JPH0849077A - 薄膜形成方法及びその装置 - Google Patents
薄膜形成方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH0849077A JPH0849077A JP18696794A JP18696794A JPH0849077A JP H0849077 A JPH0849077 A JP H0849077A JP 18696794 A JP18696794 A JP 18696794A JP 18696794 A JP18696794 A JP 18696794A JP H0849077 A JPH0849077 A JP H0849077A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- diamond
- support
- plasma
- cvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 均一な厚さのダイヤモンドライクカーボン薄
膜を形成できる技術を提供することである。 【構成】 支持体上にＣＶＤ法により薄膜を形成する技
術であって、薄膜形成時に前記支持体に超音波振動を作
用させる薄膜形成技術。
膜を形成できる技術を提供することである。 【構成】 支持体上にＣＶＤ法により薄膜を形成する技
術であって、薄膜形成時に前記支持体に超音波振動を作
用させる薄膜形成技術。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばダイヤモンドラ
イクカーボン膜と言った薄膜を形成する為の技術に関す
るものである。
イクカーボン膜と言った薄膜を形成する為の技術に関す
るものである。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
【０００３】すなわち、無電解メッキといった湿式メッ
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性層を構成
した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の
磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密
度記録に適したものである。ところで、この種の金属薄
膜型磁気記録媒体における金属磁性膜を保護する為に、
従来より各種の保護膜を表面に設けることが提案されて
いる。例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜もこれら
の提案の一つである。このダイヤモンドライクカーボン
膜を表面に設ける手段としては各種のものが有る。例え
ば、熱フィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、ＲＦプ
ラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置、Ｅ
ＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ（ケミ
カルベーパーデポジション）装置が有る。中でも、ＥＣ
Ｒマイクロ波プラズマＣＶＤ装置が用いられる。
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性層を構成
した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の
磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密
度記録に適したものである。ところで、この種の金属薄
膜型磁気記録媒体における金属磁性膜を保護する為に、
従来より各種の保護膜を表面に設けることが提案されて
いる。例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜もこれら
の提案の一つである。このダイヤモンドライクカーボン
膜を表面に設ける手段としては各種のものが有る。例え
ば、熱フィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、ＲＦプ
ラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置、Ｅ
ＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ（ケミ
カルベーパーデポジション）装置が有る。中でも、ＥＣ
Ｒマイクロ波プラズマＣＶＤ装置が用いられる。
【０００４】ところで、上記のような手段により形成さ
れるダイヤモンドライクカーボン膜は均一な厚さである
ことが望まれている。特に、磁気ヘッドと磁気記録媒体
との間の距離が小さい、すなわち磁気ヘッドの浮上高さ
が低くなればなる程、形成されるダイヤモンドライクカ
ーボン膜の厚さの均一性が一層要求される。又、ダイヤ
モンドライクカーボン膜が厚いと、磁性膜と磁気ヘッド
との間の距離がそれだけ大きくなり、再生出力がそれだ
け低下する。従って、ダイヤモンドライクカーボン膜は
薄い方が好ましい。しかしながら、薄くなると、そのバ
ラツキが相対的に大きくなっている。従って、薄い場合
に、ダイヤモンドライクカーボン膜の厚さの均一性が一
層要求される。
れるダイヤモンドライクカーボン膜は均一な厚さである
ことが望まれている。特に、磁気ヘッドと磁気記録媒体
との間の距離が小さい、すなわち磁気ヘッドの浮上高さ
が低くなればなる程、形成されるダイヤモンドライクカ
ーボン膜の厚さの均一性が一層要求される。又、ダイヤ
モンドライクカーボン膜が厚いと、磁性膜と磁気ヘッド
との間の距離がそれだけ大きくなり、再生出力がそれだ
け低下する。従って、ダイヤモンドライクカーボン膜は
薄い方が好ましい。しかしながら、薄くなると、そのバ
ラツキが相対的に大きくなっている。従って、薄い場合
に、ダイヤモンドライクカーボン膜の厚さの均一性が一
層要求される。
【０００５】このような観点から、均一な厚さのダイヤ
モンドライクカーボン薄膜が望まれているものの、満足
できる技術は未だの状況下にある。
モンドライクカーボン薄膜が望まれているものの、満足
できる技術は未だの状況下にある。
【０００６】
【発明の開示】本発明の目的は、均一な厚さのダイヤモ
ンドライクカーボン薄膜を形成できる技術を提供するこ
とである。この本発明の目的は、支持体上にＣＶＤ法に
より薄膜を形成する方法であって、薄膜形成時に前記支
持体に超音波振動を作用させることを特徴とする薄膜形
成方法によって達成される。
ンドライクカーボン薄膜を形成できる技術を提供するこ
とである。この本発明の目的は、支持体上にＣＶＤ法に
より薄膜を形成する方法であって、薄膜形成時に前記支
持体に超音波振動を作用させることを特徴とする薄膜形
成方法によって達成される。
【０００７】尚、ＣＶＤがＥＣＲマイクロ波プラズマＣ
ＶＤである場合には、プラズマ反応管に対向した位置に
ある支持体上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
り、例えばダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する
方法であって、前記プラズマ反応管にマイクロ波を導入
する工程と、前記プラズマ反応管に炭化水素系の反応ガ
スを導入する工程と、薄膜形成時に前記支持体に超音波
振動を作用させる超音波振動工程とを具備するものであ
る。
ＶＤである場合には、プラズマ反応管に対向した位置に
ある支持体上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
り、例えばダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する
方法であって、前記プラズマ反応管にマイクロ波を導入
する工程と、前記プラズマ反応管に炭化水素系の反応ガ
スを導入する工程と、薄膜形成時に前記支持体に超音波
振動を作用させる超音波振動工程とを具備するものであ
る。
【０００８】又、支持体上にＣＶＤ法により薄膜を形成
する装置であって、支持体上に薄膜を形成するＣＶＤ装
置と、前記支持体に超音波振動を作用させる超音波装置
とを具備することを特徴とする薄膜形成装置によって達
成される。尚、ＣＶＤがＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄである場合には、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法
により、例えばダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成
する装置であって、真空槽と、この真空槽内に配設され
た支持体に対向した位置にあるプラズマ反応管と、この
プラズマ反応管にマイクロ波を導入するマイクロ波導入
手段と、前記プラズマ反応管に炭化水素系の反応ガスを
供給する反応ガス供給手段と、前記支持体に超音波振動
を作用させる超音波装置とを具備するものである。
する装置であって、支持体上に薄膜を形成するＣＶＤ装
置と、前記支持体に超音波振動を作用させる超音波装置
とを具備することを特徴とする薄膜形成装置によって達
成される。尚、ＣＶＤがＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄである場合には、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法
により、例えばダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成
する装置であって、真空槽と、この真空槽内に配設され
た支持体に対向した位置にあるプラズマ反応管と、この
プラズマ反応管にマイクロ波を導入するマイクロ波導入
手段と、前記プラズマ反応管に炭化水素系の反応ガスを
供給する反応ガス供給手段と、前記支持体に超音波振動
を作用させる超音波装置とを具備するものである。
【０００９】すなわち、上記技術を用いて５０〜１５０
Å厚さのダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する
と、成膜時に１５〜１００ｋＨｚで振幅０．０１〜１０
μｍ、特に２５〜３０ｋＨｚで振幅が約１μｍ程度の超
音波が支持体に作用しており、これに起因して均一な厚
さのダイヤモンドライクカーボン薄膜が形成されていた
のである。
Å厚さのダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する
と、成膜時に１５〜１００ｋＨｚで振幅０．０１〜１０
μｍ、特に２５〜３０ｋＨｚで振幅が約１μｍ程度の超
音波が支持体に作用しており、これに起因して均一な厚
さのダイヤモンドライクカーボン薄膜が形成されていた
のである。
【００１０】本発明でダイヤモンドライクカーボン膜を
成膜する為に用いられる反応ガスとしては、例えばメタ
ン等の鎖状炭化水素、ベンゼンやシクロヘキサン等の環
状炭化水素、あるいはこれらの炭化水素と窒素やアンモ
ニア等の窒素化合物との混合物、又はピラジン、ピラゾ
リジン、ピラゾリン、ピラゾール、ピリジン、ピリダジ
ン、ピリミジン、ピペリジン、ピペラジン、イミダゾー
ル、ピロール、あるいはこれらの同族体や誘導体のよう
な窒素含有環状炭化水素などが用いられる。
成膜する為に用いられる反応ガスとしては、例えばメタ
ン等の鎖状炭化水素、ベンゼンやシクロヘキサン等の環
状炭化水素、あるいはこれらの炭化水素と窒素やアンモ
ニア等の窒素化合物との混合物、又はピラジン、ピラゾ
リジン、ピラゾリン、ピラゾール、ピリジン、ピリダジ
ン、ピリミジン、ピペリジン、ピペラジン、イミダゾー
ル、ピロール、あるいはこれらの同族体や誘導体のよう
な窒素含有環状炭化水素などが用いられる。
【００１１】プラズマ反応管内に反応ガスを供給する位
置は、マイクロ波導入部とＥＣＲ点との間の位置である
ことが好ましい。すなわち、このような位置に反応ガス
を供給させると、反応ガスのプラズマ化が効率よく行わ
れ、均一、かつ、良好な薄膜が形成されていた。又、反
応ガスを供給する反応ガス供給手段（例えば、パイプ）
の先端部に取り付けた多孔質体からプラズマ反応管内に
ガスが供給されるよう構成されていることが好ましい。
すなわち、多孔質体からプラズマ反応管内にガスが供給
されるよう構成していると、ガスは四方八方に吹き出す
ようになり、均一に、かつ、効率よく薄膜が形成されて
いた。
置は、マイクロ波導入部とＥＣＲ点との間の位置である
ことが好ましい。すなわち、このような位置に反応ガス
を供給させると、反応ガスのプラズマ化が効率よく行わ
れ、均一、かつ、良好な薄膜が形成されていた。又、反
応ガスを供給する反応ガス供給手段（例えば、パイプ）
の先端部に取り付けた多孔質体からプラズマ反応管内に
ガスが供給されるよう構成されていることが好ましい。
すなわち、多孔質体からプラズマ反応管内にガスが供給
されるよう構成していると、ガスは四方八方に吹き出す
ようになり、均一に、かつ、効率よく薄膜が形成されて
いた。
【００１２】本発明における支持体とは、ＰＥＴ等のポ
リエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン
系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂と
いった高分子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料
などが挙げられる。又、これらに蒸着手段やスパッタ手
段といった乾式メッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜
が設けられたものであっても良い。尚、金属薄膜型の磁
性膜を構成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いら
れる。
リエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン
系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂と
いった高分子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料
などが挙げられる。又、これらに蒸着手段やスパッタ手
段といった乾式メッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜
が設けられたものであっても良い。尚、金属薄膜型の磁
性膜を構成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いら
れる。
【００１３】
【実施例】図１は、本発明になる薄膜形成装置の全体概
略図である。図１中、１は金属薄膜型の磁性膜が支持体
表面に設けられた磁気記録媒体の原反、２は真空槽、３
ａは原反１の供給側ロール、３ｂは原反１の巻取側ロー
ル、４は冷却キャンローラであり、原反１は供給側ロー
ル３ａから冷却キャンローラ４を経て巻取側ロール３ｂ
に走行し、巻き取られて行くように構成されている。
略図である。図１中、１は金属薄膜型の磁性膜が支持体
表面に設けられた磁気記録媒体の原反、２は真空槽、３
ａは原反１の供給側ロール、３ｂは原反１の巻取側ロー
ル、４は冷却キャンローラであり、原反１は供給側ロー
ル３ａから冷却キャンローラ４を経て巻取側ロール３ｂ
に走行し、巻き取られて行くように構成されている。
【００１４】５は冷却キャンローラ４に対向して設けら
れているプラズマ反応管、６は炭化水素ガス供給用のパ
イプ、６ａはパイプ先端に取り付けられている直径３ｃ
ｍの球状多孔質体（ゼオライト）、７はマイクロ波の導
波管、８はＥＣＲ用コイルである。尚、球状多孔質体６
ａは、プラズマ反応管内におけるＥＣＲ点とマイクロ波
導入部との間の位置に設定されている。そして、炭化水
素ガスをパイプ６先端の球状多孔質体６ａからプラズマ
反応管５に供給し、かつ、導波管７によってプラズマ反
応管５に波長λのマイクロ波を導入して、プラズマを励
起し、マイクロ波の進行方向と同方向にＥＣＲ用コイル
８で磁場を掛け、サイクロトロン共鳴を起こさせること
により、原反１表面の金属磁性膜上にダイヤモンドライ
クカーボン膜が形成される。
れているプラズマ反応管、６は炭化水素ガス供給用のパ
イプ、６ａはパイプ先端に取り付けられている直径３ｃ
ｍの球状多孔質体（ゼオライト）、７はマイクロ波の導
波管、８はＥＣＲ用コイルである。尚、球状多孔質体６
ａは、プラズマ反応管内におけるＥＣＲ点とマイクロ波
導入部との間の位置に設定されている。そして、炭化水
素ガスをパイプ６先端の球状多孔質体６ａからプラズマ
反応管５に供給し、かつ、導波管７によってプラズマ反
応管５に波長λのマイクロ波を導入して、プラズマを励
起し、マイクロ波の進行方向と同方向にＥＣＲ用コイル
８で磁場を掛け、サイクロトロン共鳴を起こさせること
により、原反１表面の金属磁性膜上にダイヤモンドライ
クカーボン膜が形成される。
【００１５】９は超音波発生装置であり、この超音波発
生装置９からの超音波振動が冷却キャンローラ４に作用
する。従って、冷却キャンローラ４に沿って走行してい
る原反１に超音波振動が作用するようになっている。１
０はバイアス電源であり、金属磁性膜に５０Ｖのバイア
ス電圧が掛かっている。
生装置９からの超音波振動が冷却キャンローラ４に作用
する。従って、冷却キャンローラ４に沿って走行してい
る原反１に超音波振動が作用するようになっている。１
０はバイアス電源であり、金属磁性膜に５０Ｖのバイア
ス電圧が掛かっている。
【００１６】上記のように構成させた薄膜形成装置を用
いて、５ｍ／ｍｉｎの速度で走行する原反１表面の金属
磁性膜上に７０Å厚さのダイヤモンドライクカーボン膜
を形成した。尚、マイクロ波の周波数は２．４５ＧＨ
ｚ、出力は１０００Ｗ、ＥＣＲ磁場は８７５Ｇａｕｓｓ
であり、供給ガスはＣＨ4 ＋Ｈ2 （供給量が５０ｓｃｃ
ｍ＋５０ｓｃｃｍ）である。
いて、５ｍ／ｍｉｎの速度で走行する原反１表面の金属
磁性膜上に７０Å厚さのダイヤモンドライクカーボン膜
を形成した。尚、マイクロ波の周波数は２．４５ＧＨ
ｚ、出力は１０００Ｗ、ＥＣＲ磁場は８７５Ｇａｕｓｓ
であり、供給ガスはＣＨ4 ＋Ｈ2 （供給量が５０ｓｃｃ
ｍ＋５０ｓｃｃｍ）である。
【００１７】又、原反１には、２５ｋＨｚで振幅１μｍ
程度の超音波振動を作用させた。このようにして得られ
たダイヤモンドライクカーボン膜の厚さをオージェ電子
分光により評価した処、±０．１％の範疇にあり、広範
囲にわたって極めて均一性が高いものであった。これに
対して、超音波振動を作用させていない従来のＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置により成膜させたダイヤモンドライク
カーボン膜の厚さをオージェ電子分光により評価した
処、±８％の変動が認められ、均一性は充分なものでな
かった。
程度の超音波振動を作用させた。このようにして得られ
たダイヤモンドライクカーボン膜の厚さをオージェ電子
分光により評価した処、±０．１％の範疇にあり、広範
囲にわたって極めて均一性が高いものであった。これに
対して、超音波振動を作用させていない従来のＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置により成膜させたダイヤモンドライク
カーボン膜の厚さをオージェ電子分光により評価した
処、±８％の変動が認められ、均一性は充分なものでな
かった。
【００１８】
【効果】本発明によれば、極めて均一性に富むダイヤモ
ンドライクカーボン薄膜が良好に形成される。
ンドライクカーボン薄膜が良好に形成される。
【図１】薄膜形成装置の全体概略図
１ 磁気記録媒体の原反 ２ 真空槽 ４ 冷却キャンローラ ５ プラズマ反応管 ６ 炭化水素ガス供給用のパイプ ６ａ 球状多孔質体 ７ 導波管 ８ ＥＣＲ用コイル ９ 超音波発生装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野谷 博英 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 支持体上にＣＶＤ法により薄膜を形成す
る方法であって、薄膜形成時に前記支持体に超音波振動
を作用させることを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項２】 支持体上にＣＶＤ法により薄膜を形成す
る装置であって、支持体上に薄膜を形成するＣＶＤ装置
と、前記支持体に超音波振動を作用させる超音波装置と
を具備することを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18696794A JPH0849077A (ja) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18696794A JPH0849077A (ja) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0849077A true JPH0849077A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=16197866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18696794A Pending JPH0849077A (ja) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0849077A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999064085A1 (de) * | 1998-06-09 | 1999-12-16 | Franz Herbst | Verfahren zur herstellung von biokompatiblen oberflächen |
| KR20150041377A (ko) * | 2013-10-08 | 2015-04-16 | 송보경 | 플렉시블필름 박막 코팅용 연속 증착장치 |
-
1994
- 1994-08-09 JP JP18696794A patent/JPH0849077A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999064085A1 (de) * | 1998-06-09 | 1999-12-16 | Franz Herbst | Verfahren zur herstellung von biokompatiblen oberflächen |
| KR20150041377A (ko) * | 2013-10-08 | 2015-04-16 | 송보경 | 플렉시블필름 박막 코팅용 연속 증착장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4755426A (en) | Magnetic recording medium and production of the same | |
| JPH0849077A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| JPH0835069A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH0853769A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| JP3323660B2 (ja) | 磁気記録媒体と薄膜の製造方法及び薄膜の製造装置 | |
| JPH0860373A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| JPH08100266A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| JPH0860364A (ja) | ダイヤモンド状カーボン膜形成方法及びその装置 | |
| JPH0853768A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0853770A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH08193270A (ja) | ダイヤモンド状カーボン膜の形成方法及びその装置 | |
| JPH10152778A (ja) | 保護膜の形成方法 | |
| JP2743313B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3687117B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH08203074A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH08193269A (ja) | ダイヤモンド状カーボン膜形成方法及びその装置 | |
| JPH1046346A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH0849078A (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
| JPH0991688A (ja) | 保護膜、及び記録媒体 | |
| JPH08102052A (ja) | 記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH08193268A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| JPH10251858A (ja) | 保護膜製造装置及び保護膜製造方法 | |
| JPH10219458A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH07254145A (ja) | 記録媒体の製造方法 | |
| JPH1091935A (ja) | 磁気記録媒体 |