JPH1056054A - ヒータ付き基板載置台、成膜装置及びエッチング装置 - Google Patents
ヒータ付き基板載置台、成膜装置及びエッチング装置Info
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- JPH1056054A JPH1056054A JP21173096A JP21173096A JPH1056054A JP H1056054 A JPH1056054 A JP H1056054A JP 21173096 A JP21173096 A JP 21173096A JP 21173096 A JP21173096 A JP 21173096A JP H1056054 A JPH1056054 A JP H1056054A
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板載置台に保持した基板を加熱した状態で処
理を行う成膜装置やドライエッチング装置等に用いられ
るヒータ付き基板載置台に関し、均等で、かつ再現性の
よい基板加熱を行う。 【解決手段】基板載置面に分散している多数の凸部３２
ａを有する基板載置台２１と、基板載置台２１内に埋め
込まれた、基板載置面に載置された基板５０を加熱する
加熱手段２４と、基板載置台２１の内部を通って基板載
置面のガス放出口３３とつながる、基板２１の背面を加
熱する加熱用ガスの通路２９とを有する。
理を行う成膜装置やドライエッチング装置等に用いられ
るヒータ付き基板載置台に関し、均等で、かつ再現性の
よい基板加熱を行う。 【解決手段】基板載置面に分散している多数の凸部３２
ａを有する基板載置台２１と、基板載置台２１内に埋め
込まれた、基板載置面に載置された基板５０を加熱する
加熱手段２４と、基板載置台２１の内部を通って基板載
置面のガス放出口３３とつながる、基板２１の背面を加
熱する加熱用ガスの通路２９とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヒータ付き基板載
置台、成膜装置及びエッチング装置に関し、より詳しく
は、基板載置台に保持した基板を加熱した状態で処理を
行う成膜装置やドライエッチング装置等に用いられるヒ
ータ付き基板載置台及びそれを備えた成膜装置及びエッ
チング装置に関する。
置台、成膜装置及びエッチング装置に関し、より詳しく
は、基板載置台に保持した基板を加熱した状態で処理を
行う成膜装置やドライエッチング装置等に用いられるヒ
ータ付き基板載置台及びそれを備えた成膜装置及びエッ
チング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタ装置等を用いてウエハ上に成膜
する場合、堆積した薄膜の特性やエッチングレートは成
膜時やエッチング処理時の基板温度に著しく依存するこ
とが知られている。従って、堆積する薄膜を基板内で均
質にするため、又は被エッチング物を基板内で均等にエ
ッチングするため、基板を均等に加熱することが要求さ
れる。また、基板間で再現性良く成膜等するためには、
再現性良く設定温度に昇温できることが必要である。
する場合、堆積した薄膜の特性やエッチングレートは成
膜時やエッチング処理時の基板温度に著しく依存するこ
とが知られている。従って、堆積する薄膜を基板内で均
質にするため、又は被エッチング物を基板内で均等にエ
ッチングするため、基板を均等に加熱することが要求さ
れる。また、基板間で再現性良く成膜等するためには、
再現性良く設定温度に昇温できることが必要である。
【０００３】スパッタ装置に用いられる、被処理ウエハ
を載置して設定温度に加熱する従来のヒータ付き基板載
置台の構成を図４（ａ），（ｂ）に示す。図４（ａ）は
全体の構成図を示す断面図であり、図４（ｂ）は部分構
成を示す断面図である。図４（ａ）に示すように、ヒー
タ付き基板載置台１は真空処理室内に設置され、基板載
置台１内に熱源であるヒータ４と、基板１１の温度をモ
ニタする温度検出素子（熱電対）６が埋め込まれてい
る。また、基板載置台１には加熱用ガス（アルゴン等）
を基板載置面に導く通流路９が形成されており、通流路
９は基板載置面に開口されたガス放出口１３と基板載置
台１の下の部分に開口されたガス導入口１４とを結んで
いる。そして、図４（ｂ）に示すように、ガス放出口１
３から基板載置面に放出された加熱用ガスは基板１１と
基板載置面の間の隙間１２を流れて、ヒータ４からの熱
を効率よく基板１１へ伝える。
を載置して設定温度に加熱する従来のヒータ付き基板載
置台の構成を図４（ａ），（ｂ）に示す。図４（ａ）は
全体の構成図を示す断面図であり、図４（ｂ）は部分構
成を示す断面図である。図４（ａ）に示すように、ヒー
タ付き基板載置台１は真空処理室内に設置され、基板載
置台１内に熱源であるヒータ４と、基板１１の温度をモ
ニタする温度検出素子（熱電対）６が埋め込まれてい
る。また、基板載置台１には加熱用ガス（アルゴン等）
を基板載置面に導く通流路９が形成されており、通流路
９は基板載置面に開口されたガス放出口１３と基板載置
台１の下の部分に開口されたガス導入口１４とを結んで
いる。そして、図４（ｂ）に示すように、ガス放出口１
３から基板載置面に放出された加熱用ガスは基板１１と
基板載置面の間の隙間１２を流れて、ヒータ４からの熱
を効率よく基板１１へ伝える。
【０００４】更に、温度検出素子６及びヒータと接続さ
れたヒータ加熱制御手段８を有し、温度検出素子６によ
り検出された基板１１の温度をヒータ加熱制御手段８に
取り込んで基板１１が所定の温度になるようにヒータ４
に加える電力を適当に調整する。これにより、基板１１
内での均等な加熱が行われる。更に、基板載置台１上の
基板１１はクランプ２で固定される。加熱用ガスの導入
により基板１１が定位置から外れないようにするためで
ある。
れたヒータ加熱制御手段８を有し、温度検出素子６によ
り検出された基板１１の温度をヒータ加熱制御手段８に
取り込んで基板１１が所定の温度になるようにヒータ４
に加える電力を適当に調整する。これにより、基板１１
内での均等な加熱が行われる。更に、基板載置台１上の
基板１１はクランプ２で固定される。加熱用ガスの導入
により基板１１が定位置から外れないようにするためで
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のヒータ
付き基板載置台１では、基板１１の裏面と基板載置面間
に加熱用ガスを流し込むことにより、基板加熱を効率よ
く行おうとしているが、その間のガス移動が基板１１全
体に均等に行われず、その結果基板加熱が均等でなくな
ってしまう。
付き基板載置台１では、基板１１の裏面と基板載置面間
に加熱用ガスを流し込むことにより、基板加熱を効率よ
く行おうとしているが、その間のガス移動が基板１１全
体に均等に行われず、その結果基板加熱が均等でなくな
ってしまう。
【０００６】ところで、基板１１裏面と基板載置面の間
の隙間１２を移動する加熱用ガスの流量はクランプ２の
加重や基板１１の押圧位置等により左右される。従っ
て、基板１１全体に均一にガス移動させること、及び基
板１１の装着毎に再現性良くガス移動させることが難し
い。また、このガス移動をより均一にするため、基板載
置面に放射状或いはらせん状の溝を設ける等の試みがな
されているが、やはり溝部と溝部以外の部分において基
板１１への熱交換効率の相違が生じ、基板１１の各位置
において温度分布にムラができてしまう。
の隙間１２を移動する加熱用ガスの流量はクランプ２の
加重や基板１１の押圧位置等により左右される。従っ
て、基板１１全体に均一にガス移動させること、及び基
板１１の装着毎に再現性良くガス移動させることが難し
い。また、このガス移動をより均一にするため、基板載
置面に放射状或いはらせん状の溝を設ける等の試みがな
されているが、やはり溝部と溝部以外の部分において基
板１１への熱交換効率の相違が生じ、基板１１の各位置
において温度分布にムラができてしまう。
【０００７】本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて
創作されたものであり、均等で、かつ再現性のよい基板
加熱を行うことができるヒータ付き基板載置台、及びそ
れを備えた成膜装置及びエッチング装置を提供するもの
である。
創作されたものであり、均等で、かつ再現性のよい基板
加熱を行うことができるヒータ付き基板載置台、及びそ
れを備えた成膜装置及びエッチング装置を提供するもの
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１の発明
である、基板載置面に分散している多数の凸部を有する
基板載置台と、前記基板載置台内に埋め込まれた、前記
基板載置面に載置された基板を加熱する加熱手段と、前
記基板載置台の内部を通って前記基板載置面のガス放出
口とつながる、前記基板の背面を加熱する加熱用ガスの
通路とを有することを特徴とするヒータ付き基板載置台
によって解決され、第２の発明である、前記基板載置台
内に埋め込まれた、前記基板の温度を検出する温度検出
手段と、前記加熱手段に電力を供給する手段と、前記温
度検出手段からの検出温度をもとに前記電力を供給する
手段から前記加熱手段への供給電力を調整する加熱制御
手段とを有することを特徴とする第１の発明に記載のヒ
ータ付き基板載置台によって解決され、第３の発明であ
る、前記基板載置面に複数の前記ガス放出口を有するこ
とを特徴とする第１又は第２の発明に記載のヒータ付き
基板載置台によって解決され、第４の発明である、前記
基板載置面のガス放出口とつながる溝が前記基板載置面
に形成されていることを特徴とする第１乃至第３の発明
のいずれかに記載のヒータ付き基板載置台によって解決
され、第５の発明である、第１乃至第４の発明のいずれ
かに記載のヒータ付き基板載置台を備えた成膜装置によ
って解決され、第６の発明である、第１乃至第４の発明
のいずれかに記載のヒータ付き基板載置台を備えたエッ
チング装置によって解決される。
である、基板載置面に分散している多数の凸部を有する
基板載置台と、前記基板載置台内に埋め込まれた、前記
基板載置面に載置された基板を加熱する加熱手段と、前
記基板載置台の内部を通って前記基板載置面のガス放出
口とつながる、前記基板の背面を加熱する加熱用ガスの
通路とを有することを特徴とするヒータ付き基板載置台
によって解決され、第２の発明である、前記基板載置台
内に埋め込まれた、前記基板の温度を検出する温度検出
手段と、前記加熱手段に電力を供給する手段と、前記温
度検出手段からの検出温度をもとに前記電力を供給する
手段から前記加熱手段への供給電力を調整する加熱制御
手段とを有することを特徴とする第１の発明に記載のヒ
ータ付き基板載置台によって解決され、第３の発明であ
る、前記基板載置面に複数の前記ガス放出口を有するこ
とを特徴とする第１又は第２の発明に記載のヒータ付き
基板載置台によって解決され、第４の発明である、前記
基板載置面のガス放出口とつながる溝が前記基板載置面
に形成されていることを特徴とする第１乃至第３の発明
のいずれかに記載のヒータ付き基板載置台によって解決
され、第５の発明である、第１乃至第４の発明のいずれ
かに記載のヒータ付き基板載置台を備えた成膜装置によ
って解決され、第６の発明である、第１乃至第４の発明
のいずれかに記載のヒータ付き基板載置台を備えたエッ
チング装置によって解決される。
【０００９】本発明に係るヒータ付き基板載置台におい
ては、基板載置台の基板載置面の全面に微小な凸部及び
それらの凸部の間の凹部が形成されている。従って、基
板を基板載置面に載置したとき、基板載置面のガス放出
口から放出された加熱用ガスは凸部の間の凹部内を自由
に流れる。凹部はＧＢＢ法等により均一な密度で形成さ
れるので、基板全体にわたり加熱用ガスは均等に行き渡
る。これにより、均等な基板加熱を行うことができる。
ては、基板載置台の基板載置面の全面に微小な凸部及び
それらの凸部の間の凹部が形成されている。従って、基
板を基板載置面に載置したとき、基板載置面のガス放出
口から放出された加熱用ガスは凸部の間の凹部内を自由
に流れる。凹部はＧＢＢ法等により均一な密度で形成さ
れるので、基板全体にわたり加熱用ガスは均等に行き渡
る。これにより、均等な基板加熱を行うことができる。
【００１０】また、基板は凸部により支えられるので、
凸部間の凹部は基板の装着毎に変化せず、基板毎の基板
加熱の再現性がよい。また、ガス放出口と繋がる放射状
の溝や同心円状の溝又は格子状の溝を設けることによ
り、それらの溝を介して加熱用ガスを素早く基板載置面
の周辺部まで行き渡らせることができる。その溝からさ
らに凹部を通して基板裏面全面に加熱用ガスを流すこと
ができる。従って、加熱の均等性が一層増すことにな
る。
凸部間の凹部は基板の装着毎に変化せず、基板毎の基板
加熱の再現性がよい。また、ガス放出口と繋がる放射状
の溝や同心円状の溝又は格子状の溝を設けることによ
り、それらの溝を介して加熱用ガスを素早く基板載置面
の周辺部まで行き渡らせることができる。その溝からさ
らに凹部を通して基板裏面全面に加熱用ガスを流すこと
ができる。従って、加熱の均等性が一層増すことにな
る。
【００１１】更に、２つ以上のガス放出口を設けること
により、複数のガス放出口から直接基板載置面に加熱用
ガスを放出することができるので、加熱用ガスをなお一
層均等に基板全面に行き渡らせることができる。また、
上記ヒータ付き基板載置台を、スパッタ装置或いはＣＶ
Ｄ装置等の成膜装置やドライエッチング装置等、常圧又
は減圧状態で成膜やエッチングを行う装置に備えつける
ことにより、基板上に成膜し、基板上の膜をエッチング
する際、基板を均一な温度に保持することができるの
で、均質な膜を成膜し、或いは均等なエッチングを行う
ことができる。
により、複数のガス放出口から直接基板載置面に加熱用
ガスを放出することができるので、加熱用ガスをなお一
層均等に基板全面に行き渡らせることができる。また、
上記ヒータ付き基板載置台を、スパッタ装置或いはＣＶ
Ｄ装置等の成膜装置やドライエッチング装置等、常圧又
は減圧状態で成膜やエッチングを行う装置に備えつける
ことにより、基板上に成膜し、基板上の膜をエッチング
する際、基板を均一な温度に保持することができるの
で、均質な膜を成膜し、或いは均等なエッチングを行う
ことができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。 （第１の実施の形態）図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の
第１の実施の形態に係るヒータ付き基板載置台について
示す断面図である。
いて図面を参照しながら説明する。 （第１の実施の形態）図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の
第１の実施の形態に係るヒータ付き基板載置台について
示す断面図である。
【００１３】図１（ａ）に示すように、ヒータ付き基板
載置台１０１は真空処理室内に設置されている。同図に
はチャンバの仕切り壁２３の一部が描かれている。基板
載置台２１はアルミニウムで作成されており、基板載置
台２１内には熱源であるヒータ２４と、基板５０の温度
をモニタする温度検出素子（熱電対）２６が埋め込まれ
ている。
載置台１０１は真空処理室内に設置されている。同図に
はチャンバの仕切り壁２３の一部が描かれている。基板
載置台２１はアルミニウムで作成されており、基板載置
台２１内には熱源であるヒータ２４と、基板５０の温度
をモニタする温度検出素子（熱電対）２６が埋め込まれ
ている。
【００１４】また、基板載置台２１の中央部には加熱用
ガス（アルゴン等不活性ガス）を基板載置面に導く通流
路２９が形成されており、通流路２９は基板載置面に開
口されたガス放出口３３と基板載置台２１の下の部分に
開口されたガス導入口３４とを結んでいる。そして、図
１（ｂ）に示すように、ガス放出口３３から基板載置面
に放出された加熱用ガスは基板５０と基板載置面の間の
隙間３２を流れて、ヒータ２４からの熱を効率よく基板
５０へ伝える。
ガス（アルゴン等不活性ガス）を基板載置面に導く通流
路２９が形成されており、通流路２９は基板載置面に開
口されたガス放出口３３と基板載置台２１の下の部分に
開口されたガス導入口３４とを結んでいる。そして、図
１（ｂ）に示すように、ガス放出口３３から基板載置面
に放出された加熱用ガスは基板５０と基板載置面の間の
隙間３２を流れて、ヒータ２４からの熱を効率よく基板
５０へ伝える。
【００１５】更に、温度検出素子２６及びヒータ２４と
接続されたヒータ加熱制御手段２８を有し、温度検出素
子２６から基板５０の温度をヒータ加熱制御手段２８に
取り込んで基板５０が所定の温度になるようにヒータ２
４に加える電力を適当に調整する。これにより、基板５
０内での均等な加熱が行われる。また、基板載置台２１
上の基板５０はクランプ２２で固定される。加熱用ガス
の導入により基板５０が定位置から外れないようにする
ためである。
接続されたヒータ加熱制御手段２８を有し、温度検出素
子２６から基板５０の温度をヒータ加熱制御手段２８に
取り込んで基板５０が所定の温度になるようにヒータ２
４に加える電力を適当に調整する。これにより、基板５
０内での均等な加熱が行われる。また、基板載置台２１
上の基板５０はクランプ２２で固定される。加熱用ガス
の導入により基板５０が定位置から外れないようにする
ためである。
【００１６】更に、基板載置面の全面には微小な凸部３
２ａ及び凸部３２ａの間の凹部３２ｂが形成されてい
る。基板５０を基板載置面に載置したとき、通流路２９
から放出された加熱用ガスは凸部３２ａの間の凹部３２
ｂ内を四方八方に自由に流れる。凹部３２ｂはＧＢＢ法
（グラスビーズブラスト法）等により均一な密度で形成
されるので、基板５０全体にわたり加熱用ガスは均等に
行き渡る。また、基板５０は凸部３２ａにより支えられ
るので、凸部３２ａ間の凹部３２ｂは基板５０の装着毎
に変化せず、基板５０毎の基板加熱の再現性がよい。
２ａ及び凸部３２ａの間の凹部３２ｂが形成されてい
る。基板５０を基板載置面に載置したとき、通流路２９
から放出された加熱用ガスは凸部３２ａの間の凹部３２
ｂ内を四方八方に自由に流れる。凹部３２ｂはＧＢＢ法
（グラスビーズブラスト法）等により均一な密度で形成
されるので、基板５０全体にわたり加熱用ガスは均等に
行き渡る。また、基板５０は凸部３２ａにより支えられ
るので、凸部３２ａ間の凹部３２ｂは基板５０の装着毎
に変化せず、基板５０毎の基板加熱の再現性がよい。
【００１７】次に、基板載置面の凸部３２ａ及び凹部３
２ｂの形成方法について説明する。ＧＢＢ法（グラスビ
ーズブラスト法）を用いた場合について説明する。ま
ず、粒径約８０μｍのガラスビーズを用意する。次い
で、薬液にガラスビーズを混合させた研磨液を研磨装置
の研磨面に塗布し、その上に基板載置面を研磨面に対向
させて基板載置台を載せる。そして、研磨面及び基板載
置台を同じ方向に回転させると、基板載置面と研磨面の
間に挟まれたガラスビーズにより基板載置面が研磨され
る。基板載置面には直径約８０μｍの凸部３２ａが島状
に分散して形成されるとともに、凸部３２ａ間に凹部３
２ｂが形成される。
２ｂの形成方法について説明する。ＧＢＢ法（グラスビ
ーズブラスト法）を用いた場合について説明する。ま
ず、粒径約８０μｍのガラスビーズを用意する。次い
で、薬液にガラスビーズを混合させた研磨液を研磨装置
の研磨面に塗布し、その上に基板載置面を研磨面に対向
させて基板載置台を載せる。そして、研磨面及び基板載
置台を同じ方向に回転させると、基板載置面と研磨面の
間に挟まれたガラスビーズにより基板載置面が研磨され
る。基板載置面には直径約８０μｍの凸部３２ａが島状
に分散して形成されるとともに、凸部３２ａ間に凹部３
２ｂが形成される。
【００１８】以上のように、第１の実施の形態において
は、基板載置台２１の基板載置面の全面に微小な凹部３
２ｂ及び凸部３２ａが形成されている。従って、基板５
０を基板載置面に載置したとき、基板載置面のガス放出
口３３から放出された加熱用ガスは凸部３２ａの間の凹
部３２ｂ内を自由に流れる。凹部３２ｂはＧＢＢ法等に
より均一な密度で形成されるので、基板５０全体にわた
り加熱用ガスは均等に行き渡る。これにより、均等な基
板加熱を行うことができる。
は、基板載置台２１の基板載置面の全面に微小な凹部３
２ｂ及び凸部３２ａが形成されている。従って、基板５
０を基板載置面に載置したとき、基板載置面のガス放出
口３３から放出された加熱用ガスは凸部３２ａの間の凹
部３２ｂ内を自由に流れる。凹部３２ｂはＧＢＢ法等に
より均一な密度で形成されるので、基板５０全体にわた
り加熱用ガスは均等に行き渡る。これにより、均等な基
板加熱を行うことができる。
【００１９】また、基板５０は凸部３２ａにより支えら
れるので、凸部３２ａ間の凹部３２ｂは基板５０の装着
毎に変化せず、基板毎の基板加熱の再現性がよい。 （第２の実施の形態）図２（ａ）は第２の実施の形態に
係るヒータ付き基板載置台１０１ａについて示す上面図
である。
れるので、凸部３２ａ間の凹部３２ｂは基板５０の装着
毎に変化せず、基板毎の基板加熱の再現性がよい。 （第２の実施の形態）図２（ａ）は第２の実施の形態に
係るヒータ付き基板載置台１０１ａについて示す上面図
である。
【００２０】第２の実施の形態に係るヒータ付き基板載
置台１０１ａは、図１（ｂ）の基板載置台２１ａの基板
載置面にさらに加熱用ガスのガス放出口３３を中心とす
る放射状の溝４１ａを設けたことである。放射状の溝４
１ａはガス放出口３３とつながっており、ガス放出口３
３から放出された加熱用ガスは放射状の溝４１ａに沿っ
て流れるとともに、凸部３２ａの間の凹部３２ｂ内を自
由に流れる。
置台１０１ａは、図１（ｂ）の基板載置台２１ａの基板
載置面にさらに加熱用ガスのガス放出口３３を中心とす
る放射状の溝４１ａを設けたことである。放射状の溝４
１ａはガス放出口３３とつながっており、ガス放出口３
３から放出された加熱用ガスは放射状の溝４１ａに沿っ
て流れるとともに、凸部３２ａの間の凹部３２ｂ内を自
由に流れる。
【００２１】尚、図中、図１（ａ）〜（ｃ）と同じ符号
で示すものは図１（ａ）〜（ｃ）と同じものを示す。 （第３の実施の形態）図２（ｂ）は第３の実施の形態に
係るヒータ付き基板載置台１０１ｂについて示す上面図
である。
で示すものは図１（ａ）〜（ｃ）と同じものを示す。 （第３の実施の形態）図２（ｂ）は第３の実施の形態に
係るヒータ付き基板載置台１０１ｂについて示す上面図
である。
【００２２】図２（ａ）の放射状の溝４１ａにさらに加
熱用ガスのガス放出口３３を中心とする同心円状の複数
の溝４１ｂを設けたことである。同心円状の溝４１ｂは
放射状の溝４１ａと交わるところで放射状の溝４１ａと
つながっており、ガス放出口３３から放出された加熱用
ガスは放射状の溝４１ａ及び同心円状の溝４１ｂに沿っ
て流れるとともに、凸部３２ａの間の凹部３２ｂ内を自
由に流れる。
熱用ガスのガス放出口３３を中心とする同心円状の複数
の溝４１ｂを設けたことである。同心円状の溝４１ｂは
放射状の溝４１ａと交わるところで放射状の溝４１ａと
つながっており、ガス放出口３３から放出された加熱用
ガスは放射状の溝４１ａ及び同心円状の溝４１ｂに沿っ
て流れるとともに、凸部３２ａの間の凹部３２ｂ内を自
由に流れる。
【００２３】尚、図中、図２（ａ）と同じ符号で示すも
のは図２（ａ）と同じものを示す。 （第４の実施の形態）図２（ｃ）は第４の実施の形態に
係るヒータ付き基板載置台１０１ｃについて示す上面図
である。図２（ａ）や図２（ｂ）と異なるところは、放
射状の溝や同心円状の溝の代わりに、格子状の溝４１ｃ
を設けたことである。格子状の溝４１ｃは交差するとこ
ろで相互につながっている。また、格子状の溝４１ｃは
加熱用ガスのガス放出口３３ともつながっており、ガス
放出口３３から放出された加熱用ガスは格子状の溝４１
ｃに沿って縦横に流れるとともに、凸部３２ａの間の凹
部３２ｂ内を自由に流れる。
のは図２（ａ）と同じものを示す。 （第４の実施の形態）図２（ｃ）は第４の実施の形態に
係るヒータ付き基板載置台１０１ｃについて示す上面図
である。図２（ａ）や図２（ｂ）と異なるところは、放
射状の溝や同心円状の溝の代わりに、格子状の溝４１ｃ
を設けたことである。格子状の溝４１ｃは交差するとこ
ろで相互につながっている。また、格子状の溝４１ｃは
加熱用ガスのガス放出口３３ともつながっており、ガス
放出口３３から放出された加熱用ガスは格子状の溝４１
ｃに沿って縦横に流れるとともに、凸部３２ａの間の凹
部３２ｂ内を自由に流れる。
【００２４】尚、図中、図２（ａ）と同じ符号で示すも
のは図２（ａ）と同じものを示す。以上のように、上記
の第２〜第４の実施の形態においては、ガス放出口３３
を中心とする放射状の溝４１ａや同心円状の溝４１ｂ又
はガス放出口３３と繋がる格子状の溝４１ｃを設けるこ
とにより、それらの溝４１ａ，４１ｂ，４１ｃを介して
加熱用ガスを素早く基板載置面の周辺部まで行き渡ら
せ、さらに凹部を通して基板裏面全面に加熱用ガスを均
等に流すことができる。従って、基板加熱の均等性が一
層増すことになる。
のは図２（ａ）と同じものを示す。以上のように、上記
の第２〜第４の実施の形態においては、ガス放出口３３
を中心とする放射状の溝４１ａや同心円状の溝４１ｂ又
はガス放出口３３と繋がる格子状の溝４１ｃを設けるこ
とにより、それらの溝４１ａ，４１ｂ，４１ｃを介して
加熱用ガスを素早く基板載置面の周辺部まで行き渡ら
せ、さらに凹部を通して基板裏面全面に加熱用ガスを均
等に流すことができる。従って、基板加熱の均等性が一
層増すことになる。
【００２５】更に、第１〜第４の実施の形態のヒータ付
き基板載置台１０１，１０１ａ〜１０１ｃは、スパッタ
装置或いはＣＶＤ装置等の成膜装置やドライエッチング
装置等、常圧又は減圧状態で成膜やエッチングを行う装
置に備えつけることが可能である。これにより、基板上
に成膜し、基板上の膜をエッチングする際、基板を均一
な温度に保持することができるので、均質な膜を成膜
し、或いは均等なエッチングを行うことができる。
き基板載置台１０１，１０１ａ〜１０１ｃは、スパッタ
装置或いはＣＶＤ装置等の成膜装置やドライエッチング
装置等、常圧又は減圧状態で成膜やエッチングを行う装
置に備えつけることが可能である。これにより、基板上
に成膜し、基板上の膜をエッチングする際、基板を均一
な温度に保持することができるので、均質な膜を成膜
し、或いは均等なエッチングを行うことができる。
【００２６】なお、上記の基板載置台１０１，１０１ａ
〜１０１ｃではガス放出口３３が一つであるが、図３に
示すように、基板載置台１０１，１０１ａ〜１０１ｃの
内部を通るガスの通流路２９を分岐させて分岐通路２９
ａ〜２９ｃを設け、分岐通路２９ａ〜２９ｃと繋がる２
つ以上のガス放出口３３ａ〜３３ｃが形成されてもよ
い。これにより、複数のガス放出口３３ａ〜３３ｃから
直接基板載置面に加熱用ガスを放出することができるの
で、加熱用ガスをなお一層均等にウエハ全面に行き渡ら
せることができる。
〜１０１ｃではガス放出口３３が一つであるが、図３に
示すように、基板載置台１０１，１０１ａ〜１０１ｃの
内部を通るガスの通流路２９を分岐させて分岐通路２９
ａ〜２９ｃを設け、分岐通路２９ａ〜２９ｃと繋がる２
つ以上のガス放出口３３ａ〜３３ｃが形成されてもよ
い。これにより、複数のガス放出口３３ａ〜３３ｃから
直接基板載置面に加熱用ガスを放出することができるの
で、加熱用ガスをなお一層均等にウエハ全面に行き渡ら
せることができる。
【００２７】また、上記では特に加熱用ガスを加熱して
いないが、加熱用ガスの加熱手段を設けて基板載置台に
流す前に予め加熱用ガスを基板加熱の温度に加熱してお
いてもよい。更に４基板５０はクランプ２２により固定
されているが、静電チャックや真空チャック等により固
定することも可能である。
いないが、加熱用ガスの加熱手段を設けて基板載置台に
流す前に予め加熱用ガスを基板加熱の温度に加熱してお
いてもよい。更に４基板５０はクランプ２２により固定
されているが、静電チャックや真空チャック等により固
定することも可能である。
【００２８】また、加熱用ガスとしてアルゴンの他、他
の不活性ガスを用いてもよい。
の不活性ガスを用いてもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明に係るヒータ付き
基板載置台においては、基板載置台の基板載置面の全面
に微小な凸部及びそれらの凸部の間の凹部が形成されて
いる。従って、基板を基板載置面に載置したとき、基板
載置面のガス放出口から放出された加熱用ガスを凹部を
通して基板全体にわたり均等に行き渡せることができる
ので、均等な基板加熱を行うことができる。
基板載置台においては、基板載置台の基板載置面の全面
に微小な凸部及びそれらの凸部の間の凹部が形成されて
いる。従って、基板を基板載置面に載置したとき、基板
載置面のガス放出口から放出された加熱用ガスを凹部を
通して基板全体にわたり均等に行き渡せることができる
ので、均等な基板加熱を行うことができる。
【００３０】また、基板は凸部により支えられるので、
凸部間の凹部は基板の装着毎に変化せず、基板毎の基板
加熱の再現性がよい。更に、ガス放出口とつながる溝を
設けることにより、それらの溝を介して加熱用ガスを素
早く基板載置面の周辺部まで行き渡らせ、さらに凹部を
通して基板裏面全体にガスを流すことができるので、加
熱の均等性が一層増すことになる。
凸部間の凹部は基板の装着毎に変化せず、基板毎の基板
加熱の再現性がよい。更に、ガス放出口とつながる溝を
設けることにより、それらの溝を介して加熱用ガスを素
早く基板載置面の周辺部まで行き渡らせ、さらに凹部を
通して基板裏面全体にガスを流すことができるので、加
熱の均等性が一層増すことになる。
【００３１】また、上記ヒータ付き基板載置台を、スパ
ッタ装置或いはＣＶＤ装置等の成膜装置やドライエッチ
ング装置等、常圧又は減圧状態で成膜やエッチングを行
う装置に備えつけることにより、基板上に成膜し、基板
上の膜をエッチングする際、基板を均一な温度に保持す
ることができるので、均質な膜を成膜し、或いは均等な
エッチングを行うことができる。
ッタ装置或いはＣＶＤ装置等の成膜装置やドライエッチ
ング装置等、常圧又は減圧状態で成膜やエッチングを行
う装置に備えつけることにより、基板上に成膜し、基板
上の膜をエッチングする際、基板を均一な温度に保持す
ることができるので、均質な膜を成膜し、或いは均等な
エッチングを行うことができる。
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係
るヒータ付き基板載置台について示す断面図であり、図
１（ｂ）は図１（ａ）のヒータ付き基板載置台の基板載
置面近傍の詳細について示す断面図であり、図１（ｃ）
は基板載置面に形成された凸部について示す上面図であ
る。
るヒータ付き基板載置台について示す断面図であり、図
１（ｂ）は図１（ａ）のヒータ付き基板載置台の基板載
置面近傍の詳細について示す断面図であり、図１（ｃ）
は基板載置面に形成された凸部について示す上面図であ
る。
【図２】図２（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係
るヒータ付き基板載置台の基板載置面について示す上面
図及び斜視図であり、図２（ｂ）は、本発明の第３の実
施の形態に係るヒータ付き基板載置台の基板載置面につ
いて示す上面図であり、図２（ｃ）は、本発明の第４の
実施の形態に係るヒータ付き基板載置台の基板載置面に
ついて示す上面図である。
るヒータ付き基板載置台の基板載置面について示す上面
図及び斜視図であり、図２（ｂ）は、本発明の第３の実
施の形態に係るヒータ付き基板載置台の基板載置面につ
いて示す上面図であり、図２（ｃ）は、本発明の第４の
実施の形態に係るヒータ付き基板載置台の基板載置面に
ついて示す上面図である。
【図３】図３は本発明の他の実施の形態に係るヒータ付
き基板載置台について示す断面図である。
き基板載置台について示す断面図である。
【図４】図４（ａ）は、従来例に係るヒータ付き基板載
置台について示す断面図であり、図４（ｂ）は図４
（ａ）のヒータ付き基板載置台の基板載置面近傍の詳細
について示す断面図である。
置台について示す断面図であり、図４（ｂ）は図４
（ａ）のヒータ付き基板載置台の基板載置面近傍の詳細
について示す断面図である。
２１，２１ａ 基板載置台、 ２２ クランプ、 ２３ チャンバの仕切り壁、 ２４ ヒータ、 ２５，２７ 配線、 ２６ 熱電対（温度検出手段）、 ２８ ヒータ加熱制御手段、 ２９ 通流路、 ３０ ガス配管、 ３１ 流量制御手段、 ３２ 隙間、 ３２ａ 凸部、 ３２ｂ 凹部、 ３３ ガス放出口、 ３４ ガス導入口、 ４１ａ，４１ｂ，４１ｃ 溝、 １０１，１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ ヒータ付き基
板載置台。
板載置台。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ
Claims (6)
- 【請求項１】 基板載置面に分散している多数の凸部を
有する基板載置台と、 前記基板載置台内に埋め込まれた、前記基板載置面に載
置された基板を加熱する加熱手段と、 前記基板載置台の内部を通って前記基板載置面のガス放
出口とつながる、前記基板の背面を加熱する加熱用ガス
の通路とを有することを特徴とするヒータ付き基板載置
台。 - 【請求項２】 前記基板載置台内に埋め込まれた、前記
基板の温度を検出する温度検出手段と、 前記加熱手段に電力を供給する手段と、 前記温度検出手段からの検出温度をもとに前記電力を供
給する手段から前記加熱手段への供給電力を調整する加
熱制御手段とを有することを特徴とする請求項１に記載
のヒータ付き基板載置台。 - 【請求項３】 前記基板載置面に複数のガス放出口を有
することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のヒ
ータ付き基板載置台。 - 【請求項４】 前記基板載置面のガス放出口とつながる
溝が前記基板載置面に形成されていることを特徴とする
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のヒータ付き基
板載置台。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
のヒータ付き基板載置台を備えた成膜装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
のヒータ付き基板載置台を備えたエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21173096A JPH1056054A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | ヒータ付き基板載置台、成膜装置及びエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21173096A JPH1056054A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | ヒータ付き基板載置台、成膜装置及びエッチング装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006127848A Division JP2006303514A (ja) | 2006-05-01 | 2006-05-01 | 静電チャック、成膜方法及びエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1056054A true JPH1056054A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16610653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21173096A Pending JPH1056054A (ja) | 1996-08-09 | 1996-08-09 | ヒータ付き基板載置台、成膜装置及びエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1056054A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001084606A1 (fr) * | 2000-04-27 | 2001-11-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Plaquette de semi-conducteur et dispositif pour procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs |
| JP2002359280A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-12-13 | Samsung Electronics Co Ltd | プレートアセンブリおよびこれを有する加工装置 |
| JP2008153304A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Ngk Insulators Ltd | 真空チャック |
| WO2008078992A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, substrate table, and method for enhancing substrate release properties |
| US7457098B2 (en) | 2003-01-29 | 2008-11-25 | Kyocera Corporation | Electrostatic chuck |
| JP2009531858A (ja) * | 2006-03-28 | 2009-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板上の残留物を除去するための後エッチング処理システム |
| US7646580B2 (en) | 2005-02-24 | 2010-01-12 | Kyocera Corporation | Electrostatic chuck and wafer holding member and wafer treatment method |
| KR20160004201A (ko) * | 2014-07-02 | 2016-01-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마 프로세싱을 위한 다중-구역 페데스탈 |
| JP2018095916A (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、リソグラフィ用テンプレートの製造方法、プログラム |
| CN115223900A (zh) * | 2022-09-13 | 2022-10-21 | 拓荆科技(北京)有限公司 | 真空吸附式加热器、晶圆吸附机构、晶圆处理设备及方法 |
-
1996
- 1996-08-09 JP JP21173096A patent/JPH1056054A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6787797B2 (en) | 2000-04-27 | 2004-09-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Semiconductor wafer and device for semiconductor device manufacturing process |
| WO2001084606A1 (fr) * | 2000-04-27 | 2001-11-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Plaquette de semi-conducteur et dispositif pour procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs |
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| KR101313426B1 (ko) * | 2006-03-28 | 2013-10-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 상의 잔류물을 제거하기 위한 에칭후 처리 시스템 |
| JP2009531858A (ja) * | 2006-03-28 | 2009-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板上の残留物を除去するための後エッチング処理システム |
| JP4662910B2 (ja) * | 2006-12-14 | 2011-03-30 | 日本碍子株式会社 | 真空チャック |
| JP2008153304A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Ngk Insulators Ltd | 真空チャック |
| US7791708B2 (en) | 2006-12-27 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, substrate table, and method for enhancing substrate release properties |
| WO2008078992A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, substrate table, and method for enhancing substrate release properties |
| US8792085B2 (en) | 2006-12-27 | 2014-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, substrate table, and method for enhancing substrate release properties |
| KR20160004201A (ko) * | 2014-07-02 | 2016-01-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마 프로세싱을 위한 다중-구역 페데스탈 |
| JP2018095916A (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、リソグラフィ用テンプレートの製造方法、プログラム |
| CN115223900A (zh) * | 2022-09-13 | 2022-10-21 | 拓荆科技(北京)有限公司 | 真空吸附式加热器、晶圆吸附机构、晶圆处理设备及方法 |
| CN115223900B (zh) * | 2022-09-13 | 2022-12-06 | 拓荆科技(北京)有限公司 | 真空吸附式加热器、晶圆吸附机构、晶圆处理设备及方法 |
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