JP4003837B2 - トレッドを備えたローラおよびそれを含むシステム - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウエハ処理に関し、より詳細には半導体ウエハの洗浄プロセスに関する。
発明の背景
半導体デバイスの製造では、半導体ウエハの表面を清浄してウエハの異物を除去しなければならない。除去されない場合、ウエハ異物がデバイスの性能特性に影響を与え、通常より早くデバイス障害を生じさせる可能性がある。
ウエハ異物を除去するために使用される1つのシステムは、一般にスクラバ洗浄装置と呼ばれる。少なくとも1つのタイプのスクラバ洗浄装置では、ブラシによって半導体ウエハが両面同時に擦られて洗浄される。ウエハがブラシによって両面同時に擦られている間、ウエハは所定の位置に保持され、ウエハの表面全体が洗浄されるように回転される。このためにローラが使用される。
スクラバ洗浄装置は通常、コンベヤ型機構と、ローラと、ブラシとを含む。一般に、ウエハはコンベヤ機構上に平らに置かれ、コンベヤ機構がウエハをブラシの中に移動させる。スクラバ洗浄中、ウエハはコンベヤ機構、ブラシ、ローラ、またはそれらの組合せによって支持(または水平に保持)される。1つの従来技術型のスクラバ洗浄装置では、ウエハがブラシによって擦られるとき、ウエハ表面全体を洗浄することができるようにローラがウエハを回転させる。ローラ自体は、モータによってその中心軸を中心に回転する。ローラの縁部がウエハの外縁部に接触すると、ローラの回転運動がウエハに伝えられる。
第1図に、従来技術のローラを示す。第1図を参照すると、ローラ100の上表面110と下表面120はほぼ平坦であり、ローラ100の外縁130はわずかに凹面状にくぼんでいる(凹面外縁部)。第1図に示すように、ローラ100の凹面外縁部はウエハ150の外縁部に接触する。ローラ100とウエハ150が互いに接触すると、両方の縁部間に摩擦が生じ、その結果、ローラ100の回転によってウエハ150が回転する。第1図に示すように、ウエハ150とローラ100とは本質的に一点接触である。
この従来技術のローラの1つの問題点は、ローラ/ウエハ接触点が不十分なために、ウエハがなかなか回転しない、すなわち回転し損なうことである。スクラバ洗浄操作中にウエハが回転し損なった場合、ウエハに擦られない部分が生じ、それによってウエハが所望の水準まで洗浄されなくなる。発生する可能性のあるもう1つの問題は、システムが平板を次の操作のための所定位置まで回転させるのにローラに依存する場合、ウエハ平板が誤った場所に配置される可能性があることである。たとえば、スクラバ洗浄操作の後、ウエハは次に、その縁部によって支持されるスピン乾燥操作に進む。その場合、ウエハ平板の配置誤りがあった場合、ウエハが正しく保持されないことがある。
第2図に、不十分な接触を補償する他の従来技術のローラを示す。第2図を参照すると、ローラ200は、ほぼ平坦な上面および下面(201、202)と、わずかにくぼんだ部分203および204と、内溝(溝)210とを含む。ウエハ250などのウエハは、ブラシ間で洗浄されているとき、前方に押され、溝210がウエハ250を挟む点までローラ200の溝210の中へ挿入され、それによって接触が強化され、したがって、ローラ200とウエハ250の縁部との間の摩擦が大きくなる。したがって、ローラ200を回転させると、摩擦によってウエハ250が回転する。
しかし、従来技術のローラはウエハを挟む機構は備えているが、それでも、洗浄プロセスで水酸化アンモニウム(NH4OH)などの洗浄溶液および/または水を使用した場合、ウエハとローラの間のすべりが生じる。NH4OHまたはその他の洗浄溶液は、ウエハの外縁部とローラの外縁部との間の潤滑剤として作用し、それによって、接触時に両縁部間の摩擦が小さくなり、すべりを起こす。洗浄プロセスで溶液を使用した場合にウエハとローラとの間に発生する可能性のあるすべりを減らすことが望ましい。
トレッドがあれば、ウエハとローラとの間の接触をよくすることができ、溝を通して液体を排出することができる。(これは、液体の流れと同じくらい重要である。)
ウエハの両面を同時にスクラバ洗浄するときに起こるもう1つの問題は、ブラシとウエハとの間の接触点が垂直方向に位置合わせされない場合があることである。スクラバ洗浄プロセス中、ブラシが当てられることによってウエハの接触点に圧力が加えられる。これらの接触点が垂直方向に位置合わせされない場合、一方または両方のブラシによってウエハに加えられる圧力により、ウエハがその水平位置から傾く可能性がある。このウエハの傾斜によって、ウエハがローラから外れ、ローラを越えて飛び出すことさえある。スクラバ洗浄プロセス中に、ブラシとウエハとの間の接触点が垂直に位置合わせされない場合、ウエハとローラとの接触を維持することが望ましい。
特に洗浄溶液を使用する場合に、すべりを少なくするかまったくなくしてスクラバ洗浄装置内でウエハを回転させる方法および装置が必要である。
発明の概要
本発明では、隣接している第1および第2の側面部分を有し、その間に溝を備えるローラについて記載する。溝と、少なくとも一方の側面部分の外縁部との間に延びるトレッドを使用して、溶液を溝から排出する。
一実施態様では、ローラは基板と接触する溝と、その溝から溶液を排出する1つまたは複数のトレッドとを有し、それによって基板とローラとの間の接触が向上し、基板への回転運動の伝達が容易になるように保証される。
一実施態様では、両方の側面部分は、溝から外縁部に向かって直径が大きくなる中心軸を中心にした円錐形である。一方の側面部分の外縁部は、他方の側面部分の外縁部よりも直径が大きい。
本発明のその他の特徴および利点は、以下の詳細な説明、図面、および請求項を参照すれば明らかになろう。
【図面の簡単な説明】
本発明は、以下の詳細な説明と本発明の様々な実施形態を示す添付図面を参照すればよりよく理解できよう。しかし、これらは本発明をこれらの特定の実施形態に限定するものとみなすべきではなく、説明と理解のために示すにすぎない。
第1図は、従来技術のローラを示す側断面図である。
第2図は、他の従来技術のローラを示す側断面図である。
第3A図は、本発明のローラの一実施形態を示す側断面図である。
第3B図は、本発明のローラの一実施形態を示す図である。
第4A図は、本発明のローラの他の実施形態を示す側断面図である。
第4B図は、ローラの一側面上に延長部分を有する本発明のローラの一実施形態を示す図である。
第5A図は、ローラの1つに組み込まれた本発明のサイド・ブラシ機構の一実施形態を示す図である。
第5B図は、ローラ位置決め装置の一実施形態を示す図である。
第6図は、本発明の両面スクラバ洗浄システムの一実施形態を示す図である。
詳細な説明
処理システムで使用するローラを開示する。以下の説明では、本発明を十分に理解できるように、特定の材料、構成、寸法など多くの特定の詳細を記載する。しかし、当業者なら、本発明を実施するのにこれらの特定の詳細を使用する必要はないことがわかるであろう。他の場合には、本発明が不明瞭にならないように、周知の材料または方法については詳述していない。
第3A図に、本発明のローラの一実施形態を示す。第3A図を参照すると、ローラ300は、隣接している側面部分と、溝303で交わる上部301と下部302とを含む。上部301は、下部302と対称にすることができる。その場合、溝303はローラ300の中央にある。他の実施形態では、溝303はローラ300の中央にはなく、上部301と下部302は対称ではない。一実施形態では、溝303は基板の縁部の厚さとほぼ等しい開口部を有する。ローラ300は中心軸を中心に回転すると、基板と溝303との間の接触点を介して基板に回転運動を伝える。
溝303からローラ300の上部301および下部302の外縁部までトレッド304が延びている。このトレッドは、ローラの縁部との接触も向上させることができる。ローラが基板の縁部をつかむように溝とトレッドによってローラはたわむことができる。トレッド304は、溝303から溶液を排出するように機能する。「溶液」という用語は包括的な意味で用い、あらゆるタイプの液体、流体、潤滑剤、またはその他の非固体、非気体物質を含む。このような溶液は、一般に、基板および/またはローラ300の一部の洗浄溶液として使用することができる。ローラ300が回転すると、溝303における基板とローラ300との間の接触点が基板に回転運動を伝える。回転中、溝303内の溶液が溝303からローラ300の外縁部に排出され、そこから溶液が飛び散らされる。本発明は、操作中にこれらの溶液を溝300から排出することによって、ローラ300と基板との間の接触を向上させる。
一実施形態では、各トレッドの幅はその深さと同じである。また、一実施形態では、各トレッドの幅はローラの上部から下部までほぼ一定である。一般に、できるだけ多くのトレッドがある方が有利である。しかし、トレッド間の間隔をどの程度にするかは材料および製造プロセスによって決まる。たとえばローラが成形物である場合、トレッドの数を減らす必要がある。また、気泡の存在によってもトレッドの数が制限される。
ローラ300は、可撓性材料を含む。一般に、ローラの材料は本明細書に記載のようにローラがウエハの縁部を挟むのに十分な柔らかさを有する必要がある。一実施形態では、ローラは成形される。成形プロセスのタイプは、注入成形、射出成形、または加圧成形とすることができる。したがって、本発明のローラは機械加工することができる。しかし、材料は、使用中に過度の粒子を生じさせてはならない。さらに、材料はその形状を保持するのに十分な復原力がなければならない。一実施形態では、ウレタン、たとえば70デュロメータの未加工ウレタンを使用する。この材料は、本発明の必要を満たすのに十分な柔らかさ、復原力、および低粒子発生率を有することがわかっている。一実施形態では、材料は流し込みプラスチックを含むことができる。一実施形態では、HF、NH4OH、DIなどの溶液を保持する任意の材料を使用することができる。
第3B図に、本発明のローラの一実施形態を示す。第3B図を参照すると、このローラは4.0インチ(100mm)、5.0インチ(125mm)、6.0インチ(150mm)、および8.0インチ(200mm)のウエハと共に使用することができる。ローラの厚さ(347)は、約0.433インチ(11mm)であり、長さ(345)は約1.625インチ(40mm)である。上部および下部の面厚さ(346)は両方とも0.062インチ(1.6mm)である。ローラの直径が溝と表面厚さとの間に延びる角度(344)は15度である。
一実施形態では、溝の外側に開いている部分における厚さは約0.005〜0.040インチ(0.13〜1.02mm)の範囲であり、一般にはウエハの厚さにほぼ等しい(たとえばその25%以内)。たとえば、一実施形態では、溝の厚さ350はウエハの厚さより約0.005(0.13mm)インチ大きくなるように調整される。第3B図で、寸法349で示す溝の中心から溝の縁までの距離は、0.020インチ(0.51mm)である。第3B図で、溝の曲率半径(348)は約0.005インチ(0.13mm)である。溝の側面の傾斜角度350は約20度である。
ローラは、直径(340)0.54インチ(13.7mm)の貫通穴を含む。各トレッドの曲率半径(343)は0.005インチ(0.13mm)で、幅(341)は0.088インチ(2.24mm)、角度(342)は40度である。
一実施形態では、溝はウエハを挟むかまたはウエハの縁部とある程度同じ形になる。ウエハの上表面または下表面では溝はウエハを挟まない。ウエハの縁部が溝に入るとき溝の狭い部分で縁部が溝と接触し、ウエハの表面は溝の広い部分の近くかその中にあり、接触がさけられるので、V字形の溝が有利である。V字形の溝を例示したが、U字形の溝、ほぼ正方形の溝、湾曲した壁を持つ溝など他の形状も使用可能であることがわかるであろう。
ローラの上記の各寸法は、単に本発明の一実施形態の一例に過ぎず、単に本発明を例示するためのものであり、限定するものではない。当業者なら、これらの寸法のいずれも、ウエハの直径および厚さに応じて異なることができ、本発明の目的にかなうように調整可能であることがわかるであろう。
本発明のローラは、複数の処理ステーションのある基板処理システムに組み込むことができる。たとえば、基板処理システムは、基板を洗浄するための1つまたは複数のブラシ・ステーションを有する基板スクラバ洗浄システムを含むことができる。濡れたウエハを両面スクラバ洗浄装置内のブラシの間で洗浄する場合、ウエハが前方に押され、ローラ300の溝303に挿入され、それによって溝303が基板を挟んで接触が強化され、従ってローラ300と基板の縁部の摩擦が大きくなる。したがって、ローラ300を回転させると、摩擦によって基板が回転する。水酸化アンモニウム(NH4OH)の洗浄溶液、水などを使用した場合、ローラ300のトレッド304が溶液を排出させ、それによってローラ300と基板との間の摩擦が大きくなり、その結果、基板のすべりが少なくなるかまたはまったくなくなる。
本発明を、ウエハのスクラバ洗浄に関連して説明するが、本発明によって任意の類似の形状、すなわちほぼ平坦な基板を処理することができることがわかるであろう。さらに、ウエハまたは基板への言及には、ドープされているか否かを問わず、ベアまたは純粋な半導体基板、エピタキシャル層を有する半導体基板、処理の任意の段階で1つまたは複数のデバイス層を組み込む半導体基板、セミコンダクタ・オン・インシュレータ(SOI)デバイスを有する基板などの1つまたは複数の半導体層を組み込んだ他のタイプの基板、またはフラット・パネル・ディスプレイ、マルチチップ・モジュールなど他の装置およびデバイスを処理する基板を含めることができることがわかるであろう。
第4A図に、本発明のローラの他の実施形態を示す。第4A図を参照すると、ローラ400はローラ3(第3図)ときわめてよく類似しているが、ローラ400の上部401(または下部402)が下部402(または上部401)より広がっている点が異なる。言い換えると、上部401と下部402の両方の円錐形の部分の直径が溝403から上部401および下部402の外縁部に向かって大きくなっているが、上部401における円錐状部分の直径は下部402における直径よりも大きい。ローラ400の少なくとも一部、すなわち上部401および/または下部402のサイズを大きくすることによって、2つのブラシによって基板に加えられる圧力が垂直方向に位置合わせされていない場合にこの延長部分をローラ400と基板との間の接触を維持するために使用することができる。一実施形態では、上部401と下部402の両方を延ばして基板がローラ400の内部領域に接触し続けて外れないように保証される。
延長部分を有する上部401の高さは下部402の高さの約2倍とすることができる。一実施形態では、ローラ全体の高さが0.649インチ(16.5mm)で、下部402は0.216インチ(5.5mm)で、延長部分を有する上部201は約0.433インチ(11.0mm)である。
第4A図に示すように延長部分の角度φは上部401と同じとすることができる。一実施形態では、この角度φは15度である。他の実施形態では、延長部分の角度φは、上部の角度と同じではない。たとえば、延長部分の角度φは中心線と上部401との間の角度φよりも小さくすることができる。
トレッド404に関しては、延長部分内および/または延長部分を貫通して続くこともでき、延長部分が始まる箇所で終わることもできる。一実施形態では、延長部分内により少数の長いトレッド/チャネルが形成され、液体の除去を促進する。
第4B図に、延長部分を有するローラの一実施形態を示す。第4B図を参照すると、このローラは、4.0インチ(100mm)、5.0インチ(125mm)、60インチ(150mm)、および8.0インチ(200mm)のウエハと共に使用することができる。ローラの厚さは約0.634インチ(16mm)であり、溝の中央からローラの下部までの長さ(451)は0.217インチ(5.51mm)、ローラの上部までの長さ(463)は0.417インチ(10.6mm)である。溝の中央からローラの上部の表面厚みの始まりまでの長さ(456)は0.355インチ(9.02mm)、溝の中央から下部の表面厚みまでの長さ(457)は約0.154インチ(3.9mm)である。中心から1つの側面の縁部までの長さ(451)は約0.813インチ(20.7mm)である。中心から各トレッドの最深部までの長さ(452)は約0.703インチ(17.9mm)である。上部および下部の直径が延びる角度(454、455)は約15度である。
溝の寸法は第3B図のものと同じである。しかし、溝の中心と半径(459)の中心の間の距離(458)は0.255インチ(6.5mm)であり、半径(459)は0.10インチ(2.5mm)である。トレッドの寸法も第3B図のものと同じである。ローラの上部に深さ0.20インチ(5.1mm)のもう1つの1.0インチ(25.4mm)幅の穴(460)がある。
ローラの粒子除去の強化および/または駆動摩擦の増大のために、本発明のローラは基板の縁部に沿って洗浄を行うパッドを溝内に含ませることができる。本発明が不明瞭にならないように、このようなパッドは図示していないことに留意されたい。このパッドは、研磨材(たとえばナイロン、PVA、ポリウレタンなど)製とすることができる。一実施形態では、パッドは米国デラウェア州ニューアークのRodel製のSubalVパッドを含む。IC1000、suba500、politex(すべてRodel製)などの他の研磨パッドも使用可能である。パッドは、洗浄効果の向上および/または最大化のために、異なる厚さおよび表面材質のものとすることができる。また、パッドは、たとえばウエハに上部および下部ブラシによって洗浄することができない傾斜領域がない縁部からのみ粒子を除去する形状とすることもできる。パッドと、基板の縁部/傾斜領域の洗浄におけるその使用の詳細については、本発明の共通譲渡人にその一部が譲渡された、1996年5月1日出願の「Method and Apparatus for Cleaning Edges of Contaminated Substrates」という名称の米国特許出願第08/640459号を参照されたい。
第5A図に、スクラバ洗浄システムのブラシ・ステーションの一実施形態を示す。本発明が不明瞭にならないように、ブラシ・ステーションのうち本発明の開示に直接関係のある部分のみが図示されていることに留意されたい。第5A図を参照すると、両面スクラバ洗浄装置のブラシ520の間にウエハ510が配置されている。モータ540が本発明のローラ530を回転させる。ローラ530がウエハ510と接触すると、それらの縁部の間に摩擦が生じる。したがって、ローラ530および531の回転と生じた摩擦とによって、ウエハ510が回転する。ウエハ510がブラシ520間で回転することによって、ウエハの表面全体の洗浄が可能になる。2つのローラ530および531は、ウエハがスクラバ洗浄されるときに、2カ所でウエハと接触してウエハを回転させ、ウエハを所定位置に保持する(すなわち前進運動を防止する)。
ローラ530および531は、スイング・アームによって位置決めされ、スイング・アームは回転すると、ローラをウエハに向かう方向またはウエハから離れる方向に弧状に移動させる。
水噴射機構を使用して、第5A図に示すように、ローラ530および531とウエハとの間の接触点の箇所またはその付近に水を送る。このような水噴射機構は、水の方向が、ウエハの回転軸およびウエハとローラとの接触点とに位置合わせされた平板から流れるように配置することができる。このような場合、水は、洗浄プロセスによってウエハから除去された粒子を単に運び去るだけであるか、または圧力が十分な場合、それだけで粒子を除去することもできる。水噴射機構は、当技術分野で周知の支持構造体によって所定の位置に保持されることに留意されたい。一実施形態では、水噴射機構はウエハの上方の位置に保持される。このような噴射機構は、生じる流れの速度を増すための先端を細くしたバーブ・カプリングのような単純なものとすることができる。一実施形態では、バーブ・カプリングの口径は1/8インチ〜1/16インチである。他の実施形態では、噴射機構は扇型のナイフ・エッジ・パターンを生じさせるノズルを含む。水噴射機構は当技術分野で周知である。また、水の代わりに他の化学薬品を噴霧する噴射機構も使用可能であることに留意されたい。
第5B図に、スクラバ洗浄システムにおいてローラを動かす他の実施形態を示す。本発明が不明瞭にならないように、ブラシ・ステーションのうちの本発明の開示に直接関係のある部分のみが図示されていることに留意されたい。第5B図を参照すると、2つの異なる位置(A、B)にある2つのローラ561および562が図示されている。位置Aは収容位置にあり、位置Bは4インチ・ウエハ位置にある。一実施形態では、ローラ561および562は4、5、6、8、および12インチのウエハに対応するように位置決めすることができる。
各ローラ561および562はそれぞれローラ支持構造体571および572に結合され、各ローラ支持構造体は2本の軸563および566に結合されている。一実施形態では、各支持構造体は以下に述べる牽引機構を含む。各支持構造体571および572は、それぞれのローラに結合され、2つの軸取付機構(軸取付機構581、582、583、584)に回転可能に結合された、内部部材または軸を含む。
軸563は、中央で結合された二重螺旋親軸を形成する右回りにねじ切りされた軸563Aと左回りにねじ切りされた軸563Bとを含む。軸563は、軸563を回転させるモータ・カプリング564を介してモータ565に結合されている。軸取付機構581および583は、それぞれ軸563Aおよび563Bのねじ山に回転可能に結合するねじ山を備える。したがって、本発明は、左右のねじ山を持つねじ切り駆動ロッドを使用してローラを所定位置まで移動させるようになっている。
軸取付機構582および584において各ローラ561および562の下端に軸566が結合され、軸取付機構582および584は軸受の使用により軸566に沿ってスライドする。一実施形態では、軸563は丸形軸であり、軸566は角形軸である。
軸563が回転すると、ローラ561および562を含む支持構造体571および572が軸563に沿って移動し、ウエハに対してローラ561および562の位置合わせを維持する線形ガイドとして機能する軸566に沿ってスライドする。一実施形態では、二重螺旋親ねじを時計回りに回転させることによって、支持構造体571および572とそれに付随するローラが互いに遠ざかる。親ねじを反時計回りに回転させると、支持構造体とそれに付随するローラは互いに近づく。
軸566はウエハに対してローラ561および566の位置合わせを維持するが、軸566はモータ577およびモータ・カプリング574を介して回転し、回転運動をローラに伝える。ローラがウエハと接触すると、それらの縁部間に摩擦が生じる。ローラの回転運動と生じた摩擦とによって、ウエハが回転する。ブラシ間でのこのウエハの回転によって、ウエハの表面全体の洗浄が可能になる。2つのローラは2カ所でウエハと接触し、ウエハがスクラバ洗浄されるときに、ウエハを回転させ、所定の位置に保持する(すなわち前進運動を防止する)。一実施形態では、軸取付機構582および584は、軸566とローラ561および562との間に結合されてその回転運動を伝える1組のかさ歯車を含む。
軸566の一部は軸受を使用してローラ支持構造体に結合され、その軸受は軸566が回転しているときに支持構造体が軸566に沿ってスライドできるようにすることに留意されたい。
このローラ位置決め機構の詳細については、 年 月 日に本出願と同時に出願され、本発明の共通譲渡人に譲渡された「Roller Positioning Mechanism」という名称の同時係属米国特許出願第 号を参照されたい。
スクラバ洗浄装置の例
第6図に、本発明の一実施形態によって使用することができる両面ウエハ・スクラバ洗浄装置(スクラバ洗浄装置)の概念図を示す。このスクラバ洗浄装置は、いくつかのステーションを有する。これらのステーションはそれぞれ、ウエハ洗浄プロセス中の1つまたは複数のステップを論理的に表す。これらのステーションは、洗浄プロセス中のステップの1つを含むハードウェアおよびソフトウェアも含むことができる。洗浄プロセスは、ウエハに対してスクラバ洗浄装置によって行われるステップを含む。一実施形態では、スクラバ洗浄装置は、一時点で各ステーションにおいて1つまたは複数のウエハを処理して、同時に複数のウエハを処理することができる。
スクラバ洗浄装置の一方の端から汚れたウエハが装填され、スクラバ洗浄装置の他方の端から清浄なウエハが取り出される。
装填ステーション610(取入れステーションとも呼ぶ)で、操作者がカセット680をスクラバ洗浄装置に装填する。カセット680にはいくつかの汚れたウエハが入っている。ウエハは装填ステーション610から搬送ベルト1 615で自動的にブラシ1ステーション620に移動される。搬送ベルト1 615は、直流モータ693によって駆動される。ウエハ601は、カセット680から自動的に取り出されて搬送ベルト1 615上に置かれる汚れたウエハを示す。
ブラシ1ステーション620で、汚れたウエハ602がブラシングされ、スプレー洗浄(図示されていない水噴射)され、汚れたウエハ602から粒子の一部を除去する。ブラシ621は汚れたウエハ602の両面を擦る。上部ブラシの高さは、ステップ・モータ(図示せず)によって制御される。ローラ690が汚れたウエハ602を回転させる。一度ブラシングされたウエハは、次に自動的にブラシ2ステーション630に移動される。これは、第2の直流モータ(図示せず)によって制御された搬送ベルト2 616によって行われる。
ブラシ2ステーション630で、一度ブラシングされたウエハ603がブラシングおよびスプレー洗浄(図示されていない水噴射)され、一度ブラシングされたウエハ603から粒子をさらに除去する。ブラシ631は、一度ブラシングされたウエハ603の両面を擦る。ブラシ631のうちの上部ブラシの高さはステップ・モータ691によって制御される。図示されていないが、ブラシ2ステーション630は、一度ブラシングされたウエハ603の縁部と傾斜領域を洗浄するためのブラシ690のようなサイド・ブラシも含むことができる。2度ブラシングされたウエハは次に、搬送ベルト3 617によって自動的にスピン乾燥ステーション640に移動される。
スピン乾燥ステーション640は、ウエハをすすぎ洗浄し、スピンさせて乾燥させる。ウエハ604は、スピン乾燥ステーション604で処理中のウエハを示す。この時点で、ウエハは洗浄されている。特定の一タイプのウエハの場合、装填ステーション610、ブラシ1ステーション620、およびブラシ2ステーション630中にウエハを濡れた状態に維持しておかなければならないことに留意されたい。このタイプのウエハはブラシングし、すすぎ洗浄した後でなければスピンし、乾燥することができない。スピンされ乾燥されたウエハは次に、取出しステーション650に移動される。
取り出しステーション650では、清浄なウエハがカセット681に入れられる。ウエハ605はカセット681に入れられる清浄なウエハを示す。カセット681が清浄なウエハでいっぱいになると、操作者が取り出すことができる。これで洗浄プロセスは完了する。
制御システム筐体670内に、スクラバ洗浄装置の制御システムの中核部を含むいくつかの構成要素が収容されている。制御システム筐体670には、ホスト・ボード672を有するホスト・ケージ671が含まれている。ホスト・ボード672はスクラバ洗浄装置全体を制御する。ホスト・ボード672は、典型的には1つまたは複数の物理パッケージに実装された1つまたは複数のホスト・プロセッサを含む。ホスト・ケージ671は、ホスト・ボード672およびホスト・ケージ内のその他のボード(たとえばセンサ入力ボード、オペレータ表示装置660用のビデオ・カード、ホスト・ボード672から制御システムの残りの部分に信号を伝えるボード)を支持する。
ホスト・ボードは、ホスト・ケージ671内の別のボード(通信ボード678)を介して、または直接ホスト・ボード672に接続するコネクタによって制御ボードの他の部分と通信することができる。制御ボードは、典型的にはプリント回路板上に形成されたモジュラ回路であり、スクラバ洗浄装置内でモータや他の装置を制御する。典型的には、ホスト・ケージからの通信信号は通信ボード678を通過する。通信ボードはさらにバス677を介して他の装置と通信する。
バス677は、容易に拡張可能なモジュラ制御システムをサポートする。第6図のスクラバ洗浄装置では、バス677はホスト・ボード672と、通信ボード678と、ステップ・モータ・バックプレーン675と、直流モータ・バックプレーン673とをリンクする。バス677に接続された様々な装置間でのメッセージは、以下に述べるプロトコルに従って伝達することができる。メッセージは、1点から他の点に伝達される情報のパケットである。
ステップ・モータ・バックプレーン675はステップ・モータ制御ボード676をサポートする。このステップ・モータ制御ボード676は、ステップ・モータ・バス692を介してステップ・モータ691の動きを制御する。同様に、直流モータ・パックプレーン673は直流モータ制御ボード674をサポートする。直流モータ制御ボード674は、直流モータ・バス694を介して直流モータ693と直流モータ695の動きを制御する。
本発明の一実施形態では、これらの各バックプレーンは最大4個のモータ制御ボードをサポートする。しかし、当業者なら本発明は4個のモータ制御ボードのみをサポートするバックプレーンには限定されないことがわかるであろう。
オペレータ表示装置660は、典型的には陰極線管またはフラット・パネル・ディスプレイのようなモニタを含む。一実施形態では、オペレータ表示装置660は、操作者がスクラバ洗浄装置制御システムと対話することができるようにするタッチ・センシティブ・スクリーンも含む。
第6図は概念図であることに留意されたい。本発明が不明瞭になり過ぎないよように、いくつかの構成要素は1つの記号で表されている。たとえば、搬送ベルト3 617は、各ベルトが異なる直流モータによって駆動される2本以上の物理的搬送ベルトから成ることができる。
当業者なら、以上の説明を読めば本発明の多くの変形態様および変更が疑いなく明らかになろう。例として示し、説明した様々な実施形態は決して限定的なものを意図したものではないことを理解すべきである。したがって、様々な実施形態の詳細への言及は請求の範囲を限定するものではなく請求の範囲自体は本発明にとって不可欠であるとみなされる特徴のみを記載している。
Claims (19)
- ウェハを処理するためのシステムであって、
第1のステーションと、
第2のステーションとを含み、
前記第1および第2のステーションのうちの少なくとも一方は、前記ウェハの端部を回転させるためのローラであって、
前記ウェハの端部を受けるための溝と、
前記ローラの第1の外縁部であって、前記ローラの溝におよぶ第1の外縁部と、
前記ローラの溝と前記ローラの第1の外縁部との間に延びる少なくとも1つのトレッドであって、前記ローラが前記ウェハを回転させる際に前記溝から溶液を排出させることができるトレッドとを有するローラとを備える、
システム。 - 請求項1に記載のシステムはさらに、前記第1および第2のウェハ処理ステーションの少なくとも一方のウェハ処理ステーションに結合され、前記ウェハ上に溶液ディスペンサをさらに備え、少なくとも1つの前記トレッドは、前記溝から溶液を排出させる複数のトレッドを含むシステム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記ローラはさらに、
第2の外縁部と、
前記溝と前記第2の外縁部との間に延びる少なくとも1つのトレッドとを備え、
前記第2の外縁部は前記溝位置において前記第1の外縁部と結合されているシステム。 - 前記ローラは第1の側面部と第2の側面部とを有し、
前記第1の側面部は中心軸を中心にして回転し、前記溝から前記第1の外縁部にかけて直径が増大する円錐形状を有し、前記第2の側面部は中心軸を中心にして回転し、前記溝から前記第2の外縁部にかけて直径が増大する円錐形状を有する請求項3に記載のシステム。 - 前記第1の側面部の前記第1の外縁部における直径が、前記第2の側面部の前記第2の外縁部における直径よりも大きい請求項4に記載のシステム。
- 前記ローラが中心軸を中心に回転し、前記ウェハと前記溝との間の接触を介して前記ウェハに回転運動を伝える請求項1に記載のシステム。
- 第1および第2のステーションが第1および第2のブラシ・ステーションを含む請求項1に記載のシステム。
- ローラが可撓性材料を含む請求項1に記載のシステム。
- 可撓性材料がウレタンを含む請求項8に記載のシステム。
- 前記溝が前記ウェハの縁部の厚さとほぼ等しい開口部を有する請求項1に記載のシステム。
- 半導体ウェハを洗浄するためのシステムであって、
第1のウエハ処理ステーションと、
前記第1のウエハ処理ステーションに結合された第2のウエハ処理ステーションとを備え、前記第1および第2のウエハ処理ステーションの少なくとも一方のウエハ処理ステーションはウエハを回転させるローラを備え、そのローラは、
前記ウェハの端部を受けるための溝と、
前記ローラの第1の外縁部であって、前記ローラの溝におよぶ第1の外縁部と、
ある幅と深さとを有し、前記溝と前記第1の外縁部との間に延びる第1のトレッドであって、前記ローラが前記ウェハを回転させる際に前記溝から溶液を排出させることができる第1のトレッドと、
延長縁部と、
前記第1の外縁部と前記延長縁部との問に延びる延長部とを備えるシステム。 - 前記溝はV字形であり、
第1の溝側面と、
前記第1の溝側面と交わり、前記第1の溝側面との交点に頂点を備える溝角度を形成する第2の溝側面とを有する請求項11に記載のシステム。 - 前記溝角度が20度に等しい請求項12に記載のシステム。
- 前記第1のトレッドの幅が前記第1のトレッドの深さにほぼ等しい請求項11に記載のシステム。
- 前記第1のトレッドの幅が前記溝から前記ローラの前記第1の外縁部までほぼ一定している請求項14に記載のシステム。
- 前記第2のトレッドが前記ローラの前記第1の縁部から前記ローラの前記延長縁部まで延び、前記第2のトレッドが前記第1のトレッドよりも長い請求項15に記載のシステム。
- 前記第1および第2のウエハ処理ステーションの各ウエハ処理ステーションが前記ウエハを洗浄するブラシ・ステーションを含む請求項1に記載のシステム。
- 前記第1および第2のウエハ処理ステーションのうちの少なくとも一方のウエハ処理ステーションに結合され、前記ウエハ上に溶液を供給する溶液ディスペンサをさらに含み、少なくとも1つの前記トレッドが溶液を前記溝から排出させる複数のトレッドを含む請求項11に記載のシステム。
- 前記第1および第2のウエハ処理ステーションの各ウエハ処理ステーションが前記ウエハを洗浄するブラシ・ステーションを含む請求項11に記載のシステム。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101742596B1 (ko) * | 2016-10-27 | 2017-06-01 | 강경태 | 와셔 아이들러 롤러 및 이를 이용한 웨이퍼 클리너 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3330300B2 (ja) | 1997-02-28 | 2002-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置 |
US6059888A (en) * | 1997-11-14 | 2000-05-09 | Creative Design Corporation | Wafer cleaning system |
JP2000228382A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Sony Corp | ウエハ洗浄装置 |
US6290780B1 (en) | 1999-03-19 | 2001-09-18 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing a wafer |
US6308576B1 (en) * | 1999-03-30 | 2001-10-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Method for determining stress effect on a film during scrubber clean |
US6918864B1 (en) * | 1999-06-01 | 2005-07-19 | Applied Materials, Inc. | Roller that avoids substrate slippage |
US6711775B2 (en) * | 1999-06-10 | 2004-03-30 | Lam Research Corporation | System for cleaning a semiconductor wafer |
US6439245B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-08-27 | Lam Research Corporation | Method for transferring wafers from a conveyor system to a wafer processing station |
US6540841B1 (en) | 2000-06-30 | 2003-04-01 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method and apparatus for removing contaminants from the perimeter of a semiconductor substrate |
JP2002313757A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US20050172430A1 (en) * | 2003-10-28 | 2005-08-11 | Joseph Yudovsky | Wafer edge cleaning |
DE602005026179D1 (de) * | 2005-04-20 | 2011-03-10 | Freescale Semiconductor Inc | Vorrichtung zum reinigen von schaltungssubstraten |
US7115023B1 (en) * | 2005-06-29 | 2006-10-03 | Lam Research Corporation | Process tape for cleaning or processing the edge of a semiconductor wafer |
US8234739B2 (en) * | 2006-10-03 | 2012-08-07 | Xyratex Technology Limited | Spiral brush for cleaning and conveying a substrate |
US8322300B2 (en) * | 2008-02-07 | 2012-12-04 | Sunpower Corporation | Edge coating apparatus with movable roller applicator for solar cell substrates |
US8662008B2 (en) * | 2008-02-07 | 2014-03-04 | Sunpower Corporation | Edge coating apparatus for solar cell substrates |
US8250695B2 (en) * | 2009-10-05 | 2012-08-28 | Applied Materials, Inc. | Roller assembly for a brush cleaning device in a cleaning module |
CN101716585B (zh) * | 2009-12-14 | 2012-11-14 | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 | 化学机械抛光设备硅片清洗装置 |
JP5498886B2 (ja) * | 2010-07-26 | 2014-05-21 | 三菱製紙株式会社 | ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法 |
US9636714B2 (en) * | 2015-02-07 | 2017-05-02 | Applied Materials, Inc. | Compression molded articles employing circumferential surfaces having friction-enhancing patterns to contact substrates during wet chemical processes |
JP6956578B2 (ja) | 2017-09-19 | 2021-11-02 | 株式会社荏原製作所 | ブレークイン装置及びブレークインシステム |
US11664213B2 (en) * | 2019-12-26 | 2023-05-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bevel edge removal methods, tools, and systems |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2335594A (en) * | 1941-08-11 | 1943-11-30 | Fmc Corp | Feed roll for corn cutters |
US2646612A (en) * | 1947-08-05 | 1953-07-28 | American Viscose Corp | Liquid pick-up and transfer means |
US2857605A (en) * | 1952-09-26 | 1958-10-28 | Norman C Weishaar | Automobile tire side-wall washing machine |
US3327721A (en) * | 1965-05-28 | 1967-06-27 | Keith L Carlson | Etching apparatus |
US3599306A (en) * | 1969-06-13 | 1971-08-17 | Beloit Corp | Roll composition |
DE2354374A1 (de) * | 1972-11-08 | 1974-07-25 | Oce Van Der Grinten Nv | Fixiereinrichtung |
US4202071A (en) * | 1978-03-20 | 1980-05-13 | Scharpf Mike A | Apparatus for washing and drying phonograph records |
JPS57186340A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-16 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Positioning device for wafer |
JPS60143634A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | Fujitsu Ltd | ウエ−ハ処理方法及び装置 |
US4705711A (en) * | 1986-01-30 | 1987-11-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Polyimide covered calender rolls |
US4826071A (en) * | 1988-04-25 | 1989-05-02 | Harris Graphics | Stainless steel weld clad cylinder interconnected by a groove and gap also weld covered by stainless steel |
JPH02130922A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Toshiba Corp | 半導体基板エッチング装置 |
JPH02178947A (ja) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Fujitsu Ltd | 半導体ウェーハのノッチ合わせ機構 |
US5188273A (en) * | 1989-02-03 | 1993-02-23 | Helmuth Schmoock | Expander roller for webs of paper and the like |
KR0139785B1 (ko) * | 1990-03-20 | 1998-07-15 | 카자마 젠쥬 | 웨이퍼 정렬 기능을 가진 웨이퍼 카운트 장치 |
US5129876A (en) * | 1991-03-01 | 1992-07-14 | Profold, Inc. | Fold roller |
JP2815493B2 (ja) * | 1991-03-29 | 1998-10-27 | トーカロ株式会社 | めっき浴用ロール |
JPH05259264A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | 半導体ウェーハ整列装置 |
US5485644A (en) * | 1993-03-18 | 1996-01-23 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
US5340437A (en) * | 1993-10-08 | 1994-08-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process and apparatus for etching semiconductor wafers |
TW275708B (ja) * | 1993-12-28 | 1996-05-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
US5566466A (en) * | 1994-07-01 | 1996-10-22 | Ontrak Systems, Inc. | Spindle assembly with improved wafer holder |
US6003185A (en) * | 1994-07-15 | 1999-12-21 | Ontrak Systems, Inc. | Hesitation free roller |
US5475889A (en) * | 1994-07-15 | 1995-12-19 | Ontrak Systems, Inc. | Automatically adjustable brush assembly for cleaning semiconductor wafers |
US5861066A (en) * | 1996-05-01 | 1999-01-19 | Ontrak Systems, Inc. | Method and apparatus for cleaning edges of contaminated substrates |
-
1996
- 1996-08-29 US US08/705,337 patent/US5862560A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-07-07 JP JP51162798A patent/JP4003837B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-07 WO PCT/US1997/011810 patent/WO1998008622A1/en active IP Right Grant
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