JPH09249860A - Surface protecting material for semiconductor wafer - Google Patents
Surface protecting material for semiconductor waferInfo
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- JPH09249860A JPH09249860A JP5811296A JP5811296A JPH09249860A JP H09249860 A JPH09249860 A JP H09249860A JP 5811296 A JP5811296 A JP 5811296A JP 5811296 A JP5811296 A JP 5811296A JP H09249860 A JPH09249860 A JP H09249860A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの運
搬、加工、汚染防止、保護のための一時的な保護材に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a temporary protective material for transporting, processing, preventing contamination, and protecting semiconductor wafers.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路（半導体ＩＣ）チップ
は、一般にシリコン単結晶等をスライスして半導体ウエ
ハとした後に、その片表面に集積回路を組み込み半導体
ＩＣを形成した後、その半導体ＩＣの裏面を研磨して薄
肉化し、次いでダイシングしてチップ化し、洗浄、乾
燥、エキスパンディング、ピックアップ等の各工程を経
て製造されている。上記研磨工程においては、研磨機を
用いてして厚さ１００〜６００μｍ程度まで薄くするの
が一般的となっている。2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor integrated circuit (semiconductor IC) chip is obtained by slicing a silicon single crystal or the like into a semiconductor wafer, incorporating the integrated circuit on one surface thereof to form a semiconductor IC, and then forming the back surface of the semiconductor IC. It is manufactured by polishing, thinning it, dicing it into chips, and washing, drying, expanding, and picking up. In the polishing step, it is general to use a polishing machine to reduce the thickness to about 100 to 600 μm.
【０００３】これらの工程において、半導体ウエハが破
損したり、回路パターン形成面が研磨屑で汚染、損傷す
ることを防止するために予めその回路パターン形成面に
保護材が接着され、裏面研磨等の必要な加工を施した後
に剥離除去してウエハの洗浄工程などに送られる。In these steps, in order to prevent the semiconductor wafer from being damaged or the circuit pattern forming surface being contaminated or damaged by polishing dust, a protective material is previously adhered to the circuit pattern forming surface, and back surface polishing or the like is performed. After being subjected to necessary processing, it is peeled and removed, and then sent to a wafer cleaning process or the like.
【０００４】従来、表面保護材としては、プラスチック
フィルム等の基材フィルムの表面に、天然ゴム、合成ゴ
ム、アクリル樹脂等を主成分とする粘着剤層を設けた粘
着フィルムが用いられてきた。この粘着フィルムは張り
合わせの簡単さから広く用いられているが、粘着剤層の
粘着力が経時的に増加するために半導体ウエハ表面から
粘着フィルムを剥離させる際の作業性が悪く、しかも剥
離した時に半導体ウエハ上に粘着剤が転着しやすいとい
う問題がある。Conventionally, as a surface protective material, an adhesive film has been used in which a surface of a base material film such as a plastic film is provided with an adhesive layer containing natural rubber, synthetic rubber, acrylic resin or the like as a main component. This adhesive film is widely used because of its ease of laminating, but the workability when peeling the adhesive film from the semiconductor wafer surface is poor because the adhesive force of the adhesive layer increases over time, and when peeling it, There is a problem that the adhesive is easily transferred onto the semiconductor wafer.
【０００５】これらの問題を解決するために、従来から
種々の粘着フィルムが提案されている。例えば、特開平
５−１５６２１５号公報には、基材フィルムの片面にア
クリル系樹脂エマルジョン型粘着剤とポリプロピレング
リコールとを含有する粘着剤層を設けた粘着フィルムが
開示され、また特開平５−１９８５４２号公報には、基
材フィルムの片面にアクリル系樹脂と界面活性剤、およ
び架橋剤を含有する粘着剤層を設けた粘着フィルムが開
示されている。これらの公報においては、粘着剤層の粘
着性が経時的に増大することを抑えることにより使用後
の剥離性を良くし、および粘着剤層の凝集力を高めるこ
とで半導体ウエハ表面への粘着剤の転着を減少してい
る。In order to solve these problems, various adhesive films have been proposed in the past. For example, JP-A-5-156215 discloses a pressure-sensitive adhesive film in which a pressure-sensitive adhesive layer containing an acrylic resin emulsion-type pressure-sensitive adhesive and polypropylene glycol is provided on one surface of a base film, and also in JP-A-5-198542. The publication discloses an adhesive film in which an adhesive layer containing an acrylic resin, a surfactant, and a crosslinking agent is provided on one surface of a base film. In these publications, the adhesiveness to the semiconductor wafer surface is improved by improving the releasability after use by suppressing the increase in the adhesiveness of the adhesive layer over time, and by increasing the cohesive force of the adhesive layer. The number of transfers is decreasing.
【０００６】しかし、粘着性が経時的に増大することを
抑える方法では一応の効果はあるものの、常温あるいは
高温での作業下においては基本的に解決されておらず、
また使用初期における粘着強度とのバランスをとること
が難しい。However, although the method of suppressing the increase in tackiness with time has some effect, it has not been basically solved under the operation at room temperature or high temperature.
Moreover, it is difficult to balance with the adhesive strength in the initial stage of use.
【０００７】そこで、特開平７−８１１１８号公報に
は、基材フィルムの片面に、紫外線照射により粘着性が
低下し得るアクリル系粘着剤層を設けた粘着フィルムが
開示され、半導体ウエハから粘着フィルムを剥離する際
に紫外線を照射することでその粘着性を低下させてい
る。しかし、この方法では、紫外線照射のための装置を
必要とするためコスト高となる欠点があり、また粘着剤
層に含まれる紫外線硬化促進剤等が半導体ウエハ表面を
汚染するおそれがある。Therefore, JP-A-7-81118 discloses a pressure-sensitive adhesive film in which an acrylic pressure-sensitive adhesive layer whose adhesiveness can be reduced by irradiation of ultraviolet rays is provided on one surface of a substrate film. The adhesiveness is reduced by irradiating with ultraviolet rays when peeling off. However, this method has a drawback in that the cost is high because an apparatus for irradiating ultraviolet rays is required, and the ultraviolet curing accelerator or the like contained in the adhesive layer may contaminate the surface of the semiconductor wafer.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決するものであり、その目的とすることろは、初
期接着力が大きく、使用後の剥離作業性に優れ、しかも
剥離後の半導体ウエハの表面を汚染することのない粘着
剤層を有する半導体ウエハの表面保護材を提供すること
にある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is intended to solve the above problems, and its purpose is to provide a large initial adhesive force, excellent workability for peeling after use, and further, after peeling. Another object of the present invention is to provide a surface protecting material for a semiconductor wafer having an adhesive layer that does not contaminate the surface of the semiconductor wafer.
【０００９】本発明の他の目的は、優れた粘着性と使用
後の剥離作業性が、低コストにて実施できる半導体ウエ
ハの表面保護材を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a surface protective material for a semiconductor wafer which has excellent adhesiveness and peeling workability after use at low cost.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウエハの
表面保護材は、基材フィルムの片面に粘着剤層が設けら
れた半導体ウエハの表面保護材において、該粘着剤層
が、約１５℃より狭い温度範囲にわたって起こる第１次
溶融転移を持つポリマ一を含有するポリマー組成物から
なることを特徴とし、そのことにより上記目的が達成さ
れる。A surface protecting material for a semiconductor wafer according to the present invention is a surface protecting material for a semiconductor wafer in which an adhesive layer is provided on one surface of a base film, wherein the adhesive layer has a temperature of about 15 ° C. The invention is characterized in that it comprises a polymer composition containing a polymer having a first-order melt transition that occurs over a narrower temperature range, whereby the above objects are achieved.
【００１１】上記ポリマーが側鎖結晶化可能ポリマーで
あり、該側鎖結晶化可能ポリマーが、該ポリマー組成物
を室温以下の温度ではほぼ非粘着性に、またそれより上
の温度では粘着性にするのに十分な量だけ該ポリマー組
成物中に存在することが好ましい。The polymer is a side-chain crystallizable polymer which renders the polymer composition substantially non-tacky at temperatures below room temperature and tacky at temperatures above it. It is preferred that it is present in the polymer composition in an amount sufficient to do so.
【００１２】上記側鎖結晶化可能ポリマーが、炭素数１
０以上の直鎖状アルキル基を側鎖とするアクリル酸エス
テル及び／又はメタクリル酸エステルを主成分とするポ
リマーであることが好ましい。The side-chain crystallizable polymer has a carbon number of 1
It is preferable that the polymer is mainly composed of acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester having 0 or more linear alkyl groups as side chains.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】本発明に使用される基材フィルム
は、半導体ウエハを加工する際の衝撃緩和や、保護材が
洗浄水等で浸漬されて剥離が困難となることなどを防止
するためのものである。従って、基材フィルムとして
は、耐水性の良好なものが好ましく使用される。その例
としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリアミ
ド、ポリカーボネート、エチレン酢酸ビニル共重合体、
エチレンエチルアクリレート共重合体、エチレンポリプ
ロピレン共重合体、ポリ塩化ビニル等の合成樹脂フィル
ムの単層体またはこれらの複層体からなる厚さが５〜５
００μｍのシートなどがあげられる。基材フィルムの表
面に粘着剤層に対する粘着性を上げるためにコロナ放電
処理、ブラスト処理、ケミカルエッチング処理、プライ
マー処理等を施してもよい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The base film used in the present invention is intended to prevent impact relaxation when processing a semiconductor wafer and to prevent the protective material from being soaked in washing water or the like to be difficult to peel off. belongs to. Therefore, as the base film, one having good water resistance is preferably used. Examples thereof include polypropylene, polyester, polyamide, polycarbonate, ethylene vinyl acetate copolymer,
The synthetic resin film such as ethylene ethyl acrylate copolymer, ethylene polypropylene copolymer, polyvinyl chloride, etc. has a thickness of 5 to 5 composed of a single layer or a multi layer of these.
An example is a sheet of 00 μm. The surface of the substrate film may be subjected to corona discharge treatment, blast treatment, chemical etching treatment, primer treatment or the like in order to increase the adhesiveness to the adhesive layer.
【００１４】この基材フィルムの片面もしくは両面に、
以下に詳細に説明するポリマー組成物からなる粘着剤層
が積層されている。On one side or both sides of this substrate film,
A pressure-sensitive adhesive layer made of a polymer composition described in detail below is laminated.
【００１５】本発明に使用される約１５℃より狭い温度
範囲にわたって起こる第１次溶融転移を持つポリマーを
含有するポリマー組成物は、日本特許出願公表平４−５
０７４２５号に於いて開示されているものであり、この
ポリマー組成物には、側鎖結晶化可能ポリマーが、該ポ
リマー組成物より構成される粘着剤層を室温以下の温度
ではほぼ非粘着性に、またそれより上の温度では粘着性
にする特性を示すのに十分な量だけ存在するものであ
る。The polymer composition containing a polymer having a first-order melting transition occurring over a temperature range narrower than about 15 ° C. used in the present invention is disclosed in Japanese Patent Application Publication No. 4-5.
No. 07425, the polymer composition has a side-chain crystallizable polymer, and a pressure-sensitive adhesive layer made of the polymer composition is substantially non-tacky at a temperature of room temperature or lower. And at temperatures above that it is present in an amount sufficient to exhibit tackifying properties.
【００１６】しかし、この温度は基材フィルムの用途等
によって変更することができる。例えば、１０℃以下の
温度ではほぼ非粘着性に、またそれより上の温度では粘
着性になるように、あるいは３０℃以下の温度ではほぼ
非粘着性に、またそれより上の温度では粘着性になるよ
うにしてもよい。これら温度の変更は、以下に示すよう
にポリマーの構造、ポリマー組成物の処方を変えること
によって任意に行うことができる。However, this temperature can be changed depending on the use of the base film. For example, it becomes almost non-sticky at a temperature of 10 ° C or lower, becomes sticky at a temperature higher than that, or becomes substantially non-sticky at a temperature of 30 ° C or lower, and sticky at a temperature higher than that. May be These changes in temperature can be made arbitrarily by changing the structure of the polymer and the formulation of the polymer composition as shown below.
【００１７】該粘着剤層を構成するポリマー組成物の実
施態様としては、側鎖結晶化可能および主鎖結晶化可能
ポリマーを用いるのが好適であり、これらは、温度依存
接着特性を示すポリマ一を含むものである。該ポリマー
組成物に使用され得る結晶化可能ポリマーは、側鎖結晶
化可能および主鎖結晶化可能ポリマーを共に含み得る。
違いは前者のクラスの化合物は結晶化可能側鎖部分を含
み、後者のクラスはその骨格構造により結晶化可能とさ
れることである。As an embodiment of the polymer composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer, it is preferable to use a side chain crystallizable polymer and a main chain crystallizable polymer, which are polymers having temperature-dependent adhesive properties. Is included. Crystallizable polymers that can be used in the polymer composition can include both side chain crystallizable and backbone crystallizable polymers.
The difference is that the former class of compounds contains a crystallizable side chain moiety and the latter class is crystallizable due to its backbone structure.
【００１８】本明細書で使用される「融点」または「第
１次転移」という用語は、ある平衡プロセスにより、最
初は秩序ある配列に整合されていたポリマーの特定の部
分が無秩序状態となる温度を意味する。「凍結点」とい
う用語は、ある平衡プロセスにより、最初は無秩序状態
であったポリマーの該特定部分が秩序ある配列に整合さ
れる温度を意味する。一つの実施態様では、好ましく
は、ポリマーの第１次転移温度または融点は約１０℃か
ら２５℃の範囲、さらに好ましくは約１０℃から２０℃
の範囲である。溶融は急速に、すなわち約10℃より小さ
い、好ましくは約5℃より小さい比較的狭い温度範囲に
おいて起こることが好適である。ポリマー組成物は単純
な冷却法、例えば氷、氷袋などを加えることにより接着
性が失われるポリマーを備えている。他の実施態様にお
いては、ポリマーは、好ましくは約５℃から２０℃の範
囲、さらに好ましくは約５℃から１５℃の範囲の凍結
（すなわち「結晶化」）点をもっている。ポリマーが急
速に結晶化することもまた好適である。この点に関して
は、シーディング剤すなわち結晶化触媒を、急速結晶化
動力学を提供するポリマーに混入し得る。この実施態様
においては、半導体ウエハから粘着剤層を剥離すること
が非常に容易となる。使用後は使用温度よりほんの僅か
低い温度に単純に冷却することにより半導体ウエハ表面
に不当な傷を付けることなく容易に剥離され得る。As used herein, the term "melting point" or "first-order transition" refers to the temperature at which a certain part of a polymer, initially aligned in an ordered arrangement, is disordered by some equilibrium process. Means The term "freezing point" refers to the temperature at which a particular equilibrium process causes the particular portions of the polymer, initially disordered, to align into an ordered array. In one embodiment, preferably the polymer has a first transition temperature or melting point in the range of about 10 ° C to 25 ° C, more preferably about 10 ° C to 20 ° C.
Range. Suitably, melting occurs rapidly, ie in a relatively narrow temperature range of less than about 10 ° C, preferably less than about 5 ° C. The polymer composition comprises a polymer whose adhesion is lost by the addition of simple cooling methods, such as ice, ice bags and the like. In another embodiment, the polymer preferably has a freezing (ie, "crystallization") point in the range of about 5 ° C to 20 ° C, more preferably in the range of about 5 ° C to 15 ° C. It is also suitable for the polymer to crystallize rapidly. In this regard, seeding agents or crystallization catalysts may be incorporated into the polymer that provide the rapid crystallization kinetics. In this embodiment, it becomes very easy to peel off the adhesive layer from the semiconductor wafer. After use, it can be easily peeled off without undue damage to the surface of the semiconductor wafer by simply cooling it to a temperature just below the use temperature.
【００１９】ポリマーは、好ましくは、重量平均分子量
が約20,000から2,300,000ダルトン、代表的には100,000
から1,300,000ダルトン、最も代表的には250,000から1,
000,000ダルトンの範囲である結晶化可能ポリマーまた
は結晶化可能ポリマーの機能上の等価物である。本発明
のための結晶化可能ポリマーの「機能上の等価物」であ
るポリマーにより、上述の温度依存接着特性を示すポリ
マーを含むものである。ポリマー組成物に混入するため
に選択されるポリマーは、望ましい相転移温度、接着強
さ、および粘着性をもつ組成物を提供する、実施態様に
より異なるモノマーを有する。ポリマー組成物はまたこ
こで述べるように２つ以上の異なるポリマーの混合物を
含有するように処方され得る。The polymer preferably has a weight average molecular weight of about 20,000 to 2,300,000 daltons, typically 100,000.
From 1,300,000 daltons, most typically 250,000 to 1,
Crystallizable polymers or functional equivalents of crystallizable polymers in the range of, 000,000 Daltons. By polymers that are "functional equivalents" of crystallizable polymers for the purposes of the present invention are meant to include polymers which exhibit the above temperature dependent adhesive properties. The polymer selected for incorporation into the polymer composition has different monomers, depending on the embodiment, that provides the composition with the desired phase transition temperature, bond strength, and tack. The polymer composition may also be formulated to contain a mixture of two or more different polymers as described herein.
【００２０】「櫛状」ポリマーとも呼ばれる側鎖結晶化
可能ポリマーはよく知られており市販されている。これ
らポリマーはJ. Polymer Sci.: Macromol. Rev. 8:117-
253(1974)にてレビューされている。この開示は本明細
書において参考として援用されている。Side chain crystallizable polymers, also called "comb" polymers, are well known and commercially available. These polymers are J. Polymer Sci .: Macromol. Rev. 8 : 117-
It is reviewed in 253 (1974). This disclosure is incorporated herein by reference.
【００２１】一般に、これらポリマーは下記の式のモノ
マーユニットＸを含む。Generally, these polymers contain a monomer unit X of the formula:
【００２２】 式中、Ｍは骨格原子、Ｓはスペーサーユニット、および
Ｃは結晶化可能な基である。これらのポリマーは、通常
は少なくとも約２０ジュール／ｇの、好ましくは少なく
とも約４０ジュール／ｇの溶融熱（△Ｈｆ）をもつ。ポ
リマーは「Ｘ」により表される５０から１００ｗｔ．％
モノマーユニットを含有する。ポリマーが１００％より
少ないＸを含有する場合は、「Ｙ」または「Ｚ」または
その両者により表され得るモノマーユニットをさらに含
有する。ここでＹは、Ｘおよび／またはＺと重合化可能
な極性のまたは無極性のモノマー、もしくは極性のまた
は無極性のモノマーの混合物であり、Ｚは極性のまたは
無極性のモノマーの混合物である。これら極性のモノマ
ー、例えばポリオキシアルキレン、ヒドロキシエチルア
クリレートを含有するアクリレート、アクリルアミド、
およびメタクリルアミドは、代表的にはほとんどの基材
に対して接着性を増大させる。[0022] In the formula, M is a skeletal atom, S is a spacer unit, and C is a crystallizable group. These polymers typically have a heat of fusion (ΔHf) of at least about 20 Joules / g, preferably at least about 40 Joules / g. The polymer is from 50 to 100 wt. %
Contains monomer units. When the polymer contains less than 100% X, it also contains monomer units which may be represented by "Y" or "Z" or both. Here, Y is a polar or non-polar monomer or a mixture of polar or non-polar monomers polymerizable with X and / or Z and Z is a mixture of polar or non-polar monomers. These polar monomers such as polyoxyalkylene, acrylates containing hydroxyethyl acrylate, acrylamide,
And methacrylamide typically increases adhesion to most substrates.
【００２３】ポリマーの骨格（「Ｍ」により定義され
る）は有機構造体（脂肪族または芳香族の炭化水素、エ
ステル、エーテル、アミドなど）であり得、または無機
構造体（スルファイド、ホスファジン、シリコンなど）
であり得、また適切な有機または無機のユニット、例え
ばエステル、アミド、炭化水素、フェニール、エーテ
ル、またはイオン塩（例えばカーボキシル−アルキルア
ンモニウムまたはスルフォニウムまたはホスホニウムイ
オンペア、またはその他既知のイオン塩ペア）であり得
るスペーサ結合を含み得る。The polymer backbone (defined by "M") can be an organic structure (aliphatic or aromatic hydrocarbon, ester, ether, amide, etc.) or an inorganic structure (sulphide, phosphazine, silicon). Such)
And a suitable organic or inorganic unit, such as an ester, amide, hydrocarbon, phenyl, ether, or ionic salt (e.g., carboxyl-alkylammonium or sulfonium or phosphonium ion pair, or other known ionic salt pair). The resulting spacer bond may be included.
【００２４】側鎖（「Ｓ」および「Ｃ」により定義され
る）は脂肪族または芳香族、もしくは脂肪族と芳香族の
組合せであり得るが、結晶状態に入り得るものでなけれ
ばならない。通常の例としては、少なくとも１０個の炭
素原子の線形の脂肪族側鎖、例えばＣ14−Ｃ22 アクリ
レートまたはメタクリレート、アクリルアミド、ビニル
エーテルまたはエステル、シロキサンまたはアルファオ
レフィン、少なくとも６個の炭素のフッ素化脂肪族側
鎖、およびアルキルが８から２４個の炭素原子よりなる
ｐ−アルキルスチレン側鎖がある。The side chains (defined by "S" and "C") can be aliphatic or aromatic, or a combination of aliphatic and aromatic, but must be capable of entering the crystalline state. Common examples are linear aliphatic side chains of at least 10 carbon atoms, such as C 14 -C 22 acrylates or methacrylates, acrylamides, vinyl ethers or esters, siloxanes or alpha-olefins, fluorinated fats of at least 6 carbons. There are group side chains and p-alkylstyrene side chains where the alkyl consists of 8 to 24 carbon atoms.
【００２５】側鎖部分の長さは、通常は、アクリレー
ト、メタクリレート、ビニルエステル、アクリルアミ
ド、メタクリルアミド、ビニルエーテル、およびアルフ
ァオレフィンの場合の側鎖間の距離の５倍より大であ
る。フルオロアクリレートのブタジエンとの交互ポリマ
ーの極端な場合では、側鎖は、分岐間の距離のたった２
倍の長さであり得る。いずれにしても、側鎖ユニットは
ポリマーの容積の50%より大きい、好ましくは容積の65%
より大きい部分を形成する。The length of the side chain moieties is usually greater than 5 times the distance between the side chains in the case of acrylates, methacrylates, vinyl esters, acrylamides, methacrylamides, vinyl ethers and alpha olefins. In the extreme case of alternating polymers of fluoroacrylates with butadiene, the side chains have only 2 branch distances.
It can be double the length. In any case, the side chain units are greater than 50% of the volume of the polymer, preferably 65% of the volume.
Form a larger part.
【００２６】側鎖結晶化可能モノマーの特定の例として
は、J. Poly. Sci. 10:3347 (1972)、J. Poly. Sci. 1
0:1657 (1972)、J. Poly. Sci. 9:3367 (1971)、J. Pol
y. Sci. 9:3349 (1971)、J. Poly. Sci. 9:1835 (197
1)、J.A.C.S. 76:6280 (1954)、J. Poly. Sci. 7:3053
(1969)、Polymer J. 17:991 (1985)に記載のアクリレー
ト、フルオロアクリレート、メタクリレート、およびビ
ニルエステルポリマー、対応するアクリルアミド、置換
アクリルアミドおよびマレイミドポリマー（J. Poly. S
ci.: Poly. Physics Ed. 18:2197 (1980)）、J. Poly.
Sci.: Macromol.Rev. 8:117-253 (1974)およびMacromol
ecules 13:12 (1980)に記載のものなどのポリ（α−オ
レフィン）ポリマー、Macromolecules 13:15 (1980)に
記載のものなどのポリアルキルビニルエーテル、ポリア
ルキルエチレンオキシド、Poly. Sci. USSR 21:241、Ma
cromolecules 18:2141記載のものなどのアルキルホスフ
ァゼンポリマー、ポリアミノ酸、Macromolecules 12:94
(1979)に記載のものなどのポリイソシアネート、Macro
molecules 19:611 (1986)に記載のものなどの、アミン
またはアルコール含有モノマーを長鎖アルキルイソシア
ネートと反応させることにより調製されるポリウレタ
ン、ポリエステルおよびポリエーテル、ポリシロキサン
およびポリシラン、そしてJ.A.C.S. 75:3326 (1953)お
よびJ. Poly. Sci.60:19 (1962)に記載のものなどのｐ
−アルキルスチレンポリマーがある。Specific examples of side chain crystallizable monomers include: J. Poly. Sci. 10 : 3347 (1972), J. Poly. Sci. 1
0 : 1657 (1972), J. Poly. Sci. 9 : 3367 (1971), J. Pol.
y. Sci. 9 : 3349 (1971), J. Poly. Sci. 9 : 1835 (197
1), JACS 76 : 6280 (1954), J. Poly. Sci. 7 : 3053
(1969), Polymer J. 17 : 991 (1985), acrylate, fluoroacrylate, methacrylate, and vinyl ester polymers, corresponding acrylamide, substituted acrylamide and maleimide polymers ( J. Poly. S.
ci .: Poly. Physics Ed. 18 : 2197 (1980)), J. Poly.
Sci .: Macromol. Rev. 8 : 117-253 (1974) and Macromol
ecules 13 : 12 (1980) and other poly (α-olefin) polymers, Macromolecules 13 : 15 (1980) and other such polyalkyl vinyl ethers, polyalkyl ethylene oxide, Poly.Sci. USSR 21 : 241 , Ma
cromolecules 18 : 2141 such as alkylphosphazene polymers, polyamino acids, Macromolecules 12 : 94
Polyisocyanates such as those described in (1979), Macro
molecules 19 : 611 (1986), polyurethanes, polyesters and polyethers, polysiloxanes and polysilanes prepared by reacting amine- or alcohol-containing monomers with long chain alkyl isocyanates, and JACS 75 : 3326 ( 1953) and p . Such as those described in J. Poly. Sci. 60 : 19 (1962) .
There are alkyl styrene polymers.
【００２７】比較的極性でしかも結晶化可能であるが、
結晶となる部分は水分に影響されないポリマーは特定の
用途をもつ。例えば、ポリオキシエチレン、ポリオキシ
プロピレン、ポリオキシブチレンまたはコポリオキシア
ルキレンユニットをポリマーに混入すると、ポリマーは
より極性となり、湿った半導体ウエハへの接着を向上さ
せる。Although it is relatively polar and can be crystallized,
The crystalline part is not affected by moisture. Polymers have particular applications. For example, incorporation of polyoxyethylene, polyoxypropylene, polyoxybutylene or copolyoxyalkylene units into the polymer makes the polymer more polar and improves adhesion to wet semiconductor wafers.
【００２８】上記の構造における、本明細書で特に好適
な実施態様においては、-Cは-(CH2)n-CH3および-(CF2)n
-CF2Hよりなるグループから選択される。ここでnは8か
ら20までの8および20を含む整数であり、-S-は-O-、-CH
2-、-(CO)-、-O(CO)-、および-NR-よりなるグループか
ら選択され、ここでRは水素または低級アルキル (1-6
C)、そして-M-は-[(CH2)m-CH]-であり、ここでmは0から
2である。[0028] in the above structure, in a particularly preferred embodiment herein, -C is - (CH 2) n -CH 3 and - (CF 2) n
-Selected from the group consisting of CF 2 H. Where n is an integer from 8 to 20 including 8 and 20, -S- is -O-, -CH
Selected from the group consisting of 2 -,-(CO)-, -O (CO)-, and -NR-, where R is hydrogen or lower alkyl (1-6
C), and -M- is-[(CH 2 ) m-CH]-, where m is from 0
2
【００２９】代表的な「Ｙ」ユニットは線形または分岐
状のアルキルまたはアリルアクリレートまたはメタクリ
レート、アルファオレフィン、線形または分岐状アルキ
ルビニルエーテルまたはビニルエステル、マレインエス
テルまたはイタコン酸エステル、アクリルアミド、スチ
レンまたは置換スチレン、アクリル酸、メタクリル酸お
よび親水性のモノマーである。これらは上述のWO84/038
7に詳述されている。Typical "Y" units are linear or branched alkyl or allyl acrylates or methacrylates, alpha olefins, linear or branched alkyl vinyl ethers or vinyl esters, maleic esters or itaconic acid esters, acrylamides, styrenes or substituted styrenes, Acrylic acid, methacrylic acid and hydrophilic monomers. These are WO84 / 038 mentioned above.
Detailed in 7.
【００３０】上述のモノマーユニット「M-S-C」に加え
て、次のモノマー構造をポリマー中に追加してまたは代
わりに存在させ得る。In addition to the monomer unit "MSC" described above, the following monomer structures may be additionally or alternatively present in the polymer.
【００３１】 「Ｄ」はポリオキシアルキレン鎖（例えばポリオキシエ
チレン）などの親水性のポリエーテル鎖であり、「Ｃ」
と対照的に、結晶化され得るかまたはされ得ない。
「Ｄ」は好ましくは約100ダルトンより高い分子量をも
つ。[0031] "D" is a hydrophilic polyether chain such as a polyoxyalkylene chain (eg, polyoxyethylene), and "C"
In contrast, it may or may not be crystallized.
"D" preferably has a molecular weight higher than about 100 Daltons.
【００３２】複数の立体規則性形態で存在し得るポリオ
レフィンの場合において重要なことは、粘着性および非
粘着性状態の間の転移をはっきりさせるために、ポリマ
ーの立体規則性を注意して選択しなければならないとい
うことである。ポリマーは単一の形状、すなわちアタク
チック、シンジオタクチック、またはアイソタクチック
のいずれかにおいて存在し得るが、融点が偶然に一致し
ない限りは立体規則性物の混合物としては存在し得な
い。異なる融点の様々な立体規則性のポリマーの混合物
をもつことにより、転移の幅が広がり、その結果得られ
るポリマーは狭い温度範囲において接着特性の緩やかな
変化を示す結果となる。In the case of polyolefins which may exist in more than one stereoregular form, what is important is to carefully select the stereoregularity of the polymer in order to define the transition between the tacky and non-tacky states. It has to be. The polymers may exist in a single form, either atactic, syndiotactic, or isotactic, but not as a mixture of stereoregularities unless the melting points are coincidentally matched. By having a mixture of polymers of different stereoregularity with different melting points, the range of transitions is broadened, resulting in the polymers exhibiting a gradual change in adhesive properties over a narrow temperature range.
【００３３】好適な主鎖の結晶化可能ポリマーは水溶性
ポリアルキレンオキシド、低級アルキルポリエステル、
およびポリテトラヒドロフランを含む。Suitable backbone crystallizable polymers are water-soluble polyalkylene oxides, lower alkyl polyesters,
And polytetrahydrofuran.
【００３４】側鎖または主鎖のいずれの結晶化可能ポリ
マーも橋かけ結合され得る、またはされ得ない。ポリマ
ー組成物を橋かけ結合することは、高分子量のポリマー
を使用することと同様に、通常は、溶融の流れは減少
し、また橋かけ結合しない低分子量の物質より粘着強さ
が増大する。ポリマー組成物はポリマーの溶融点より高
い温度で使用され得るため、溶融の流れは小さい方が望
ましく、これにより粘着剤層は半導体ウエハ表面へ移
動、流動または移行しない。（すなわち、従来の「ホッ
トメルト」接着剤とは対照的に）。従って粘着し損なう
ことのないように十分な粘着強さをもつポリマー組成物
が望ましい。低い溶融の流れと適切な粘着強さは、ブロ
ック共重合または他の当該分野では既知の方法の使用に
より、適切なコモノマー（例えば高Ｔｇモノマー）の添
加、または粘着剤層の調製前、調製中、または調製後に
橋かけ結合を誘引することなどの他の手段により達成さ
れ得る。Crystallizable polymers, either side chains or backbones, may or may not be crosslinked. Cross-linking the polymer composition, as well as using high molecular weight polymers, usually results in reduced melt flow and increased cohesive strength over non-crosslinked low molecular weight materials. Because the polymer composition can be used at temperatures above the melting point of the polymer, a low melt flow is desirable so that the adhesive layer does not migrate, flow or migrate to the semiconductor wafer surface. (Ie, in contrast to conventional "hot melt" adhesives). Therefore, a polymer composition having sufficient tack strength so as not to lose tack is desirable. Low melt flow and proper cohesive strength may be determined by the use of block copolymerization or other methods known in the art to add a suitable comonomer (eg, high Tg monomer) or before or during preparation of the adhesive layer. , Or by other means such as inducing cross-linking after preparation.
【００３５】橋かけ結合された結晶化可能物質を生成す
るのに様々な方法が利用可能である。結晶化可能モノマ
ーおよび多官能性モノマーを１段階または２段階のいず
れかで重合することによりネットワークコポリマーが調
製され得る。１段階プロセスは粘着剤層を適所に形成さ
れ得、一方２段階プロセスは中間の処理段階が必要な場
合に使用される。様々な多官能モノマー（２、３、また
は多官能アクリル酸またはメタクリル酸エステル、ビニ
ルエーテル、エステル、またはアミド、イソシアネー
ト、アルデヒド、エポキシなど）が当該分野では知られ
ている。これらの多官能性モノマーは所望の結果により
１段階または２段階プロセスにて使用され得る。コポリ
マーを添加してまたは添加しないで予め形成された結晶
化可能ポリマーを橋かけ結合するためには、イオン化放
射、例えばベータまたはガンマ放射、過酸化物、シラン
または同様の硬化剤を使用し得る。イオン橋かけ結合は
例えば酸性ポリマーサイトを２または３価の金属塩また
は酸化物と反応させて橋かけ結合サイトとして働く錯体
を生成することにより形成され得る。同様に有機塩また
は錯体は当該分野で既知の方法により調製され得る。Various methods are available for producing crosslinked crystallizable materials. Network copolymers can be prepared by polymerizing a crystallizable monomer and a polyfunctional monomer in either one or two steps. The one-step process can form the adhesive layer in place, while the two-step process is used when intermediate processing steps are required. Various polyfunctional monomers are known in the art, such as 2, 3 or polyfunctional acrylic or methacrylic acid esters, vinyl ethers, esters or amides, isocyanates, aldehydes, epoxies and the like. These polyfunctional monomers can be used in a one-step or two-step process depending on the desired result. Ionizing radiation, such as beta or gamma radiation, peroxides, silanes or similar hardeners may be used to crosslink preformed crystallizable polymers with or without the addition of copolymers. Ionic cross-links can be formed, for example, by reacting acidic polymer sites with di- or trivalent metal salts or oxides to form complexes that act as cross-linking sites. Similarly, organic salts or complexes can be prepared by methods known in the art.
【００３６】物質が過剰な程度まで橋かけ結合される
と、結晶性および／または粘着性は、所望の温度活性特
性が失われる点まで減少し得る。上述の要因を最適化す
るためには、橋かけ結合は約0.01パーセントから５モル
パーセントまで、好ましくは.05から１モルパーセント
の範囲であるべきである。橋かけ結合されたポリマーは
通常は、少なくとも約20ジュール/g、好ましくは少なく
とも30ジュール/gの溶融熱をもつ。When the material is cross-linked to an excessive extent, crystallinity and / or stickiness can be reduced to the point where the desired temperature-active properties are lost. To optimize the above factors, the cross-linking should be in the range of about 0.01 percent to 5 mole percent, preferably .05 to 1 mole percent. The crosslinked polymer usually has a heat of fusion of at least about 20 Joules / g, preferably at least 30 Joules / g.
【００３７】効果的な橋かけ結合は物理的な方法によっ
てもまた得られ得る。例えば、結晶化可能な部分を含む
ブロックコポリマー、および結晶化可能ポリマーより高
いガラス転移または融点を示す第２部分が調製され、全
質量が結晶化可能ポリマーの融点より高いが第２ポリマ
ーの転移より低いところで物理的な安定性を示す。Effective cross-linking can also be obtained by physical methods. For example, a block copolymer comprising a crystallizable moiety, and a second portion exhibiting a higher glass transition or melting point than the crystallizable polymer is prepared, the total mass being higher than the melting point of the crystallizable polymer but higher than the transition of the second polymer. It exhibits physical stability in the low range.
【００３８】前述のように、ポリマー組成物が、該組成
物の第１次溶融転移が約15℃より狭い、好ましくは約10
℃より狭い範囲において起こるように選択されたポリマ
ーまたはポリマーの混合物で処方され得ることがまた好
ましい。溶融転移が約５℃と約50℃の間で起こることも
また好適である。さらに、組成物は、溶融範囲以上に上
昇すると１分足らずの内に粘着性があらわれ、次に、い
かなる基材にも接触させることなく、温度が溶融範囲よ
り２、３℃でも下がると非粘着性状態に戻ることが必要
である場合がある。この逆戻りに要する時間は約５分よ
り短いことが必要である。後者の粘着性値（ＰＫＩ）は
好ましくは約25 g・cm/秒より低い、または粘着性測定
計器の最小値である。As stated above, the polymer composition has a first-order melt transition of less than about 15 ° C., preferably about 10 ° C.
It is also preferred that it can be formulated with a polymer or mixture of polymers selected to occur in a range less than ° C. It is also preferred that the melt transition occurs between about 5 ° C and about 50 ° C. Furthermore, the composition becomes tacky within less than a minute when it rises above the melting range and then becomes non-tacky when the temperature drops below the melting range by a few degrees, without contacting any substrate. It may be necessary to return to the sexual state. The time required for this reversion should be less than about 5 minutes. The latter adhesion value (PKI) is preferably below about 25 g.cm/sec, or the minimum of the adhesion measuring instrument.
【００３９】ここで有用なポリマー組成物は、１つ以上
の上述のポリマーに加えて、粘着性付与剤（樹木のロジ
ン、ポリエステルなど）、酸化防止剤、繊維質または非
繊維質の充填剤、着色料などの従来の添加物を含有し得
る。また、全体的な温度感応特性が有意に影響されるこ
とがない場合は、さらに接着剤を含有させることも可能
である。ポリマー組成物中の結晶化可能ポリマーの量は
約40重量％から約100重量％の範囲であることが好適で
ある。Polymer compositions useful herein include, in addition to one or more of the above polymers, tackifiers (tree rosins, polyesters, etc.), antioxidants, fibrous or non-fibrous fillers, It may contain conventional additives such as colorants. It is also possible to include an adhesive if the overall temperature-sensitive properties are not significantly affected. Suitably, the amount of crystallizable polymer in the polymer composition ranges from about 40% to about 100% by weight.
【００４０】ここで、ポリマー組成物に含まれるポリマ
ーの特に好ましい例を示すと次の通りである。Here, particularly preferable examples of the polymer contained in the polymer composition are as follows.
【００４１】（１）テトラデシルアクリレート９０〜９
７重量部と、アクリル酸３〜１０重量部との共重合体 （２）ラウリルアクリレート１０〜６０重量部と、テト
ラデシルアクリレート４０〜９０重量部と、アクリル酸
３〜１０重量部との共重合体 （３）テトラデシルアクリレート７０〜９０重量部と、
ブチルアクリレート５〜２０重量部と、アクリル酸３〜
１０重量部との共重合体 （４）ヘキサデシルアクリレート７０〜９０重量部と、
ブチルアクリレート５〜２０重量部と、アクリル酸３〜
１０重量部との共重合体 上記（１）の組成物の好適な使用温度は、約２０℃であ
り、約１５℃以下の温度では接着性が大きく低下する。(1) Tetradecyl acrylate 90-9
Copolymer of 7 parts by weight and 3 to 10 parts by weight of acrylic acid (2) 10 to 60 parts by weight of lauryl acrylate, 40 to 90 parts by weight of tetradecyl acrylate, and 3 to 10 parts by weight of acrylic acid Combined (3) 70 to 90 parts by weight of tetradecyl acrylate,
Butyl acrylate 5 to 20 parts by weight and acrylic acid 3 to
Copolymer with 10 parts by weight (4) 70 to 90 parts by weight of hexadecyl acrylate,
Butyl acrylate 5 to 20 parts by weight and acrylic acid 3 to
Copolymer with 10 parts by weight The suitable use temperature of the composition of the above (1) is about 20 ° C, and the adhesiveness is significantly lowered at a temperature of about 15 ° C or lower.
【００４２】上記（２）の組成物の好適な使用温度は、
約１０〜２０℃であり、約１０℃の場合は約５℃以下の
温度で接着性が大きく低下し、約２０℃の場合は約１５
℃以下の温度で接着性が大きく低下する。The preferred temperature of use of the composition (2) is
The temperature is about 10 to 20 ° C, the adhesiveness is significantly reduced at a temperature of about 5 ° C or less at about 10 ° C, and about 15 ° C at about 20 ° C.
At a temperature of ℃ or less, the adhesiveness is greatly reduced.
【００４３】上記（３）の組成物の好適な使用温度は、
約０〜１５℃であり、約０℃の場合は約−５℃以下の温
度で接着性が大きく低下し、約１５℃の場合は約１０℃
以下の温度で接着性が大きく低下する。The preferred temperature of use of the above composition (3) is
It is about 0 to 15 ° C, and when it is about 0 ° C, the adhesiveness significantly decreases at a temperature of about -5 ° C or less, and when it is about 15 ° C, it is about 10 ° C
At the following temperatures, the adhesiveness is greatly reduced.
【００４４】上記（４）の組成物の好適な使用温度は、
約１５〜３５℃であり、約１５℃の場合は約１０℃以下
の温度で接着性が大きく低下し、約３５℃の場合は約３
０℃以下の温度で接着性が大きく低下する。The preferred temperature of use of the above composition (4) is
It is about 15 to 35 ° C, and when it is about 15 ° C, the adhesiveness is greatly reduced at a temperature of about 10 ° C or less, and when it is about 35 ° C, it is about 3
At a temperature of 0 ° C. or lower, the adhesiveness is greatly reduced.
【００４５】特に、炭素数が１０〜１４の（メタ）アク
リレートと、アクリル酸および／または炭素数１〜４の
（メタ）アクリレートとの共重合体は、温度感温性と粘
着性とのバランスが良く好ましい。この場合、炭素数が
１０〜１４の（メタ）アクリレート４０重量％以上、好
ましくは４５〜９５重量％、アクリル酸は１〜１０重量
％、好ましくは２〜５重量％、および／または炭素数１
〜４の（メタ）アクリレートは５〜４０重量％、好まし
くは１０〜３５重量％である。Particularly, a copolymer of (meth) acrylate having 10 to 14 carbon atoms and acrylic acid and / or (meth) acrylate having 1 to 4 carbon atoms has a good balance between temperature sensitivity and tackiness. Is preferable and preferable. In this case, the (meth) acrylate having 10 to 14 carbon atoms is 40% by weight or more, preferably 45 to 95% by weight, acrylic acid is 1 to 10% by weight, preferably 2 to 5% by weight, and / or the number of carbon atoms is 1.
The (meth) acrylate of 4 to 4 is 5 to 40% by weight, preferably 10 to 35% by weight.
【００４６】温度活性ポリマー組成物を基材フィルムに
設けるには、例えばスプレー堆積、塗装、浸漬、グラビ
ア印刷、圧延などの多くの方法により行うことができ
る。ポリマー組成物はまた、転写印刷の場合と同様の方
法でリリースシートからの転写により塗布され得る。組
成物はそのままで、または適切な溶剤により、またはエ
マルジョンもしくはラテックスとして塗布され得る。適
当なモノマーおよび添加物を直接、基材に塗布し、その
場で熱、放射、またはその他の適切な当業者には既知の
方法により硬化され得る。Application of the temperature activated polymer composition to the substrate film can be accomplished by a number of methods including spray deposition, painting, dipping, gravure printing, rolling and the like. The polymer composition can also be applied by transfer from a release sheet in a manner similar to transfer printing. The composition can be applied neat or with a suitable solvent or as an emulsion or latex. Appropriate monomers and additives can be applied directly to the substrate and cured in situ by heat, radiation, or any other suitable method known to those skilled in the art.
【００４７】粘着剤層は、保管時や流通時等における汚
染防止等の観点から半導体ウエハに接着するまでの間、
ポリプロピレンフィルム等のセパレータなどにより接着
保護することが好ましい。From the viewpoint of preventing contamination during storage, distribution, etc., the pressure-sensitive adhesive layer is used until it is bonded to the semiconductor wafer.
It is preferable to adhere and protect with a separator such as a polypropylene film.
【００４８】半導体ウエハの表面保護材を使用する際に
は、例えば、粘着剤層の表面から上記剥離フィルムを剥
離した後、半導体ウエハの表面、すなわち集積回路が組
み込まれた側の面に保護材を張り付けし、トリミングす
る。次いで、半導体ウエハの裏面を研磨する。このと
き、保護材は半導体ウエハの表面に研磨屑が付着するの
を防止し、また半導体ウエハが破損することを防止す
る。研磨が完了した後、純水を用いて研磨面に付着した
研磨屑等を洗い落とし、その後半導体ウエハの表面から
保護材を剥離したのち、純水を用いて半導体ウエハの表
面を洗浄し、その後乾燥する。When using a surface protective material for a semiconductor wafer, for example, after peeling the release film from the surface of the adhesive layer, the protective material is applied to the surface of the semiconductor wafer, that is, the surface on which the integrated circuit is incorporated. Stick and trim. Then, the back surface of the semiconductor wafer is polished. At this time, the protective material prevents the polishing dust from adhering to the surface of the semiconductor wafer and also prevents the semiconductor wafer from being damaged. After polishing is completed, the debris attached to the polished surface is washed off with pure water, the protective material is then peeled off from the surface of the semiconductor wafer, the surface of the semiconductor wafer is washed with pure water, and then dried. To do.
【００４９】[0049]
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。なお、以下で「部」は重量部を意味する。EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to examples. In the following, “part” means part by weight.
【００５０】Ａ．ポリマーの調製 （合成例１）テトラデシルアクリレート４５部、ドデシ
ルアクリレート５０部、アクリル酸５部、およびアゾビ
スイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．３部を、トルエ
ン２００部の中に混合し、６０℃で２０時間撹拌してこ
れらのモノマーを重合させた。得られたポリマーの分子
量は５００,０００、融点は１０℃であった。A. Preparation of Polymer (Synthesis Example 1) 45 parts of tetradecyl acrylate, 50 parts of dodecyl acrylate, 5 parts of acrylic acid, and 0.3 parts of azobisisobutyronitrile (AIBN) were mixed in 200 parts of toluene, These monomers were polymerized by stirring at 0 ° C. for 20 hours. The polymer obtained had a molecular weight of 500,000 and a melting point of 10 ° C.
【００５１】（合成例２）テトラデシルアクリレート８
３部、ブチルアクリレート１２部、アクリル酸５部、お
よびＡＩＢＮ ０．３部を、トルエン２００部の中に混
合し、６０℃で２０時間撹拌してこれらのモノマーを重
合させた。得られたポリマーの分子量は６００,００
０、融点は１０℃であった。(Synthesis Example 2) Tetradecyl acrylate 8
3 parts, 12 parts of butyl acrylate, 5 parts of acrylic acid, and 0.3 parts of AIBN were mixed in 200 parts of toluene and stirred at 60 ° C. for 20 hours to polymerize these monomers. The molecular weight of the obtained polymer is 600,000.
The melting point was 0 and the melting point was 10 ° C.
【００５２】（合成例３）テトラデシルアクリレート６
５部、ドデシルアクリレート３０部、アクリル酸５部、
およびＡＩＢＮ ０．３部を、トルエン２００部の中に
混合し、６０℃で２０時間撹拌してこれらのモノマーを
重合させた。得られたポリマーの分子量は４００,００
０、融点は１５℃であった。(Synthesis Example 3) Tetradecyl acrylate 6
5 parts, dodecyl acrylate 30 parts, acrylic acid 5 parts,
And 0.3 parts of AIBN were mixed in 200 parts of toluene and stirred at 60 ° C. for 20 hours to polymerize these monomers. The molecular weight of the obtained polymer is 400,000.
The melting point was 0 and the melting point was 15 ° C.
【００５３】（合成例４）テトラデシルアクリレート９
０部、ブチルアクリレート５部、アクリル酸５部、およ
びアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．３部
を、トルエン２００部の中に混合し、６０℃で２０時間
撹拌してこれらのモノマーを重合させた。得られたポリ
マーの分子量は５００,０００、融点は１６℃であっ
た。(Synthesis Example 4) Tetradecyl acrylate 9
0 parts, 5 parts of butyl acrylate, 5 parts of acrylic acid, and 0.3 parts of azobisisobutyronitrile (AIBN) were mixed in 200 parts of toluene and stirred at 60 ° C. for 20 hours to remove these monomers. Polymerized. The polymer obtained had a molecular weight of 500,000 and a melting point of 16 ° C.
【００５４】（合成例５）ヘキサデシルアクリレート５
０部、ドデシルアクリレート４５部、アクリル酸５部、
およびＡＩＢＮ ０．３部を、トルエン２００部の中に
混合し、６０℃で２０時間撹拌してこれらのモノマーを
重合させた。得られたポリマーの分子量は６００,００
０、融点は２０℃であった。(Synthesis Example 5) Hexadecyl acrylate 5
0 part, 45 parts of dodecyl acrylate, 5 parts of acrylic acid,
And 0.3 parts of AIBN were mixed in 200 parts of toluene and stirred at 60 ° C. for 20 hours to polymerize these monomers. The molecular weight of the obtained polymer is 600,000.
The melting point was 0 and the melting point was 20 ° C.
【００５５】（合成例６）テトラデシルアクリレート９
５部、アクリル酸５部、およびＡＩＢＮ ０．３部を、
トルエン２００部の中に混合し、６０℃で２０時間撹拌
してこれらのモノマーを重合させた。得られたポリマー
の分子量は５００,０００、融点は２１℃であった。(Synthesis Example 6) Tetradecyl acrylate 9
5 parts, 5 parts acrylic acid, and 0.3 parts AIBN,
These monomers were polymerized by mixing in 200 parts of toluene and stirring at 60 ° C. for 20 hours. The polymer obtained had a molecular weight of 500,000 and a melting point of 21 ° C.
【００５６】（合成例７）ヘキサデシルアクリレート５
０部、ドデシルアクリレート４５部、アクリル酸５部、
およびアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．３
部を、トルエン２００部の中に混合し、６０℃で２０時
間撹拌してこれらのモノマーを重合させた。得られたポ
リマーの分子量は５００,０００、融点は２０℃であっ
た。(Synthesis Example 7) Hexadecyl acrylate 5
0 part, 45 parts of dodecyl acrylate, 5 parts of acrylic acid,
And azobisisobutyronitrile (AIBN) 0.3
Parts were mixed in 200 parts of toluene and stirred at 60 ° C. for 20 hours to polymerize these monomers. The polymer obtained had a molecular weight of 500,000 and a melting point of 20 ° C.
【００５７】（合成例８）ヘキサデシルアクリレート７
５部、ブチルアクリレート２０部、アクリル酸５部、お
よびＡＩＢＮ ０．３部を、トルエン２００部の中に混
合し、６０℃で２０時間撹拌してこれらのモノマーを重
合させた。得られたポリマーの分子量は４００,００
０、融点は２０℃であった。(Synthesis Example 8) Hexadecyl acrylate 7
5 parts, 20 parts of butyl acrylate, 5 parts of acrylic acid, and 0.3 parts of AIBN were mixed in 200 parts of toluene and stirred at 60 ° C. for 20 hours to polymerize these monomers. The molecular weight of the obtained polymer is 400,000.
The melting point was 0 and the melting point was 20 ° C.
【００５８】Ｂ．半導体ウエハの表面保護材の作製 （実施例１）上記合成例１で得られたポリマーを、溶剤
（ヘプタン／酢酸エチル＝９０部／１０部）を用いて固
形分％が３０％になるように調製した。このポリマー溶
液に架橋剤としてケミタイト ＰＺ−３３をポリマー１
００部に対して０．１部添加し、１００μｍのエチレン
酢酸ビニル共重合体（以下、ＥＶＡという）フィルムの
コロナ処理した面に、ロールコータにて塗布し、アクリ
ル系粘着剤層を有する離型シート付き半導体ウエハ表面
保護フィルムを得た。B. Preparation of Surface Protective Material for Semiconductor Wafer (Example 1) The polymer obtained in Synthesis Example 1 above was mixed with a solvent (heptane / ethyl acetate = 90 parts / 10 parts) so that the solid content was 30%. Prepared. Chemitite PZ-33 as a cross-linking agent was added to this polymer solution as Polymer 1
0.1 part was added to 00 parts, and it was coated with a roll coater on the corona-treated surface of a 100 μm ethylene-vinyl acetate copolymer (hereinafter referred to as EVA) film, and has a release layer having an acrylic pressure-sensitive adhesive layer. A semiconductor wafer surface protection film with a sheet was obtained.
【００５９】得られた保護フィルムの接着力をＪＩＳ
Ｃ2107に準じ対シリコンウエハで測定した。また、保護
フィルムをシリコンウエハ表面から剥離後、シリコンウ
エハ表面の汚染性をＴＤＳ（Thermal Desorption Spect
roscopy）法に従って測定した。それらの結果を表１に
示す。The adhesive strength of the obtained protective film was measured according to JIS
The measurement was performed on a silicon wafer according to C2107. In addition, after peeling the protective film from the surface of the silicon wafer, the contamination of the surface of the silicon wafer was measured by TDS (Thermal Desorption Spect
roscopy) method. Table 1 shows the results.
【００６０】（実施例２〜８）上記合成例２〜８でそれ
ぞれ得られたポリマーを用いたこと以外は、実施例１と
同様にして保護フィルムを得た。得られた保護フィルム
の接着力と汚染性を実施例１と同様に評価した。それら
の結果を表１に示す。(Examples 2 to 8) Protective films were obtained in the same manner as in Example 1 except that the polymers obtained in Synthesis Examples 2 to 8 were used. The adhesive strength and stain resistance of the obtained protective film were evaluated in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the results.
【００６１】（比較例１）アクリル酸ブチル１００部と
アクリロニトリル５部とアクリル酸５部とからなる粘着
剤をロールコータでＥＶＡフィルム上にコートし、離型
シート付き半導体ウエハ表面保護フィルムを得た。得ら
れた保護フィルムの接着力と汚染性を実施例１と同様に
評価した。それらの結果を表１に示す。Comparative Example 1 An EVA film was coated with an adhesive consisting of 100 parts of butyl acrylate, 5 parts of acrylonitrile and 5 parts of acrylic acid on a roll coater to obtain a semiconductor wafer surface protective film with a release sheet. . The adhesive strength and stain resistance of the obtained protective film were evaluated in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the results.
【００６２】[0062]
【表１】 [Table 1]
【００６３】比較例１では、半導体ウエハ表面からの保
護フィルムの剥離性が悪く、汚染見られた。これに対し
て、実施例１〜８においては、初期（２５℃）の接着力
を高めながら冷却後（５℃）の剥離性および汚染性共に
優れていた。In Comparative Example 1, the peelability of the protective film from the surface of the semiconductor wafer was poor and contamination was observed. On the other hand, in Examples 1 to 8, both the peelability and the stain resistance after cooling (5 ° C) were excellent while increasing the adhesive force at the initial stage (25 ° C).
【００６４】[0064]
【発明の効果】本発明によれば、表面保護材の温度を変
えるだけで半導体ウエハに対する粘着性を調整すること
ができるので、初期接着力を大きくしながら、ウエハ表
面保護材の剥離時においては保護材を冷却するだけで容
易に剥離することができ、またウエハ表面の汚染がない
ので洗浄工程を省略することもできる。According to the present invention, the adhesiveness to a semiconductor wafer can be adjusted only by changing the temperature of the surface protective material, so that the initial adhesive force can be increased while the wafer surface protective material is peeled off. The protective material can be easily peeled off only by cooling, and since the wafer surface is not contaminated, the cleaning step can be omitted.
【００６５】しかも、冷水や氷冷却等を用いることによ
って粘着性を低下させることができるので、従来のよう
に高価な紫外線照射装置を用いることなく低コストにて
実施できる。Moreover, since the tackiness can be reduced by using cold water, ice cooling, etc., it can be carried out at a low cost without using an expensive ultraviolet irradiation device as in the prior art.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/301 Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｍ (72)発明者 山本 正芳 奈良県奈良市左京６丁目５番６号 ニッタ 株式会社ならやま研究所内 (72)発明者 松本 明彦 奈良県奈良市左京６丁目５番６号 ニッタ 株式会社ならやま研究所内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Reference number within the agency FI Technical indication location H01L 21/301 H01L 21/78 M (72) Inventor Masayoshi Yamamoto 6-5, Sakyo, Nara, Nara No. 6 Nitta Co., Ltd. Narayama Laboratory (72) Inventor Akihiko Matsumoto 6-5-6 Sakyo, Nara City, Nara Nitta Co., Ltd. Narayama Laboratory
Claims (3)
れた半導体ウエハの表面保護材において、 該粘着剤層が、約１５℃より狭い温度範囲にわたって起
こる第１次溶融転移を持つポリマ一を含有するポリマー
組成物からなることを特徴とする半導体ウエハの表面保
護材。1. A surface protective material for a semiconductor wafer in which a pressure-sensitive adhesive layer is provided on one surface of a base film, wherein the pressure-sensitive adhesive layer has a first-order melting transition that occurs over a temperature range narrower than about 15 ° C. A surface protective material for a semiconductor wafer, comprising a polymer composition containing:
であり、該側鎖結晶化可能ポリマーが、該ポリマー組成
物を室温以下の温度ではほぼ非粘着性に、またそれより
上の温度では粘着性にするのに十分な量だけ該ポリマー
組成物中に存在する請求項１記載の半導体ウエハの表面
保護材。2. The polymer is a side-chain crystallizable polymer, the side-chain crystallizable polymer making the polymer composition substantially tack-free at temperatures below room temperature and sticking at temperatures above it. The surface protecting material for a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the surface protecting material is present in the polymer composition in an amount sufficient to render the material functional.
１０以上の直鎖状アルキル基を側鎖とするアクリル酸エ
ステル及び／又はメタクリル酸エステルを主成分とする
ポリマーである請求項１記載の半導体ウエハの表面保護
材。3. The side-chain crystallizable polymer is a polymer containing an acrylic acid ester and / or a methacrylic acid ester having a linear alkyl group having 10 or more carbon atoms as a side chain as a main component. Surface protection material for semiconductor wafers.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5811296A JPH09249860A (en) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | Surface protecting material for semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5811296A JPH09249860A (en) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | Surface protecting material for semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09249860A true JPH09249860A (en) | 1997-09-22 |
Family
ID=13074905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5811296A Pending JPH09249860A (en) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | Surface protecting material for semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09249860A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10265741A (en) * | 1997-03-26 | 1998-10-06 | Mitsui Chem Inc | Tacky film for grinding back of semiconductor wafer and grinding back of semiconductor wafer |
| KR20160137994A (en) * | 2014-03-25 | 2016-12-02 | 니타 가부시키가이샤 | Temperature-sensitive adhesive |
| KR20210087012A (en) | 2018-11-02 | 2021-07-09 | 니타 가부시키가이샤 | Additives for pressure-sensitive adhesives and pressure-sensitive adhesive compositions |
-
1996
- 1996-03-14 JP JP5811296A patent/JPH09249860A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10265741A (en) * | 1997-03-26 | 1998-10-06 | Mitsui Chem Inc | Tacky film for grinding back of semiconductor wafer and grinding back of semiconductor wafer |
| KR20160137994A (en) * | 2014-03-25 | 2016-12-02 | 니타 가부시키가이샤 | Temperature-sensitive adhesive |
| KR20210087012A (en) | 2018-11-02 | 2021-07-09 | 니타 가부시키가이샤 | Additives for pressure-sensitive adhesives and pressure-sensitive adhesive compositions |
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| A02 | Decision of refusal |
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