JPH10268348A

JPH10268348A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH10268348A
Application number: JP7252397A
Authority: JP
Inventors: Hideo Izawa; 秀雄井澤
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-03-26
Filing date: 1997-03-26
Publication date: 1998-10-09

Abstract

(57)【要約】【課題】表示試験において、線状の輝度むらが確認さ
れた場合に、輝度むらを許容限度以下に修正が可能な液
晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】液晶表示装置の各ゲートバスラインの信
号入力側の表示領域外に、容量を可変できるコンデンサ
ーを具備することにより、輝度むらを許容限度以下に修
正可能な液晶表示装置を提供することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関
し、特に輝度むら等の表示不良の低減に有用なアクティ
ブマトリクス方式の液晶表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、小型、軽量、薄型、低
消費電力等の特長を有していることから、パソコン等の
ＯＡ装置の表示装置、モニター、又は映像機器等ＡＶ装
置の表示装置として、直視型表示装置、投影型表示装置
に利用されている。特に各絵素電極に薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴと記す）を用いたアクティブマトリクス
方式の液晶表示装置は、大画面、高精細表示が期待され
ている。

【０００３】図６は従来のアクティブマトリクス方式液
晶表示装置の等価回路図を示す。図において，１１は液
晶表示パネル、１２はスイッチング素子としてのＴＦ
Ｔ、１３は絵素電極と対向電極との間に形成された液晶
表示素子であり、ＴＦＴ１２と共に１画素を構成する。
これらのＴＦＴ１２と液晶表示素子１３の対が数１００
個×数１００個が行及び列方向に格子状に配列されて、
液晶表示パネル１１が構成される。１４は各ＴＦＴのゲ
ートに接続された走査線（以下、ゲートバスラインと記
す）、１５は各ＴＦＴのソースに接続された信号線（以
下、ソースバスラインと記す）、１６は各ゲートバスラ
イン１４に順次矩形波のゲート信号（走査信号）を供給
する走査線駆動回路、１７は外部からの映像信号をサン
プリングして、保持するサンプルホールド回路と、この
サンプルホールド回路の出力をそれぞれのソースバスラ
イン１５に信号を供給する信号線駆動回路である。１８
は多数の液晶表示素子１３が配列されている表示領域で
ある。１９は補助容量で、無くても良いが、通常、表示
特性向上のために設けられる。なお、液晶表示素子１３
および補助容量１９の一端の丸印は対向電極電位である
ことを意味する。

【０００４】従来、スイッチング素子にはアモルファス
シリコンを半導体材料としてＴＦＴを構成していた。こ
の場合は、アモルファスシリコン層はＣＶＤ装置により
基板上に全面に一括して成膜するため、基板上での膜
厚、特性ともに均一性は比較的良好である。

【０００５】一方、スイッチング素子に駆動特性の良い
ポリシリコンを半導体材料とするＴＦＴを用いる場合、
大型基板を用い、低コストで製造するには、ガラス基板
を用い、このガラス基板上にプラズマＣＶＤ法により堆
積したアモルファスシリコン膜をレーザアニール法でポ
リシリコン化して用いるのが一般的である。この場合、
レーザーは高出力のエキシマレーザーを用い、光学系を
通して、線状のビームに整形、出力の均一化を行い、基
板上を走査して、全面ポリシリコン化することが行われ
ている。エキシマレーザーを用いて、大型基板全面をア
ニール処理する場合、エキシマレーザーはパルスレーザ
のため、レーザー照射毎のエネルギーのばらつきや照射
と照射の継ぎ目が発生する。このため、レーザーの走査
方向に沿って、ポリシリコンの表面凹凸、結晶特性の変
化が発生し、これがスイッチング素子や補助容量の素子
特性を変化させ、表示画面上にレーザーの走査方向に沿
った線状の輝度むらとして現れる。

【０００６】レーザアニール法の改善が、例えば特開平
８−５１０７４号公報、特開平８−５１０７７号公報で
提案されている。特開平８−５１０７４号公報は、レー
ザービームのプロファイルに関し、長軸方向には結晶化
に必要な一定のエネルギー強度分布を持ち、短軸方向に
は結晶化に必要な一定のエネルギー強度分布及びビーム
走査方向に対して先行する領域に前記結晶化に必要なエ
ネルギーよりも小さくて徐々に強度が変化するエネルギ
ー強度分布を持つシート状のレーザービームをアモルフ
ァスシリコンに照射するものである。また、特開平８−
５１０７７号公報は、レーザービームの照射に先立っ
て、レーザー光の照射領域の半導体膜を加熱して脱水処
理するものである。これら技術により、均一性は向上し
て来たが、突発的な異常照射（照射エネルギーの異常な
変動、走査速度の異常な変動などによる）が低い確率で
発生することがあり、これが原因で線状の輝度むらとし
て現れる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、これらの事
情に鑑みてなされたものであって、表示試験において、
線状の輝度むらが確認された場合に、輝度むらを許容限
度以下に修正が可能な液晶表示装置を提供することを目
的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、液晶表示装置
の各ゲートバスラインの信号入力側の表示領域外に容量
を可変できるコンデンサーを具備することにより、輝度
むらを許容限度以下に修正することができる。なお、こ
のコンデンサーの一端は対向電極電位もしくはアース電
位などの安定電位に接続するのがよい。また、コンデン
サーはアクティブマトリクス基板上に作成しても、液晶
表示素子を形成するために貼り合わされる対向基板上の
対向電極と組み合わせて作成してもよい。また、液晶表
示装置作成後、レーザー照射により、容量の可変できる
コンデンサーを用いるのがよい。容量を可変させる手段
としてはレーザートリミング、レーザー加熱に限定され
る事はなく、電界、磁界、光学的手段、機械的手段等を
用いてもかまわない。

【０００９】より具体的には、本発明の液晶表示装置
は、絶縁性基板上に格子状に配線された走査線及び信号
線と、該走査線及び信号線により囲まれた各絵素領域に
絵素電極と該絵素電極に接続されたスイッチング素子を
有するアクティブマトリクス基板と、前記絵素電極と対
向する対向電極を有する対向基板の間に液晶材料を介在
させてなる液晶表示パネルにおいて、前記走査線毎に容
量を可変できるコンデンサーを具備することを特徴とす
る。

【００１０】また、本発明の液晶表示装置は、上記コン
デンサーがアクティブマトリクス基板上に形成されてい
ることを特徴とする。

【００１１】また、本発明の液晶表示装置は、上記コン
デンサーの一方の電極がアクティブマトリクス基板上に
形成され、他方の電極は対向基板上の対向電極の一部を
用いて形成されることを特徴とする。

【００１２】また、本発明の液晶表示装置は、上記コン
デンサーは、液晶表示パネルの外部よりのレーザー照射
により容量を調整することを特徴とする。

【００１３】また、本発明の液晶表示装置は、上記スイ
ッチング素子の少なくともチャンネル部が多結晶シリコ
ンで形成されていることを特徴とする。

【００１４】本発明は、以上の特徴を有しているので、
液晶表示パネルの各ゲートバスラインの信号入力側の表
示領域外に容量を可変できるコンデンサーを具備するこ
とにより、ポリシリコンの表面凹凸や結晶特性の変化を
起因とするスイッチング素子や補助容量の特性ばらつき
による、ゲートバスライン毎の液晶表示素子にかかる電
圧のばらつきを、各ゲートバスラインに具備した容量可
変コンデンサーの容量を変化させて、ゲート信号の立ち
下がり領域を制御することにより、ＴＦＴのフィードス
ルー電圧をゲートバスライン毎に制御し、液晶表示素子
にかかる電圧（ドレイン電圧）を面内で均一になるよう
に補償することができる。

【００１５】フィードスルー電圧について詳しく説明す
ると、図５に示すようなゲート信号電圧Ｖ_GがＯＦＦ電
圧からＯＮ電圧に立ち上がると、ソースバスライン１５
からＴＦＴ１２を通して、映像信号電圧Ｖ_Sが液晶表示
素子１３と補助容量１９に充電が開始され、ドレイン電
圧Ｖ_Dがソース電圧Ｖ_Sまで上昇する。充電時間終了後、
ゲート電圧Ｖ_GはＯＮ電圧からＯＦＦ電圧まで立ち下が
る。この場合に、液晶表示素子１３の容量Ｃ_LC、補助容
量１９の容量Ｃ_S、ＴＦＴ１２のゲート電極とドレイン
電極間の寄生容量Ｃ_GD、ゲート信号のＯＮ電圧とＯＦＦ
電圧の差をΔＶ_Gとすると、容量結合により、ドレイン
電圧が引き下げられる。この電圧をフィードスルー電圧
ΔＶとよび ΔＶ＝Ｃ_GD／（Ｃ_LC＋Ｃ_S＋Ｃ_GD）＊ΔＶ_G で表される。

【００１６】レーザー照射の照射エネルギーのばらつ
き、走査速度の変動、照射と照射の継ぎ目のため、ポリ
シリコンの表面凹凸、結晶性が変化し、それがＴＦＴの
ゲート電極とドレイン電極間の寄生容量Ｃ_GDのばらつ
き、補助容量の容量Ｃ_LCばらつき、ＴＦＴの素子特性の
ばらつき等になり、結果として、フィードスルー電圧Δ
Ｖがばらつき、表示の輝度むらとなる。

【００１７】しかし、ゲート信号の立ち下がりのなまり
が大きいと、ゲート電圧の変化中にソース電極からドレ
イン電極にフィードスルー電圧を補償する方向に、再充
電の電流が流れるため、ドレイン電圧は高くなる。図５
の実線はゲート信号のなまりが小さい場合を示し、この
ときのフィードスール電圧ΔＶ₁、破線はゲート信号の
なまりが大きい場合を示し、このときのフィードスール
電圧ΔＶ₂とすると、 ΔＶ₁＞ΔＶ₂ となる。

【００１８】故に、ゲート信号のなまりを制御すること
により、フィードスルー電圧ΔＶを制御して、ドレイン
電圧の均一性を向上させることができる。本発明におい
てはゲート信号のなまりの制御を容量可変のコンデンサ
ーを各ゲートラインの入力側に設け、容量を調整するこ
とにより実現している。

【００１９】

【発明の実施の形態】次に、実施例によって本発明をさ
らに詳しく説明する。

【００２０】（実施例１）図１はこの発明の実施例によ
るアクティブマトリクス方式液晶表示装置の等価回路図
を示し、図６と対応する部分には同一符号を付し、その
詳細説明は省略する。ゲートバスライン１４は横軸方向
に数１００本程度の多数本が平行に配列され、ソースバ
スライン１５はゲートバスライン１４に直交する方向
に、各交差点では絶縁層を介して重ねられ、数１００本
程度の多数本が平行に配列されている。従って、ゲート
バスライン１４とソースバスライン１５は絶縁されて、
行及び列方向に格子状に配列されている。両バスライン
によって囲まれた絵素領域にスイッチング素子としての
ＴＦＴ１２、液晶表示素子１３および補助容量１９が形
成されている。ＴＦＴ１２のゲートはゲートバスライン
１４に接続され、ソースはソースバスライン１５に接続
され、ドレインは液晶表示素子１３および補助容量１９
に接続されている。液晶表示素子１３は絵素電極と対向
電極間で形成され、補助容量１９は絵素電極と補助容量
電極間で形成され、補助容量ラインを通して対向電極に
接続される。対向電極はアース電位等の安定電位に接続
するのが好ましいが、映像信号のフィールド毎に極性が
反転する交流駆動であってもよい。また、この実施例の
方式はＣｓｏｎＣｏｍｍｏｎであるが、Ｃｓｏｎ
Ｇａｔｅ方式でもよい。本発明の実施例の特徴とする
点は各ゲートバスラインに容量可変のコンデンサー２０
が形成されていることにある。

【００２１】次に図２（ａ）の平面図、図２（ｂ）の断
面図に基づいて、本発明の液晶表示装置の主要部分の構
造について説明する。ガラス基板２１の上に、ガラス中
のアルカリ等の不純物成分が半導体層や液晶層に拡散す
るのを防止する目的で、ＳｉＯ₂膜等のベースコート２
２を成膜する。連続して、この上に減圧ＣＶＤ法あるい
はプラズマＣＶＤ法により、アモルファスシリコンを成
膜する。プラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン
を成膜した場合は、４５０℃程度の温度で数時間熱処理
を行い、膜中の水素を放出してレーザー照射時の膜剥が
れを防止する。

【００２２】その後、エキシマレーザーでアニールを行
い、全面ポリシリコン化を行う。レーザービームが少な
くとも一つの表示領域１８のゲートバスライン１４とほ
ぼ同じか、それ以上の長さを持つような、例えば、長さ
が１５０ｍｍ、幅が１ｍｍの線状レーザービームである
場合は、レーザービームをソースバスライン方向に走査
して、全面のポリシリコン化を行う。また、レーザービ
ームが長さ数ｍｍ〜数１０ｍｍ、幅１ｍｍの長方形であ
る場合は、この長方形レーザービームの長手方向に対し
て垂直方向に走査を行う。この走査方向をゲートバスラ
インと同方向にした走査を行う。そして、このような走
査を縦軸方向（ソースバスライン方向）に移動させて繰
り返し行う。

【００２３】その後、フォトリソグラフィによりＴＦＴ
のチャンネル領域３４と以後の工程でＴＦＴのソース領
域３９、ＴＦＴのドレイン領域４０になる部分を島状に
残し、その表面全面にゲート絶縁膜２３としてＳｉＯ₂
膜を成膜する。その上に、ゲートバスライン３１を多数
本、横軸方向に平行に設け、同時にゲート電極を形成す
ると共に、この工程においてゲートバスライン３１に沿
って補助容量ライン３３とそれに接続された補助容量電
極３６を平行に設ける。ゲートバスライン３１の信号入
力側で表示領域の外側にコンデンサー下部電極４１が枝
分かれして形成される。従って、コンデンサー下部電極
４１は液晶表示パネルの表示領域とシール領域の間に形
成される。ゲートバスライン３１、コンデンサー下部電
極４１、補助容量ライン３３および補助容量電極３６は
Ａｌ合金で形成され、その表面は陽極酸化されている。

【００２４】次に、ＴＦＴのソース領域３９及びドレイ
ン領域４０の部分にリン（Ｐ）イオンをドーピングし、
活性化アニールを行い、ｎ⁺化を行う。次に層間絶縁膜
２４として、全面にＳｉＯ₂膜を成膜する。この層間絶
縁膜２４にＴＦＴのソース領域３９および容量可変コン
デンサー接続部３８にコンタクトホールをあけ、層間絶
縁膜上にソースバスライン３２を多数本、縦軸方向に平
行に設け、同時にＴＦＴのソース領域３９に接続する。
また、同時にコンデンサー上部電極３７を各ゲートバス
ラインにそれぞれ形成し、接続部３８で補助容量ライン
３３に接続する。ソースバスライン３２およびコンデン
サー上部電極３７はＡｌ合金で形成される。容量可変の
コンデンサー２０はコンデンサー下部電極４１、コンデ
ンサー上部電極３７で形成され、絶縁膜は層間絶縁膜
（ＳｉＯ₂）が使われる。

【００２５】その後、ＴＦＴのドレイン部４０にコンタ
クトホールをあけ、両バスラインで囲まれた領域内に絵
素電極３５をＩＴＯで形成し、ドレイン領域４０に接続
する。絵素電極３５の一部は補助容量電極３６と重ねら
れ、補助容量を形成する。

【００２６】その後、該アクティブマトリクス基板、対
向基板ともに配向膜の塗布、ラビング処理を行い、スペ
ーサを全面に均一散布して、周辺をシール剤でシールし
て、貼り合わせて、その間に液晶を注入して、液晶表示
パネルが完成する。

【００２７】そして、液晶表示パネルのゲートバスライ
ン、ソースバスラインに映像信号、又は試験信号を供給
して液晶表示装置の表示試験を行い、ゲートバスライン
に平行な線状の輝度むらがある場合には、対応するゲー
トバスライン及び隣接するゲートバスラインと、必要に
応じてその周辺のゲートバスラインに形成されたコンデ
ンサー上部電極３７を対向基板側より、あるいはコンデ
ンサー下部電極４１をアクティブマトリクス基板側より
レーザトリミング等の手法で上部電極３７あるいは下部
電極４１の面積を小さくする。面積を小さくする割合
は、輝度むらの状況によって異なり、対応するゲートバ
スラインでは大きい面積を切断し、隣接するゲートバス
ラインはそれより小さく切断する。そして周辺のゲート
バスラインは更にそれより小さく切断する場合と、その
逆の割合で切断する場合がある。そのどちらかの方法を
選択して、コンデンサの容量を小さくし、ゲート信号の
なまりを制御して液晶表示装置の表示領域内の輝度むら
を許容限度内に修正する。

【００２８】なお、走査線駆動回路、信号線駆動回路は
図示していないが、通常のＬＳＩを液晶表示パネルの外
周に接続するか、アクティブマトリクス基板の表示領域
の外側にポリシリコンＴＦＴを用いてそれぞれの回路を
形成するものとする。

【００２９】この実施例では、コンデンサは、表示領域
とシール領域の間に形成したが、要するに表示領域の外
側にあればよく、したがって、シール領域の中、あるい
はシール領域よりも外側のアクティブマトリクス基板に
形成することができる。

【００３０】（実施例２）等価回路図は実施例１の図１
と同じであるが、図３（ａ）の平面図、図３（ｂ）の断
面図に示すように、コンデンサーの下部電極４１がＴＦ
Ｔを構成するポリシリコンよりなり、ＴＦＴと同時形成
され、Ｐイオンがドーピングされｎ⁺化され、ゲート絶
縁膜にコンタクトホールをあけ、補助容量ライン３３に
接続されている点と、コンデンサの上部電極３７がゲー
トバスラインより枝分かれして形成されたている点に特
徴を有する。この場合、コンデンサー２０はコンデンサ
ー下部電極４１とコンデンサー上部電極３７で形成され
るが、絶縁膜はゲート絶縁膜ＳｉＯ₂が使われる。従っ
て、コンデンサー下部電極４１は液晶表示パネルの表示
領域とシール領域の間に形成される。

【００３１】輝度むらの修正は実施例１同様にコンデン
サー２０の容量を変えることにより、ゲート信号のなま
りの制御によって行う。コンデンサー２０の容量の制御
は、レーザ照射のエネルギー調整により、コンデンサー
下部電極４１のｎ⁺ポリシリコンを部分的に再アモルフ
ァス化することにより、コンデンサー容量を減少させる
ことができる。ｎ⁺ポリシリコンのシート抵抗は１ＫΩ
／□前後であるが、アモルファス化するとポリシリコン
に比べ、抵抗が３桁以上高くなり、コンデンサーの電極
として働かなくなり、容量が減少する。再度、ポリシリ
コン化に必要なエネルギーのレーザー照射により、ポリ
シリコン化すると、容量を増加させることができる。

【００３２】なお、走査線駆動回路、信号線駆動回路は
図示していないが、通常のＬＳＩを液晶表示パネルの外
周に接続するか、アクティブマトリクス基板の表示領域
の外側にポリシリコンＴＦＴを用いてそれぞれの回路を
形成するものとする。

【００３３】この実施例では、コンデンサは、表示領域
とシール領域の間に形成したが、要するに表示領域の外
側にあればよく、したがって、シール領域の中、あるい
はシール領域よりも外側のアクティブマトリクス基板に
形成することができる。

【００３４】（実施例３）図４（ａ）の平面図、図４
（ｂ）の断面図に基づいて、液晶表示装置の構造につい
て説明する。図２（ａ）、図２（ｂ）と対応する部分に
は同一符号を付した。ガラス基板２１の上にガラス中の
アルカリ成分が半導体層や液晶層中に侵入するのを防止
する目的でベースコート２２としてＳｉＯ₂膜を成膜す
る。連続に、この上にアモルファスシリコンを成膜す
る。その後、エキシマレーザーでアニールを行い、全面
ポリシリコン化を行う。レーザービームが少なくとも一
つの表示領域１８のゲートバスライン１４とほぼ同じ
か、それ以上の長さを持つような、例えば、長さが１５
０ｍｍ、幅が１ｍｍの線状レーザービームである場合
は、レーザービームをソースバスライン方向に走査し
て、全面のポリシリコン化を行う。また、レーザービー
ムが長さ数ｍｍ〜数１０ｍｍ、幅１ｍｍの長方形である
場合は、この長方形レーザービームの長手方向に対して
垂直方向に走査を行う。この走査方向をゲートバスライ
ンと同方向にした走査を行う。そして、このような走査
を縦軸方向（ソースバスライン方向）に移動させて繰り
返し行う。

【００３５】その後、フォトリソグラフィによりＴＦＴ
のチャンネル領域３４と以後の工程でＴＦＴのソース領
域３９、ＴＦＴのドレイン領域４０になる部分を合わせ
て島状に残し、その表面全面にゲート絶縁膜２３として
ＳｉＯ₂膜を成膜する。その上に、ゲートバスライン３
１を多数本、横軸方向に平行に設け、ゲートバスライン
３１に沿って補助容量ライン３３と、それに接続された
補助容量電極３６を平行に設ける。ゲートバスライン３
１の信号入力側で表示領域の外側にコンデンサー下部電
極４１が枝分かれして形成される。従って、コンデンサ
ー下部電極４１は液晶表示パネルの表示領域とシール領
域の間に形成される。ゲートバスライン３１、コンデン
サー下部電極４１、補助容量ライン３３および補助容量
電極はＡｌ合金で形成され、その表面は陽極酸化されて
いる。

【００３６】次に、ＴＦＴのソース領域３９及びドレイ
ン領域４０の部分にＰイオンをドーピングし、活性化ア
ニールを行い、ｎ⁺化を行う。次に層間絶縁膜２４とし
て、全面にＳｉＯ₂膜を成膜する。ＴＦＴのソース領域
３９にコンタクトホールをあけ、ソースバスライン３２
を多数本、縦軸方向に設け、ＴＦＴのソース領域３９に
接続する。ここで、ソースバスライン３２はＡｌ合金で
形成される。ＴＦＴのドレイン領域４０にコンタクトホ
ールをあけ、絵素電極３５をＩＴＯで形成し、ドレイン
領域４０に接続する。一方、ガラス基板３０に対向電極
２９を形成した対向基板２６を作製する。その後、アク
ティブマトリクス基板２５、対向基板２６ともに配向膜
２７の塗布、ラビング処理を行い、スペーサを全面に均
一散布して、周辺をシール剤によりシールして貼り合わ
せて、その間に液晶２８を注入して、液晶表示装置が完
成する。容量可変のコンデンサー２０はコンデンサー下
部電極４１と対向電極２９で形成され、絶縁膜は層間絶
縁膜（ＳｉＯ₂）２７と液晶２８などが使われる。

【００３７】そして、液晶表示パネルのゲートバスライ
ン、ソースバスラインに映像信号、又は試験信号を供給
して液晶表示装置の表示試験を行い、ゲートバスライン
に平行な線状の輝度むらがある場合には、対応するゲー
トバスライン及び隣接するゲートバスラインと、必要に
応じてその周辺のゲートバスラインに形成されたコンデ
ンサー下部電極４１をアクティブマトリクス基板側より
レーザトリミング等の手法で面積を小さくする。面積を
小さくする割合は、輝度むらの状況によって異なり、対
応するゲートバスラインでは大きい面積を切断し、隣接
するゲートバスラインはそれより小さく切断する。そし
て周辺のゲートバスラインは更にそれより小さく切断す
る場合と、その逆の割合で切断する場合がある。そのど
ちらかの方法を選択して、コンデンサの容量を小さく
し、ゲート信号のなまりを制御して液晶表示装置の表示
領域内の輝度むらを許容限度内に修正する。

【００３８】なお、走査線駆動回路、信号線駆動回路は
図示していないが、通常のＬＳＩを液晶表示パネルの外
周に接続するか、アクティブマトリクス基板の表示領域
の外側にポリシリコンＴＦＴを用いてそれぞれの回路を
形成するものとする。

【００３９】（評価）上記の実施例により、表示の輝度
むらが改善される程度の評価を行った結果を次に示す。

【００４０】

【表１】

【００４１】表示試験は、ゲート信号ＯＮ電圧１０Ｖ、
ＯＦＦ電圧−１０Ｖ、ソース電圧±３．５Ｖ、対向電圧
−１Ｖの中間調表示を行った場合の表示領域内の輝度む
らを測定した。表１に示すように修正により、輝度むら
が低減できることが確認できた。なお、修正は大きく輝
度のずれたところを、目立たなくするように行ったが、
さらに細かく修正を行えば、さらに均一になると考えら
れる。また、バックライト自身の輝度むらについては補
正を行った。

【００４２】実施例の初期特性においては、輝度むらは
従来技術に比べ、低減しており、ゲート信号の立ち下が
りに大きななまりを与えることにより、輝度むらを低減
する効果があることがわかる。これはフィードスルー電
圧を補償する働きが強く働き、画素電圧のばらつきを低
減するものと考えられる。

【００４３】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、液晶表
示装置の各ゲートバスラインの信号入力側の表示領域外
に容量を可変できるコンデンサーを具備することによ
り、輝度むらを許容限度以下に修正が可能であり、均一
な表示が得られる液晶表示装置を歩留まり良く生産でき
る効果がある。また、修正を行わなくても、フィードス
ルー電圧を補償する働きが強く働き、画素電圧のばらつ
きを低減するので、輝度むらを低減する効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る液晶表示装置の等価回路
図を示す。

【図２】本発明の実施例１に係る液晶表示パネルの主要
部を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図を示す。

【図３】本発明の実施例２に係る液晶表示パネルの主要
部を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図を示す。

【図４】本発明の実施例３に係る液晶表示パネルの主要
部を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図を示す。

【図５】フィードスルー電圧の説明図を示す。

【図６】従来の液晶表示装置の等価回路図を示す。

【符号の説明】

１１液晶表示パネル１２ＴＦＴ１３液晶表示素子１４走査線（ゲートバスライン）１５信号線（ソースバスライン）１６走査線駆動回路１７信号線駆動回路１８表示領域１９補助容量２０コンデンサー２１ガラス基板２２ベートコート２３ゲート絶縁膜２４層間絶縁膜２５アクティブマトリクス基板２６対向基板２７配向膜２８液晶２９対向電極３０ガラス基板３１ゲートバスライン３２ソースバスライン３３補助容量ライン３４チャンネル領域３５絵素電極３６補助容量電極３７コンデンサー上部電極３８コンデンサー接続部３９ソース領域４０ドレイン領域４１コンデンサー下部電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/336

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板上に格子状に配線された走査
線及び信号線と、該走査線及び信号線により囲まれた各
絵素領域に絵素電極と該絵素電極に接続されたスイッチ
ング素子を有するアクティブマトリクス基板と、前記絵
素電極と対向する対向電極を有する対向基板との間に液
晶材料を介在させてなる液晶表示パネルにおいて、前記
各走査線に容量を可変できるコンデンサーを具備するこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】上記コンデンサーがアクティブマトリク
ス基板上に形成されていることを特徴とする前記請求項
１記載の液晶表示装置。
【請求項３】上記コンデンサーの一方の電極がアクテ
ィブマトリクス基板上に形成され、他方の電極は対向基
板上の対向電極の一部を用いて形成されることを特徴と
する前記請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】上記コンデンサーは、液晶表示パネルの
外部よりレーザー照射により容量を調整することを特徴
とする前記請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項５】上記スイッチング素子の少なくともチャ
ンネル部が多結晶シリコンで形成されていることを特徴
とする前記請求項１記載の液晶表示装置。