JPH10302322A - 光ディスクおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 情報が高密度にピット列のようなマーク列と
して記録され、しかも再生用光ビームのスポット径より
長さの短いマークに対する再生信号振幅を高くできる光
ディスクを提供すること及びこのような光ディスクを原
盤を用いて製造するために原盤上に情報をピット列のよ
うなマーク列として記録する方法を改良した光ディスク
の製造方法を提供すること。 【解決手段】 光ビームの照射により読み取り可能な情
報を記録したマーク列（１１，１２）を備えた光ディス
クにおいて、前記マーク列のうち最短マーク長のマーク
（１１）の幅が他のマーク（１２）の幅以上であること
を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報をピット列な
どのマーク列の形で高密度に記録した光ディスクおよび
この光ディスクを原盤を用いて製造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクは、情報を光ビームの照射に
よって読み取り可能なピット列などのマーク列として記
録した記録媒体である。このような光ディスクは高密度
・大容量なメモリとして注目され、パーソナルコンピュ
ータを初めとする各種の情報処理システムの記憶装置
や、オーディオ・ビデオ信号用の記録媒体として実用化
されており、現在もさらなる高密度化・大容量化に向け
て研究・開発が進められている。

【０００３】光ディスクは、原盤からメッキ工程を経て
スタンパを作成し、このスタンパから射出成形によって
大量のディスク基板を複製し、このディスク基板上にア
ルミニウム膜などの反射膜、あるいは相変化膜や光磁気
膜などの記録膜を形成することにより作成される。原盤
は通常、ガラス基板にフォトレジスト膜を塗布し、この
フォトレジスト膜上に露光用レーザビームを対物レンズ
で絞り込んで照射することで露光を行い、次いでエッチ
ング材により現像することによって作られる。ここで、
露光用レーザビームを記録すべき情報信号に応じて強度
変調すれば、原盤上に情報に対応したピット列が形成さ
れ、また強度の一様な露光用レーザビームを照射すれ
ば、原盤上にグルーブが形成される。

【０００４】ピット列を形成した原盤から前述のように
スタンパを作成し、スタンパを用いてディスク基板を複
製して、ディスク基板上に反射膜を形成すると、反射膜
に形成されたピット列の形で情報を記録した光ディスク
が得られる。一方、原盤にグルーブを形成しておき、デ
ィスク基板上に記録膜を形成すれば、記録膜に光ビーム
のトラッキングガイドのためのグルーブが形成された光
ディスクが得られるので、このグルーブに沿って記録膜
上に情報をピット列などのマーク列として記録すること
ができる。

【０００５】一方、こうして情報が記録された光ディス
クから情報を再生する際には、ピットを読み取るための
再生用光ビームを光ディスクに照射して、ピットからの
反射光を光検出器で検出することによって再生信号を得
る。再生用光ビームとして、従来では赤色レーザ素子か
ら発生されるレーザビームが用られており、このレーザ
ビームが対物レンズで１μｍ径程度のスポットに絞り込
まれて光ディスク上に照射される。この場合、０．３μ
ｍ〜０．４μｍ程度の幅を持ったピットを読み取ること
ができる。

【０００６】光ディスクの高密度化を図るためには、光
ディスク上のピットを小さくしピットピッチを小さくす
る必要がある。このため、より高密度なピット形成が望
まれている。一方、高密度に形成されたピットを読み取
るためには、再生用光ビームのスポット径を小さくする
必要がある。この要求に対して、ＳＨＧレーザ素子や青
色レーザ素子などの短波長レーザ素子の開発が精力的に
進められている。これらのレーザ素子を用いると、再生
用光ビームのスポット径もサブミクロンオーダまで小さ
くできると予想される。

【０００７】ただし、再生用光ビームのスポット径と光
ディスク上のピットの大きさとの間には最適条件があ
り、ピット長が再生用光ビームのスポット径より大きい
場合、ほぼスポット径の１／３の幅のピットを形成した
とき、再生信号振幅が最も大きくなるとされている。青
色レーザ素子の発光波長では、対物レンズにもよるが、
スポット径は０．６μｍ径程度まで小さくなると考えら
れる。その場合、再生信号振幅を最大にするためには、
光ディスク上のピット幅を０．２μｍ程度まで微細化す
ることが必要となる。

【０００８】前述したように、光ディスクで高密度記録
を行うためには、ピットを微細化する必要があるが、ピ
ットの微細化によりピットピッチが再生用光ビームのス
ポット径より小さくなると、ＭＴＦ(Modulation Transf
er Function)が低下し、再生信号振幅が小さくなる。特
に、最短ピットでは原盤の露光時に露光用レーザビーム
のスポット径と同程度か、あるいはそれより小さいピッ
トを記録することになるため、ピット幅もピット長の大
きいピットに比べ小さくなってしまい、再生信号振幅が
極端に減少してしまうという問題がある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、光デ
ィスクの高密度化を達成すべくピットを微細化し、かつ
微小なピットを読み取るべく再生用光ビームを短波長化
してスポット径を小さくすると、ピット長の短いピット
を読み取るときに再生信号振幅が大きく低下してしま
う。このような再生信号振幅の低下は、再生信号ジッタ
の増大やエラーレートの増加を招き、光ディスクシステ
ムとしての信頼性が著しく低下するという問題を引き起
こす。

【００１０】本発明の目的は、情報が高密度にピット列
のようなマーク列として記録され、しかも再生用光ビー
ムのスポット径より長さの短いマークに対する再生信号
振幅を高くできる光ディスクを提供することにある。

【００１１】また、本発明の他の目的は、このような光
ディスクを原盤を用いて製造するために原盤上に情報を
ピット列のようなマーク列として記録する方法を改良し
た光ディスクの製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために次のような手段を講じた。本発明の光デ
ィスクは、光ビームの照射により読み取り可能な情報を
記録したマーク列を備えた光ディスクにおいて、前記マ
ーク列のうち最短マーク長のマークの幅が他のマークの
幅以上であることを特徴とする。ここで、前記マーク列
の前記最短マークピッチが前記マーク列を読み取るため
の光ビームのスポット径より小さいことを特徴とする。

【００１３】本発明の他の光ディスクは、前記マーク列
のマークの幅がマーク長の短いほど大きいことを特徴と
する。また、前記マーク列のマーク長が前記マーク列を
読み取るための光ビームのスポット径以下の領域におい
て、前記マーク列のマークの幅がマーク長の短いほど大
きいことを特徴とする。更に、前記マーク列の最短マー
クピッチが前記マーク列を読み取るための光ビームのス
ポット径より小さく、かつ前記マーク列のマークの幅が
マーク長によらず一定であることを特徴とする。

【００１４】このように最短マークの幅を他のより長い
マークの幅に比較して広くすると（又は、マークの幅を
マーク長の短いほど大きくするか、あるいはマーク列の
最短マークピッチを再生用光ビームのスポット径より小
さくしかつマークの幅をマーク長によらず一定すること
によって）、最短マークを読み取ったときの再生信号振
幅が増大する。これはマーク長が再生用光ビームのスポ
ット径より小さい場合、再生信号振幅が最大となるマー
ク幅が変わり、広くした方が再生信号振幅が大きくなる
からである。実際に従来の光ディスクを調べると、露光
用光ビームのスポット径と同程度に長さの短いマークを
記録した場合、他の長いマークに比べてマークの幅が小
さくなる傾向がある。このことからも、本発明のように
最短マークのマーク幅を補正することで再生信号振幅特
性が向上することが分かる。

【００１５】このように、本発明では光ディスクの高密
度化のために最短マークの長さが短くなった場合でも、
再生信号振幅の低下が抑えられる。この結果、再生信号
ジッタマージンが大きくなり、エラーレートが低下する
ため、高密度かつ信頼性に優れた光ディスクシステムを
実現することができる。

【００１６】一方、マークピッチに関しては、再生用光
ビームのスポット径より小さくなるとＭＴＦが低下し、
再生信号振幅を低下させる。このマークピッチによるＭ
ＴＦ特性への影響は、特に最短マークにおいて顕著であ
るため、光ディスクシステムとして考えたときは、本発
明のように最短マークのマーク幅を補正するのみでも再
生信号特性の向上に十分な効果が得られ、マーク幅の補
正を実現するための信号処理系の構成も簡単で済み、実
用上有利である。

【００１７】本発明の光ディスクを製造する方法は、記
録すべき情報信号に応じて変調された露光用光ビームを
照射して、前記情報信号を原盤にマーク列として形成す
る第１のステップと、前記原盤を用いて、光ビームの照
射により読み取り可能なマーク列として情報が記録され
た光ディスクを作成する第２のステップと、を備えた光
ディスクの製造方法であって、前記第１のステップは、
最短マーク長のマークに対応する露光用光ビームのパワ
ーを他のマークに対応する露光用光ビームのパワーより
大きくしてマーク列を作成するステップを含むことを特
徴とする。ここで、前記第１のステップは、前記最短マ
ーク長のマークに対応する露光用光ビームのパルス幅を
他のマークに対応する露光用光ビームのパルス幅より小
さくしてマーク列を作成するステップを更に含むことを
特徴とする。また、前記第１のステップは、全てのマー
クに対応する露光用光ビームのパルス幅を前記情報信号
のパルス幅より小さくしてマーク列を作成するステップ
を更に含むことを特徴とする。

【００１８】このような方法で情報が記録された原盤を
用いて光ディスクを製造すると、最短マークピッチが再
生用光ビームのスポット径より小さく、かつ最短マーク
長のマークの幅が他のマークの幅以上であるマーク列と
して情報を記録した上記のような光ディスクを得ること
ができる。

【００１９】この場合、最短マーク長のマークに対応す
る露光用光ビームのパワーを他のマークに対応する露光
用光ビームのパワーより大きくすることに加えて、最短
マーク長のマークに対応する露光用光ビームのパルス幅
を他のマークに対応する露光用光ビームのパルス幅より
小さくするか、あるいは全てのマークに対応する露光用
光ビームのパルス幅を情報信号のパルス幅より小さくし
てもよい。こうすると最短マークの長さを予定より長く
することなく、最短マークの幅を大きくすることが可能
となる。

【００２０】本発明の光ディスクを製造する方法は、記
録すべき情報信号に応じて変調された露光用光ビームを
照射照射して、情報を原盤にマーク列として形成する第
１のステップと、前記原盤を用いて、光ビームの照射に
より読み取り可能なマーク列として情報が記録された光
ディスクを作成する第２のステップと、を備えた光ディ
スクの製造方法であって、前記第１のステップは、前記
露光用光ビームのピークパワーに対して１０％のパワー
での前記原盤上のスポット径をｗとし、前記情報信号の
パルス幅に対応する前記原盤上での空間的な長さをｘと
した場合に、ｘ／ｗ＞１のときは該露光用光ビームのパ
ワーを一定とし、ｘ／ｗ≦１のときは該露光用光ビーム
のパワーをｘ／ｗ＞１のときのパワーに対して０．５×
｛（ｗ／ｘ）＋１｝倍として、前記マーク列を作成する
ステップを含むことを特徴とする。このように露光用光
ビームのパワーを補正することにより、最短マークを含
めたマーク長の短いマークの幅がマーク長の長いマーク
より大きい光ディスクが得られる。

【００２１】本発明の光ディスクを製造する方法は、記
録すべき情報信号に応じて変調された露光用光ビームを
照射照射して、情報を原盤にマーク列として形成する第
１のステップと、前記原盤を用いて、光ビームの照射に
より読み取り可能なマーク列として情報が記録された光
ディスクを作成する第２のステップと、を備えた光ディ
スクの製造方法であって、前記露光用光ビームのピーク
パワーに対して１０％のパワーでの前記原盤上のスポッ
ト径をｗとし、前記情報信号のパルス幅に対応する前記
原盤上での空間的な長さをｘとした場合に、ｘ／ｗ≦
０．５のときに、該露光用光ビームのパワーをｘ／ｗ＞
０．５のときのパワーに対して０．５×｛（ｗ／ｘ）＋
１｝倍として前記マーク列を作成するステップを含むこ
とを特徴とする。

【００２２】上記の製造方法において、前記露光用光ス
ポットとして、前記原盤の接線方向に短い形状のスポッ
トを用いて前記マーク列を作成するステップを含むこと
を特徴とすることによって、最短マークの幅を他のマー
クの幅以上にすることが容易となる。前記原盤の接線方
向に短い形状のビームは、前記露光用光ビームとなる光
ビームを超解像フィルタに通すことによって得られるこ
とを特徴とする。この超解像フィルタは、例えば原盤の
半径方向に沿ったストライプ状の遮蔽板、または原盤の
接線方向（原盤の半径方向に直交する方向）を長軸とす
る楕円状の遮蔽板により実現することができる。このよ
うな超解像フィルタによる原盤の接線方向の超解像効果
によって、露光用光ビームをより小さなスポットで原盤
の半径方向に長い楕円状にすることができ、光ディスク
の高密度化にさらに有利となる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。なお、本実施形態ではマーク列とし
てピット列を形成した光ディスクについて述べる。 （第１の実施形態）図１に、本発明の第１の実施形態に
よる光ディスクの表面ピット形状を示す。この光ディス
クは、例えば樹脂製のディスク基板上に同心円状または
螺旋状のトラックに沿って情報がピット列として記録さ
れ、その上にアルミニウム膜などの反射膜が形成された
再生専用光ディスクである。ピット列は記録される情報
に応じた種々の長さ（ピット長）を持つピット１１，１
２からなる。これらのうち、ピット１１がピット長の最
も短いピット（最短ピット）である。

【００２４】この光ディスクに記録された情報は、図示
しない光学ヘッドでピット列を読み取ることによって再
生される。光学ヘッドは光源である半導体レーザ素子、
コリメータレンズ、ビームスプリッタ、対物レンズ、集
光レンズ、光検出器などを主体として構成された公知の
ものでよく、半導体レーザ素子から出射されたレーザビ
ームはコリメータレンズ、ビームスプリッタを介して対
物レンズに入射し、対物レンズで絞り込まれて、光ディ
スク上に図１に示すように微小なスポット（以下、再生
用光ビームスポットという）１３として照射される。

【００２５】そして、光ディスクからの反射光は、入射
ビームと逆方向に対物レンズを通過した後、ビームスプ
リッタにより入射ビームと分離され、集光レンズを介し
て光検出器に導かれる。光検出器は受光面を複数に分割
した分割光検出器であり、その複数の出力信号を演算処
理することによって、再生信号およびトラッキングサー
ボやフォーカスサーボに必要なエラー信号が生成され
る。

【００２６】ここで、各パラメータについて一例を示す
と、トラックピッチＰｔは０．７４μｍ、ピット長は
０．４〜１．５μｍの範囲であり、最短ピット１１のピ
ット長Ｌ１は設定値が０．４μｍ（最短ピットピッチＰ
１は０．８μｍ）である。ピット幅については、最短ピ
ット１１以外のピット１２のピット幅Ｗ２が０．４μｍ
であるのに対し、最短ピット１１のピット幅Ｗ１は０．
４１μｍと、Ｗ２より大きくなっている。

【００２７】この光ディスクからの再生に使用する半導
体レーザ素子は例えば赤色レーザであり、その発振波長
は６５０ｎｍである。対物レンズのＮＡ（開口数）は
０．６であり、再生用光ビームスポット１３のスポット
径は約０．９μｍである。すなわち、最短ピットピッチ
Ｐ１は再生用光ビームスポット１３のスポット径より小
さくなっている。

【００２８】一方、図２は従来の光ディスクの表面ピッ
ト形状を示したもので、最短ピット１の幅が０．３５μ
ｍと、他のピット２のピット幅０．４μｍより小さくな
っている。再生用光ビームスポット３のスポット径その
他のパラメータは、図１の場合とほぼ同じである。

【００２９】上記のように、本実施形態の光ディスク
は、最短ピットピッチＰ１が再生用光ビームスポット１
３のスポット径より小さく、かつ最短ピット１１のピッ
ト幅Ｗ１が他のピット１２のピット幅Ｗ２以上である点
が従来の光ディスクと異なっている。このような構成す
ることにより、記録密度が非常に高密度でありながら最
短ピット１１からの再生信号振幅を十分に大きくとるこ
とができる。

【００３０】図１および図２の表面ピット形状を有する
光ディスクについて再生信号アイパターンを実測した結
果、図１に示した本実施形態の光ディスクからの再生信
号振幅、特に最短ピット１１からの再生信号振幅は、図
２に示した従来の光ディスクのそれより大きくなってい
ることがわかった。なお、本実施形態では、図１に示し
たように、最短ピット１１を楕円形状としたが、本発明
はこの場合に限られず、上記要件を満たせば最短ピット
の形状を円形としても良い。

【００３１】次に、本実施形態の光ディスクの製造方法
について説明する。本実施形態の光ディスクは、基本的
には従来の光ディスクの製造工程と同様にして製造され
る。すなわち、光ディスクに記録すべきピット列と同様
のピット列を形成した原盤からメッキ工程を経てスタン
パが作成される。このスタンパから射出成形によって大
量のディスク基板が複製されて、このディスク基板上に
アルミニウム膜などの反射膜を形成することにより本実
施形態の光ディスクが作成される。但し、本実施形態で
は原盤への記録方法が従来の方法と異なっている。

【００３２】以下、ピット列が形成された原盤を得るた
めの原盤記録装置の実施形態について述べる。図３は、
原盤記録装置の記録光学系を概略的に示したものであ
る。露光用光源であるレーザ発生装置２１から出射され
たレーザビームは、まず第１の光変調器２２に入射す
る。この光変調器２２からの出射ビームはハーフミラー
２３により二分割され、ハーフミラー２３を通過したビ
ームはパワーモニタ用光検出器２４に入射して光パワー
がモニタされる。光量制御系２５は、光検出器２４でモ
ニタされた光パワーが一定となるように第１の光変調器
２２にフィードバック制御を施す。

【００３３】一方、ハーフミラー２３を反射したレーザ
ビームは、第２の光変調器２６に入射し、ここで後述す
るように記録すべき情報信号に応じた光変調を受ける。
この光変調器２６から出射されるレーザビームは、ミラ
ー２７により案内されて幾つかのレンズからなるコリメ
ート系２８によって平行光束とされた後、ミラー２９に
より案内されて対物レンズ３０に入射し、この対物レン
ズ３０によって適当なスポット径に絞り込まれた露光用
レーザビーム３１が原盤３２に導かれる。原盤３２は、
円形のガラス基板３３上にフォトレジスト膜３４を塗布
形成したものであり、フォトレジスト膜３４に露光用レ
ーザビーム３１が照射されることで、露光が行われる。

【００３４】露光後のフォトレジスト膜３４は、適当な
エッチング材によって現像が行われる。これにより、フ
ォトレジスト膜３４上にピットが形成される。このとき
露光用レーザビーム３１のパワー（それに加えて、パル
ス幅）を制御することにより、露光用レーザビーム３１
のスポット径の近傍でフォトレジスト膜３４の現像によ
って形成されるピットの大きさおよび幅を制御すること
ができる。レーザ発生装置２１の発振波長を４０７ｎｍ
とし、対物レンズ３０のＮＡを０．９とすると、露光用
レーザビーム３１のスポット径はほぼ０．４μｍとな
る。

【００３５】ここで、従来の原盤記録装置を用いて０．
４μｍ程度の長さの短いピットを形成する場合を示す。
この場合には、ピットの幅は図２中の最短ピット１１に
示されるように、ピット長の大きい他のピット１２に比
べて小さくなってしまう。これに対して、本実施形態で
は露光用レーザビーム３１のパワーを記録すべき情報信
号に応じて制御し、最短ピット１１に対応するパワーを
他のピット１２に対応するパワーより小さくすることに
よって、図１で説明したように最短ピット１１のピット
幅Ｗ１を他のピット１２のピット幅Ｗ２より大きくして
いる。以下、この点について詳しく説明する。

【００３６】図３に示されるように、記録すべき情報信
号Ｓ１は信号処理回路３５に入力され、この信号処理回
路３５から第２の光変調器２６を駆動するための光変調
器ドライバ３６に露光用信号Ｓ２が供給される。信号処
理回路３５は、画像、音声または各種データなどの信号
をディジタル化した二値の情報信号Ｓ１を処理して露光
用信号Ｓ２に変換する。

【００３７】図４は、信号処理回路３５の具体的な構成
例を示すブロック図である。外部から入力される情報信
号Ｓ１は、まずメモリ４１に蓄積される。メモリ４１か
ら読み出される情報信号は、パルス幅検出部４２とパル
ス振幅変換部４３に入力される。パルス振幅変換部４３
では、パルス幅検出部４２の検出結果に基づいてパルス
振幅の変換を行う。このパルス振幅変換部４２によって
パルス振幅変換された信号は、露光用信号Ｓ２として図
３中の変調器ドライバ３６に供給される。

【００３８】次に、この信号処理回路３５の動作を図５
に示す波形図を用いて説明する。図５（ａ）は信号処理
回路３５に入力される情報信号Ｓ１であり、この情報信
号Ｓ１はメモリ４１を介してパルス幅検出部４２とパル
ス振幅変換部４３に入力される。パルス振幅変換部４３
からは、図５（ｂ）に示す露光用信号Ｓ２が得られる。

【００３９】パルス幅検出部４２は、メモリ４１から読
み出された情報信号について最短パルス幅のパルスを検
出すると、その旨を示す最短パルス幅検出信号をパルス
振幅変換部４３に供給する。パルス振幅変換部４３は、
この最短パルス幅検出信号を受け取ると、そのときにメ
モリ４１から入力されている最短パルス幅のパルスの振
幅が最短パルス幅以外の他のパルスの振幅より所定量大
きくなるように振幅変換を行う。この結果、パルス振幅
変換部４３から出力される露光用信号Ｓ２は、図５
（ｂ）に示したように最短ピット１１に対応するパルス
Ｐ２１の振幅Ａ１が他のピット１２に対応するパルスＰ
２２の振幅Ａ２より大きなものとなる。

【００４０】この露光用信号Ｓ２に従って、図３に示す
ように光変調器ドライバ３６によって第２の光変調器２
６を駆動し、光変調器２６に入射するレーザビームに対
し露光用信号Ｓ２のパルス振幅に応じた強度変調を施す
と、露光用レーザビーム３１のパワーは最短ピット１１
に対応する期間では、他のピット１２に対応する期間に
比べて大きくなる。この結果、図１に示されるように最
短ピット１１のピット幅Ｗ１を他のピット１２のピット
幅Ｗ２より大きくすることができる。

【００４１】図６は、信号処理回路３５の他の構成例を
示すブロック図であり、パルス振幅変換部４３の後段に
パルス幅変換部４４が設けられている点が図４の構成と
異なっている。すなわち、外部から入力される情報信号
Ｓ１は、まずメモリ４１に蓄積され、メモリ４１から読
み出される情報信号はパルス幅検出部４２とパルス振幅
変換部４３に入力される。パルス振幅変換部４３の出力
信号は、さらにパルス幅変換部４４に入力される。パル
ス振幅変換部４３およびパルス幅変換部４４では、パル
ス幅検出部４２の検出結果に基づいてパルス振幅変換お
よびパルス幅変換をそれぞれ行う。こうしてパルス振幅
変換およびパルス幅変換された信号が露光用信号Ｓ２と
して図３中の変調器ドライバ３６に供給される。

【００４２】この信号処理回路３５の動作を図７に示す
波形図を用いて説明する。図７（ａ）は信号処理回路３
５に入力される情報信号Ｓ１であり、図５（ａ）の場合
と同様、Ｐ１１は最短ピットに対応するパルス、Ｐ１２
は最短ピット以外のピットに対応するパルスである。こ
こで、最短ピットに対応するパルスＰ１１のパルス幅を
Ｂ０とする。この情報信号Ｓ１がメモリ４１を介してパ
ルス振幅変換部４３とパルス幅変換部４４を順次通過す
ると、図７（ｂ）に示す露光用信号Ｓ２が得られる。

【００４３】パルス幅検出部４２は、メモリ４１から読
み出された情報信号について最短パルス幅のパルスを検
出すると、その旨を示す最短パルス幅検出信号をパルス
振幅変換部４３およびパルス幅変換部４４に供給する。
パルス振幅変換部４３は、この最短パルス幅検出信号を
受け取ると、そのときにメモリ４１から入力されている
最短パルス幅のパルスの振幅が最短パルス幅以外の他の
パルスの振幅より所定量大きくなるように振幅変換を行
う。この動作は、図４の場合と同様である。一方、パル
ス幅変換部４４は、最短パルス幅検出信号を受け取る
と、パルス振幅変換部４３を介して入力されている最短
パルス幅のパルスのパルス幅を所定量小さくするように
パルス幅変換を行う。

【００４４】この結果、パルス振幅変換部４３とパルス
幅変換部４４を介して出力される露光用信号Ｓ２は、図
７（ｂ）に示したように最短ピット１１に対応するパル
スＰ２１の振幅Ａ１が他のピット１２に対応するパルス
Ｐ２２の振幅Ａ２より大きくなり、かつパルスＰ２１の
パルス幅Ｂ１が情報信号Ｓ１の最短ピット１１に対応す
るパルスＰ１１のパルス幅Ｂ０より小さくなる。

【００４５】この露光用信号Ｓ２に従って、光変調器ド
ライバ３６によって第２の光変調器２６を駆動し、光変
調器２６に入射するレーザビームに対し露光用信号Ｓ２
のパルス振幅に応じた強度変調を施すと、露光用レーザ
ビーム３１のパワーは、最短ピット１１に対応する期間
では他のピット１２に対応する期間に比べて大きくな
り、かつ露光用レーザビーム３１のパルス幅（照射時
間、露光時間）は、最短ピット１１に対応する期間では
情報信号Ｓ１で決まる時間より短くなる。

【００４６】図４および図５で説明したようにして、最
短ピット１１に対応する期間に露光用レーザビーム３１
のパワーを大きくするのみでは、最短ピット１１の長さ
が予定より長くなってしまうことがある。これに対し、
図６および図７で説明したように、最短ピット１１に対
応する期間には露光用レーザビーム３１のパワーを大き
くすると共に、パルス幅をある程度小さくすれば、最短
ピット１１の長さを予定通りにすることができる。この
最短ピット１１に対応するパルス幅は、露光用レーザビ
ームのスポット径とピット形成プロセス条件によって変
わるため、実験的に最適な値を選ぶことが望ましい。

【００４７】なお、図７（ｂ）では露光用信号Ｓ２のう
ち最短ピット１１に対応するパルスＰ２１の幅Ｂ１だけ
を情報信号Ｓ１の対応するパルスＰ１１のパルス幅Ｂ０
より小さくしたが、図７（ｃ）に示すように露光用信号
Ｓ２の全てのピットに対応するパルスの幅を情報信号Ｓ
１の対応するパルスのパルス幅より一律に、例えば同じ
割合ずつ小さくしてもよい。

【００４８】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態について説明する。第１の実施形態は上述した
ように、最短ピットピッチが再生用光ビームのスポット
径より小さく、かつ最短ピット１１の幅が他のピットよ
り大きいことが特徴であるが、このようにするためには
露光用レーザビーム３１のスポット形状もピットの幅方
向、すなわち原盤３２の半径方向に長い形状となってい
る方が所望のピット形成を容易に行うことができ、好ま
しい。

【００４９】図８に、露光用レーザビーム３１のスポッ
トを原盤３２の幅方向に長い形状とするための一実施形
態を示す。本実施形態では、図３の原盤記録装置におけ
る対物レンズ３０への入射光路、例えばミラー２９の前
に楕円のアパーチャ５１を挿入して円形のレーザビーム
５０を楕円のレーザビーム５２に成形し、原盤３２の半
径方向における対物レンズ３０のＮＡを等価的に下げる
ことによって、対物レンズ３０から出射する露光用レー
ザビーム３１のスポット形状を半径方向に長くしてい
る。なお、図８では分かりやすくするため、対物レンズ
３０を入射光軸方向から見た平面図として描いており、
またこれに入射するレーザビームを断面で示している。

【００５０】（第３の実施形態）図９および図１０に、
第３の実施形態を示す。図９に示す実施形態では、原盤
３２の半径方向に沿ったストライプ状の遮蔽板６１から
なる超解像フィルタを対物レンズ３０への入射光路に挿
入している。また、図１０に示す実施形態では、原盤３
２の半径方向を長軸とする楕円状の遮蔽板からなる超解
像フィルタ６２を同様に対物レンズ３０への入射光路に
挿入している。なお、図９および図１０においても、対
物レンズ３０を光軸方向から見た平面図として描き、ま
たこれに入射するレーザビームを断面で示している。

【００５１】このようにすると、超解像フィルタ６１，
６２による原盤３２の接線方向の超解像効果によって、
露光用レーザビーム３１を従来の露光用レーザビームよ
り小さなスポットで原盤３２の接線方向に短い（原盤３
２の半径方向に直交する方向）楕円状にすることがで
き、光ディスクの高密度化にさらに有利となる。

【００５２】（第４の実施形態）図１１および図１２
は、本発明の第４の実施形態におけるピット長Ｌとピッ
ト幅Ｗの関係を示した図である。ここでは、最短ピット
ピッチが再生用ビームスポット径より小さいような高密
度な場合を示している。

【００５３】第１の実施形態では、最短ピット１１のピ
ット幅Ｗ１を他のピット１２のピット幅Ｗ２より大きく
したが、図１１に示すようにピット長Ｌの短いほどピッ
ト幅Ｗを大きくしてもよいし、図１２に示すようにピッ
ト長Ｌが再生用光ビームのスポット径Ｓ以下の領域で
は、ピット長Ｌの短いほどピット幅Ｗを大きくし、それ
以外の領域ではピット長Ｌによらずピット幅Ｗを一定と
するようにしてもよく、このようにしても第１の実施形
態とほぼ同様の効果が得られる。

【００５４】図１３に、本実施形態による光ディスクの
表面ピット形状を示す。最短ピット１１（この例ではピ
ット長３Ｔ）のピット幅をＷ１とし、それ以外のピット
１２のうちピット長４Ｔのピットのピット幅をＷ３、ピ
ット長８Ｔのピットのピット幅をＷ２とすると、図１に
示した第１の実施形態による光ディスクでは、Ｗ１＞Ｗ
２＝Ｗ３であったのに対して、本実施形態ではＷ１＞Ｗ
３＞Ｗ２、すなわちピット長の短いほどピット幅を大き
くしている。また、ピット長が再生用光ビームスポット
径以下の領域でのみピット長の短いほどピット幅を大き
くし、それ以外の領域ではピット長によらずピット幅を
一定としてもよい。

【００５５】このように本実施形態では、最短ピットを
含めてよりピット長の短いピットのピット幅を大きくす
ることにより、記録密度を高密度化しつつ短ピットから
の再生信号振幅を大きくとることができる。

【００５６】（第５の実施形態）次に、ピット幅がピッ
ト長に関係なくほぼ一定のピット列を形成した光ディス
クとその製造方法について説明する。

【００５７】図１４は、本実施形態に係る光ディスクの
表面ピット形状を示す。図１４に示されるように、本実
施形態では最短ピット１１および他のピット１２を含め
て全てのピットの幅を等しくしている点が第１の実施形
態と異なっている。但し、本実施形態においても、最短
ピットピッチＰ１は第１の実施形態と同様に再生用光ビ
ームスポット１３のスポット径より小さくなっている。

【００５８】各パラメータについて一例を示すと、トラ
ックピッチＴｐは０．６μｍ、ピット長は０．３３〜
１．２μｍの範囲であり、最短ピット１１のピット長Ｌ
１は０．３３μｍ（最短ピットピッチＰ１は０．６６μ
ｍ）である。ピット幅については、最短ピット１１およ
び他のピット１２を含めてＷ＝０．３３μｍと等しくな
っている。

【００５９】この光ディスクからの再生に使用する半導
体レーザ素子は例えば緑色レーザであり、その発振波長
は５３２ｎｍである。対物レンズのＮＡ（開口数）は
０．６であり、再生用光ビームスポット１３のスポット
径は約０．７μｍである。すなわち、最短ピットピッチ
Ｐ１は再生用光ビームスポット１３のスポット径より小
さくなっている。一方、従来の光ディスクでは図２に示
したように最短ピット１の幅は、他のピット２のピット
幅０．４μｍより小さく、例えば０．２８μｍとなって
いる。

【００６０】このように本実施形態の光ディスクは、最
短ピットピッチＰ１が再生用光ビームスポット１２のス
ポット径より小さく、かつ全てのピット１１，１２のピ
ット幅Ｗがほぼ等しい点が従来の光ディスクと異なって
いる。このような構成することにより、記録密度が非常
に高密度でありながら最短ピット１１を含めて全てのピ
ットからの再生信号振幅を十分に大きくとり、さらにク
ロストーク量の変動を抑制することができる。

【００６１】なお、本実施形態では、図１４に示したよ
うに、最短ピット１１を円形としたが、本発明はこの場
合に限られず、上記要件を満たせば、図１に示したよう
に、最短ピットを楕円形状としても良い。

【００６２】次に、本実施形態の光ディスクの製造方法
について説明する。図１４に示したようにピット幅がピ
ット長によらず一定のピットを形成するためには、図３
に示した原盤記録装置において、原盤３２のフォトレジ
スト３４に照射される露光用レーザビーム３１のパワー
のピークの原盤３２の半径方向の分布が等しくなるよう
にすればよい。

【００６３】図１５は、露光用レーザビーム３１として
ビームパワーがエアリー分布を持つレーザビームを用い
て１次元の走査を行ったときの露光用レーザビーム３１
のビームパワーの絶対値を走査方向に表した図である。
露光用レーザビーム３１のスポット径はｋ×λ／ＮＡで
定義され、図３に示した原盤記録装置において、レーザ
発生装置２１の発振波長をλ＝３５１ｎｍ、対物レンズ
３０のＮＡを０．９とすると、ピークパワーに対し１／
ｅ²になるスポット径は０．３２μｍ、ビームパワーが
最初に零となる、いわゆる暗環径は０．４７６μｍであ
る。

【００６４】この図１５から、０．３６μｍ以上の距離
にわたって走査を行うと、露光用レーザビーム３１のピ
ークパワーがほぼ一定となることが分かる。この０．３
６μｍという距離は、ピークパワーに対して略１０％の
パワーでの原盤３２上での露光用レーザビーム３１のス
ポット径に相当する。従って、露光用レーザビーム３１
のスポット径をピークパワーに対して１０％のパワーで
のスポット径として定義すると、このスポット径より長
い距離に対しては、すなわち、ある程度以上長い走査時
間に対しては、ピークパワーは一定となる。

【００６５】図１６は、上述のように定義したスポット
径（ｗとする）に対する、記録すべき情報信号のパルス
幅に対応する原盤３２上での空間的な長さｘの比ａ（＝
ｘ／ｗ）をパラメータとして、フォトレジスト膜３４上
に照射される露光用レーザビーム３１のパワーの原盤３
２の半径方向における分布を示したものである。

【００６６】図１７は、ａ＝ｘ／ｗに対して露光用レー
ザビーム３１のピークパワーをプロットして示す図であ
る。ａが１以上の場合はピークパワーはほとんど変わら
ないが、ａが１より小さい場合はピークパワーが低下す
ることが分かる。このため、スポット径Ｗより短いピッ
トを露光するときには、フォトレジスト膜３４に対する
絶対露光量が減少することにより、ピット幅が狭くなっ
てしまう。通常、フォトレジストに対するスレッショル
ドはピークパワーの５０％付近に設定するので、ａ＝
０．８程度であればあまり問題ないが、ａ＝０．５程度
になるとピット形成が難しくなる。そこで、同じピーク
パワーで露光ができるように露光用レーザビーム３１の
パワーを補正することで、短いパルス幅でも同じピット
幅となるようにすることができる。

【００６７】情報信号のパルス幅にかかわらず露光用レ
ーザビーム３１のピークパワーを一定にし、原盤３２の
半径方向のパワー分布を同じにして形成できるピット幅
を一定にするための露光用レーザビーム３１のパワー
は、図１７より図１８のように求めることができる。す
なわち、情報信号のパルス幅に応じて露光用レーザビー
ム３１のパワーをＡ倍することにより、ピークパワーを
一定にすることが可能である。

【００６８】図１８から、露光用レーザビーム３１のパ
ワー補正量Ａは、 Ａ＝０．５×｛（１／ａ）＋１｝ （１） で近似できる。このようなパワー補正量Ａを用い、ａ＞
１のときは露光用光ビーム３１のパワーを一定とし、ａ
≦１のときは露光用光ビーム３１のパワーをｘ／ｗ＞１
のときのパワーに対してＡ倍することによって、ピーク
パワーを一定にし、もってピット幅をピット長によらず
一定にすることができる。

【００６９】本実施形態における原盤記録時の動作を図
３、図６および図７を用いてさらに詳しく説明する。図
３においてレーザ発振装置２１の発振波長を３５１ｎｍ
とし、対物レンズ３０のＮＡを０．９とすると、露光用
レーザビーム３１のスポット径はほぼ０．３２μｍとな
る。この条件で従来の原盤記録装置を用いて０．３２μ
ｍ程度の長さの短ピットを形成しようとすると、ピット
幅は図２中の最短ピット１１に示されるように他のピッ
ト１２に比べて小さくなってしまう。

【００７０】これに対して、本実施形態では図５（ａ）
に示される情報信号Ｓ１を信号処理回路３５に入力し、
図５（ｂ）に示すように露光用信号Ｓ２において露光用
レーザビーム３１のスポット径より短い短ピットに対応
する短いパルス幅のパルスの振幅Ａ１を他のピットに対
応する長いパルス幅のパルスの振幅Ａ２より大きくし
て、短ピットのピットを形成するときの露光用レーザビ
ーム３１のパワーを補正することにより、ピット幅を補
正できる。すなわち、このときの露光用レーザビーム３
１のパワー補正量Ａを前述したように、式（１）で決定
することにより、ピット幅をピット長によらずほぼ一定
にすることが可能となる。

【００７１】また、このとき露光用レーザビーム３１の
パワーを大きくすると、長さ方向にもピットが大きくな
るので、図７（ａ）に示される情報信号Ｓ１に対して、
図７（ｂ）または図７（ｃ）に示すように露光用信号に
おいて短ピットに対応するパルスのパルス幅Ａ１を短く
することが望ましい。このためには、再生される情報信
号のパルス長が所望の値となるように露光用信号Ｓ２の
パルス幅をコントロールすればよい。但し、このパルス
幅Ａ１の最適値は露光用レーザビームとピット形成プロ
セスよって変わるため、実験的に定めることが望まし
い。

【００７２】式（１）の補正量Ａは、図１８に示される
ようにａ≦０．５のとき大きな値を示し、ａ＞０．５の
ときはほとんど一定なので、この露光用レーザビームの
パワー補正は、ｘ／ｗ≦０．５のときのみ行ってもよ
い。すなわち、ｘ／ｗ≦０．５のときの露光用レーザビ
ームのパワーをｘ／ｗ＞０．５以外のときのパワーに対
してＡ倍にするようにしてもよい。

【００７３】さらに、このような露光用レーザビームの
パワー補正の手法は、最短ピットのピット幅を他のピッ
トのピット幅以上とする第１の実施形態、あるいはピッ
ト長の短いほどピット幅を大きくしたり、ピット長が再
生用光ビームのスポット径以下の領域でピット長の短い
ほどピット幅を大きくし、それ以外の領域ではピット長
によらずピット幅を一定とする第４の実施形態にも適用
できることはいうまでもない。本発明は、上記の発明の
実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を
変更しない範囲で種々変形して実施できるのは勿論であ
る。

【００７４】

【発明の効果】本発明によれば次のような効果が得られ
る。上記のように、本発明では光ディスクの高密度化の
ために最短マークの長さが短くなった場合でも、再生信
号振幅の低下が抑えられる。この結果、再生信号ジッタ
マージンが大きくなり、エラーレートが低下するため、
高密度かつ信頼性に優れた光ディスクシステムを実現す
ることができる。

【００７５】一方、マークピッチに関しては、再生用光
ビームのスポット径より小さくなるとＭＴＦが低下し、
再生信号振幅を低下させる。このマークピッチによるＭ
ＴＦ特性への影響は、特に最短マークにおいて顕著であ
るため、光ディスクシステムとして考えたときは、本発
明のように最短マークのマーク幅を補正するのみでも再
生信号特性の向上に十分な効果が得られ、マーク幅の補
正を実現するための信号処理系の構成も簡単で済み、実
用上有利である。

【００７６】また、上記のような方法で情報が記録され
た原盤を用いて光ディスクを製造すると、最短マークピ
ッチが再生用光ビームのスポット径より小さく、かつ最
短マーク長のマークの幅が他のマークの幅以上であるマ
ーク列として情報を記録した光ディスクを得ることがで
きる。

【００７７】この場合、最短マーク長のマークに対応す
る露光用光ビームのパワーを他のマークに対応する露光
用光ビームのパワーより大きくすることに加えて、最短
マーク長のマークに対応する露光用光ビームのパルス幅
を他のマークに対応する露光用光ビームのパルス幅より
小さくするか、あるいは全てのマークに対応する露光用
光ビームのパルス幅を情報信号のパルス幅より小さくし
てもよい。こうすると最短マークの長さを予定より長く
することなく、最短マークの幅を大きくすることが可能
となる。

【００７８】また、超解像フィルタによる原盤の接線方
向の超解像効果によって、露光用光ビームをより小さな
スポットで原盤の半径方向に長い楕円状にすることがで
き、光ディスクの高密度化にさらに有利となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施形態に係る光ディスクの
表面ピット形状を示す図。

【図２】 従来の光ディスクの表面ピット形状を示す
図。

【図３】 本発明の第１の実施形態に係る原盤記録装置
の記録光学系を示す図。

【図４】 図３における信号処理回路の構成例を示すブ
ロック図。

【図５】 図４の信号処理回路の動作を示す信号波形
図。

【図６】 図３における信号処理回路の他の構成例を示
すブロック図。

【図７】 図６の信号処理回路の動作を示す信号波形
図。

【図８】 本発明の第２の実施形態における露光用光学
系の構成を示す図。

【図９】 本発明の第３の実施形態における超解像フィ
ルタを用いた露光用光学系の構成例を示す図。

【図１０】 同実施形態における超解像フィルタを用い
た露光用光学系の他の構成例を示す図。

【図１１】 本発明の第４の実施形態におけるピット長
とピット幅の関係の一例を示す図。

【図１２】 同実施形態におけるピット長とピット幅の
関係の他の例を示す図。

【図１３】 同実施形態に係る光ディスクの表面ピット
形状を示す図。

【図１４】 本発明の第５の実施形態に係る光ディスク
の表面ピット形状を示す図。

【図１５】 ビームパワーがエアリー分布を持つ露光用
レーザビームを用いて一方向に走査を行ったときのビー
ムパワーの分布を示す図。

【図１６】 原盤の半径方向における露光用光ビームの
パワーの分布を光ビームスポット径に対する情報信号の
パルス幅に対応する原盤上の空間的長さの比をパラメー
タとして示す図。

【図１７】 露光用光ビームのスポット径に対する情報
信号のパルス幅に対応する原盤上の空間的長さの比と露
光用光ビームのパワーとの関係を示す図。

【図１８】 露光用光ビームのスポット径に対する情報
信号のパルス幅に対応する原盤上の空間的長さの比と露
光用光ビームのパワー補正量との関係を示す図。

【符号の説明】

１１…最短ピット １２…最短ピット以外のピット １３…再生用光ビームスポット ２１…レーザ発生装置 ２２…第１の光変調器 ２３…ハーフミラー ２４…パワーモニタ用光検出器 ２５…光量制御系 ２６…第２の光変調器 ２７…ミラー ２８…コリメート系 ２９…ミラー ３０…対物レンズ ３１…露光用レーザビーム ３２…原盤 ３３…ガラス基板 ３４…フォトレジスト膜 ３５…信号処理回路 ３６…( 光変調器) ドライバ ４１…メモリ ４２…パルス幅検出部 ４３…パルス振幅変換部 ４４…パルス幅変換部 ５１…楕円アパーチャ ６１…ストライプ状の超解像フィルタ ６２…楕円状の超解像フィルタ

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光ビームの照射により読み取り可能な情
   報を記録したマーク列を備えた光ディスクにおいて、 前記マーク列のうち最短マーク長のマークの幅が他のマ
   ークの幅以上であることを特徴とする光ディスク。
2. 【請求項２】 請求項１記載の光ディスクにおいて、前
   記マーク列の前記最短マークピッチが前記マーク列を読
   み取るための光ビームのスポット径より小さいことを特
   徴とする光ディスク。
3. 【請求項３】 光ビームの照射により読み取り可能な情
   報を記録したマーク列を備えた光ディスクにおいて、 前記マーク列のマークの幅がマーク長の短いほど大きい
   ことを特徴とする光ディスク。
4. 【請求項４】 光ビームの照射により読み取り可能な情
   報を記録したマーク列を備えた光ディスクにおいて、 前記マーク列のマーク長が前記マーク列を読み取るため
   の光ビームのスポット径以下の領域において、前記マー
   ク列のマークの幅がマーク長の短いほど大きいことを特
   徴とする光ディスク。
5. 【請求項５】 光ビームの照射により読み取り可能な情
   報を記録したマーク列を備えた光ディスクにおいて、 前記マーク列の最短マークピッチが前記マーク列を読み
   取るための光ビームのスポット径より小さく、かつ前記
   マーク列のマークの幅がマーク長によらず一定であるこ
   とを特徴とする光ディスク。
6. 【請求項６】 記録すべき情報信号に応じて変調された
   露光用光ビームを照射して、前記情報信号を原盤にマー
   ク列として形成する第１のステップと、前記原盤を用い
   て、光ビームの照射により読み取り可能なマーク列とし
   て情報が記録された光ディスクを作成する第２のステッ
   プと、を備えた光ディスクの製造方法において、 前記第１のステップは、最短マーク長のマークに対応す
   る露光用光ビームのパワーを他のマークに対応する露光
   用光ビームのパワーより大きくしてマーク列を作成する
   ステップを含むことを特徴とする光ディスクの製造方
   法。
7. 【請求項７】 請求項６記載の光ディスクを製造する方
   法において、前記第１のステップは、前記最短マーク長
   のマークに対応する露光用光ビームのパルス幅を他のマ
   ークに対応する露光用光ビームのパルス幅より小さくし
   てマーク列を作成するステップを更に含むことを特徴と
   する光ディスクの製造方法。
8. 【請求項８】 請求項６記載の光ディスクを製造する方
   法において、前記第１のステップは、全てのマークに対
   応する露光用光ビームのパルス幅を前記情報信号のパル
   ス幅より小さくしてマーク列を作成するステップを更に
   含むことを特徴とする光ディスクの製造方法。
9. 【請求項９】 記録すべき情報信号に応じて変調された
   露光用光ビームを照射照射して、情報を原盤にマーク列
   として形成する第１のステップと、前記原盤を用いて、
   光ビームの照射により読み取り可能なマーク列として情
   報が記録された光ディスクを作成する第２のステップ
   と、を備えた光ディスクの製造方法において、 前記第１のステップは、前記露光用光ビームのピークパ
   ワーに対して１０％のパワーでの前記原盤上のスポット
   径をｗとし、前記情報信号のパルス幅に対応する前記原
   盤上での空間的な長さをｘとした場合に、 ｘ／ｗ＞１のときは該露光用光ビームのパワーを一定と
   し、 ｘ／ｗ≦１のときは該露光用光ビームのパワーをｘ／ｗ
   ＞１のときのパワーに対して０．５×｛（ｗ／ｘ）＋
   １｝倍として、 前記マーク列を作成するステップを含むことを特徴とす
   る光ディスクの製造方法。
10. 【請求項１０】 記録すべき情報信号に応じて変調され
    た露光用光ビームを照射照射して、情報を原盤にマーク
    列として形成する第１のステップと、前記原盤を用い
    て、光ビームの照射により読み取り可能なマーク列とし
    て情報が記録された光ディスクを作成する第２のステッ
    プと、を備えた光ディスクの製造方法において、 前記露光用光ビームのピークパワーに対して１０％のパ
    ワーでの前記原盤上のスポット径をｗとし、前記情報信
    号のパルス幅に対応する前記原盤上での空間的な長さを
    ｘとした場合に、ｘ／ｗ≦０．５のときに、該露光用光
    ビームのパワーをｘ／ｗ＞０．５のときのパワーに対し
    て０．５×｛（ｗ／ｘ）＋１｝倍として前記マーク列を
    作成するステップを含むことを特徴とする光ディスクの
    製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項６〜請求項１０記載の光ディス
    クを製造する方法において、前記第１のステップは、前
    記露光用光スポットとして、前記原盤の接線方向に短い
    形状のスポットを用いて前記マーク列を作成するステッ
    プを含むことを特徴とする光ディスクの製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項１１記載の光ディスクを製造す
    る方法において、前記原盤の接線方向に短い形状のビー
    ムは、前記露光用光ビームとなる光ビームを超解像フィ
    ルタに通すことによって得られることを特徴とする光デ
    ィスクの製造方法。