JP2001319862A - 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム - Google Patents
塗布現像処理方法及び塗布現像処理システムInfo
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Abstract
が付着しないような塗布現像処理方法及び塗布現像処理
システムを提供する。 【解決手段】 塗布現像処理システム1で行われる塗布
現像処理方法であって,ウェハWにレジスト膜60を形
成し(図8中のS1),その後に加熱して(図8中のS
2)所定温度に冷却する(図8中のS3)。その後,保
護ガスを供給してウェハW上に保護膜61を形成し(図
8中のS4),露光処理に移行する(図8中のS5)。
保護膜61は,雰囲気中の酸素,水蒸気等の不純物を寄
せ付けず,透過性に優れて短い波長の光でもレジスト膜
60に通すことができる。
Description
理システムに関する。
おけるフォトリソグラフィー工程では,ウェハ表面にレ
ジスト膜を形成するレジスト塗布処理,ウェハにパター
ンを照射して露光する露光処理,露光後のウェハに対し
て現像を行う現像処理,塗布処理前,露光処理前後及び
現像処理後にする加熱処理,冷却処理等が行われる。こ
れらの処理は,個別に設けられた各処理装置において行
われ,これらの各処理装置は,前記一連の処理を連続し
て行えるように一つにまとめられ,塗布現像処理システ
ムを構成している。
塗布現像処理システム内に基板を搬入出するローダ・ア
ンローダ部と,塗布処理装置,現像処理装置,熱処理装
置等を有し,前記ウェハ処理の大半が行われる処理部
と,ウェハの露光処理が行われるシステム外にある露光
処理部等と,前記処理部と前記露光処理部に隣接して設
けられ,前記処理部と前記露光処理部間でウェハの受け
渡しを行うインタフェイス部とで構成されている。
てウェハの処理が行われる際には,ウェハに不純物が付
着することを防止するために,前記塗布現像処理システ
ム内には,空気清浄機等で清浄にされた例えば空気がダ
ウンフローとして供給され,その一方で,塗布現像処理
システム内の雰囲気を排気するようにして,ウェハを清
浄な状態で処理できるようにしていた。
細かく,より精密な回路パターンを形成するために,よ
り短い波長の光を用いた露光技術が開発されつつあり,
その短い波長の光を用いた場合には,今まで問題となら
なかった分子レベルの不純物,例えば,酸素,オゾン,
水蒸気等が精密な回路パターンの形成に悪影響を与える
おそれがある。
ハに付着していると,適切なパターンが露光されず,歩
留まりの低下は避けられない。処理中のウェハに前記不
純物が付着しないようにする必要がある。
であり,ウェハ等の基板に分子レベルの微細な不純物が
付着しないような塗布現像処理方法及び塗布現像処理シ
ステムを提供することをその目的とする。
に塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と,前記塗布
膜が形成された基板を加熱する工程と,前記加熱処理後
に基板を冷却する工程と,前記基板に形成された塗布膜
に露光する工程と,前記露光処理後に基板を現像する工
程とを有する塗布現像処理方法であって,前記塗布膜を
形成する工程の後,前記基板を露光する工程の前に,処
理ガスを供給して前記塗布膜の表面に処理膜を形成する
ことを特徴とする,塗布現像処理方法を提供する。
ば,塗布膜を形成する工程の後,基板を露光する工程の
前に,処理ガスを供給して塗布膜の表面に処理膜を形成
するので,この処理膜により,雰囲気中の酸素や水蒸気
等の不純物から基板を保護することができる。特に基板
が露光処理される際に不純物が付着していると,その不
純物が露光で用いられるレーザ光等のエネルギーを吸収
してしまい,露光処理が好適に行われないおそれがある
が,このように処理膜を形成することで,露光処理を好
適に行うことができる。さらに処理ガスによる処理膜は
透過性に優れ,例えば157nm程度の短い波長の光を
通すことができる。したがって,基板に形成された塗布
膜に不純物が付着することを防止しつつも,この塗布膜
に所定の回路パターンを精密に露光させることができ
る。
て,処理ガスを供給して塗布膜の表面に処理膜を形成す
る時期は,各種状況に応じて柔軟に設定することができ
る。即ち,請求項2に記載したように前記加熱処理後に
基板を冷却する工程の後に,請求項3に記載したように
前記加熱処理後に基板を冷却する工程中に,請求項4に
記載したように前記塗布膜が形成された基板を加熱する
工程の後に,又は請求項5に記載したように前記塗布膜
が形成された基板を加熱する工程中に,処理膜を形成し
ても良い。
は,フッ素系のガスであっても良い。そうすれば,水蒸
気等の付着を防止することができると共に,透過性に優
れた膜を実現することができる。
膜を形成する塗布処理装置と,前記基板の現像を行う現
像処理装置と,前記基板の熱処理を行う熱処理装置とを
有する処理部と,前記処理部と前記基板の露光処理を行
う露光処理装置との間の経路で基板の搬送を行うための
インタフェイス部とを有する塗布現像処理システムであ
って,前記基板に形成された塗布膜に処理ガスを供給す
る処理ガス供給手段を有することを特徴とする,塗布現
像処理システムを提供する。なお,熱処理装置には,加
熱処理装置,冷却処理装置及び加熱・冷却処理装置等が
含まれる。また,前記処理部には,例えば基板を待機さ
せておくエクステンション装置や基板と塗布液の定着性
を高めるために基板上に所定の処理液を供給するアドヒ
ージョン装置等の他の処理装置が含まれていても良い。
よれば,処理ガス供給手段により,基板に形成された塗
布膜に処理ガスを供給して処理膜を形成する。従って,
請求項1に記載の塗布現像処理方法を好適に実施するこ
とができる。
おいて,請求項8に記載したように,前記熱処理装置
が,前記処理ガス供給手段を有しても良い。そうすれ
ば,請求項2〜5に記載の塗布現像処理方法を好適に実
施することができる。
態について説明する。図1は,本実施の形態にかかる塗
布現像処理システム1の平面図であり,図2は,塗布現
像処理システム1の正面図であり,図3は,塗布現像処
理システム1の背面図である。
うに,そのケーシング1a内に,例えば25枚のウェハ
Wをカセット単位で外部から塗布現像処理システム1に
対して搬入出したり,カセットCに対してウェハWを搬
入出したりするカセットステーション2と,塗布現像処
理工程において枚葉式に所定の処理をウェハWに施す各
種処理装置を多段に配置している処理部としての処理ス
テーション3と,この塗布現像処理システム1に隣接し
て設けられている露光処理装置5との間でウェハWの受
け渡しをするインタフェイス部4とを一体に接続した構
成を有している。
るカセット載置台6上の所定の位置に,複数のカセット
CをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在とな
っている。そして,このカセット配列方向(X方向)と
カセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z
方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体7が
搬送路8に沿って移動自在に設けられており,各カセッ
トCに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体7は後述するように処理ステーション3側の第3の処
理装置群G3に属するエクステンション装置32及びア
ドヒージョン装置31に対してもアクセスできるように
構成されている。
搬送装置13が設けられており,この主搬送装置13の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム1においては,
4つの処理装置群G1,G2,G3,G4が配置されて
おり,第1及び第2の処理装置群G1,G2は塗布現像
処理システム1の正面側に配置され,第3の処理装置群
G3は,カセットステーション2に隣接して配置され,
第4の処理装置群G4は,インタフェイス部4に隣接し
て配置されている。さらにオプションとして破線で示し
た第5の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっ
ている。前記主搬送装置13は,これらの処理装置群G
1,G2,G3,G4,G5に配置されている後述する
各種処理装置に対してウェハWを搬入出可能である。
示すように,ウェハWにレジスト液を塗布するレジスト
塗布装置17と,露光処理後のウェハWを現像処理する
現像処理装置18とが下から順に2段に配置されてい
る。第2の処理装置群G2の場合も同様に,レジスト塗
布装置19と,現像処理装置20とが下から順に2段に
配置されている。
却処理するクーリング装置30,レジスト液とウェハW
との定着性を高めるためのアドヒージョン装置31,ウ
ェハWを待機させるエクステンション装置32,現像処
理後のウェハWを冷却するクーリング装置33,34及
び現像処理後のウェハWに加熱処理を施すポストベーキ
ング装置35,36等が下から順に例えば7段に積み重
ねられている。
却処理するクーリング装置40,エクステンション装置
41,42,本発明にかかる処理ガス供給手段としての
ガスノズル55を有するガス供給装置43(図3中のG
AS),露光処理後のウェハWを加熱(ポスト・エクス
ポージャーベーキング)し,その後所定温度に冷却する
加熱・冷却処理装置44,45(図3中のPEB/CO
L),露光処理前のウェハWを加熱してレジスト液中の
溶剤を蒸発させ,その後所定温度に冷却する露光前の熱
処理装置としての加熱・冷却処理装置46,47(図3
中のPRE/COL)等が下から順に例えば8段に積み
重ねられている。
のケーシング43a内には,ケース50が設けられてい
る。このケース50に,円盤状の載置盤51が取り付け
られている。載置盤51には貫通孔52が3箇所形成さ
れており,各貫通孔52には,昇降ピン53が設けられ
ている。昇降ピン53は,昇降機構54により貫通孔5
2内を昇降自在であり,ウェハWを昇降させて載置盤5
1上に載置すると共に,主搬送装置13及び後述するウ
ェハ搬送体65との間でウェハWの受け渡しができるよ
うに構成されている。
(処理ガス)を供給するガスノズル55が設けられてい
る。このガスノズル55の横幅は,例えばウェハWと直
径と略等しく,下面に形成された複数の吐出口56から
保護ガスをウェハWに供給するようになっている。ガス
ノズル55は,アーム57によって支持されており,図
5に示すように,このアーム57は,駆動機構(図示せ
ず)により,ウェハWの上方をθ方向に回動するように
なっている。従って,ガスノズル55は,ウェハW全体
に満遍なく保護ガスを供給するようになっている。な
お,ケーシング43aの底部には,ケーシング43a内
の雰囲気を排気する排気管58が接続されている。
のガスが用いられている。フッ素系の保護ガスには,例
えばノルボルネンとテトラフロロエチレンの共重合体を
含有しているものや,ノルボルネン上にヘキサフォロロ
ノールを置換した重合体を含有しているものがある。ま
た,ポリシロキサン等の高分子を含有したものや,ポリ
アクリル酸上に脂環属をペンダントした系のものがあ
る。
に,ウェハW上に形成されたレジスト膜60の表面に膜
厚が薄い保護膜61が形成され,レジスト膜60は,保
護膜61によって覆われる。保護膜61は,不純物を寄
せ付けず,雰囲気中の酸素,オゾン,水蒸気等からレジ
スト膜60を保護する。また,透過性が高く,短い波長
の光でも通してレジスト膜60に所定の回路パターンを
露光できるようになっている。
すように,そのケーシング44a内の基台62上にウェ
ハWを加熱するための円盤状の熱板63と,その熱板6
3上まで移動し,熱板63上からウェハWを受け取って
冷却する冷却板64を有している。そして,同じ装置内
でウェハWの加熱・冷却処理を連続して行い,加熱によ
ってウェハWに与える熱履歴を常に一定に保つことがで
きるようになっている。なお,他の加熱・冷却装置45
〜47も同じ構成を有している。
ェハ搬送体65が設けられている。このウェハ搬送体6
5は,X方向(図1中の上下方向),Z方向(垂直方
向)の移動とθ方向(Z軸を中心とする回転方向)の回
転が自在にできるように構成されており,第4の処理装
置群G4に属するエクステンション装置41,42,ガ
ス供給装置43,周辺露光処理装置66及び露光処理装
置5に対してアクセスして,各々に対してウェハWを搬
送できるように構成されている。
装置5は,インタフェイス部4に隣接して設けられてい
る。この露光処理装置5は,その露光処理装置5のケー
シング5aにより密閉されており,露光処理装置5内の
雰囲気を厳格に制御できるように構成されている。ま
た,ケーシング5aのインタフェイス部4側には,ウェ
ハWをインタフェイス部4に対して搬入出する通過口6
7が設けられており,この通過口67には,通過口67
を開閉自在とするシャッタ68が設けられている。
理システム1で行われるフォトリソグラフィー工程のプ
ロセスを説明する。
ットステーション2において,ウェハ搬送体7がカセッ
トCから未処理のウェハWを1枚取りだし,処理ステー
ション3のアドヒージョン装置31に搬入する。
て,レジスト液との密着性を向上させるHMDSなどの
密着強化剤を塗布されたウェハWは,主搬送装置13に
よって,クーリング装置30搬送され,所定の温度に冷
却される。
まで図8に示すフローに従って処理される。即ち,図8
に示すように,ウェハWは,レジスト塗布装置17又は
18に搬送され,レジスト塗布処理が施される(図8中
のS1)。そして,レジスト膜が形成されたウェハW
は,加熱・冷却処理装置46又は47(図3中のPRE
/COL)に搬送される。加熱・冷却処理装置46又は
47では,熱板63で加熱処理が施され(図8中のS
2),冷却板64で冷却処理(図8中のS3)が施され
る。このとき,加熱処理及び冷却処理を個別に設けられ
た各装置で順次行うのではなく,加熱・冷却処理装置4
6又は47のように単一の装置内で加熱・冷却処理を行
うことにより,ウェハWが加熱処理されてから冷却処理
されるまでの時間を常に一定にすることができるため,
加熱によってウェハWに与えられる熱履歴をウェハW間
において同一にすることができる。また,本実施の形態
では,レジスト塗布処理から現像処理までに行われる全
ての加熱,冷却処理を加熱・冷却処理装置44〜47を
用いて行うようにしたため,レジスト塗布から現像処理
までにかかる所要時間を全てのウェハWにおいて同一に
することができる。
搬送される。図6に示したように,ウェハWに保護ガス
が供給されることにより,レジスト膜60の表面に保護
膜61が形成される(図8中のS4)。
置41に搬送され,ウェハ搬送体65がエクステンショ
ン装置41からウェハWを受け取って,インタフェイス
部4内の周辺露光処理装置66に搬送する。周辺部が露
光されたウェハWは,通過口67を通して露光処理装置
5に搬送される。このとき,シャッタ68が開放され,
ウェハWが露光処理装置5に搬送されると,シャッタ6
8は再び閉じられる。
送されるまでの間,保護膜61によりレジスト膜60の
表面,ひいてはウェハWを保護し,酸素,オゾン,水蒸
気等の不純物や微粒子が付着するのを防止する。このた
め,清浄な状態でウェハWを露光処理装置5に搬送する
ことができる。そして,露光処理装置5では,ウェハW
に所定の回路パターンが露光される(図8中のS5)。
送体65によって,インタフェイス部4内を通過し,処
理ステーション3内のエクステンション装置42に搬送
される。そして,ウェハWは,主搬送装置13によっ
て,加熱・冷却処理装置44又は45に搬送され,露光
処理後の加熱,冷却処理が順次施される。
は20に搬送され,現像処理される。そして,現像処理
されたウェハWは,ポストベーキング装置35又は36
に搬送されて加熱され,その後クーリング装置33又は
34に搬送され,所定温度に冷却される。そして,エク
ステンション装置32に搬送され,そこからウェハ搬送
体7によって,カセットステーション2のカセットCに
戻される。以上の工程により,一連のフォトリソグラフ
ィー工程が終了する。
給してレジスト膜60の表面に保護膜61を形成するの
で,この保護膜61により,雰囲気中の酸素や水蒸気等
の不純物からウェハWを保護することができる。特にウ
ェハWが露光処理される際に不純物が付着していると,
その不純物が露光で用いられるレーザ光等のエネルギー
を吸収してしまい,レジスト膜60に対して所定の回路
パターンが精密に露光されないおそれがあるが,このよ
うに保護膜61を形成することで,好適な露光処理を行
うことができる。さらに保護ガスによる保護膜61は透
過性に優れ,例えば157nm程度の短い波長の光を通
すことができる。したがって,ウェハWに形成されたレ
ジスト膜60に不純物が付着することを防止しつつも,
このレジスト膜60に所定の回路パターンを精密に露光
させることができ,ウェハWの歩留まりに大きく貢献す
る。また,露光処理装置5内で用いられるレーザ光の波
長が短ければ短いほど,不純物による影響が大きくなる
ので,短い波長のレーザ光を用いた場合にその効果は大
きい。
あれば,水分等の付着を防止することができると共に,
透過性に優れた保護膜61を実現することができる
説明したが,本発明はこの例に限らず種々の態様を採り
うるものである。例えばウェハW上に保護膜61を形成
する時期は,各種状況に応じて柔軟に設定することがで
きる。即ち,図9に示すように,例えば加熱・冷却処理
装置43内に前記ガスノズル55及び前記アーム57を
設けても良い。図9に示すように,実線で示すガスノズ
ル55及びアーム57は,冷却板64側に配置されてい
る。
同様に,冷却処理後にガスノズル55がウェハWの上方
に移動して直ちに保護膜61を形成することができる。
また,図10に示すように,加熱処理後(図10中のS
2),ウェハWの冷却中に,ガスノズル55が移動して
レジスト膜60の表面に保護膜61を形成しても良い
(図10中のS3)。
で示すように,ガスノズル55及びアーム57は加熱板
63側に配置されていても良い。この場合,図11に示
すように,加熱処理後(図11中のS2),ガスノズル
55が移動してレジスト膜60の表面に保護膜61を形
成し(図11中のS3),その後に冷却処理(図11中
のS4),露光処理(図11中のS5)を続けて行って
も良い。また,図12に示すように,加熱処理中にガス
ノズル55が移動してレジスト膜60の表面に保護膜6
1を形成しても良い(図12中のS2)。比較的早い段
階から保護ガスを供給するようになるので,酸素やオゾ
ン等の不純物が付く前にウェハWに保護膜60を形成す
ることが可能となる。なお基本的には,加熱によってレ
ジスト液中の溶剤を十分に蒸発させたのを見計らってか
ら,前記保護膜61をレジスト膜60の表面に形成する
ことが好ましい。
めに,例えば図13に示すように,カセットステーショ
ン2,処理ステーション3,インタフェイス部4の各エ
リアの上部に,N2ガス等の不活性気体を供給する気体
供給装置80,81,82を個別に設けると共に,各エ
リアの下部に排気管83,84,85を設けても良い。
各気体供給装置80,81,82は,不活性気体中の微
粒子を除去するULPAフィルタ80a,81a,82
aを有している。かかる構成によれば,各エリア内から
酸素,オゾン,水蒸気等の不純物をパージして清浄な雰
囲気に維持することができる。
体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー
工程におけるウェハWの塗布現像処理システムについて
であったが,本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばL
CD基板の塗布現像処理システムにおいても応用でき
る。
を形成して酸素,オゾン,有機物等の分子レベルの不純
物から基板を保護することができる。さらに処理ガスに
よる処理膜は透過性に優れ,短い波長の光を基板に形成
された塗布膜に通すことができる。したがって,基板に
形成された塗布膜に不純物が付着することを防止しつつ
も,この塗布膜に所定の回路パターンを精密に露光させ
ることができ,歩留まりの向上を図ることができる。ま
た,処理膜を形成する時期は,各種状況に応じて柔軟に
設定することができる。
現像処理方法を好適に実施することができ,請求項8に
よれば,請求項2〜5に記載の塗布現像処理方法を好適
に実施することができる。
外観を示す平面図である。
の縦断面の説明図である。
面図である。
て示す縦断面の説明図である。
理装置の概略を示す横断面図である。
示すフロー図である。
の概略を示す横断面図である。
合の,レジスト塗布から露光処理までの処理の流れを示
すフロー図である。
合の,レジスト塗布から露光処理までの処理の流れの変
形例を示すフロー図である。
合の,レジスト塗布から露光処理までの処理の流れの他
の変形例を示すフロー図である。
上部に気体供給装置を設け,各エリアの下部に排気管を
設けた場合の説明図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 基板に塗布液を供給して塗布膜を形成す
る工程と,前記塗布膜が形成された基板を加熱する工程
と,前記加熱処理後に基板を冷却する工程と,前記基板
に形成された塗布膜に露光する工程と,前記露光処理後
に基板を現像する工程とを有する塗布現像処理方法であ
って,前記塗布膜を形成する工程の後,前記基板を露光
する工程の前に,処理ガスを供給して前記塗布膜の表面
に処理膜を形成することを特徴とする,塗布現像処理方
法。 - 【請求項2】 前記加熱処理後に基板を冷却する工程の
後に,処理ガスを供給して前記塗布膜の表面に処理膜を
形成することを特徴とする,請求項1に記載の塗布現像
処理方法。 - 【請求項3】 前記加熱処理後に基板を冷却する工程中
に,処理ガスを供給して前記塗布膜の表面に処理膜を形
成することを特徴とする,請求項1に記載の塗布現像処
理方法。 - 【請求項4】 前記塗布膜が形成された基板を加熱する
工程の後に,処理ガスを供給して前記塗布膜の表面に処
理膜を形成することを特徴とする,請求項1に記載の塗
布現像処理方法。 - 【請求項5】 前記塗布膜が形成された基板を加熱する
工程中に,処理ガスを供給して前記塗布膜の表面に処理
膜を形成することを特徴とする,請求項1に記載の塗布
現像処理方法。 - 【請求項6】 前記処理ガスは,フッ素系のガスである
ことを特徴とする,請求項1,2,3,4又は5のいず
れかに記載の塗布現像処理方法。 - 【請求項7】 少なくとも基板に塗布膜を形成する塗布
処理装置と,前記基板の現像を行う現像処理装置と,前
記基板の熱処理を行う熱処理装置とを有する処理部と,
前記処理部と前記基板の露光処理を行う露光処理装置と
の間の経路で基板の搬送を行うためのインタフェイス部
とを有する塗布現像処理システムであって,前記基板に
形成された塗布膜に処理ガスを供給する処理ガス供給手
段を有することを特徴とする,塗布現像処理システム。 - 【請求項8】 前記熱処理装置が,前記処理ガス供給手
段を有することを特徴とする,請求項7に記載の塗布現
像処理システム。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000137498A JP3648129B2 (ja) | 2000-05-10 | 2000-05-10 | 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム |
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---|---|---|---|---|
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JP2005353762A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びパターン形成方法 |
US8826328B2 (en) * | 2004-11-12 | 2014-09-02 | Opentv, Inc. | Communicating primary content streams and secondary content streams including targeted advertising to a remote unit |
US7819079B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
US7651306B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
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US7699021B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
US20060182535A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-08-17 | Mike Rice | Cartesian robot design |
US20060241813A1 (en) * | 2005-04-22 | 2006-10-26 | Applied Materials, Inc. | Optimized cluster tool transfer process and collision avoidance design |
JP4762743B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2011-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP4657940B2 (ja) * | 2006-02-10 | 2011-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理システム |
US7877895B2 (en) * | 2006-06-26 | 2011-02-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
US8289496B2 (en) * | 2009-01-30 | 2012-10-16 | Semes Co., Ltd. | System and method for treating substrate |
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Family Cites Families (24)
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---|---|---|---|---|
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KR970003907B1 (ko) * | 1988-02-12 | 1997-03-22 | 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 | 기판처리 장치 및 기판처리 방법 |
JPH0385544A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-10 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法 |
JPH0443634A (ja) * | 1990-06-11 | 1992-02-13 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置 |
US5171393A (en) * | 1991-07-29 | 1992-12-15 | Moffat William A | Wafer processing apparatus |
JPH0669190A (ja) | 1992-08-21 | 1994-03-11 | Fujitsu Ltd | フッ素系樹脂膜の形成方法 |
TW301037B (ja) * | 1993-11-19 | 1997-03-21 | Sony Co Ltd | |
JP3033009B2 (ja) * | 1994-09-09 | 2000-04-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US5620560A (en) * | 1994-10-05 | 1997-04-15 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for heat-treating substrate |
US5511608A (en) * | 1995-01-04 | 1996-04-30 | Boyd; Trace L. | Clampless vacuum heat transfer station |
JPH0964176A (ja) | 1995-08-21 | 1997-03-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
JP3571471B2 (ja) | 1996-09-03 | 2004-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法,塗布現像処理システム及び処理システム |
US6024502A (en) * | 1996-11-01 | 2000-02-15 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for processing substrate |
JP3693783B2 (ja) * | 1997-03-21 | 2005-09-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
TW459266B (en) * | 1997-08-27 | 2001-10-11 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing method |
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US6248168B1 (en) * | 1997-12-15 | 2001-06-19 | Tokyo Electron Limited | Spin coating apparatus including aging unit and solvent replacement unit |
US6176932B1 (en) * | 1998-02-16 | 2001-01-23 | Anelva Corporation | Thin film deposition apparatus |
JP3630563B2 (ja) * | 1998-07-23 | 2005-03-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板熱処理方法およびその装置 |
KR100609766B1 (ko) * | 1998-07-29 | 2006-08-09 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기판처리방법 및 기판처리장치 |
JP2000056474A (ja) * | 1998-08-05 | 2000-02-25 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
US6162591A (en) * | 1998-09-01 | 2000-12-19 | Industrial Technology Research Institute | Photolithography process with gas-phase pretreatment |
US6258220B1 (en) * | 1998-11-30 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition system |
JP3648129B2 (ja) * | 2000-05-10 | 2005-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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