JPH01234391A - 基板ホルダー - Google Patents
基板ホルダーInfo
- Publication number
- JPH01234391A JPH01234391A JP6256088A JP6256088A JPH01234391A JP H01234391 A JPH01234391 A JP H01234391A JP 6256088 A JP6256088 A JP 6256088A JP 6256088 A JP6256088 A JP 6256088A JP H01234391 A JPH01234391 A JP H01234391A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- soaking plate
- plate
- substrate holder
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体結晶成長法の分子線エピタキシー（以下
、ＭＢＥと記す）装置に関し、特に、基板を加熱保持す
るための基板ホルダーの改良に関する。
、ＭＢＥと記す）装置に関し、特に、基板を加熱保持す
るための基板ホルダーの改良に関する。
第３図に従来のＭＢＥ装置用基板ホルダーを示す。この
図においてタンタル板６に接している熱電対４で温度制
御されたヒータ５によりモリブデンブロック３中の均熱
板２は熱せられ、リング７で均熱板２と密着させられた
基板１は、均熱板２からの熱伝導で加熱される。
図においてタンタル板６に接している熱電対４で温度制
御されたヒータ５によりモリブデンブロック３中の均熱
板２は熱せられ、リング７で均熱板２と密着させられた
基板１は、均熱板２からの熱伝導で加熱される。
ＭＢＥによる結晶成長は成長膜厚不純物ドーピングの制
御性にすぐれている。しかしＧ ａ Ａ ｓ等の基板を
加熱する際に温度の不均一性から素子特性がバラツクこ
とか問題となっている。これらの温度の不均一性が生ず
る主な原因は基板と均熱板が不均一に接するため熱が均
一に基板へ伝えられないことが考えられている。
御性にすぐれている。しかしＧ ａ Ａ ｓ等の基板を
加熱する際に温度の不均一性から素子特性がバラツクこ
とか問題となっている。これらの温度の不均一性が生ず
る主な原因は基板と均熱板が不均一に接するため熱が均
一に基板へ伝えられないことが考えられている。
この温度の不均一性をなくすことが現在ＭＢＥ法による
結晶成長の大きな課題となっている。
結晶成長の大きな課題となっている。
本発明の基板ホルダーは半導体基板の裏面と突起を有す
る均熱板とが突起のみで接し、均熱板からの輻射をもっ
て半導体基板を加熱する構造となっている。
る均熱板とが突起のみで接し、均熱板からの輻射をもっ
て半導体基板を加熱する構造となっている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１Ｅは本発明の一実施例の断面図である。
図において、モリブデンブロック３の中に半導体基板１
が入り、その基板と均熱板２の間は０．２閣の一定間隔
にしである。そしてリング７にて半導体基板ｌと均熱板
２はモリブデンブロック３に固定されている。均熱板２
にはリング状に外周２層中で高さ０．２ｍｍの突起が付
けてあり、半導体基板ｌと均熱板２との間を０．２ｍｍ
の一定間隔にしている。また、熱電対４はタンタル板６
に接していて、ヒータ５は熱電対４にて制御される。ヒ
ータ５を加熱すると均熱板２が熱せられ続いて半導体基
板ｌが熱せられる。
が入り、その基板と均熱板２の間は０．２閣の一定間隔
にしである。そしてリング７にて半導体基板ｌと均熱板
２はモリブデンブロック３に固定されている。均熱板２
にはリング状に外周２層中で高さ０．２ｍｍの突起が付
けてあり、半導体基板ｌと均熱板２との間を０．２ｍｍ
の一定間隔にしている。また、熱電対４はタンタル板６
に接していて、ヒータ５は熱電対４にて制御される。ヒ
ータ５を加熱すると均熱板２が熱せられ続いて半導体基
板ｌが熱せられる。
例えば、半導体基板１として３インチφのＧａＡｓ基板
を第１図の基板ホルダーを用いて５５０℃に加熱し、゛
赤外線放射温度計にてＧａＡｓ基板の表面温度を１０ケ
所測定したところ従来の基板ホルダーでは温度のバラツ
キが±５℃であったものが第１図の基板ホルダーでは±
２℃におさえることが出来た。これにより表面温度の不
均一性がなくなり素子特性のバラツキをなくすことが出
来た。
を第１図の基板ホルダーを用いて５５０℃に加熱し、゛
赤外線放射温度計にてＧａＡｓ基板の表面温度を１０ケ
所測定したところ従来の基板ホルダーでは温度のバラツ
キが±５℃であったものが第１図の基板ホルダーでは±
２℃におさえることが出来た。これにより表面温度の不
均一性がなくなり素子特性のバラツキをなくすことが出
来た。
第２図は、本発明の他の実施例の断面図である。
図において、モリブデンプロ、り３の中に半導体基板１
が入り、半導体基板１と均熱板２０間は０．２閣の一定
間隔にしである。そしてリング７にて半導体基板ｌと均
熱板２は、モリブデンブロック３に固定されている。特
に、均熱板には底の直径０．５ ｍｍ高さ０．２ｍｍの
円錐状の突起が付けてあり半導体基板１と均熱板２との
接触面積を小さくし、かつ一定間隔があくようにしであ
る。また、熱電対４はタンタル板６に接していてヒータ
５は熱電対４にて制御される。
が入り、半導体基板１と均熱板２０間は０．２閣の一定
間隔にしである。そしてリング７にて半導体基板ｌと均
熱板２は、モリブデンブロック３に固定されている。特
に、均熱板には底の直径０．５ ｍｍ高さ０．２ｍｍの
円錐状の突起が付けてあり半導体基板１と均熱板２との
接触面積を小さくし、かつ一定間隔があくようにしであ
る。また、熱電対４はタンタル板６に接していてヒータ
５は熱電対４にて制御される。
例えば半導体基板１として３インチφのＧ ａ Ａ ｓ
基板を本発明の基板ホルダーを用いて５５０℃に加熱し
、赤外線放射温度計にてＧａＡｓ基板の表面温度を１０
ケ所測定したところ従来の基板ホルダでは温度のバラツ
キが±５℃であったものが本発明の基板ホルダーでは±
１℃におさえることが出来た。これにより表面温度の不
均一性がなくなり、素子特性のバラツキをなくすことが
出来た。
基板を本発明の基板ホルダーを用いて５５０℃に加熱し
、赤外線放射温度計にてＧａＡｓ基板の表面温度を１０
ケ所測定したところ従来の基板ホルダでは温度のバラツ
キが±５℃であったものが本発明の基板ホルダーでは±
１℃におさえることが出来た。これにより表面温度の不
均一性がなくなり、素子特性のバラツキをなくすことが
出来た。
以上、説明したように本発明は、均熱板に突起をつける
ことにより基板と均熱板の間に一定間隔をもたせ均熱板
から基板への熱の伝導の不均一さをなくすことができる
。
ことにより基板と均熱板の間に一定間隔をもたせ均熱板
から基板への熱の伝導の不均一さをなくすことができる
。
これにより、素子特性のバラツキは小さくなり、素子を
製作する上での歩留りを大巾に増加さ′せることか出来
るという効果がある。
製作する上での歩留りを大巾に増加さ′せることか出来
るという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は本発明の
他の実施例の断面図、第３図は従来の基板ホルダーの断
面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・均熱板、３・・・
・・・モリブデンブロック、４・・・・・・熱電対、５
・・・・・・ヒータ、６・・・・・・タンタル板、７・
・・・・・リング。 代理人 弁理士 内 原 音 ＄ｌＩ！ｒ ＄ ２ ｍ 茅 ３ 聞
他の実施例の断面図、第３図は従来の基板ホルダーの断
面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・均熱板、３・・・
・・・モリブデンブロック、４・・・・・・熱電対、５
・・・・・・ヒータ、６・・・・・・タンタル板、７・
・・・・・リング。 代理人 弁理士 内 原 音 ＄ｌＩ！ｒ ＄ ２ ｍ 茅 ３ 聞
Claims (1)
- 半導体基板の裏面と突起を有する均熱板が該突起のみ
で接し、該均熱板からの輻射をもって該半導体基板を加
熱することを特徴とする基板ホルダー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6256088A JPH01234391A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 基板ホルダー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6256088A JPH01234391A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 基板ホルダー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01234391A true JPH01234391A (ja) | 1989-09-19 |
Family
ID=13203784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6256088A Pending JPH01234391A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 基板ホルダー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01234391A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007256061A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Espec Corp | 温度制御装置、並びに、バーンイン試験装置 |
| JP2010189764A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Korea Electronics Telecommun | 大面積バナジウム酸化物薄膜の成長装置及びその成長装置での大面積酸化物薄膜の成長方法 |
| WO2013063919A1 (zh) * | 2011-11-03 | 2013-05-10 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 基片处理设备及其腔室装置 |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP6256088A patent/JPH01234391A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007256061A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Espec Corp | 温度制御装置、並びに、バーンイン試験装置 |
| JP2010189764A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Korea Electronics Telecommun | 大面積バナジウム酸化物薄膜の成長装置及びその成長装置での大面積酸化物薄膜の成長方法 |
| WO2013063919A1 (zh) * | 2011-11-03 | 2013-05-10 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 基片处理设备及其腔室装置 |
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