JPH10265294A - 単結晶の引き上げ装置及び方法 - Google Patents

単結晶の引き上げ装置及び方法

Info

Publication number
JPH10265294A
JPH10265294A JP10039202A JP3920298A JPH10265294A JP H10265294 A JPH10265294 A JP H10265294A JP 10039202 A JP10039202 A JP 10039202A JP 3920298 A JP3920298 A JP 3920298A JP H10265294 A JPH10265294 A JP H10265294A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
pulling
crystallization boundary
crystallization
boundary
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10039202A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3026254B2 (ja
Inventor
Ammon Wilfried Dr Von
ヴェルフリート・フォン・アモン
Hans Oelkrug
ハンス・エルクルング
Erich Dornberger
エリッヒ・ドルンベルガー
Franz Segieth
フランツ・ゼギート
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Wacker Siltronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Siltronic AG filed Critical Wacker Siltronic AG
Publication of JPH10265294A publication Critical patent/JPH10265294A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3026254B2 publication Critical patent/JP3026254B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C30B15/203—Controlling or regulating the relationship of pull rate (v) to axial thermal gradient (G)
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 結晶化境界近傍における半径方向の軸線方向
温度勾配の変動を実質的に回避する。 【解決手段】 シリコン単結晶の引き上げ装置は、結晶
化境界で成長する単結晶を環状に取り囲み該単結晶に対
向する面を有する要素を備える。該要素は、結晶化境界
と略同じ高さで単結晶を取り囲み、単結晶により放射さ
れた熱線を反射する特性又は熱線を放射する特性を有す
る。本発明は、更に、単結晶を取り囲む要素を用いて該
単結晶に熱作用を及ぼすシリコン単結晶の引き上げ方法
に関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、結晶化境界で成長
する単結晶を環状に取り囲み該単結晶に対向する面を有
する要素を備えた、シリコン単結晶を引き上げるための
装置に関する。本発明は、更に、引き上げ速度Ｖが、結
晶化境界の近傍での単結晶の軸線方向温度勾配をＧとす
る比Ｖ／Ｇで１．３×１０-3ｃｍ2 ｍｉｎ-1Ｋ-1±１０
％の値を採るように単結晶を引き上げるシリコン単結晶
の引き上げ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば独国特許出願公開第４４１４９４
７号明細書には、単結晶から分離したシリコン半導体ウ
ェーハには所謂積層欠陥リングを生じることがある、旨
記載されている。積層欠陥リングの発生は、引き上げ速
度Ｖと結晶化境界近傍の軸線方向温度勾配Ｇと密接に関
連している。実験的に得られた公式Ｖ／Ｇ＝１．３×１
０-3ｃｍ2 ｍｉｎ-1Ｋ-1によれば、それを越えると積層
欠陥リングが生じ始めるより低い引き上げ速度を規定す
ることができる。
【０００３】従来技術は、更に、積層欠陥リングが異な
る欠陥型と欠陥密度の存在を特徴とする半導体ウェーハ
領域を分離することを記載している（E. Dornberger 及
びW.V. Ammon「Journal Of The Electrochemical Socie
ty」第１４３巻、第５号、１９９６年）。この参考文献
は、また、通常採用される引き上げ方法では結晶化境界
近傍の温度勾配が結晶軸線から視て半径方向に一定では
なく変動する、旨記載している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、結晶
化境界近傍における半径方向の軸線方向温度勾配の変動
を実質的に回避することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題は、結晶化境界
で成長する単結晶を環状に取り囲み該単結晶に対向する
面を有する要素を備え、該要素が、結晶化境界と略同じ
高さで単結晶を取り囲み、単結晶により放射された熱線
を反射する特性又は熱線を放射する特性を有することを
特徴とする装置により、達成される。
【０００６】この課題は、引き上げ速度Ｖが、結晶化境
界の近傍での単結晶の軸線方向温度勾配をＧとする比Ｖ
／Ｇで１．３×１０-3ｃｍ2 ｍｉｎ-1Ｋ-1±１０％の値
を採るように単結晶を引き上げるシリコン単結晶の引き
上げ方法であって、単結晶が、結晶化境界と略同じ高さ
で単結晶を取り囲む要素により熱作用を受けることを特
徴とする方法により、達成される。
【０００７】本発明により達成し得る結晶化境界近傍で
の軸線方向温度勾配Ｇの標準化は、完全に調整可能な欠
陥特性を有する半導体ウェーハの製造を可能とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明を詳細
に説明する。発明の理解に要する特徴のみが図示されて
いる。図１は、成長する単結晶の概略縦断面図である。
軸線対称のため右側半部のみが示されている。
【０００９】単結晶１は、結晶化境界２で成長する。成
長に必要な材料は、融液３により供給される。単結晶の
周囲には、それ自体公知の熱シールド４が配置されてい
る。このシールドは、結晶化境界の近傍で、単結晶から
距離Ｄ内の位置まで延びる要素５に接続されている。距
離Ｄは、好ましくは１０乃至５０ｍｍである。要素５
は、単結晶１に対向する面６を有し、引き上げ方向に高
さＨに亘り延びている。高さＨは、好ましくは２５乃至
１００ｍｍである。面６は、単結晶の長軸線７に対し
て、好ましくは単結晶の側に傾斜している。角度αは、
好ましくは０乃至６０°である。面は必ずしも平面であ
る必要はなく、凹状または凸状であってもよい。
【００１０】要素５は、結晶化境界２と略同じ高さに配
置されているので、結晶化境界領域は、要素により熱作
用を受ける。本発明においては、結晶化境界領域は、結
晶化境界２及び単結晶内２ｍｍに亘る部分と考えられ
る。
【００１１】要素を用いて半径方向における軸線方向温
度勾配の標準化を可能にするために、この要素は、単結
晶により放射される熱線をよく反射するか、または単結
晶に熱を加えることができるものでなければならない。
第一の場合については、要素５または少なくともその面
６は、たとえばモリブデンや研磨グラファイト等熱線の
高い反射率を有する材料で構成される。第二の場合につ
いては、要素５は、加熱要素好ましくは抵抗加熱器とし
て構成される。温度勾配の半径方向均一性を更に改善す
るために、例えば米国特許第５５６７３９９号明細書に
記載されたような強制冷却器を要素上に設けることによ
り、強制的な冷却を要素の上方で実施してもよい。
【００１２】要素５は、熱シールド４に接続する必要は
ない。要素は、熱シールドとは独立のフレームに固定し
てもよい。
【００１３】以下に本発明の好ましい実施形態を列挙す
る。 （１）結晶化境界で成長する単結晶を環状に取り囲み該
単結晶に対向する面を有する要素を備えた、シリコン単
結晶を引き上げるための装置であって、前記要素が、結
晶化境界と略同じ高さで単結晶を取り囲み、単結晶によ
り放射された熱線を反射する特性又は熱線を放射する特
性を有することを特徴とする装置。 （２）前記要素が、単結晶を取り囲む熱シールドの下縁
部に接続されていることを特徴とする上記（１）に記載
の装置。 （３）前記要素の面が、単結晶の長軸線に対して特定の
角度で傾斜していることを特徴とする上記（１）または
（２）に記載の装置。 （４）前記要素が、２５乃至１００ｍｍ長の高さＨを有
することを特徴とする上記（１）乃至（３）のいずれか
一項に記載の装置。 （５）前記要素が、単結晶から１０乃至５０ｍｍの距離
Ｄの範囲で延びることを特徴とする上記（１）乃至
（４）のいずれか一項に記載の装置。 （６）引き上げ速度Ｖが、結晶化境界の近傍での単結晶
の軸線方向温度勾配をＧとする比Ｖ／Ｇで１．３×１０
-3ｃｍ2 ｍｉｎ-1Ｋ-1±１０％の値を採るように単結晶
を引き上げるシリコン単結晶の引き上げ方法であって、
単結晶が、結晶化境界と略同じ高さで単結晶を取り囲む
要素により熱作用を受けることを特徴とする方法。 （７）単結晶からの熱線を要素で反射することを特徴と
する上記（６）に記載の方法。 （８）要素を用いて単結晶に熱線を放射することを特徴
とする上記（６）に記載の方法。 （９）要素の上方で強制的に冷却を行うことを特徴とす
る上記（６）乃至（８）のいずれか一項に記載の方法。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
単結晶の引き上げに際して、結晶化境界近傍における半
径方向の軸線方向温度勾配の変動を実質的に回避するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施形態を示す図である。
【符号の説明】
１ 単結晶 ２ 結晶化境界 ３ 融液 ４ 熱シールド ５ 要素 ６ 面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴェルフリート・フォン・アモン ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン，ヘル ツォクバトシュトラーセ ３ (72)発明者 ハンス・エルクルング ドイツ連邦共和国 テットモニング，ブル クシュヴァイゲルヴェーク 11 (72)発明者 エリッヒ・ドルンベルガー ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン，ベー トーヴェンシュトラーセ 13 (72)発明者 フランツ・ゼギート ドイツ連邦共和国 キルヒッハム，オベ レ・バッハシュトラーセ 14アー

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 結晶化境界で成長する単結晶を環状に取
    り囲み該単結晶に対向する面を有する要素を備えた、シ
    リコン単結晶を引き上げるための装置であって、前記要
    素が、結晶化境界と略同じ高さで単結晶を取り囲み、単
    結晶により放射された熱線を反射する特性又は熱線を放
    射する特性を有する、ことを特徴とする装置。
  2. 【請求項２】 引き上げ速度Ｖが、結晶化境界の近傍で
    の単結晶の軸線方向温度勾配をＧとする比Ｖ／Ｇで１．
    ３×１０-3ｃｍ2 ｍｉｎ-1Ｋ-1±１０％の値を採るよう
    に単結晶を引き上げるシリコン単結晶の引き上げ方法で
    あって、 単結晶が、結晶化境界と略同じ高さで単結晶を取り囲む
    要素により熱作用を受ける、ことを特徴とする方法。
JP10039202A 1997-03-21 1998-02-20 単結晶の引き上げ装置及び方法 Expired - Lifetime JP3026254B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19711922A DE19711922A1 (de) 1997-03-21 1997-03-21 Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls
DE197-11-922-0 1997-03-21

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31530799A Division JP3532477B2 (ja) 1997-03-21 1999-11-05 単結晶の引き上げ方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10265294A true JPH10265294A (ja) 1998-10-06
JP3026254B2 JP3026254B2 (ja) 2000-03-27

Family

ID=7824197

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10039202A Expired - Lifetime JP3026254B2 (ja) 1997-03-21 1998-02-20 単結晶の引き上げ装置及び方法
JP31530799A Expired - Lifetime JP3532477B2 (ja) 1997-03-21 1999-11-05 単結晶の引き上げ方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31530799A Expired - Lifetime JP3532477B2 (ja) 1997-03-21 1999-11-05 単結晶の引き上げ方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6153008A (ja)
EP (1) EP0866150B1 (ja)
JP (2) JP3026254B2 (ja)
KR (1) KR100268712B1 (ja)
CN (1) CN1109135C (ja)
DE (2) DE19711922A1 (ja)
SG (1) SG68017A1 (ja)
TW (1) TW415978B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008156225A (ja) * 2006-12-20 2008-07-10 Siltronic Ag シリコン半導体ウェハを製造する方法及び装置

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG105510A1 (en) * 1997-04-09 2004-08-27 Memc Electronic Materials Low defect density silicon
US6379642B1 (en) 1997-04-09 2002-04-30 Memc Electronic Materials, Inc. Vacancy dominated, defect-free silicon
KR20040102230A (ko) 1997-04-09 2004-12-03 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈 인코포레이티드 저결함밀도, 이상적 산소침전 실리콘
JPH1179889A (ja) * 1997-07-09 1999-03-23 Shin Etsu Handotai Co Ltd 結晶欠陥が少ないシリコン単結晶の製造方法、製造装置並びにこの方法、装置で製造されたシリコン単結晶とシリコンウエーハ
DE19756613A1 (de) * 1997-12-18 1999-07-01 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls
JP3943717B2 (ja) 1998-06-11 2007-07-11 信越半導体株式会社 シリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法
US6328795B2 (en) 1998-06-26 2001-12-11 Memc Electronic Materials, Inc. Process for growth of defect free silicon crystals of arbitrarily large diameters
EP1133590B1 (en) 1998-10-14 2003-12-17 MEMC Electronic Materials, Inc. Epitaxial silicon wafers substantially free of grown-in defects
US6416836B1 (en) 1998-10-14 2002-07-09 Memc Electronic Materials, Inc. Thermally annealed, low defect density single crystal silicon
US6312516B2 (en) 1998-10-14 2001-11-06 Memc Electronic Materials, Inc. Process for preparing defect free silicon crystals which allows for variability in process conditions
DE19847695A1 (de) 1998-10-15 2000-04-20 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls
JP2000154070A (ja) * 1998-11-16 2000-06-06 Suminoe Textile Co Ltd セラミックス三次元構造体及びその製造方法
TW505710B (en) * 1998-11-20 2002-10-11 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Production method for silicon single crystal and production device for single crystal ingot, and heat treating method for silicon single crystal wafer
DE19943101C2 (de) * 1999-09-09 2002-06-20 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer gebondeten Halbleiterscheibe
US6635587B1 (en) 1999-09-23 2003-10-21 Memc Electronic Materials, Inc. Method for producing czochralski silicon free of agglomerated self-interstitial defects
JP2003510235A (ja) * 1999-09-23 2003-03-18 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 冷却速度を制御することにより単結晶シリコンを成長させるチョクラルスキー法
US6858307B2 (en) 2000-11-03 2005-02-22 Memc Electronic Materials, Inc. Method for the production of low defect density silicon
US7105050B2 (en) * 2000-11-03 2006-09-12 Memc Electronic Materials, Inc. Method for the production of low defect density silicon
EP2295619B1 (en) * 2001-01-26 2014-04-23 MEMC Electronic Materials, Inc. Process for producing Low Defect Density Silicon Having a Vacancy-Dominated Core Substantially Free of Oxidation Induced Stacking Faults
US7077905B2 (en) * 2002-09-13 2006-07-18 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Apparatus for pulling a single crystal
DE60323663D1 (de) * 2002-11-12 2008-10-30 Memc Electronic Materials Kristallziehvorrichtung und verfahren zur züchtung einer einkristallstange
DE10259588B4 (de) 2002-12-19 2008-06-19 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls aus Silicium
KR100588425B1 (ko) * 2003-03-27 2006-06-12 실트로닉 아게 실리콘 단결정, 결정된 결함분포를 가진 실리콘 단결정 및 실리콘 반도체 웨이퍼의 제조방법
DE10326578B4 (de) 2003-06-12 2006-01-19 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer SOI-Scheibe
KR101385810B1 (ko) 2006-05-19 2014-04-16 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크. Ｃｚ 성장 동안에 실리콘 단결정의 측면에 의해 유도되는 응집된 점 결함 및 산소 클러스터 형성을 제어하는 방법
KR100869218B1 (ko) * 2006-12-28 2008-11-18 주식회사 실트론 열실드 거리결정 방법 및 이를 이용한 실리콘 단결정잉곳의 제조장치
US8795718B2 (en) 2008-05-22 2014-08-05 Honeywell International, Inc. Functional nano-layered hemostatic material/device
DE102009056638B4 (de) 2009-12-02 2013-08-01 Siltronic Ag Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls aus Silizium mit einem Abschnitt mit gleich bleibendem Durchmesser
DE102012213715A1 (de) 2012-08-02 2014-02-06 Siltronic Ag Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls durch Kristallisieren des Einkristalls an einer Schmelzenzone
CN104630880A (zh) * 2015-02-15 2015-05-20 英利集团有限公司 形成单晶棒的直拉***与生长单晶棒的工艺方法
CN105239154A (zh) * 2015-09-10 2016-01-13 上海超硅半导体有限公司 提拉法单晶硅生长流场控制技术
CN106048723A (zh) * 2016-08-01 2016-10-26 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种采用提拉法生长氧化镓晶体的固液界面控制方法
CN106435729A (zh) * 2016-10-09 2017-02-22 英利能源（中国）有限公司 一种单晶棒引晶和放肩装置、单晶炉及其工艺方法
CN109930197A (zh) * 2017-12-18 2019-06-25 上海新昇半导体科技有限公司 热屏及单晶硅生长炉结构
CN111321458A (zh) * 2018-12-13 2020-06-23 上海新昇半导体科技有限公司 加热式导流筒
CN109695055A (zh) * 2019-03-11 2019-04-30 苏州新美光纳米科技有限公司 长晶炉及结晶***

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1316707A (fr) * 1961-12-22 1963-02-01 Radiotechnique Perfectionnements aux dispositifs d'obtention de monocristaux par tirage
JPS62105998A (ja) * 1985-10-31 1987-05-16 Sony Corp シリコン基板の製法
US4981549A (en) * 1988-02-23 1991-01-01 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Method and apparatus for growing silicon crystals
JPH0416589A (ja) * 1990-05-11 1992-01-21 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 単結晶製造装置
JP2509477B2 (ja) * 1991-04-20 1996-06-19 コマツ電子金属株式会社 結晶成長方法及び結晶成長装置
DE69127551T2 (de) * 1991-06-24 1998-01-08 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Vorrichtung zum ziehen eines einkristalls
IT1280041B1 (it) * 1993-12-16 1997-12-29 Wacker Chemitronic Procedimento per il tiraggio di un monocristallo di silicio
DE4414947C2 (de) * 1993-12-16 1998-12-17 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls aus Silicium
DE19503357A1 (de) * 1995-02-02 1996-08-08 Wacker Siltronic Halbleitermat Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008156225A (ja) * 2006-12-20 2008-07-10 Siltronic Ag シリコン半導体ウェハを製造する方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3532477B2 (ja) 2004-05-31
JP2000233991A (ja) 2000-08-29
CN1197128A (zh) 1998-10-28
KR19980080133A (ko) 1998-11-25
TW415978B (en) 2000-12-21
KR100268712B1 (ko) 2000-10-16
EP0866150A1 (de) 1998-09-23
DE59800828D1 (de) 2001-07-19
JP3026254B2 (ja) 2000-03-27
SG68017A1 (en) 1999-10-19
DE19711922A1 (de) 1998-09-24
US6153008A (en) 2000-11-28
EP0866150B1 (de) 2001-06-13
CN1109135C (zh) 2003-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10265294A (ja) 単結晶の引き上げ装置及び方法
JP3213338B2 (ja) 薄膜半導体装置の製法
JP3563224B2 (ja) 半導体ウエハの評価方法、熱処理方法、および熱処理装置
JP2002118071A (ja) 光照射式加熱処理装置及び方法
GB2182262A (en) Oxygen containing silicon substrates
US5951753A (en) Method and device for producing monocrystals
US4877573A (en) Substrate holder for wafers during MBE growth
JP2005532697A (ja) 大口径ＳｉＣウェハおよびその製造方法
JP3206375B2 (ja) 単結晶薄膜の製造方法
US6238477B1 (en) Process and device for the production of a single crystal
JPH11140650A (ja) 回転式気相薄膜成長装置
US4510015A (en) Method for semiconductor ribbon-to-ribbon conversion
JPS6242416A (ja) 半導体基板加熱用サセプタ
JP2944426B2 (ja) 分子線エピタキシー装置
JPH0555145A (ja) 基板加熱装置
JPH01234391A (ja) 基板ホルダー
JP4155085B2 (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法
KR100267609B1 (ko) 고주파 유도가열 되는 직접접합 soi기판 및 그의 제조방법
JP3198971B2 (ja) 分子線エピタキシー装置
Yablonovitch et al. Ribbon‐to‐ribbon float zone single crystal growth stabilized by a thin silicon dioxide skin
JPH06172083A (ja) 分子線エピタキシャル成長方法およびそれに用いるるつぼ
Ramesh Zone-Melt-Recrystallization of Silicon-On-Insulator Films Using a Dual-Lamp Apparatus
JP2020090416A (ja) ＳｉＣ単結晶の評価用サンプル取得方法
JPS6092607A (ja) 電子ビ−ムアニ−ル装置
JP2004143002A (ja) シリコン融液対流制御装置及びその制御方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090128

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090128

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100128

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110128

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110128

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120128

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120128

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130128

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128

Year of fee payment: 14

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term