JPH10303080A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

固体電解コンデンサの製造方法

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JPH10303080A
JPH10303080A JP12313797A JP12313797A JPH10303080A JP H10303080 A JPH10303080 A JP H10303080A JP 12313797 A JP12313797 A JP 12313797A JP 12313797 A JP12313797 A JP 12313797A JP H10303080 A JPH10303080 A JP H10303080A
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JP
Japan
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layer
electrolytic capacitor
solid electrolytic
oxide film
polymer compound
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JP12313797A
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English (en)
Inventor
Kazuhiko Fukushi
和彦 福士
Yasuo Sakai
康雄 酒井
Mika Itou
美香 伊藤
Toshikatsu Terao
俊勝 寺尾
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Fujitsu Towa Electron Ltd
Original Assignee
Fujitsu Towa Electron Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波特性を損ねることなく、高温下での漏
れ電流特性に優れた固体電解コンデンサを製造するこ
と。 【解決手段】 陽極体としての弁作用金属1の表面に誘
電体酸化皮膜2、導電性高分子化合物層3、導電体層で
あるグラファイト層4及び銀ペースト層5が順次形成さ
れ、該導電体層が一方の電極(陰極)6とされ、陽極体
1が他方の電極(陽極)7とされる固体電解コンデンサ
の製造方法において、前記グラフアィト層4を形成した
後、誘電体酸化皮膜を化成修復処理する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体電解コンデン
サの製造方法に関し、更に詳しくは、導電性高分子化合
物を固体電解質とした固体電解コンデンサの製造法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】通常、固体電解コンデンサは、タンタル
或いはアルミニウム等の弁作用金属の多孔質成形体を陽
極とし、その酸化皮膜を誘電体とし、そして二酸化マン
ガンや7、7、8、8−テトラシアノキノジメタン(T
CNQ)錯塩等の固体電解質を陰極の一部とする構造を
有している。この場合、固体電解質には多孔質成形体内
部の誘電体全面と電極リードとの間を電気的に接続する
機能を有するが、その上に誘電体酸化皮膜の絶縁欠陥に
起因する電気的短絡を修復する機能を有することが望ま
しい。そのような要請から、導電率は高いが誘電体修復
機能がない金属は固体電解質としては不適当であり、従
来、短絡電流による熱等によって絶縁体に移転する二酸
化マンガン等が固体電解質として用いられてきた。
【0003】しかしながら、二酸化マンガンを電極の一
部とするものは、その導電率が充分低くないので、高周
波域でのインピーダンスが大きい。一方、TCNQ錯塩
を電極の一部とするものは、TCNQ錯塩が熱分解し易
いので、耐熱性に劣っている等、これらを用いた固体電
解コンデンサには種々の解決課題が残っていた。そこ
で、近年、高分子の分野において、新しい固体電解質材
料の開発が進められ、その結果、ポリピロール、ポリチ
オフェン、ポリアニリン等の共役系高分子化合物に電子
供与性や電子吸引性化合物(ドーパント)をドーピング
した導電性高分子化合物を固体電解質として用いた固体
電解コンデンサが種々提案され、また、これらの固体電
解コンデンサとしての漏れ電流を減少させることを目的
とした技術開発が行われている。例えば、酸化皮膜上に
二酸化マンガンを形成し、その上に導電性高分子化合物
層を形成した後、再化成を行うことにより、漏れ電流を
減少させる固体電解コンデンサが知られている(例え
ば、特開平2−219211号公報参照)。また、酸化
皮膜形成のための化成を硫酸溶液中という限定された条
件下で行うことにより、漏れ電流を改善するという技術
が知られている(例えば、特開平3−285321号公
報参照)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、固体電解質
として導電性高分子化合物を用いた固体電解コンデンサ
においては、コンデンサとしての漏れ電流改善のため
に、いろいろな技術開発が試みられているが、高温下に
置いた場合、或いは高温に曝した後直後には、漏れ電流
が増大するという観点では完璧ではない。
【0005】本発明は、このような現況に鑑みなされた
もので、その目的とするところは、高周波特性を損ねる
ことなく、高温下での漏れ電流特性に優れた固体電解コ
ンデンサを製造する方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明者らは、鋭意研究した結果、陽極体としての
弁作用を有する金属を化成して表面に誘電体酸化皮膜を
形成し、この酸化皮膜上にポリピロール、ポリチオフェ
ン、ポリアニリン等の共役系高分子化合物に電子供与性
や電子吸引性化合物をドーピングした導電性高分子化合
物層を形成した後、陰極となる導電体層としてのグラフ
ァイト層を形成し、後に誘電体酸化皮膜を化成修復する
ことにより問題が解決できることを見出した。本発明の
構成上の特徴は、陽極体としての弁作用金属の表面に誘
電体酸化皮膜、共役系高分子化合物の導電性高分子化合
物層、導電体層を順次形成し、該導電体層を一方の電極
とし、前記弁作用金属を他方の電極とする固体電解コン
デンサの製造方法において、前記導電体層の一部である
グラファイト層を形成後、前記誘電体酸化皮膜を化成修
復処理することにある。
【0007】本発明における陽極体としての弁作用を有
する金属としては、アルミニウム、タンタルから選ば
れ、表面積を増大するためにエッチングまたは焼結処理
したものを用い、この弁作用金属に酸化皮膜を形成する
にはアジピン酸、ホウ酸水溶液等を用いて電気化学的な
手段により通常の方法で形成することができる。酸化皮
膜上に共役系高分子化合物の導電性高分子化合物層を形
成した後、導電体層としてのグラファイト層および銀ペ
ースト層を順次形成する。
【0008】導電性高分子化合物層の形成方法は、化学
重合法で合成した導電性高分子層をプレコート層とし、
その上に電解重合することにより形成される。なお、電
解重合により形成される導電性高分子は特に限定されな
いが、重合反応の容易さからピロール、チオフェン、ア
ニリン或いはそれらの誘導体を繰り返し単位とするもの
が好ましく、また、酸化剤を用いて化学酸化重合したポ
リピロール或いはポリアニリン、ポリチオフェンのいず
れか、或いはそれらの誘導体のいずれかが望ましく、更
には、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールの
いずれかを組合せても良い。
【0009】上記したグラファイト層形成後の酸化皮膜
の化成修復処理はアジピン酸、サリチル酸、リン酸等の
1%以下の希釈溶液中において導電性高分子化合物層を
通して行う。
【0010】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態について説明す
る。図1は、本発明方法によって得られた固体電解コン
デンサの断面構造の模式図であって、同図において、陽
極体としての弁作用を有する金属1の表面は非常に拡面
化されており、その表面積は大きくされている。この細
孔壁面に沿って金属酸化物の誘電体2を形成する。次
に、該誘電体酸化皮膜2の表面に導電性高分子化合物層
3を形成する。次に、この導電性高分子化合物層3の上
に陰極となる導電体層としてのグラファイト層4を形成
した後、誘電体酸化皮膜2の化成修復を行い、次に、銀
ペースト層5を形成し、導電体層からは陰極リード6
を、弁作用金属1からは陽極リード7をそれぞれ引き出
した後、外装エポキシ樹脂8で封止して固体電解コンデ
ンサとする。これにより、高周波特性を損なうことな
く、高温下における漏れ電流特性に優れた固体電解コン
デンサが得られる。
【0011】
【実施例】以下に具体的実施例について説明する。 実施例1 タンタル粉末を焼結して形成した角形陽極体(2.1×
1.0×1.2mm)1をリン酸水溶液中で陽極酸化(5
0V)し、焼結体表面にタンタル酸化皮膜2を形成し
た。このタンタル酸化皮膜2を形成した陽極体1をピロ
ールとエタノールとを重量比30:70の割合で含有す
るピロール液に浸漬した。次に、ドデシルヘンゼンスル
ホン第二鉄とエタノールとを重量比で40:60の割合
で含有する温度15℃の酸化剤溶液に浸漬し、反応終了
後、未反応の酸化剤と過剰の酸とを水洗によって洗浄
し、50℃で1時間、真空中で乾燥した。この重合を4
回繰り返し、所定の厚さの導電性高分子化合物層3を形
成させた。次に、形成した導電性高分子化合物層3上に
導電体層としてのグラファイト層4を形成後、アジピン
酸0.3%水溶液中で35Vの酸化皮膜の化成修復を行
い、水洗し、乾燥した。次に、銀ペースト層5を形成
し、導電体層からは陰極リード6を、陽極体1からは陽
極リード7をそれぞれ引き出した後、陽極体1の全周面
を外装エポキシ樹脂材8にてモールド封止して固体電解
コンデンサを完成させた。
【0012】実施例2 エッチングによって拡面(25μF/cm2)厚さ95μ
m、面積5×3mmのアルミニウム箔(陽極)1をホウ酸
アンモニウム中、50Vで陽極酸化して誘電体酸化皮膜
2を形成した。このアルミニウム酸化皮膜2を形成した
陽極体1を3,4−エチレンジオキシ−チオフェンの溶
液中に浸漬した。次に、メタンスルホン酸鉄(III)3
gを水15gに混合した酸化剤溶液中に浸漬した。反応
終了後、未反応の酸化剤を水洗によって洗浄し、50℃
で1時間、真空中で乾燥した。所定の厚さになるまで、
この重合を4回繰り返し、導電性高分子化合物層3を形
成させた。次に、形成した導電性高分子化合物層3上に
導電体層としてのグラファイト層4を形成後、アジピン
酸0.3%水溶液中で35Vの酸化皮膜の化成修復を行
い、水洗し、乾燥した。次に、銀ペースト層5を形成
し、導電体層からは陰極リード6を、陽極体1からは陽
極リード7をそれぞれ引き出した後、陽極体1の全周面
を外装エポキシ樹脂材8にてモールド封止して固体電解
コンデンサを完成させた。
【0013】実施例3 実施例1と同じ陽極体1を用いて、実施例1と同様な方
法で誘電体2を形成した。次に、誘電体2を形成後、ア
ニリンとエタノールとを重量比30:70の割合で含有
するアニリン溶液に浸漬し、次いで、過硫酸アンモニウ
ム、トルエンスルホン酸およびエタノールを重量比で2
0:20:60の割合で含有する温度15℃の酸化剤に
浸漬し、導電性高分子化合物層3を重合させた。反応終
了後、実施例1と同様な方法で洗浄、乾燥して、この重
合を5回繰り返し、所定の厚さの導電性高分子化合物層
3を形成させた。次に、実施例1と同様にグラファイト
層4を形成後、化成修復して実施例1と同様に固体電解
コンデンサを完成させた。
【0014】実施例4 実施例2と同じ陽極体1を用いて、実施例2と同様の方
法で誘電体2を形成した。次に、誘電体2を形成後、ド
ジシルベンゼンスルホン酸鉄(III)とピロールとの混
合溶液中に浸漬し、プレコート層を形成し、次いで、ピ
ロール濃度0.05モル/L、支持電解質として0.1
モル/Lのテトラブチルアンモニウムパークロレートを
含むアセトニトリル溶液中で、作用電極であるステンレ
ス線をプレコート層に軽く接触させ、白金を対電極とし
て定電圧3.5Vを印加して30分間電解重合を行い、
導電性高分子化合物層3を重合させた。反応終了後、実
施例2と同様な方法で洗浄、乾燥し、グラファイト層4
を形成後、化成修復して固体電解コンデンサを完成させ
た。
【0015】以上の実施例1、実施例2、実施例3、実
施例4のそれぞれにおいて、グラファイト層4の形成後
の化成修復を行わないこと以外は、各実施例におけると
同様の手順で完成させた固体電解コンデンサ(比較例
1、比較例2、比較例3、比較例4)と比較した。
【0016】実施例1〜実施例4と比較例1〜比較例4
の各固体電解コンデンサにつき、そ静電容量、誘電損失
(tanδ)、等価直列抵抗、漏れ電流の初期値と高温
寿命試験後の値を表1に示す。
【0017】
【表1】
【0018】この表1から明らかなように、本発明の各
実施例は、いずれも高周波域における等価直列抵抗特性
に優れ、かつ高温寿命試験においても漏れ電流が増大す
ることがない良好な結果が得られたことが判る。
【0019】
【発明の効果】しかして、本発明によれば、優れた周波
数特性を損ねることなく、高温寿命試験において、漏れ
電流の増大のない安定した高品質の固体電解コンデンサ
を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明により製造された固体電解コンデンサの
一例での模式的断面図である。
【符号の説明】
1 陽極体としての弁作用金属 2 誘電体酸化皮膜 3 導電性高分子化合物層 4 グラファイト層 5 銀ペースト層 6 陰極リード 7 陽極リード 8 外装樹脂材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 美香 神奈川県横浜市港北区新横浜3丁目18番3 号 富士通東和エレクトロン株式会社内 (72)発明者 寺尾 俊勝 神奈川県横浜市港北区新横浜3丁目18番3 号 富士通東和エレクトロン株式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 陽極体としての弁作用金属の表面に誘電
    体酸化皮膜、共役系高分子化合物の導電性高分子化合物
    層、導電体層を順次形成し、該導電体層を一方の電極と
    し、前記弁作用金属を他方の電極とする固体電解コンデ
    ンサの製造方法において、 前記導電体層の一部であるグラファイト層を形成後、前
    記誘電体酸化皮膜を化成修復処理することを特徴とする
    固体電解コンデンサの製造方法。
JP12313797A 1997-04-25 1997-04-25 固体電解コンデンサの製造方法 Pending JPH10303080A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321472A (ja) * 1997-05-22 1998-12-04 Nichicon Corp 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2001148328A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Nec Corp 固体電解コンデンサの製造方法
JPWO2013179996A1 (ja) * 2012-05-29 2016-01-21 昭和電工株式会社 固体電解コンデンサ素子の製造方法

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