両者をサンドイッ
チ構造にすることにより、耐圧強度性を有し前記反応容
器本体52が大径化した場合でも十分ある強度をもって
断熱性を達成し得る。従って前記実施例においては、熱
処理を行う反応容器本体52の直下に前記サンドイッチ
構造体63のフランジ体60を形成したために、前記容
器本体52内の加熱処理温度が600〜1100℃前後
に加熱した場合でもフランジ面下面側のOリング54そ
の他のシール部分に高温が伝搬するのを有効に防ぐこと
ができる。
置40に前記サンドイッチ構造体63を配した他の実施
例である。本実施例の支持装置40は前記ウエーハを直
立に支持する支持部41と前記フランジ下面にOリング
54を介して密閉するベース体42からなり、前記ベー
ス体42と支持部41との間に介装される。支持部41
は前記サンドイッチ構造体63の非透明ガラス体上面
に、3本の棒状ウエーハ支持部41を立設し、1枚のウ
エーハを3箇所で支持する3点支持方式のものである。
この場合反応容器50は前記サンドイッチ構造体63が
介装した部分が加熱されないようにフランジ部60と容
器本体52間の接合部を楕円筒状に垂直に伸長させてい
る。
52とフランジ部60間の伸長体55に位置する部分に
サンドイッチ構造体63が位置しているためにフランジ
部60に熱が伝わりにくく、該フランジ51を従来技術
のように非透明石英ガラスで形成してもOリング54そ
の他のシール部分に高温が伝搬するのを有効に防ぐこと
ができる。又前記サンドイッチ構造体63の存在により
容器本体52内の前記ウエーハ熱処理用空間温度の均等
化を図る事ができる。又本発明によれば独立した断熱筒
を用いることなくウエーハ支持装置40と一体化したた
めに、部品点数の低減のみならず、パーティクルの発生
の恐れもない。
した断熱筒を用いることなく、又装置の大型化の抑制や
パーティクルの発生を抑え、高い熱遮断性を維持し得る
半導体ウェーハの反応容器と該容器を用いた熱処理装置
を提供する事ができる。
チ構造体を用いた熱処理装置の一例を示す請求項1記載
の発明に対応する概略構成図である。
を組込んだ熱処理装置一例を示す請求項4記載の発明に
対応する概略構成図である。
は分解斜視図、(B)はサンドイッチ構造体を示す斜視
図である。
シリコンウェーハの熱処理装置の概略の構成を示す図で
ある。
内部構成を示す拡大図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 半導体ウェーハを収納した状態で熱処理
を行うウエーハ熱処理用反応容器において、 ウエーハを収納する反応容器本体を透明石英ガラス体で
形成するとともに、該本体に連設するフランジ部を非透
明石英ガラス体と内部に多数の微小空間を有する石英ガ
ラス発泡体とのサンドイッチ構造で形成したことを特徴
とする反応容器。 - 【請求項2】 前記反応容器本体をウエーハを直立状に
収納可能に扁平曲面体で形成したことを特徴とする請求
項1記載の反応容器。 - 【請求項3】 前記非透明石英ガラスは見かけ密度0.
9g/cm3 以上の気泡含有石英ガラスで構成し、石英
ガラス発泡体は見かけ密度0.1〜0.8g/cm3 の
発泡石英ガラスで構成した請求項1記載の反応容器。 - 【請求項4】 半導体ウェーハを収納した反応容器と該
容器内にウエーハを支持させる支持手段とからなる熱処
理装置において、 前記支持手段の非熱処理区域側に非透明石英ガラス体と
内部に多数の微小空間を有し石英薄膜が縦横に張りめぐ
らされた石英ガラス発泡体とのサンドイッチ構造体を設
けたことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項5】 前記支持手段が半導体ウェーハを容器内
にほぼ直立支持させる支持手段であり、前記反応容器
が、ウエーハを直立状に収納可能に扁平曲面体で形成し
たことを特徴とする請求項4記載の熱処理装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP22439496A JP3412734B2 (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | 半導体ウェーハの反応容器と該容器を用いた熱処理装置 |
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5751639U (ja) * | 1980-09-09 | 1982-03-25 | ||
JPS5812280U (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-26 | 東芝セラミツクス株式会社 | 石英ガラス製フランジ部の構造 |
JPS63282134A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-18 | Fukushima Shinetsu Sekiei:Kk | 合成石英ガラス管およびその製造方法 |
JPS6447020A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Shinetsu Sekiei Kk | Heat treatment device for manufacturing semiconductor |
JPH02268420A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 炉芯管装置 |
JPH05291154A (ja) * | 1992-04-06 | 1993-11-05 | Kokusai Electric Co Ltd | 枚葉式成膜方法及び装置 |
JPH06256028A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-13 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 高耐熱性シール部材 |
JPH07237927A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | フランジ部付石英ガラス製器具 |
JPH08143329A (ja) * | 1993-10-08 | 1996-06-04 | Tosoh Corp | 高純度不透明石英ガラス及びその製造方法並びにその 用途 |
JPH09260297A (ja) * | 1996-01-19 | 1997-10-03 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | ウエーハ熱処理用反応容器とウエーハ熱処理装置 |
-
1996
- 1996-08-07 JP JP22439496A patent/JP3412734B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5751639U (ja) * | 1980-09-09 | 1982-03-25 | ||
JPS5812280U (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-26 | 東芝セラミツクス株式会社 | 石英ガラス製フランジ部の構造 |
JPS63282134A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-18 | Fukushima Shinetsu Sekiei:Kk | 合成石英ガラス管およびその製造方法 |
JPS6447020A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Shinetsu Sekiei Kk | Heat treatment device for manufacturing semiconductor |
JPH02268420A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 炉芯管装置 |
JPH05291154A (ja) * | 1992-04-06 | 1993-11-05 | Kokusai Electric Co Ltd | 枚葉式成膜方法及び装置 |
JPH06256028A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-13 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 高耐熱性シール部材 |
JPH08143329A (ja) * | 1993-10-08 | 1996-06-04 | Tosoh Corp | 高純度不透明石英ガラス及びその製造方法並びにその 用途 |
JPH07237927A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | フランジ部付石英ガラス製器具 |
JPH09260297A (ja) * | 1996-01-19 | 1997-10-03 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | ウエーハ熱処理用反応容器とウエーハ熱処理装置 |
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