JPH10265741A - Tacky film for grinding back of semiconductor wafer and grinding back of semiconductor wafer - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain the subject film capable of corresponding to increase in diameter of a semiconductor wafer, thinning and high performance of IC, by providing one face of a substrate film with a specific tacky agent layer. SOLUTION: This film comprises a tacky agent layer which is composed of (A) 100 pts.wt. of a base polymer obtained by copolymerizing a monomer mixture consisting essentially of (i) 40-98 wt.% of at least one selected from a monomer group having a structure of formula I [R1 is H or CH3 ; X is COOR2 , CONHR3 (R2 and R3 are each a 10-50C aliphatic group, etc.), etc.], (ii) 1-30 wt.% of a monomer containing a functional group to be cross-linked with a cross-linking agent and (iii) 1-59 wt.% of a monomer copolymerizable with the components (i) and (ii) and (B) 0.1-5 pts.wt. of a cross-linking agent and has 150-2,000 g/25 mm tack strength when stuck to a SUS 304-BA plate in a temperature range of 0 deg.C<A deg.C<40 deg.C and <=100 g/25 mm tack strength when cooled to a temperature range of the equation -50 deg.C<=B deg.C<=C deg.C<=(A-3) deg.C in the stuck state to the plate in the temperature range.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ裏面
研削用粘着フィルムおよび該フィルムを用いた半導体ウ
エハの裏面研削方法に関する。詳しくは、温度変化によ
って粘着力が劇的に変化する粘着剤層を有した半導体ウ
エハ裏面研削用粘着フィルムおよび、該粘着フィルム
を、シリコンウエハ等の半導体ウエハの集積回路が組み
込まれた側の面（以下、ウエハ表面という）に貼付して
該半導体ウエハの他の面（以下、ウエハ裏面という）を
研削し、研削終了後に剥離する方法に関する。The present invention relates to an adhesive film for grinding a back surface of a semiconductor wafer and a method for grinding a back surface of a semiconductor wafer using the film. More specifically, a pressure-sensitive adhesive film for grinding the back surface of a semiconductor wafer having a pressure-sensitive adhesive layer whose adhesive force changes drastically with a change in temperature, and a surface on the side of a semiconductor wafer such as a silicon wafer on which an integrated circuit is incorporated. The present invention relates to a method of affixing to a wafer surface (hereinafter, referred to as a wafer front surface), grinding another surface of the semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer back surface), and peeling the semiconductor wafer after finishing the grinding.

【０００２】[0002]

【従来の技術】通常、半導体集積回路は、高純度シリコ
ン単結晶等をスライスしてウエハとした後、イオン注
入、エッチング等によりその表面に集積回路を形成し、
更にウエハの裏面をグラインディング、ポリッシング、
ラッピング等により研削し、ウエハの厚さを１００〜６
００μｍ程度まで薄くしてから、ダイシングしてチップ
化する方法で製造されている。これらの工程の中で、半
導体ウエハ裏面の研削時に半導体ウエハの破損を防止し
たり、研削加工を容易にするため、粘着フィルムをその
粘着剤層を介してウエハ表面に貼付して保護する方法が
用いられている。2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor integrated circuit is formed by slicing a high-purity silicon single crystal or the like into a wafer, and then forming an integrated circuit on the surface by ion implantation, etching, or the like.
In addition, grinding, polishing,
Grinding by lapping etc. to reduce the wafer thickness to 100-6
It is manufactured by a method of thinning to about 00 μm, and then dicing to make chips. In these steps, a method of protecting the semiconductor wafer by attaching the adhesive film to the wafer surface via the adhesive layer to prevent breakage of the semiconductor wafer when grinding the back surface of the semiconductor wafer or to facilitate the grinding process is known. Used.

【０００３】粘着フィルムをウエハ表面に貼着してウエ
ハ裏面を研削する場合、該粘着フィルムに求められる性
能の一つに、半導体ウエハ表面に対する粘着特性が挙げ
られる。具体的には、ウエハ裏面研削時には剥離しない
程度の高い粘着力を有し、また剥離時には作業性がよく
且つ半導体ウエハを破損しない程度の低い粘着力が必要
とされている。When the adhesive film is attached to the surface of the wafer and the back surface of the wafer is ground, one of the properties required for the adhesive film is an adhesive property to the surface of the semiconductor wafer. Specifically, it is required to have a high adhesive force that does not peel when grinding the back surface of the wafer, and a low adhesive force that has good workability and does not damage the semiconductor wafer during peeling.

【０００４】しかし、近年、大容量化、高集積化、半導
体チップの量産化、小型軽量化等が図られるに伴い、半
導体ウエハは大口径化し、また半導体ウエハの厚みはさ
らに薄く成る傾向があり、半導体ウエハ裏面研削時の表
面保護と、剥離の際の作業性、非破損性のバランスを保
つことが難しくなってきている。However, in recent years, as the capacity, the degree of integration, the mass production of semiconductor chips, and the size and weight of the semiconductor chips have been increased, the diameter of the semiconductor wafer has tended to increase, and the thickness of the semiconductor wafer has tended to decrease further. It has become difficult to maintain a balance between surface protection during grinding of the back surface of the semiconductor wafer, workability during peeling, and non-breakability.

【０００５】これらの問題を解決する方法として、例え
ば、特開昭６０−１８９９３８号公報には、半導体ウエ
ハの裏面を研磨するにあたり、このウエハの表面に感圧
性接着フィルムを貼り付け、上記の研磨後この接着フィ
ルムを剥離する半導体ウエハの保護方法において、上記
の感圧性接着フィルムが光透過性の支持体とこの支持体
上に設けられた光照射により硬化し三次元網状化する性
質を有する感圧性接着剤層とからなり、研磨後この接着
フィルムを剥離する前にこの接着フィルムに光照射する
ことを特徴とする半導体ウエハの保護方法が開示されて
いる。As a method for solving these problems, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-189938 discloses a method of polishing a back surface of a semiconductor wafer by attaching a pressure-sensitive adhesive film to the surface of the wafer and polishing the back surface of the wafer. Then, in the method for protecting a semiconductor wafer in which this adhesive film is peeled off, the pressure-sensitive adhesive film has a light-transmitting support and a light-sensitive material having a property of being hardened by light irradiation provided on the support to form a three-dimensional network. A method for protecting a semiconductor wafer, comprising a pressure-sensitive adhesive layer and irradiating the adhesive film with light after polishing and before peeling the adhesive film, is disclosed.

【０００６】しかし、該発明に開示されている光照射に
より硬化し三次元網状化する性質を有する感圧性接着剤
層（粘着剤層）は、ラジカル重合により重合する粘着剤
層であるため、ウエハと粘着剤層の間に酸素が入り込ん
だ場合には、酸素の重合禁止効果により硬化反応が十分
に進まず、半導体ウエハ裏面研磨後の剥離時に凝集力の
低い未硬化の粘着剤がウエハ表面を汚染することがあっ
た。集積回路が形成された半導体ウエハ表面には複雑な
凹凸があり、空気（酸素）を全く挟み込まずに貼付する
ことは不可能である。また、貼付のために酸素を除いた
系を作り出すには大掛かりな装置と大きなコストが必要
となる。この様な粘着剤層に起因する汚染は、溶剤等に
よる洗浄で除去できる場合もあるが、ほとんどの場合、
完全に除去できないのが現状である。However, the pressure-sensitive adhesive layer (pressure-sensitive adhesive layer) disclosed in the present invention, which has the property of being cured by light irradiation and of forming a three-dimensional network, is a pressure-sensitive adhesive layer which is polymerized by radical polymerization. When oxygen enters between the adhesive layer and the adhesive layer, the curing reaction does not proceed sufficiently due to the effect of inhibiting the polymerization of oxygen. May be contaminated. There are complicated irregularities on the surface of the semiconductor wafer on which the integrated circuit is formed, and it is impossible to attach the semiconductor wafer without sandwiching air (oxygen) at all. In addition, a large-scale apparatus and a large cost are required to create a system from which oxygen is removed for application. Contamination caused by such an adhesive layer can be removed by washing with a solvent or the like, but in most cases,
At present, it cannot be completely removed.

【０００７】また、上記発明は、感圧性接着フィルム
（粘着フィルム）を剥離する際に照射する光として実質
的に紫外線を用いている。しかし、この紫外線は、其自
体が皮膚癌を誘発する等の疾患の原因になったり、オゾ
ンを発生させたりする等、作業環境衛生上の問題からは
使用しない方が望ましいとされている。Further, in the above-mentioned invention, ultraviolet rays are substantially used as light to be applied when peeling the pressure-sensitive adhesive film (adhesive film). However, it is said that it is not desirable to use this ultraviolet light from the viewpoint of work environment hygiene, such as causing a disease such as inducing skin cancer or generating ozone.

【０００８】近年、半導体ウエハの大口径化、薄層化お
よびＩＣの高性能化に伴い、半導体ウエハ表面への汚染
が少なく、且つ、ウエハ裏面の研削時や粘着フィルムの
剥離時にウエハを破損せず、尚かつ、作業環境を悪化さ
せない半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムおよび該フ
ィルムを用いた裏面研削方法が望まれている。In recent years, as semiconductor wafers have become larger and thinner and ICs have higher performance, contamination on the surface of the semiconductor wafer has been reduced, and the wafer has been damaged during grinding of the back surface of the wafer and peeling of the adhesive film. In addition, there is a demand for an adhesive film for grinding a back surface of a semiconductor wafer, which does not deteriorate the working environment, and a back grinding method using the film.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】以上の点に鑑み、本発
明の目的は、半導体ウエハの裏面研削時には強い粘着力
でウエハ表面を保護し、剥離の際には冷却することによ
り粘着力が低下して半導体ウエハを破損させずに剥離す
ることができ、尚かつ、剥離後に粘着剤層からの半導体
ウエハ表面に付着する汚染物が殆どない特定の粘着フィ
ルムを使用することにより、半導体ウエハの大口径化、
薄層化およびＩＣの高性能化に対応できる半導体ウエハ
裏面研削用粘着フィルムおよび該フィルムを用いた裏面
研削方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above, an object of the present invention is to protect the wafer surface with a strong adhesive force when grinding the back surface of a semiconductor wafer and to reduce the adhesive force by cooling when peeling the semiconductor wafer. By using a specific adhesive film that can be peeled without damaging the semiconductor wafer and that hardly contaminates the adhesive from the adhesive layer to the surface of the semiconductor wafer after the peeling, the size of the semiconductor wafer can be reduced. Caliber,
An object of the present invention is to provide a pressure-sensitive adhesive film for grinding a back surface of a semiconductor wafer and a method for grinding a back surface using the film, which can cope with a thinner layer and higher performance of an IC.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、特定のモノマーを共重合したベースポリマーを
架橋剤によって架橋した構成の粘着剤層を有し、温度変
化に対して特定の粘着特性を有する様に調整された粘着
フィルムを用いて、特定の温度範囲内において、ウエハ
表面に貼付して裏面研削を行い、研削終了後、特定の低
温領域に冷却しながら剥離することにより、ウエハを破
損したり、表面を汚染することもなく、上記目的を達成
し得ることを見出し、本発明に到った。Means for Solving the Problems As a result of diligent studies, the present inventors have found that a pressure-sensitive adhesive layer having a constitution in which a base polymer obtained by copolymerizing a specific monomer is crosslinked with a crosslinker, and a specific By using an adhesive film that has been adjusted to have adhesive properties, within a specific temperature range, affixed to the wafer surface and back-ground, after finishing grinding, peeling while cooling to a specific low-temperature region, The present inventors have found that the above object can be achieved without damaging the wafer or contaminating the surface, and reached the present invention.

【００１１】すなわち、本発明の第１発明は、基材フィ
ルムの片面に粘着剤層が設けられた半導体ウエハ裏面研
削用粘着フィルムであって、該粘着剤層が、一般式
（１）〔化２〕That is, a first invention of the present invention is an adhesive film for grinding a back surface of a semiconductor wafer, wherein an adhesive layer is provided on one side of a base film, wherein the adhesive layer has a general formula (1) 2]

【００１２】[0012]

【化２】 （式中、Ｒ₁は−Ｈまたは−ＣＨ₃、Ｘは−ＣＯＯＲ₂、
−ＣＯＮＨＲ₃、−ＯＲ₄、−ＯＣＯＲ₅、−Ｒ₆または−
Ｃ₆Ｈ₄−Ｒ₇を示す。ここで、Ｒ₂〜Ｒ₆は炭素数が１０
〜５０の脂肪族基、または少なくとも一部がフッ素置換
された炭素数が６〜５０の脂肪族基、Ｒ₇は炭素数が８
〜２４のアルキル基を示す）の構造を有するモノマー群
から選ばれた少なくとも一種のモノマー（Ｉ）４０〜９
８重量％、架橋剤と架橋反応しうる官能基を有するモノ
マー（II）１〜３０重量％、及び、モノマー（Ｉ）及び
（II）と共重合可能なモノマー（III）１〜５９重量％
を必須成分として含むモノマー混合物を共重合して得ら
れたベースポリマー１００重量部、並びに、架橋剤０．
１〜５重量部を含み、Ａ℃〜４０℃（０℃＜Ａ℃＜４０
℃）の温度範囲においてＳＵＳ３０４−ＢＡ板に貼着し
たときの該温度範囲における粘着力が１５０〜２，００
０ｇ／２５ｍｍ、前記温度範囲でＳＵＳ３０４−ＢＡ板
に貼着した状態でＢ℃〜Ｃ℃〔−５０℃≦Ｂ℃≦Ｃ℃≦
（Ａ−３）℃〕の温度範囲に冷却したときのＳＵＳ３０
４−ＢＡ板に対する粘着力が１００ｇ／２５ｍｍ以下で
あることを特徴とする半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルムである。Embedded image (Wherein, R ₁ is —H or —CH ₃ , X is —COOR ₂ ,
_{-CONHR 3, -OR 4, -OCOR 5} , -R 6 or -
C ₆ H ₄ -R ₇ is shown. Here, R _{2 to} R ₆ have 10 carbon atoms.
50 aliphatic group or at least partially fluorine-substituted aliphatic group having a carbon number of 6 to 50,, R ₇ has a carbon number 8
At least one monomer (I) selected from the group consisting of monomers having the following structures:
8% by weight, 1 to 30% by weight of a monomer (II) having a functional group capable of undergoing a crosslinking reaction with a crosslinking agent, and 1 to 59% by weight of a monomer (III) copolymerizable with the monomers (I) and (II)
And 100% by weight of a base polymer obtained by copolymerizing a monomer mixture containing, as an essential component,
A to 40 ° C. (0 ° C. <A ° C. <40
C) in a temperature range of 150 to 2,000 when the adhesive force is applied to the SUS304-BA plate in the temperature range.
0 ° C./25 mm, B ° C. to C ° C. [−50 ° C. ≦ B ° C. ≦ C ° C.
SUS30 when cooled to the temperature range of (A-3) ° C]
An adhesive film for grinding a back surface of a semiconductor wafer, wherein the adhesive strength to a 4-BA plate is 100 g / 25 mm or less.

【００１３】本発明の第２発明は、半導体ウエハの裏面
研削時に粘着フィルムをその表面に貼着し、研削終了後
に剥離する半導体ウエハの裏面研削方法であって、半導
体ウエハの表面に上記の半導体ウエハ裏面研削用粘着フ
ィルムをＡ℃〜４０℃（０℃＜Ａ℃＜４０℃）の温度範
囲において貼着して、該温度範囲に保たれた冷却水をか
けながら半導体ウエハの裏面を研削し、次いで、Ｂ℃〜
Ｃ℃〔−５０℃≦Ｂ℃≦Ｃ℃≦（Ａ−３）℃〕の温度範
囲に冷却した後に半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム
を剥離することを特徴とする半導体ウエハの裏面研削方
法である。[0013] A second invention of the present invention is a method of grinding a back surface of a semiconductor wafer, in which an adhesive film is adhered to the back surface of the semiconductor wafer at the time of grinding the back surface and peeled after the grinding is completed. An adhesive film for grinding the back surface of a wafer is stuck in a temperature range of A ° C. to 40 ° C. (0 ° C. <A ° C. <40 ° C.), and the back surface of the semiconductor wafer is ground while applying cooling water maintained in the temperature range. , Then B ° C ~
A method for grinding the back surface of a semiconductor wafer, comprising: cooling the film to a temperature range of C ° C. [−50 ° C. ≦ B ° C. ≦ C ° C. ≦ (A-3) ° C.]; .

【００１４】本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルムは、Ａ℃〜４０℃（０℃＜Ａ℃＜４０℃）の温度範
囲において半導体ウエハの裏面を研削する際には、強い
粘着力でウエハ表面に貼着してそれを保護し、ウエハの
破損等を防止する。また、裏面研削終了後、該粘着フィ
ルムを剥離する際には、Ｂ℃〜Ｃ℃〔−５０℃≦Ｂ℃≦
Ｃ℃≦（Ａ−３）℃〕の温度範囲に冷却することにより
粘着力を低下させ得る。The adhesive film for grinding the back surface of a semiconductor wafer of the present invention has a strong adhesive force when grinding the back surface of a semiconductor wafer in a temperature range of A ° C. to 40 ° C. (0 ° C. <A ° C. <40 ° C.). It is adhered to the surface to protect it and prevent breakage of the wafer. Further, after the back surface grinding, when peeling the pressure-sensitive adhesive film, B ℃ ~ C ℃ [-50 ℃ ≤ B ℃ ≤
By cooling to a temperature range of C ° C. ≦ (A-3) ° C.], the adhesive strength can be reduced.

【００１５】そのため、剥離応力による半導体ウエハの
破損を防止することができる。さらに、粘着フィルムを
剥離した後には、ウエハ表面に粘着剤層に起因する汚染
物が殆ど付着することがなく、ウエハ表面の汚染防止に
も優れた効果を発揮する。従って、本発明によれば、半
導体ウエハの大口径化、薄層化、及びＩＣの高性能化に
対応できる半導体ウエハの裏面研削方法が提供される。
また、作業環境を悪化させることもない。Therefore, damage of the semiconductor wafer due to peeling stress can be prevented. Furthermore, after the adhesive film is peeled off, contaminants caused by the adhesive layer hardly adhere to the wafer surface, and an excellent effect of preventing contamination of the wafer surface is exhibited. Therefore, according to the present invention, there is provided a method of grinding a back surface of a semiconductor wafer which can cope with an increase in diameter and thickness of the semiconductor wafer and an improvement in the performance of ICs.
Also, the working environment is not deteriorated.

【００１６】[0016]

【発明の実施の形態】本発明の第１発明は、粘着力が温
度変化に対して劇的に変化しうる半導体ウエハ裏面研削
用粘着フィルム（以下、粘着フィルムという）である。
第２発明は、粘着フィルムを、Ａ℃〜４０℃（０℃＜Ａ
℃＜４０℃）の温度範囲において粘着剤層を介して半導
体ウエハの表面に貼着し、さらに該温度範囲内の冷却水
をかけながらウエハ裏面を研削することによりウエハ表
面を保護し、次いで、該温度範囲より低温領域であるＢ
℃〜Ｃ℃〔−５０℃≦Ｂ℃≦Ｃ℃≦（Ａ−３）℃〕の温
度範囲に冷却し、冷却状態を維持しながら、該粘着フィ
ルムを剥離することを特徴とする半導体ウエハの裏面研
削方法である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The first invention of the present invention is an adhesive film for grinding the back surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as an adhesive film) whose adhesive force can change drastically with a change in temperature.
In the second invention, the pressure-sensitive adhesive film is formed from A ° C to 40 ° C (0 ° C <A
(<40 ° C.) in a temperature range of 30 ° C.) through a pressure-sensitive adhesive layer on the surface of the semiconductor wafer, and further protect the wafer surface by grinding the back surface of the wafer while applying cooling water within the temperature range. B which is lower than the temperature range
A semiconductor wafer, wherein the adhesive film is peeled off while cooling to a temperature range of -50 ° C ≤ B ° C ≤ C ° C ≤ (A-3) ℃. This is a backside grinding method.

【００１７】先ず、本発明の粘着フィルムの製造方法に
ついて説明する。本発明の粘着フィルムは、基材フィル
ムに粘着剤層を構成する成分を含有した粘着剤溶液また
はエマルジョン液（以下、粘着剤塗布液という）を塗
布、乾燥して粘着剤層を形成することにより製造され
る。この場合、環境に起因する汚染等から粘着剤層を保
護するために粘着剤層の表面に剥離フィルムを貼着する
ことが好ましい。また、剥離フィルムの片表面に粘着剤
を塗布、乾燥して粘着剤層を形成した後、粘着剤層の表
面に基材フィルムを貼付して粘着剤層を基材フィルム側
に転着する方法によっても製造される。この場合は、粘
着剤層を乾燥する際等において粘着剤層表面が汚染され
ない利点がある。First, the method for producing the pressure-sensitive adhesive film of the present invention will be described. The pressure-sensitive adhesive film of the present invention is obtained by applying a pressure-sensitive adhesive solution or an emulsion solution (hereinafter, referred to as a pressure-sensitive adhesive coating solution) containing a component constituting a pressure-sensitive adhesive layer to a base film and drying the pressure-sensitive adhesive layer to form a pressure-sensitive adhesive layer. Manufactured. In this case, it is preferable to attach a release film to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer in order to protect the pressure-sensitive adhesive layer from contamination caused by the environment. Also, a method of applying a pressure-sensitive adhesive on one surface of a release film and drying to form a pressure-sensitive adhesive layer, then attaching a substrate film to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer and transferring the pressure-sensitive adhesive layer to the substrate film side It is also manufactured by In this case, there is an advantage that the surface of the pressure-sensitive adhesive layer is not contaminated when the pressure-sensitive adhesive layer is dried.

【００１８】基材フィルムまたは剥離フィルムのいずれ
の片表面に粘着剤塗布液を塗布するかは、基材フィルム
及び剥離フィルムの耐熱性、表面張力、半導体ウエハ表
面への汚染性等を考慮して決める。例えば、剥離フィル
ムの耐熱性が基材フィルムのそれより優れている場合
は、剥離フィルムの表面に粘着剤層を設けた後、基材フ
ィルムへ転写する。耐熱性が同等または基材フィルムの
方が優れている場合は、基材フィルムの表面に粘着剤層
を設け、その表面に剥離フィルムを貼付する。しかし、
粘着フィルムは、剥離フィルムを剥離したときに露出す
る粘着剤層の表面を介して半導体ウエハ表面に貼付され
ることを考慮し、粘着剤層による半導体ウエハ表面の汚
染防止を図るためには、耐熱性の良好な剥離フィルムを
使用し、その表面に粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着
剤層を形成する方法が好ましい。The surface of the base film or the release film to which the pressure-sensitive adhesive coating solution is applied is determined in consideration of heat resistance, surface tension, contamination of the semiconductor wafer surface, and the like of the base film and the release film. Decide. For example, when the heat resistance of the release film is superior to that of the base film, an adhesive layer is provided on the surface of the release film and then transferred to the base film. If the heat resistance is the same or the base film is better, a pressure-sensitive adhesive layer is provided on the surface of the base film, and a release film is attached to the surface. But,
Considering that the adhesive film is attached to the semiconductor wafer surface via the surface of the adhesive layer that is exposed when the release film is peeled off, in order to prevent contamination of the semiconductor wafer surface with the adhesive layer, heat-resistant A method is preferred in which a release film having good properties is used, and a pressure-sensitive adhesive coating solution is applied to the surface thereof and dried to form a pressure-sensitive adhesive layer.

【００１９】本発明の粘着フィルムに用いる基材フィル
ムとして、合成樹脂、天然ゴム、合成ゴム等から製造さ
れたフィルムが挙げられる。具体的に例示するならば、
エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メタクリル
酸共重合体、ポリブタジエン、軟質塩化ビニル樹脂、ポ
リオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、アイオノマ
ー等の樹脂、およびそれらの共重合体エラストマー、お
よびジエン系、ニトリル系、シリコーン系、アクリル系
等の合成ゴム等のフィルムが挙げられる。基材フィルム
は単層体であっても、また、積層体であってもよい。Examples of the base film used for the pressure-sensitive adhesive film of the present invention include films made of synthetic resin, natural rubber, synthetic rubber and the like. To give a concrete example,
Ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-methacrylic acid copolymer, polybutadiene, soft vinyl chloride resin, polyolefin, polyester, polyamide, ionomer, and other resins, and their copolymer elastomers, and diene, nitrile, and silicone And films of synthetic rubber such as acryl based. The base film may be a single layer or a laminate.

【００２０】基材フィルムの厚みは、半導体ウエハ裏面
を研削する際のウエハの破損防止、ウエハ表面への貼付
作業性および剥離作業性等に影響する。かかる観点か
ら、基材フィルムの厚みは、通常、３０〜６００μｍで
ある。好ましくは１００〜３００μｍである。基材フィ
ルムの厚み精度は、粘着フィルムの厚み精度に影響を与
え、ひいては裏面研削後の半導体ウエハの厚み精度に影
響を与える。従って、基材フィルムは上記範囲の厚みに
おいて±５μｍ以内の精度で作成されたものが好まし
い。さらに好ましくは±３μｍ以内である。The thickness of the base film affects the prevention of breakage of the wafer when grinding the back surface of the semiconductor wafer, the workability of sticking to the wafer surface and the workability of peeling. From such a viewpoint, the thickness of the base film is usually 30 to 600 μm. Preferably it is 100 to 300 μm. The thickness accuracy of the base film affects the thickness accuracy of the adhesive film, and thus the thickness accuracy of the semiconductor wafer after the back surface grinding. Therefore, it is preferable that the base film is formed with an accuracy of ± 5 μm or less in the above thickness range. More preferably, it is within ± 3 μm.

【００２１】裏面を研削する際の半導体ウエハの破損防
止を考慮すると、基材フィルムの硬度は、ＡＳＴＭ−Ｄ
−２２４０に規定されるショアーＤ型硬度が４０以下で
ある樹脂をフィルム状に成形加工した弾性フィルム、例
えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、ポリブ
タジエンフィルム等が好ましく用いられる。この場合、
基材フィルムの粘着剤層が設けられる面の反対側の面
に、これより硬いフィルム、具体的には、ショアーＤ型
硬度が４０を超える樹脂をフィルム状に成形加工したフ
ィルムを積層することが好ましい。そのことにより、粘
着フィルムの剛性が増し、貼付作業性及び剥離作業性が
改善される。Considering the prevention of breakage of the semiconductor wafer when grinding the back surface, the hardness of the base film is ASTM-D.
An elastic film obtained by forming a resin having a Shore D-type hardness of 40 or less specified in -2240 into a film shape, for example, an ethylene-vinyl acetate copolymer film, a polybutadiene film and the like are preferably used. in this case,
On the surface of the base film opposite to the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer is provided, a film harder than this, specifically, a film formed by processing a resin having a Shore D-type hardness of more than 40 into a film may be laminated. preferable. Thereby, the rigidity of the pressure-sensitive adhesive film is increased, and the sticking workability and the peeling workability are improved.

【００２２】また、半導体ウエハの裏面を研削した後に
施される酸やアルカリ等のエッチング液によるエッチン
グ処理の際にも引続き、半導体ウエハ裏面研削用粘着フ
ィルムを貼付して半導体ウエハの表面を保護する場合に
は、耐薬品性に優れた基材フィルムを使用することが好
ましい。耐薬品性フィルムを基材フィルムの粘着剤層と
反対側に積層してもよい。耐薬品性のフィルムしては、
例えばポリエチレンフィルムやポリプロピレンフィルム
等が挙げられる。In addition, an adhesive film for grinding the back surface of the semiconductor wafer is adhered to protect the surface of the semiconductor wafer during the etching process using an etching solution such as an acid or an alkali which is applied after grinding the back surface of the semiconductor wafer. In this case, it is preferable to use a substrate film having excellent chemical resistance. A chemical resistant film may be laminated on the side of the base film opposite to the pressure-sensitive adhesive layer. For a chemical resistant film,
For example, a polyethylene film or a polypropylene film may be used.

【００２３】基材フィルムと粘着剤層との接着力を向上
させるため、基材フィルムの粘着剤層を設ける面にはコ
ロナ放電処理または化学処理等を施すことが好ましい。
また、基材フィルムと粘着剤層の間に下塗り剤を用いて
もよい。In order to improve the adhesive strength between the substrate film and the pressure-sensitive adhesive layer, it is preferable that the surface of the substrate film on which the pressure-sensitive adhesive layer is provided is subjected to a corona discharge treatment or a chemical treatment.
An undercoat may be used between the base film and the pressure-sensitive adhesive layer.

【００２４】本発明の粘着フィルムの粘着剤層表面に配
設する剥離フィルムとして、ポリプロピレン、ポリエチ
レンテレフタレート等の合成樹脂フィルムが挙げられ
る。必要に応じてその表面にシリコーン処理等が施され
たものが好ましい。剥離フィルムの厚みは、通常２０〜
３００μｍである。好ましくは３０〜１００μｍであ
る。Examples of the release film provided on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film of the present invention include synthetic resin films such as polypropylene and polyethylene terephthalate. Preferably, the surface thereof is subjected to a silicone treatment or the like as necessary. The thickness of the release film is usually 20 to
It is 300 μm. Preferably it is 30 to 100 μm.

【００２５】本発明の粘着フィルムに用いる粘着剤層
は、特定の構成のモノマー混合物を共重合したベースポ
リマーを特定量の架橋剤によって架橋した構成の粘着剤
層であり、粘着フィルムが、Ａ℃〜４０℃（０℃＜Ａ℃
＜４０℃）の温度範囲においてウエハ裏面研削時に表面
を保護するに充分な粘着力を示し、剥離時に該温度範囲
外の低温領域であるＢ℃〜Ｃ℃〔−５０℃≦Ｂ℃≦Ｃ℃
≦（Ａ−３）℃〕の温度範囲に冷却することにより、粘
着力が低下しウエハを破損せずに剥離する性質を有す
る。The pressure-sensitive adhesive layer used in the pressure-sensitive adhesive film of the present invention is a pressure-sensitive adhesive layer having a constitution in which a base polymer obtained by copolymerizing a monomer mixture having a specific constitution is crosslinked with a specific amount of a crosslinking agent. -40 ° C (0 ° C <A ° C
In the temperature range of <40 ° C.), it exhibits sufficient adhesive strength to protect the surface during wafer back grinding, and has a low-temperature range outside the temperature range of B ° C. to C ° C. [−50 ° C. ≦ B ° C. ≦ C °
By cooling to a temperature range of ≦ (A−3) ° C.], the adhesive strength is reduced and the wafer is peeled without being damaged.

【００２６】ベースポリマーは、一般式（１）〔化３〕The base polymer is represented by the general formula (1)

【００２７】[0027]

【化３】 （式中、Ｒ₁は−Ｈまたは−ＣＨ₃、Ｘは−ＣＯＯＲ₂、
−ＣＯＮＨＲ₃、−ＯＲ₄、−ＯＣＯＲ₅、−Ｒ₆または−
Ｃ₆Ｈ₄−Ｒ₇を示す。ここで、Ｒ₂〜Ｒ₆は炭素数が１０
〜５０の脂肪族基、または少なくとも一部がフッ素置換
された炭素数が６〜５０の脂肪族基、Ｒ₇は炭素数が８
〜２４のアルキル基を示す）の構造を有するモノマー群
から選ばれた少なくとも一種のモノマー（Ｉ）、架橋剤
と架橋反応しうる官能基を有するモノマー（II）、並び
に、モノマー（Ｉ）及び（II）と共重合可能なモノマー
（III）を必須成分として含むモノマー混合物を共重合
することにより得られる。Embedded image (Wherein, R ₁ is —H or —CH ₃ , X is —COOR ₂ ,
_{-CONHR 3, -OR 4, -OCOR 5} , -R 6 or -
C ₆ H ₄ -R ₇ is shown. Here, R _{2 to} R ₆ have 10 carbon atoms.
50 aliphatic group or at least partially fluorine-substituted aliphatic group having a carbon number of 6 to 50,, R ₇ has a carbon number 8
At least one monomer (I) selected from the group of monomers having the following structures (showing an alkyl group of from 24 to 24), a monomer (II) having a functional group capable of undergoing a crosslinking reaction with a crosslinking agent, and monomers (I) and ( It is obtained by copolymerizing a monomer mixture containing a monomer (III) copolymerizable with II) as an essential component.

【００２８】モノマー（Ｉ）の具体例としては、炭素数
１０〜５０の脂肪族基、または少なくとも一部がフッ素
置換された炭素数６〜５０の脂肪族基を有するアクリレ
ート、同メタクリレート、同アクリルアミド誘導体、同
メタクリルアミド誘導体、同ビニルエーテル誘導体、同
ビニルエステル誘導体、α−オレフィンおよびその誘導
体、並びに、炭素数８〜２４のアルキル基を有するスチ
レン誘導体等から選ばれた少なくとも１種のモノマーが
挙げられる。Specific examples of the monomer (I) include acrylates, methacrylates and acrylamides having an aliphatic group having 10 to 50 carbon atoms or an aliphatic group having at least a part of which is substituted by fluorine and having 6 to 50 carbon atoms. And at least one monomer selected from derivatives, methacrylamide derivatives, vinyl ether derivatives, vinyl ester derivatives, α-olefins and derivatives thereof, and styrene derivatives having an alkyl group having 8 to 24 carbon atoms. .

【００２９】これらの内、粘着特性の温度依存性、重合
反応性、モノマーの入手し易さ等を考慮すると、炭素数
１４〜５０の線状脂肪族基を有するアクリレート、同メ
タクリレート、同アクリルアミド誘導体、同メタクリル
アミド誘導体等が好ましい。さらに好ましくは、炭素数
１４〜２２の線状脂肪族基を有するアクリレート、同メ
タクリレート、同アクリルアミド誘導体、同メタクリル
アミド誘導体等である。特に好ましくは、炭素数１４〜
１８の線状脂肪族基を有するアクリレート及びメタクリ
レートである。Among these, acrylates, methacrylates, and acrylamide derivatives having a linear aliphatic group having 14 to 50 carbon atoms in consideration of the temperature dependence of adhesive properties, polymerization reactivity, availability of monomers, and the like. And the same methacrylamide derivatives are preferred. More preferred are acrylates, methacrylates, acrylamide derivatives, and methacrylamide derivatives having a linear aliphatic group having 14 to 22 carbon atoms. Particularly preferably, it has 14 to 14 carbon atoms.
Acrylates and methacrylates having 18 linear aliphatic groups.

【００３０】モノマー（Ｉ）は、ベースポリマーの原料
となる全モノマーの総量中に、４０〜９８重量％含まれ
ている事が好ましい。より好ましくは、５０〜９８重量
％、さらに好ましくは、６０〜９８重量％である。粘着
剤層中のモノマー（Ｉ）に起因する重量が多い程、Ｂ℃
〜Ｃ℃の温度範囲に冷却した際の粘着力が低くなる傾向
にある。It is preferable that the monomer (I) is contained in an amount of 40 to 98% by weight in the total amount of all the monomers used as the base polymer. More preferably, it is 50 to 98% by weight, still more preferably 60 to 98% by weight. As the weight due to the monomer (I) in the pressure-sensitive adhesive layer increases, the
The adhesive strength when cooled to a temperature range of ~ C ° C tends to decrease.

【００３１】架橋剤と架橋反応しうる官能基を有するモ
ノマー（II）の具体例としては、アクリル酸、メタクリ
ル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル
酸、マレイン酸、イタコン酸モノアルキルエステル、メ
サコン酸モノアルキルエステル、シトラコン酸モノアル
キルエステル、フマル酸モノアルキルエステル、マレイ
ン酸モノアルキルエステル、アクリル酸２−ヒドロキシ
エチル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル
アミド、メタクリルアミド、ターシャル−ブチルアミノ
エチルアクリレート、ターシャル−ブチルアミノエチル
メタクリレート等の中から選ばれた、少なくとも一種以
上のものが挙げられる。モノマー（II）は、上記モノマ
ー（Ｉ）の使用量を考慮して使用されるが、ベースポリ
マーの原料となる全モノマーの総量中に１〜３０重量％
の範囲で含有される様に使用される。Specific examples of the monomer (II) having a functional group capable of undergoing a crosslinking reaction with a crosslinking agent include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, mesaconic acid, citraconic acid, fumaric acid, maleic acid and monoalkyl itaconate. Monoalkyl mesaconate, monoalkyl citraconic, monoalkyl fumarate, monoalkyl maleate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, acrylamide, methacrylamide, tert-butylaminoethyl acrylate And at least one selected from tert-butylaminoethyl methacrylate and the like. The monomer (II) is used in consideration of the amount of the monomer (I) used, and is 1 to 30% by weight based on the total amount of all monomers used as the base polymer raw material.
It is used so as to be contained in the range.

【００３２】モノマー（III）は、上記モノマー（Ｉ）
およびモノマー（II）と共重合可能なものが挙げられ
る。具体例としては、アクリル酸メチル、メタクリル酸
メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アク
リル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−
エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル
等、炭素数が１〜８のアルキル基を有するアクリル酸ア
ルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステル、
酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の中から選
ばれた、少なくとも一種以上のものが挙げられる。The monomer (III) is obtained by converting the monomer (I)
And those copolymerizable with the monomer (II). Specific examples include methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, and acrylic acid-2-
Alkyl acrylate or alkyl methacrylate having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as ethylhexyl and 2-ethylhexyl methacrylate;
At least one selected from vinyl acetate, acrylonitrile, styrene and the like can be mentioned.

【００３３】これらの内、炭素数が１〜８のアルキル基
を有するアクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル
酸アルキルエステルは、ベースポリマーの重合速度を増
大させベースポリマーの製造コストを下げる効果、およ
び、得られるベースポリマーの分子量を増大させる効果
（ベースポリマーの分子量が増大することにより、粘着
剤層がウエハを汚染しにくくなる）を有する点で好まし
い。モノマー（III）は、上記モノマー（Ｉ）およびモ
ノマー（II）の使用量を考慮して、ベースポリマーの原
料となる全モノマーの総量中に１〜５９重量％の範囲で
含有される様に使用される。Of these, alkyl acrylates or alkyl methacrylates having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms have the effect of increasing the polymerization rate of the base polymer and lowering the production cost of the base polymer, as well as being obtained. This is preferable in that it has an effect of increasing the molecular weight of the base polymer (the pressure-sensitive adhesive layer is less likely to contaminate the wafer by increasing the molecular weight of the base polymer). The monomer (III) is used in such a manner that it is contained in the range of 1 to 59% by weight in the total amount of all monomers to be used as a base polymer raw material in consideration of the amounts of the monomers (I) and (II). Is done.

【００３４】さらに、上記モノマー（Ｉ）、モノマー
（II）およびモノマー（III）の他に、アクリル酸グリ
シジル、メタクリル酸グリシジル、イソシアネートエチ
ルアクリレート、イソシアネートエチルメタクリレー
ト、２−（１−アジリジニル）エチルアクリレート、２
−（１−アジリジニル）エチルメタクリレート等の自己
架橋性の官能基を持ったモノマー、さらには、ジビニル
ベンゼン、アクリル酸ビニル、メタクリル酸ビニル、ア
クリル酸アリル、メアクリル酸アリル等の多官能性のモ
ノマーを適宜組み合わせてもよい。Further, in addition to the monomers (I), (II) and (III), glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, isocyanate ethyl acrylate, isocyanate ethyl methacrylate, 2- (1-aziridinyl) ethyl acrylate, 2
A monomer having a self-crosslinking functional group such as-(1-aziridinyl) ethyl methacrylate; and a polyfunctional monomer such as divinylbenzene, vinyl acrylate, vinyl methacrylate, allyl acrylate, and allyl methacrylate. They may be appropriately combined.

【００３５】ベースポリマーを重合する方法としては、
溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法等既知の様々な方
法が採用できる。重合反応機構としては、ラジカル重
合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げられるが、製
造コスト等を等慮すればラジカル重合によって重合する
ことが好ましい。ラジカル重合反応によって重合する
際、ラジカル重合開始剤として、ベンゾイルパーオキサ
イド、アセチルパーオキサイド、イソブチリルパーオキ
サイド、オクタノイルパーオキサイド、ジ−ターシャル
−ブチルパーオキサイド、ジ−ターシャル−アミルパー
オキサイド等の有機過酸化物、過硫酸アンモニウム、過
硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、
２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−ア
ゾビス−２−メチルブチロニトリル、４，４’−アゾビ
ス−４−シアノバレリックアシッド等のアゾ化合物等が
挙げられる。これらは、得られるベースポリマーの性
質、重合方法に応じて適宜選択される。As a method for polymerizing the base polymer,
Various known methods such as a solution polymerization method, a suspension polymerization method, and an emulsion polymerization method can be employed. Examples of the polymerization reaction mechanism include radical polymerization, anionic polymerization, and cationic polymerization, and it is preferable to perform polymerization by radical polymerization in consideration of production costs and the like. When polymerized by a radical polymerization reaction, as a radical polymerization initiator, organic compounds such as benzoyl peroxide, acetyl peroxide, isobutyryl peroxide, octanoyl peroxide, di-tert-butyl peroxide, di-tert-amyl peroxide, etc. Inorganic peroxides such as peroxides, ammonium persulfate, potassium persulfate, and sodium persulfate;
Examples include azo compounds such as 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis-2-methylbutyronitrile, and 4,4'-azobis-4-cyanovaleric acid. These are appropriately selected according to the properties of the obtained base polymer and the polymerization method.

【００３６】半導体ウエハ表面への汚染性を考慮する
と、上記ベースポリマーは分子量が高い程好ましく、従
って、その重量平均分子量は、ポリスチレン換算で３０
０，０００〜１，５００，０００が好ましい。より好ま
しくは５００，０００〜１，５００，０００である。In consideration of the contamination on the surface of the semiconductor wafer, the above-mentioned base polymer is preferably as high as possible in molecular weight.
It is preferably from 000 to 1,500,000. More preferably, it is 500,000 to 1,500,000.

【００３７】本発明においては、粘着フィルムの粘着剤
層に上記ベースポリマーの他に、架橋剤を必須成分とし
て含有する。架橋剤の含有により、ベースポリマーが架
橋し、ウエハ表面を汚染し難くなる。また、適量の架橋
剤の含有は、ウエハの凹凸の状態によっても異なるが、
ウエハ裏面研削後、冷却して粘着フィルムを剥離する際
に、粘着力が低下し易くなる効果もある。In the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film contains a crosslinking agent as an essential component in addition to the base polymer. By containing a crosslinking agent, the base polymer is crosslinked, and it becomes difficult to contaminate the wafer surface. In addition, the content of the crosslinking agent in an appropriate amount varies depending on the state of the unevenness of the wafer,
When the adhesive film is peeled off by cooling after grinding the back surface of the wafer, there is also an effect that the adhesive strength is easily reduced.

【００３８】架橋剤としては、テトラメチレンジイソシ
アネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチ
ロールプロパンのトルエンジイソシアネート３付加物、
ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物、ソル
ビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポ
リグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリ
シジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテ
ル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ネオペンチ
ルグリコールジグリシジルエーテル、レソルシンジグリ
シジルエーテル等のエポキシ系化合物、トリメチロール
プロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テ
トラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピ
オネート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビ
ス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘ
キサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキ
シアミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−
アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパ
ン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネー
ト等のアジリジン系化合物、及びヘキサメトキシメチロ
ールメラミン等のメラミン系化合物等が挙げられる。こ
れらは単独で使用してもよいし、２種以上を併用しても
よい。Examples of the crosslinking agent include tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, trimethylolpropane adduct of toluene diisocyanate,
Isocyanate compounds such as polyisocyanate, sorbitol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, pentaerythritol polyglycidyl ether, diglycerol polyglycidyl ether, glycerol polyglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, resorcin diglycidyl ether, etc. Epoxy compounds, trimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate, tetramethylolmethane-tri-β-aziridinylpropionate, N, N′-diphenylmethane-4,4′-bis (1- Aziridinecarboxamide), N, N'-hexamethylene-1,6-bis (1-aziridinecarboxamide), N, N'-toluene-2,4-bis (1-
Aziridine compounds such as aziridinecarboxamide) and trimethylolpropane-tri-β- (2-methylaziridine) propionate; and melamine compounds such as hexamethoxymethylolmelamine. These may be used alone or in combination of two or more.

【００３９】架橋剤の含有量は、ベースリマー１００重
量部に対し、０．１〜５重量部である。より好ましくは
０．１〜３重量部である。架橋剤の含有量が少ないと、
粘着フィルム剥離時に、粘着剤層の一部がウエハ表面に
残存して汚染する傾向がある。また含有量が多いと、Ａ
℃〜４０℃において、ウエハ表面と粘着剤層の密着性が
悪くなり、裏面研削中に、ウエハ表面と粘着剤層の間に
水が浸入し、ウエハが破損する原因になる傾向がある。
例え、ウエハが破損しなくても、水浸入に伴う、研削屑
等の侵入によりウエハ表面が汚染されることがある。さ
らに、架橋剤の含有量が多過ぎることによっても、冷却
時の粘着力の低下が不十分になることもあり、該フィル
ム剥離時にウエハを破損することもある。The content of the crosslinking agent is 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the base rimer. More preferably, it is 0.1 to 3 parts by weight. When the content of the crosslinking agent is small,
When the pressure-sensitive adhesive film is peeled off, a part of the pressure-sensitive adhesive layer tends to remain on the wafer surface and be contaminated. When the content is large, A
At a temperature of 40 ° C. to 40 ° C., the adhesiveness between the wafer surface and the pressure-sensitive adhesive layer is deteriorated, and water tends to enter between the wafer surface and the pressure-sensitive adhesive layer during back surface grinding, which tends to cause damage to the wafer.
For example, even if the wafer is not damaged, the surface of the wafer may be contaminated by intrusion of grinding dust and the like due to water intrusion. Furthermore, even if the content of the crosslinking agent is too large, the decrease in the adhesive strength upon cooling may be insufficient, and the wafer may be damaged when the film is peeled off.

【００４０】これらのことを考慮した上で、さらに、ベ
ースポリマーの性質、粘着フィルムの使用条件（半導体
ウエハの表面状態、形状、大きさ、裏面研削条件等）、
後述する粘着剤層の厚み等を考慮して上記範囲内で適宜
含有される。In consideration of the above, the properties of the base polymer, the conditions for using the pressure-sensitive adhesive film (surface condition, shape, size, back grinding conditions, etc. of the semiconductor wafer),
It is appropriately contained within the above range in consideration of the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer described later and the like.

【００４１】本発明の粘着フィルムの粘着剤層には、上
記のベースポリマー、架橋剤の他に、適宜、可塑剤、粘
着付与剤、安定剤、通常の粘着剤等を含有してもよい。The pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film of the present invention may appropriately contain a plasticizer, a tackifier, a stabilizer, a normal pressure-sensitive adhesive, etc., in addition to the base polymer and the crosslinking agent.

【００４２】粘着剤層の厚みは、半導体ウエハの表面状
態、形状、裏面の研削方法等により適宣決められるが、
半導体ウエハの裏面を研削している時の粘着力、研削が
完了した後の剥離性等を勘案すると、通常２〜１００μ
ｍ程度である。好ましくは５〜７０μｍである。The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is appropriately determined according to the surface condition, shape, back surface grinding method and the like of the semiconductor wafer.
Considering the adhesive force when grinding the back surface of the semiconductor wafer, the releasability after the grinding is completed, etc., it is usually 2 to 100 μm.
m. Preferably it is 5-70 μm.

【００４３】基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面
に粘着剤を塗布する方法としては、従来公知の塗布方
法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコータ
ー法、グラビアロールコーター法、バーコーター法、コ
ンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布
された被粘着剤塗布液の乾燥条件には特に制限はない
が、一般的には、８０〜２００℃において１０秒〜１０
分間乾燥することが好ましい。さらに好ましくは８０〜
１７０℃において１５秒〜５分間乾燥する。架橋剤とベ
ースポリマーとの架橋反応を十分に促進させるために、
被粘着剤塗布液の乾燥が終了した後に、粘着フィルムを
４０℃〜８０℃において５〜３００時間程度加熱しても
良い。As a method of applying the adhesive on one surface of the base film or the release film, a conventionally known application method, for example, a roll coater method, a reverse roll coater method, a gravure roll coater method, a bar coater method, a comma coater Method, die coater method or the like can be adopted. The drying conditions of the applied pressure-sensitive adhesive coating liquid are not particularly limited, but generally, the drying is performed at 80 to 200 ° C. for 10 seconds to 10 seconds.
It is preferable to dry for minutes. More preferably 80 to
Dry at 170 ° C. for 15 seconds to 5 minutes. In order to sufficiently promote the crosslinking reaction between the crosslinking agent and the base polymer,
After the drying of the coating solution for the pressure-sensitive adhesive, the pressure-sensitive adhesive film may be heated at 40 ° C to 80 ° C for about 5 to 300 hours.

【００４４】かくして、上記の如くして製造される本発
明に係わる粘着フィルムは、少なくともＡ℃〜４０℃
（０℃＜Ａ℃＜４０℃）の温度範囲においてＳＵＳ３０
４−ＢＡ板に貼着したときの該温度範囲における粘着力
が１５０〜２，０００ｇ／２５ｍｍであり、且つ、該粘
着力が剥離時にＢ℃〜Ｃ℃〔−５０℃≦Ｂ℃≦Ｃ℃≦
（Ａ−３）℃〕の温度範囲に冷却することにより１００
ｇ／２５ｍｍ以下に低下する性質を有するものである。
温度範囲Ａ℃〜４０℃における粘着力は高い程好まし
く、従って、好ましい粘着力は２００〜２０００ｇ／２
５ｍｍ、より好ましくは２５０〜２０００ｇ／２５ｍｍ
である。また、上記該温度範囲より低温領域であるＢ℃
〜Ｃ℃〔−５０℃≦Ｂ℃≦Ｃ℃≦（Ａ−３）℃〕の温度
領域に冷却したときの粘着力は低ければ低い程好まし
い。従って、Ｂ℃〜Ｃ℃まで冷却したときの好ましい粘
着力は８０ｇ／２５ｍｍ以下、より好ましくは５０ｇ／
２５ｍｍ以下である。Thus, the pressure-sensitive adhesive film according to the present invention produced as described above has at least an A.degree.
(0 ° C <A ° C <40 ° C)
The adhesive strength in the temperature range when adhered to a 4-BA plate is 150 to 2,000 g / 25 mm, and the adhesive strength is B ° C to C ° at the time of peeling [−50 ° C ≦ B ° C ≦ C ° C. ≤
(A-3) ° C.] to a temperature range of 100 ° C.
g / 25 mm or less.
The higher the adhesive strength in the temperature range of A ° C. to 40 ° C., the better, and therefore the preferred adhesive strength is 200 to 2000 g / 2.
5 mm, more preferably 250-2000 g / 25 mm
It is. In addition, B ° C which is a lower temperature range than the above temperature range.
The lower the adhesive strength when cooled to the temperature range of ＣC ° C. [−50 ° C. ≦ B ° C. ≦ C ° C. ≦ (A-3) ° C.], the lower the better. Therefore, the preferred adhesive strength when cooled to B ° C. to C ° C. is 80 g / 25 mm or less, more preferably 50 g / 25 mm or less.
It is 25 mm or less.

【００４５】粘着力は、研削する半導体ウエハの口径、
研削時間、半導体ウエハの表面形状、研削後の厚み等種
々を考慮して上記範囲内に適宜調整される。このことに
より、半導体ウエハ表面に粘着フィルムを貼着する工程
から該ウエハ裏面の研削工程を経て粘着フィルムを剥離
する工程の直前に到るまでの間、剥離したり、ウエハ表
面と粘着剤層との間に冷却水の侵入が生じず、剥離する
際には、Ｂ℃〜Ｃ℃の温度範囲まで冷却することにより
ウエハを破損させずに剥離することができる。The adhesive strength is determined by the diameter of the semiconductor wafer to be ground,
The thickness is appropriately adjusted within the above range in consideration of various factors such as the grinding time, the surface shape of the semiconductor wafer, and the thickness after grinding. Thereby, from the step of sticking the adhesive film on the surface of the semiconductor wafer to immediately before the step of peeling the adhesive film through the grinding step of the back surface of the wafer, peeling, or the wafer surface and the adhesive layer During the separation, the cooling water does not enter during the separation, and the wafer can be separated without being damaged by cooling to a temperature range of B ° C. to C ° C.

【００４６】上記温度Ａ℃、Ｃ℃の値は、粘着フィルム
の粘着剤層の構成を変更させることにより調節すること
ができる。その中で、特にＡ℃、Ｃ℃の値は、粘着剤層
の構成に依存する傾向がある。特に、モノマー（Ｉ）の
種類、量によって大きく変化する。例えば、モノマー
（Ｉ）の一般式（１）におけるＲ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ
₆、Ｒ₇の炭素数が大きくなれば、Ａ℃の値は大きくなる
傾向にある。従って、それに伴いＣの値が大きくなる傾
向になる。また、モノマー（Ｉ）の量が多いと、Ａ℃〜
（Ａ−３）℃付近の温度変化における粘着フィルムの粘
着特性変化が鋭敏になり、Ｃ℃は（Ａ−３）℃に近づく
傾向にある。The values of the temperatures A ° C. and C ° C.
Adjustment by changing the composition of the pressure-sensitive adhesive layer
Can be. Among them, especially the values of A ° C. and C ° C.
Tend to depend on the configuration. In particular, of the monomer (I)
It changes greatly depending on the type and amount. For example, monomer
R in the general formula (1) of (I)_Two, R_Three, R_Four, R_Five, R
₆, R₇As the number of carbon atoms increases, the value of A ° C. increases
There is a tendency. Accordingly, the value of C tends to increase accordingly.
Turn around. Further, when the amount of the monomer (I) is large, A
(A-3) Viscosity of the pressure-sensitive adhesive film at a temperature change around ℃
The change in the adhesion characteristics becomes sharp, and C ° C approaches (A-3) ° C.
There is a tendency.

【００４７】本発明において、Ａの範囲は、０℃＜Ａ℃
＜４０℃の範囲になるように、粘着フィルムの特性を調
整する必要がある。さらに該範囲内において、粘着フィ
ルムを貼着する際の作業環境、裏面研削時に使用する冷
却水の温度制御等を考慮すれば、０℃＜Ａ℃≦１５℃の
範囲に調整されることが好ましい。In the present invention, the range of A is 0 ° C. <A ° C.
It is necessary to adjust the properties of the pressure-sensitive adhesive film so as to be in the range of <40 ° C. Further, within this range, it is preferable that the temperature is adjusted to be in a range of 0 ° C. <A ° C. ≦ 15 ° C. in consideration of a working environment at the time of sticking the pressure-sensitive adhesive film, a temperature control of cooling water used at the time of back grinding, and the like. .

【００４８】また、Ｂ℃およびＣ℃の範囲は、冷却に要
する装置のコスト、冷却による半導体ウエハへの負担
（ウエハを急冷することにより歪みが生じ、ひいてはウ
エハを破損する事がある。）等を考慮すれば、共に−５
０℃以上になるように、粘着フィルムの特性を調整する
ことが好ましく、より好ましくは−１０℃以上である。
さらに０℃を超えた場合、冷却に必要なコストが安くな
り特に好ましい。In the range of B ° C. and C ° C., the cost of the equipment required for cooling, the burden on the semiconductor wafer due to the cooling (strain is generated by rapidly cooling the wafer, and the wafer may be damaged). -5
It is preferable to adjust the properties of the pressure-sensitive adhesive film so that the temperature is 0 ° C or higher, and more preferably -10 ° C or higher.
Further, when the temperature exceeds 0 ° C., the cost required for cooling is reduced, which is particularly preferable.

【００４９】またＢ℃〜Ｃ℃の範囲は、広い方が冷却時
の温度制御が容易となり好ましい。しかし、該範囲内に
冷却した際に、粘着力が本願範囲内に低下するのであれ
ば、Ｂ℃〜Ｃ℃の範囲は狭くてもよく、Ｂ℃＝Ｃ℃であ
っても差し支えない。但し、該温度範囲が狭い場合は、
冷却時の温度制御をより正確に行なうことが必要となっ
てくる。上記、最も好ましいＡ℃、Ｂ℃およびＣ℃の関
係をまとめると、０℃＜Ｂ℃≦Ｃ℃≦（Ａ−３）℃、且
つＡ℃≦１５℃となる。The range of B ° C. to C ° C. is preferably wider because the temperature control during cooling becomes easier. However, if the adhesive strength falls within the range of the present application when cooled within the above range, the range of B ° C. to C ° C. may be narrow, and B ° C. may be equal to C °. However, if the temperature range is narrow,
It becomes necessary to more accurately control the temperature during cooling. The most preferable relationship among A ° C., B ° C., and C ° C. is as follows: 0 ° C. <B ° C. ≦ C ° C. (A-3) ° C. and A ° C. ≦ 15 ° C.

【００５０】本発明の粘着フィルムの製造方法は上記の
通りであるが、半導体ウエハ表面の汚染防止の観点か
ら、基材フィルム、剥離フィルム等の原料資材の製造環
境、粘着剤塗布液の調整、保存、塗布及び乾燥環境は、
米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以
下のクリーン度に維持されていることが好ましい。The method for producing the pressure-sensitive adhesive film of the present invention is as described above. From the viewpoint of preventing contamination of the surface of the semiconductor wafer, the production environment for the raw materials such as the base film and the release film, the preparation of the pressure-sensitive adhesive coating solution, and the like. Storage, application and drying environment,
It is preferable to maintain the cleanliness of class 1,000 or less specified in US Federal Standard 209b.

【００５１】次に、本発明の半導体ウエハの裏面研削方
法について説明する。本発明の半導体ウエハの裏面研削
方法は、上記で説明した粘着フィルムを、特定の温度範
囲Ａ℃〜４０℃（０℃＜Ａ℃＜４０℃）において半導体
ウエハ表面に貼着し、該温度範囲の冷却水をかけながら
裏面研削を行ない、さらに、裏面研削終了後に該粘着フ
ィルムを剥離する際に、特定の温度範囲Ｂ℃〜Ｃ℃〔−
５０℃≦Ｂ℃≦Ｃ℃≦（Ａ−３）℃〕に冷却した状態で
剥離することに特徴がある。Next, the method for grinding the back surface of a semiconductor wafer according to the present invention will be described. In the method for grinding the back surface of a semiconductor wafer according to the present invention, the pressure-sensitive adhesive film described above is attached to the surface of the semiconductor wafer in a specific temperature range of A ° C to 40 ° C (0 ° C <A ° C <40 ° C). When the back surface grinding is performed while cooling water is applied, and the adhesive film is peeled off after the back surface grinding is completed, a specific temperature range of B ° C. to C ° C. [−
It is characterized in that it is peeled off in a state of cooling to 50 ° C ≦ B ° C ≦ C ° C ≦ (A-3) ° C].

【００５２】その詳細は、先ず、粘着フィルムの粘着剤
層から剥離フィルムを剥離して粘着剤層表面を露出さ
せ、Ａ℃〜４０℃（０℃＜Ａ℃＜４０℃）の温度範囲に
おいて、その粘着剤層を介して集積回路が形成された側
の半導体ウエハの表面に貼着する。次いで、粘着フィル
ムの基材フィルム側を介して研削機のチャックテーブル
等に半導体ウエハを固定し、Ａ℃〜４０℃の温度範囲の
冷却水をかけながら半導体ウエハの裏面を研削する。研
削が終了した後、Ｂ℃〜Ｃ℃〔−５０℃≦Ｂ℃≦Ｃ℃≦
（Ａ−３）℃〕の温度領域まで冷却し、冷却した状態で
該粘着フィルムを剥離する。More specifically, first, the release film is peeled from the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film to expose the surface of the pressure-sensitive adhesive layer, and at a temperature range of A ° C. to 40 ° C. (0 ° C. <A ° C. <40 ° C.) It is adhered to the surface of the semiconductor wafer on the side where the integrated circuit is formed via the adhesive layer. Next, the semiconductor wafer is fixed to a chuck table or the like of a grinder via the base film side of the adhesive film, and the back surface of the semiconductor wafer is ground while applying cooling water in a temperature range of A ° C to 40 ° C. After the grinding is completed, B ° C to C ° C [-50 ° C ≦ B ° C ≦ C ° C ≦
(A-3) ° C.], and the adhesive film is peeled off in the cooled state.

【００５３】半導体ウエハ裏面の研削が完了した後、粘
着フィルムを剥離する前にケミカルエッチング工程を経
ることもある。この場合、ケミカルエッチング層はＡ℃
〜４０℃の範囲内に管理することが好ましい。必要に応
じて、粘着フィルム剥離後に、半導体ウエハ表面に対し
て、水洗、プラズマ洗浄等の洗浄処理が施される。After the grinding of the back surface of the semiconductor wafer is completed, a chemical etching step may be performed before the adhesive film is peeled off. In this case, the chemical etching layer is at A ° C.
It is preferable to control the temperature within the range of -40C. If necessary, after the adhesive film is peeled off, the surface of the semiconductor wafer is subjected to a cleaning treatment such as water washing or plasma washing.

【００５４】この様な裏面研削操作において、半導体ウ
エハは、研削前の厚みが、通常、５００〜１０００μｍ
であるのに対して、半導体チップの種類等に応じ、通
常、１００〜６００μｍ程度まで研削される。研削する
前の半導体ウエハの厚みは、半導体ウエハの口径、種類
等により適宜決められ、研削後の厚みは、得られるチッ
プのサイズ、回路の種類、等により適宜決められる。In such a back surface grinding operation, the thickness of the semiconductor wafer before grinding is usually 500 to 1000 μm.
On the other hand, depending on the type of the semiconductor chip, it is usually ground to about 100 to 600 μm. The thickness of the semiconductor wafer before grinding is appropriately determined according to the diameter and type of the semiconductor wafer, and the thickness after grinding is appropriately determined according to the size of the obtained chip, the type of circuit, and the like.

【００５５】粘着フィルムを半導体ウエハに貼着する操
作は人手により行われる場合もあるが、一般に、ロール
状の粘着フィルムを取り付けた自動貼り機と称される装
置によって行われる。この様な自動貼り機として、例え
ば、タカトリ（株）製ＡＴＭ−１０００Ｂ、同ＡＴＭ−
１１００、帝国精機（株）製ＳＴＬシリーズ等がある。
貼り付け時の温度をＡ℃〜４０℃（０℃＜Ａ℃＜４０
℃）に制御する方法は、公知の様々な方法が取られる
が、例えばＡが通常の作業環境（１５℃〜３０℃程度）
℃より低い場合、作業環境を該温度範囲になるようにコ
ントロールする事が簡便であり、好ましい。The operation of attaching the adhesive film to the semiconductor wafer may be performed manually, but is generally performed by an apparatus called an automatic attaching machine having a roll-shaped adhesive film attached thereto. As such an automatic pasting machine, for example, ATM-1000B and ATM-1000 manufactured by Takatori Co., Ltd.
1100, STL series manufactured by Teikoku Seiki Co., Ltd., and the like.
The temperature at the time of sticking is from A ° C to 40 ° C (0 ° C <A ° C <40 ° C).
° C), various known methods can be used. For example, A is a normal working environment (about 15 ° C to 30 ° C).
When the temperature is lower than ℃, it is convenient and preferable to control the working environment so as to be within the temperature range.

【００５６】裏面研削方式としては、スルーフィード方
式、インフィード方式等の公知の研削方式が採用され
る。それぞれ、研削は冷却水をウエハ裏面や砥石にかけ
ながら行われるが、この際、冷却水の温度をＡ℃〜４０
℃に管理する必要がある。冷却水の温度管理方法は、例
えば、Ａ℃〜４０℃に管理された恒温槽の中に、冷却水
を通したりする等、公知の様々な方法が挙げられる。As the back surface grinding method, a known grinding method such as a through-feed method and an in-feed method is employed. Grinding is performed while applying cooling water to the back surface of the wafer or the grindstone.
It is necessary to control to ° C. Examples of the method of controlling the temperature of the cooling water include various known methods such as passing cooling water through a thermostat controlled at A ° C to 40 ° C.

【００５７】裏面研削終了後、必要に応じてケミカルエ
ッチングが行われる。ケミカルエッチングは弗化水素酸
や硝酸、硫酸、酢酸等の単独もしくは混合液からなる酸
性水溶液や、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム
水溶液等のアルカリ性水溶液、なる群から選ばれたエッ
チング液に、粘着フィルムを貼着した状態で半導体ウエ
ハを浸漬する等の方法により行われる。該エッチング
は、半導体ウエハ裏面に生じた歪の除去、ウエハのさら
なる薄層化、酸化膜等の除去、電極を裏面に形成する際
の前処理、等を目的として行われる。エッチング液は、
上記の目的に応じて適宜選択される。エッチング液の温
度は、Ａ℃〜４０℃に管理されることが好ましい。After the back surface grinding, chemical etching is performed as necessary. Chemical etching adheres to an etching solution selected from the group consisting of acidic aqueous solutions consisting of hydrofluoric acid, nitric acid, sulfuric acid, acetic acid, etc., alone or in combination, and alkaline aqueous solutions such as potassium hydroxide aqueous solution and sodium hydroxide aqueous solution. This is performed by a method such as immersing the semiconductor wafer with the film adhered. The etching is performed for the purpose of removing distortion generated on the back surface of the semiconductor wafer, further reducing the thickness of the wafer, removing an oxide film, etc., and performing pretreatment before forming electrodes on the back surface. The etchant is
It is appropriately selected according to the above purpose. It is preferable that the temperature of the etching solution is controlled at A ° C to 40 ° C.

【００５８】裏面研削、ケミカルエッチング終了後、粘
着フィルムをＢ℃〜Ｃ℃〔−５０℃≦Ｂ℃≦Ｃ℃≦（Ａ
−３）℃〕の温度領域まで冷却し、冷却した状態で該粘
着フィルムを剥離する。剥離操作は、人手により行われ
る場合もあるが、一般には、自動剥がし機と称される装
置により行われる。粘着フィルムを冷却する方法として
は、基材表面側から冷風を当てたり、半導体ウエハの裏
面をＢ℃〜Ｃ℃に維持されたテーブルの上に置いたり、
既知の様々な方法が挙げられる。市販の自動剥がし機
〔タカトリ（株）製ＡＴＲＭ−２０００Ｂ、同ＡＴＲＭ
−２１００、帝国精機（株）製ＳＴＰシリーズ等〕のウ
エハ固定用のチャックテーブルを冷却ができる様に改良
する方法もある。Ｂ℃〜Ｃ℃の温度が０℃を超える様
に、粘着フィルムを調整した場合、チャックテーブルに
Ｂ℃〜Ｃ℃の温度範囲の冷却水を通す様に改良すること
が、コスト面で有利となる。After the back surface grinding and the chemical etching are completed, the pressure-sensitive adhesive film is heated to B ° C. to C ° C. [−50 ° C. ≦ B ° C. ≦ C ° C. ≦ (A
-3) ° C.], and the adhesive film is peeled off in the cooled state. The peeling operation may be performed manually, but is generally performed by a device called an automatic peeling machine. As a method of cooling the pressure-sensitive adhesive film, a cool air is applied from the front surface side of the base material, or the back surface of the semiconductor wafer is placed on a table maintained at B ° C to C ° C,
There are various known methods. Commercially available automatic peeling machine [ATRM-2000B, manufactured by Takatori Co., Ltd.
-2100, STP series manufactured by Teikoku Seiki Co., Ltd.], etc.]. When the pressure-sensitive adhesive film is adjusted so that the temperature of B ° C. to C ° C. exceeds 0 ° C., it is advantageous in terms of cost to improve the cooling table so that cooling water in the temperature range of B ° C. to C ° C. is passed through the chuck table. Become.

【００５９】本発明によれば、半導体ウエハの裏面を研
削する際には、粘着フィルムがウエハ表面をしっかりと
保護するため、裏面研削中に粘着フィルムが剥離してウ
エハが破損することがない。また、粘着剤層とウエハ表
面の間に研削時の冷却水が浸入することがなく、それに
伴う、粘着剤層とウエハ表面の間への研削屑等の浸入も
ないので、ウエハ表面が研削屑等により汚染されること
が殆どない。さらに、裏面研削終了後には冷却すること
によって、粘着フィルムの剥離粘着力が低下するため、
粘着フィルムを剥離する際の応力によりウエハが破損す
る事もない。粘着フィルム剥離後のウエハ表面には粘着
剤層に起因する汚染が殆どない。According to the present invention, when grinding the back surface of a semiconductor wafer, the adhesive film firmly protects the wafer surface, so that the adhesive film does not peel off during grinding of the back surface and the wafer is not damaged. In addition, there is no intrusion of cooling water during grinding between the adhesive layer and the wafer surface, and there is no intrusion of grinding debris and the like between the adhesive layer and the wafer surface. Almost no contamination by Furthermore, by cooling after the backside grinding is completed, the peeling adhesive strength of the adhesive film decreases,
The wafer is not damaged by the stress at the time of peeling the adhesive film. There is almost no contamination due to the pressure-sensitive adhesive layer on the wafer surface after peeling the pressure-sensitive adhesive film.

【００６０】本発明が適用できる半導体ウエハとして、
シリコンウエハのみならず、ゲルマニウム、ガリウム−
ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニウム
等のウエハが挙げられる。As a semiconductor wafer to which the present invention can be applied,
Not only silicon wafers, but also germanium and gallium
Wafers of arsenic, gallium-phosphorus, gallium-arsenic-aluminum and the like can be mentioned.

【００６１】[0061]

【実施例】以下、実施例を示して本発明についてさらに
詳細に説明する。以下に示す実施例及び比較例の中で、
半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムの製造（粘着剤塗
布液の調製以降）および半導体ウエハ裏面研削用粘着フ
ィルムを用いた半導体ウエハの裏面研削は全て米国連邦
規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリ
ーン度に維持された環境において実施した。本発明はこ
れら実施例に限定されるものではない。尚、得られた粘
着フィルムの性能および該フィルムを用いた半導体ウエ
ハ裏面研削方法における各特性は、下記（１）〜（３）
の方法により評価した。The present invention will be described below in further detail with reference to examples. In the following Examples and Comparative Examples,
Manufacture of an adhesive film for grinding the backside of a semiconductor wafer (after preparation of the adhesive coating solution) and grinding of the backside of a semiconductor wafer using the adhesive film for grinding the backside of a semiconductor wafer are all of class 1,000 or less specified in US Federal Standard 209b. The test was conducted in a clean environment. The present invention is not limited to these examples. The performance of the obtained pressure-sensitive adhesive film and each characteristic in the method of grinding the back surface of a semiconductor wafer using the film are as follows (1) to (3).
Was evaluated by the following method.

【００６２】（１）裏面研削時の半導体シリコンウエハ
の破損数（枚数） 集積回路が形成された半導体シリコンウエハ（径：８イ
ンチ、厚み：６００μｍ、表面の凹凸：約１５μｍ、チ
ップの大きさ：５０ｍｍ²）の表面に、それぞれの実施
例および比較例で得られた粘着フィルムを２３℃におい
て貼付し、研削機〔（株）ディスコ製：バックグライン
ダーＤＦＧ−８２ＩＦ／８〕を用いて、２３℃の水をか
けて冷却しながら半導体シリコンウエハの裏面を該ウエ
ハの厚みが１８０μｍになるまで研削する。研削終了
後、５℃まで冷却した後に該フィルムを剥離した。各実
施例および比較例毎に半導体シリコンウエハを２０枚使
用し、研削を２０回行い、裏面研削中に破損したウエハ
の枚数（研削中の粘着フィルムの剥離が原因）、粘着フ
ィルムと半導体ウエハの間に水の浸入があったウエハの
枚数、剥離時に破損したウエハの枚数を計数した。尚、
周辺から水の浸入があったウエハについては、水浸入の
程度を周辺から２ｍｍ未満（チップの歩留りに影響ので
ない程度）の場合と、２ｍｍ以上の場合にわけて計数し
た。(1) Number of Damages (Number) of Semiconductor Silicon Wafers During Backside Grinding A semiconductor silicon wafer on which integrated circuits are formed (diameter: 8 inches, thickness: 600 μm, surface irregularities: about 15 μm, chip size: The adhesive film obtained in each of Examples and Comparative Examples was stuck on the surface of 50 mm ² ) at 23 ° C., and the temperature was adjusted to 23 ° C. using a grinding machine (manufactured by Disco Corporation: Back Grinder DFG-82IF / 8). While cooling with water, the back surface of the semiconductor silicon wafer is ground until the thickness of the wafer becomes 180 μm. After finishing the grinding, the film was peeled off after cooling to 5 ° C. Twenty semiconductor silicon wafers were used in each of the examples and comparative examples, and the grinding was performed 20 times. The number of wafers damaged during back surface grinding (due to peeling of the adhesive film during grinding), the adhesive film and the semiconductor wafer The number of wafers between which water entered and the number of wafers damaged during peeling were counted. still,
For wafers that had water infiltration from the periphery, the degree of water intrusion was counted for cases of less than 2 mm from the periphery (to the extent that chip yield was not affected) and cases of 2 mm or more.

【００６３】（２）顕微鏡による半導体ウエハへの汚染
性の観察（％） 上記（１）における半導体ウエハ裏面研削中、及び、粘
着フィルムの剥離時に破損しなかったウエハに対して、
ウエハ表面の集積回路を光学顕微鏡〔（株）ニコン製：
ＯＰＴＩＰＨＯＴ２〕を用いて５０〜１０００倍の範囲
でウエハ表面全体及び回路の微細部分まで観察し、汚染
されているチップの割合を評価した。(2) Observation of Contamination on Semiconductor Wafer by Microscope (%) For a wafer which was not damaged during the grinding of the back surface of the semiconductor wafer and the peeling of the adhesive film in the above (1),
An integrated circuit on the wafer surface is converted to an optical microscope [Nikon Corporation:
Using OPTIPHOT2], the entire surface of the wafer and the fine parts of the circuit were observed in a range of 50 to 1000 times to evaluate the percentage of contaminated chips.

【００６４】尚、汚染があった場合、その内容も調査し
た。When there was contamination, the content was also examined.

【００６５】（３）粘着力（ｇ／２５ｍｍ）特性 下記に規定した条件以外は、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に記
載される方法に準拠しした。実施例１〜６及び比較例１
〜３で得られた粘着フィルムをその粘着剤層を介して、
２３℃においてＳＵＳ３０４−ＢＡ板（縦：２０ｃｍ、
横：５ｃｍ）の表面に貼付し１時間放置する。放置後、
−１０℃、−５℃、０℃、３℃、７℃、１０℃、１５
℃、２３℃、４０℃において、試料の一端を挟持し、剥
離角度：１８０度、剥離速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ．で
ＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から試料を剥離し、剥離す
る際の応力を測定してｇ／２５ｍｍに換算した。測定し
た粘着力から粘着力の高い温度範囲（Ａ℃〜４０℃）と
低い温度範囲（Ｂ℃〜Ｃ℃）および、それぞれの温度範
囲での粘着力を求めた。尚、比較例４で得られた粘着フ
ィルムの粘着力特性（２３℃）についても、上記の方法
に準じて測定した（詳細は比較例４に記載）。(3) Adhesive force (g / 25 mm) characteristics Except for the conditions specified below, the method conformed to the method described in JIS Z 0237. Examples 1 to 6 and Comparative Example 1
Through the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film obtained in
SUS304-BA plate at 23 ° C. (length: 20 cm,
(Width: 5 cm) and left for 1 hour. After leaving
-10 ° C, -5 ° C, 0 ° C, 3 ° C, 7 ° C, 10 ° C, 15
At 23 ° C., 23 ° C. and 40 ° C., one end of the sample was sandwiched, and a peeling angle: 180 ° and a peeling speed: 300 mm / min. The sample was peeled off from the surface of the SUS304-BA plate at, and the stress at the time of peeling was measured and converted to g / 25 mm. From the measured adhesive strength, the adhesive strength in a high temperature range (A ° C. to 40 ° C.) and a low temperature range (B ° C. to C ° C.) and the adhesive strength in each temperature range were determined. The adhesive properties (23 ° C.) of the adhesive film obtained in Comparative Example 4 were also measured according to the above method (details are described in Comparative Example 4).

【００６６】調製例 ＜ベースポリマー１の合成＞アクリル酸テトラデシル
〔モノマー（Ｉ）〕７５重量部、メタクリル酸２−ヒド
ロキシエチル〔モノマー（II）〕２重量部、アクリル酸
〔モノマー（II）〕１重量部、アクリル酸ブチル〔モノ
マー（III）〕１２重量部、アクリル酸エチル〔モノマ
ー（III）〕１０重量部を、開始剤として、アゾイソブ
チロニトリル（ＡＩＢＮ）０．０５重量部を用いて、酢
酸エチル１００重量部中で窒素雰囲気下、７０℃で重合
し、ベースポリマー１の溶液（固形分５０重量％）を得
た。得られたベースポリマー１の重量平均分子量をゲル
パーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定
したところ、ポリスチレン換算で約７０万であった。 ＜ベースポリマー２〜５の合成＞〔表１〕に示したモノ
マー混合物を用いた以外、ベースポリマー１の合成と同
様の方法で、〔表１〕に示した分子量のベースポリマー
２〜５の溶液（固形分５０重量％）を得た。それぞれの
ベースポリマーの重量平均分子量をベースポリマー１と
同様の方法で測定し、結果を〔表１〕に示した。Preparation Example <Synthesis of Base Polymer 1> Tetradecyl acrylate [monomer (I)] 75 parts by weight, 2-hydroxyethyl methacrylate [monomer (II)] 2 parts by weight, acrylic acid [monomer (II)] 1 Parts by weight, 12 parts by weight of butyl acrylate [monomer (III)], 10 parts by weight of ethyl acrylate [monomer (III)], and 0.05 parts by weight of azoisobutyronitrile (AIBN) as an initiator. Polymerization was carried out at 70 ° C. under a nitrogen atmosphere in 100 parts by weight of ethyl acetate to obtain a solution of base polymer 1 (solid content: 50% by weight). When the weight average molecular weight of the obtained base polymer 1 was measured by gel permeation chromatography (GPC), it was about 700,000 in terms of polystyrene. <Synthesis of base polymers 2 to 5> A solution of base polymers 2 to 5 having the molecular weights shown in [Table 1] in the same manner as in the synthesis of base polymer 1 except that the monomer mixture shown in [Table 1] was used. (Solid content 50% by weight) was obtained. The weight average molecular weight of each base polymer was measured in the same manner as for base polymer 1, and the results are shown in [Table 1].

【００６７】[0067]

【表１】 [Table 1]

【００６８】実施例１ 調製例で得られたベースポリマー１の溶液（固形分５０
重量％）１００重量部に、酢酸エチル５０重量部および
イソシアネート系架橋剤〔三井東圧化学（株）製、オレ
スターＰ−４９−７５Ｓ、（固形分７５重量％）〕を
０．２重量部（架橋剤固形分として０．１５重量部）加
えて粘着剤塗布液を調製した。この塗布液をロールコー
ターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、
厚み：５０μｍ）の片面に塗布し、１２０℃で１分間乾
燥して厚さ２０μｍの粘着剤層を設けた。次いで、コロ
ナ放電処理を施した厚さ１２０μｍのエチレン−酢酸ビ
ニル共重合体フィルム（ショアーＤ型硬度：３８）の該
処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させるこ
とにより粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィル
ムの粘着力特性は、１５℃〜４０℃の範囲で３５０ｇ〜
４５０ｇ／２５ｍｍの粘着力を示した。さらに、２３℃
でＳＵＳ３０４−ＢＡ板に貼着し、３℃〜７℃まで冷却
した場合の粘着力は３０〜５０ｇ／２５ｍｍであった。
得られた粘着フィルムを２３℃において集積回路が形成
された半導体シリコンウエハの表面に貼付し、研削機
〔（株）ディスコ製：バックグラインダーＤＦＧ−８２
ＩＦ／８〕を用いて、２３℃の水をかけて冷却しながら
半導体シリコンウエハの裏面を該ウエハの厚みが１８０
μｍになるまで研削した。研削終了後、５℃付近まで冷
却した後、該フィルムを剥離した。半導体シリコンウエ
ハを２０枚使用し研削を２０回行った。裏面研削中に破
損したウエハ、粘着剤層と半導体ウエハの間に水の侵入
があったウエハおよび剥離時に破損したウエハは皆無で
あった。粘着フィルム剥離後のウエハ表面を光学顕微鏡
〔（株）ニコン製：ＯＰＴＩＰＨＯＴ２〕を用いて５０
〜１０００倍の範囲でウエハ表面全体及び回路の微細部
分まで観察したところ、汚染されたチップは皆無であっ
た。結果を〔表２〕に示す。Example 1 A solution of the base polymer 1 obtained in the preparation example (solid content: 50%)
100 parts by weight) and 0.2 parts by weight of 50 parts by weight of ethyl acetate and 0.2 part by weight of an isocyanate-based crosslinking agent [Olester P-49-75S, manufactured by Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. (solid content: 75% by weight)]. (0.15 parts by weight as a solid content of a crosslinking agent) was added to prepare an adhesive coating solution. This coating solution is applied to a polypropylene film (release film,
(Thickness: 50 μm) and dried at 120 ° C. for 1 minute to provide a 20 μm thick adhesive layer. Then, the treated surface of an ethylene-vinyl acetate copolymer film (Shore D hardness: 38) having a thickness of 120 μm subjected to corona discharge treatment is bonded and pressed to transfer the pressure-sensitive adhesive layer, whereby the pressure-sensitive adhesive layer is transferred. Manufactured. The adhesive strength characteristics of the obtained adhesive film are 350 g to 350 ° C. in the range of 15 ° C. to 40 ° C.
The adhesive strength was 450 g / 25 mm. In addition, 23 ℃
When applied to a SUS304-BA plate and cooled to 3 ° C to 7 ° C, the adhesive strength was 30 to 50 g / 25 mm.
The obtained adhesive film was adhered to the surface of a semiconductor silicon wafer on which an integrated circuit was formed at 23 ° C., and a grinding machine [Disco Co., Ltd .: Back Grinder DFG-82]
IF / 8], the back surface of the semiconductor silicon wafer is cooled to a thickness of 180
Grinding was performed to a thickness of μm. After the grinding, the film was cooled to around 5 ° C., and then the film was peeled off. Grinding was performed 20 times using 20 semiconductor silicon wafers. None of the wafers was damaged during back grinding, no water was invaded between the adhesive layer and the semiconductor wafer, and no wafer was damaged during peeling. Using an optical microscope [Nikon Corp .: OPTIPHOT2], the surface of the wafer after peeling off the adhesive film was measured for 50 minutes.
Observation of the entire wafer surface and microscopic parts of the circuit in the range of up to 1000 times showed that there were no contaminated chips. The results are shown in [Table 2].

【００６９】実施例２〜６、比較例１〜３ 〔表２〕に示した条件以外は、全て実施例１と同様の操
作で粘着フィルムを製造し、同様の操作でウエハ裏面を
研削した。得られた粘着フィルムの物性、ウエハ裏面研
削結果等を〔表２〕に示す。Examples 2 to 6 and Comparative Examples 1 to 3 Except for the conditions shown in Table 2, an adhesive film was manufactured by the same operation as in Example 1, and the back surface of the wafer was ground by the same operation. The physical properties of the obtained pressure-sensitive adhesive film, the results of grinding the rear surface of the wafer, and the like are shown in [Table 2].

【００７０】比較例４ アクリル酸ブチル９１重量部、アクリロニトリル４．５
重量部、アクリル酸４．５重量部をトルエン１５０重量
部中で、２，２’−アゾビス−イソブチロニトリル（以
下、ＡＩＢＮという）１重量部を用いて窒素雰囲気下８
０℃において共重合して、ベースポリマー溶液（固形分
４０重量％）を得た。このベースポリマー溶液（固形分
４０重量％）１００重量部にイソシアネート系架橋剤
〔三井東圧化学（株）製、オレスターＰ−４９−７５
Ｓ、（固形分７５重量％）〕を２重量部（架橋剤固形分
として１．５重量部）、ジペンタエリスリトールモノヒ
ドロキシペンタアクリレート６重量部およびα−ヒドロ
キシシクロヘキシルフェニルケトン０．４重量部を添加
して粘着剤塗布液を調製した。この塗布液をロールコー
ターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、
厚み：５０μｍ）の片面に塗布し、１２０℃で１分間乾
燥して厚さ２０μｍの粘着剤層を設けた。次いで、コロ
ナ放電処理を施した厚さ１２０μｍのエチレン−酢酸ビ
ニル共重合体フィルム（ショアーＤ型硬度：３８）の該
処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させるこ
とにより粘着フィルムを製造した。得られた粘着フィル
ムは、２３℃で、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対して４５０
ｇ／２５ｍｍの粘着力を示した。さらに２３℃で、ＳＵ
Ｓ３０４−ＢＡ板に貼着し１時間放置後、エチレン−酢
酸ビニル共重合体フィルム側から高圧水銀ランプ（４０
Ｗ／ｃｍ）から発生する紫外線を１５ｃｍの距離から２
０秒間光照射した後、剥離した際の粘着力は８０ｇ／２
５ｍｍであった。２３℃において、得られた粘着フィル
ムを、集積回路が形成された半導体シリコンウエハの表
面に貼付し、研削機〔（株）ディスコ製：バックグライ
ンダーＤＦＧ−８２ＩＦ／８〕を用いて、２３℃の水を
かけて冷却しながら半導体シリコンウエハの裏面を該ウ
エハの厚みが１８０μｍになるまで研削した。研削終了
後、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム側から高圧
水銀ランプ（４０Ｗ／ｃｍ）で１５ｃｍの距離から２０
秒間光照射した後、該粘着フィルムを剥離した。半導体
シリコンウエハを２０枚使用し、研削を２０回行った。
裏面研削中に破損したウエハ、粘着剤層と半導体ウエハ
の間に水の侵入があったウエハおよび剥離時に破損した
ウエハは皆無であった。粘着フィルム剥離後のウエハ表
面を光学顕微鏡〔（株）ニコン製：ＯＰＴＩＰＨＯＴ
２〕を用いて５０〜１０００倍の範囲でウエハ表面全体
及び回路の微細部分まで観察したところ、５％のチップ
に粘着剤層に起因する汚染が生じていた。結果を〔表
２〕に示す。Comparative Example 4 91 parts by weight of butyl acrylate, 4.5 of acrylonitrile
Parts by weight, 4.5 parts by weight of acrylic acid, and 150 parts by weight of toluene in 1 part by weight of 2,2'-azobis-isobutyronitrile (hereinafter referred to as AIBN) under nitrogen atmosphere.
Copolymerization was performed at 0 ° C. to obtain a base polymer solution (solid content: 40% by weight). 100 parts by weight of this base polymer solution (solid content 40% by weight) is added to an isocyanate-based crosslinking agent [Mitsui Toatsu Chemical Co., Ltd., Olester P-49-75].
S, (solid content 75% by weight)], 2 parts by weight (1.5 parts by weight as a cross-linking agent solid content), 6 parts by weight of dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate and 0.4 part by weight of α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone. This was added to prepare an adhesive coating solution. This coating solution is applied to a polypropylene film (release film,
(Thickness: 50 μm) and dried at 120 ° C. for 1 minute to provide a 20 μm thick adhesive layer. Then, the treated surface of an ethylene-vinyl acetate copolymer film (Shore D hardness: 38) having a thickness of 120 μm subjected to corona discharge treatment is bonded and pressed to transfer the pressure-sensitive adhesive layer, whereby the pressure-sensitive adhesive layer is transferred. Manufactured. The resulting adhesive film was heated at 23 ° C. to a SUS304-BA plate at 450 ° C.
g / 25 mm. Further at 23 ° C, SU
After sticking to the S304-BA plate and leaving for 1 hour, a high-pressure mercury lamp (40
W / cm) from the distance of 15 cm
After light irradiation for 0 seconds, the adhesive strength when peeled off is 80 g / 2
5 mm. At 23 ° C., the obtained adhesive film was affixed to the surface of a semiconductor silicon wafer on which an integrated circuit was formed, and the temperature was adjusted to 23 ° C. using a grinding machine (manufactured by Disco Corporation: Back Grinder DFG-82IF / 8). While cooling with water, the back surface of the semiconductor silicon wafer was ground until the thickness of the wafer became 180 μm. After the grinding, from the ethylene-vinyl acetate copolymer film side with a high-pressure mercury lamp (40 W / cm) from a distance of 15 cm to 20 cm
After irradiating with light for seconds, the adhesive film was peeled off. Grinding was performed 20 times using 20 semiconductor silicon wafers.
None of the wafers was damaged during back grinding, no water was invaded between the adhesive layer and the semiconductor wafer, and no wafer was damaged during peeling. An optical microscope [Nikon Corp .: OPTIPHOT]
Observation of the entire wafer surface and fine portions of the circuit in the range of 50 to 1000 times using [2] showed that 5% of the chips were contaminated by the adhesive layer. The results are shown in [Table 2].

【００７１】[0071]

【表２】 [Table 2]

【００７２】[0072]

【発明の効果】本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フ
ィルムは、特定の構成のベースポリマーおよび架橋剤含
む粘着剤層を有し、半導体ウエハの裏面を研削する際に
は強い粘着力で半導体ウエハを保護し、剥離する際には
冷却するだけで容易に粘着力が低下する性質を有する事
を特徴する。そのため、該フィルムを用いて該ウエハの
裏面を研削した場合、研削操作中には、半導体ウエハと
粘着フィルムの間に冷却水が侵入することがない上、半
導体ウエハが破損することがない。また、剥離応力が小
さいので剥離する際に半導体ウエハが破損することがな
い。さらに、剥離した後に粘着剤層からの汚染物が半導
体ウエハ表面に付着することが殆どない。従って、半導
体ウエハの大口径化、薄層化およびＩＣの高性能化にあ
る当技術分野において優れた効果を発揮するものであ
る。The pressure-sensitive adhesive film for grinding the back surface of a semiconductor wafer according to the present invention has a pressure-sensitive adhesive layer containing a specific structure of a base polymer and a crosslinking agent, and has a strong adhesive force when grinding the back surface of the semiconductor wafer. It is characterized by having the property that the adhesive strength is easily reduced only by cooling when peeling off. Therefore, when the back surface of the wafer is ground using the film, cooling water does not enter between the semiconductor wafer and the adhesive film during the grinding operation, and the semiconductor wafer is not damaged. Further, since the peeling stress is small, the semiconductor wafer does not break when peeling. Further, contaminants from the pressure-sensitive adhesive layer hardly adhere to the semiconductor wafer surface after peeling. Therefore, the present invention exerts excellent effects in the technical field of increasing the diameter and thickness of a semiconductor wafer and improving the performance of an IC.

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ０９Ｊ 131/04 Ｃ０９Ｊ 131/04 Ｚ 133/06 133/06 133/24 133/24 Ｈ０１Ｌ 21/304 ３２１ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３２１Ｂ (72)発明者 福本 英樹 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内Continued on the front page (51) Int.Cl. ⁶ Identification symbol FI C09J 131/04 C09J 131/04 Z 133/06 133/06 133/24 133/24 H01L 21/304 321 H01L 21/304 321B (72) Invention Person Hideki Fukumoto Mitsui Toatsu Chemical Co., Ltd. 2-1-1 Tango-dori, Minami-ku, Nagoya-shi, Aichi

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基材フィルムの片面に粘着剤層が設けら
れた半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムであって、該
粘着剤層が、一般式（１）〔化１〕 【化１】 （式中、Ｒ₁は−Ｈまたは−ＣＨ₃、Ｘは−ＣＯＯＲ₂、
−ＣＯＮＨＲ₃、−ＯＲ₄、−ＯＣＯＲ₅、−Ｒ₆または−
Ｃ₆Ｈ₄−Ｒ₇を示す。ここで、Ｒ₂〜Ｒ₆は炭素数が１０
〜５０の脂肪族基、または少なくとも一部がフッ素置換
された炭素数が６〜５０の脂肪族基、Ｒ₇は炭素数が８
〜２４のアルキル基を示す）の構造を有するモノマー群
から選ばれた少なくとも一種のモノマー（Ｉ）４０〜９
８重量％、架橋剤と架橋反応しうる官能基を有するモノ
マー（II）１〜３０重量％、及び、モノマー（Ｉ）及び
（II）と共重合可能なモノマー（III）１〜５９重量％
を必須成分として含むモノマー混合物を共重合して得ら
れたベースポリマー１００重量部、並びに、架橋剤０．
１〜５重量部を含み、Ａ℃〜４０℃（０℃＜Ａ℃＜４０
℃）の温度範囲においてＳＵＳ３０４−ＢＡ板に貼着し
たときの該温度範囲における粘着力が１５０〜２，００
０ｇ／２５ｍｍ、前記温度範囲でＳＵＳ３０４−ＢＡ板
に貼着した状態でＢ℃〜Ｃ℃〔−５０℃≦Ｂ℃≦Ｃ℃≦
（Ａ−３）℃〕の温度範囲に冷却したときのＳＵＳ３０
４−ＢＡ板に対する粘着力が１００ｇ／２５ｍｍ以下で
あることを特徴とする半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルム。1. A pressure-sensitive adhesive film for grinding a back surface of a semiconductor wafer, wherein a pressure-sensitive adhesive layer is provided on one side of a base film, wherein the pressure-sensitive adhesive layer has a general formula (1). (Wherein, R ₁ is —H or —CH ₃ , X is —COOR ₂ ,
_{-CONHR 3, -OR 4, -OCOR 5} , -R 6 or -
C ₆ H ₄ -R ₇ is shown. Here, R _{2 to} R ₆ have 10 carbon atoms.
50 aliphatic group or at least partially fluorine-substituted aliphatic group having a carbon number of 6 to 50,, R ₇ has a carbon number 8
At least one monomer (I) selected from the group consisting of monomers having the following structures:
8% by weight, 1 to 30% by weight of a monomer (II) having a functional group capable of undergoing a crosslinking reaction with a crosslinking agent, and 1 to 59% by weight of a monomer (III) copolymerizable with the monomers (I) and (II)
And 100% by weight of a base polymer obtained by copolymerizing a monomer mixture containing, as an essential component,
A to 40 ° C. (0 ° C. <A ° C. <40
C) in a temperature range of 150 to 2,000 when the adhesive force is applied to the SUS304-BA plate in the temperature range.
0 ° C./25 mm, B ° C. to C ° C. [−50 ° C. ≦ B ° C. ≦ C ° C.
SUS30 when cooled to the temperature range of (A-3) ° C]
An adhesive film for grinding a back surface of a semiconductor wafer, wherein the adhesive strength to a 4-BA plate is 100 g / 25 mm or less. 【請求項２】 Ａ℃、Ｂ℃およびＣ℃の関係が、０℃＜
Ｂ℃≦Ｃ℃≦（Ａ−３）℃、且つＡ℃≦１５℃である請
求項１記載の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム。2. The relationship between A ° C., B ° C. and C ° C. is 0 ° C. <2 ° C.
The pressure-sensitive adhesive film for grinding the back surface of a semiconductor wafer according to claim 1, wherein B ° C ≦ C ° ≦ (A-3) ° C and A ° C ≦ 15 ° C. 【請求項３】 半導体ウエハの裏面研削時に粘着フィル
ムをその表面に貼着し、研削終了後に剥離する半導体ウ
エハの裏面研削方法であって、半導体ウエハの表面に請
求項１記載の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムをＡ
℃〜４０℃（０℃＜Ａ℃＜４０℃）の温度範囲において
貼着して、該温度範囲に保たれた冷却水をかけながら半
導体ウエハの裏面を研削し、次いで、Ｂ℃〜Ｃ℃〔−５
０℃≦Ｂ℃≦Ｃ℃≦（Ａ−３）℃〕の温度範囲に冷却し
た後に半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを剥離する
ことを特徴とする半導体ウエハの裏面研削方法。3. A method of grinding a back surface of a semiconductor wafer, wherein an adhesive film is attached to the surface of the back surface of the semiconductor wafer when the back surface is ground, and peeled off after the grinding is completed. A for adhesive film
C. to 40.degree. C. (0.degree. <A.degree. <40.degree. C.), grinding the back surface of the semiconductor wafer while applying cooling water kept in the temperature range, and then B.degree. [−5
A method of grinding the backside of a semiconductor wafer, comprising cooling the semiconductor wafer backside adhesive film after cooling to a temperature range of 0 ° C ≦ B ° C ≦ C ° C ≦ (A-3) ° C]. 【請求項４】 Ａ℃、Ｂ℃およびＣ℃の関係が、０℃＜
Ｂ℃≦Ｃ℃≦（Ａ−３）℃、且つＡ℃≦１５℃である請
求項３記載の半導体ウエハの裏面研削方法。4. The relationship between A ° C., B ° C. and C ° C. is 0 ° C. <
4. The method for grinding a back surface of a semiconductor wafer according to claim 3, wherein B.degree. C..ltoreq.C.degree..ltoreq. (A-3) .degree.