JPH10253717A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH10253717A JPH10253717A JP9060723A JP6072397A JPH10253717A JP H10253717 A JPH10253717 A JP H10253717A JP 9060723 A JP9060723 A JP 9060723A JP 6072397 A JP6072397 A JP 6072397A JP H10253717 A JPH10253717 A JP H10253717A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 試験装置のプローブ針が接触されるボンディ
ングパッドを、入出力回路に切り替え接続してプローブ
試験を行う半導体集積回路装置において、プローブ針が
接触されないボンディングパッドと切替回路との間の回
路部分の試験を行う。 【解決手段】 入出力回路1(1a,1b)に対して1
対1で入出力用のボンディングパッド4b,4cを接続
し、かつこの入出力用のボンディングパッド4b,4c
には切替回路3を介して試験用のボンディングパッド4
aを接続する。制御回路部2から出力される制御信号に
よって切替回路3を切替動作させ、試験用のボンディン
グパッド4aを入出力用のボンディングパッド4b,4
cに対して導通あるいは非導通とし、導通時に試験用の
ボンディングパッド4aにプローブ針を接触させ、対応
する入出力用のボンディングパッド4b,4cを介して
入出力回路1a,1bに接続し、試験を実行する。
ングパッドを、入出力回路に切り替え接続してプローブ
試験を行う半導体集積回路装置において、プローブ針が
接触されないボンディングパッドと切替回路との間の回
路部分の試験を行う。 【解決手段】 入出力回路1(1a,1b)に対して1
対1で入出力用のボンディングパッド4b,4cを接続
し、かつこの入出力用のボンディングパッド4b,4c
には切替回路3を介して試験用のボンディングパッド4
aを接続する。制御回路部2から出力される制御信号に
よって切替回路3を切替動作させ、試験用のボンディン
グパッド4aを入出力用のボンディングパッド4b,4
cに対して導通あるいは非導通とし、導通時に試験用の
ボンディングパッド4aにプローブ針を接触させ、対応
する入出力用のボンディングパッド4b,4cを介して
入出力回路1a,1bに接続し、試験を実行する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路装置
の電気的特性を試験するための技術に閑し、特に多ピン
のLSIのプローブ試験を行う試験回路を備える半導体
集積回路装置に関する。
の電気的特性を試験するための技術に閑し、特に多ピン
のLSIのプローブ試験を行う試験回路を備える半導体
集積回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体集積回路装置におけるプロ
ーブ試験は、半導体集積回路装置のボンディングパッド
に対してテスタ(試験装置)のプローブ針を1対1で対
応して接触させることにより電気的試験が行われてい
た。しかしながら、近年における半導体集積回路装置の
高集積化につれて入出力回路数は増大しており、これに
伴ってボンディングパッドとその配置ピッチはますます
縮小される傾向にある。このような縮小された多数のボ
ンディングパッドに対応する多ピンのプローブ針の作成
は困鞋であると同時に、多数のプローブ針をすべてのボ
ンディングパッドに確実に接触させることは困難にな
る。
ーブ試験は、半導体集積回路装置のボンディングパッド
に対してテスタ(試験装置)のプローブ針を1対1で対
応して接触させることにより電気的試験が行われてい
た。しかしながら、近年における半導体集積回路装置の
高集積化につれて入出力回路数は増大しており、これに
伴ってボンディングパッドとその配置ピッチはますます
縮小される傾向にある。このような縮小された多数のボ
ンディングパッドに対応する多ピンのプローブ針の作成
は困鞋であると同時に、多数のプローブ針をすべてのボ
ンディングパッドに確実に接触させることは困難にな
る。
【0003】そこで、この問題を解決するために図5に
示すように半導体集積回路装置の複数の入力回路1aや
出力回路1bを有する入出力回路1と、これに対応して
設けられている複数の入出力用のボンディングパッド4
a,4bを有するボンディングパッド4との間に切換回
路3を設け、プローブ試験時に入出力回路1に対して1
個のボンディングパッド、ここではボンディングパッド
4aの接続を切替ながらプローブ試験を行う技術が提案
されている。この図5の技術では、入力回路1aおよび
出力回路1bと、これらに対応されるボンディングパッ
ド4a,4bとの間に切替回路3Aを設けておき、ボン
ディングパッド4aを切替回路3aによって入力回路1
aと出力回路1bのいずれかに選択的に切り替えるよう
にしたものである。図6は前記切替回路3Aの回路図で
あり、入力される制御信号CTの状態によってNチャネ
ルMOSFET(以下、NMOS)とPチャネルMOS
FET(以下、PMOS)とからなる伝送ゲート5a,
5bを選択的に導通、非導通状態とすることで、端子Y
0を端子X0,X1に選択的に切替接続可能とされる。
6aはインバータである。
示すように半導体集積回路装置の複数の入力回路1aや
出力回路1bを有する入出力回路1と、これに対応して
設けられている複数の入出力用のボンディングパッド4
a,4bを有するボンディングパッド4との間に切換回
路3を設け、プローブ試験時に入出力回路1に対して1
個のボンディングパッド、ここではボンディングパッド
4aの接続を切替ながらプローブ試験を行う技術が提案
されている。この図5の技術では、入力回路1aおよび
出力回路1bと、これらに対応されるボンディングパッ
ド4a,4bとの間に切替回路3Aを設けておき、ボン
ディングパッド4aを切替回路3aによって入力回路1
aと出力回路1bのいずれかに選択的に切り替えるよう
にしたものである。図6は前記切替回路3Aの回路図で
あり、入力される制御信号CTの状態によってNチャネ
ルMOSFET(以下、NMOS)とPチャネルMOS
FET(以下、PMOS)とからなる伝送ゲート5a,
5bを選択的に導通、非導通状態とすることで、端子Y
0を端子X0,X1に選択的に切替接続可能とされる。
6aはインバータである。
【0004】この構成によれば、ボンディングパッド4
aにプローブ針を接触させ、切替回路3Aにより入力回
路1aと出力回路1bを選択することで試験が可能とな
る。この技術では、複数の入出力回路の試験について、
最低1つのボンディングパッドに対してブローブ針を接
触すればよいため、信頼性の高いブローブ試験が可能と
なる。このような技術の一例として、特開昭63−19
9439号公報に記載されている技術がある。
aにプローブ針を接触させ、切替回路3Aにより入力回
路1aと出力回路1bを選択することで試験が可能とな
る。この技術では、複数の入出力回路の試験について、
最低1つのボンディングパッドに対してブローブ針を接
触すればよいため、信頼性の高いブローブ試験が可能と
なる。このような技術の一例として、特開昭63−19
9439号公報に記載されている技術がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この技
術では、1つのボンディングパッドにプローブ針を接触
させた状態で複数の入出力回路に切替接続して試験を行
う手法であるために、プローブ針が実際に接触されてい
るボンディングパッドと複数の入出力回路間の回路の試
験は可能であるが、本来の動作時に必要な複数の入出力
回路のそれぞれに対応したボンディングパッド、すなわ
ち試験時にプローブ針が接触されないボンディングパッ
ドと、これに対応する入出力回路との間の回路、特に各
ボンディングパッドと切替回路との間の回路部分を試験
することができないという問題がある。また、前記した
従来の切替回路は組合わせ回路にて制御されているた
め、特定のボンディングパッドを利用してのプローブ針
に限定されることになり、プローブ針が接触されるボン
ディングパッドを任意に設定することができず、これが
要因となって複数の入出力回路に対し任意な状態設定が
できず、半導体集積回路装置のプローブ試験において多
彩な電気的試験ができないという問題があった。
術では、1つのボンディングパッドにプローブ針を接触
させた状態で複数の入出力回路に切替接続して試験を行
う手法であるために、プローブ針が実際に接触されてい
るボンディングパッドと複数の入出力回路間の回路の試
験は可能であるが、本来の動作時に必要な複数の入出力
回路のそれぞれに対応したボンディングパッド、すなわ
ち試験時にプローブ針が接触されないボンディングパッ
ドと、これに対応する入出力回路との間の回路、特に各
ボンディングパッドと切替回路との間の回路部分を試験
することができないという問題がある。また、前記した
従来の切替回路は組合わせ回路にて制御されているた
め、特定のボンディングパッドを利用してのプローブ針
に限定されることになり、プローブ針が接触されるボン
ディングパッドを任意に設定することができず、これが
要因となって複数の入出力回路に対し任意な状態設定が
できず、半導体集積回路装置のプローブ試験において多
彩な電気的試験ができないという問題があった。
【0006】本発明の目的は、本来の動作時に使用され
るボンディングパッドと入出力回路との試験を可能とし
た半導体集積回路装置を提供することにある。また、本
発明の目的は、プローブ試験時でのプローブ針が接触さ
れるボンディングパッドに自由度を持たせ、多彩な電気
的試験を可能にした半導体集積回路装置を提供すること
にある。
るボンディングパッドと入出力回路との試験を可能とし
た半導体集積回路装置を提供することにある。また、本
発明の目的は、プローブ試験時でのプローブ針が接触さ
れるボンディングパッドに自由度を持たせ、多彩な電気
的試験を可能にした半導体集積回路装置を提供すること
にある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
装置は、外部との信号の入出力を行う入出力回路と、こ
の入出力回路に対応して設けられてそれぞれが前記入出
力回路に接続される1以上の入出力用のボンディングパ
ッドと、試験装置のプローブ針が接触可能な試験用のボ
ンディングパッドと、この試験用ボンディングパッドを
前記入出力用ボンディングに選択的に導通させるための
切替回路と、この切替回路の切替状態を制御する制御回
路部とを備える。例えば、入出力回路の入力回路と出力
回路にはそれぞれ1対1で入出力用のボンディングパッ
ドが接続されており、1つの試験用ボンディングパッド
がこれら入出力用のボンディングパッドに対して個別に
かつ選択的に切替接続可能に構成される。あるいは、複
数個の試験用のボンディングパッドが、1つの入出力用
のボンディングパッドに対して合一的に導通、非導通状
態に切り替えられる構成とされる。
装置は、外部との信号の入出力を行う入出力回路と、こ
の入出力回路に対応して設けられてそれぞれが前記入出
力回路に接続される1以上の入出力用のボンディングパ
ッドと、試験装置のプローブ針が接触可能な試験用のボ
ンディングパッドと、この試験用ボンディングパッドを
前記入出力用ボンディングに選択的に導通させるための
切替回路と、この切替回路の切替状態を制御する制御回
路部とを備える。例えば、入出力回路の入力回路と出力
回路にはそれぞれ1対1で入出力用のボンディングパッ
ドが接続されており、1つの試験用ボンディングパッド
がこれら入出力用のボンディングパッドに対して個別に
かつ選択的に切替接続可能に構成される。あるいは、複
数個の試験用のボンディングパッドが、1つの入出力用
のボンディングパッドに対して合一的に導通、非導通状
態に切り替えられる構成とされる。
【0008】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図1は本発明の第1の実施形態の回
路構成図である。同図において、入出力回路1の入力回
路1aと出力回路1bにはそれぞれボンディングパッド
4のうちの入出力用のボンディングパッド4b,4cが
1対1で対応して設けられており、かつ入力回路1aは
ボンディングパッド4bに、出力回路1bはボンディン
グパッド4cにそれぞれ固定的に接続されている。ま
た、前記ボンディングパッド4内には、試験用のボンデ
ィングパッド4aが独立して設けられている。また、前
記入出力回路1と前記ボンディングパッド4a〜4cと
の間には、前記各ボンディングパッドの相互接続状態を
切り替えるための切替回路3と、この切替回路を切替動
作させるための制御信号を出力する制御回路部としての
シフトレジスタ2が設けられる。ここで、前記切替回路
3は、切替回路3a,3bで構成されており、一方の切
替回路3aは前記ボンディングパッド4aと4bとの相
互接続が断接可能に構成され、他方の切替回路3bは前
記ボンディングパッド4aと4bとの相互接続が断接可
能に構成されている。また、前記シフトレジスタ2は、
ここでは2個以上のフリップフロップ2a,2bで構成
され、入力される信号Siの“1”または“0”の状態
に応じて、その出力QT,QFを“1”または“0”で
順序的に出力するように構成される。
参照して説明する。図1は本発明の第1の実施形態の回
路構成図である。同図において、入出力回路1の入力回
路1aと出力回路1bにはそれぞれボンディングパッド
4のうちの入出力用のボンディングパッド4b,4cが
1対1で対応して設けられており、かつ入力回路1aは
ボンディングパッド4bに、出力回路1bはボンディン
グパッド4cにそれぞれ固定的に接続されている。ま
た、前記ボンディングパッド4内には、試験用のボンデ
ィングパッド4aが独立して設けられている。また、前
記入出力回路1と前記ボンディングパッド4a〜4cと
の間には、前記各ボンディングパッドの相互接続状態を
切り替えるための切替回路3と、この切替回路を切替動
作させるための制御信号を出力する制御回路部としての
シフトレジスタ2が設けられる。ここで、前記切替回路
3は、切替回路3a,3bで構成されており、一方の切
替回路3aは前記ボンディングパッド4aと4bとの相
互接続が断接可能に構成され、他方の切替回路3bは前
記ボンディングパッド4aと4bとの相互接続が断接可
能に構成されている。また、前記シフトレジスタ2は、
ここでは2個以上のフリップフロップ2a,2bで構成
され、入力される信号Siの“1”または“0”の状態
に応じて、その出力QT,QFを“1”または“0”で
順序的に出力するように構成される。
【0009】前記切替回路3a,3bは、図2に示すよ
うに、NMOSとPMOSとが並列接続された伝送ゲー
ト5aとして構成されており、対をなす入力端に入力さ
れる制御信号がCT=“1”でCF=“0”の場合には
出力端X1とFOが導通(オン)され、制御信号CT=
“0”でCF=“1”の場合には出力端X1とFOが非
導通(オフ)とされるように構成される。この前記制御
信号CT,CFとして、前記フリップフロップ2a,2
bのQT,QFの各出力が入力される。そして、出力端
X1は各ボンディングパッド4b,4cにそれぞれ個別
に接続され、出力端FOは試験用のボンディングパッド
4aに共通に接続されている。
うに、NMOSとPMOSとが並列接続された伝送ゲー
ト5aとして構成されており、対をなす入力端に入力さ
れる制御信号がCT=“1”でCF=“0”の場合には
出力端X1とFOが導通(オン)され、制御信号CT=
“0”でCF=“1”の場合には出力端X1とFOが非
導通(オフ)とされるように構成される。この前記制御
信号CT,CFとして、前記フリップフロップ2a,2
bのQT,QFの各出力が入力される。そして、出力端
X1は各ボンディングパッド4b,4cにそれぞれ個別
に接続され、出力端FOは試験用のボンディングパッド
4aに共通に接続されている。
【0010】この構成では、シフトレジスタ2の全ての
信号Siを“0”にすると、QT=“0”,QF=
“0”となり、CT=“0”,CF=“1”となるた
め、全ての切替回路3(3a,3b)は非導通となり、
試験用のボンディングパッド4aはいずれの入出力用の
ボンディングパッド4b,4cおよび入力回路1a、出
力回路1bとも接続されることがない。この状態では、
各試験用のボンディングパッド4b,4cはそれぞれ対
応する入力回路1a、出力回路1bに接続されているた
め、半導体集積回路装置の通常の動作が可能となる。
信号Siを“0”にすると、QT=“0”,QF=
“0”となり、CT=“0”,CF=“1”となるた
め、全ての切替回路3(3a,3b)は非導通となり、
試験用のボンディングパッド4aはいずれの入出力用の
ボンディングパッド4b,4cおよび入力回路1a、出
力回路1bとも接続されることがない。この状態では、
各試験用のボンディングパッド4b,4cはそれぞれ対
応する入力回路1a、出力回路1bに接続されているた
め、半導体集積回路装置の通常の動作が可能となる。
【0011】一方、プローブ試験を行う場合には、シフ
トレジスタ2に入力される信号Siを“1”とし、かつ
このシフトレジスタ2に所定のタイミングでクロック信
号を入力すればよい。これにより、フリップフロップ2
aの出力QT=“1”,QF=“0”となる。そして、
この出力QT,QFはそれぞれCT,CFとして切替回
路3aに入力されるため、CT“1”,CF=“0”と
なり、切替回路3aが導通される。したがって、入出力
用のボンディングパッド4bは試験用のボンディングパ
ッド4aに電気接続された状態となる。つまりこの状態
では試験用のボンディングパッド4aにより入力回路1
aに信号を与えることができ、入力回路1aのプローブ
試験が実行可能となる。
トレジスタ2に入力される信号Siを“1”とし、かつ
このシフトレジスタ2に所定のタイミングでクロック信
号を入力すればよい。これにより、フリップフロップ2
aの出力QT=“1”,QF=“0”となる。そして、
この出力QT,QFはそれぞれCT,CFとして切替回
路3aに入力されるため、CT“1”,CF=“0”と
なり、切替回路3aが導通される。したがって、入出力
用のボンディングパッド4bは試験用のボンディングパ
ッド4aに電気接続された状態となる。つまりこの状態
では試験用のボンディングパッド4aにより入力回路1
aに信号を与えることができ、入力回路1aのプローブ
試験が実行可能となる。
【0012】そして、この状態から信号Siを“0”と
して、次のクロック信号を入力すると、シフトレジスタ
2の出力は切り代わり、今度はシフトレジスタの出力Q
T=“1”,QF=“0”となるため、切替回路3aが
非導通、切替回路3bは導通となる。これにより、入出
力用のボンディングパッド4cは試験用のボンディング
パッド4aに電気接続された状態となる。つまりこの状
態では試験用のボンディングパッド4aにより出力回路
1bの信号を取り出すことができ、出力回路1bのプロ
ーブ試験が実行可能となる。このように、入力回路1a
と出力回路1bの各プローブ試験を、いづれも1つの試
験用のボンディングパッド4aに対して試験装置のプロ
ーブ針を接続した状態で行うことができる。そして、い
ずれの試験に際しても、試験用のボンディングパッド4
aは入出力用のボンディングパッド4bまたは4cを経
由して入力回路1a、出力回路1bに接続されるため、
本来の回路である入出力用のボンディングパッド4bと
入力回路1aとの間、入出力用のボンディングパッド4
cと出力回路1bとの間の状態も確認することが可能と
なる。
して、次のクロック信号を入力すると、シフトレジスタ
2の出力は切り代わり、今度はシフトレジスタの出力Q
T=“1”,QF=“0”となるため、切替回路3aが
非導通、切替回路3bは導通となる。これにより、入出
力用のボンディングパッド4cは試験用のボンディング
パッド4aに電気接続された状態となる。つまりこの状
態では試験用のボンディングパッド4aにより出力回路
1bの信号を取り出すことができ、出力回路1bのプロ
ーブ試験が実行可能となる。このように、入力回路1a
と出力回路1bの各プローブ試験を、いづれも1つの試
験用のボンディングパッド4aに対して試験装置のプロ
ーブ針を接続した状態で行うことができる。そして、い
ずれの試験に際しても、試験用のボンディングパッド4
aは入出力用のボンディングパッド4bまたは4cを経
由して入力回路1a、出力回路1bに接続されるため、
本来の回路である入出力用のボンディングパッド4bと
入力回路1aとの間、入出力用のボンディングパッド4
cと出力回路1bとの間の状態も確認することが可能と
なる。
【0013】図3は本発明の第2の実施形態の構成図で
あり、前記第1の実施形態と等価な部分には同一符号を
付してある。この実施形態では、試験用のボンディング
パッドとして4個のボンディングパッド4a1,4a
2,4a3,4a4を設けるとともに、切替回路3とし
て、5つの出力端子を有する切替回路3a’,3b’を
用いている。これら切替回路3a’,3b’は、図4に
示すように、2つの入力端CT(0−1),CF(0−
1)の信号により導通、非導通となる4つの伝送ゲート
5a〜5dを備えており、これら伝送ゲート5a〜5d
によって出力端F0とF1を、或いはS0とS1をそれ
ぞれ出力端X1に選択的に切り替え接続するように構成
されている。そして、前記試験用のボンディングパッド
4a1,4a2,4a3,4a4はそれぞれ前記出力端
F0,S0,F1,S1に接続され、入出力用のボンデ
ィングパッド4b,4cは各切替回路3a’,3b’の
各X1に接続されている。なお、シフトレジスタ2の構
成は第1の実施形態と同じである。
あり、前記第1の実施形態と等価な部分には同一符号を
付してある。この実施形態では、試験用のボンディング
パッドとして4個のボンディングパッド4a1,4a
2,4a3,4a4を設けるとともに、切替回路3とし
て、5つの出力端子を有する切替回路3a’,3b’を
用いている。これら切替回路3a’,3b’は、図4に
示すように、2つの入力端CT(0−1),CF(0−
1)の信号により導通、非導通となる4つの伝送ゲート
5a〜5dを備えており、これら伝送ゲート5a〜5d
によって出力端F0とF1を、或いはS0とS1をそれ
ぞれ出力端X1に選択的に切り替え接続するように構成
されている。そして、前記試験用のボンディングパッド
4a1,4a2,4a3,4a4はそれぞれ前記出力端
F0,S0,F1,S1に接続され、入出力用のボンデ
ィングパッド4b,4cは各切替回路3a’,3b’の
各X1に接続されている。なお、シフトレジスタ2の構
成は第1の実施形態と同じである。
【0014】この構成では、切替回路3a’,3b’に
入力される制御信号がCT(0)=“1”,CF(0)
=“0”の場合にX1とF0,S0が導通され、制御信
号CT(0)=“0”,CF(0)=“1”の場合には
X1とF0,S0が非導通となる。これにより、入出力
用のボンディングパッド4bは試験用のボンディングパ
ッド4a1,4a2に対して導通あるいは非導通とされ
る。また、制御信号がCT(1)=“1”,CF(1)
=“0”の場合にはX1とFl,Slが導通され、制御
信号CT(1)=“0”,CF(1)=“1”の場合に
はX1とFl,Slが非導通となる。これにより、入出
力用のボンディングパッド4cは試験用のボンディング
パッド4a3,4a4に対して導通あるいは非導通とさ
れる。
入力される制御信号がCT(0)=“1”,CF(0)
=“0”の場合にX1とF0,S0が導通され、制御信
号CT(0)=“0”,CF(0)=“1”の場合には
X1とF0,S0が非導通となる。これにより、入出力
用のボンディングパッド4bは試験用のボンディングパ
ッド4a1,4a2に対して導通あるいは非導通とされ
る。また、制御信号がCT(1)=“1”,CF(1)
=“0”の場合にはX1とFl,Slが導通され、制御
信号CT(1)=“0”,CF(1)=“1”の場合に
はX1とFl,Slが非導通となる。これにより、入出
力用のボンディングパッド4cは試験用のボンディング
パッド4a3,4a4に対して導通あるいは非導通とさ
れる。
【0015】この構成によれば、任意の試験用ボンディ
ングパッド4a1〜4a4を利用するとともに、切替回
路3a’,3b’の切替状態によって前記第1の実施形
態と同様なプローブ試験が可能であることは言うまでも
ない。また、この試験に加えてこの実施形態では、出力
回路の出力電流試験が可能になる。この試験は出力回路
に所定の電圧を印加し、その時出力回路から流れる電流
値を測定し、半導体集積回路装置の良否を判定するもの
である。例えば、ボンディングパッド4a1,4a2を
用いて出力回路1bの出力電流試験を行う場合には、プ
ローブ針をボンディングパッド4a1と4a2にそれぞ
れ接触させる。そして、前記した制御信号の状態をセッ
トしてシフトレジスタ2と切替回路3b’により、各ボ
ンディングパッド4a1,4a2をそれぞれボンディン
グパッド4c、すなわち出力回路1bに接続した状態と
する。その上で、ボンディングパッド4a1に所定の電
圧Voを印加する。この際、出力回路1bより電流io
が流れるが,ブローブ針自身の抵抗およびブローブ針と
ボンディングパッドの接触抵抗により電庄降下dVoが
生じる。つまり、所定電圧Voが出力回路には実際には
印加されないことになり不正な試験となってしまう。そ
こでボンディングパッド4a2より出力回路の直前の電
庄を測定し、出力回路に所定の電圧が印加されるようブ
ローブ針に印加する電庄を調整するものとする。こうす
ることにより出力回路1bに所定の電圧Voが印可され
正確な出力電流試験ができる。
ングパッド4a1〜4a4を利用するとともに、切替回
路3a’,3b’の切替状態によって前記第1の実施形
態と同様なプローブ試験が可能であることは言うまでも
ない。また、この試験に加えてこの実施形態では、出力
回路の出力電流試験が可能になる。この試験は出力回路
に所定の電圧を印加し、その時出力回路から流れる電流
値を測定し、半導体集積回路装置の良否を判定するもの
である。例えば、ボンディングパッド4a1,4a2を
用いて出力回路1bの出力電流試験を行う場合には、プ
ローブ針をボンディングパッド4a1と4a2にそれぞ
れ接触させる。そして、前記した制御信号の状態をセッ
トしてシフトレジスタ2と切替回路3b’により、各ボ
ンディングパッド4a1,4a2をそれぞれボンディン
グパッド4c、すなわち出力回路1bに接続した状態と
する。その上で、ボンディングパッド4a1に所定の電
圧Voを印加する。この際、出力回路1bより電流io
が流れるが,ブローブ針自身の抵抗およびブローブ針と
ボンディングパッドの接触抵抗により電庄降下dVoが
生じる。つまり、所定電圧Voが出力回路には実際には
印加されないことになり不正な試験となってしまう。そ
こでボンディングパッド4a2より出力回路の直前の電
庄を測定し、出力回路に所定の電圧が印加されるようブ
ローブ針に印加する電庄を調整するものとする。こうす
ることにより出力回路1bに所定の電圧Voが印可され
正確な出力電流試験ができる。
【0016】また、この実施形態では、対をなす試験用
のボンディングパッド4a1,4a2と4a3,4a4
はそれぞれ同時に入出力用のボンディングパッド4bあ
るいは4cに対して選択的に接続されるため、各対の試
験用のボンディングパッドは互いに等価なものとなり、
いずれのボンディングパッドに対してプローブ針を接触
させても同じ条件での試験が可能となる。これにより、
前記したような出力回路の出力電流試験が実現できるこ
とはもとより、プローブ試験時でのプローブ針が接触さ
れるボンディングパッドに自由度を持たせ、多彩な電気
的試験が可能となる。
のボンディングパッド4a1,4a2と4a3,4a4
はそれぞれ同時に入出力用のボンディングパッド4bあ
るいは4cに対して選択的に接続されるため、各対の試
験用のボンディングパッドは互いに等価なものとなり、
いずれのボンディングパッドに対してプローブ針を接触
させても同じ条件での試験が可能となる。これにより、
前記したような出力回路の出力電流試験が実現できるこ
とはもとより、プローブ試験時でのプローブ針が接触さ
れるボンディングパッドに自由度を持たせ、多彩な電気
的試験が可能となる。
【0017】なお、前記した実施形態は本発明の代表的
な構成を示すものであり、ボンディングパッドの数や切
替回路の構成、さらにこの切替回路を制御するための制
御信号を出力する制御回路としてのシフトレジスタの構
成は適宜に変更可能であることは言うまでもない。
な構成を示すものであり、ボンディングパッドの数や切
替回路の構成、さらにこの切替回路を制御するための制
御信号を出力する制御回路としてのシフトレジスタの構
成は適宜に変更可能であることは言うまでもない。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、入出力回
路に接続されている入出力用のボンディングパッドに対
し、試験用のボンディングパッドを切替回路によって切
替接続可能に構成しているので、多ピン半導体集積回路
装置のプローブ試験において任意の入出力回路を選択し
少数のボンディングパッドから入出力回路の試験が可能
であると同時に、各入出力回路と入出力用のボンディン
グパッドを接続する回路部分の試験が可能となり、信頼
性の高いプローブ試験が実現できる。また、1つの入出
力用のボンディングパッドに対して複数の試験用のボン
ディングパッドを切替接続することができるため、1つ
の入出力用のボンディングパッドに対して等価な複数の
試験用のボンディングパッドが構成でき、この試験用の
ボンディングパッドを選択してプローブ針を接触させる
ことで、プローブ試験に際してのプローブ針の接触の自
由度が向上でき、試験を容易に行うことが可能となる。
路に接続されている入出力用のボンディングパッドに対
し、試験用のボンディングパッドを切替回路によって切
替接続可能に構成しているので、多ピン半導体集積回路
装置のプローブ試験において任意の入出力回路を選択し
少数のボンディングパッドから入出力回路の試験が可能
であると同時に、各入出力回路と入出力用のボンディン
グパッドを接続する回路部分の試験が可能となり、信頼
性の高いプローブ試験が実現できる。また、1つの入出
力用のボンディングパッドに対して複数の試験用のボン
ディングパッドを切替接続することができるため、1つ
の入出力用のボンディングパッドに対して等価な複数の
試験用のボンディングパッドが構成でき、この試験用の
ボンディングパッドを選択してプローブ針を接触させる
ことで、プローブ試験に際してのプローブ針の接触の自
由度が向上でき、試験を容易に行うことが可能となる。
【図1】本発明の第1の実施形態の回路構成を示す図で
ある。
ある。
【図2】図1の切替回路の具体的な回路図である。
【図3】本発明の第2の実施形態の回路構成を示す図で
ある。
ある。
【図4】図3の切替回路の具体的な回路図である。
【図5】従来の半導体集積回路装置のボンディングパッ
ドの切替回路の構成を示す図である。
ドの切替回路の構成を示す図である。
【図6】図5の切替回路の回路図である。
1 入出力回路 1a 入力回路 1b 出力回路 2 シフトレジスタ 2a,2b フリップフロップ 3 切替回路 3a,3b,3a’,3b’ 切替回路 4 ボンディングパッド 4a〜4c ボンディングパッド 5a〜5d 伝送ゲート
Claims (5)
- 【請求項1】 半導体集積回路装置に設けられて外部と
の信号の入出力を行う入出力回路と、この入出力回路に
対応して設けられてそれぞれが前記入出力回路に接続さ
れる1以上の入出力用のボンディングパッドと、試験装
置のプローブ針が接触可能な試験用のボンディングパッ
ドと、この試験用ボンディングパッドを前記入出力用ボ
ンディングに選択的に導通させるための切替回路と、こ
の切替回路の切替状態を制御する制御回路部とを備える
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項2】 入出力回路の入力回路と出力回路にはそ
れぞれ1対1で入出力用のボンディングパッドが接続さ
れており、1つの試験用ボンディングパッドがこれら入
出力用のボンディングパッドに対して個別にかつ選択的
に切替接続可能に構成されてなる請求項1の半導体集積
回路装置。 - 【請求項3】 複数個の試験用のボンディングパッド
が、1つの入出力用のボンディングパッドに対して合一
的に導通、非導通状態に切り替えられる請求項1の半導
体集積回路装置。 - 【請求項4】 前記切替回路は入力される制御信号の状
態に応じて導通、非導通される伝送ゲートにて構成さ
れ、この伝送ゲートが前記入出力用のボンディングパッ
ドと試験用のボンディングパッドとの間に接続されてい
る請求項1ないし3のいずれかの半導体集積回路装置。 - 【請求項5】 前記制御回路部は複数個のフリップフロ
ップで構成されるシフトレジスタで構成され、各フリッ
プフロップの出力を前記切替回路の制御信号として出力
する請求項4の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06072397A JP3161357B2 (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06072397A JP3161357B2 (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10253717A true JPH10253717A (ja) | 1998-09-25 |
JP3161357B2 JP3161357B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=13150495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06072397A Expired - Fee Related JP3161357B2 (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3161357B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1001273A2 (de) * | 1998-11-11 | 2000-05-17 | Infineon Technologies AG | Integrierter Halbleiterchip mit über Bondpads voreingestellter Dateneingabe-/Datenausgabe-Organisationsform |
JP2002313847A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 電気的特性評価のためのテストパッドを有するチップオンフィルムパッケージ及びチップオンフィルムパッケージ形成方法 |
US6570796B2 (en) | 2001-09-20 | 2003-05-27 | Hynix Semiconductor Inc. | Wafer burn-in test and wafer test circuit |
DE102004059506B3 (de) * | 2004-12-10 | 2006-08-17 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Anordnung zum Test von eingebetteten Schaltungen mit Hilfe einer separaten Versorgungsspannung |
CN109073705A (zh) * | 2016-11-16 | 2018-12-21 | 富士电机株式会社 | 半导体测试电路、半导体测试装置和半导体测试方法 |
-
1997
- 1997-03-14 JP JP06072397A patent/JP3161357B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1001273A2 (de) * | 1998-11-11 | 2000-05-17 | Infineon Technologies AG | Integrierter Halbleiterchip mit über Bondpads voreingestellter Dateneingabe-/Datenausgabe-Organisationsform |
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US6570796B2 (en) | 2001-09-20 | 2003-05-27 | Hynix Semiconductor Inc. | Wafer burn-in test and wafer test circuit |
US6711077B2 (en) | 2001-09-20 | 2004-03-23 | Hynix Semiconductor Inc. | Wafer burn-in test and wafer test circuit |
DE102004059506B3 (de) * | 2004-12-10 | 2006-08-17 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Anordnung zum Test von eingebetteten Schaltungen mit Hilfe einer separaten Versorgungsspannung |
US7865787B2 (en) | 2004-12-10 | 2011-01-04 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | Testing embedded circuits with the aid of a separate supply voltage |
CN109073705A (zh) * | 2016-11-16 | 2018-12-21 | 富士电机株式会社 | 半导体测试电路、半导体测试装置和半导体测试方法 |
CN109073705B (zh) * | 2016-11-16 | 2021-03-23 | 富士电机株式会社 | 半导体测试电路、半导体测试装置和半导体测试方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3161357B2 (ja) | 2001-04-25 |
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