JPH10280150A - 被処理基板の処理装置 - Google Patents
被処理基板の処理装置Info
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- JPH10280150A JPH10280150A JP9106761A JP10676197A JPH10280150A JP H10280150 A JPH10280150 A JP H10280150A JP 9106761 A JP9106761 A JP 9106761A JP 10676197 A JP10676197 A JP 10676197A JP H10280150 A JPH10280150 A JP H10280150A
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- C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
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Abstract
ハW)上に均一に供給すること。 【解決手段】 ウエハWと加熱手段41との間に設けら
れた石英製の空洞部材5と、この周囲に沿ってリング状
に設けられた管路部材6と、この管路部材6の周方向の
8カ所に均等な間隔で配設された連通管61とを設け
る。管路部材6にガス供給管71から処理ガスを供給す
ると、処理ガスは連通管61を介して空洞部材5に供給
され、こうして処理ガスは空洞部材5に八方から供給さ
れる。また空洞部材5には突壁53が設けられており、
処理ガスはこの突壁53に衝突して、左右方向に広がり
ながら上昇し、突壁53を越えて内部に流れて込んで行
く。これにより処理ガスはさらに分散されるので、処理
ガスはガス供給孔55を介してウエハW上に均一に供給
される。
Description
装置に関する。
面に集積回路を形成する手法の一つとしてCVD(Ch
emical Vapor Deposition)法
があり、近年このCVD処理を枚葉で行う成膜装置は、
半導体ウエハ(以下ウエハという)Wを裏面側から加熱
する片面加熱方式から、上下両側から加熱する両面加熱
方式の装置に変わりつつある。
示すように、載置台10に設けられた抵抗発熱体11
と、載置台10の上方側にウエハWと対向するように設
けられた加熱手段12とにより、ウエハWを上下両面か
ら加熱するように構成されている。また載置台10の左
右両側壁には、載置台10と加熱手段12との間に開口
するように2本のガス供給管13、14が突入して設け
られており、こうしてウエハWを両面側から加熱すると
共に、装置内を排気管15により排気しながら、ガス供
給管13、14により処理ガスを供給して、ウエハW上
に所定の薄膜を形成している。
の装置では、ウエハを載置台に設けられた抵抗発熱体で
裏面側から加熱しており、ウエハの上方側にはスペ−ス
があるので、このスペ−スに、ガス供給管をウエハ中央
の上部側に開口するように設けると共に、この開口部と
ウエハとの間に複数の拡散板を配設して、ガス供給管か
ら供給された処理ガスを拡散させて、当該ガスがウエハ
上に均一に供給されるようにしていた。
は、ウエハWと対向するように加熱手段12が設けられ
ているので、ウエハW上方側のスペ−スが限られてい
る。このため処理ガスをウエハWの周縁部の上方側の2
か所から供給するようにしているが、ガス供給管13、
14とウエハWとの間に、片面加熱方式のように上下方
向の長さが全体で60mm程度となる拡散板を設けるこ
とはスペ−ス的に困難である。
を拡散板により均一化させる手法は採用できず、処理ガ
スのウエハWへの供給が不均一になってしまう。また処
理ガスは常温で処理室内に供給されるため、この処理ガ
スによって加熱手段12によるウエハWの表面の加熱が
妨げられてしまうが、既述のように処理ガスの均一性が
悪いと加熱が妨げられる程度が不均一になるので、ウエ
ハ面内温度分布の均一性が低下する。このため上述の装
置では、結果として成膜処理の均一性がかなり悪くなっ
てしまう。
給管13、14からのガス供給を交互に行ったり、ウエ
ハWを回転させながら処理を行なうことにより、処理ガ
スのガス流れの均一性を高める工夫がなされているが、
これらの措置ではガス流れの均一性の程度がそれ程高く
ならず、またガス供給管13、14に開閉を制御するた
めの制御バルブを設けたり、載置台にウエハWを回転さ
せるための回転機構を設ける必要があるので装置構成が
複雑化するという問題がある。
のであり、その目的は、簡易な構成で処理ガスを被処理
基板上へ均一に供給することができる被処理基板の処理
装置を提供することにある。
室内に処理ガスを供給し、載置部に載置された被処理基
板に対して処理を行う装置において、前記載置部に載置
された被処理基板に対向するように前記処理室内に設け
られた処理ガス供給部をなす偏平な空洞部材と、この空
洞部材における被処理基板に対向する面に形成された複
数のガス供給孔と、前記空洞部材の周囲に沿ってリング
状に設けられた管路部材と、この管路部材の周方向に間
隔をおいて複数設けられ、当該管路部材の内部空間と空
洞部材の内部空間とを連通する連通路と、前記管路部材
に接続された処理ガス供給路と、を備えたことを特徴と
する。
部に被処理基板を載置し、この被処理基板の被処理面に
対向する加熱手段により被処理基板を加熱しながら処理
室内に処理ガスを供給して被処理基板を処理する装置に
適用してもよく、この場合リング状の管路部材を設けず
に、空洞部材に直接処理ガス供給路を接続するようにし
てもよい。さらに本発明では、空洞部材の内部に、前記
連通路からの処理ガスを分散させるための分散部材を設
けるようにしてもよい。
成膜装置に適用した場合の実施の形態について説明す
る。図1は成膜装置の一例を示す断面図であり、図中2
は円筒状の処理室である。この処理室2の下部側には、
被処理基板であるウエハWの載置部をなす載置台3が設
けられている。この載置台3は石英製の有底円筒体から
なり、底部がウエハWの載置面31を構成するように、
開口端が下側を向くように配置されて、当該開口端に形
成されたフランジ部32が処理室2の下部側の内壁に嵌
入されて固定されている。またフランジ部32と前記内
壁の接合部分にはOリング33が介在されている。
るための支持ピン34が3箇所の位置に設けられてお
り、また載置台3の内部の載置面31付近の位置には、
抵抗発熱体からなる第1の加熱手段35が設けられてい
て、この加熱手段35によりウエハWが裏面側から載置
面31を介して加熱されるように構成されている。
らなる石英容器4が設けられている。この石英容器4
は、底部が載置台3の載置面と対向するように、開口端
が上側を向くように配置されて、当該開口端に形成され
たフランジ部42が処理室2の上部側の内壁に嵌入され
て固定されている。また石英容器4には、底部の内側に
抵抗発熱体からなる前記第2の加熱手段41が前記載置
台3と対向するように設けられている。
は、処理ガス供給部をなす偏平な空洞部材5が、前記載
置面31と対向するように設けられている。この空洞部
材5は、図2〜図4に示すように、透明な石英製の上下
両端が塞がれた偏平な円筒体からなり、例えば外径L1
が360mm、内側の厚さ(上下方向の長さ)t1が1
9mmに設定されている。このような空洞部材5は、一
端側が処理室2の内壁に嵌入されて固定され、他端側が
空洞部材5の側周部に接合された支持部材51により支
持されている。
より構成され、空洞部材5の内壁に沿ってリング状に形
成された突壁53が、その下端側が空洞部材5の下面5
2に接合されるように設けられている。この突壁53は
分散部材をなすものであり、外径L2が320mm、厚
さt2が17mmに設定されていて、突壁53の上面と
空洞部材5の上面54との間には、例えば2mm程度の
僅かな隙間が形成されるように構成されている。また空
洞部材5の下面(ウエハWと対向する面)52には、突
壁53よりも内側の領域に、内径3mmの多数のガス供
給孔55が例えば12mmピッチで穿設されている。
ング状の管路部材6が設けられている。この管路部材6
は例えば内径が16.5mmであって、前記支持部材5
1の下面に当該管路部材6の上面が接合されて支持され
ている。この管路部材6の内側と前記空洞部材5の側周
部との間には、前記管路部材6の内部空間と前記空洞部
材5の内部空間とを連通するための連通路をなす、内径
4mmの連通管61が、例えば8か所の位置に周方向に
均等な間隔をおいて設けられている。これら管路部材6
及び連通管61は例えば石英により構成されている。
をなすガス供給管71が突入して設けられており、この
ガス供給管71の先端部は前記管路部材6に接続されて
いる。また処理室2の側壁の下部側には処理室2内を排
気するための排気管72が接続されている。
から管路部材6に供給された処理ガスは、図2及び図3
に点線で示すように、管路部材6の内部を周方向に流れ
て行くが、当該管路部材6は内径を16.5mmとして
コンダクタンスを大きくしているので、ガス導入部の反
対側まで処理ガスが行き渡りやすくなっており、しかも
連通管61は周方向に8カ所均等に配置されているの
で、処理ガスは空洞部材5へ八方から均一に供給され
る。
5に直接ガス供給管71から処理ガスを供給すると、図
5(a)に示すように、導入部(ガス供給管71との接
続部)から反対側(先端側)に向けて処理ガスが流れて
いくが、この際導入部側からガス供給孔55を介して処
理ガスが流出していくため、空洞部材5内では反対側に
向かうに連れてガス流量が少なくなるように勾配が生じ
る。このため図5(b)に示すように、ガス供給孔55
から流出するガス量は、導入部から先端側に向かうに連
れて徐々に減少してしまい、上述の例程には高い均一性
が得られないと考えられる。
は、図4に点線で示すように、空洞部材5の上面54と
突壁53との隙間を流れて行くが、この際処理ガスはさ
らに周方向に分散される。つまり処理ガスは空洞部材5
の中心部に向かって流れ込むが、その前に突壁53が立
っているため、ここに衝突して流れが乱され、空洞部材
5の内壁と突壁53との間の狭い隙間に沿って左右に広
がりながら上昇して、突壁53の上端を越えて突壁53
で囲まれた空間に流入する。この際突壁53の上端と空
洞部材5の上面54との隙間の大きさを2mm程度とし
て、コンダクタンスを小さくしているので、処理ガスが
突壁53の外側に一旦滞留して、周方向に広がって突壁
53の内側に入り込む。
給孔55が形成された領域をより均一に流れて行き、ガ
ス供給孔55を介して空洞部材5から下方側に向けて流
出して行く。この際処理ガスは空洞部材5内のガス流れ
に対応して、空洞部材5のガス供給孔55から面内に亘
って均一なガス量で流出していくので、載置台3上のウ
エハWに対して均一に供給される。ここで突壁53がな
い場合を想定すると、連通管61の近傍のガス供給孔5
5から流出されるガス量は多いが、連通管61から離れ
るに連れてガス量が少なくなってしまうので、上記の例
程には高い均一性が得られないと考えられる。
れたウエハWが、第1の加熱手段35により裏面側から
加熱されると共に、第2の加熱手段41により表面側か
ら加熱される。この際第2の加熱手段41とウエハWと
の間には空洞部材5が存在するが、この空洞部材5は石
英製であって、第2の加熱手段41からの熱線を透過さ
せるので、ウエハWは空洞部材5により妨げられること
なく表面側から加熱される。
間に空洞部材5が存在しているので、処理ガスが予熱さ
れる。つまり前記管路部材6や空洞部材5等のガス流路
を構成する部材は第2の加熱手段41の直ぐ下方側に配
置されているので、当該ガス流路は加熱手段41により
加熱され、かなり高温となる。また前記ガス流路は、連
通管61や突壁53が設けられていて、かなり流路が長
いと共に、ガスとの接触面積も大きくなっている。従っ
て常温で管路部材6に供給された処理ガスは、前記ガス
流路を通流する際に、高温の部材と長い時間接触するこ
とにより温められ、こうしてウエハW上に供給されるま
でに十分予熱される。
台3上に載置されたウエハWを、第1の加熱手段35に
より裏面側から加熱すると共に、第2の加熱手段41に
より表面側から加熱すると共に、排気管72を介して図
示しない排気手段により処理室2内を所定の真空度に維
持しながら、処理ガス供給管71から処理ガスを管路部
材6、空洞部材5を介して供給することにより、ウエハ
W上に所定の薄膜が形成される。
スを管路部材6により周方向へ分散させ、さらに突壁5
3によりガス流速を低下させて分散させることによりガ
ス流れの均一化を図っているので、処理ガスをウエハ上
に均一に供給することができる。従ってガス供給管から
の処理ガスの供給を制御したり、ウエハWを回転させた
りすることなく、簡易な構成で処理ガスをウエハ上に均
一に供給することができる。またこのガス流れの均一化
に際し、従来の拡散による均一化よりも部材の厚さ(上
下方向の長さ)を19mm程度をかなり薄くすることが
できる。
て、ウエハWの温度と処理ガスの温度との温度差が小さ
くなるので、処理ガスが第2の加熱手段41の加熱を妨
げる程度がかなり小さくなる。こうしてガス流れが均一
になることと合わせて、ガス流によるウエハ温度分布の
乱れが抑えられて、ウエハWの面内温度の均一性が高め
られ、こうして結果として処理の均一性が向上する。
間を通過させて分散させる構造としたので、突壁53と
空洞部材5の接合が容易であり、ガス流路を容易に製造
することができる。つまり突壁の上下両端を空洞部材5
の上下面に溶接し、突壁の板面に孔を開ける構造も考え
られるが、加工上突壁の上下端の一方しか溶接できない
ので、このような構造のガス流路の加工は極めて困難と
なり、この点において上述の構造は有効である。
加熱する方式の処理装置に限定されず、ウエハを裏面側
から加熱する方式の処理装置やウエハを表面側から加熱
する方式の処理装置に適用することができ、あるいはま
たウエハWを加熱しない処理例えばエッチング処理を行
う装置に対しても適用することができる。
ス供給管71から直接空洞部材5に処理ガスを供給する
ようにしてもよいし、空洞部材5に突壁53を設けない
構成としてもよい。また連通管61は必ずしも管路部材
6の周方向の均等な位置に設ける必要はなく、例えば連
通管61の内径と設置位置とを調整して、処理ガスを周
方向に分散させるようにしてもよい。
を被処理基板上へ均一に供給することができる。
を示す断面図である。
である。
ある。
ある。
Claims (4)
- 【請求項1】 処理室内に処理ガスを供給し、載置部に
載置された被処理基板に対して処理を行う装置におい
て、 前記載置部に載置された被処理基板に対向するように前
記処理室内に設けられた処理ガス供給部をなす偏平な空
洞部材と、 この空洞部材における被処理基板に対向する面に形成さ
れた複数のガス供給孔と、 前記空洞部材の周囲に沿ってリング状に設けられた管路
部材と、 この管路部材の周方向に間隔をおいて複数設けられ、当
該管路部材の内部空間と空洞部材の内部空間とを連通す
る連通路と、 前記管路部材に接続された処理ガス供給路と、を備えた
ことを特徴とする被処理基板の処理装置。 - 【請求項2】 処理室内に設けられた載置部に被処理基
板を載置し、この被処理基板の被処理面に対向する加熱
手段により被処理基板を加熱しながら処理室内に処理ガ
スを供給して被処理基板を処理する装置において、 前記載置部に載置された被処理基板と前記加熱手段との
間に設けられた処理ガス供給部をなす偏平な石英よりな
る空洞部材と、 この空洞部材における被処理基板に対向する面に形成さ
れた複数のガス供給孔と、 前記空洞部材に接続された処理ガス供給路と、を備えた
ことを特徴とする被処理基板の処理装置。 - 【請求項3】 処理室内に設けられた載置部に被処理基
板を載置し、この被処理基板の被処理面に対向する加熱
手段により被処理基板を加熱しながら処理室内に処理ガ
スを供給して被処理基板を処理する装置において、 前記載置部に載置された被処理基板と前記加熱手段との
間に設けられた処理ガス供給部をなす偏平な石英よりな
る空洞部材と、 この空洞部材における被処理基板に対向する面に形成さ
れた複数のガス供給孔と、 前記空洞部材の周囲に沿ってリング状に設けられた管路
部材と、 この管路部材の周方向に間隔をおいて複数設けられ、当
該管路部材の内部空間と空洞部材の内部空間とを連通す
る連通路と、 前記管路部材に接続された処理ガス供給路と、を備えた
ことを特徴とする被処理基板の処理装置。 - 【請求項4】 空洞部材の内部に、前記連通路からの処
理ガスを分散させるための分散部材を設けたことを特徴
とする請求項1、2又は3記載の被処理基板の処理装
置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10676197A JP3702068B2 (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | 被処理基板の処理装置 |
US09/056,627 US6007633A (en) | 1997-04-09 | 1998-04-08 | Single-substrate-processing apparatus in semiconductor processing system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10676197A JP3702068B2 (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | 被処理基板の処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH10280150A true JPH10280150A (ja) | 1998-10-20 |
JP3702068B2 JP3702068B2 (ja) | 2005-10-05 |
Family
ID=14441900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP10676197A Expired - Fee Related JP3702068B2 (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | 被処理基板の処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6007633A (ja) |
JP (1) | JP3702068B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000273635A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | カーボン膜の成膜方法 |
JP2002305153A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置および処理方法 |
WO2004024982A1 (ja) * | 2002-09-11 | 2004-03-25 | Air Water Inc. | 成膜装置 |
KR20100135776A (ko) * | 2008-03-03 | 2010-12-27 | 맷슨 테크놀로지, 인크. | 디스크 형상의 기판의 열처리 장치 |
JP4874997B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2012-02-15 | アイクストロン、アーゲー | Cvd反応炉用ガス注入部品 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6190732B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-02-20 | Cvc Products, Inc. | Method and system for dispensing process gas for fabricating a device on a substrate |
AU2001283944A1 (en) * | 2000-09-22 | 2002-04-02 | Aixtron Ag | Gas inlet mechanism for cvd-method and device |
KR100447248B1 (ko) * | 2002-01-22 | 2004-09-07 | 주성엔지니어링(주) | Icp 에쳐용 가스 확산판 |
JP2004035971A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜製造装置 |
AU2003282533A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-02-25 | Trikon Technologies Limited | Improvements to showerheads |
US7270713B2 (en) * | 2003-01-07 | 2007-09-18 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas distribution plate assembly |
JP2004260174A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子製造装置 |
US6942753B2 (en) * | 2003-04-16 | 2005-09-13 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition |
KR20060011887A (ko) * | 2003-05-30 | 2006-02-03 | 에비자 테크놀로지, 인크. | 가스 분산 시스템 |
US20060021703A1 (en) * | 2004-07-29 | 2006-02-02 | Applied Materials, Inc. | Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
DE102005056536A1 (de) * | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit widerstandsbeheiztem Suszeptor |
IT1394053B1 (it) * | 2009-05-04 | 2012-05-25 | Lpe Spa | Reattore per deposizione di strati su substrati |
CN101924015B (zh) * | 2009-06-12 | 2013-02-27 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 气体输入装置和半导体加工设备 |
JP5850236B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2016-02-03 | アイシン精機株式会社 | カーボンナノチューブの製造装置及びカーボンナノチューブの製造方法 |
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KR20230121103A (ko) * | 2020-12-22 | 2023-08-17 | 매슨 테크놀로지 인크 | 가스 샤워헤드 조립체를 갖는 워크피스 프로세싱 장치 |
CN116724385A (zh) | 2020-12-28 | 2023-09-08 | 玛特森技术公司 | 具有热处理***的工件处理装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5444217A (en) * | 1993-01-21 | 1995-08-22 | Moore Epitaxial Inc. | Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers |
US5781693A (en) * | 1996-07-24 | 1998-07-14 | Applied Materials, Inc. | Gas introduction showerhead for an RTP chamber with upper and lower transparent plates and gas flow therebetween |
-
1997
- 1997-04-09 JP JP10676197A patent/JP3702068B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-08 US US09/056,627 patent/US6007633A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000273635A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | カーボン膜の成膜方法 |
JP2002305153A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置および処理方法 |
WO2004024982A1 (ja) * | 2002-09-11 | 2004-03-25 | Air Water Inc. | 成膜装置 |
JP4874997B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2012-02-15 | アイクストロン、アーゲー | Cvd反応炉用ガス注入部品 |
KR20100135776A (ko) * | 2008-03-03 | 2010-12-27 | 맷슨 테크놀로지, 인크. | 디스크 형상의 기판의 열처리 장치 |
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