JPH10319321A - 照明装置及び該照明装置を用いた投影露光装置並びに該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法及び該投影露光装置の製造方法 - Google Patents

照明装置及び該照明装置を用いた投影露光装置並びに該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法及び該投影露光装置の製造方法

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JPH10319321A
JPH10319321A JP10061766A JP6176698A JPH10319321A JP H10319321 A JPH10319321 A JP H10319321A JP 10061766 A JP10061766 A JP 10061766A JP 6176698 A JP6176698 A JP 6176698A JP H10319321 A JPH10319321 A JP H10319321A
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秀基 小松田
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】像面上どの位置においても同一の線幅を得るこ
とができる照明装置、この照明装置を用いた投影露光装
置、この投影露光装置の製造方法、並びにこの投影露光
装置を用いたデバイスの製造方法を提供する。 【解決手段】光束を供給する光源系と、該光源系からの
光束に基づいて多数の光源を形成するオプティカルイン
テグレータと、前記多数の光源からの光束を集光して被
照射面を照明するコンデンサー光学系とを有する照明装
置において、前記被照射面に関して光学的に共役な位置
または該位置の近傍に配置されて、前記多数の光源のう
ちの一部に対応した第1領域と、前記多数の光源のうち
の前記一部とは異なる一部に対応した第2領域とを少な
くとも有するフィルターを備え、前記フィルターの前記
第1領域の全体には、第1の透過率分布を有する少なく
とも1つの第1フィルター要素がもうけられ、前記フィ
ルターの前記第2領域にの全体には、前記第1の透過率
分布とは逆向きである第2の透過率分布を有する少なく
とも1つの第2フィルター要素が設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、撮像
素子、液晶表示素子、または薄膜磁気ヘッド等のデバイ
スを製造するためのリソグラフィ工程において投影原版
(マスク、レチクル等)を基板上に転写する際に用いら
れる投影露光装置、該投影露光装置において投影原版を
照明する照明装置、該投影露光装置を用いたデバイス製
造方法、及び該投影露光装置を製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来において、投影露光装置に適用され
る照明装置は、通常、被照射面上で発生する照度の不均
一性を補正し、一様な照度分布を得ようとするものであ
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、解像
の精度が上がるに従い、主に像高により、或いは同一像
高でもメリジオナル方向とサジタル方向の違いにより、
本来同一寸法であるはずの線幅が異なってしまうこと
が、問題になってきている。パターンの線幅が位置によ
って異なる事は、例えばロジック回路にとっては時間あ
たりの情報処理量の低下を意味し、デバイスの価値を落
とす原因となる。
【0004】そこで、本発明は、像面上のどの位置にお
いても同一の線幅を得ることができる照明装置、この照
明装置を用いた投影露光装置、この投影露光装置の製造
方法、並びにこの投影露光装置を用いたデバイスの製造
方法を提供することを第1の目的とする。また、本発明
は、像面上の任意の位置におけるパターンの線幅を任意
にコントロールできる照明装置、この照明装置を用いた
投影露光装置、この投影露光装置の製造方法、並びにこ
の投影露光装置を用いたデバイスの製造方法を提供する
ことを第2の目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、第1発明にかかる照明装置は、光束を供給する光
源系と、該光源系からの光束に基づいて多数の光源を形
成するオプティカルインテグレータと、前記多数の光源
からの光束を集光して被照射面を照明するコンデンサー
光学系とを有する照明装置であって、前記被照射面に関
して光学的に共役な位置または該位置の近傍に配置され
て、前記多数の光源のうちの一部に対応した第1領域
と、前記多数の光源のうちの前記一部とは異なる一部に
対応した第2領域とを少なくとも有するフィルターを備
え、前記フィルターの前記第1領域の全体には、第1の
透過率分布を有する少なくとも1つの第1フィルター要
素が設けられ、前記フィルターの前記第2領域の全体に
は、前記第1の透過率分布とは逆向きである第2の透過
率分布を有する少なくとも1つの第2フィルター要素が
設けられるものである。
【0006】また、上述の目的を達成するために、第2
発明にかかる照明装置は、光束を供給する光源系と、該
光源系からの光束に基づいて多数の光源を形成するオプ
ティカルインテグレータと、前記多数の光源からの光束
を集光して被照射面を照明するコンデンサー光学系とを
有する照明装置であって、前記被照射面に関して光学的
に共役な位置または該位置の近傍に配置されて、前記多
数の光源のうちの一部に対応した第1領域と、前記多数
の光源のうちの前記一部とは異なる一部に対応した第2
領域とを少なくとも有するフィルターを備え、前記フィ
ルターの前記第1領域の全体には、第1の透過率分布を
有する少なくとも1つの第1フィルター要素が設けら
れ、前記フィルターの前記第2領域の全体には、第2の
透過率分布を有する少なくとも1つの第2フィルター要
素が設けられ、前記第1及び第2フィルター要素は、前
記被照射面上に分布する相対的照度を実質的に不変に維
持しながら、前記被照射面上の所定の点に集光する光に
関して、前記被照射面を構成する各微小面に対するフー
リエ変換面上での光強度分布を各々独立に所定の光強度
分布に変換するものである。
【0007】また、上述の目的を達成するために、第3
発明にかかる照明装置は、光束を供給する光源系と、該
光源系からの光束に基づいて多数の光源を形成するオプ
ティカルインテグレータと、前記多数の光源からの光束
を集光して被照射面を照明するコンデンサー光学系とを
有する照明装置であって、前記被照射面に関して光学的
に共役な位置または該位置の近傍に配置されて、前記被
照射面上の所定の点に集光する光に関して前記被照射面
を構成する各微小面に対するフーリエ変換面上での光強
度分布を各々独立に所定の光強度分布に変換する透過率
分布を有する第1フィルターと、前記被照射面に関して
光学的に共役な位置または該位置の近傍に配置されて、
前記第1フィルターの透過率分布に起因する前記被照射
面上に分布する相対的照度の不均一性を少なくとも補正
するための透過率分布を有する第2フィルターとを有す
るものである。
【0008】なお、上記第3発明において、前記第1フ
ィルターと前記第2フィルターとは一体に設けられるこ
とが好ましい。また、上述の目的を達成するために、第
4発明にかかる投影露光装置は、投影原版上に設けられ
た所定のパターンを基板上に転写する投影露光装置であ
って、光束を供給する光源系と;該光源系からの光束に
基づいて、多数の光源を形成するオプティカルインテグ
レータと;前記多数の光源からの光束を集光して前記投
影原版を照明するコンデンサー光学系と;前記投影原版
上の前記所定のパターンを像面上に配置される前記基板
へ投影する投影光学系と;前記像面に関して光学的に共
役な位置または該位置の近傍に配置されて、前記多数の
光源のうちの一部に対応した第1領域と、前記多数の光
源のうちの前記一部とは異なる一部に対応した第2領域
とを少なくとも有するフィルターと;を備え、前記フィ
ルターの前記第1領域の全体には、第1の透過率分布を
有する少なくとも1つの第1フィルター要素が設けら
れ、前記フィルターの前記第2領域の全体には、前記第
1の透過率分布とは逆向きである第2の透過率分布を有
する少なくとも1つの第2フィルター要素が設けられる
ものである。
【0009】また、上述の目的を達成するために、第5
発明にかかる投影露光装置は、投影原版上に設けられた
所定のパターンを基板上に転写する投影露光装置であっ
て、光束を供給する光源系と;該光源系からの光束に基
づいて、多数の光源を形成するオプティカルインテグレ
ータと;前記多数の光源からの光束を集光して前記投影
原版を照明するコンデンサー光学系と;前記投影原版上
の前記所定のパターンを像面上に配置される前記基板へ
投影する投影光学系と;前記像面に関して光学的に共役
な位置または該位置の近傍に配置されて、前記多数の光
源のうちの一部に対応した第1領域と、前記多数の光源
のうちの前記一部とは異なる一部に対応した第2領域と
を少なくとも有するフィルターと;を備え、前記フィル
ターの前記第1領域の全体には、第1の透過率分布を有
する少なくとも1つの第1フィルター要素が設けられ、
前記フィルターの前記第2領域の全体には、前記第1の
透過率分布とは逆向きである第2の透過率分布を有する
少なくとも1つの第2フィルター要素が設けられ、前記
フィルターの前記第1領域の全体には、第1の透過率分
布を有する少なくとも1つの第1フィルター要素が設け
られ、前記フィルターの前記第2領域の全体には、第2
の透過率分布を有する少なくとも1つの第2フィルター
要素が設けられ、前記第1及び第2フィルター要素は、
前記像面上に分布する相対的照度を実質的に不変に維持
しながら、前記像面上の所定の点に集光する光に関し
て、前記像面を構成する各微小面に対するフーリエ変換
面上での光強度分布を各々独立に所定の光強度分布に変
換するものである。
【0010】また、上述の目的を達成するために、第6
発明にかかる投影露光装置は、投影原版上に設けられた
所定のパターンを基板上に転写する投影露光装置であっ
て、光束を供給する光源系と;該光源系からの光束に基
づいて、多数の光源を形成するオプティカルインテグレ
ータと;前記多数の光源からの光束を集光して前記投影
原版を照明するコンデンサー光学系と;前記投影原版上
の前記所定のパターンを像面上に配置される前記基板へ
投影する投影光学系と;前記像面に関して光学的に共役
な位置または該位置の近傍に配置されて、前記被照射面
上の所定の点に集光する光に関して前記被照射面を構成
する各微小面に対するフーリエ変換面上での光強度分布
を各々独立に所定の光強度分布に変換する透過率分布を
有する第1フィルターと;前記像面に関して光学的に共
役な位置または該位置の近傍に配置されて、前記第1フ
ィルターの透過率分布に起因する前記被照射面上に分布
する相対的照度の不均一性を少なくとも補正するための
透過率分布を有する第2フィルターと;を有するもので
ある。
【0011】上記第6発明においては、前記第1フィル
ターと前記第2フィルターとは一体に設けられることが
好ましい。また、上述の目的を達成するために、第7発
明は、投影原版上に形成された所定のパターンを基板上
へ投影する投影露光装置を製造する方法であって、光源
系からの光束を、該光束に基づいて多数の光源を形成す
るオプティカルインテグレータ、該オプティカルインテ
グレータからの光を集光して前記投影原版を照明するコ
ンデンサー光学系、及び前記投影原版上の前記パターン
の像を所定の像面に形成する投影光学系を経由させて、
該投影光学系の像面へ導く第1工程と;前記像面上に分
布する相対的照度を測定し、かつ前記像面上の少なくと
も2つの点に集光する光に関する前記像面を構成する各
微少面に対するフーリエ変換面上での光強度分布をそれ
ぞれ測定する第2工程と;前記多数の光源のうちの一部
に対応した第1領域と、前記多数の光源のうちの前記一
部とは異なる一部に対応した第2領域とを少なくとも有
するフィルターを、前記像面に関して光学的に共役な位
置または該位置の近傍に配置する第3工程と;前記フィ
ルターの前記第1領域の全体に第1の透過率分布を有す
る少なくとも1つの第1フィルター要素を設けると共
に、前記フィルターの前記第2領域の全体に第2の透過
率分布を有する少なくとも1つの第2フィルター要素を
設ける第4工程と;を有し、前記第4工程では、前記像
面上に分布する前記相対的照度を実質的に均一に維持し
つつ、前記光強度分布を各々独立に所定の光強度分布に
変換するために、前記第1及び第2の透過率分布を設定
するものである。
【0012】また、上述の目的を達成するために、第8
発明は、投影原版上に形成された所定のパターンを基板
上へ投影する投影露光装置を製造する方法であって、光
源系からの光束を、該光束に基づいて多数の光源を形成
するオプティカルインテグレータ、該オプティカルイン
テグレータからの光を集光して前記投影原版を照明する
コンデンサー光学系、及び前記投影原版上の前記パター
ンの像を所定の像面に形成する投影光学系を経由させ
て、該投影光学系の像面へ導くようにシミュレーション
する第1工程と;前記第1工程の前記シミュレーション
に基づいて、前記像面上に分布する相対的照度を計算
し、かつ前記像面上の少なくとも2つの点に集光する光
に関する前記像面を構成する各微少面に対するフーリエ
変換面上での光強度分布をそれぞれ計算する第2工程
と;前記多数の光源のうちの一部に対応した第1領域
と、前記多数の光源のうちの前記一部とは異なる一部に
対応した第2領域とを少なくとも有するフィルターを、
前記像面に関して光学的に共役な位置または該位置の近
傍に設定する第3工程と;前記フィルターの前記第1領
域の全体に第1の透過率分布を有する少なくとも1つの
第1フィルター要素を設定すると共に、前記フィルター
の前記第2領域の全体に第2の透過率分布を有する少な
くとも1つの第2フィルター要素を設定する第4工程
と;を有し、前記第4工程では、前記像面上に分布する
前記相対的照度を実質的に均一に維持しつつ、前記光強
度分布を各々独立に所定の光強度分布に変換するため
に、前記第1及び第2の透過率分布を設定するものであ
る。
【0013】
【発明の実施の形態】まず、上述の如き各発明の原理に
ついて説明する。図1は本発明の光学系の基本的な光学
配置を模式的に示す斜視図であり、図2は図1の断面
(X及びY方向に対して45度方向、以下の説明ではM
方向と呼ぶ)方向の光路図である。図1において、オプ
ティカルインテグレータとしてのフライアイレンズF
は、複数のレンズ素子LE(1,1)〜LE(5,5)をXY平面に沿
って集積して構成される。なお、図1の例のフライアイ
レンズFは5×5個のレンズ素子から構成されている。
このフライアイレンズFには、図1の−Z方向に配置さ
れる図示なき光源系からの光束が入射する。図2に示す
ように、フライアイレンズFを構成する各レンズ素子LE
(1,1)〜LE(5,5)は、光源系からの光束をそれぞれ集光し
て、それらの射出端面側に複数の光源像SI(1,1)〜SI(5,
5)を形成する。
【0014】これら複数の光源像からの光は、複数の光
源像位置に前側焦点が位置決めされたコンデンサレンズ
系Cによりそれぞれ集光されて被照射面IAを重畳的に
照明する。この光学配置において、フライアイレンズF
を構成する各レンズ素子LE(1,1)〜LE(5,5)の各入射面の
それぞれと被照射面IAとは光学的に共役な関係にあ
る。また、複数の光源像が形成される面は、被照射面I
Aに対する光学的なフーリエ変換面となっている。
【0015】図1に戻って、以下の説明においては被照
射面IAが4つの領域IA(1,1)、IA(1,2)、IA(2,1)及びI
A(2,2)に分割されているものとする。また、以下の説明
ではフライアイレンズFを構成する各レンズ素子LE(1,
1)〜LE(5,5)の入射面のそれぞれは、4つのサブ領域に
区画されているものとする。例えば、レンズ素子LE(1,
1)の入射面は、サブ領域SA(LE(1,1),IA(1,1))、サブ領
域SA(LE(1,1),IA(1,2))、サブ領域SA(LE(1,1),IA(2,
1))、及びサブ領域SA(LE(1,1),IA(2,2))の4つのサブ領
域に区画される。
【0016】ここで、被照射面IA上の領域IA(1,1)と
共役な領域は、レンズ素子LE(1,1)の入射面上のサブ領
域SA(LE(1,1),IA(1,1))、レンズ素子LE(1,2)の入射面上
のサブ領域SA(LE(1,2),IA(1,1))...レンズ素子LE(2,
2)の入射面上のサブ領域SA(LE(2,2),IA(1,1))...レ
ンズ素子LE(3,3)の入射面上のサブ領域SA(LE(3,3),IA
(1,1))...レンズ素子LE(4,4)の入射面上のサブ領域S
A(LE(4,4),IA(1,1))...レンズ素子LE(5,5)の入射面
上のサブ領域SA(LE(5,5),IA(1,1))の25ヶ所のサブ領
域である。
【0017】図2に示すように、これら25ヶ所のサブ
領域のそれぞれを介した光束が、コンデンサレンズ系C
を経て、被照射面IA上の領域IA(1,1)に到達する。な
お、図2は断面図であるため、ここにはM方向に沿った
レンズ素子LE(1,1)、LE(2,2)、LE(3,3)、LE(4,4)及びLE
(5,5)に関する光束しか図示していない。また、説明を
簡単にするために、以下においてはM方向のみについて
説明する。
【0018】さて、被照射面IA上の領域IA(1,1)上に
は、レンズ素子LE(1,1)の入射面のサブ領域SA(LE(1,1),
IA(1,1)及びレンズ素子LE(1,1)による光源像SI(1,1)を
経由する光線Ra(LE(1,1),IA(1,1))と、レンズ素子LE(2,
2)の入射面のサブ領域SA(LE(2,2),IA(1,1)及びレンズ素
子LE(2,2)による光源像SI(1,1)を経由する光線Ra(LE(2,
2),IA(1,1))と、レンズ素子LE(3,3)の入射面のサブ領域
SA(LE(3,3),IA(1,1)及びレンズ素子LE(3,3)による光源
像SI(1,1)を経由する光線Ra(LE(3,3),IA(1,1))と、レン
ズ素子LE(4,4)の入射面のサブ領域SA(LE(4,4),IA(1,1)
及びレンズ素子LE(4,4)による光源像SI(1,1)を経由する
光線Ra(LE(4,4),IA(1,1))と、レンズ素子LE(5,5)の入射
面のサブ領域SA(LE(5,5),IA(1,1)及びレンズ素子LE(5,
5)による光源像SI(1,1)を経由する光線Ra(LE(5,5),IA
(1,1))とが到達する。
【0019】従って、仮にレンズ素子LE(1,1)の入射面
上のサブ領域SA(LE(1,1),IA(1,1))とレンズ素子LE(5,5)
の入射面上のサブ領域SA(LE(5,5),IA(1,1))とを遮光す
ると、被照射面IA上の領域IA(1,1)には、光線Ra(LE
(1,1),IA(1,1))及び光線Ra(LE(5,5),IA(1,1))は到達せ
ず、光線Ra(LE(2,2),IA(1,1))、光線Ra(LE(3,3),IA(1,
1))及び光線Ra(LE(4,4),IA(1,1))のみが到達することに
なる。このことは、被照射面IA上の領域IA(1,1)が、
複数の光源像SI(2,2)、SI(3,3)及びSI(4,4)のみからな
る2次光源からの光に基づいて照明されることを意味す
る。
【0020】また、図1に戻って、被照射面IA上の領
域IA(1,2)と共役な領域は、レンズ素子LE(1,1)の入射面
上のサブ領域SA(LE(1,1),IA(1,2))〜レンズ素子LE(5,5)
の入射面上のサブ領域SA(LE(5,5),IA(1,2))であり、被
照射面IA上の領域IA(2,1)と共役な領域は、レンズ素
子LE(1,1)の入射面上のサブ領域SA(LE(1,1),IA(2,1))〜
レンズ素子LE(5,5)の入射面上のサブ領域SA(LE(5,5),IA
(2,1))であり、被照射面IA上の領域IA(2,2)と共役な
領域は、レンズ素子LE(1,1)の入射面上のサブ領域SA(LE
(1,1),IA(2,2))〜レンズ素子LE(5,5)の入射面上のサブ
領域SA(LE(5,5),IA(2,2))である。
【0021】前述のようにレンズ素子LE(1,1)の入射面
上のサブ領域SA(LE(1,1),IA(1,1))とレンズ素子LE(5,5)
の入射面上のサブ領域SA(LE(5,5),IA(1,1))とを遮光し
ても、被照射面IA上の領域IA(1,2)、領域IA(2,1)及び
領域IA(2,2)にそれぞれ達する光束は、上記サブ領域SA
(LE(1,1),IA(1,1))及びサブ領域SA(LE(1,1),IA(5,5))を
通過する光束ではないので、被照射面IA上の領域IA
(1,2)、領域IA(2,1)及び領域IA(2,2)は、複数の光源像S
I(1,1)、SI(2,2)、SI(3,3)、SI(4,4)及びSI(5,5)からな
る2次光源からの光に基づいて照明されることになる。
【0022】すなわち、被照射面IA上の領域IA(1,1)
に対しては、複数の光源像SI(2,2)、SI(3,3)及びSI(4,
4)からなる2次光源により照明し、被照射面IA上の領
域IA(1,2)、領域IA(2,1)及び領域IA(2,2)に対しては、
複数の光源像SI(1,1)、SI(2,2)、SI(3,3)、SI(4,4)及び
SI(5,5)からなる2次光源により照明している。このよ
うに、被照射面IA上の領域IA(1,1)に到達する光束の
2次光源位置での光強度分布(被照射面IAに関するフ
ーリエ変換面での光強度分布)を、被照射面IA上の他
の領域IA(1,2)、IA(2,1)及びIA(2,2)に達する光束の2
次光源位置での光強度分布と異ならしめることができ
る。
【0023】さて、以上のようにレンズ素子LE(1,1)の
入射面上のサブ領域SA(LE(1,1),IA(1,1))とレンズ素子L
E(5,5)の入射面上のサブ領域SA(LE(5,5),IA(1,1))とを
遮光すると、図3に示す被照射面IA上での照度分布図
のように、被照射面IA上の領域IA(1,1)における照度I
(IA(1,1))が、他の領域IA(1,2)、IA(2,1)及びIA(2,2)に
おける照度I(IA(1,2))、照度I(IA(2,1))及び照度I(IA
(2,2))よりも低くなり、被照射面IA上における照度分
布が不均一となってしまう。
【0024】前述したように、被照射面IAは、各レン
ズ素子LE(1,1)〜LE(5,5)の入射面のそれぞれと光学的に
共役な関係にあるので、図3に示した照度分布を打ち消
すような透過率分布を、各レンズ素子LE(1,1)〜LE(5,5)
の入射面のそれぞれに設ければ良い。以下、図4〜図6
を参照して説明する。ここで、図4は図3の照度分布を
打ち消す如き透過率分布を示す図であり、図4(a)は
レンズ素子LE(1,1)の入射面の位置に設けるべきM方向
に沿った透過率分布を示し、図4(b)はレンズ素子LE
(2,2)の入射面の位置に設けるべきM方向に沿った透過
率分布を示し、図4(c)はレンズ素子LE(3,3)の入射
面の位置に設けるべきM方向に沿った透過率分布を示
し、図4(d)はレンズ素子LE(4,4)の入射面の位置に
設けるべきM方向に沿った透過率分布を示し、図4
(e)はレンズ素子LE(5,5)の入射面の位置に設けるべ
きM方向に沿った透過率分布を示す。
【0025】図4に示す通り、被照射面IA上での光強
度分布が領域IA(1,1)が領域IA(2,2)に比べて低くなって
いるため、各レンズ素子LE(1,1)〜LE(5,5)の各入射面
に、領域IA(2,2)に対応するサブ領域(SA(LE(1,1),IA
(2,2))、SA(LE(2,2),IA(2,2))、SA(LE(3,3),IA(2,2))、
SA(LE(4,4),IA(2,2))及びSA(LE(5,5),IA(2,2)))の方が
領域IA(1,1)に対応するサブ領域(SA(LE(1,1),IA(1,
1))、SA(LE(1,1),IA(1,1))、SA(LE(3,3),IA(1,1))、SA
(LE(4,4),IA(1,1))及びSA(LE(5,5),IA(1,1)))よりも透
過率が低くなる如き透過率分布を設ければ良い。なお、
図4には不図示ではあるが、領域IA(1,2)及び領域IA(2,
1)に対応するサブ領域の透過率は、領域IA(2,2)に対応
するサブ領域の透過率と等しくする。
【0026】そして、被照射面IA上の複数の位置に到
達する光束の、被照射面に対するフーリエ変換面での光
強度分布を変更するために、レンズ素子LE(1,1)及びレ
ンズ素子LE(5,5)の入射面上のサブ領域SA(LE(1,1),IA
(1,1))、SA(LE(5,5),IA(1,1))が遮光されているため、
この遮光状態における各レンズ素子LE(1,1)〜LE(5,5)の
透過率分布は図5に示す通りになる。
【0027】ここで、図5は、レンズ素子LE(1,1)の入
射面上のサブ領域SA(LE(1,1),IA(1,1))とレンズ素子LE
(5,5)の入射面上のサブ領域SA(LE(5,5),IA(1,1))とを
遮光した状態における各レンズ素子LE(1,1)〜LE(5,5)の
入射面上での透過率分布を示す図であり、図5(a)は
レンズ素子LE(1,1)の入射面でのM方向の透過率分布を
示し、図5(b)はレンズ素子LE(1,1)の入射面でのM
方向の透過率分布を示し、図5(c)はレンズ素子LE
(2,2)の入射面でのM方向の透過率分布を示し、図5
(d)はレンズ素子LE(3,3)の入射面でのM方向の透過
率分布を示し、図5(e)はレンズ素子LE(4,4)の入射
面でのM方向の透過率分布を示す。この図5に示すとお
り、サブ領域SA(LE(1,1),IA(1,1))、SA(LE(5,5),IA(1,
1))の透過率が0%でその他のサブ領域の透過率が10
0%となる。
【0028】実際に、フライアイレンズFの各レンズ素
子LE(1,1)〜LE(5,5)の各入射面に設けるべき透過率分布
は、上記図4の透過率分布と上記図5の透過率分布との
積となる。この透過率分布を図6に示す。図6は、図4
に示す透過率分布と図5に示す透過率分布とを合成した
透過率分布を示す図であって、図6(a)はレンズ素子
LE(1,1)の入射面でのM方向の透過率分布を示し、図6
(b)はレンズ素子LE(1,1)の入射面でのM方向の透過
率分布を示し、図6(c)はレンズ素子LE(2,2)の入射
面でのM方向の透過率分布を示し、図6(d)はレンズ
素子LE(3,3)の入射面でのM方向の透過率分布を示し、
図6(e)はレンズ素子LE(4,4)の入射面でのM方向の
透過率分布を示す。
【0029】図6(a)及び(e)に示すように、レン
ズ素子LE(1,1)及びLE(5,5)の入射面上での透過率分布
は、+M方向側の透過率が高い分布となり、図6(b)
〜(d)に示すように、レンズ素子LE(2,2)、LE(3,3)及
びLE(4,4)の入射面上での透過率分布は、+M方向側の
透過率が低くなる分布となる。このように、レンズ素子
LE(1,1)及びLE(5,5)の入射面上での透過率分布と、レン
ズ素子LE(2,2)、LE(3,3)及びLE(4,4)の入射面上での透
過率分布とは、互いに逆向きとなる。
【0030】以上の通り、被照射面IAに関して光学的
に共役な位置に、フライアイレンズFが形成する多数の
光源IS(1,1)〜IS(5,5)のうちの一部IS(1,1),IS(5,5)に
対応した第1領域(レンズ素子LE(1,1)の入射面及びレ
ンズ素子LE(5,5)の入射面)と、多数の光源IS(1,1)〜IS
(5,5)のうちの上記一部とは異なる一部IS(2,2),IS(3,
3),及びIS(4,4)に対応した第2領域(レンズ素子LE(2,
2),LE(3,3),及びLE(4,4)の各入射面)を設けて、図6
(a)及び図6(e)にそれぞれ示す如く第1の透過率
分布を有する2つのフィルター要素を上記第1領域の全
体に設け、図6(b)〜図6(d)にそれぞれ示す如く
上記第1の透過率分布とは逆向きである第2の透過率分
布を有する3つのフィルター要素を上記第2領域の全体
に設ければ、被照射面IA上での照度均一性を維持しつ
つ、被照射面IA上の複数の位置にそれぞれ到達する光
束の2次光源位置での光強度分布(被照射面IAに関す
るフーリエ変換面での光強度分布)のそれぞれを独立に
コントロールすることが可能となる。ひいては、像面上
の任意の位置におけるパターンの線幅を任意にコントロ
ールできる。
【0031】上述の説明においては、透過率分布をフラ
イアイレンズFを構成する各レンズ素子LE(1,1)からLE
(5,5)の入射面上に直接的に設けた例について説明して
いるが、この入射面の近傍に(被照射面と共役な位置の
近傍)所定の透過率分布を有するフィルターを設けても
上述の効果を得ることができる。この場合には、フライ
アイレンズFの各レンズ素子LE(1,1)〜LE(5,5)の各入
射面に直接加工を施す必要がなくなるので、その製造が
容易となる利点がある。なお、このような透過率分布を
持たせる構成としては、所定の透過率分布特性を有する
誘電体多層膜を各レンズ素子LE(1,1)〜LE(5,5)の入射面
またはフィルター上に設ける構成や、所定の密度分布を
持つ遮光性または透過性の微小ドットの集合体(疎密パ
ターンとなる微小ドットの集合体)を上記入射面または
フィルター上に設ける構成などが考えられる。
【0032】また、上述の説明では一方向のみについて
議論しているが、本発明は一方向のみには限られない。
次に、被照射面上のマトリックス状に配列される複数の
測定点において、各測定点に到達する光束の開口内の光
強度分布を測定し、この測定結果に基づいて、開口内の
光強度分布が複数の測定点間で同じとなるように補正す
る例について説明する。なお、被照射面上の所定点に到
達する光束の開口内の光強度分布とは、被照射面に対す
る光学的なフーリエ変換面における光束の光強度分布に
対応するものである。ここで、上記フーリエ変換面と被
照射面との間に介在する光学系(コンデンサ光学系)が
fsinθの射影関係を有する理想光学系(歪曲収差以
外は無収差であって、かつどの光路においても透過率が
一定)である場合には上記開口内の光強度分布とフーリ
エ変換面での光強度分布とは一対一対応となる。
【0033】まず、図7を参照して、上記測定を行うた
めの光学構成について説明する。図7において、測定装
置MEは、被照射面IAに配置されてピンホール状の開
口部ASmeを有する遮光板SPmeと、この開口部A
Smeの位置が前側焦点位置となるように配置された集
光光学系Lmeと、この集光光学系Lmeの後側焦点位
置に配置された光電変換素子(例えば2次元CCD)か
らなる検出器Decとから構成される。ここで、遮光板
SPmeと、集光光学系Lmeと、検出器Decとは一
体に保持されており、図中XY方向に沿って一体に移動
する。この測定装置MEの検出点は、ピンホール状の開
口部ASmeの位置である。従って、測定装置MEは、
図中XY方向への移動と測定とを繰り返すことにより、
被照射領域IA内の複数の位置における測定が可能とな
る。
【0034】さて、測定装置MEの集光光学系Lmeと
しては、その射影関係がfsinθを満足し、歪曲収差
を除く収差が実質的に無収差であり、集光光学系中のど
の光路においても透過率が一定であるような理想fsi
nθ光学系を適用することが望ましい。検出器Dec
は、集光光学系Lmeとコンデンサ光学系Cとの合成さ
れた光学系に関して、コンデンサ光学系Cの前側焦点に
位置する複数の光源(不図示)と共役な関係にある。従
って、この検出器Dec上には、遮光板SPmeの開口
部ASme(検出点)を通過する光束の、被照射面IA
のフーリエ変換面での光強度分布相当の光強度分布を持
った(複数の光源の)像が形成される。ここで、集光光
学系Lmeが上述の如き理想fsinθ光学系ではない
場合には、検出器Decにて検出される光強度分布と、
検出点に到達する光束の開口内での光強度分布とが対応
しない恐れがある。この場合には、予め理想状態からの
ずれを測定しておき、検出器Decからの検出出力に、
上記ずれ分を考慮した補正をオフセットとして加えれば
良い。
【0035】なお、図7の例では、遮光板SPmeの開
口部の位置を集光光学系Lmeの前側焦点位置となるよ
うに配置しているため、検出器Decの角度特性による
影響を排除することができる。また、上述の例では検出
器Decに2次元CCDを適用しているが、この検出器
の位置にピンホール状の開口を配置し、その後側に例え
ばフォトマル等の光電変換素子を設けても良い。この場
合、集光光学系Lmeの後側焦点に配置されるピンホー
ル状の開口を集光光学系Lmeの光軸垂直方向(図中X
Y方向)に可動となるように設ければ良い。また、検出
器Decとして1次元CCDを用いる場合には、この1
次元CCDを移動可能に設ければ良い。
【0036】以上の通り、この測定を被照射面IA内の
複数の測定点について行うことで、被照射面上の各点で
の集光する光束の開口内での光強度分布を測定すること
ができる。図8に、図7の測定装置MEを用いた測定結
果の例を示す。ここで、図8(a)は被照射面IA上の
領域IA(1,1)に到達する光束の開口内での光強度分布を
示し、図8(b)は被照射面IA上の領域IA(1,2)に到
達する光束の開口内での光強度分布を示し、図8(c)
は被照射面IA上の領域IA(2,1)に到達する光束の開口
内での光強度分布を示し、図8(d)は被照射面IA上
の領域IA(2,2)に到達する光束の開口内での光強度分布
を示す図である。図8(a)〜(d)において、縦軸は
光強度Iをとり、横軸は、X方向における光束の開口数
NA(X)及びY方向における光束の開口数NA(Y)
をとっている。これらの開口数NA(X)及びNA
(Y)は、光束のX方向に沿った断面内での開口角とY
方向に沿った断面内での開口角とにそれぞれ対応してい
る。なお、図8では、開口数NA(X)及びNA(Y)
を25分割しており、図8中において25分割されてい
る各棒グラフの要素が、図1のフライアイレンズFを構
成する25のレンズ要素LE(1,1)〜LE(5,5)に対応してい
る。
【0037】図8に示した測定結果の例では、被照射面
IA上の領域IA(1,1)に到達する光束に関して、中心部
よりも周辺部の方が高くなるような開口内での光強度分
布となっている。また、被照射面IA上の領域IA(1,2),
IA(2,1),及びIA(2,2)に到達する光束に関しては、開口
内での光強度分布が均一になっている。このような光強
度分布の場合、被照射面IA上の領域IA(1,1)に集光す
る光束の実効的な開口数と、他の領域IA(1,2),IA(2,1),
及びIA(2,2)に集光する光束の実効的な開口数とが異な
り、例えば回路パターンをウエハ上へ投影露光する装置
の照明光学系として適用した場合に、回路パターンの線
幅が場所により異なる恐れがある。
【0038】そこで、図8の測定結果の場合において、
被照射面IA上の照度分布を一定にしつつ、被照射面I
A上の領域IA(1,1)に到達する光束の開口内での光強度
分布を均一にする例を以下に説明する。図8(a)にお
いて光強度が高くなっている部分は、図9のフライアイ
レンズFを入射面側から観察した状態を示す平面図にお
いてハッチングで示す通り、レンズ素子LE(1,1),LE(1,
2),LE(1,3),LE(1,4),LE(1,5),LE(2,1),LE(2,5),LE(3,
1),LE(3,5),LE(4,1),LE(4,5),LE(5,1),LE(5,2),LE(5,
3),LE(5,4),及びLE(5,5)を経た光束に対応している。そ
して、被照射面IA上において、光束の開口内の光強度
分布が不均一となっている領域は領域IA(1,1)のみであ
るため、各レンズ素子LE(1,1),LE(1,2),LE(1,3),LE(1,
4),LE(1,5),LE(2,1),LE(2,5),LE(3,1),LE(3,5),LE(4,
1),LE(4,5),LE(5,1),LE(5,2),LE(5,3),LE(5,4),及びLE
(5,5)の入射面内の領域において、領域IA(1,1)と光学的
に共役なサブ領域を通過する光束の光強度を所望量だけ
低下させるため、これらのサブ領域の透過率を低下させ
れば良い。
【0039】図9において、これらのサブ領域は、サブ
領域SA(LE(1,1),(IA(1,1)),SA(LE(1,2),(IA(1,1)),SA(L
E(1,3),(IA(1,1)),SA(LE(1,4),(IA(1,1)),SA(LE(1,5),
(IA(1,1)),SA(LE(2,1),(IA(1,1)),SA(LE(2,5),(IA(1,
1)),SA(LE(3,1),(IA(1,1)),SA(LE(3,5),(IA(1,1)),SA(L
E(4,1),(IA(1,1)),SA(LE(4,5),(IA(1,1)),SA(LE(5,1),
(IA(1,1)),SA(LE(5,2),(IA(1,1)),SA(LE(5,3),(IA(1,
1)),SA(LE(5,4),(IA(1,1)),及びSA(LE(5,5),(IA(1,1))
である。
【0040】図10に、レンズ素子LE(1,1)の入射面上
に設けるべき透過率分布を示す。なお、図10において
縦軸は透過率Tであり、横軸はXY軸である。図10に
示す通り、レンズ素子LE(1,1)上においては、サブ領域S
A(LE(1,1),IA(1,1))の透過率Tが他のサブ領域SA(LE(1,
1),IA(1,2)),SA(LE(1,1),IA(2,1)),及びSA(LE(1,1),IA
(2,2))の透過率Tよりも低くなる。同様に、他のレンズ
素子LE(1,2),LE(1,3),LE(1,4),LE(1,5),LE(2,1),LE(2,
5),LE(3,1),LE(3,5),LE(4,1),LE(4,5),LE(5,1),LE(5,
2),LE(5,3),LE(5,4),及びLE(5,5)の入射面上にも図10
に示したような透過率分布を設ける。
【0041】上述のようにサブ領域SA(LE(1,1),(IA(1,
1))〜SA(LE(5,5),(IA(1,1))のみの透過率を低下させた
場合における被照射面IAの各領域IA(1,1)〜IA(2,2)に
それぞれ到達する光束の開口内の光強度分布を図11に
示す。なお、図11(a)は被照射面IA上の領域IA
(1,1)に到達する光束の開口内での光強度分布を示し、
図11(b)は被照射面IA上の領域IA(1,2)に到達す
る光束の開口内での光強度分布を示し、図11(c)は
被照射面IA上の領域IA(2,1)に到達する光束の開口内
での光強度分布を示し、図11(d)は被照射面IA上
の領域IA(2,2)に到達する光束の開口内での光強度分布
を示す図である。図11(a)〜(d)において、縦軸
は光強度Iをとり、横軸はX方向における光束の開口数
NA(X)及びY方向における光束の開口数NA(Y)
をとっている。
【0042】なお、図11(a)〜11(d)におい
て、各領域IA(1,1)〜IA(2,2)に達する各光束のエネルギ
ー量は、各光強度分布を積分したものに対応している。
従って、図11(a)に示す領域IA(1,1)に到達する光
束のエネルギー量は、図11(b)〜(d)に示す領域
IA(1,2),IA(2,1),及びIA(2,2)に到達する光束のエネル
ギー量よりも少ない、すなわち被照射面IAの照度分布
が領域IA(1,1)が落ち込んだ形状の照度分布となること
が分かる。
【0043】このようにサブ領域SA(LE(1,1),(IA(1,1))
〜SA(LE(5,5),(IA(1,1))のみの透過率を低下させただけ
であると、図11に示す如く、被照射面IA上の各領域
IA(1,1)〜IA(2,2)に達する光束の開口内の光強度分布は
それぞれ均一なものになるが、被照射面IA全体の照度
分布が一定にならない。この場合においても、例えば回
路パターンをウエハ上へ投影露光する装置の照明光学系
として適用した場合に、回路パターンの線幅が場所によ
り異なる恐れがある。
【0044】被照射面IA全体の照度分布を均一にする
ためには、領域IA(1,2),IA(2,1),及びIA(2,2)へ達する
光束のエネルギー量を領域IA(1,1)に達する光束のエネ
ルギー量に合わせれば良い。ここで、被照射面IAの全
体は、各レンズ素子LE(1,1)〜LE(5,5)の各入射面とそれ
ぞれ光学的に共役であるため、これら各入射面に被照射
面IAのエネルギー量の分布(照度分布に対応)とは逆
方向の透過率分布を与えれば良い。なお、フライアイレ
ンズF及びコンデンサ光学系C自体の透過率がいずれの
光路においても一定であるような場合には、各入射面に
与えられる透過率分布は、被照射面IA上の照度分布と
逆分布となる。また、フライアイレンズF及びコンデン
サレンズC自体の透過率がこれらを通過する光路ごとに
異なる場合には、この透過率を考慮してフライアイレン
ズFの各入射面に与えられる透過率分布を定めれば良
い。なお、本例では説明を簡単にするためにフライアイ
レンズF及びコンデンサ光学系C自体の透過率がいずれ
の光路においても一定であると仮定して説明している。
【0045】図12は、フライアイレンズFの各入射面
に与えられる透過率分布を示す図であって、図10と同
様に、縦軸に透過率T、横軸にXY軸を取っている。な
お、被照面IAの照度分布を補正するための各入射面で
の透過率分布はそれぞれ同じであるため、図12にはフ
ライアイレンズFのレンズ素子LE(1,1)の入射面での透
過率分布を示す。図12に示す通り、この透過率分布
は、被照射面IA上の領域IA(1,1)と共役なサブ領域SA
(LE(1,1),IA(1,1))の透過率Tが100%であり、他の
領域 IA(1,2),IA(2,1),及びIA(2,2)と共役な領域SA(LE
(1,1),IA(1,2)),SA(LE(1,1),IA(2,1)),及びSA(LE(1,1),
IA(2,2))の透過率Tが100%よりも小さな値となる。
【0046】被照射面IA上の各領域に達する光束の開
口内での光強度分布を一定にするための透過率分布(図
10に図示)と、図10の透過率分布に起因する被照射
面IA上での照度分布不均一性を補正するための透過率
分布(図12に図示)との積をとれば、被照射面IA上
において照度分布の均一性を維持しつつ、被照射面IA
上の複数の位置に到達する光束間の開口内での光強度分
布を均一にすることができる。
【0047】図13に、上記図10に示した透過率分布
と、上記図12に示した透過率分布とを乗じたものを示
す。ここで、図13(a)は、図9にハッチングで示し
た領域(第1領域)に位置するレンズ素子LE(1,1),LE
(1,2),LE(1,3),LE(1,4),LE(1,5),LE(2,1),LE(2,5),LE
(3,1),LE(3,5),LE(4,1),LE(4,5),LE(5,1),LE(5,2),LE
(5,3),LE(5,4),及びLE(5,5)の各入射面のそれぞれに設
けられる透過率分布(第1の透過率分布)を示す。ま
た、図13(b)は、上記第1領域とは異なる領域であ
る第2領域に位置するレンズ素子LE(2,2),LE(2,3),LE
(2,4),LE(3,2),LE(3,3),LE(3,4),LE(4,2),LE(4,3),及び
LE(4,4)の各入射面のそれぞれに設けられる透過率分布
(第2の透過率分布)を示す。なお、図13(a),
(b)では、図10、12と同様に、縦軸に透過率Tを
とり、横軸にXY軸をとっている。
【0048】ここで、フライアイレンズFを構成するレ
ンズ素子LE(1,1)〜LE(5,5)の各入射面に透過率分布を与
えるための構成としては、これら各入射面自体に所定の
透過率分布を有する誘電体多層膜または所定の密度分布
を持つ遮光性/透過性の微小ドットの集合体(例えばク
ロム蒸着等により形成される)を設ける構成が考えられ
る。また、フライアイレンズFの各レンズ素子自体に透
過率を持たせる加工を施すのが困難である場合には、フ
ライアイレンズFの入射面の近傍に、例えば光透過性の
平行平面板を配置し、この平行平面板上において上記サ
ブ領域と一対一対応する領域に、所定の透過率を有する
誘電体多層膜または所定の密度を持つ遮光性/透過性の
微小ドットの集合体を設けても上述の構成と同様の効果
が得られる。
【0049】なお、フライアイレンズFの入射面自体に
加工を施した場合には、この加工された部分(誘電体多
層膜、微小ドットを構成する薄膜など)を本発明のフィ
ルターと見なせば良い。また、微小ドットの集合体の密
度分布により透過率分布を与える場合には、被照射面I
Aにおいて微小ドットがディフォーカス状態となるた
め、後者の構成(フライアイレンズFとは別の部材に透
過率分布を持たせる構成)とすることが好ましい。
【0050】以上のように、被照射面IAに関して光学
的に共役な位置またはその近傍の位置に、フライアイレ
ンズFが形成する多数の光源のうちの一部に対応した第
1領域(レンズ素子LE(1,1),LE(1,2),LE(1,3),LE(1,4),
LE(1,5),LE(2,1),LE(2,5),LE(3,1),LE(3,5),LE(4,1),LE
(4,5),LE(5,1),LE(5,2),LE(5,3),LE(5,4),及びLE(5,5)
の各入射面が形成する領域)と、多数の光源のうちの上
記一部とは異なる一部に対応した第2領域(レンズ素子
LE(2,2),LE(2,3),LE(2,4),LE(3,2),LE(3,3),LE(3,4),LE
(4,2),LE(4,3),及びLE(4,4)の各入射面が形成する領
域)を設けて、図13(a)に示す如く第1の透過率分
布を有する16のフィルター要素を上記第1領域の全体
に設け、図13(b)に示すような上記第1の透過率分
布とは逆向きである第2の透過率分布を有する9つのフ
ィルター要素を上記第2領域の全体に設ければ、被照射
面IA上での照度均一性を維持しつつ、被照射面IA上
の複数の位置にそれぞれ到達する光束の2次光源位置で
の光強度分布(被照射面IAに関するフーリエ変換面で
の光強度分布)のそれぞれを独立にコントロールするこ
と(上述の例では均一となるようにコントロールしてい
る)が可能となる。ひいては、像面上の任意の位置にお
けるパターンの線幅を任意にコントロールできる。
【0051】なお、以上の例では、図12に示した透過
率分布は、図10の透過率分布により生じる被照射面I
A上での照度分布むらを補正するためだけのものであっ
たが、この図12の透過率分布に、もとから存在する被
照射面IA上での照度分布むらを補正することのできる
成分を加えても良い。なお、以上の例では、被照射面I
A上の各領域に達する光束の開口内での光強度分布を一
定にするための透過率分布(図10に図示)と、図10
の透過率分布に起因する被照射面IA上での照度分布不
均一性を補正するための透過率分布(図12に図示)と
を一つの部材上に設けたが、これらの透過率分布を設け
た部材は別の位置にあっても良い。例えば、図10に示
した透過率分布をフライアイレンズFの入射面或いはそ
の近傍の位置に設け、図12に示した透過率分布を被照
射面と共役な位置であってフライアイレンズFの入射面
とは異なる位置に設ければ良い。図14は、図1の構成
に加えて、図1の被照射面の位置を視野絞りFSとし、
この視野絞りFSの像を被照射面IAへ再結像するリレ
ー光学系RSを設けた例である。この場合、図10の透
過率分布をフライアイレンズFの入射面またはその近傍
に配置されるフィルターF1上に設け、該フィルターF
1に起因して発生する被照射面IA上での照度分布の不
均一性を補正できる透過率分布をを図14の視野絞りF
S位置またはその近傍に配置されるフィルターF2上に
設ければ良い。この場合、フィルターF1には、図9に
ハッチングで示したように、各レンズ素子LE(1,1),LE
(1,2),LE(1,3),LE(1,4),LE(1,5),LE(2,1),LE(2,5),LE
(3,1),LE(3,5),LE(4,1),LE(4,5),LE(5,1),LE(5,2),LE
(5,3),LE(5,4),及びLE(5,5)の各入射面に対応した領域
に図10の透過率分布を与える。フィルターF2には、
フィルターF1に起因して生じる被照射面IA上での照
度分布の不均一性を補正するような透過率分布を与えれ
ば良い。なお、この場合、フィルターF2には、もとか
ら存在する被照射面IA上の不均一性を補正する透過率
分布を、フィルターF1に起因する照度不均一を補正す
る透過率分布と合わせても良い。
【0052】また、上述の例においては、被照射面IA
を4つの領域に分割したが、この分割数は4つには限ら
れず、フライアイレンズFを構成するレンズ素子の数及
び配置も5×5=25個には限られない。以上の例にお
いては、例えば図15に示すように、図7に示す測定装
置MEへ光源からの光を導くことが第1工程(S1)に
相当し、この測定装置MEにより被照射面上の複数の測
定点(領域)において、そこに集光する光束の開口内で
の光強度分布を測定する(複数の測定点に対するフーリ
エ変換面での光強度分布)ことが第2工程(S2)に相
当する。なお、上述の例では、被照射面上の複数の測定
点に集光する光束の開口内での光強度分布を測定するこ
とにより、その測定点での照度も計測している。そし
て、当該測定結果に基づいて、被照射面IA上において
照度分布の均一性を維持しつつ、被照射面IA上の複数
の測定点に到達する光束間の開口内での光強度分布を均
一にするために、フライアイレンズFを構成するレンズ
素子のうち、第1領域に存在するレンズ素子の入射面に
第1の透過率分布を与え、かつ第2領域に存在するレン
ズ素子の入射面に第2の透過率分布を与えることが第4
工程(S4)に相当し、当該第4工程で得られたフィル
ターを照明装置(投影露光装置)に組み込むことが第3
工程(S3)に相当する。
【0053】また、上述の例においては、被照射面IA
上に集光する光束の開口内での光強度分布を実際に測定
したが、測定を行う代わりに、シミュレーションを行っ
ても良い。この場合、被照射面上での光束の開口内での
光強度分布及び被照射面での照度分布を算出して、これ
らをコントロールする手法や、レジスト(感光性材料)
が塗布された基板上に形成されるレジストパターンの線
幅異常値をコントロールする手法などが考えられる。
【0054】上記の場合には、図7の測定装置MEを用
いて実際に測定を行う代わりに、照明シミュレーション
ソフトを用いて、フライアイレンズFの入射面またはそ
の近傍に均一な透過率分布を与えたときの被照射面上で
の光束の開口内での光強度分布及び被照射面での照度分
布を算出する。そして、この算出結果に基づいて、フラ
イアイレンズFの入射面またはその近傍に与えるべき透
過率分布を上述の手法で算出する。なお、この算出時に
おいて、コンデンサ光学系Fの収差や透過率特性なども
(リレー光学系RSや投影光学系が配置される際にはそ
のリレー光学系RSや投影光学系の収差や透過率特性
も)シミュレーション時に考慮に入れることが好まし
い。
【0055】この場合、例えば図16に示すように、被
照射面(または像面)内の複数の位置に到達する光束の
開口内の光強度分布と被照射面上での照度分布をシミュ
レーションすることが第1工程(S1)及び第2工程
(S2)に相当し、当該シミュレーション結果に基づい
て、被照射面IA上において照度分布の均一性を維持し
つつ、被照射面IA上の複数の測定点に到達する光束間
の開口内での光強度分布を均一にするために、フライア
イレンズFを構成するレンズ素子のうち、第1領域に存
在するレンズ素子の入射面に第1の透過率分布を与え、
かつ第2領域に存在するレンズ素子の入射面に第2の透
過率分布を与えることが第4工程(S4)に相当し、当
該第4工程で得られたフィルターを照明装置(投影露光
装置)に組み込むことが第3工程(S3)に相当する。
【0056】また、上記の場合には、図16に示すよう
に、被照射面IAに所定のパターンを有するレチクルR
が配置され、そのレチクルRのパターンの像を投影光学
系PLを用いてレジストが塗布された基板上に投影する
構成を前提とする。結像シミュレーションソフトとし
て、例えばレチクルRのパターンの種類(ライン・アン
ド・スペース、孤立パターン)、レジストの感光特性、
露光条件(局所的な露光量、局所的なσ値)、投影光学
系PLの収差や透過率特性などのパラメータから、レジ
ストパターンの線幅異常値(設計線幅に対するレジスト
パターンの線幅のずれ量)を算出できるものを用いる。
そして、上記線幅異常値を評価関数として、上記パラメ
ータにおいて露光条件を除くパラメータを固定し、フラ
イアイレンズFの入射面における透過率分布(上記露光
条件のパラメータに対応している)を最適化する。この
とき、例えばレチクルRのパターンの種類がライン・ア
ンド・スペースパターンと孤立パターンとでは、評価関
数が最良となる透過率分布が異なる場合があるが、双方
(ライン・アンド・スペースパターン、孤立パターン)
の線幅異常値が共に少なくなる如き透過率分布を採用す
れば良い。なお、上記最適化の手法としては、例えば勾
配法や最小自乗法、シミュレーテッドアニーリング法、
遺伝的アルゴリズム等を適用することができる。
【0057】図17は本発明による投影露光装置全体の
概略図であり、この図を参照しながら、説明を行う。光
源1は、水銀ランプを用いるのが代表的であり、光源1
は、回転楕円面からなる集光鏡2の第1焦点に配置され
る。そして、集光鏡2の第2焦点に光源1から放出され
た光束が、ミラー3を介して一度集光する。第2焦点の
近傍には、シャッター4が配され、これを通過した光束
は、コリメーター5によりほぼ平行な光束に変換され、
バンドパスフィルター6により露光波長が選択される
(水銀の輝線43 6nm(g線) 、365nm(i線) 等)。ここ
で、光源1、集光鏡2、コリメーター5及びバンドパス
フィルター6によって、光源系が構成されている。尚、
光源1としては、水銀ランプ以外にレーザー、特に、K
rFレーザーやArFレーザー、或いはF2レーザを用
いることが考えられる。
【0058】なお、このようなレーザーを用いた照明光
学系としては、例えばUSP4,939,630、及び
USP5,253,110に開示されている。ここで
は、該USP4,939,630、及びUSP5,25
3,110をレファレンスとして援用する。そして、バ
ンドパスフィルター6を通過した光束は、複数のレンズ
要素を集積してなるオプティカルインテグレータである
フライアイレンズ7に入射する。このフライアイレンズ
7のの射出側面には多数の一次光源の像(二次光源)が
形成される。
【0059】この二次光源の位置には開口絞り8が設け
られており、二次光源から発散する光束は、開口絞り8
によりその径を制限されて、第1コンデンサーレンズ9
へ向かう。この第1コンデンサーレンズ群9の後側焦点
位置近傍には、視野絞り10が配置されており、二次光
源からの光束は、視野絞り10を重畳的に照明する。こ
の視野絞り10を介した光束は、第2コンデンサーレン
ズ群11を経由して、投影露光されるべきパターンが描
画されたレチクル13(マスク)を照明する。ここで、
第2コンデンサーレンズ群11は、視野絞り10とレチ
クル13のパターン面とを光学的に共役な関係にする。
従って、視野絞り10は、被照射面としてのレチクル1
3上での照明範囲を決定する機能を有する。また、第2
コンデンサーレンズ群11の内部には、光路を偏向する
ための光路折り曲げミラー12が配置されている。ここ
で、第1及び第2コンデンサーレンズ群9,11は、コ
ンデンサー光学系に対応している。
【0060】さて、以上において説明した照明光学系
(1〜12)からの光に基づいて、投影光学系14は、
レチクル13上に描画されたパターンを、投影光学系1
4の像面に位置するウエハ(感光性基板)上に所定の倍
率のもとで投影する。ここで、共役関係について説明す
る。まず、レチクル13と共役な面は、ウエハ18と、
視野絞り10と、フライアイレンズ7を構成する複数の
レンズ素子70の各々の入射面71aのそれぞれであ
る。また、光源1、楕円鏡2の第2焦点、フライアイレ
ンズ7が形成する二次光源(開口絞り8)、及び投影光
学系14中の開口絞り15がそれぞれ共役な関係となっ
ている。
【0061】次に、像面上の異なる位置−例えば像面中
心部と像面周辺部−においてパターン像の線幅を制御を
得るための構成について説明する。まず、ウエハ18の
表面上における光束の集光状態と、パターン像の線幅と
の関係について図18を参照して説明する。図18
(a)及び(b)は、それぞれウエハ18の表面上(像
面IMG上)での光束の集光状態を示す図であり、図1
8(a)はウエハ18上の露光領域の中心部(像面IM
Gの中心部IMG1)、図18(b)はウエハ18上の
露光領域の周辺部(像面IMGの周辺部IMG2)にそ
れぞれ対応している。ここで、図18(a),(b)に
示す通り、像面中心部IMG1において集光する光束I
L1の開口数NA1(NA1=n・sinθ1,但しn
はウエハ18の周囲の雰囲気の屈折率)よりも像面周辺
部IMG2において集光する光束IL2の開口数NA2
(NA2=n・sinθ2,但しnはウエハ18の周囲
の雰囲気の屈折率)のほうが大きな状態である場合を考
える。このとき、光束IL1及び光束IL2の光強度分
布であるとする。一般的に、孤立線のパターン像を形成
する場合には、開口数の大きな方(σ値の大きな方)が
より細い線幅のパターン像を形成することができる。従
って、図18(c)に示すように、光束IL1により形
成されるパターン像P1よりも、図18(d)に示すよ
うに、光束IL2により形成されるパターン像P2の方
がその線幅が細くなる。このように、ウエハ18(像面
IMG)に達する光束に開口数の不均一性がある場合に
は、ウエハ18の露光領域内(像面IMG内)において
照度均一性が達成されていたとしても、線幅不均一性を
招く恐れがある。
【0062】すなわち、ウエハ18の露光領域(像面I
MG)内に到達する光束の角度方向(開口数方向)の照
度ムラの状態(光束の開口内での強度分布)が、像面I
MGに達する複数の光束の間で局所的に異なっている
と、これらの光束により形成されるパターン像の線幅が
不均一になる。本実施形態では、被照射面としての像面
IMG上の所定の点IMG1,IMG2に集光する光束
IL1,IL2に関して、独立に開口内での強度分布を
変更すること−被照射面に対するフーリエ変換面の光強
度を被照射面上のおける各点に対して独立に変化させる
こと−により、これらの光束の開口内での光強度分布を
実質的に等しくすることができる。
【0063】このために、本実施形態では、被照射面に
関して光学的に共役となる面、あるいはその近傍に、フ
ライアイレンズ7が形成する多数の光源に対応した光束
の光束断面内の光強度分布をそれぞれ独立に調整するた
めのフィルター100を設けた。なお、従来のフィルタ
ーリング技術では、フィルターを用いると、画面中心部
も画面周辺部も同様の効果を受けることになる。これに
対し、本実施の形態では、例えば、1つのフィルターし
か用いないのに、画面中心部と画面周辺部とで、効果の
異なるフィルターリングを行うことができる。これを達
成するために、本実施の形態では、被照射面に対して共
役な位置又はその近傍の位置であって、オプティカルイ
ンテグレータが形成する多数の光源に空間的に対応した
位置にフィルターを配置する。オプティカルインテグレ
ータが上記フライアイレンズの場合は、フライアイレン
ズの入射面にフィルターを配置することが好ましい。
【0064】図19を参照して、フィルターの一例を示
す。図19は、ウエハ18上の露光領域(投影光学系1
4の像面IMG)上に到達する光束の状態を説明するた
めの図である。以下に説明する例では、図19に示すよ
うに、像面IMGの中心部(点IMG1)に集光する光
束IL1の開口内の光強度分布をそのままの状態にし、
像面IMGの周辺部(点IMG2)に集光する光束IL
2の開口内の光強度分布のみを変化させる。図20に、
変化させるべき光束IL2の開口内の光強度分布を示
す。なお、図20において、縦軸は光強度Iをとり、横
軸は光束IL2の開口数NAをとっている。この光束I
L2の開口内の光強度分布は、像面IMGに対して光学
的にフーリエ変換面となる位置(開口絞り8、14の位
置)での光束の光強度分布に対応している。
【0065】図19及び図20に示す如き光束を得るた
めの構成について説明する。図21は、被照射面(像面
IMG)と共役な位置(または近傍)に配置されるフィ
ルター100を+X方向側から観察した状態を示す平面
図である。図21において、フィルター100は複数の
フィルター要素101,102をマトリックス状に配列
してなる。なお、これら複数のフィルター要素101,
102のそれぞれは、フライアイレンズ7を構成する複
数のレンズ素子にそれぞれ対応した領域に配置される。
すなわち、これら複数のフィルター要素101,102
は、フライアイレンズ7が形成する多数の光源の各々に
対応した位置に設けられる。 図21に示す通り、第1
フィルター要素101はフィルター100の中心部に存
在しており、第2フィルター要素102はフィルター1
00の周辺部に存在している。すなわち、第1フィルタ
ー要素101はフライアイレンズ7が形成する多数の光
源のうちの中心部の光源に対応しており、第2フィルタ
ー要素102はフライアイレンズ7が形成する多数の光
源のうちの周辺部の光源に対応している。
【0066】ここで、図4においては、各フィルター要
素101,102中、密度の濃い斜線でハッチングされ
た領域A1は最も透過率が低い領域であり、白色で示し
た領域A3は最も透過率が高い領域であり、粗い斜線で
ハッチングされた領域A2は、領域A1よりも透過率が
高くかつ領域A3よりも透過率が低い領域である。ここ
で、第1フィルター要素101は領域A2及び領域A3
をそれぞれ有し、第2フィルター要素102は領域A1
及びA2を有する。
【0067】ここで、フライアイレンズ7の各入射面の
それぞれが被照射面と共役であり、これら各入射面の近
傍のそれぞれに各フィルター要素101,102が配置
されているため、各フィルター要素101,102の内
部において、その中の位置は、被照射面(像面IMG)
内の位置に一義的に対応している。例えば、像面中心位
置IMG1には、各フィルター要素101,102の中
心位置(領域A2)を通過する光線が入射する。ここ
で、これらの光線は、共に同じ透過率の領域A2を通過
するため、それらの光強度の差はいずれの光線間におい
ても存在しない。従って、像面中心位置IMG1では、
光束の開口内のどの位置(どの開口角)でも同じ光強度
分布を有することになる。
【0068】一方、像面周辺位置IMG2の例えば図中
右上周辺位置には、各フィルター要素101,102の
右上周辺の位置(領域A1,A3)を通過する光線が入
射する。このとき、フィルター100の中心部に存在す
る第1フィルター要素101における右上周辺位置(領
域A3)は透過率が高いため、図3の光束IL2の中心
部(開口角が小さい部分)の光強度は高いままに維持さ
れる。これに対して、フィルター100の周辺部に配置
される第2フィルター要素102における右上周辺位置
(領域A1)は透過率が低いため、光束IL2の周辺部
(開口角が大きな部分)の光強度は低くなる。すなわ
ち、光束IL2の開口内での光強度分布は、図20に示
したように、中心部が高く周辺部が低くなる如き光強度
分布を得ることができる。
【0069】ここで、図21に示したように、フィルタ
ー100の中心部に存在する第1フィルター要素101
と周辺部に存在する第2フィルター要素102とでは、
それらの透過率分布がそれぞれ逆転した関係になってい
る。被照射面(像面IMG)内の複数の位置に到達する
光束(IL1,IL2)ごとの開口内の光強度分布のみ
を制御するためだけには、第2フィルター要素102内
の領域A1のみを設ければ良いが、この領域A1のみを
フィルター100に配置しただけでは、被照射面(像面
IMG)上の周辺位置IMG2へ向かう光束が所定の透
過率を持つ領域A1を通過して減光され、被照射面(像
面IMG)上の中心位置へ向かう光束が何ら減光されな
いため、周辺位置IMG2での照度が中心位置IMG1
に対して低下することになる。そこで、本例では、被照
射面(像面IMG)に達する光束の全てが通過するフィ
ルター上での領域A2に所定の透過率を与え、被照射面
(像面IMG)での照度をどの位置(中心位置IMG
1,周辺位置IMG2)においても一定となるようにし
ている。この結果、第1フィルター要素101と第2フ
ィルター要素102との透過率分布は、それぞれ逆向き
の特性を有することになる。
【0070】以上のように、被照射面に対して共役な位
置又はその近傍であって、複数の光源に空間的に対応し
た位置にフィルターを配置することにより、被照射面に
対するフーリエ変換面の光強度を被照射面上各点に対し
独立に変化させることができる。図22を参照して、フ
ィルター100の透過率分布の設定について説明する。
【0071】まず、フィルター100が光路に設定され
ない状態において、像面IMG上に集光する光束の光強
度分布を測定する。図22において、ウェハ18の位置
(像面IMGの位置)にピンホールの空いた遮光板19
を配置し、その下に集光光学系20を配置する。遮光板
19のピンホール位置が集光光学系20の前側焦点位置
となる様に配置し、集光光学系20の後側焦点面21に
て光の照度分布の測定をする。この測定は、CCDのよ
うな光電変換素子を後側焦点面21に配置して2次元的
に行っても良く、また、後側焦点面21内でXY方向に
可動なピンホール部材とこのピンホール部材を経た光の
光量を検出する検出器とを設け、これらピンホール部材
と検出器とを一体に後側焦点面21内のXY方向へ走査
させつつ検出しても良い。
【0072】ここで、集光光学系20の理想の性能は、
収差がディストーションを除いて無収差であり、射影関
係のみ通常理想とされるftan θではなくfsin θであ
り、透過率が位置、方向によらず100パーセント、と
いったものである。しかし、現実には理想どうりの光学
系を得るのは困難であるので、使用した集光光学系20
の理想からのずれを考慮して、測定結果を補正する。
【0073】なお、ピンホール位置が集光光学系20の
前側焦点位置となるように配置する理由は、センサーの
角度特性による影響を排除するためである。また、後側
焦点面21にて測定を行うのは、この位置が瞳(開口絞
り)と共役だからである。この測定を被露光物体面18
(像面IMG)内の各点について行うことで、像面上の
各点に集光する光束の開口内での光強度分布を測定出来
る。
【0074】次にフィルターの透過率の仮設定を行う。
集光する光束の開口内の補正すべき位置(光束の開口角
の値)が決まれば、フライアイレンズ7の複数のレンズ
要素内の対応するレンズ要素が分かり、その光束の像面
上での位置が分かれば、そのレンズ要素の入射面内の位
置がが分かる。そして、その開口角を持つ光線(光束)
の光強度を補正すべき値が決まれば、上記レンズ要素の
入射面内の位置(領域)に与えるべき透過率が分かる。
【0075】ここで、所望の光強度よりも高くなってい
る部分(光束の開口角方向、被照射面内方向)に対応す
るフィルター100上での透過率を、所望の強度になる
よう低減することにより、像面IMG上(ウエハ18
上)の複数の点における該点に集光する光束の光強度分
布を任意の分布に変換することができる。本例では、こ
のようにして得たフィルターを仮フィルターと呼ぶこと
にする。
【0076】次に、仮フィルターをフライアイレンズ7
の入射面近傍に設置して、像面IMG(ウェハ18面)
上の照度分布を測定する。この測定は、図22に示した
構成により行うことができる。この測定結果は、仮フィ
ルターのみを設置した際の像面IMG上での照度分布で
あるため、測定された照度分布と所望の照度分布との差
を補正する必要がある。そこで、この補正すべき照度分
布を得るために必要なフィルター100上での透過率分
布を計算する。当該透過率分布は、フライアイレンズ7
の各レンズ要素に対応したフィルター100上の領域ご
とに求める。求められた透過率分布と、上記仮フィルタ
ーの透過率分布との積を、フライアイレンズ7の各レン
ズ要素に対応したフィルター100上の領域ごとにとれ
ば、当該領域(第1及び第2フィルター要素101,1
02のそれぞれに対応)におけるフィルター100の透
過率分布を得ることができ、ひいてはフィルター100
全体の透過率分布を設定することができる。
【0077】なお、上述の説明において、仮フィルター
は説明の便宜上設けたものであり、実際には、「仮フィ
ルターを製造して照度ムラを測定する過程」に相当する
計算は、フィルターの透過率仮設定時に同時に行うこと
が好ましい。仮フィルターを作成する事で、製造誤差が
乗る恐れがあるからである。さて、フィルターの透過率
設定の別の例を簡単に説明する。例えば被照射面上に集
光する光束の光強度分布がおおよそ判っており、かつ線
幅の不均一性(レチクル上の同一種のパターン(ライン
・アンド・スペースパターン,孤立パターン)によりウ
エハ上に形成されたパターンの線幅値の局所的なばらつ
き)を補正することのみが目的である場合には、以下の
手法を用いることができる。
【0078】まず、所定のパターンを有するレチクルを
用いてウエハ上へパターンの焼き付け及び現像を行う。
そして、その結果に対し、結像シミュレーションにより
任意の像ができるように、フィルター100の透過率設
定を行う。これにより、像面IMG内の任意の位置にお
ける実効σ値と照度との双方を独立にコントロールする
ことができるため、投影露光装置中の光学系に起因しな
い要因により生ずる線幅のばらつきを補正できる利点が
ある。
【0079】なお、上述の説明においては、図17に示
した通り、シングルフライアイレンズを用いた投影露光
装置を前提として説明を行ったが、2組のフライアイレ
ンズを有する、所謂ダブルフライアイレンズ構成をとる
ことも可能である。なお、このようなダブルフライアイ
レンズ構成である照明光学系としては、例えばUSP
4,497,015やUSPUSP5,253,110
に開示されている。ここでは、該USP4,497,0
15、及びUSP5,253,110をレファレンスと
して援用する。
【0080】このようなダブルフライアイレンズを有す
る照明光学系は、該して、光源系からほぼ平行光束を供
給し、該ほぼ平行光束中に第1フライアイレンズを配置
する。この第1フライアイレンズは複数の光源を形成す
る。そして、第1フライアイレンズが形成した複数の光
源からの光を中間光学系を介して第2フライアイレンズ
へ導く。ここで、中間光学系は、第1フライアイレンズ
による複数の光源からの光に基づいて、第2フライアイ
レンズの入射面を重畳的に照明する。そして、第2フラ
イアイレンズは、中間光学系を介した第1フライアイレ
ンズからの光に基づいて、さらに複数の光源を形成す
る。このとき、第2フライアイレンズを構成する複数の
レンズ要素の射出端面側のそれぞれには、第1フライア
イレンズが形成した複数の光源の像が各々形成される。
そして、第2フライアイレンズによる複数の光源からの
光束をコンデンサー光学系により集光して、被照射面を
重畳的に照明する。
【0081】ここで、第2フライアイレンズの入射面位
置またはその近傍にフィルター100を設ける場合、す
なわち光源系とオプティカルインテグレータとの間に、
補助オプティカルインテグレータと補助コンデンサー光
学系とを配置する場合には、第2フライアイレンズの入
射面での照度分布が比較的均一となり、例えば水銀ラン
プの輝点位置の変動などが生じても、ここでの照度分布
の変動は小さなものとなる。従って、第2フライアイレ
ンズの入射面での照度分布(輝度分布)が所定の状態の
もとでフィルターの透過率設定をした場合であっても、
この照度分布が上記所定の状態から変動する量が少なく
なるため、被照射面(像面)上での照度分布並びに光束
の状態へ与える影響を少なくすることが可能となる。
【0082】また、第1フライアイレンズの入射面位置
またはその近傍にフィルター100を設ける場合、すな
わちオプティカルインテグレータとコンデンサー光学系
との間に、補助オプティカルインテグレータと補助コン
デンサー光学系とを配置した場合には、第2フライアイ
レンズを構成する各レンズ素子に対して、照度と輝度分
布とがコンロトールされた光束を供給することができ
る。これにより、各レンズ素子の射出面のそれぞれに形
成される第1フライアイレンズによる複数の光源の像の
それぞれを独立にコントロールすることが可能となるた
め、被照射面上に集光する光束の開口内での光強度分布
のより細かいコントロールが可能となる。
【0083】さらに、第1及び第2フライアイレンズの
それぞれの入射面に2つのフィルター100を設けるこ
とも可能であり、この場合には上記の2つの利点を同時
に達成できる。次に、投影原版と基板とを投影光学系に
対して相対的に走査させつつ露光を行うステップアンド
スキャンタイプの投影露光装置(走査型投影露光装置)
に関して図23を参照して説明する。図23(a)は走
査型露光装置の一例を示す図であり、図23(b)はレ
チクル13上に形成される照明領域を示す図であり、図
23(c)はウエハ18上に形成されるショット領域S
Hと投影光学系14の像面IMGとの配置を示す図であ
る。
【0084】図23(a)において、光源30は、例え
ば波長248nmのレーザ光を供給するKrFエキシマ
レーザ光源である。なお、波長198nmのレーザ光を
供給するArFエキシマレーザ光源や波長157nmの
レーザ光を供給するF2レーザ光源等も光源30として
適用できる。この光源30からの光は、ビームエキスパ
ンダやアナモルフィック光学系などから構成されるビー
ム整形光学系31を介して、所定の光束断面形状となる
ように整形された後、光路偏向ミラー32を介して、複
屈折プリズム部材33に入射する。ここで、ビーム整形
光学系としては、例えば本件出願人による特開平8-2934
61号公報(米国特許出願08/626,382、1996/3
/29出願)などを適用することができる。また、複屈折
プリズム部材は、例えば本件出願人による特開平3-1611
4号公報や特開平3-254114号公報(USP5,253,
110)に開示されているものを適用することができ
る。なお、ここでは上記国特許出願08/626,38
2、1996/3/29出願及びUSP5,253,110をレ
ファレンスとして援用する。
【0085】複屈折プリズム部材33を経た光束は、複
数のレンズ素子を集積してなる第1フライアイレンズ3
4に入射する。フライアイレンズ34の射出側の空間に
は複数の光源像が形成される。これら複数の光源像から
の光は、それぞれ中間光学系35により集光されて、中
間光学系35に後続して配置される第2フライアイレン
ズ36の入射面に重畳された状態で到達する。第2フラ
イアイレンズ36は、レチクル13上に形成される照明
領域ILAと相似形状の入射断面を有する複数のレンズ
素子が集積されたものからなる。そして、第2フライア
イレンズ36は、中間光学系35を介した第1フライア
イレンズ34からの光に基づいて、その射出面側に複数
の光源を形成する。第2フライアイレンズ36により形
成される複数の光源の位置近傍には、開口絞り(σ絞
り)8が配置される。この開口絞り8の開口形状は、レ
チクル13への照明方法(輪帯照明、四重極変形照明、
小σ照明、大σ照明等)に応じて変形可能となってい
る。開口絞り8の開口を通過した光は、第1コンデンサ
ーレンズ群9により集光されて、第1コンデンサーレン
ズ群9の後側焦点位置に位置決めされた視野絞り10を
重畳的に照明する。この視野絞り10の開口形状は、図
23(b)に示すレチクル13上での照明領域ILAと
相似形状となっている。視野絞り10を経た光は、第2
コンデンサーレンズ群11を通過し、レチクル13上の
照明領域ILA内を照明する。なお、図23の例では、
第2コンデンサーレンズ群11の内部に光路偏向ミラー
12が配置されている。
【0086】レチクル13は、レチクルステージ37上
に載置されており、スキャン露光時には、例えば図中+
Y方向に沿って移動する。これにより、レチクル13上
の照明領域ILAの配置を示す図23(b)において、
照明領域ILAがレチクル13上の回路パターン形成領
域PA内をY方向に沿って走査される。図23(a)に
戻って、レチクル13上の照明領域ILAを通過した光
は、投影対物レンズ14を経て、ウエハステージ38上
に配置されたウエハ18上に到達する。ウエハ18上の
ショット領域SHの配置を示す図23(c)において、
照明領域ILAと共役な関係にある像面IMGに照明領
域ILA内のパターンの像が形成される。
【0087】スキャン露光時には、ウエハステージ38
が−Y方向へ移動する。これにより、ウエハ18上にお
いて、像面IMGがウエハ18に対して相対的に走査さ
れる。この走査により、ウエハ18上にはショット領域
SHが形成される。このショット領域には、レチクル1
3上の回路パターン形成領域PA全体のパターンが転写
される。一つのショット領域SHに対するスキャン露光
が完了すると、ウエハステージ38を例えば+X方向に
移動させ、別のショット領域に対するスキャン露光を実
行する。
【0088】このような走査型投影露光装置において、
像面IMG上においてスキャン方向(±Y方向)に沿っ
て並んでいる複数の点に関して、該点に集光する光束の
開口内の光強度分布が異なっている場合を考える。この
とき、実際に転写されるパターン像は、スキャン方向に
沿って並んでいる光束のそれぞれが重畳されることによ
り形成されるため、実際に転写されるパターン像への影
響は、これらの光束を積分したものに対応する。従っ
て、走査型露光装置に上述の実施形態を適用する場合に
は、像面IMG上のスキャン方向に沿って並んでいる複
数の位置にそれぞれ集光する光束の開口内での光強度分
布を、像面IMGのスキャン方向に沿った長さ(視野絞
りにより規定される長さ、図23(c)において、像面
IMGのY方向に沿った長さ)の分について積分したも
のが、所望の光強度分布に対応するように、フィルター
100の透過率設定を行えば良い。
【0089】また、像面IMG上において、スキャン直
交方向(図中±X方向)に並んでいる各点については、
上記実施の形態と同じように、集光する光束の開口内の
光強度分布を独立に設定できる。この図23に示す走査
型投影露光装置においては、第2フライアイレンズ36
の入射面近傍の位置、第1フライアイレンズ34の入射
面近傍の位置の少なくとも一方に、像面上での照度分布
を不変に維持しつつ像面上の複数の位置に到達する光束
の開口内での光強度分布を調節するためのフィルター1
00(100A)を配置することができる。
【0090】上記構成では、フライアイレンズ36の射
出面を疑似面光源(上では2次光源と記した)とみなし
てケーラー照明を構成している。ここで改めて、フライ
アイレンズ36の射出面を光源として見ると、フライア
イを構成するレンズ要素の数だけ一次光源が縦横に並ん
だ物と等価となっていることが分かる。この光源を形成
する一つ一つの一次光源の強度比は、それぞれの構成素
子の透過率を変更することにより、任意に設定すること
が可能である。実際に構成素子そのものに加工を施すの
は多少困難なので、フライアイレンズ36の入射面近
傍、または射出面近傍に照度補正フィルター110を配
置し、その透過率を変更する構成とすることが好まし
い。ここでフライアイレンズ36の一つ一つのレンズ要
素の入射面は、それぞれレチクル13及びウェハ18と
共役であり、レンズ要素の入射面内の各点が像面IMG
上の各点とそれぞれ個別に対応関係があることを考える
と、フライアイレンズ36の入射面近傍に照度補正フィ
ルター110を配置すれば、像面上に集光する光束の光
強度分布を像面上の各点それぞれ独立にコントロールす
ることができる。なお、この照度補正フィルター110
は、上記フィルター100と一体に設けても良い。この
ときには、フィルター100上に設けられる透過率分布
は、照度補正フィルター110が有する透過率分布との
積に対応したものとなる。
【0091】なお、ステップアンドリピート方式の投影
露光装置(一括露光方式の投影露光装置)では、特に、
被照射面に対するフーリエ変換面での光強度分布を、光
軸を中心として回転対称形となるようにすることが好ま
しい。なお、図17及び図23に示した投影露光装置に
おいて、開口絞り8の開口形状を変化させる場合には、
(1)開口絞りの複数種の開口形状ごとに、それらにに
対して最も最適な特性を有する複数のフィルター100
を準備しておき、開口絞り8の開口形状の変更に合わせ
て、複数のフィルターから最適なものを光路中に挿入す
れば良い。また、(2)複数種の開口絞りのいずれにも
最適となるように(複数種の開口形状のそれぞれに対し
て平均的に効果のあるような)フィルター100の透過
率分布を設定しておき、開口形状が変化した際にもフィ
ルター100は光路中に固定しておく構成も考えられ
る。
【0092】なお、上記(1)の場合には、開口絞りの
開口形状の種類とフィルター100の種類とは、一対一
対応とする必要はなく、複数種の開口形状の中でいくつ
かの群を考え、その群に対して一対一対応にフィルター
100を設けても良い。例えば、四重(八重)極変形照
明用の開口絞りと輪帯照明用の開口絞りとを一つの群と
考え、この群に対して平均的に効果があるような透過率
分布を求め、この透過率分布を該一つの群に対応するフ
ィルターに与えれば良い。
【0093】なお、上述の例では、オプティカルインテ
グレータとして、複数のレンズ素子を集積してなるフラ
イアイレンズを用いたが、光軸に実質的に平行な少なく
とも4つの平坦な内側反射面及び該光軸の方向に関して
一様な大きさの断面を有するロッド型オプティカルイン
テグレータ(光トンネル)を適用することも可能であ
る。このようなロッド型のインテグレータを用いた照明
光学系としては、例えばUSP4,918,583、及
びUSP5,646,715に開示されている。ここで
は、該USP4,918,583、及びUSP5,64
6,715をレファレンスとして援用する。
【0094】上記米国特許公報に開示された照明装置
(露光装置)は、ロッド型オプティカルインテグレータ
の内側反射面により複数の光源の虚像(多数の光源)
を、該ロッド型オプティカルインテグレータの入射面近
傍に形成し、該ロッド型オプティカルインテグレータの
射出面が実質的に被照射面と共役となるように配置され
るものである。このようなロッド型オプティカルインテ
グレータを用いた照明装置(露光装置)において、本発
明を適用する際には、ロッド型インテグレータの射出面
またはその近傍の位置、あるいは該射出面と共役な位置
または該位置の近傍に、入射角度により透過率分布を有
するような薄膜を設けて、被照射面上の複数の位置に到
達する光束の開口内での光強度分布をコントロールすれ
ば良い。このとき、被照射面と共役な位置(またはその
近傍)では、多数の光源の位置情報は角度情報に変換さ
れる。すなわち、多数の光源からの光束のそれぞれは、
被照射面と共役な位置(またはその近傍)において、互
いに入射角度の異なる光束となる。このとき、被照射面
と共役な位置(またはその近傍)内の複数の領域に、異
なる角度特性を持つ複数種の薄膜を設ければ、該複数の
領域のそれぞれに対応する被照射面上の複数の領域にそ
れぞれ入射する複数の光束の開口内での光強度分布のそ
れぞれを独立に制御できる。
【0095】なお、このような複数の光束の開口内での
光強度分布のコントロールにより、被照射面上での照度
分布が変動する場合があるが、この場合には、被照射面
と共役な位置またはその近傍の位置に、上述の例と同様
に、該照度分布の変動を打ち消すことができるような
(角度特性を伴わない)透過率分布を有するフィルター
を配置すれば良い。このフィルターは、上記角度特性を
有する薄膜と一体に設けても別体に設けても良い。この
ように本発明で言う透過率分布は、角度特性を有しない
もののみを含むものではなく、角度による透過率分布を
有するものも含むものである。
【0096】以上では、照明装置及投影露光装置に関し
て説明を行ったが、次に、この投影露光装置を用いたデ
バイスの製造方法について図24のフローチャートを参
照して説明する。先ず、図24のステップ101におい
て、1ロットのウエハ上に金属膜が蒸着される。次のス
テップ102において、その1ロットのウエハ上の金属
膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ
103において、図17または図23の投影露光装置を
用いて、その1ロットのウエハ上の各ショット領域に順
次露光転写される。このステップ103は、以下のサブ
ステップを含む。
【0097】まず、ウエハ18を保持するウエハステー
ジ37を投影光学系14の光軸方向へ移動させて、感光
性基板の表面と投影光学系の結像面とを合致させる合焦
サブステップに移行する。そして、この合焦サブステッ
プの実効後に、露光サブステップ(フォトリソグラフィ
工程)に移行する。この露光サブステップでは、投影光
学系14の物体面にレチクル13を設定するレチクル設
定工程と、投影光学系14の像面IMGに感光性基板と
してのウエハ18を設定する基板設定工程と、レチクル
13とウエハ18とを設定するアライメント工程と、該
アライメント工程後に、照明光学系によってレチクル1
3を照明して、レチクル13のパターンを投影光学系1
4を介して感光性基板としてのウエハ18上に投影転写
する転写工程を含む。
【0098】その後、ステップ104において、その1
ロットのウエハ上のフォトレジストの現像が行われた
後、ステップ105において、その1ロットのウエハ上
でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、
その後、レジスト除去を行う。レチクルR上のパターン
に対応する回路パターンが、各ウエハ上の各ショット領
域に形成される。その後、これらのステップを繰り返す
ことにより、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を
行い、ウエハプロセスが終了する。このウエハプロセス
が終了すると、実際の組立工程にて、焼き付けられた回
路毎にウエハを切断してチップ化するダイシング、各チ
ップに配線等を付与するボンディイング、各チップ毎に
パッケージングするパッケージング等の各工程を経て、
最終的にLSI等の半導体デバイスが製造される。
【0099】なお、以上には、露光装置を用いたウエハ
プロセスでのフォトリソグラフィ工程によりLSI等の
半導体デバイスを製造する例を示したが、露光装置を用
いたフォトリソグラフィ工程によって、液晶表示素子、
薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD等)等の半導体デバ
イスも製造することができる。
【0100】
【実施例】以下に、フィルター透過率設定例としての第
1及び第2実施例について説明する。なお、各実施例で
は理解が容易となるよう、照度分布調整量、集光する光
束の光強度調整量とも単純な形状を用いるが、実際には
複雑な照度分布、集光する光束の光強度分布を発生させ
る事が可能である。 〔第1実施例〕第1実施例においては、図25に示すよ
うに、被照射面IA内の左上1/4を占める領域IA1
に到達する光束IL1の光強度分布を、該光束の左半分
(図中光束中心を含むXZ平面から−Y方向に位置する
部分、図中ハッチングで示す部分光束IL1−1)の光
強度を低下させるフィルターを提供する場合について説
明する。
【0101】まず、図25において、光束IL1中の部
分光束IL1−1の強度を低下させることを考える。こ
の部分光束IL1−1を形成する光線群は、図26にお
いて、図中ハッチングで示したサブ領域SA(LE(1,2),IA
1),SA(LE(1,3),IA1),SA(LE(2,1),IA1),SA(LE(2,2),IA
1),SA(LE(2,3),IA1),SA(LE(3,1),IA1),SA(LE(3,2),IA
1),SA(LE(3,3),IA1),SA(LE(4,1),IA1),SA(LE(4,2),IA
1),SA(LE(4,3),IA1),SA(LE(5,1),IA1),SA(LE(5,2),IA
1),SA(LE(5,3),IA1),SA(LE(6,2),IA1),及びSA(LE(6,3),
IA1)をそれぞれ通過する。
【0102】なお、図26は、フィルター100を通し
てフライアイレンズ7を観察した状態を示す図である。
図26に示すフライアイレンズ7は、複数のレンズ素子
LE(1,2),LE(1,3),LE(1,4),LE(1,5),LE(2,1),LE(2,2),LE
(2,3),LE(2,4),LE(2,5),LE(2,6),LE(3,1),LE(3,2),LE
(3,3),LE(3,4),LE(3,5),LE(3,6),LE(4,1),LE(4,2),LE
(4,3),LE(4,4),LE(4,5),LE(4,6),LE(5,1),LE(5,2),LE
(5,3),LE(5,4),LE(5,5),LE(5,6),LE(6,2),LE(6,3),LE
(6,4),及びLE(6,5)を集積してなる。以下の説明におい
ては、フィルター100から被照射面IAまでの光学系
(各レンズ素子LE(1,2)〜LE(6,5)及び図示なきコンデン
サー光学系)が正立正像(X方向及びY方向の横倍率が
共に正である像)を形成するものとする。
【0103】図26において、図中ハッチングを施した
サブ領域SA(LE(1,2),IA1)〜SA(LE(6,3),IA1)の透過率を
低下させれば、被照射面IA上の領域IA1に到達する
光束IL1の部分光束IL1−1の光強度を低下させる
ことができる。ただし、この場合には、被照射面IA上
の領域IA1の部分の照度が領域IA2に対して低下す
るため、領域IA1の照度に合わせるように領域IA2
の照度を低下させる。この領域IA2の照度を低下させ
るためには、図27に示すように、該領域IA2に対応
するフィルター100上のサブ領域SA(LE(1,2),IA2)〜S
A(LE(6,5),IA2)の透過率を低下させれば良い。なお、図
27は、図26と同様に、フライアイレンズ7をフィル
ター100側から観察した状態を示し、図26と同様の
座標系を採用している。図27において、サブ領域SA(L
E(1,2),IA1),SA(LE(1,3),IA1),SA(LE(2,1),IA1),SA(LE
(2,2),IA1),SA(LE(2,3),IA1),SA(LE(3,1),IA1),SA(LE
(3,2),IA1),SA(LE(3,3),IA1),SA(LE(4,1),IA1),SA(LE
(4,2),IA1),SA(LE(4,3),IA1),SA(LE(5,1),IA1),SA(LE
(5,2),IA1),SA(LE(5,3),IA1),SA(LE(6,2),IA1),及びSA
(LE(6,3),IA1)の透過率をT1とし、サブ領域SA(LE(1,
2),IA2)〜SA(LE(6,5),IA2)の透過率をT2とし、サブ領
域SA(LE(1,3),IA1),SA(LE(1,4),IA1),SA(LE(2,4),IA1),
SA(LE(2,5),IA1),SA(LE(2,6),IA1),SA(LE(3,4),IA1),SA
(LE(3,5),IA1),SA(LE(3,6),IA1),SA(LE(4,4),IA1),SA(L
E(4,5),IA1),SA(LE(4,6),IA1),SA(LE(5,4),IA1),SA(LE
(5,5),IA1),SA(LE(5,6),IA1),SA(LE(6,4),IA1),及びSA
(LE(6,5),IA1)の透過率をT3とすると、T1<T2<
T3となる。
【0104】このように、部分光束IL1−1に対応し
たレンズ素子LE(1,2),LE(1,3),LE(2,1),LE(2,2),LE(2,
3),LE(3,1),LE(3,2),LE(3,3),LE(4,1),LE(4,2),LE(4,
3),LE(5,1),LE(5,2),LE(5,3),LE(6,2),及びLE(6,3)のそ
れぞれに対応させて、透過率T1のサブ領域と透過率T
2のサブ領域とからなる第1フィルター要素を設け、部
分光束IL1−2に対応したレンズ素子LE(1,4),LE(1,
5),LE(2,4),LE(2,5),LE(2,6),LE(3,4),LE(3,5),LE(3,
6),LE(4,4),LE(4,5),LE(4,6),LE(5,4),LE(5,5),LE(5,
6),LE(6,4),及びLE(6,5)のそれぞれに透過率T2のサブ
領域と透過率T3のサブ領域とからなる第2フィルター
要素を設けることにより、被照射面IA上での照度を不
変に維持しつつ、領域IA1に達する光束のみについ
て、該光束の開口内での光強度分布を変更することがで
きる。
【0105】次に、図28及び図29を参照して、第1
実施例の変形例を説明する。この変形例においては、上
述の構成に加えて、被照射面IA上の照度分布を所定の
分布にするための照度補正フィルターを上記フィルター
100に一体に設けている。図28は、被照射面IA上
において、達成すべき照度分布の状態を示す図である。
この図28に示すように、本変形例は、被照射面IA上
のドーナッツ状の領域IA3の部分の照度を領域IA4
よりも低下させるものである。
【0106】このとき、被照射面IAと共役な位置に、
領域IA3に対応する領域の透過率が領域IA4に対応
する領域の透過率よりも高くなるような透過率分布を有
する照度補正フィルターを配置すれば良い。フィルター
100上では複数のレンズ素子LE(1,2)〜LE(6,5)の各々
に対応した領域のそれぞれが被照射面上で重畳されるた
め、上記透過率分布(領域IA3に対応する領域の透過
率が領域IA4に対応する領域の透過率よりも高くなる
ような透過率分布)は、上記第1及び第2フィルター要
素のそれぞれに与えれば良い。
【0107】図29に、第1実施例の変形例の結果を示
す。図29は、フライアイレンズ7をフィルター100
側から観察した状態を示す図である。なお、図29で
は、フライアイレンズ7を構成する複数のレンズ素子の
うちレンズ素子LE(1,2)に対応する部分と、レンズ素子L
E(1,5)に対応する部分のみに符号を付している。ここ
で、レンズ素子LE(1,2)に対応しているフィルター10
0上の部分は、第1フィルター要素であり、レンズ素子
LE(1,5)に対応しているフィルター100上の部分は、
第2フィルター要素である。
【0108】図29に示すように、第1フィルター要素
は、透過率T1のサブ領域SA(LE(1,2),IA1,IA4)と、透
過率T2のサブ領域SA(LE(1,2),IA2,IA4)と、透過率T
4のサブ領域SA(LE(1,2),IA1,IA3)と、透過率T5のサ
ブ領域SA(LE(1,2),IA2,IA4)とから構成される。第1フ
ィルター要素は、部分光束IL1−1に対応したレンズ
素子LE(1,2),LE(1,3),LE(2,1),LE(2,2),LE(2,3),LE(3,
1),LE(3,2),LE(3,3),,LE(4,1),LE(4,2),LE(4,3),LE(5,
1),LE(5,2),LE(5,3),LE(6,2),及びLE(6,3)のそれぞれに
対応して配置される。
【0109】また、第2フィルター要素は、透過率T3
のサブ領域SA(LE(1,5),IA1,IA4)と、透過率T5のサブ
領域SA(LE(1,5),IA2,IA4)と、透過率T6のサブ領域SA
(LE(1,5),IA1,IA3)と、透過率T7のサブ領域SA(LE(1,
5),IA2,IA3)とから構成される。第2フィルタ要素は、
部分光束IL1−2に対応したレンズ素子LE(1,4),LE
(1,5),LE(2,4),LE(2,5),LE(2,6),LE(3,4),LE(3,5),LE
(3,6),LE(4,4),LE(4,5),LE(4,6),LE(5,4),LE(5,5),LE
(5,6),LE(6,4),及びLE(6,5)のそれぞれに対応して配置
される。
【0110】これにより、被照射面IA上において、領
域IA3の照度を領域IA4の照度よりも低下させた照
度分布のもとで、領域IA1に到達する光束IL1の開
口内の光強度分布を領域IA2に到達する光束の開口内
の光強度分布と異ならせることができる。 〔第2実施例〕第2実施例においては、図30に示すよ
うに、被照射面IA内の中心部の領域IA1に集光する
光束IL1の開口内での光強度分布に変化を与えず、被
照射面IAの中間部の領域IA2に集光する光束IL2
の開口内の光強度分布を最周縁の光強度が低下するよう
に変化させ、被照射面IAの周辺部の領域IA3に集光
する光束IL3の開口内の光強度分布を中間部から周縁
部にかけて光強度が低下するように変化させる場合につ
いて説明する。なお、この第2実施例において、被照射
面IA上の照度分布は、光束の開口内の光強度分布を変
化させても、元の状態のまま維持するものとする。
【0111】なお、図30において、光束IL2は、光
強度が変化しない部分光束IL2−2と、該部分光束I
L2−2に対して光強度が低下している部分光束IL2
−1とからなり、光束IL3は、光強度が変化しない部
分光束IL3−2と、該部分光束IL3−2に対して光
強度が低下している部分光束IL3−1とからなる。こ
こで、本実施例では、部分光束IL2−2に対する部分
光束IL2−1の光強度の低下率と、部分光束IL3−
2に対する部分光束IL3−1の光強度の低下率とは共
に等しいものとする。
【0112】図30に示した光束IL2中の部分光束I
L2−1の光強度を低下させ、かつ光束IL3中の部分
光束IL3−1の光強度を低下させることにつき図31
を参照して説明する。図31は、フライアイレンズ7を
フィルター100側から観察した状態を示す。第2実施
例にかかるフライアイレンズは複数のレンズ素子LE(1,
2)〜LE(8,7)から構成されている。なお、以下の説明に
おいても、フィルター100から被照射面IAまでの光
学系(各レンズ素子及び図示なきコンデンサー光学系)
が正立正像(X方向及びY方向の横倍率が共に正である
像)を形成するものとする。
【0113】図31において、この部分光束IL2−1
を形成する光線群は、複数のレンズ素子LE(1,2)〜LE(8,
7)のうち、最周縁の第1領域に配列されるレンズ素子LE
(1,2),LE(1,3),LE(1,4),LE(1,5),LE(1,6),LE(2,1),LE
(2,3),LE(2,7),LE(2,8),LE(3,1),LE(3,8),LE(4,1),LE
(4,8),LE(5,1),LE(5,8),LE(6,1),LE(6,8),LE(7,1),LE
(7,2),LE(7,7),LE(7,8),LE(8,2),LE(8,3),LE(8,4),LE
(8,5),LE(8,6),及びLE(8,7)を経た光線群である。従っ
て、光束IL2において部分光束IL2−1のみの光強
度を低下させるためには、上記第1領域内のレンズ素子
LE(1,2)〜LE(8,7)を通過する光束のうち、該レンズ素子
LE(1,2)〜LE(8,7)の各入射面において被照射面IA上の
領域IA2と共役になる領域を通過する光束の光強度を
低下させるために、この共役になる領域に所定の透過率
T1を与える。
【0114】また、部分光束IL3−1を形成する光線
群は、複数のレンズ素子LE(1,2)〜LE(8,7)のうち、上記
最周縁の第1領域に配列されるレンズ素子LE(1,2),LE
(1,3),LE(1,4),LE(1,5),LE(1,6),LE(2,1),LE(2,3),LE
(2,7),LE(2,8),LE(3,1),LE(3,8),LE(4,1),LE(4,8),LE
(5,1),LE(5,8),LE(6,1),LE(6,8),LE(7,1),LE(7,2),LE
(7,7),LE(7,8),LE(8,2),LE(8,3),LE(8,4),LE(8,5),LE
(8,6),及びLE(8,7)に加えて、それらの内側の第2領域
に配列されるレンズ素子LE(2,3),LE(2,4),LE(2,5),LE
(3,2),LE(3,3),LE(3,5),LE(3,6),LE(4,2),LE(4,6),LE
(5,2),LE(5,6),LE(6,2),LE(6,3),LE(6,6),LE(6,7),LE
(7,3),LE(7,4),LE(7,5),及びLE(7,6)をそれぞれを経た
光線群である。従って、光束IL3において部分光束I
L3−1のみの光強度を低下させるためには、上記レン
ズ素子LE(1,2)〜LE(8,7)及びLE(2,3)〜LE(7,6)を通過す
る光束のうち、該レンズ素子LE(1,2)〜LE(8,7)及びLE
(2,3)〜LE(7,6)の各入射面において被照射面IAと共役
になる領域を通過する光束の光強度を低下させるため
に、この共役になる領域に所定の透過率T1を与える。
【0115】この結果、第1領域に配列されるレンズ素
子の各々の入射面において領域IA2及びIA3に対応
するフィルター100上の領域に透過率T1となるよう
に加工を施し、第2領域に配列されるレンズ素子の各々
の入射面において領域IA3に対応するフィルター10
0上の領域に透過率T1となるように加工を施す。この
とき、被照射面IA上では、領域IA1での照度I1
と、領域IA2での照度I2と、領域IA3での照度I
3とは、I3<I2<I1の関係となってしまう。これ
を補正するために(I1=I2=I3とするために)
は、各レンズ素子LE(1,2)〜LE(8,7)の各入射面に、領域
IA1と共役な入射面上の領域に対応するフィルター1
00上のサブ領域SA(LE(1,2),1A)〜SA(LE(8,7),1A)の透
過率T2と、領域IA2と共役な入射面上の領域に対応
するフィルター100上のサブ領域SA(LE(1,2),IA2)〜S
A(LE(8,7),IA2)の透過率T3と、領域IA3と共役な入
射面上の領域に対応するフィルター100上のサブ領域
SA(LE(1,2),IA3)〜SA(LE(8,7),IA3)の透過率T4とが、
T2<T3<T4となるように(被照射面IAでの照度
分布(I3<I2<I1)をI1=I2=I3とするよ
うに)、透過率分布を与える。
【0116】本実施例の目的を達成するためには、上記
図31に示した透過率分布と上記図32に示した透過率
分布との積に対応する透過率分布をフィルター100上
に設ければ良く、これを図33に示す。図33は、フラ
イアイレンズ7をフィルター100側から観察した状態
を示し、図31,32と同様の座標系を採用している。
【0117】図33において、最も最周縁の第1領域に
配列されるレンズ素子LE(1,2)〜LE(8,7)のそれぞれに対
応するフィルター100上の第1領域には、サブ領域SA
(LE(1,2),IA1)、サブ領域SA(LE(1,2),IA2及びサブ領域S
A(LE(1,2),IA3)からなる第1フィルター要素が各レンズ
素子に対応して配列される。上記第1領域の内側の第2
領域に配列されるレンズ素子LE(2,3)〜LE(7,6)のそれぞ
れに対応するフィルター100上の第2領域には、サブ
領域SA(LE(2,3),IA1)、サブ領域SA(LE(2,3),IA2及びサ
ブ領域SA(LE(2,3),IA3)からなる第2フィルター要素が
各レンズ素子に対応して配列される。そして、第2領域
の内側(中心部)の第3領域に配列されるレンズ素子LE
(3,4)〜LE(6,5)のそれぞれに対応するフィルター100
上の第3領域には、サブ領域SA(LE(3,4),IA1)、サブ領
域SA(LE(3,4),IA2)及びサブ領域SA(LE(3,4),IA3)からな
る第3フィルター要素が各レンズ素子に対応して配列さ
れる。
【0118】このとき、第1領域に設けられる複数の第
1フィルター要素のそれぞれにおいて、サブ領域SA(LE
(1,2),IA1)の透過率はT2となり、サブ領域SA(LE(1,
2),IA2)の透過率はT1×T3となり、サブ領域SA(LE
(1,2),IA3)の透過率はT1×T4となる。また、第2領
域に設けられる複数の第2フィルター要素のそれぞれに
おいて、サブ領域SA(LE(2,3),IA1)の透過率はT2とな
り、サブ領域SA(LE2,3),IA2)の透過率はT3であり、サ
ブ領域SA(LE(2,3),IA3)の透過率はT1となる。そし
て、第3領域に設けられる複数の第3フィルター要素の
それぞれにおいて、サブ領域SA(LE(3,4),IA1)の透過率
はT2であり、サブ領域SA(LE(3,4),IA2)の透過率はT
3であり、サブ領域SA(LE(3,4),IA3)の透過率はT4と
なる。
【0119】このように第2実施例においても、被照射
面内の照度分布を維持しつつ、被照射面内の複数の領域
のそれぞれに集光する光束ごとに、それらの開口内の光
強度分布を変化させることができる。
【0120】
【発明の効果】以上の通り本発明によれば、像面上の任
意の位置におけるパターンの線幅を任意にコントロール
することができ、ひいては像面上のどの位置においても
同一の線幅を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理を説明するための光学配置を模式
的に示す斜視図である。
【図2】図1の光学配置における光路を示す光路図であ
る。
【図3】開口数の局所的補正をした際に被照射面上で発
生する照度分布を示す図である。
【図4】図3の照度分布を打ち消すための透過率分布を
示す図であり、図4(a)はレンズ素子LE(1,1)に対応
した透過率分布、図4(b)はレンズ素子LE(2,2)に対
応した透過率分布、図4(c)はレンズ素子LE(3,3)に
対応した透過率分布、図4(d)はレンズ素子LE(4,4)
に対応した透過率分布、そして図4(e)はレンズ素子
LE(5,5)に対応した透過率分布である。
【図5】開口数の局所的補正を行うための透過率分布を
示す図であり、図5(a)はレンズ素子LE(1,1)に対応
した透過率分布、図5(b)はレンズ素子LE(2,2)に対
応した透過率分布、図5(c)はレンズ素子LE(3,3)に
対応した透過率分布、図5(d)はレンズ素子LE(4,4)
に対応した透過率分布、そして図5(e)はレンズ素子
LE(5,5)に対応した透過率分布である。
【図6】開口数の局所的補正を行い、かつ被照射面上で
の照度を不変に保つための透過率分布を示す図であり、
図6(a)はレンズ素子LE(1,1)に対応した透過率分
布、図6(b)はレンズ素子LE(2,2)に対応した透過率
分布、図6(c)はレンズ素子LE(3,3)に対応した透過
率分布、図6(d)はレンズ素子LE(4,4)に対応した透
過率分布、そして図6(e)はレンズ素子LE(5,5)に対
応した透過率分布である。
【図7】被照射面上に集光する光束の開口内での光強度
分布を測定するための構成を模式的に示す斜視図であ
る。
【図8】図7の測定装置による測定結果の一例を示す図
であって、図8(a)は被照射面IA上の領域IA(1,1)
に到達する光束の開口内での光強度分布を示し、図8
(b)は被照射面IA上の領域IA(1,2)に到達する光束
の開口内での光強度分布を示し、図8(c)は被照射面
IA上の領域IA(2,1)に到達する光束の開口内での光強
度分布を示し、図8(d)は被照射面IA上の領域IA
(2,2)に到達する光束の開口内での光強度分布を示す。
【図9】フライアイレンズFを入射面側から観察した状
態を示す平面図である。
【図10】レンズ素子LE(1,1)の入射面上に設けるべき
透過率分布を示す図である。
【図11】開口数の局所的補正を行った際の被照射面上
での光強度分布を示す図であり、図11(a)は被照射
面IA上の領域IA(1,1)に到達する光束の開口内での光
強度分布を示し、図11(b)は被照射面IA上の領域
IA(1,2)に到達する光束の開口内での光強度分布を示
し、図11(c)は被照射面IA上の領域IA(2,1)に到
達する光束の開口内での光強度分布を示し、図11
(d)は被照射面IA上の領域IA(2,2)に到達する光束
の開口内での光強度分布を示す図である。
【図12】フライアイレンズFの各入射面に与えられる
透過率分布を示す図でである。
【図13】開口数の局所的補正を行い、かつ被照射面上
での照度を不変に保つための透過率分布を示す図であ
り、図13(a)は第1領域に配列されるレンズ素子の
各入射面に与えられる透過率分布を示し、図13(b)
は第2領域に配列されるレンズ素子の各入射面に与えら
れる透過率分布を示す図である。
【図14】図1の光学配置の変形例を示す図である。
【図15】フィルターの製造方法の一例を示すフローチ
ャート図である。
【図16】フィルターの製造方法の別の一例を示すフロ
ーチャート図である。
【図17】本発明にかかる実施の形態による投影露光装
置の構成を概略的に示す図である。
【図18】像面上に集光する光束の開口数と該光束によ
り形成されるパターン像との関係を示す図であり、図1
8(a),(b)は光束の集光状態をそれぞれ示し、図
18(c),(d)は該光束により形成されるパターン
像の断面を示す。
【図19】像面上に到達する光束の状態を説明するため
の図である。
【図20】像面上の光束に与えるべき開口内の光強度分
布を示す図である。
【図21】図20の開口内の光強度分布を達成するため
のフィルターの構成を示す図である。
【図22】像面上に集光する光束の光強度分布を測定す
る構成を示す図である。
【図23】本発明にかかる別の実施の形態による投影露
光装置の構成を示す図であり、図23(a)は装置全体
を示し、図23(b)は照明領域の配置を示し、図23
(c)はウエハ上のショット領域と像面との関係を示す
図である。
【図24】デバイス製造方法の一例を示すフローチャー
ト図である。
【図25】像面上に到達する光束の状態を説明するため
の図である。
【図26】図25に示す光束の開口内の光強度分布を達
成するためのフィルターの構成を示す図である。
【図27】図25に示す光束の開口内の光強度分布を、
照度均一性を維持しつつ達成するためのフィルターの構
成を示す図である。
【図28】像面上に与えるべき照度分布の状態を説明す
るための図である。
【図29】図27のフィルターに図28の照度分布を与
える際のフィルターの透過率分布を示す図である。
【図30】像面上に到達する光束の状態を説明するため
の図である。
【図31】図30に示す光束の開口内の光強度分布を達
成するためのフィルターの構成を示す図である。
【図32】図31のフィルターにより発生する像面上で
の照度不均一性を補正するためのフィルターの構成を示
す図である。
【図33】図30に示す光束の開口内の光強度分布を、
照度均一性を維持しつつ達成するためのフィルターの構
成を示す図である。
【符号の説明】
F(7,34,36):フライアイレンズ C(9,11):コンデンサ光学系 IA:被照射面 LE(i,j):レンズ素子 SA(LE(i,j),IA(k,l)):サブ領域

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光束を供給する光源系と、該光源系からの
    光束に基づいて多数の光源を形成するオプティカルイン
    テグレータと、前記多数の光源からの光束を集光して被
    照射面を照明するコンデンサー光学系とを有する照明装
    置において、 前記被照射面に関して光学的に共役な位置または該位置
    の近傍に配置されて、前記多数の光源のうちの一部に対
    応した第1領域と、前記多数の光源のうちの前記一部と
    は異なる一部に対応した第2領域とを少なくとも有する
    フィルターを備え、 前記フィルターの前記第1領域の全体には、第1の透過
    率分布を有する少なくとも1つの第1フィルター要素が
    設けられ、 前記フィルターの前記第2領域の全体には、前記第1の
    透過率分布とは逆向きである第2の透過率分布を有する
    少なくとも1つの第2フィルター要素が設けられること
    を特徴とする照明装置。
  2. 【請求項2】光束を供給する光源系と、該光源系からの
    光束に基づいて多数の光源を形成するオプティカルイン
    テグレータと、前記多数の光源からの光束を集光して被
    照射面を照明するコンデンサー光学系とを有する照明装
    置において、 前記被照射面に関して光学的に共役な位置または該位置
    の近傍に配置されて、前記多数の光源のうちの一部に対
    応した第1領域と、前記多数の光源のうちの前記一部と
    は異なる一部に対応した第2領域とを少なくとも有する
    フィルターを備え、 前記フィルターの前記第1領域の全体には、第1の透過
    率分布を有する少なくとも1つの第1フィルター要素が
    設けられ、 前記フィルターの前記第2領域の全体には、第2の透過
    率分布を有する少なくとも1つの第2フィルター要素が
    設けられ、 前記第1及び第2フィルター要素は、前記被照射面上に
    分布する相対的照度を実質的に不変に維持しながら、前
    記被照射面上の所定の点に集光する光に関して、前記被
    照射面を構成する各微小面に対するフーリエ変換面上で
    の光強度分布を各々独立に所定の光強度分布に変換する
    ことを特徴とする照明装置。
  3. 【請求項3】光束を供給する光源系と、該光源系からの
    光束に基づいて多数の光源を形成するオプティカルイン
    テグレータと、前記多数の光源からの光束を集光して被
    照射面を照明するコンデンサー光学系とを有する照明装
    置において、 前記被照射面に関して光学的に共役な位置または該位置
    の近傍に配置されて、前記被照射面上の所定の点に集光
    する光に関して前記被照射面を構成する各微小面に対す
    るフーリエ変換面上での光強度分布を各々独立に所定の
    光強度分布に変換する透過率分布を有する第1フィルタ
    ーと、 前記被照射面に関して光学的に共役な位置または該位置
    の近傍に配置されて、前記第1フィルターの透過率分布
    に起因する前記被照射面上に分布する相対的照度の不均
    一性を少なくとも補正するための透過率分布を有する第
    2フィルターとを有することを特徴とする照明装置。
  4. 【請求項4】前記第1フィルターと前記第2フィルター
    とは一体に設けられることを特徴とする請求項3記載の
    照明装置。
  5. 【請求項5】前記オプティカルインテグレータは多数の
    レンズ要素を有し、前記フィルターは、前記オプティカ
    ルインテグレータの入射側に配置されていることを特徴
    とする請求項1乃至4の何れか一項記載の照明装置。
  6. 【請求項6】前記光源系と前記オプティカルインテグレ
    ータとの間の光路中に配置されて、前記光源系からの光
    束に基づいて多数の光源を形成する補助オプティカルイ
    ンテグレータと;該補助インテグレータと前記オプティ
    カルインテグレータとの間の光路中に配置されて前記補
    助インテグレータからの光束を前記オプティカルインテ
    グレータへ導く補助コンデンサー光学系と;を有するこ
    とを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項記載の照明
    装置。
  7. 【請求項7】前記コンデンサー光学系と前記被照射面と
    の間の光路中に配置されて、前記コンデンサー光学系か
    らの光束に基づいて多数の光源を形成する補助オプティ
    カルインテグレータと;該補助オプティカルインテグレ
    ータと前記被照射面との間の光路中に配置されて、前記
    補助オプティカルインテグレータからの光束を前記被照
    射面へ導く補助コンデンサー光学系と;を有することを
    特徴とする請求項1乃至5の何れか一項記載の照明装
    置。
  8. 【請求項8】前記被照射面に関して光学的に共役な位置
    または該位置の近傍に配置されて、前記補助インテグレ
    ータにより形成される前記多数の光源のうちの一部に対
    応した第3領域と、前記補助インテグレータにより形成
    される前記多数の光源のうちの前記一部とは異なる一部
    に対応した第4領域とを少なくとも有する補助フィルタ
    ーを備え、 前記補助フィルターの前記第3領域の全体には、第3の
    透過率分布を有する少なくとも1つの第3フィルター要
    素が設けられ、 前記補助フィルターの前記第4領域の全体には、第4の
    透過率分布を有する少なくとも1つの第4フィルター要
    素が設けられることを特徴とする請求項6または7記載
    の照明装置。
  9. 【請求項9】前記フィルターの位置の近傍に配置され
    て、前記被照射面上の照度分布を均一にするための照度
    補正フィルターをさらに有することを特徴とする請求項
    1乃至8の何れか一項記載の照明装置。
  10. 【請求項10】前記第1及び第2フィルター要素は、前
    記被照射面上に分布する相対的照度を実質的に不変に維
    持しながら、前記被照射面上の所定の点に集光する光に
    関して、前記被照射面を構成する各微小面に対するフー
    リエ変換面上での光強度分布を各々独立に所定の光強度
    分布に変換することを特徴とする請求項1、5、6、
    7、8または9記載の照明装置。
  11. 【請求項11】前記光源系と前記被照射面との間の光路
    中であって、かつ前記多数の光源が形成される位置また
    は該位置と共役な位置に実質的に配置されて、開口形状
    を変化させることが可能な開口絞りを有し、 前記第1及び第2フィルター要素は、前記開口形状を変
    化させた際にも、前記被照射面上に分布する相対的照度
    を実質的に不変に維持すると共に、前記被照射面上の所
    定の点に集光する光に関する前記被照射面を構成する各
    微少面に対する前記フーリエ変換面上での前記光強度分
    布を実質的に不変に維持することを特徴とする請求項1
    0記載の照明装置。
  12. 【請求項12】投影原版上に設けられた所定のパターン
    を基板上に転写する投影露光装置において、 光束を供給する光源系と;該光源系からの光束に基づい
    て、多数の光源を形成するオプティカルインテグレータ
    と;前記多数の光源からの光束を集光して前記投影原版
    を照明するコンデンサー光学系と;前記投影原版上の前
    記所定のパターンを像面上に配置される前記基板へ投影
    する投影光学系と;前記像面に関して光学的に共役な位
    置または該位置の近傍に配置されて、前記多数の光源の
    うちの一部に対応した第1領域と、前記多数の光源のう
    ちの前記一部とは異なる一部に対応した第2領域とを少
    なくとも有するフィルターと;を備え、 前記フィルターの前記第1領域の全体には、第1の透過
    率分布を有する少なくとも1つの第1フィルター要素が
    設けられ、 前記フィルターの前記第2領域の全体には、前記第1の
    透過率分布とは逆向きである第2の透過率分布を有する
    少なくとも1つの第2フィルター要素が設けられること
    を特徴とする投影露光装置。
  13. 【請求項13】投影原版上に設けられた所定のパターン
    を基板上に転写する投影露光装置において、 光束を供給する光源系と;該光源系からの光束に基づい
    て、多数の光源を形成するオプティカルインテグレータ
    と;前記多数の光源からの光束を集光して前記投影原版
    を照明するコンデンサー光学系と;前記投影原版上の前
    記所定のパターンを像面上に配置される前記基板へ投影
    する投影光学系と;前記像面に関して光学的に共役な位
    置または該位置の近傍に配置されて、前記多数の光源の
    うちの一部に対応した第1領域と、前記多数の光源のう
    ちの前記一部とは異なる一部に対応した第2領域とを少
    なくとも有するフィルターと;を備え、 前記フィルターの前記第1領域の全体には、第1の透過
    率分布を有する少なくとも1つの第1フィルター要素が
    設けられ、 前記フィルターの前記第2領域の全体には、前記第1の
    透過率分布とは逆向きである第2の透過率分布を有する
    少なくとも1つの第2フィルター要素が設けられ、 前記フィルターの前記第1領域の全体には、第1の透過
    率分布を有する少なくとも1つの第1フィルター要素が
    設けられ、 前記フィルターの前記第2領域の全体には、第2の透過
    率分布を有する少なくとも1つの第2フィルター要素が
    設けられ、 前記第1及び第2フィルター要素は、前記像面上に分布
    する相対的照度を実質的に不変に維持しながら、前記像
    面上の所定の点に集光する光に関して、前記像面を構成
    する各微小面に対するフーリエ変換面上での光強度分布
    を各々独立に所定の光強度分布に変換することを特徴と
    する投影露光装置。
  14. 【請求項14】投影原版上に設けられた所定のパターン
    を基板上に転写する投影露光装置において、 光束を供給する光源系と;該光源系からの光束に基づい
    て、多数の光源を形成するオプティカルインテグレータ
    と;前記多数の光源からの光束を集光して前記投影原版
    を照明するコンデンサー光学系と;前記投影原版上の前
    記所定のパターンを像面上に配置される前記基板へ投影
    する投影光学系と;前記像面に関して光学的に共役な位
    置または該位置の近傍に配置されて、前記被照射面上の
    所定の点に集光する光に関して前記被照射面を構成する
    各微小面に対するフーリエ変換面上での光強度分布を各
    々独立に所定の光強度分布に変換する透過率分布を有す
    る第1フィルターと;前記像面に関して光学的に共役な
    位置または該位置の近傍に配置されて、前記第1フィル
    ターの透過率分布に起因する前記被照射面上に分布する
    相対的照度の不均一性を少なくとも補正するための透過
    率分布を有する第2フィルターと;を有することを特徴
    とする投影露光装置。
  15. 【請求項15】前記第1フィルターと前記第2フィルタ
    ーとは一体に設けられることを特徴とする請求項14記
    載の投影露光装置。
  16. 【請求項16】前記オプティカルインテグレータは多数
    のレンズ要素を有し、前記フィルターは、前記オプティ
    カルインテグレータの入射側に配置されていることを特
    徴とする請求項12乃至15の何れか一項記載の投影露
    光装置。
  17. 【請求項17】前記光源系と前記オプティカルインテグ
    レータとの間の光路中に配置されて、前記光源系からの
    光束に基づいて多数の光源を形成する補助オプティカル
    インテグレータと;該補助インテグレータと前記オプテ
    ィカルインテグレータとの間の光路中に配置されて前記
    補助インテグレータからの光束を前記オプティカルイン
    テグレータへ導く補助コンデンサー光学系と;を有する
    ことを特徴とする請求項12乃至16の何れか一項記載
    の投影露光装置。
  18. 【請求項18】前記コンデンサー光学系と前記投影原版
    との間の光路中に配置されて、前記コンデンサー光学系
    からの光束に基づいて多数の光源を形成する補助オプテ
    ィカルインテグレータと;該補助オプティカルインテグ
    レータと前記投影原版との間の光路中に配置されて、前
    記補助オプティカルインテグレータからの光束を前記投
    影原版へ導く補助コンデンサー光学系と;を有すること
    を特徴とする請求項12乃至16の何れか一項記載の投
    影露光装置。
  19. 【請求項19】前記像面に関して光学的に共役な位置ま
    たは該位置の近傍に配置されて、前記補助インテグレー
    タにより形成される前記多数の光源のうちの一部に対応
    した第3領域と、前記補助インテグレータにより形成さ
    れる前記多数の光源のうちの前記一部とは異なる一部に
    対応した第4領域とを少なくとも有する補助フィルター
    を備え、 前記補助フィルターの前記第3領域の全体には、第3の
    透過率分布を有する少なくとも1つの第3フィルター要
    素が設けられ、 前記補助フィルターの前記第4領域の全体には、第4の
    透過率分布を有する少なくとも1つの第4フィルター要
    素が設けられることを特徴とする請求項17または18
    記載の投影露光装置。
  20. 【請求項20】前記フィルターの位置の近傍に配置され
    て、前記被照射面上の照度分布を均一にするための照度
    補正フィルターをさらに有することを特徴とする請求項
    12乃至19の何れか一項記載の投影露光装置。
  21. 【請求項21】前記第1及び第2フィルター要素は、前
    記像面上に分布する相対的照度を実質的に不変に維持し
    ながら、前記像面上の所定の点に集光する光に関して、
    前記像面を構成する各微小面に対するフーリエ変換面上
    での光強度分布を各々独立に所定の光強度分布に変換す
    ることを特徴とする請求項12、13、16、17、1
    8、19または21記載の投影露光装置。
  22. 【請求項22】前記光源系と前記被照射面との間の光路
    中であって、かつ前記多数の光源が形成される位置また
    は該位置と共役な位置に実質的に配置されて、開口形状
    を変化させることが可能な開口絞りを有し、 前記第1及び第2フィルター要素は、前記開口形状を変
    化させた際にも、前記像面上に分布する相対的照度を実
    質的に不変に維持すると共に、前記像面上の所定の点に
    集光する光に関する前記像面を構成する各微少面に対す
    る前記フーリエ変換面上での前記光強度分布を実質的に
    不変に維持することを特徴とする請求項21記載の投影
    露光装置。
  23. 【請求項23】前記基板上に感光性材料を塗布する第1
    工程と;請求項12乃至22の何れか一項記載の投影露
    光装置を用いて、前記投影原版のパターンの像を前記基
    板に投影する第2工程と;前記基板上の前記感光性材料
    を現像する第3工程と;前記第3工程にて現像された前
    記感光性材料をマスクとして前記基板上に所定の回路パ
    ターンを形成する第4工程と;を有することを特徴とす
    るデバイス製造方法。
  24. 【請求項24】投影原版上に形成された所定のパターン
    を基板上へ投影する投影露光装置を製造する方法におい
    て、 光源系からの光束を、該光束に基づいて多数の光源を形
    成するオプティカルインテグレータ、該オプティカルイ
    ンテグレータからの光を集光して前記投影原版を照明す
    るコンデンサー光学系、及び前記投影原版上の前記パタ
    ーンの像を所定の像面に形成する投影光学系を経由させ
    て、該投影光学系の像面へ導く第1工程と;前記像面上
    に分布する相対的照度を測定し、かつ前記像面上の少な
    くとも2つの点に集光する光に関する前記像面を構成す
    る各微少面に対するフーリエ変換面上での光強度分布を
    それぞれ測定する第2工程と;前記多数の光源のうちの
    一部に対応した第1領域と、前記多数の光源のうちの前
    記一部とは異なる一部に対応した第2領域とを少なくと
    も有するフィルターを、前記像面に関して光学的に共役
    な位置または該位置の近傍に配置する第3工程と;前記
    フィルターの前記第1領域の全体に第1の透過率分布を
    有する少なくとも1つの第1フィルター要素を設けると
    共に、前記フィルターの前記第2領域の全体に第2の透
    過率分布を有する少なくとも1つの第2フィルター要素
    を設ける第4工程と;を有し、 前記第4工程では、前記像面上に分布する前記相対的照
    度を実質的に均一に維持しつつ、前記光強度分布を各々
    独立に所定の光強度分布に変換するために、前記第1及
    び第2の透過率分布を設定することを特徴とする投影露
    光装置の製造方法。
  25. 【請求項25】投影原版上に形成された所定のパターン
    を基板上へ投影する投影露光装置を製造する方法におい
    て、 光源系からの光束を、該光束に基づいて多数の光源を形
    成するオプティカルインテグレータ、該オプティカルイ
    ンテグレータからの光を集光して前記投影原版を照明す
    るコンデンサー光学系、及び前記投影原版上の前記パタ
    ーンの像を所定の像面に形成する投影光学系を経由させ
    て、該投影光学系の像面へ導くようにシミュレーション
    する第1工程と;前記第1工程の前記シミュレーション
    に基づいて、前記像面上に分布する相対的照度を計算
    し、かつ前記像面上の少なくとも2つの点に集光する光
    に関する前記像面を構成する各微少面に対するフーリエ
    変換面上での光強度分布をそれぞれ計算する第2工程
    と;前記多数の光源のうちの一部に対応した第1領域
    と、前記多数の光源のうちの前記一部とは異なる一部に
    対応した第2領域とを少なくとも有するフィルターを、
    前記像面に関して光学的に共役な位置または該位置の近
    傍に設定する第3工程と;前記フィルターの前記第1領
    域の全体に第1の透過率分布を有する少なくとも1つの
    第1フィルター要素を設定すると共に、前記フィルター
    の前記第2領域の全体に第2の透過率分布を有する少な
    くとも1つの第2フィルター要素を設定する第4工程
    と;を有し、 前記第4工程では、前記像面上に分布する前記相対的照
    度を実質的に均一に維持しつつ、前記光強度分布を各々
    独立に所定の光強度分布に変換するために、前記第1及
    び第2の透過率分布を設定することを特徴とする投影露
    光装置の製造方法。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000057459A1 (fr) * 1999-03-24 2000-09-28 Nikon Corporation Méthode d'exposition et dispositif correspondant
JP2002064058A (ja) * 2000-06-22 2002-02-28 Svg Lithography Syst Inc ホトリソグラフィ装置における線幅の変化を補償する、空間的に制御可能な部分干渉性を有する照明系
US6934009B2 (en) 2001-05-31 2005-08-23 Canon Kabushiki Kaisha Illumination apparatus, illumination-controlling method, exposure apparatus, device fabricating method
JP2006203192A (ja) * 2004-12-28 2006-08-03 Asml Holding Nv 強度積分を計算する方法
JP2008235361A (ja) * 2007-03-16 2008-10-02 Nikon Corp オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2010515089A (ja) * 2006-12-28 2010-05-06 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィのための光学要素及び照明光学系
KR101285056B1 (ko) * 2004-08-17 2013-07-10 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법
CN103299243A (zh) * 2010-11-19 2013-09-11 恩斯克科技有限公司 接近式曝光装置以及接近式曝光方法
WO2016190381A1 (ja) * 2015-05-26 2016-12-01 株式会社ブイ・テクノロジー 露光用照明装置、露光装置及び露光方法
WO2018043423A1 (ja) * 2016-08-30 2018-03-08 キヤノン株式会社 照明光学系、リソグラフィ装置、及び物品製造方法
JP2018091889A (ja) * 2016-11-30 2018-06-14 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6259513B1 (en) * 1996-11-25 2001-07-10 Svg Lithography Systems, Inc. Illumination system with spatially controllable partial coherence
US6741394B1 (en) 1998-03-12 2004-05-25 Nikon Corporation Optical integrator, illumination optical apparatus, exposure apparatus and observation apparatus
JPH11271619A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
DE69931690T2 (de) * 1998-04-08 2007-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat
US6404499B1 (en) * 1998-04-21 2002-06-11 Asml Netherlands B.V. Lithography apparatus with filters for optimizing uniformity of an image
JP4348574B2 (ja) * 1998-04-30 2009-10-21 株式会社ニコン 暗視野照明装置および暗視野照明方法
JP2000021765A (ja) * 1998-07-03 2000-01-21 Nikon Corp 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
TW587199B (en) 1999-09-29 2004-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus
US6671035B2 (en) * 1999-09-29 2003-12-30 Asml Netherlands B.V. Illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus
TW546550B (en) * 1999-12-13 2003-08-11 Asml Netherlands Bv An illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus
DE10062579A1 (de) * 1999-12-15 2001-06-21 Nikon Corp Optischer Integrierer,optische Beleuchtungseinrichtung, Photolithographie-Belichtungseinrichtung,und Beobachtungseinrichtung
AU2001262560A1 (en) * 2000-05-19 2001-11-26 Tibor Balogh Method and apparatus for displaying 3d images
JP3634782B2 (ja) * 2001-09-14 2005-03-30 キヤノン株式会社 照明装置、それを用いた露光装置及びデバイス製造方法
JP3826047B2 (ja) * 2002-02-13 2006-09-27 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、及びそれを用いたデバイス製造方法
US6842223B2 (en) 2003-04-11 2005-01-11 Nikon Precision Inc. Enhanced illuminator for use in photolithographic systems
US7911584B2 (en) * 2003-07-30 2011-03-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system for microlithography
JP5159027B2 (ja) 2004-06-04 2013-03-06 キヤノン株式会社 照明光学系及び露光装置
US7088527B2 (en) * 2004-12-28 2006-08-08 Asml Holding N.V. Uniformity correction system having light leak and shadow compensation
US20060139784A1 (en) * 2004-12-28 2006-06-29 Asml Holding N.V. Uniformity correction system having light leak compensation
JP2008533728A (ja) * 2005-03-15 2008-08-21 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 投影露光方法及びそのための投影露光システム
JP2007299993A (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Canon Inc 露光装置
JP2008098382A (ja) * 2006-10-11 2008-04-24 Toshiba Corp 露光装置、露光方法、及び光近接効果補正方法
JP2009071193A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Canon Inc 露光装置及びデバイスの製造方法
US8908151B2 (en) * 2008-02-14 2014-12-09 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, compensation filter, and exposure optical system
US20090257043A1 (en) * 2008-04-14 2009-10-15 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, and exposure optical system
JP5157945B2 (ja) * 2009-02-09 2013-03-06 ウシオ電機株式会社 光照射装置
KR101470769B1 (ko) 2010-08-30 2014-12-09 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템
JP6016169B2 (ja) 2011-01-29 2016-10-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
JPWO2013018799A1 (ja) 2011-08-04 2015-03-05 株式会社ニコン 照明装置
JP2013072845A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Nuflare Technology Inc パターン検査装置及びパターン検査方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58147708A (ja) * 1982-02-26 1983-09-02 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 照明用光学装置
US4619508A (en) * 1984-04-28 1986-10-28 Nippon Kogaku K. K. Illumination optical arrangement
US4939630A (en) * 1986-09-09 1990-07-03 Nikon Corporation Illumination optical apparatus
JPH0786647B2 (ja) * 1986-12-24 1995-09-20 株式会社ニコン 照明装置
US5307207A (en) * 1988-03-16 1994-04-26 Nikon Corporation Illuminating optical apparatus
US4918583A (en) * 1988-04-25 1990-04-17 Nikon Corporation Illuminating optical device
US5253110A (en) * 1988-12-22 1993-10-12 Nikon Corporation Illumination optical arrangement
JP3360686B2 (ja) * 1990-12-27 2002-12-24 株式会社ニコン 照明光学装置および投影露光装置並びに露光方法および素子製造方法
JPH04369209A (ja) * 1991-06-17 1992-12-22 Nikon Corp 露光用照明装置
US5420417A (en) * 1991-10-08 1995-05-30 Nikon Corporation Projection exposure apparatus with light distribution adjustment
US5335044A (en) * 1992-02-26 1994-08-02 Nikon Corporation Projection type exposure apparatus and method of exposure
US5329336A (en) * 1992-07-06 1994-07-12 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
JP3158691B2 (ja) * 1992-08-07 2001-04-23 株式会社ニコン 露光装置及び方法、並びに照明光学装置
US5591958A (en) * 1993-06-14 1997-01-07 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
JP3440458B2 (ja) * 1993-06-18 2003-08-25 株式会社ニコン 照明装置、パターン投影方法及び半導体素子の製造方法
JP3291849B2 (ja) * 1993-07-15 2002-06-17 株式会社ニコン 露光方法、デバイス形成方法、及び露光装置
EP0658810B1 (de) * 1993-12-13 1998-11-25 Carl Zeiss Beleuchtungseinrichtung für ein optisches System mit einem Reticle-Maskierungssystem
JP2661536B2 (ja) * 1993-12-21 1997-10-08 日本電気株式会社 露光装置
JP3633002B2 (ja) * 1994-05-09 2005-03-30 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及び露光方法
KR100263220B1 (ko) * 1996-10-14 2000-09-01 에모토 간지 다결정실리콘의 제조방법과 장치 및 태양전지용실리콘기판의 제조방법

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000057459A1 (fr) * 1999-03-24 2000-09-28 Nikon Corporation Méthode d'exposition et dispositif correspondant
JP2002064058A (ja) * 2000-06-22 2002-02-28 Svg Lithography Syst Inc ホトリソグラフィ装置における線幅の変化を補償する、空間的に制御可能な部分干渉性を有する照明系
US6934009B2 (en) 2001-05-31 2005-08-23 Canon Kabushiki Kaisha Illumination apparatus, illumination-controlling method, exposure apparatus, device fabricating method
KR101285056B1 (ko) * 2004-08-17 2013-07-10 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법
JP2011014934A (ja) * 2004-12-28 2011-01-20 Asml Holding Nv 強度積分を計算する方法
JP2006203192A (ja) * 2004-12-28 2006-08-03 Asml Holding Nv 強度積分を計算する方法
JP2010515089A (ja) * 2006-12-28 2010-05-06 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィのための光学要素及び照明光学系
JP2008235361A (ja) * 2007-03-16 2008-10-02 Nikon Corp オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2008126570A1 (ja) * 2007-03-16 2008-10-23 Nikon Corporation オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
US8638420B2 (en) 2007-03-16 2014-01-28 Nikon Corporation Optical integrator, illuminating optical device, exposure apparatus and device manufacturing method
KR101506748B1 (ko) * 2007-03-16 2015-03-27 가부시키가이샤 니콘 광학 적분기, 조명 광학 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
CN103299243A (zh) * 2010-11-19 2013-09-11 恩斯克科技有限公司 接近式曝光装置以及接近式曝光方法
WO2016190381A1 (ja) * 2015-05-26 2016-12-01 株式会社ブイ・テクノロジー 露光用照明装置、露光装置及び露光方法
CN107615170A (zh) * 2015-05-26 2018-01-19 株式会社V技术 曝光用照明装置、曝光装置和曝光方法
JPWO2016190381A1 (ja) * 2015-05-26 2018-03-15 株式会社ブイ・テクノロジー 露光用照明装置、露光装置及び露光方法
CN107615170B (zh) * 2015-05-26 2020-06-23 株式会社V技术 曝光用照明装置、曝光装置和曝光方法
WO2018043423A1 (ja) * 2016-08-30 2018-03-08 キヤノン株式会社 照明光学系、リソグラフィ装置、及び物品製造方法
JP2018091889A (ja) * 2016-11-30 2018-06-14 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法

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