JPH10261605A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
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- JPH10261605A JPH10261605A JP6447597A JP6447597A JPH10261605A JP H10261605 A JPH10261605 A JP H10261605A JP 6447597 A JP6447597 A JP 6447597A JP 6447597 A JP6447597 A JP 6447597A JP H10261605 A JPH10261605 A JP H10261605A
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- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、半導体ウェーハを洗浄する枚葉式洗
浄装置において、洗浄部によりウェーハのエッジ部分を
効果的に洗浄できるようにすることを最も主要な特徴と
する。 【解決手段】たとえば、半導体ウェーハのエッジ部分
を、該ウェーハの外周に沿って交互に配置された、上に
凸な形状を有する３個の円錐型ローラ１１ａおよび下に
凸な形状を有する３個の円錐型ローラ１１ｂの、各傾斜
部分によってそれぞれ保持する。そして、回転用モータ
１２により各ローラ１１ａ，１１ｂを回転させるととも
に、移動用モータ１３によってスパイラルシャフト１４
を正転／逆転させる。こうして、ウェーハを回転させな
がらローラ１１ａ，１１ｂの傾斜部分に沿って上下に移
動させることにより、ウェーハのエッジ部分に付着する
異物を除去する構成となっている。
浄装置において、洗浄部によりウェーハのエッジ部分を
効果的に洗浄できるようにすることを最も主要な特徴と
する。 【解決手段】たとえば、半導体ウェーハのエッジ部分
を、該ウェーハの外周に沿って交互に配置された、上に
凸な形状を有する３個の円錐型ローラ１１ａおよび下に
凸な形状を有する３個の円錐型ローラ１１ｂの、各傾斜
部分によってそれぞれ保持する。そして、回転用モータ
１２により各ローラ１１ａ，１１ｂを回転させるととも
に、移動用モータ１３によってスパイラルシャフト１４
を正転／逆転させる。こうして、ウェーハを回転させな
がらローラ１１ａ，１１ｂの傾斜部分に沿って上下に移
動させることにより、ウェーハのエッジ部分に付着する
異物を除去する構成となっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、たとえば半導体
ウェーハを洗浄する半導体処理装置に関するもので、特
に、ウェーハのエッジ部分の洗浄に用いられるものであ
る。
ウェーハを洗浄する半導体処理装置に関するもので、特
に、ウェーハのエッジ部分の洗浄に用いられるものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の製造の分野において
は、ブラシ洗浄などの物理洗浄や薬液を用いた化学洗浄
を行って、ウェーハ面上の異物（金属、有機物、ダスト
など）を除去するようにしている。
は、ブラシ洗浄などの物理洗浄や薬液を用いた化学洗浄
を行って、ウェーハ面上の異物（金属、有機物、ダスト
など）を除去するようにしている。
【０００３】特に、ダスト状の異物は、物理的な洗浄と
化学的な洗浄とを組み合わせることにより、より効果的
に除去できる。以下に、半導体ウェーハの洗浄処理に用
いられる、従来の枚葉式物理洗浄装置の洗浄部の構成
（異物除去メカニズム）について簡単に説明する。
化学的な洗浄とを組み合わせることにより、より効果的
に除去できる。以下に、半導体ウェーハの洗浄処理に用
いられる、従来の枚葉式物理洗浄装置の洗浄部の構成
（異物除去メカニズム）について簡単に説明する。
【０００４】図８は、洗浄部におけるウェーハ洗浄機構
の一例を示すもので、この場合、径の小さな洗浄ブラシ
１を、半導体ウェーハＨＷの表面上を回転させながら移
動させることにより、回転する半導体ウェーハＨＷとの
間に働く摩擦力によって、該ウェーハ面上の異物を除去
するように構成されている。
の一例を示すもので、この場合、径の小さな洗浄ブラシ
１を、半導体ウェーハＨＷの表面上を回転させながら移
動させることにより、回転する半導体ウェーハＨＷとの
間に働く摩擦力によって、該ウェーハ面上の異物を除去
するように構成されている。
【０００５】図９は、同じくウェーハ洗浄機構の他の構
成例を示すもので、この場合、径のほぼ等しいドラム状
の洗浄ブラシ２を、半導体ウェーハＨＷの表面上で回転
させることにより、回転する半導体ウェーハＨＷとの間
に働く摩擦力によって、該ウェーハ面上の異物を除去す
るように構成されている。
成例を示すもので、この場合、径のほぼ等しいドラム状
の洗浄ブラシ２を、半導体ウェーハＨＷの表面上で回転
させることにより、回転する半導体ウェーハＨＷとの間
に働く摩擦力によって、該ウェーハ面上の異物を除去す
るように構成されている。
【０００６】図１０は、同じくウェーハ洗浄機構の別の
構成例を示すもので、この場合、円筒型（ローラ状）の
洗浄ブラシ３を、半導体ウェーハＨＷの表面上で回転さ
せることにより、回転する半導体ウェーハＨＷとの間に
働く摩擦力によって、該ウェーハ面上の異物を除去する
ように構成されている。
構成例を示すもので、この場合、円筒型（ローラ状）の
洗浄ブラシ３を、半導体ウェーハＨＷの表面上で回転さ
せることにより、回転する半導体ウェーハＨＷとの間に
働く摩擦力によって、該ウェーハ面上の異物を除去する
ように構成されている。
【０００７】図１１は、洗浄部におけるウェーハ保持機
構の一例を示すもので、この場合、半導体ウェーハＨＷ
の裏面側を真空チャック４などを用いてチャッキングす
る、裏面チャック方式となっている。
構の一例を示すもので、この場合、半導体ウェーハＨＷ
の裏面側を真空チャック４などを用いてチャッキングす
る、裏面チャック方式となっている。
【０００８】図１２は、同じくウェーハ保持機構の他の
構成例を示すもので、この場合、半導体ウェーハＨＷの
エッジ部分を可動式のチャック爪５によりチャッキング
する、エッジチャック方式となっている。
構成例を示すもので、この場合、半導体ウェーハＨＷの
エッジ部分を可動式のチャック爪５によりチャッキング
する、エッジチャック方式となっている。
【０００９】図１３は、同じくウェーハ保持機構の別の
構成例を示すもので、この場合、半導体ウェーハＨＷの
エッジ部分を可動式の鼓状チャック爪６によりチャッキ
ングする、エッジチャック方式となっている。
構成例を示すもので、この場合、半導体ウェーハＨＷの
エッジ部分を可動式の鼓状チャック爪６によりチャッキ
ングする、エッジチャック方式となっている。
【００１０】さて、従来の枚葉式物理洗浄装置は、その
洗浄部が、上記したウェーハ洗浄機構およびウェーハ保
持機構のいずれかの組み合わせにより構成されるもので
あったため、次のような問題点があった。
洗浄部が、上記したウェーハ洗浄機構およびウェーハ保
持機構のいずれかの組み合わせにより構成されるもので
あったため、次のような問題点があった。
【００１１】たとえば、図１１に示したウェーハ保持機
構を採用した場合、図８〜図１０に示したいずれのウェ
ーハ洗浄機構（ブラシ）を採用したとしても、半導体ウ
ェーハＨＷの表面側は全面的に洗浄できる。
構を採用した場合、図８〜図１０に示したいずれのウェ
ーハ洗浄機構（ブラシ）を採用したとしても、半導体ウ
ェーハＨＷの表面側は全面的に洗浄できる。
【００１２】しかし、半導体ウェーハＨＷの裏面側はチ
ャッキングによって傷が付くなど、かえって汚れてしま
うために、ウェーハＨＷの表面側のみしか洗浄できない
という不具合があった。
ャッキングによって傷が付くなど、かえって汚れてしま
うために、ウェーハＨＷの表面側のみしか洗浄できない
という不具合があった。
【００１３】たとえば、図１２に示したウェーハ保持機
構を採用した場合、半導体ウェーハＨＷをエッジ部分で
保持するようにしているため、ウェーハＨＷの裏面側を
汚すといった心配はない。
構を採用した場合、半導体ウェーハＨＷをエッジ部分で
保持するようにしているため、ウェーハＨＷの裏面側を
汚すといった心配はない。
【００１４】しかし、チャック爪５が半導体ウェーハＨ
Ｗの表面より突出しているため、全表面を洗浄しようと
すると、図８〜図１０に示したどのウェーハ洗浄機構を
採用した場合にもブラシとチャック爪５との接触を防ぐ
ことができない。これは、ブラシを傷めたり、ダストな
どの異物を生じる発塵の原因となるなど、ウェーハＨＷ
の表面側の周辺部分の洗浄を妨げるだけでなく、周辺部
分に異物が堆積しやすくなるという不具合があった。
Ｗの表面より突出しているため、全表面を洗浄しようと
すると、図８〜図１０に示したどのウェーハ洗浄機構を
採用した場合にもブラシとチャック爪５との接触を防ぐ
ことができない。これは、ブラシを傷めたり、ダストな
どの異物を生じる発塵の原因となるなど、ウェーハＨＷ
の表面側の周辺部分の洗浄を妨げるだけでなく、周辺部
分に異物が堆積しやすくなるという不具合があった。
【００１５】たとえば、図１３に示したウェーハ保持機
構を採用した場合、半導体ウェーハＨＷをエッジ部分で
保持するようにしているため、この場合も、ウェーハＨ
Ｗの裏面側を汚すといった心配はない。
構を採用した場合、半導体ウェーハＨＷをエッジ部分で
保持するようにしているため、この場合も、ウェーハＨ
Ｗの裏面側を汚すといった心配はない。
【００１６】しかも、鼓状チャック爪６は半導体ウェー
ハＨＷの表面より突出しているものの、鼓状チャック爪
６のその場所での回転（自転）により半導体ウェーハＨ
Ｗを回転させるようになっている。このため、図８また
は図１０に示したウェーハ洗浄機構を採用することで、
半導体ウェーハＨＷの全表面を最も効果的に洗浄でき
る。
ハＨＷの表面より突出しているものの、鼓状チャック爪
６のその場所での回転（自転）により半導体ウェーハＨ
Ｗを回転させるようになっている。このため、図８また
は図１０に示したウェーハ洗浄機構を採用することで、
半導体ウェーハＨＷの全表面を最も効果的に洗浄でき
る。
【００１７】しかしながら、半導体ウェーハＨＷは、実
際には、そのエッジ部分が丸くなっている。このため、
図８または図１０に示したブラシ１，３であっても、半
導体ウェーハＨＷに対して垂直に力が働くようなブラシ
では、半導体ウェーハＨＷのエッジ部分を満足に洗浄す
ることができないという問題があった。
際には、そのエッジ部分が丸くなっている。このため、
図８または図１０に示したブラシ１，３であっても、半
導体ウェーハＨＷに対して垂直に力が働くようなブラシ
では、半導体ウェーハＨＷのエッジ部分を満足に洗浄す
ることができないという問題があった。
【００１８】図１４は、従来の半導体ウェーハＨＷの周
辺部分における洗浄の方法を、図８に示した洗浄ブラシ
１を例に示すものである。半導体ウェーハＨＷのエッジ
部分は丸みをおびているため、ダストなどの異物７が非
常にたまりやすい。
辺部分における洗浄の方法を、図８に示した洗浄ブラシ
１を例に示すものである。半導体ウェーハＨＷのエッジ
部分は丸みをおびているため、ダストなどの異物７が非
常にたまりやすい。
【００１９】しかし、洗浄ブラシ１は、半導体ウェーハ
ＨＷのウェーハ面と垂直に接触するようになっているた
め、丸みをおびたエッジ部分にまで十分に回り込むこと
ができない。したがって、エッジ部分に洗浄ブラシ１に
よる摩擦力を十分に加えることができず、該エッジ部分
での異物７の除去が不十分になる。
ＨＷのウェーハ面と垂直に接触するようになっているた
め、丸みをおびたエッジ部分にまで十分に回り込むこと
ができない。したがって、エッジ部分に洗浄ブラシ１に
よる摩擦力を十分に加えることができず、該エッジ部分
での異物７の除去が不十分になる。
【００２０】たとえ、図１３に示した、半導体ウェーハ
ＨＷのエッジ部分を鼓状チャック爪６により保持するウ
ェーハ保持機構の場合であっても、鼓状チャック爪６お
よび半導体ウェーハＨＷは同じ周速度で回転するため、
該エッジ部分の異物７を効果的に除去できるだけの摩擦
力は得られない。
ＨＷのエッジ部分を鼓状チャック爪６により保持するウ
ェーハ保持機構の場合であっても、鼓状チャック爪６お
よび半導体ウェーハＨＷは同じ周速度で回転するため、
該エッジ部分の異物７を効果的に除去できるだけの摩擦
力は得られない。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、半導体ウェーハのエッジ部分は丸みをおび
ているため、該エッジ部分に付着した異物を満足に除去
できないという問題があった。
においては、半導体ウェーハのエッジ部分は丸みをおび
ているため、該エッジ部分に付着した異物を満足に除去
できないという問題があった。
【００２２】そこで、この発明は、半導体基板の外周部
に付着した異物を十分に除去でき、半導体基板の外周部
を効果的に洗浄することが可能な半導体処理装置を提供
することを目的としている。
に付着した異物を十分に除去でき、半導体基板の外周部
を効果的に洗浄することが可能な半導体処理装置を提供
することを目的としている。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体処理装置にあっては、半導体基
板の外周に沿って少なくとも４個の円錐型ローラが上下
を逆にして交互に配置され、該ローラの傾斜部分にて前
記半導体基板を水平に保持する保持機構と、この保持機
構によって保持された前記半導体基板を回転させるため
に、前記円錐型ローラのそれぞれを回転する回転機構
と、前記円錐型ローラのそれぞれを、前記半導体基板の
中心に対する遠近方向に移動させ、前記保持機構により
保持された前記半導体基板を各ローラの傾斜部分に沿っ
て上下に移動させるための移動機構とから構成されてい
る。
めに、この発明の半導体処理装置にあっては、半導体基
板の外周に沿って少なくとも４個の円錐型ローラが上下
を逆にして交互に配置され、該ローラの傾斜部分にて前
記半導体基板を水平に保持する保持機構と、この保持機
構によって保持された前記半導体基板を回転させるため
に、前記円錐型ローラのそれぞれを回転する回転機構
と、前記円錐型ローラのそれぞれを、前記半導体基板の
中心に対する遠近方向に移動させ、前記保持機構により
保持された前記半導体基板を各ローラの傾斜部分に沿っ
て上下に移動させるための移動機構とから構成されてい
る。
【００２４】この発明の半導体処理装置によれば、半導
体基板を保持すると同時に、半導体基板の外周部に対し
て強い摩擦力を加えることができるようになる。これに
より、半導体基板の外周部に付着した異物を簡単に除去
することが可能となるものである。
体基板を保持すると同時に、半導体基板の外周部に対し
て強い摩擦力を加えることができるようになる。これに
より、半導体基板の外周部に付着した異物を簡単に除去
することが可能となるものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の
一形態にかかる、枚葉式洗浄装置の洗浄部の概略構成を
示すものである。なお、同図（ａ）は洗浄部の平面図、
同図（ｂ）は同じく側面図である。
いて図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の
一形態にかかる、枚葉式洗浄装置の洗浄部の概略構成を
示すものである。なお、同図（ａ）は洗浄部の平面図、
同図（ｂ）は同じく側面図である。
【００２６】たとえば、保持機構としての、上に凸な形
状を有する３つの円錐型ローラ１１ａと下に凸な形状を
有する３つの円錐型ローラ１１ｂとが交互に、保持すべ
き半導体ウェーハ（半導体基板）の外周に沿って等間隔
に配置されている。
状を有する３つの円錐型ローラ１１ａと下に凸な形状を
有する３つの円錐型ローラ１１ｂとが交互に、保持すべ
き半導体ウェーハ（半導体基板）の外周に沿って等間隔
に配置されている。
【００２７】上下にそれぞれ凸な形状を有する６個の円
錐型ローラ１１ａ，１１ｂは、ＰＶＡ（Poly Vinyl Alc
ohol）などの高分子材料からなるスポンジブラシにより
構成され、それぞれの傾斜部分によって半導体ウェーハ
を水平に保持すると同時に、該半導体ウェーハの外周部
であるエッジ部分の洗浄を行うようになっている。
錐型ローラ１１ａ，１１ｂは、ＰＶＡ（Poly Vinyl Alc
ohol）などの高分子材料からなるスポンジブラシにより
構成され、それぞれの傾斜部分によって半導体ウェーハ
を水平に保持すると同時に、該半導体ウェーハの外周部
であるエッジ部分の洗浄を行うようになっている。
【００２８】さて、上下にそれぞれ凸な形状を有する６
個の円錐型ローラ１１ａ，１１ｂは、たとえば、個々に
設けられた回転機構としての回転用モータ１２によって
右回転され、保持する半導体ウェーハを、該半導体ウェ
ーハに対する周速度を一定に保ちつつ左回転させるよう
になっている。
個の円錐型ローラ１１ａ，１１ｂは、たとえば、個々に
設けられた回転機構としての回転用モータ１２によって
右回転され、保持する半導体ウェーハを、該半導体ウェ
ーハに対する周速度を一定に保ちつつ左回転させるよう
になっている。
【００２９】また、上下にそれぞれ凸な形状を有する６
個の円錐型ローラ１１ａ，１１ｂは、たとえば、保持す
る半導体ウェーハを各ローラ１１ａ，１１ｂの傾斜部分
に沿って上下に移動させるべく、移動機構により半導体
ウェーハの回転の中心に対する遠近方向にそれぞれ移動
できるように構成されている。
個の円錐型ローラ１１ａ，１１ｂは、たとえば、保持す
る半導体ウェーハを各ローラ１１ａ，１１ｂの傾斜部分
に沿って上下に移動させるべく、移動機構により半導体
ウェーハの回転の中心に対する遠近方向にそれぞれ移動
できるように構成されている。
【００３０】すなわち、上記移動機構は、たとえば、移
動用モータ１３によってスパイラルシャフト１４を正転
／逆転させることにより、ステージ１５上に配設された
固定レール１６にそれぞれ沿って、円錐型ローラ１１ａ
および円錐型ローラ１１ｂを、半導体ウェーハの回転の
中心より遠ざかる方向または近付く方向に交互に移動で
きるようになっている。
動用モータ１３によってスパイラルシャフト１４を正転
／逆転させることにより、ステージ１５上に配設された
固定レール１６にそれぞれ沿って、円錐型ローラ１１ａ
および円錐型ローラ１１ｂを、半導体ウェーハの回転の
中心より遠ざかる方向または近付く方向に交互に移動で
きるようになっている。
【００３１】なお、供給装置としてのノズル１７は、ダ
ストなどの異物の除去効果を高めるために、洗浄時に、
半導体ウェーハの周辺部または円錐型ローラ１１ａ，１
１ｂのそれぞれに薬液もしくは純水を供給するためのも
ので、必要に応じて設けられるようになっている。
ストなどの異物の除去効果を高めるために、洗浄時に、
半導体ウェーハの周辺部または円錐型ローラ１１ａ，１
１ｂのそれぞれに薬液もしくは純水を供給するためのも
ので、必要に応じて設けられるようになっている。
【００３２】図２は、上記の円錐型ローラ１１ａ，１１
ｂによる半導体ウェーハＨＷの保持にかかる動作を概略
的に示すものである。なお、同図（ａ）は要部の斜視
図、同図（ｂ）は同じく平面図、同図（ｃ）は同じく側
面図である。
ｂによる半導体ウェーハＨＷの保持にかかる動作を概略
的に示すものである。なお、同図（ａ）は要部の斜視
図、同図（ｂ）は同じく平面図、同図（ｃ）は同じく側
面図である。
【００３３】たとえば、円錐型ローラ１１ａ，１１ｂの
すべてを各回転用モータ１２により右回転させることに
よって、上記半導体ウェーハＨＷは左回転し始める。こ
の場合、半導体ウェーハＨＷは、それぞれに隣り合う、
上に凸な形状を有する円錐型ローラ１１ａと下に凸な形
状を有する円錐型ローラ１１ｂとによって、あたかもΣ
状に形成される、互いの傾斜部分が立体的に交差する一
点により保持されるようになっている。
すべてを各回転用モータ１２により右回転させることに
よって、上記半導体ウェーハＨＷは左回転し始める。こ
の場合、半導体ウェーハＨＷは、それぞれに隣り合う、
上に凸な形状を有する円錐型ローラ１１ａと下に凸な形
状を有する円錐型ローラ１１ｂとによって、あたかもΣ
状に形成される、互いの傾斜部分が立体的に交差する一
点により保持されるようになっている。
【００３４】したがって、上下の位置がずれることもな
く、該半導体ウェーハＨＷは常に水平状態を保ったまま
で回転することが可能となっている。さて、このような
構成の洗浄部において、円錐型ローラ１１ａ，１１ｂを
それぞれ回転させたまま、たとえば、上記した移動機構
により、上に凸な形状を有する円錐型ローラ１１ａのそ
れぞれを、半導体ウェーハＨＷの回転の中心と各円錐型
ローラ１１ａの回転の中心とを結ぶ直線に沿って、半導
体ウェーハＨＷの回転の中心から次第に遠ざかる方向に
移動させると同時に、下に凸な形状を有する円錐型ロー
ラ１１ｂのそれぞれを、半導体ウェーハＨＷの回転の中
心と各円錐型ローラ１１ｂの回転の中心とを結ぶ直線に
沿って、半導体ウェーハＨＷの回転の中心に次第に近付
く方向に移動させる。
く、該半導体ウェーハＨＷは常に水平状態を保ったまま
で回転することが可能となっている。さて、このような
構成の洗浄部において、円錐型ローラ１１ａ，１１ｂを
それぞれ回転させたまま、たとえば、上記した移動機構
により、上に凸な形状を有する円錐型ローラ１１ａのそ
れぞれを、半導体ウェーハＨＷの回転の中心と各円錐型
ローラ１１ａの回転の中心とを結ぶ直線に沿って、半導
体ウェーハＨＷの回転の中心から次第に遠ざかる方向に
移動させると同時に、下に凸な形状を有する円錐型ロー
ラ１１ｂのそれぞれを、半導体ウェーハＨＷの回転の中
心と各円錐型ローラ１１ｂの回転の中心とを結ぶ直線に
沿って、半導体ウェーハＨＷの回転の中心に次第に近付
く方向に移動させる。
【００３５】このとき、上下にそれぞれ凸な形状を有す
る６個の円錐型ローラ１１ａ，１１ｂは形状が同一であ
り、その移動速度は、各移動用モータ１３による遠近そ
れぞれの方向に対する絶対速度が同一とされている。
る６個の円錐型ローラ１１ａ，１１ｂは形状が同一であ
り、その移動速度は、各移動用モータ１３による遠近そ
れぞれの方向に対する絶対速度が同一とされている。
【００３６】すると、たとえば図３に示すように、それ
ぞれに隣り合う、上に凸な形状を有する円錐型ローラ１
１ａと下に凸な形状を有する円錐型ローラ１１ｂとによ
って、あたかもΣ状に形成される、互いの傾斜部分が立
体的に交差する点が徐々に下方向にずれるのにともなっ
て、半導体ウェーハＨＷは、回転しながら各円錐型ロー
ラ１１ａ，１１ｂの傾斜部分に沿って元の位置（図２参
照）より下に移動される。
ぞれに隣り合う、上に凸な形状を有する円錐型ローラ１
１ａと下に凸な形状を有する円錐型ローラ１１ｂとによ
って、あたかもΣ状に形成される、互いの傾斜部分が立
体的に交差する点が徐々に下方向にずれるのにともなっ
て、半導体ウェーハＨＷは、回転しながら各円錐型ロー
ラ１１ａ，１１ｂの傾斜部分に沿って元の位置（図２参
照）より下に移動される。
【００３７】同様に、円錐型ローラ１１ａ，１１ｂをそ
れぞれ回転させたまま、たとえば、上記した移動機構に
より、上に凸な形状を有する円錐型ローラ１１ａのそれ
ぞれを、半導体ウェーハＨＷの回転の中心と各円錐型ロ
ーラ１１ａの回転の中心とを結ぶ直線に沿って、半導体
ウェーハＨＷの回転の中心に次第に近付く方向に移動さ
せると同時に、下に凸な形状を有する円錐型ローラ１１
ｂのそれぞれを、半導体ウェーハＨＷの回転の中心と各
円錐型ローラ１１ｂの回転の中心とを結ぶ直線に沿っ
て、半導体ウェーハＨＷの回転の中心より次第に遠ざか
る方向に移動させる。
れぞれ回転させたまま、たとえば、上記した移動機構に
より、上に凸な形状を有する円錐型ローラ１１ａのそれ
ぞれを、半導体ウェーハＨＷの回転の中心と各円錐型ロ
ーラ１１ａの回転の中心とを結ぶ直線に沿って、半導体
ウェーハＨＷの回転の中心に次第に近付く方向に移動さ
せると同時に、下に凸な形状を有する円錐型ローラ１１
ｂのそれぞれを、半導体ウェーハＨＷの回転の中心と各
円錐型ローラ１１ｂの回転の中心とを結ぶ直線に沿っ
て、半導体ウェーハＨＷの回転の中心より次第に遠ざか
る方向に移動させる。
【００３８】すると、たとえば図４に示すように、それ
ぞれに隣り合う、上に凸な形状を有する円錐型ローラ１
１ａと下に凸な形状を有する円錐型ローラ１１ｂとによ
って、あたかもΣ状に形成される、互いの傾斜部分が立
体的に交差する点が徐々に上方向にずれるのにともなっ
て、半導体ウェーハＨＷは、回転しながら各円錐型ロー
ラ１１ａ，１１ｂの傾斜部分に沿って元の位置（図２参
照）より上に移動される。
ぞれに隣り合う、上に凸な形状を有する円錐型ローラ１
１ａと下に凸な形状を有する円錐型ローラ１１ｂとによ
って、あたかもΣ状に形成される、互いの傾斜部分が立
体的に交差する点が徐々に上方向にずれるのにともなっ
て、半導体ウェーハＨＷは、回転しながら各円錐型ロー
ラ１１ａ，１１ｂの傾斜部分に沿って元の位置（図２参
照）より上に移動される。
【００３９】このように、上下にそれぞれ凸な形状を有
する６個の円錐型ローラ１１ａ，１１ｂを、交互に、半
導体ウェーハＨＷの回転の中心に対する遠近方向にそれ
ぞれ移動させることにより、半導体ウェーハＨＷは、各
円錐型ローラ１１ａ，１１ｂの傾斜部分に沿って上下に
繰り返し移動するようになっている。
する６個の円錐型ローラ１１ａ，１１ｂを、交互に、半
導体ウェーハＨＷの回転の中心に対する遠近方向にそれ
ぞれ移動させることにより、半導体ウェーハＨＷは、各
円錐型ローラ１１ａ，１１ｂの傾斜部分に沿って上下に
繰り返し移動するようになっている。
【００４０】図５は、円錐型ローラ１１ａ，１１ｂによ
ってそれぞれ保持された、半導体ウェーハＨＷの周辺部
分を拡大して示すものである。なお、同図（ａ）は半導
体ウェーハＨＷを下に移動させる場合（下に凸な形状を
有する円錐型ローラ１１ｂを半導体ウェーハＨＷに近付
く方向に移動させた場合）を例に、同図（ｂ）は半導体
ウェーハＨＷを上に移動させる場合（上に凸な形状を有
する円錐型ローラ１１ａを半導体ウェーハＨＷに近付く
方向に移動させた場合）を例に、それぞれ示すものであ
る。
ってそれぞれ保持された、半導体ウェーハＨＷの周辺部
分を拡大して示すものである。なお、同図（ａ）は半導
体ウェーハＨＷを下に移動させる場合（下に凸な形状を
有する円錐型ローラ１１ｂを半導体ウェーハＨＷに近付
く方向に移動させた場合）を例に、同図（ｂ）は半導体
ウェーハＨＷを上に移動させる場合（上に凸な形状を有
する円錐型ローラ１１ａを半導体ウェーハＨＷに近付く
方向に移動させた場合）を例に、それぞれ示すものであ
る。
【００４１】半導体ウェーハＨＷは、そのエッジ部分が
丸くなっており、たとえば、各円錐型ローラ１１ａ，１
１ｂに対して、該ローラ１１ａ，１１ｂの表面が少しく
ぼむ程度の、線分２１に等しい力で押さえ付けられる。
丸くなっており、たとえば、各円錐型ローラ１１ａ，１
１ｂに対して、該ローラ１１ａ，１１ｂの表面が少しく
ぼむ程度の、線分２１に等しい力で押さえ付けられる。
【００４２】この線分２１に等しい力は、半導体ウェー
ハＨＷを上または下に移動するように働く力の成分２２
と、丸みをおびたエッジ部分に押さえ付けるように垂直
に働く力の成分２３とに分解できる。
ハＨＷを上または下に移動するように働く力の成分２２
と、丸みをおびたエッジ部分に押さえ付けるように垂直
に働く力の成分２３とに分解できる。
【００４３】これらの力の各成分２２，２３が、半導体
ウェーハＨＷのエッジ部分に対してそれぞれ働くことに
より、半導体ウェーハＨＷが上下に移動する際に、その
エッジ部分と各円錐型ローラ１１ａ，１１ｂの傾斜部分
との間に強い摩擦力が生じる。
ウェーハＨＷのエッジ部分に対してそれぞれ働くことに
より、半導体ウェーハＨＷが上下に移動する際に、その
エッジ部分と各円錐型ローラ１１ａ，１１ｂの傾斜部分
との間に強い摩擦力が生じる。
【００４４】この強い摩擦力により、エッジ部分に付着
するダストなどの異物を十分に除去することが可能とな
るため、半導体ウェーハＨＷのエッジ部分を効果的に洗
浄できるようになるものである。
するダストなどの異物を十分に除去することが可能とな
るため、半導体ウェーハＨＷのエッジ部分を効果的に洗
浄できるようになるものである。
【００４５】しかも、各円錐型ローラ１１ａ，１１ｂの
傾斜部分のほぼ全面積を使っての異物の除去が可能とな
るため、単位面積あたりのローラ１１ａ，１１ｂの汚れ
を少なくでき、該ローラ１１ａ，１１ｂの交換の頻度を
抑えることができる。
傾斜部分のほぼ全面積を使っての異物の除去が可能とな
るため、単位面積あたりのローラ１１ａ，１１ｂの汚れ
を少なくでき、該ローラ１１ａ，１１ｂの交換の頻度を
抑えることができる。
【００４６】上記したように、半導体ウェーハを保持す
ると同時に、半導体ウェーハのエッジ部分に対して強い
摩擦力を加えることができるようにしている。すなわ
ち、半導体ウェーハのエッジ部分を、交互に配置され
た、上に凸な形状を有する３個の円錐型ローラおよび下
に凸な形状を有する３個の円錐型ローラの、各傾斜部分
によってそれぞれ保持するとともに、各ローラの傾斜部
分に沿って該半導体ウェーハを上下に移動させるように
している。これにより、半導体ウェーハの丸みをおびて
いるエッジ部分に強い摩擦力が働くようになるため、エ
ッジ部分に付着した異物を簡単に除去することが可能と
なる。したがって、異物を十分に除去でき、エッジ部分
の洗浄をより効果的に行えるようになるものである。
ると同時に、半導体ウェーハのエッジ部分に対して強い
摩擦力を加えることができるようにしている。すなわ
ち、半導体ウェーハのエッジ部分を、交互に配置され
た、上に凸な形状を有する３個の円錐型ローラおよび下
に凸な形状を有する３個の円錐型ローラの、各傾斜部分
によってそれぞれ保持するとともに、各ローラの傾斜部
分に沿って該半導体ウェーハを上下に移動させるように
している。これにより、半導体ウェーハの丸みをおびて
いるエッジ部分に強い摩擦力が働くようになるため、エ
ッジ部分に付着した異物を簡単に除去することが可能と
なる。したがって、異物を十分に除去でき、エッジ部分
の洗浄をより効果的に行えるようになるものである。
【００４７】しかも、半導体ウェーハを上下に移動させ
ることによって、円錐型ローラの傾斜部分を広く使うこ
とができるため、移動させない方式に比べ、単位面積あ
たりのローラの汚れを少なくでき、ローラの交換の頻度
を抑えることが可能となる。
ることによって、円錐型ローラの傾斜部分を広く使うこ
とができるため、移動させない方式に比べ、単位面積あ
たりのローラの汚れを少なくでき、ローラの交換の頻度
を抑えることが可能となる。
【００４８】なお、上記した本発明の実施の一形態にお
いては、６個の円錐型ローラを等間隔に配置することに
よって半導体ウェーハを保持するようにした場合につい
て説明したが、これに限らず、たとえば円錐型ローラは
４個以上であれば良く、また、特に等間隔に配置する必
要もなく、半導体ウェーハを水平に保持できる構成であ
れば良い。
いては、６個の円錐型ローラを等間隔に配置することに
よって半導体ウェーハを保持するようにした場合につい
て説明したが、これに限らず、たとえば円錐型ローラは
４個以上であれば良く、また、特に等間隔に配置する必
要もなく、半導体ウェーハを水平に保持できる構成であ
れば良い。
【００４９】また、円錐型ローラとしては、たとえば図
６に示すように、ローラ１１ａ，１１ｂの上下に半導体
ウェーハＨＷの移動を制御するようなストッパ部３１を
備えて構成するようにしても良い。この場合、エッジ部
分のみでなく、半導体ウェーハＨＷの周辺部分も同時に
洗浄することが可能となる。
６に示すように、ローラ１１ａ，１１ｂの上下に半導体
ウェーハＨＷの移動を制御するようなストッパ部３１を
備えて構成するようにしても良い。この場合、エッジ部
分のみでなく、半導体ウェーハＨＷの周辺部分も同時に
洗浄することが可能となる。
【００５０】また、半導体ウェーハを上下に移動させる
際に、その移動量に応じて、円錐型ローラの位置を移動
させることにより、半導体ウェーハの高さ位置を一定に
維持できるように構成することも可能である。
際に、その移動量に応じて、円錐型ローラの位置を移動
させることにより、半導体ウェーハの高さ位置を一定に
維持できるように構成することも可能である。
【００５１】図７は、半導体ウェーハの高さ位置を一定
に維持できるように構成された、洗浄部の例を示すもの
である。たとえば、ステージ１５を昇降機構４１によっ
て昇降動作可能に構成し、半導体ウェーハＨＷの下への
移動にともなって円錐型ローラ１１ａ，１１ｂのそれぞ
れを同時に上昇させ、もしくは、半導体ウェーハＨＷの
上への移動にともなって円錐型ローラ１１ａ，１１ｂの
それぞれを同時に下降させることにより、半導体ウェー
ハＨＷの位置を常に同じ高さに保つことが可能となる。
に維持できるように構成された、洗浄部の例を示すもの
である。たとえば、ステージ１５を昇降機構４１によっ
て昇降動作可能に構成し、半導体ウェーハＨＷの下への
移動にともなって円錐型ローラ１１ａ，１１ｂのそれぞ
れを同時に上昇させ、もしくは、半導体ウェーハＨＷの
上への移動にともなって円錐型ローラ１１ａ，１１ｂの
それぞれを同時に下降させることにより、半導体ウェー
ハＨＷの位置を常に同じ高さに保つことが可能となる。
【００５２】このような機能を設けることにより、たと
えば、ウェーハ洗浄機構（ここでは、従来の洗浄ブラシ
１を例に示している）５１と容易に組み合わせることが
可能となる。このため、半導体ウェーハＨＷのエッジ部
分や周辺部分を洗浄する場合に限らず、該ウェーハ面上
（表面もしくは裏面）をも効果的に洗浄できるようにな
る。その他、この発明の要旨を変えない範囲において、
種々変形実施可能なことは勿論である。
えば、ウェーハ洗浄機構（ここでは、従来の洗浄ブラシ
１を例に示している）５１と容易に組み合わせることが
可能となる。このため、半導体ウェーハＨＷのエッジ部
分や周辺部分を洗浄する場合に限らず、該ウェーハ面上
（表面もしくは裏面）をも効果的に洗浄できるようにな
る。その他、この発明の要旨を変えない範囲において、
種々変形実施可能なことは勿論である。
【００５３】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、半導体基板の外周部に付着した異物を十分に除去で
き、半導体基板の外周部を効果的に洗浄することが可能
な半導体処理装置を提供できる。
ば、半導体基板の外周部に付着した異物を十分に除去で
き、半導体基板の外周部を効果的に洗浄することが可能
な半導体処理装置を提供できる。
【図１】この発明の実施の一形態にかかる、枚葉式洗浄
装置の洗浄部を示す概略構成図。
装置の洗浄部を示す概略構成図。
【図２】同じく、半導体ウェーハの保持にかかる動作を
示す洗浄部の概略図。
示す洗浄部の概略図。
【図３】同じく、半導体ウェーハの下への移動にかかる
動作を示す洗浄部の概略図。
動作を示す洗浄部の概略図。
【図４】同じく、半導体ウェーハの上への移動にかかる
動作を示す洗浄部の概略図。
動作を示す洗浄部の概略図。
【図５】同じく、円錐型ローラによって保持された半導
体ウェーハの周辺部分を拡大して示す概略断面図。
体ウェーハの周辺部分を拡大して示す概略断面図。
【図６】円錐型ローラの他の構成例を示す概略断面図。
【図７】この発明の実施の他の形態にかかる、枚葉式洗
浄装置の洗浄部を示す概略構成図。
浄装置の洗浄部を示す概略構成図。
【図８】従来技術とその問題点を説明するために、ウェ
ーハ洗浄機構の一構成例を示す概略図。
ーハ洗浄機構の一構成例を示す概略図。
【図９】同じく、従来のウェーハ洗浄機構の他の構成例
を示す概略図。
を示す概略図。
【図１０】同じく、従来のウェーハ洗浄機構の別の構成
例を示す概略図。
例を示す概略図。
【図１１】同じく、従来のウェーハ保持機構の一構成例
を示す概略図。
を示す概略図。
【図１２】同じく、従来のウェーハ保持機構の他の構成
例を示す概略図。
例を示す概略図。
【図１３】同じく、従来のウェーハ保持機構の別の構成
例を示す概略図。
例を示す概略図。
【図１４】同じく、従来の半導体ウェーハの周辺部分に
おける洗浄の方法を説明するために示す概略断面図。
おける洗浄の方法を説明するために示す概略断面図。
１１ａ，１１ｂ…円錐型ローラ １２…回転用モータ １３…移動用モータ １４…スパイラルシャフト １５…ステージ １６…固定レール １７…ノズル ３１…ストッパ部 ４１…昇降機構 ５１…ウェーハ洗浄機構
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板の外周に沿って少なくとも４
個の円錐型ローラが上下を逆にして交互に配置され、該
ローラの傾斜部分にて前記半導体基板を水平に保持する
保持機構と、 この保持機構によって保持された前記半導体基板を回転
させるために、前記円錐型ローラのそれぞれを回転する
回転機構と、 前記円錐型ローラのそれぞれを、前記半導体基板の中心
に対する遠近方向に移動させ、前記保持機構により保持
された前記半導体基板を各ローラの傾斜部分に沿って上
下に移動させるための移動機構とを具備したことを特徴
とする半導体処理装置。 - 【請求項２】 前記半導体基板は、その外周部が、該基
板の厚さ方向に対して丸く形成されていることを特徴と
する請求項１に記載の半導体処理装置。 - 【請求項３】 前記円錐型ローラのそれぞれは、前記半
導体基板の外周部を洗浄するためのブラシ効果を有して
なることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理装
置。 - 【請求項４】 前記半導体基板または前記円錐型ローラ
のそれぞれに薬液もしくは純水を供給するための供給機
構をさらに有して構成されることを特徴とする請求項１
に記載の半導体処理装置。 - 【請求項５】 前記円錐型ローラのそれぞれを昇降動作
させ、前記半導体基板の高さを一定に保つための昇降機
構をさらに有して構成されることを特徴とする請求項１
に記載の半導体処理装置。 - 【請求項６】 前記半導体基板の基板面を洗浄するため
の洗浄機構をさらに有して構成されることを特徴とする
請求項１に記載の半導体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6447597A JPH10261605A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6447597A JPH10261605A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261605A true JPH10261605A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13259301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6447597A Pending JPH10261605A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10261605A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273611A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Sony Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2007273608A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2007273610A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Sony Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2007273609A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2011069624A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 表面検査装置およびその方法 |
| US7979942B2 (en) | 2006-03-30 | 2011-07-19 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
| US8020240B2 (en) | 2006-03-30 | 2011-09-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus |
| JP2011211246A (ja) * | 2011-07-28 | 2011-10-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US8980655B2 (en) | 2013-08-08 | 2015-03-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Test apparatus and test method |
| JP2021064701A (ja) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
-
1997
- 1997-03-18 JP JP6447597A patent/JPH10261605A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273611A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Sony Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2007273608A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2007273610A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Sony Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2007273609A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US7979942B2 (en) | 2006-03-30 | 2011-07-19 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
| US8020240B2 (en) | 2006-03-30 | 2011-09-20 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus |
| JP2011069624A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 表面検査装置およびその方法 |
| JP2011211246A (ja) * | 2011-07-28 | 2011-10-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US8980655B2 (en) | 2013-08-08 | 2015-03-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Test apparatus and test method |
| JP2021064701A (ja) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
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