JPH09260297A - ウエーハ熱処理用反応容器とウエーハ熱処理装置 - Google Patents
ウエーハ熱処理用反応容器とウエーハ熱処理装置Info
- Publication number
- JPH09260297A JPH09260297A JP22439796A JP22439796A JPH09260297A JP H09260297 A JPH09260297 A JP H09260297A JP 22439796 A JP22439796 A JP 22439796A JP 22439796 A JP22439796 A JP 22439796A JP H09260297 A JPH09260297 A JP H09260297A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- heat treatment
- upright
- reaction vessel
- supporting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
Abstract
解決してウエーハ表面への輻射熱の熱分布を一様にする
とともに、収納するウエーハの大きさに対し、必要最小
限の大きさを確保できる形状を持つ直立枚葉反応容器と
直立ウエーハボートとを備え、高熱処理を可能としたシ
リコンウエーハの熱処理装置及び放電処理装置を提供す
る。 【解決手段】 直立枚葉反応容器11とその外側に設け
られた発熱体12とウエーハ10を直立状に支持する直
立ウエーハボート23a/24aとを主構成要素とす
る。
Description
拡散処理、酸化処理、減圧CVDなどに用いるウエーハ
熱処理用反応容器と該容器を具えた熱処理装置(放電処
理装置も含む)に係わり、特にウエーハを直立状に収納
することにより枚葉処理に対し効率的に機能させるよう
にした反応容器とその熱処理装置に関する。
処理も含む)を行なう場合、複数枚のウエーハをボート
に積層配設載置して、反応容器内で一括熱処理するバッ
チ方式が採用されている。この方式では、ボートとウエ
ーハとの接触部分近傍で生じる気流の乱れや、ウエーハ
を多段積層することでそこを通過する気流が乱れること
で、投入ウエーハを均質に処理することは困難であっ
た。また、ウエーハ口径が大口径化するにつれ、前記バ
ッチ処理方式では重量負担の増大に対応するボート及び
支持部の製作が困難であること、また、大口径化に伴う
反応容器の大型化、加熱温度分布やガス分布の不均一
化、加熱源の無用の増大化につながり、ウエーハの大口
径化に対応するのには従来のバッチ方式では種々問題が
あった。さらに、次世代の、64M、1G等の高集積密
度化の半導体製造プロセスではサブミクロン単位の精度
が要求され、複数枚のウエーハを一括処理するバッチシ
ステムではウエーハの積層位置やガス流の流入側と排出
側とではそれぞれ処理条件にバラツキを生じ、また積層
されたウエーハ相互間で影響を及ぼし合い、またボート
との接触部よりパーティクル等が発生し、高品質の加工
が困難であった。
ハ毎に熱処理を行なう枚葉式熱処理装置が注目され、種
々の提案がなされているが、最近の提案(特開平5ー2
91154号公報に開示)には図12に示すような枚葉
式熱処理装置がある。その概要を簡単に説明するに、円
筒反応容器101内のベース上にサセプタ102を配置
し、該サセプタの下側に設けた加熱源103と反応容器
101の上部に設けたウエーハ加熱用のランプ105と
によりサセプタ102上に載置したウエーハ10を低圧
反応ガス雰囲気中で加熱してウエーハ10上に成膜する
ようにしてある。なお、図において、ウエーハ10は、
ゲイトバルブ111を介して出入口108より反応容器
101内のサセプタ102上に載置するようにしてあ
る。また、ガス導入管109により反応ガスを導入し排
気孔110より排出するようにしてある。反応容器10
1の上部にはウエーハ加熱用のランプ105が設けら
れ、反応容器101の上縁に設けた石英ガラス窓106
を介して、ウエーハ10の表面を加熱照射し、前記サセ
プタ102の下部に設けた加熱源103とともにウエー
ハ10を急速加熱し、反応ガスの導入とともに成膜が開
始されるとシャッタ107を介してランプ105の照射
光を遮断するようにしてある。上記構成から理解される
ように、この場合はウエーハは略水平状にサセプタ10
2上に載置され、その上下に設けた加熱源によりウエー
ハを高温に加熱するようにしてある。
図11に示す提案が開示されている。上記提案は図に示
すように、本提案に係わる半導体ウエーハの熱処理装置
は、高温炉(加熱部)120とウエーハ支持装置130
とよりなる。高温炉120は、直方体形状に形成され、
複数に分割された平板状ヒータ121、石英ガラス製反
応管122、均熱管123(シリコンカーバイト製)、
断熱材124で構成されている。高温炉120は下部が
開放され、ウエーハ10が支持装置130の溝131に
載せられ高温炉120のへの出入を行なうようにしてあ
る。なお、図示してないガス供給管により使用目的に応
じて所要ガスが上方から下方へ流れるようにしてある。
また、ウエーハ支持装置130は、パイプ状の支柱13
3、前記溝131を設けた支持部132とベース134
とよりなり、前記溝131は2枚以上のウエーハが載せ
られるように複数個設けてある。
いては下記問題点を内蔵している。即ち、図12に示す
水平状に載置する場合は、 1)、ウエーハは水平状に載置されているため、ウエー
ハに自重による撓みの発生の問題がある。 2)、反応容器が大型になる。従って加熱源等の動力源
も大きくなる。
は、ウエーハを直立状に収納する構成であるが、高温炉
は直方体の形状により構成されているため下記問題点が
ある。 1)高温炉の形状は直方体であるため、内蔵する反応
管、均熱管等も同一形状の直方体と考えられ、また上部
は管壁に直角の頂面により形成されているため、真空強
度が弱い。 2)ウエーハに対する輻射熱の分布及び反応ガス流の分
布が均一でない。 等の問題点がある。
記従来の枚葉式ウエーハ熱処理装置の問題点を解決して
ウエーハ表面への輻射熱の熱分布及び反応ガス流の分布
も一様にするとともに、収納するウエーハの大きさに対
し、必要最小限の大きさを確保できる形状を持つ直立枚
葉反応容器を提供する事を目的とし、特に、高温熱処理
にも対処でき、高能率、高精度の枚葉式熱処理装置の提
供を目的としたものである。
ハの拡散やCVDによる成膜は該ウエーハの片面のみに
行なうため、2枚のウエーハの裏面を互いに向き合わせ
並設直立状に収納した場合にも使用し効率の向上を図る
ことの出来る直立枚葉反応容器とその熱処理装置の提供
を目的としたものである。
め、請求項1記載の発明は、半導体ウェーハを収納した
状態で熱処理を行うウエーハ熱処理用反応容器におい
て、ウエーハを収納する反応容器本体を透明石英ガラス
体で形成するとともに、前記反応容器本体をウエーハを
直立状に収納可能に略扁平ドーム状に形成したことを特
徴とする。
理する直立状ウエーハに対し、必要最小限の大きさを持
ち、その被加熱部の殆どを球状曲面の連続体で形成し
て、石英ガラス体の一体構成にしたもので、大なる真空
強度と高温熱処理にも対応でき、且つ軽量化を可能と
し、また反応ガス流が淀みなくウエーハ表面を均一に流
すことが出来る。
平化している為に、その分発熱体を接近させることがで
き、結果として装置の小型化と加熱源等の動力源も小さ
くする事が出来る。又前記反応容器の内部表面への輻射
熱の熱分布及び反応ガス流の分布も一様にするととも
に、収納するウエーハの大きさに対し、必要最小限の大
きさを確保できるとともに、高温熱処理にも対処でき、
高能率、高精度の枚葉式のウエーハ熱処理装置を得る事
が出来る。
収納した状態で熱処理を行うウエーハ熱処理用反応容器
において、前記反応容器を略偏平ドーム状に形成すると
ともに、前記容器の下側開口側に不透明部位が存在する
ことを特徴とする。
を不透明化した為に加熱処理空間内で加熱処理した高温
が、前記不透明部位で遮断され、容器処理空間内の熱が
容器外に伝搬しようとした場合でも前記不透明部位で阻
止され、処理空間内の熱降下や均熱性の維持が可能とな
り、結果として高品質のウエーハ熱処理が出来る。
ーハを収納した状態で熱処理を行うウエーハ熱処理用反
応容器において、前記反応容器を略偏平ドーム状に形成
するとともに、前記容器の下側開口側に位置するフラン
ジ部を不透明石英ガラスで形成したことを特徴とする。
これにより請求項2記載の発明の効果とともに、フラン
ジのシール部分に高温が伝搬する恐れがなくフランジ下
面側に位置する昇降治具や起伏治具を配した場合その部
分にも熱伝搬が生じる恐れがなく、これらを耐熱治具で
構成する必要がなくなる。
納した状態で熱処理を行うウエーハ熱処理用反応容器に
おいて、前記反応容器を略偏平ドーム状に形成するとと
もに、前記容器の所定位置にガス導入部若しくはガス導
出部を設けたことを特徴とする。特に請求項5記載の発
明のように、前記反応容器を略偏平ドーム状に形成する
とともに、前記容器のウエーハ熱処理面と外れた位置に
ガス導入部若しくはガス導出部を設ける事により、効率
よい熱処理が可能となる。
器を略偏平ドーム状に形成するとともに、前記容器の所
定位置に設けたガス導入部と内部に収納されるウエーハ
間にガスガイド体を介在させたことを特徴とする。かか
る発明によれば、前記ガイド体によりウエーハの一部に
集中してガスが当たる事なく、前記ガイド体によりウエ
ーハの熱処理面側に均一にガス分散された後に、ウエー
ハ熱処理面に均等にガスが接触するために高品質な熱処
理が可能となる。
1又は2枚直立支持させる石英ガラス製ウエーハ支持治
具と、前記支持治具に支持された半導体ウエーハを包被
し該ウエーハの熱処理空間を形成する石英ガラス製反応
容器とからなり、前記反応容器を略偏平ドーム状に形成
するとともに、前記容器の下側開口側に位置するフラン
ジ若しくは前記ウエーハ支持治具の所定位置に不透明部
位が存在することを特徴とする。かかる構成により請求
項2記載の発明と同様な効果を得る事が出来るとともに
前記反応容器は、収納熱処理する直立状ウエーハに対
し、必要最小限の大きさを持ち、その被加熱部の殆どを
偏平曲面の連続体で形成され、石英ガラス体の一体構成
にしたもので、大なる真空強度と高温熱処理にも対応で
き、且つ軽量化を可能とし、また反応ガス流が淀みなく
ウエーハ表面を均一に流れる。
収納した反応容器と該容器内にウエーハを支持させる支
持手段とからなる熱処理装置において、透明石英ガラス
体で形成した反応容器本体をウエーハを直立状に収納可
能に略扁平ドーム状に形成するとともに、前記支持手段
の非熱処理区域側に非透明石英ガラス体を介装したこと
を特徴とする。
持手段は、ウエーハを複数箇所で直立状に支持すべく、
支持用溝を備えた複数個の支持部材を一体構成とした上
部構成部材と、該部材を直立状に支持するベース部材と
からなり、上部構成部材を透明石英ガラスで、又ベース
部材を一部を不透明石英ガラス若しくは炭化珪素で構成
してもよい。かかる発明によれば、前記請求項7記載の
作用とともに、支持手段の不透明部位とあいまって支持
手段の基端側に後記する昇降治具や起伏治具を配した場
合その部分にも熱伝搬が生じる恐れがなく、これらを耐
熱治具で構成する必要がなくなる。この場合前記支持手
段が半導体ウェーハを容器内にほぼ直立支持させる支持
手段で構成するのがよく、更に前記支持手段は2枚のウ
エーハを適当間隔を隔てて並設直立状に支持するように
した支持手段で構成するのがよい。
図示例と共に説明する。ただし、この実施例に記載され
ている構成部品の寸法、形状、その相対的位置等は特に
特定的な記載がないかぎりは、この発明の範囲をそれに
限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。図1
は本発明の実施例に係る半導体ウエーハの枚葉式熱処理
装置で、1枚のウエーハを収納した場合の概略の構成を
示す断面図、図2は同熱処理装置において2枚のウエー
ハを収納した場合の概略の構成を示す断面図である。
ハの枚葉式放電処理装置において、1枚のウエーハ10
を収納した場合の概略の構成を示す断面図で、図4は同
放電処理装置において2枚のウエーハを収納した場合の
概略の構成を示す断面図である。図5は、前記図1及び
図2の処理装置に使用する直立枚葉反応容器の構造を示
す正面図と側面図である。図6は、図3及び図4の放電
処理装置に使用する直立枚葉反応容器の構造を示す正面
図と側面図である。図7は前記処理装置に用いる直立ウ
エーハボートの概略構成図で、(A)は1枚のウエーハ
の3点支持の直立ウエーハボートを示す斜視図、(B)
は1枚のウエーハを支持する一溝支持部を示す斜視図、
(C)は2枚のウエーハを支持する2溝支持部を示す斜
視図、(D)は(B)又は(C)の支持部を用いて構成
した1枚ないし2枚のウエーハの4点支持の直立ウエー
ハボートを示す正面図である。
ウエーハを収納する場合、図2は同じく2枚のウエーハ
のそれぞれウエーハ処理面を外側に向け収納した場合を
示しているが両者は共通構成である為に、共通して説明
する。図1、図2において、本装置は、直立枚葉反応容
器11とその外側に設けられた発熱体12とウエーハ1
0を直立状に支持する直立ウエーハボート23a/24
aまたは23b/24bとを主構成要素として構成して
ある。
ように、熱処理面と対面する正面(A)が略中空円形に
して側面(B)が断面中空偏平楕円状に形成し、下側開
口よりウエーハが装入可能な偏平下側開口113(図1
3(C)参照)を有する略偏平ドーム状の透明石英ガラ
ス体からなる容器本体11bと、前記偏平下側開口11
3周囲を囲繞する非透明石英ガラス体からなるフランジ
11aを溶接接合し、偏平状曲面を両面に持つフランジ
付き扁平反応容器11で構成され、フランジ11aを泡
入りの非透明石英ガラス体で形成する事により、反応容
器本体11bから前記フランジ11aを介して下部への
熱の伝播を防止する構造にしてある。又、前記反応容器
本体11bの加熱処理領域から外れた容器本体11b上
端とフランジに近接する下端中央部に処理ガス導出部1
12と処理ガス導入部111を設ける。
例で、(A)は正面図、(B)はフランジ部の拡大図、
(C)はフランジ下面を示す底面図、(D)は(A)の
D−D線断面図である。本反応容器11は、熱処理面と
対面する正面(A)が略中空円形にして側面(B)が断
面中空偏平楕円状に形成し、下側開口113よりウエー
ハ10が装入可能な偏平下側開口113(図13(C)
参照)を有する略偏平ドーム状の透明石英ガラス体から
なる容器本体11bと、前記偏平下側開口113周囲を
囲繞するフランジ11aを溶接接合し、偏平状曲面を両
面に持つフランジ付き扁平反応容器11で構成した点は
図5と同様であるが、本実施例においては、フランジ1
1a、110をダブルフランジ構造とし、容器本体11
bと接合した上側フランジ11aを透明石英ガラスで形
成し、上側フランジ11aと当接する下側フランジ11
0を泡入りの非透明石英ガラス体で形成するとともに、
その間のリング状スリット空隙114aにカーボンシー
ル材等の耐熱シール材を介装する。又、(A)及び
(D)に示すように、前記反応容器本体11bの加熱処
理領域から外れた容器本体11b右端と左端に処理ガス
導出部112と処理ガス導入部111を設けるととも
に、前記ガス導入部111(導出部112)と内部に収
納されるウエーハ10間にガスガイド体114を介在さ
せ、該ガイド体114によりウエーハ10の一部に集中
してガスが当たる事なく、前記ガイド体114によりウ
エーハ10の熱処理面10a側に均一にガス分散された
後に、ウエーハ熱処理面10aに均等にガスが接触する
ように構成する。尚、矢印はガスの流れを示す。
図7において、本発明の直立ウエーハボート23a/2
4a、23b/24bの概略の構成を示してある。な
お、前述したように、23aは1枚のウエーハを3箇所
で支持する1枚3点方式のもを示し、24aは1枚のウ
エーハを4箇所で支持する1枚4点方式のもので、23
bは2枚のウエーハを3箇所で支持する2枚3点方式の
もので、24bは2枚のウエーハを4箇所で支持する2
枚4点方式のものを指している。図7の(A)は1枚3
点式の直立ウエーハボート23aの斜視図で、3個の1
溝支持部材20a[図7(B)に図示」と補強骨部材2
8とで上部構造部材を形成し、支柱21と図1に示すベ
ース27aとによりベース部材を形成し、3箇所の溝支
持部材によりウエーハの下半分を支持して傾斜収納を防
止するようにしてある。尚、支柱21の加熱処理領域か
ら外れたフランジ11a近傍211は泡入り不透明状に
形成し、熱処理域外への熱伝搬を防止している。(図1
及び図2参照) 図7(C)には2溝支持部材20bの斜視図が示され、
ウエーハの周縁部支持用の溝17が2個平行に設けられ
てある。なお、2枚のウエーハを支持する場合は前記1
溝支持部材20aの代わりに設けるようにし、3点式の
場合は3個を使用し、4点式の場合は4個使用し、図7
(D)に示すように、溝支持部材20a/20bをウエ
ーハの水平中心線部位を支持するようにし、他の溝部材
20a/20bで当該ウエーハの下部周縁部を支持する
ようにし、ウエーハの傾斜収納を確実に防止し、ウエー
ハ処理面への均一な成膜を可能な構造にしてある。図7
(D)において支柱21の加熱処理領域から外れたフラ
ンジ11a近傍212は不透明の炭化珪素棒を介装し、
熱処理域外への熱伝搬を防止している。
に構成された反応容器と直立ウエーハボートの組合せに
より構成したために、偏平曲面の連続体により形成され
た本直立枚葉反応容器は収納する直立ウエーハに対し、
必要最小限の大きさを可能とする無駄のない形態の設計
を可能にし、且つ高真空強度と高耐熱衝撃度を具備させ
ている。そのため、スペース効率も上がり、且つ拡散用
処理熱の輻射を可能にし、且つ内面の連続曲面により反
応ガスの淀みない流れを可能にし、均一な成膜を可能に
している。
23b/24bはウエーハ10を支持した状態で、直立
枚葉反応容器11のフランジ11aに設けた下部開口部
より矢印Aに示すように下降させ、ウエーハの出し入れ
を可能にしてある。なお、直立ウエーハボートの上昇に
より、該ウエーハボートに接合させたベース27aとフ
ランジ11aとの間にOリング14を押圧して密閉可能
の構成にしてある。また、熱処理時には、反応ガス供給
管15より非加熱処理域に設けたガス導入部112を介
して反応ガスを反応容器11内に送り、容器下端に設け
たガス導出部111を介して排出管16より排出させ、
所定の減圧下で成膜するようにしてある。
エーハ処理面10aにその上部より下部へ向け流れ均一
な成膜が行なわれるようにしてある。なお、直立ウエー
ハボート23aは前記したように1枚のウエーハを3箇
所で支持する3点方式のもので、直立ウエーハボート2
4aは1枚のウエーハを4箇所で支持する4点方式のも
のである。また、23bは2枚のウエーハを3点で支持
し、24bは2枚のウエーハを4点で支持する構造のも
のである。
トには2枚のウエーハ10、10が互いに裏面を背中合
わせに支持してある。この場合は反応ガスは反応容器1
1の上部よりウエーハ10、10のそれぞれのウエーハ
処理面10a、10aに添って淀みなく流れを形成し、
均一な成膜を可能にしてある。
電処理装置の1枚のウエーハを直立状に収納処理する場
合の概略の構成を示す図であり。図4は同じく2枚のウ
エーハを収納する場合を示す図である。図に見るよう
に、直立枚葉反応容器30、または31と放電電極33
と直立ウエーハボート23a/24a、23b/24b
とを主構成要素としてある。ウエーハの出し入れは、直
立枚葉反応容器30、31の下側開口303、313よ
り行い、ウエーハ10を支持した前記ウエーハボート2
3a/24aまたは23b/24bを矢印B方向に下降
させウエーハの搬出入を可能にしてある。なお、反応ガ
スは容器下端中央部に設けたガス導入部301、311
を介して反応ガス供給管15より反応ガスを反応器11
内に送り、容器上端中央部に設けたガス導出部302、
312を介して排出管16より排出させ、所定の減圧下
で成膜するようにしてある。この場合は、反応ガスはウ
エーハのウエーハ処理面10aにその上部より下部へ向
け流れ均一な成膜が行なわれるようにしてある。なお、
直立ウエーハボート23aは後記するように1枚のウエ
ーハ10を3箇所で支持する3点方式のもので、直立ウ
エーハボート24aは1枚のウエーハ10を4箇所で支
持する4点方式のものである。また、23bは2枚のウ
エーハを3点で支持し、24bは2枚のウエーハを4点
で支持する構造である。
器30の片面には外部放電電極取り付け用の平坦面33
aが収納ウエーハに平行に垂直に設けられ、また、図4
に見るように直立枚葉反応容器31の両面には外部放電
電極取り付け用の平坦面33a、33aが収納ウエーハ
にそれぞれ平行に垂直に設けられ、放電電極よりの放射
線がウエーハウエーハ処理面に均一且つ直角に入射でき
るようにしてある。なお、新たにウエーハ10を支持し
て直立ウエーハボートを上昇させれば、ウエーハボート
のベース27aはOリング14を介して直立反応容器の
フランジ30a/31aに押圧密閉状態とするるととも
に、反応容器上部より内部に反応ガスを流出させ、下部
の排出管16により適宜排出させ、外部放電電極33に
放電電圧を印加すれば、所要の成膜をウエーハウエーハ
処理面10aに行なうことが出来る。
する示する直立枚葉反応容器30、31の構造を示して
あり、(A)にはその正面図画が示され、(B)にはウ
エーハ1枚収納の場合に使用する反応容器の側面図が示
され、(C)には、同じく2枚のウエーハ収納の場合に
使用する反応容器の側面図が示されている。直立枚葉反
応容器30、31は、透明石英ガラス体の一体構成より
なる両面に球状連続曲面を持つ扁平ドーム状に構成さ
れ、フランジ30a、31aのみ非透明石英ガラス体の
溶接構造とし熱の外部伝播を防止する構造にしてある。
なお、その形状構成は収納ウエーハに対し必要最小限の
大きさを可能にしてある。また、図6の(B)、(C)
に示す側面図に見るように反応容器30、31の内面は
すべて曲面で形成され、内面の曲面に添って反応ガスを
乱流を形成する事無く流すことができ、均一な成膜形成
を可能とすることができる。又、前記反応容器本体の加
熱処理領域から外れた容器本体上端とフランジに近接す
る下端中央部に処理ガス導入部302、312と処理ガ
ス導出部301、311を設ける。
ハボート26が直立枚葉反応容器11、30、31に収
納されている状況が示してある。この場合は、縦方向に
支持用溝28aを持つ直立支持棒28、28と横方向の
支持用溝29aを持つ直立支持棒29とベース27bと
より構成してある。上記直立ウエーハボート26を本発
明のシリコンウエーハの熱処理装置に収納された状態が
図9に、また放電処理装置に収納された状態が図10に
示してある。 上記図9、図10に示す場合は、反応ガ
スの供給と排出は直立ウエーハボート26のベース27
bの下部を介して行なわれるようにし、ウエーハ10の
出し入れはリフト18を介して反応容器11、30、を
矢印B方向に上昇させることにより可能にしてある。
容器は従来の枚葉反応容器に比較し、必要最小限の大き
さを可能とし、高効率的な熱処理、放電処理を可能にす
る。また、全体がほぼ曲面で形成されているため、真空
強度が強く延いては肉厚を薄く出来軽量化が図れる。内
面の曲面に添いスムーズなガス流を作ることが出来均一
な成膜の形成が可能である。ウエーハボートが3点支持
や4点支持の構成としているため、収納ウエーハの傾斜
を防止してウエーハ上の均一な成膜を可能にする。ま
た、直立枚葉反応容器の両面が使用できる構成のため、
2枚のウエーハを同時に処理できる。
て、1枚のウエーハを収納した場合の概略の構成を示す
断面図である。
概略の構成を、示す断面図である。
いて、1枚のウエーハを収納した場合の概略の構成を示
す断面図である。
概略の構成を、示す断面図である。
する直立枚葉反応容器の構造を示す図で、(A)は正面
図で(B)は側面図である。
用する直立枚葉反応容器の構造を示す図で、(A)は正
面図で(B)、(C)は側面図である。
す図で、(A)は1枚のウエーハの3点支持の場合を示
す斜視図で、(B)は1枚のウエーハ支持用の1溝支持
部材を示す斜視図で、(C)は2枚のウエーハ支持用の
2溝支持部材を示す斜視図で、(D)は1枚ないし2枚
のウエーハの4点支持を示す正面図である。
収納された、図7とは別の構成を持つ直立ウエーハボー
トの収納の状況を示す図である。
コンウエーハの熱処理装置に収納した状況を示す図であ
る。
リコンウエーハの放電処理装置に収納した状況を示す図
である。
面図である。
装置の概略の構成を示す断面図である。
は正面図、(B)はフランジ部の拡大図、(C)はフラ
ンジ下面を示す底面図、(D)は(A)のD−D線断面
図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 半導体ウェーハを収納した状態で熱処理
を行うウエーハ熱処理用反応容器において、 ウエーハを収納する反応容器本体を透明石英ガラス体で
形成するとともに、前記反応容器本体をウエーハを直立
状に収納可能に略扁平ドーム状に形成したことを特徴と
するウエーハ熱処理用反応容器。 - 【請求項2】 半導体ウェーハを収納した状態で熱処理
を行うウエーハ熱処理用反応容器において、 前記反応容器を略偏平ドーム状に形成するとともに、前
記容器の下側開口側に不透明部位が存在することを特徴
とするウエーハ熱処理用反応容器。 - 【請求項3】 半導体ウェーハを収納した状態で熱処理
を行うウエーハ熱処理用反応容器において、 前記反応容器を略偏平ドーム状に形成するとともに、前
記容器の下側開口側に位置するフランジ部を不透明石英
ガラスで形成したことを特徴とするウエーハ熱処理用反
応容器。 - 【請求項4】 半導体ウェーハを収納した状態で熱処理
を行うウエーハ熱処理用反応容器において、 前記反応容器を略偏平ドーム状に形成するとともに、前
記容器の所定位置にガス導入部若しくはガス導出部を設
けたことを特徴とするウエーハ熱処理用反応容器。 - 【請求項5】 半導体ウェーハを収納した状態で熱処理
を行うウエーハ熱処理用反応容器において、 前記反応容器を略偏平ドーム状に形成するとともに、前
記容器のウエーハ熱処理面と外れた位置にガス導入部若
しくはガス導出部を設けたことを特徴とするウエーハ熱
処理用反応容器。 - 【請求項6】 半導体ウェーハを収納した状態で熱処理
を行うウエーハ熱処理用反応容器において、 前記反応容器を略偏平ドーム状に形成するとともに、前
記容器の所定位置に設けたガス導入部と内部に収納され
るウエーハ間にガスガイド体を介在させたことを特徴と
するウエーハ熱処理用反応容器。 - 【請求項7】 半導体ウェーハを1又は2枚直立支持さ
せる石英ガラス製ウエーハ支持治具と、前記支持治具に
支持された半導体ウエーハを包被し該ウエーハの熱処理
空間を形成する石英ガラス製反応容器とからなり、 前記反応容器を略偏平ドーム状に形成するとともに、前
記容器の下側開口側に位置するフランジ若しくは前記ウ
エーハ支持治具の所定位置に不透明部位が存在すること
を特徴とするウエーハ熱処理装置。 - 【請求項8】 半導体ウェーハを収納した反応容器と該
容器内にウエーハを支持させる支持手段とからなる熱処
理装置において、 透明石英ガラス体で形成した反応容器本体をウエーハを
直立状に収納可能に略扁平ドーム状に形成するととも
に、前記支持手段の非熱処理区域側に非透明石英ガラス
体を介装したことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項9】 前記支持手段が半導体ウェーハを容器内
にほぼ直立支持させる支持手段である請求項7若しくは
8記載の熱処理装置。 - 【請求項10】 前記支持手段は2枚のウエーハを適当
間隔を隔てて並設直立状に支持するようにした支持手段
である請求項9記載の熱処理装置。 - 【請求項11】 前記支持手段は、ウエーハを複数箇所
で直立状に支持すべく、支持用溝を備えた複数個の支持
部材を一体構成とした上部構成部材と、該部材を直立状
に支持するベース部材とからなり、上部構成部材を透明
石英ガラスで、又ベース部材を一部を不透明石英ガラス
若しくは炭化珪素で構成した請求項9記載のシリコンウ
エーハの熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22439796A JP3447898B2 (ja) | 1996-01-19 | 1996-08-07 | ウエーハ熱処理用反応容器とウエーハ熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1996024823 | 1996-01-19 | ||
JP8-24823 | 1996-01-19 | ||
JP22439796A JP3447898B2 (ja) | 1996-01-19 | 1996-08-07 | ウエーハ熱処理用反応容器とウエーハ熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09260297A true JPH09260297A (ja) | 1997-10-03 |
JP3447898B2 JP3447898B2 (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=26362393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22439796A Expired - Fee Related JP3447898B2 (ja) | 1996-01-19 | 1996-08-07 | ウエーハ熱処理用反応容器とウエーハ熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3447898B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1053498A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | 半導体ウェーハの反応容器と該容器を用いた熱処理装置 |
JPH1053499A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | ウエーハ熱処理装置及びそのウエーハ装填方法 |
-
1996
- 1996-08-07 JP JP22439796A patent/JP3447898B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1053498A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | 半導体ウェーハの反応容器と該容器を用いた熱処理装置 |
JPH1053499A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Yamagata Shinetsu Sekiei:Kk | ウエーハ熱処理装置及びそのウエーハ装填方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3447898B2 (ja) | 2003-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100700766B1 (ko) | 열처리장치 | |
KR0181942B1 (ko) | 반도체 가공용 내압 열반응로 시스템 | |
KR101814478B1 (ko) | 지지체 구조, 처리 용기 구조 및 처리 장치 | |
JP5358956B2 (ja) | 載置台装置、処理装置、温度制御方法及び記憶媒体 | |
JP5029435B2 (ja) | 載置台構造及び熱処理装置 | |
JP5689483B2 (ja) | 基板処理装置、基板支持具及び半導体装置の製造方法 | |
TW200945474A (en) | Substrate processing device, method for manufacturing semiconductor device and roof insulator | |
JP3447898B2 (ja) | ウエーハ熱処理用反応容器とウエーハ熱処理装置 | |
JP3915314B2 (ja) | 枚葉式の処理装置 | |
JP4071315B2 (ja) | ウエーハ熱処理装置 | |
JP3625124B2 (ja) | ウエーハ処理装置 | |
JP3412735B2 (ja) | ウエーハ熱処理装置 | |
JP2005032883A (ja) | 基板処理装置 | |
JP3641193B2 (ja) | 縦型熱処理装置及び熱処理方法並びに保温ユニット | |
JP2003037109A (ja) | 熱処理装置 | |
JPH0468522A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
JP2001257167A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2000008167A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH04325686A (ja) | Cvd装置の加熱ヒータ | |
JP4071314B2 (ja) | ウエーハ熱処理装置 | |
JPH0451522A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
JP3412734B2 (ja) | 半導体ウェーハの反応容器と該容器を用いた熱処理装置 | |
JPH06338455A (ja) | 石英製反応管を備えた加熱表面処理装置 | |
JPH07221037A (ja) | 熱処理装置 | |
JPS62249423A (ja) | 処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080704 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080704 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090704 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090704 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100704 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |