JPH10270591A - 半導体装置用パッケージおよびその製造方法 - Google Patents
半導体装置用パッケージおよびその製造方法Info
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- JPH10270591A JPH10270591A JP8741697A JP8741697A JPH10270591A JP H10270591 A JPH10270591 A JP H10270591A JP 8741697 A JP8741697 A JP 8741697A JP 8741697 A JP8741697 A JP 8741697A JP H10270591 A JPH10270591 A JP H10270591A
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- semiconductor device
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0284—Details of three-dimensional rigid printed circuit boards
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
- H05K1/056—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】メタルベースグリッドアレイの製造歩留を改善
する半導体装置用パッケージ及びその製造方法の提供。 【解決手段】メタルベースＢＧＡの端子部に突起１１を
設け、この突起１１をハンダバンプの代用とすることに
より、ハンダバンプ形成による歩留低下を回避する。
する半導体装置用パッケージ及びその製造方法の提供。 【解決手段】メタルベースＢＧＡの端子部に突起１１を
設け、この突起１１をハンダバンプの代用とすることに
より、ハンダバンプ形成による歩留低下を回避する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用パッ
ケージ及びその製造方法に関し、特に、ボールグリッド
アレイパッケージ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ；
「ＢＧＡ」という）を用いた半導体装置用パッケージの
構造及びその製造方法に関する。
ケージ及びその製造方法に関し、特に、ボールグリッド
アレイパッケージ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ；
「ＢＧＡ」という）を用いた半導体装置用パッケージの
構造及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、「ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ
Ａｒｒａｙ）」と呼ばれる半導体装置用パッケージの構
造が提案されている。
Ａｒｒａｙ）」と呼ばれる半導体装置用パッケージの構
造が提案されている。
【０００３】このＢＧＡにおいて、特にパッケージの基
板を銅またはアルミニウムを主成分とする金属基板を採
用するＢＧＡを「メタルベースＢＧＡ」と呼び、このメ
タルベースＢＧＡについては、例えば特開平８−３０６
８２０号公報（特願平７−１２７３９５号）や本願と同
一出願人になる特願平８−１３７２２４号明細書（本願
出願時未公開）などに提案されている。
板を銅またはアルミニウムを主成分とする金属基板を採
用するＢＧＡを「メタルベースＢＧＡ」と呼び、このメ
タルベースＢＧＡについては、例えば特開平８−３０６
８２０号公報（特願平７−１２７３９５号）や本願と同
一出願人になる特願平８−１３７２２４号明細書（本願
出願時未公開）などに提案されている。
【０００４】図５は、特願平８−１３７２２４号明細書
に記載されたメタルベースＢＧＡである。図５（ａ）は
パッケージの断面図、図５（ｂ）は斜視図を示すもので
ある。このパッケージ構造では、メタルベース（金属ベ
ース基板）１の表面上に、ポリイミド２からなる絶縁膜
を形成し、更にその上に銅箔パターン６からなる基板表
面上を電気的に引き回す配線パターンを形成した積層構
造体として構成される。メタルベース１の裏面には、積
層構造体を支持するパターンと、それとは電気的に絶縁
された複数の孤立した導通チェック端子パターン１９と
がパターニングにより分離されている。
に記載されたメタルベースＢＧＡである。図５（ａ）は
パッケージの断面図、図５（ｂ）は斜視図を示すもので
ある。このパッケージ構造では、メタルベース（金属ベ
ース基板）１の表面上に、ポリイミド２からなる絶縁膜
を形成し、更にその上に銅箔パターン６からなる基板表
面上を電気的に引き回す配線パターンを形成した積層構
造体として構成される。メタルベース１の裏面には、積
層構造体を支持するパターンと、それとは電気的に絶縁
された複数の孤立した導通チェック端子パターン１９と
がパターニングにより分離されている。
【０００５】ＬＳＩチップ７は、表面の絶縁膜を除去
し、所定の深さに窪ませたキャビティ部に、銀ペースト
等のマウント材を介して据えつける。ＬＳＩチップ７の
電極と銅箔パターン６とをボンディングワイヤ８により
接続することで、ＬＳＩチップ７と積層構造体との電気
的導通をとる。
し、所定の深さに窪ませたキャビティ部に、銀ペースト
等のマウント材を介して据えつける。ＬＳＩチップ７の
電極と銅箔パターン６とをボンディングワイヤ８により
接続することで、ＬＳＩチップ７と積層構造体との電気
的導通をとる。
【０００６】そしてＬＳＩチップ７とその周辺をエポキ
シ樹脂等による封止樹脂９により封止する。
シ樹脂等による封止樹脂９により封止する。
【０００７】最後に、配線パターン上のカバー絶縁膜１
０がコーティングされていない所定の位置に各々ハンダ
（半田）バンプ１８を形成することで、メタルベースＢ
ＧＡができ上る。
０がコーティングされていない所定の位置に各々ハンダ
（半田）バンプ１８を形成することで、メタルベースＢ
ＧＡができ上る。
【０００８】この半導体装置用パッケージでは、メタル
ベースを採用して電気的特性、検査性及び信頼性の向上
を図ると共に、接続部の検査性及び信頼性面でハンダバ
ンプを用いた接続状態を導通チェック端子と金属ベース
基板の間から絶縁体を透過して確認でき、導通チェック
端子を用いて実装前・後の導通を確認できるようにした
ものである。
ベースを採用して電気的特性、検査性及び信頼性の向上
を図ると共に、接続部の検査性及び信頼性面でハンダバ
ンプを用いた接続状態を導通チェック端子と金属ベース
基板の間から絶縁体を透過して確認でき、導通チェック
端子を用いて実装前・後の導通を確認できるようにした
ものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た半導体装置用パッケージは下記記載の問題点を有して
いる。
た半導体装置用パッケージは下記記載の問題点を有して
いる。
【００１０】（１）第１の問題点は、ハンダバンプの形
成歩留りを向上させることが困難である、ということで
ある。
成歩留りを向上させることが困難である、ということで
ある。
【００１１】その理由は、ハンダクリームのポッティン
グによりハンダバンプを形成する方法においては、ポッ
ティング装置の位置合せ精度、ならびにポッティング量
制御、及び作業中断時のノズル内におけるハンダクリー
ムの劣化という問題があるため、である。
グによりハンダバンプを形成する方法においては、ポッ
ティング装置の位置合せ精度、ならびにポッティング量
制御、及び作業中断時のノズル内におけるハンダクリー
ムの劣化という問題があるため、である。
【００１２】（２）第２の問題点は、メタルベースＢＧ
Ａは、実装不良が発生した場合に、再実装が不可能であ
るため、実装不良のメタルベースＢＧＡは、廃棄せざる
を得ない、ということである。
Ａは、実装不良が発生した場合に、再実装が不可能であ
るため、実装不良のメタルベースＢＧＡは、廃棄せざる
を得ない、ということである。
【００１３】その理由は、メタルベースＢＧＡはハンダ
バンプを形成した状態でユーザへ供給されるため、一度
び実装を行ったメタルベースＢＧＡを取り外すと、ユー
ザではハンダバンプの修正が不可能であるためである。
バンプを形成した状態でユーザへ供給されるため、一度
び実装を行ったメタルベースＢＧＡを取り外すと、ユー
ザではハンダバンプの修正が不可能であるためである。
【００１４】したがって、本発明は、上記問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、メタルベースＢ
ＧＡパッケージを用いたＬＳＩの製造歩留を安定化さ
せ、これにより生産性を向上するとともに、ユーザ側で
の再実装を可能とすることで、従来廃棄していたメタル
ベースＢＧＡ及びＬＳＩ等の再利用を可能とする半導体
装置用パッケージを提供することにある。
てなされたものであって、その目的は、メタルベースＢ
ＧＡパッケージを用いたＬＳＩの製造歩留を安定化さ
せ、これにより生産性を向上するとともに、ユーザ側で
の再実装を可能とすることで、従来廃棄していたメタル
ベースＢＧＡ及びＬＳＩ等の再利用を可能とする半導体
装置用パッケージを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の半導体装置用パッケージは、メタルベース
ＢＧＡに、プリント基板と接続するために用いるハンダ
バンプを備える代わりに、金属基板を加工変形して突起
を設ける構造としたものである。
め、本発明の半導体装置用パッケージは、メタルベース
ＢＧＡに、プリント基板と接続するために用いるハンダ
バンプを備える代わりに、金属基板を加工変形して突起
を設ける構造としたものである。
【００１６】より詳細には、本発明は、銅またはアルミ
ニウムを主成分とする金属板と、該金属板上に形成され
た有機系絶縁膜から成る絶縁層と、該絶縁層上に形成さ
れた配線パターンを含む所定のパターンを有する金属箔
から成る薄膜パターンと、を備える積層構造体におい
て、前記金属板を変形させることにより前記所定の配線
パターン部に複数の突起を形成してなる、ことを特徴と
する。
ニウムを主成分とする金属板と、該金属板上に形成され
た有機系絶縁膜から成る絶縁層と、該絶縁層上に形成さ
れた配線パターンを含む所定のパターンを有する金属箔
から成る薄膜パターンと、を備える積層構造体におい
て、前記金属板を変形させることにより前記所定の配線
パターン部に複数の突起を形成してなる、ことを特徴と
する。
【００１７】本発明の半導体装置用パッケージの製造方
法は、上記突起をプレス加工により形成することを特徴
とする。
法は、上記突起をプレス加工により形成することを特徴
とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態につ
いて以下に説明する。本発明の好ましい実施の形態にお
いて、メタルベースＢＧＡは、プリント基板と接続する
ために用いるハンダバンプ（図５の１８）を備える代わ
りに、メタルベースＢＧＡに突起（図１の１１）を設け
る構造としたものである。
いて以下に説明する。本発明の好ましい実施の形態にお
いて、メタルベースＢＧＡは、プリント基板と接続する
ために用いるハンダバンプ（図５の１８）を備える代わ
りに、メタルベースＢＧＡに突起（図１の１１）を設け
る構造としたものである。
【００１９】すなわち、本発明の半導体装置用パッケー
ジは、その好ましい実施の形態において、銅またはアル
ミニウムを主成分とする金属板（図１の１）と、該金属
板上に形成された有機系絶縁膜から成る絶縁層（図１の
２）と、該絶縁層上に形成された配線パターンを含む所
定のパターンを有する金属箔から成る薄膜パターン（図
１の６）と、を備える積層構造体において、金属板を変
形させることにより所定の配線パターン部に複数の突起
（図１の１１）を設けた構成とされている。
ジは、その好ましい実施の形態において、銅またはアル
ミニウムを主成分とする金属板（図１の１）と、該金属
板上に形成された有機系絶縁膜から成る絶縁層（図１の
２）と、該絶縁層上に形成された配線パターンを含む所
定のパターンを有する金属箔から成る薄膜パターン（図
１の６）と、を備える積層構造体において、金属板を変
形させることにより所定の配線パターン部に複数の突起
（図１の１１）を設けた構成とされている。
【００２０】このように、本発明の実施の形態において
は、メタルベースＢＧＡの端子部にハンダバンプを形成
しないため、ハンダバンプに係る不良が発生しない。そ
して、実装のためのハンダは、図３（ａ）に示すよう
に、プリント基板上にクリームハンダをスクリーン印刷
等により塗布することにより供給する。
は、メタルベースＢＧＡの端子部にハンダバンプを形成
しないため、ハンダバンプに係る不良が発生しない。そ
して、実装のためのハンダは、図３（ａ）に示すよう
に、プリント基板上にクリームハンダをスクリーン印刷
等により塗布することにより供給する。
【００２１】本発明の実施の形態においては、ハンダを
プリント板上の実装位置に塗布しているため、実装不良
のためにプリント基板より取り外したメタルベースＢＧ
Ａを再使用することが可能となる。
プリント板上の実装位置に塗布しているため、実装不良
のためにプリント基板より取り外したメタルベースＢＧ
Ａを再使用することが可能となる。
【００２２】次に本発明の好ましい実施の形態について
図面を参照して更に詳細に説明する。以下では、本発明
の半導体装置用パッケージの製造工程についてその好ま
しい実施の形態に即して説明する。図２は、本発明に係
る半導体装置用パッケージの製造方法の実施の形態につ
いて、主要製造工程を工程順に示した工程断面図であ
る。
図面を参照して更に詳細に説明する。以下では、本発明
の半導体装置用パッケージの製造工程についてその好ま
しい実施の形態に即して説明する。図２は、本発明に係
る半導体装置用パッケージの製造方法の実施の形態につ
いて、主要製造工程を工程順に示した工程断面図であ
る。
【００２３】先ず図２（ａ）に示すように、銅またはア
ルミニウムを主材料とする所定の厚さ、例えば厚さ０．
１５から０．２０ｍｍのメタルベース１の両面に有機系
材料からなる所定の厚さ、例えば厚さ０．２から４μｍ
の絶縁膜２、３を形成する。
ルミニウムを主材料とする所定の厚さ、例えば厚さ０．
１５から０．２０ｍｍのメタルベース１の両面に有機系
材料からなる所定の厚さ、例えば厚さ０．２から４μｍ
の絶縁膜２、３を形成する。
【００２４】次に、絶縁膜２、３及びメタルベース１
に、例えば直径２０から３０μｍφのスルーホール４を
開口した後、スルーホール４の内壁に絶縁膜を形成す
る。
に、例えば直径２０から３０μｍφのスルーホール４を
開口した後、スルーホール４の内壁に絶縁膜を形成す
る。
【００２５】次に、メタルベース１の両面に所定の厚
さ、例えば厚さ０．２から２μｍの金属箔を形成し、パ
ターニングを行うことで配線パターニング５、６を形成
する。
さ、例えば厚さ０．２から２μｍの金属箔を形成し、パ
ターニングを行うことで配線パターニング５、６を形成
する。
【００２６】更に、図２（ｂ）に示すように、雄型１
３、雌型１４を用いプレス加工を行うことにより、図２
（ｃ）に示すように、例えば直径０．０５〜０．２ｍ
ｍ、深さ０．０５〜０．２ｍｍの突起１１を形成する。
３、雌型１４を用いプレス加工を行うことにより、図２
（ｃ）に示すように、例えば直径０．０５〜０．２ｍ
ｍ、深さ０．０５〜０．２ｍｍの突起１１を形成する。
【００２７】その後、配線パターニング５、６を電極と
して電解メッキを行うことにより、配線パターン５、６
をメッキし、同時にスルーホール４の埋込みを行う。
して電解メッキを行うことにより、配線パターン５、６
をメッキし、同時にスルーホール４の埋込みを行う。
【００２８】最後に、必要部分以外をカバー絶縁膜にて
覆うことにより、図１に示すようなメタルベースＢＧＡ
パッケージが得られる。
覆うことにより、図１に示すようなメタルベースＢＧＡ
パッケージが得られる。
【００２９】図１は、本発明に係る半導体装置用パッケ
ージの好ましい実施の形態の構成を示す図であり、図１
（ａ）は断面図、図１（ｂ）は上面図、図１（ｃ）は底
面図である。なお、図１（ｂ）において、１１は突起を
上面からみた凹部を示し、図１（ｃ）において１１は所
定の金属箔パターン部６に設けられた突起を示してい
る。
ージの好ましい実施の形態の構成を示す図であり、図１
（ａ）は断面図、図１（ｂ）は上面図、図１（ｃ）は底
面図である。なお、図１（ｂ）において、１１は突起を
上面からみた凹部を示し、図１（ｃ）において１１は所
定の金属箔パターン部６に設けられた突起を示してい
る。
【００３０】図１（ａ）を参照して、メタルベースＢＧ
Ａパッケージのキャビティ部へＬＳＩチップ７を銀ペー
スト等の導電性接着材を用いてマウントを行い、ＬＳＩ
チップ７上の各電極と配線パターン５をボンディングワ
イヤ８を用いて電気的接続を行う。
Ａパッケージのキャビティ部へＬＳＩチップ７を銀ペー
スト等の導電性接着材を用いてマウントを行い、ＬＳＩ
チップ７上の各電極と配線パターン５をボンディングワ
イヤ８を用いて電気的接続を行う。
【００３１】次に、ＬＳＩチップ７及びボンディングワ
イヤ８周辺をエポキシ樹脂等により樹脂封止を行い、所
望のメタルベースＢＧＡを得る。
イヤ８周辺をエポキシ樹脂等により樹脂封止を行い、所
望のメタルベースＢＧＡを得る。
【００３２】図３は、本発明の実施の形態の動作を説明
するための図であり、図３（ａ）はメタルベースＢＧＡ
とプリント基板の実装前の状態を示す斜視図、図３
（ｂ）は、メタルベースＢＧＡとプリント基板の実装後
の状態を示す斜視図である。本発明の実施の形態の動作
について、図３を参照して説明する。
するための図であり、図３（ａ）はメタルベースＢＧＡ
とプリント基板の実装前の状態を示す斜視図、図３
（ｂ）は、メタルベースＢＧＡとプリント基板の実装後
の状態を示す斜視図である。本発明の実施の形態の動作
について、図３を参照して説明する。
【００３３】図３（ａ）に示すように、プリント基板１
４上のパッド部にはスクリーン印刷法等により予めハン
ダ１５が塗布されている。
４上のパッド部にはスクリーン印刷法等により予めハン
ダ１５が塗布されている。
【００３４】このプリント基板１４上にメタルベースＢ
ＧＡを配置し、無酸素雰囲気中にてハンダリフローを行
う。この時、メタルベースＢＧＡは突起１１の先端部に
て点接触した状態にて配置されている。
ＧＡを配置し、無酸素雰囲気中にてハンダリフローを行
う。この時、メタルベースＢＧＡは突起１１の先端部に
て点接触した状態にて配置されている。
【００３５】メタルベースＢＧＡは点接触によりプリン
ト基板１４上に載っているため、リフロー時におけるハ
ンダのセルフアライン作用により、位置ずれに対する自
由度が高い。このため、多少の位置ずれが発生した場合
にも、このセルフアライン作用により修正され、図３
（ｂ）に示す如く、プリント基板１４との接続を果すこ
とができる。
ト基板１４上に載っているため、リフロー時におけるハ
ンダのセルフアライン作用により、位置ずれに対する自
由度が高い。このため、多少の位置ずれが発生した場合
にも、このセルフアライン作用により修正され、図３
（ｂ）に示す如く、プリント基板１４との接続を果すこ
とができる。
【００３６】また、従来のメタルベースＢＧＡとは異な
り、本実施例におけるメタルベースＢＧＡはハンダバン
プを持たないため、電気的試験等により接続不良が発見
された際には、メタルベースＢＧＡをプリント基板１４
から取り外し、メタルベースＢＧＡ及びプリント基板１
４のハンダを除去後、再度図３（ａ）に示すように、ハ
ンダ１５の再塗布を行うことにより、メタルベースＢＧ
Ａの再利用、及び再修正が可能である。
り、本実施例におけるメタルベースＢＧＡはハンダバン
プを持たないため、電気的試験等により接続不良が発見
された際には、メタルベースＢＧＡをプリント基板１４
から取り外し、メタルベースＢＧＡ及びプリント基板１
４のハンダを除去後、再度図３（ａ）に示すように、ハ
ンダ１５の再塗布を行うことにより、メタルベースＢＧ
Ａの再利用、及び再修正が可能である。
【００３７】
【実施例】上記した本発明の実施の形態について更に詳
細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照し
て以下に説明する。
細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照し
て以下に説明する。
【００３８】先ず図２（ａ）に示すように、厚さ０．２
ｍｍのアルミニウムからなるメタルベース１の両面に厚
さ０．２μｍのポリイミドプリフォーム２、３をコート
し絶縁膜とする。
ｍｍのアルミニウムからなるメタルベース１の両面に厚
さ０．２μｍのポリイミドプリフォーム２、３をコート
し絶縁膜とする。
【００３９】直径２０μｍφのスルーホール４をポリイ
ミドフィルムを通してメタルベース１に開口する。
ミドフィルムを通してメタルベース１に開口する。
【００４０】スルーホール４の内壁を陽極酸化によりア
ルミナ化することによりスルーホール４の内壁に絶縁膜
を形成する。
ルミナ化することによりスルーホール４の内壁に絶縁膜
を形成する。
【００４１】メタルベース１の両面に厚さ０．２μｍの
銅スパッタを行い、ポリイミドフィルム２、３上に銅箔
を形成する。
銅スパッタを行い、ポリイミドフィルム２、３上に銅箔
を形成する。
【００４２】この時、スルーホール４内にも銅が部分的
に付着するが、スルーホール内壁は絶縁され、後にスル
ーホール内はメッキされるため問題はない。
に付着するが、スルーホール内壁は絶縁され、後にスル
ーホール内はメッキされるため問題はない。
【００４３】銅箔のパターニングを行い、銅箔パターン
５、６を形成した後、図２（ｂ）に示すように、雄型１
３、雌型１４を用いてメタルベース１のプレス加工を行
い、直径０．１ｍｍφ、深さ０．１ｍｍの突起１１を形
成する。次に、銅箔パターン５、６を電極としてニッケ
ル及び金のメッキを行う。
５、６を形成した後、図２（ｂ）に示すように、雄型１
３、雌型１４を用いてメタルベース１のプレス加工を行
い、直径０．１ｍｍφ、深さ０．１ｍｍの突起１１を形
成する。次に、銅箔パターン５、６を電極としてニッケ
ル及び金のメッキを行う。
【００４４】銅箔パターン５、６上のメッキと同時に、
スルーホール４がメッキにより埋め込まれることによ
り、銅箔パターンが電気的に接続する。
スルーホール４がメッキにより埋め込まれることによ
り、銅箔パターンが電気的に接続する。
【００４５】この後、必要部分以外をカバー絶縁膜１０
に覆うことにより、メタルベースＢＧＡパッケージが得
られる。
に覆うことにより、メタルベースＢＧＡパッケージが得
られる。
【００４６】ＬＳＩチップ７は、このメタルベースＢＧ
Ａパッケージにおいて、絶縁膜を除去し、先のプレス加
工時に０．０６ｍｍの深さに加工したキャビティへ銀ペ
ーストからなる導電性接着材によりマウントされる。
Ａパッケージにおいて、絶縁膜を除去し、先のプレス加
工時に０．０６ｍｍの深さに加工したキャビティへ銀ペ
ーストからなる導電性接着材によりマウントされる。
【００４７】ＬＳＩチップ７上の各電極とメタルベース
ＢＧＡパッケージの配線パターン５をボンディングワイ
ヤにより繋ぐことにより、ＬＳＩチップ７とメタルベー
スＢＧＡパッケージとの電気的接続を行う。
ＢＧＡパッケージの配線パターン５をボンディングワイ
ヤにより繋ぐことにより、ＬＳＩチップ７とメタルベー
スＢＧＡパッケージとの電気的接続を行う。
【００４８】最後に、保護のために、ＬＳＩチップ７と
ボンディングワイヤ８周辺をエポキシ樹脂により封止を
行うことにより、図１に示すメタルベースＢＧＡが得ら
れる。
ボンディングワイヤ８周辺をエポキシ樹脂により封止を
行うことにより、図１に示すメタルベースＢＧＡが得ら
れる。
【００４９】次に本発明の実施例の動作について図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００５０】メタルベースＢＧＡは、図１に示す状態に
て、出荷される。
て、出荷される。
【００５１】プリント基板１４への実装に際して、図３
（ａ）に示すように、プリント基板１４上のパッド部へ
スクリーン印刷法を用いてハンダ１５が塗布される。
（ａ）に示すように、プリント基板１４上のパッド部へ
スクリーン印刷法を用いてハンダ１５が塗布される。
【００５２】次に、プリント基板１４へメタルベースＢ
ＧＡを置き、窒素置換を行った無酸素雰囲気にあるベー
ク炉にてハンダリフローを行う。この時、メタルベース
ＢＧＡは突起１１の先端部により点接触の状態にてプリ
ント基板１４上のハンダ１５と接しているため、リフロ
ー時におけるハンダのセルフアライン作用によりメタル
ベースＢＧＡ配置時の位置ズレは自動的に修正される。
ＧＡを置き、窒素置換を行った無酸素雰囲気にあるベー
ク炉にてハンダリフローを行う。この時、メタルベース
ＢＧＡは突起１１の先端部により点接触の状態にてプリ
ント基板１４上のハンダ１５と接しているため、リフロ
ー時におけるハンダのセルフアライン作用によりメタル
ベースＢＧＡ配置時の位置ズレは自動的に修正される。
【００５３】位置ズレの許容量は、例えば突起１１のピ
ッチを０．２ｍｍとし、プリント基板１４のパッドサイ
ズを０．１ｍｍとすると、突起１１がパッド内にある間
すなわち５０μｍまでとなる。
ッチを０．２ｍｍとし、プリント基板１４のパッドサイ
ズを０．１ｍｍとすると、突起１１がパッド内にある間
すなわち５０μｍまでとなる。
【００５４】また従来のメタルベースＢＧＡと異なり、
本実施例では、半田バンプを持たないため、電気的試験
等により、メタルベースＢＧＡとプリント基板１４の接
続不良が発見された際には、メタルベースＢＧＡをプリ
ント基板１４から取り外し、再度図３（ａ）に示す如く
ハンダ１５の再塗布から行うことにより、メタルベース
ＢＧＡの再利用、再修正が可能となる。
本実施例では、半田バンプを持たないため、電気的試験
等により、メタルベースＢＧＡとプリント基板１４の接
続不良が発見された際には、メタルベースＢＧＡをプリ
ント基板１４から取り外し、再度図３（ａ）に示す如く
ハンダ１５の再塗布から行うことにより、メタルベース
ＢＧＡの再利用、再修正が可能となる。
【００５５】以上説明した本発明の実施の形態では、フ
ェースアップタイプについて説明したが、次に、本発明
の第２の実施の形態としてフェースダウンタイプについ
て説明する。
ェースアップタイプについて説明したが、次に、本発明
の第２の実施の形態としてフェースダウンタイプについ
て説明する。
【００５６】端子数（突起数）が少ない場合には、図４
（ａ）に示すようなフェースダウン構造とすることで、
配線層を片面とし、メタルベース１を貫通するスルーホ
ール（図１の４参照）を省略し、パッケージコストを低
下するという利点がある。
（ａ）に示すようなフェースダウン構造とすることで、
配線層を片面とし、メタルベース１を貫通するスルーホ
ール（図１の４参照）を省略し、パッケージコストを低
下するという利点がある。
【００５７】また、図４（ｂ）に示すように、パッケー
ジ裏面にヒートシンク１７を取り付けることが可能とな
るため、放熱性を向上することができるという利点を持
つ。
ジ裏面にヒートシンク１７を取り付けることが可能とな
るため、放熱性を向上することができるという利点を持
つ。
【００５８】また、端子数が多い場合には、図４（ｃ）
に示すように、図１と同じく、配線層を両面に持ち複数
のスルーホール４にて両面の配線パターンを繋ぐことに
より、多端子化が可能となる。
に示すように、図１と同じく、配線層を両面に持ち複数
のスルーホール４にて両面の配線パターンを繋ぐことに
より、多端子化が可能となる。
【００５９】更に、この実施の形態では、図４（ｂ）に
示すように、ヒートシンクを取り付けることによる放熱
性の改善も可能である。
示すように、ヒートシンクを取り付けることによる放熱
性の改善も可能である。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば下
記記載の効果を奏する。
記記載の効果を奏する。
【００６１】（１）本発明の第１の効果は、メタルベー
スＢＧＡの製造歩留を向上することができる、というこ
とである。
スＢＧＡの製造歩留を向上することができる、というこ
とである。
【００６２】その理由は、本発明においては、ハンダ
（半田）バンプを形成することを不要としたことによ
り、ハンダバンプに係る不良の発生を抑制できる、ため
である。
（半田）バンプを形成することを不要としたことによ
り、ハンダバンプに係る不良の発生を抑制できる、ため
である。
【００６３】（２）本発明の第２の効果は、実装不良に
おけるメタルベースＢＧＡの再利用が可能である、とい
うことである。
おけるメタルベースＢＧＡの再利用が可能である、とい
うことである。
【００６４】その理由は、本発明においては、ハンダバ
ンプを形成しないため、メタルベースＢＧＡを取り外し
た際に生じるハンダバンプ欠損のためにメタルベースＢ
ＧＡが不良となる、ということがないためである。
ンプを形成しないため、メタルベースＢＧＡを取り外し
た際に生じるハンダバンプ欠損のためにメタルベースＢ
ＧＡが不良となる、ということがないためである。
【図１】本発明の第１の実施例の構成を示す図であり、
（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図、（ｃ）は底面図であ
る。
（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図、（ｃ）は底面図であ
る。
【図２】本発明の第１の実施例における突起を形成する
工程を説明するための工程断面図である。
工程を説明するための工程断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例においてメタルベースＢ
ＧＡの実装の様子を説明するための図であり、（ａ）は
実装前、（ｂ）は実装後の状態を示す斜視図である。
ＧＡの実装の様子を説明するための図であり、（ａ）は
実装前、（ｂ）は実装後の状態を示す斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施例の構成を示す図である。
【図５】従来のメタルベースＢＧＡの構成を示す図であ
り、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図である。
り、（ａ）は断面図、（ｂ）は斜視図である。
１ メタルベース ２、３ ポリイミドフィルム ４ スルーホール ５、６ 銅箔パターン ７ ＬＳＩチップ ８ ボンディングワイヤ ９ 封入樹脂 １０ カバー絶縁膜 １１ 突起 １２ 雄型 １３ 雌型 １４ プリント基板 １５、１６ ハンダ １７ ヒートシンク
Claims (9)
- 【請求項１】パッケージの基板として金属基板を用いて
なるメタルベースＢＧＡにおいて、プリント基板と接続
するための所定位置に、ハンダバンプの代わりに、前記
金属基板を変形加工して形成される突起を備えたことを
特徴とする半導体装置用パッケージ。 - 【請求項２】銅またはアルミニウムを主成分とする金属
板と、 該金属板上に形成された有機系絶縁膜から成る絶縁層
と、 該絶縁層上に形成された配線パターンを含む所定のパタ
ーンを有する金属箔から成る薄膜パターンと、を備える
積層構造体において、 前記金属板を変形させることにより前記所定の配線パタ
ーン部に複数の突起を形成してなる、ことを特徴とする
半導体装置用パッケージ。 - 【請求項３】前記突起が、前記金属基板の一方の面に対
して形成されている、ことを特徴とする請求項１又は２
に記載の半導体装置用パッケージ。 - 【請求項４】前記配線パターンが、前記金属基板の片方
の面に形成されている、ことを特徴とする請求項２に記
載の半導体装置用パッケージ。 - 【請求項５】前記配線パターンが、前記金属基板の両面
に形成され、前記金属基板の両面に設けられた前記配線
パターンが、前記金属基板に設けられた１又は複数のス
ルーホールを介して接続される、ことを特徴とする請求
項２に記載の半導体装置用パッケージ。 - 【請求項６】前記スルーホールが、メッキにより埋め込
み、電気的導通をとることを特徴とする請求項５に記載
の半導体装置用パッケージ。 - 【請求項７】前記金属板の材料がアルミニウムであり、
前記スルーホールの内部を、陽極酸化によりアルミナ化
した後に、メッキにより金属充填する、ことを特徴とす
る請求項５記載の半導体装置用パッケージ。 - 【請求項８】請求項１乃至７のいずれか一に記載の半導
体装置用パッケージにおいて、プリント基板への実装の
際に、所定位置のパッド部にハンダが予め塗布されたプ
リント基板上に、前記金属板を、前記突起の先端部が該
ハンダに当接した状態にて配置し、ハンダリフローを行
うことにより接続を行う、ことを特徴とする半導体装置
用パッケージ。 - 【請求項９】銅またはアルミニウムを主成分とする金属
板と、 該金属板上に形成された有機系絶縁膜から成る絶縁層
と、 該絶縁層上に形成された配線パターンを含む所定のパタ
ーンを有する金属箔から成る薄膜パターンと、を備える
積層構造体を有し、 前記金属板を変形させることにより前記所定の配線パタ
ーン部に複数の突起を形成してなる半導体装置用パッケ
ージの製造方法において、 前記突起をプレス加工により形成することを特徴とする
半導体装置用パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8741697A JPH10270591A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 半導体装置用パッケージおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8741697A JPH10270591A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 半導体装置用パッケージおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270591A true JPH10270591A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13914282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8741697A Pending JPH10270591A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 半導体装置用パッケージおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10270591A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005167241A (ja) * | 2003-11-29 | 2005-06-23 | Semikron Elektron Gmbh | パワー半導体モジュール及びその製造方法 |
| CN103066184A (zh) * | 2011-10-24 | 2013-04-24 | 新光电气工业株式会社 | 配线基板、发光装置、以及配线基板的制造方法 |
-
1997
- 1997-03-21 JP JP8741697A patent/JPH10270591A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005167241A (ja) * | 2003-11-29 | 2005-06-23 | Semikron Elektron Gmbh | パワー半導体モジュール及びその製造方法 |
| CN103066184A (zh) * | 2011-10-24 | 2013-04-24 | 新光电气工业株式会社 | 配线基板、发光装置、以及配线基板的制造方法 |
| EP2587533A1 (en) * | 2011-10-24 | 2013-05-01 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate, light emitting device, and method for manufacturing wiring substrate |
| JP2013093386A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 |
| US9257354B2 (en) | 2011-10-24 | 2016-02-09 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate, light emitting device, and method for manufacturing wiring substrate |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990316 |