JPH10242480A

JPH10242480A - 半導体圧力センサ

Info

Publication number: JPH10242480A
Application number: JP4514097A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Eda; 和夫江田; Shuichiro Yamaguchi; 周一郎山口; Takashi Saijo; 隆司西條
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1997-02-28
Filing date: 1997-02-28
Publication date: 1998-09-11

Abstract

(57)【要約】【課題】チップサイズを大きくすることなく、感度を
向上させることのできる半導体圧力センサを提供する。【解決手段】シリコンウェハ１の一主表面にピエゾ抵
抗素子２を形成し、二主表面を、開口部５が形成された
窒化膜４をマスクとして異方性エッチングすることによ
りダイヤフラム１ａを形成する。次に、シリコンウェハ
１の二主表面を、開口部４ａが形成された窒化膜４をマ
スクとして異方性エッチングすることにより、スリット
状の溝部１ｂを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図８は、従来例に係る半導体圧力センサ
の製造工程を示す略断面図である。従来の半導体圧力セ
ンサは、先ず、厚さが約３００μｍの面方位が（１１
０）のシリコンウェハ１の一主表面に不純物のイオン注
入及びアニール処理を行うことにより後述するダイヤフ
ラム１ａ形成箇所にピエゾ抵抗素子２を形成し、シリコ
ンウェハ１の両面にＣＶＤ法等により酸化膜３及び窒化
膜４を形成する。このとき、ピエゾ抵抗素子２は、ダイ
ヤフラムの略中央に２つと、外周部に２つ形成され、４
つのピエゾ抵抗素子２及び後述するアルミニウム（Ａ
ｌ）配線６によりホイートストンブリッジ構造を構成し
ている。

【０００３】次に、所定形状にパターニングされたフォ
トレジスト（図示せず）をマスクとしてシリコンウェハ
１の二主表面に形成された酸化膜３及び窒化膜４のエッ
チングを行うことにより開口部５を形成して、プラズマ
アッシング等によりフォトレジストを除去し（図８
（ａ））、開口部５が形成された酸化膜３及び窒化膜４
をマスクとして水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液等のア
ルカリ系のエッチャントを用いてシリコンウェハ１の異
方性エッチングを行うことにより、薄肉状のダイヤフラ
ム１ａを形成する（図８（ｂ））。

【０００４】次に、ピエゾ抵抗素子２上の酸化膜３及び
窒化膜４と、シリコンウェハ１の二主表面に形成された
酸化膜３及び窒化膜４をエッチングにより除去し、シリ
コンウェハ１のピエゾ抵抗素子２が形成された面側全面
にアルミニウム（Ａｌ）層を形成し、所定形状にパター
ニングされたフォトレジスト（図示せず）をマスクとし
てエッチングを行うことにより、アルミニウム（Ａｌ）
層のパターニングを行ってアルミニウム（Ａｌ）配線６
を形成し、フォトレジストを除去する（図８（ｃ））。
最後に、シリコンウェハ１の二主表面に、ダイヤフラム
１ａに対応する箇所に、パッケージへの実装に必要な所
望の厚み（約１ｍｍ）を有し、圧力導入孔７ａを有して
成るガラス台座７を接合する（図８（ｄ））。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な構成の半導体圧力センサにおいて、必要な出力を得る
ためには、ダイヤフラム１ａの厚み（Ｄ），ダイヤフラ
ム１ａのサイズ（Ｌ）を調整する必要があり、低圧を測
定（感度を向上）しようとすればするほど、ダイヤフラ
ム１ａの厚み（Ｄ）を薄くし、ダイヤフラム１ａのサイ
ズ（Ｌ）を大きくする必要がある。

【０００６】また、必要なダイヤフラム１ａのサイズ
（Ｌ）を得るためには、シリコンウェハ１の厚みに応じ
たサイドエッチ量（ｌ）を考慮し、更に、ガラス台座７
との接合のための貼りしろ（Ａ）も確保する必要があ
る。

【０００７】更に、パッケージ（図示せず）からガラス
台座７へ、ガラス台座７からピエゾ抵抗素子２へと影響
を及ぼす熱膨張率の違いによるストレスを緩和するため
には、シリコンウェハ１の厚みができるだけ厚い方が望
ましく、結果的に感度を向上させるためにはどうしても
チップサイズが大きくなってしまうという問題があっ
た。

【０００８】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
であり、その目的とするところは、チップサイズを大き
くすることなく、感度を向上させることのできる半導体
圧力センサを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
ダイヤフラムを有する半導体基板と、該ダイヤフラム上
に形成されたピエゾ抵抗素子とを有して成る半導体圧力
センサにおいて、前記ダイヤフラム上にスリット状の溝
部を複数形成したことを特徴とするものである。

【００１０】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体圧力センサにおいて、隣接する前記スリット状の溝
部の間隔を、前記ダイヤフラムの略中央から周辺に行く
に従って、狭くするようにしたことを特徴とするもので
ある。

【００１１】請求項３記載の発明は、請求項１または請
求項２記載の半導体圧力センサにおいて、前記スリット
状の溝部の深さを、前記ダイヤフラムの略中央から周辺
に行くに従って、深くするようにしたことを特徴とする
ものである。

【００１２】請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求
項３記載の半導体圧力センサにおいて、前記溝部を前記
ダイヤフラムの前記ピエゾ抵抗素子を形成した面側に形
成したことを特徴とするものである。

【００１３】請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求
項４記載の半導体圧力センサにおいて、前記溝部を前記
ダイヤフラムの前記ピエゾ抵抗素子を形成した面と異な
る面側に形成したことを特徴とするものである。

【００１４】請求項６記載の発明は、請求項１乃至請求
項５記載の半導体圧力センサにおいて、前記溝部を、ア
ルカリ系のエッチャントを用いて異方性エッチングする
ことにより形成したことを特徴とするものである。

【００１５】請求項７記載の発明は、請求項１乃至請求
項５記載の半導体圧力センサにおいて、前記溝部を、Ｒ
ＩＥにより形成するようにしたことを特徴とするもので
ある。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面に基づき説明する。

【００１７】＝実施形態１＝図１は、本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサの
製造工程を示す略断面図であり、図２は、本実施形態に
係る半導体圧力センサの裏面から見た状態を示す略平面
図である。なお、本実施形態係る半導体圧力センサの図
１（ｂ）までの製造工程は、従来例として図８に示す
（ｂ）までの製造工程と同様であるので、ここでは説明
を省略し、図１（ｃ）の製造工程から説明する。シリコ
ンウェハ１の二主表面に形成された窒化膜４及び酸化膜
３をＣＦ₄プラズマエッチング等により除去し（図１
（ｃ））、再びシリコンウェハ１の二主表面にＣＶＤ法
等により窒化膜４を形成する。

【００１８】そして、所定形状にパターニングされたフ
ォトレジスト（図示せず）をマスクとしてシリコンウェ
ハ１の二主表面に形成された窒化膜４のエッチングを行
うことにより開口部４ａを形成し、フォトレジストを除
去する。このとき、エッチング用の開口部４ａは、図２
に示すピエゾ抵抗素子２の外側の位置のダイヤフラム１
ａの形成箇所に形成されており、この開口部４ａの大き
さを調整することによりエッチングの深さを決定するこ
とができる。

【００１９】次に、開口部４ａが形成された窒化膜４を
マスクとして、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液等のア
ルカリ系のエッチャントを用いて異方性エッチング行う
ことにより、スリット状で、かつ、Ｖ字形状の溝部１ｂ
を形成し（図１（ｄ））、シリコンウェハ１の二主表面
に形成された窒化膜４をエッチングにより除去する。こ
のとき、エッチングは、シリコンウェハ１のエッチング
面が全て（１１１）面で形成されるようになった時点で
ストップする。また、溝部１ｂは、ダイヤフラム１ａの
中央線に対して線対照となるように配置することにより
応力による歪みが最も大きくなる。

【００２０】なお、以下の工程は、従来例として図８に
示した（ｃ）からの製造工程と同様であるので、ここで
は説明を省略する。また、図１においては、開口部４ａ
は２つしか形成されていないが、実際には図２に示すよ
うに、形成する溝部１ｂの数に対応した数の開口部４ａ
が形成される。

【００２１】従って、本実施形態においては、シリコン
ウェハ１のダイヤフラム１ａに、スリット状の溝部１ｂ
を形成することによりダイヤフラム１ａに膜厚の薄い箇
所を形成するようにしたので、従来に比べて応力による
歪みが大きくなり、出力感度を向上させることができ
る。

【００２２】なお、本実施形態においては、溝部１ｂの
形成をＫＯＨ水溶液を用いて異方性エッチングにより形
成するようにしたが、これに限定される必要はなく、例
えばＲＩＥ(Reactive Ion Etching）を用いて溝部１
ｂを形成するようにしても良い。この場合、開口部４ａ
の大きさに関係なく、所望の深さの溝部１ｂを形成する
ことができる。

【００２３】また、本実施形態においては、シリコンウ
ェハ１として面方位が（１１０）面のものを用いた場合
について説明したが、これに限定される必要はなく、面
方位が（１００）面のシリコンウェハを用いた場合にも
適用できる。

【００２４】＝実施形態２＝図３は、本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
の製造工程を示す略断面図であり、図４は、本実施形態
に係る半導体圧力センサの表面から見た状態を示す略平
面図である。本実施形態に係る半導体圧力センサは、先
ず、厚さが約３００μｍの面方位が（１１０）のシリコ
ンウェハ１の一主表面に不純物のイオン注入及びアニー
ル処理を行うことにより後述するダイヤフラム１ａ形成
箇所にピエゾ抵抗素子２を形成し、シリコンウェハ１の
両面にＣＶＤ法等により酸化膜３及び窒化膜４を形成す
る。このとき、ピエゾ抵抗素子２は、ダイヤフラムの略
中央に２つと、外周部に２つ形成され、４つのピエゾ抵
抗素子２及び後述する配線７によりホイートストンブリ
ッジ構造を構成している。

【００２５】次に、所定形状にパターニングされたフォ
トレジスト（図示せず）をマスクとしてシリコンウェハ
１の両面に形成された酸化膜３及び窒化膜４のエッチン
グを行うことにより開口部５ａ，５ｂを形成して、プラ
ズマアッシング等によりフォトレジストを除去する（図
３（ａ））。

【００２６】このとき、開口部５ａは後述する溝部１ｂ
形成箇所上に形成され、開口部５ｂは後述するダイヤフ
ラム１ａが所望の大きさになるようにサイズを調整す
る。

【００２７】そして、開口部５ａ，５ｂが形成された酸
化膜３及び窒化膜４をマスクとして水酸化カリウム（Ｋ
ＯＨ）水溶液等のアルカリ系のエッチャントを用いてシ
リコンウェハ１の異方性エッチングを行うことにより、
薄肉状のダイヤフラム１ａを形成するとともに、シリコ
ンウェハ１のピエゾ抵抗素子２が形成された面側にスリ
ット状の溝部１ｂを形成する（図３（ｂ））。このと
き、溝部１ｂのエッチングは、シリコンウェハ１のエッ
チング面が全て（１１１）面で形成されるようになった
時点でストップする。また、溝部１ｂは、ダイヤフラム
１ａの中央線に対して線対照となるように配置すること
により応力による歪みが最も大きくなる。

【００２８】なお、以下の工程は、従来例として図８に
示した（ｃ）からの工程と同様であるので、ここでは説
明を省略する。また、図３においては、開口部５ａは２
つしか形成されていないが、実際には図４に示すよう
に、形成する溝部１ｂの数に対応した数の開口部５ａが
形成される。

【００２９】従って、本実施形態においては、シリコン
ウェハ１のダイヤフラム１ａに、スリット状の溝部１ｂ
を形成することによりダイヤフラム１ａに膜厚の薄い箇
所を形成するようにしたので、従来に比べて応力による
歪みが大きくなり、出力感度を向上させることができ
る。

【００３０】また、本実施形態においては、ダイヤフラ
ム１ａ形成の際の異方性エッチングと同時に、溝部１ｂ
を形成するようにしたので、実施形態１よりも少ない工
程数で、応力による歪みを大きくして、出力感度を向上
させることができる。

【００３１】なお、本実施形態においては、シリコンウ
ェハ１として面方位が（１１０）面のものを用いた場合
について説明したが、これに限定される必要はなく、面
方位が（１００）面のシリコンウェハを用いた場合にも
適用できる。

【００３２】＝実施形態３＝図５は、本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
の製造工程を示す略断面図である。なお、本実施形態に
係る半導体圧力センサの表面から見た状態を示す略平面
図は、図４と同様である。また、本実施形態に係る図５
（ｂ）までの製造工程は、従来例として図８に示す
（ｂ）までの製造工程と同様であるので、ここでは説明
を省略し、図５（ｃ）の製造工程から説明する。所定形
状にパターニングされたフォトレジスト（図示せず）を
マスクとして、シリコンウェハ１のピエゾ抵抗素子２が
形成された面側の窒化膜４及び酸化膜３のエッチングを
行うことにより開口部５ａを形成し、フォトレジストを
除去する。このとき、開口部５ａは、溝部１ｂ形成箇所
上に形成される。

【００３３】そして、開口部５ａが形成された酸化膜３
及び窒化膜４をマスクとしてＲＩＥにより、溝部１ｂが
所望の深さになるまでエッチングを行う（図５
（ｃ））。このとき、溝部１ｂは、ダイヤフラム１ａの
中央線に対して線対照となるように配置することにより
応力による歪みが最も大きくなる。

【００３４】なお、以下の工程は、従来例として図８に
示した（ｃ）からの工程と同様であるので、ここでは説
明を省略する。また、図５においては、開口部５ａは２
つしか形成されていないが、実際には図４に示すよう
に、形成する溝部１ｂの数に対応した数の開口部５ａが
形成される。

【００３５】従って、本実施形態においては、シリコン
ウェハ１のダイヤフラム１ａに、スリット状の溝部１ｂ
を形成することによりダイヤフラム１ａに膜厚の薄い箇
所を形成するようにしたので、従来に比べて応力による
歪みが大きくなり、出力感度を向上させることができ
る。

【００３６】また、本実施形態においては、ＲＩＥによ
り溝部１ｂを形成するようにしたので、開口部４ａの大
きさに関係なく、所望の深さの溝部１ｂを形成すること
ができる。

【００３７】なお、本実施形態においては、シリコンウ
ェハ１として面方位が（１１０）面のものを用いた場合
について説明したが、これに限定される必要はなく、面
方位が（１００）面のシリコンウェハを用いた場合にも
適用できる。

【００３８】＝実施形態４＝図６は、本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
を示す模式図であり、（ａ）は上面から見た状態を示す
略平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’での略断面
図である。本実施形態に係る半導体圧力センサの製造工
程は、実施形態２として図３に示す半導体圧力センサの
製造工程と同様であるので、異なる点についてのみ説明
する。本実施形態の半導体圧力センサは、図６に示すよ
うに、ダイヤフラム１ａの略中央から周辺にいくに従っ
て、隣接するスリット状の溝部１ｂの間隔を狭くした構
成である。

【００３９】本実施形態においては、図３（ａ）におけ
る開口部５ａを、図６（ａ）の溝部１ｂの形成箇所上に
形成するようにする。

【００４０】従って、本実施形態においては、シリコン
ウェハ１のダイヤフラム１ａに、スリット状の溝部１ｂ
を形成することによりダイヤフラム１ａに膜厚の薄い箇
所を形成するようにしたので、従来に比べて応力による
歪みが大きくなり、出力感度を向上させることができ
る。

【００４１】また、ダイヤフラム１ａの周辺にいくに従
って、隣接するスリット状の溝部１ｂの間隔を狭くする
ようにしたので、ダイヤフラム１ａの周辺部では応力に
よる歪みがさらに大きくなり、逆にダイヤフラム１ａの
中央部では応力による歪みが小さくなるため、さらに感
度を向上させることができる。

【００４２】また、本実施形態においては、シリコンウ
ェハ１として面方位が（１１０）面のものを用いた場合
について説明したが、これに限定される必要はなく、面
方位が（１００）面のシリコンウェハを用いた場合にも
適用できる。

【００４３】また、本実施形態においては、溝部１ｂを
ダイヤフラム１ａのピエゾ抵抗素子２が形成された面側
に形成されたが、これに限定される必要はなく、ダイヤ
フラム１ａのピエゾ抵抗素子２が形成された面と異なる
面側に形成するようにしても同様の効果が得られる。

【００４４】なお、本実施形態においては、ダイヤフラ
ム１ａの略中央から周辺にいくに従って、隣接する溝部
１ｂの間隔を狭くするようにしたが、これに限定される
必要はなく、ダイヤラム１ａの周辺部での応力による歪
みが大きくなり、ダイヤフラム１ａの中央部での応力に
よる歪みが小さくなるように溝部１ｂを配置すればよ
い。

【００４５】＝実施形態５＝図７は、本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
を示す模式図であり、（ａ）は上面から見た状態を示す
略平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ’での略断面
図である。本実施形態に係る半導体圧力センサの製造工
程は、実施形態２として図３に示す半導体圧力センサの
製造工程と同様であるので、異なる点についてのみ説明
する。本実施形態の半導体圧力センサは、図７に示すよ
うに、ダイヤフラム１ａの略中央から周辺にいくに従っ
て、スリット状の溝部１ｂの深さを深くした構成であ
る。

【００４６】本実施形態においては、図３（ａ）におけ
る開口部５ａの開口の幅を、ダイヤフラム１ａの周辺部
にいくに従って広くすることにより、ダイヤフラム１ａ
の略中央から周辺にいくに従って、スリット状の溝部１
ｂの深さを深くすることができる。

【００４７】従って、本実施形態においては、シリコン
ウェハ１のダイヤフラム１ａに、スリット状の溝部１ｂ
を形成することによりダイヤフラム１ａに膜厚の薄い箇
所を形成するようにしたので、従来に比べて応力による
歪みが大きくなり、出力感度を向上させることができ
る。

【００４８】また、ダイヤフラム１ａの周辺にいくに従
って、溝部１ｂの深さを深くするようにしたので、ダイ
ヤフラム１ａの周辺部では応力による歪みがさらに大き
くなり、逆にダイヤフラム１ａの中央部では応力による
歪みが小さくなるため、さらに感度を向上させることが
できる。

【００４９】また、本実施形態においては、シリコンウ
ェハ１として面方位が（１１０）面のものを用いた場合
について説明したが、これに限定される必要はなく、面
方位が（１００）面のシリコンウェハを用いた場合にも
適用できる。

【００５０】また、本実施形態においては、溝部１ｂを
ダイヤフラム１ａのピエゾ抵抗素子２が形成された面側
に形成されたが、これに限定される必要はなく、ダイヤ
フラム１ａのピエゾ抵抗素子２が形成された面と異なる
面側に形成するようにしても同様の効果が得られる。

【００５１】なお、本実施形態においては、ダイヤフラ
ム１ａの略中央から周辺にいくに従って、溝部１ｂ深さ
を深くするようにしたが、これに限定される必要はな
く、ダイヤラム１ａの周辺部での応力による歪みが大き
くなり、ダイヤフラム１ａの中央部での応力による歪み
が小さくなるように溝部１ｂを形成すればよい。

【００５２】

【発明の効果】請求項１記載の発明は、ダイヤフラムを
有する半導体基板と、ダイヤフラム上に形成されたピエ
ゾ抵抗素子とを有して成る半導体圧力センサにおいて、
ダイヤフラム上にスリット状の溝部を複数形成したの
で、ダイヤフラムに膜厚の薄い箇所を形成することにな
り、応力による歪みが大きくなって出力感度が向上し、
チップサイズを大きくすることなく、感度を向上させる
ことのできる半導体圧力センサを提供することができ
た。

【００５３】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体圧力センサにおいて、隣接するスリット状の溝部の
間隔を、ダイヤフラムの略中央から周辺に行くに従っ
て、狭くするようにしたので、ダイヤフラムの周辺部で
は応力による歪みがさらに大きくなり、逆にダイヤフラ
ムの中央部では応力による歪みが小さくなるため、さら
に感度を向上させることができる。

【００５４】請求項３記載の発明は、請求項１または請
求項２記載の半導体圧力センサにおいて、スリット状の
溝部の深さを、ダイヤフラムの略中央から周辺に行くに
従って、深くするようにしたので、ダイヤフラムの周辺
部では応力による歪みがさらに大きくなり、逆にダイヤ
フラムの中央部では応力による歪みが小さくなるため、
さらに感度を向上させることができる。

【００５５】請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求
項３記載の半導体圧力センサにおいて、溝部をダイヤフ
ラムのピエゾ抵抗素子を形成した面側に形成したので、
ダイヤフラム形成と同時に、溝部１ｂを形成することが
でき、工程数を増やすことなく、応力による歪みを大き
くして出力感度を向上させることができる。

【００５６】請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求
項４記載の半導体圧力センサにおいて、溝部をダイヤフ
ラムのピエゾ抵抗素子を形成した面と異なる面側に形成
したので、ダイヤフラムに膜厚の薄い箇所を形成するこ
とになり、応力による歪みが大きくなって出力感度が向
上する。

【００５７】請求項６記載の発明は、請求項１乃至請求
項５記載の半導体圧力センサにおいて、溝部をアルカリ
系のエッチャントを用いて異方性エッチングすることに
より形成したものである。

【００５８】請求項７記載の発明は、請求項１乃至請求
項５記載の半導体圧力センサにおいて、溝部をＲＩＥに
より形成するようにしたので、エッチングのためのマス
クの開口部の大きさに関係なく所望の深さの溝部を形成
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサの
製造工程を示す略断面図である。

【図２】本実施形態に係る半導体圧力センサの裏面から
見た状態を示す略平面図である。

【図３】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
の製造工程を示す略断面図である。

【図４】本実施形態に係る半導体圧力センサの表面から
見た状態を示す略平面図である。

【図５】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
の製造工程を示す略断面図である。

【図６】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
を示す模式図であり、（ａ）は上面から見た状態を示す
略平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’での略断面
図である。

【図７】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
を示す模式図であり、（ａ）は上面から見た状態を示す
略平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ’での略断面
図である。

【図８】従来例に係る半導体圧力センサの製造工程を示
す略断面図である。

【符号の説明】

１シリコンウェハ１ａダイヤフラム１ｂ溝部２ピエゾ抵抗素子３酸化膜４窒化膜４ａ開口部５，５ａ，５ｂ開口部６アルミニウム（Ａｌ）配線７ガラス台座７ａ圧力導入孔

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ダイヤフラムを有する半導体基板と、該
ダイヤフラム上に形成されたピエゾ抵抗素子とを有して
成る半導体圧力センサにおいて、前記ダイヤフラム上に
スリット状の溝部を複数形成したことを特徴とする半導
体圧力センサ。
【請求項２】隣接する前記スリット状の溝部の間隔
を、前記ダイヤフラムの略中央から周辺に行くに従っ
て、狭くするようにしたことを特徴とする請求項１記載
の半導体圧力センサ。
【請求項３】前記スリット状の溝部の深さを、前記ダ
イヤフラムの略中央から周辺に行くに従って、深くする
ようにしたことを特徴とする請求項１または請求項２記
載の半導体圧力センサ。
【請求項４】前記溝部を前記ダイヤフラムの前記ピエ
ゾ抵抗素子を形成した面側に形成したことを特徴とする
請求項１乃至請求項３記載の半導体圧力センサ。
【請求項５】前記溝部を前記ダイヤフラムの前記ピエ
ゾ抵抗素子を形成した面と異なる面側に形成したことを
特徴とする請求項１乃至請求項４記載の半導体圧力セン
サ。
【請求項６】前記溝部を、アルカリ系のエッチャント
を用いて異方性エッチングすることにより形成したこと
を特徴とする請求項１乃至請求項５記載の半導体圧力セ
ンサ。
【請求項７】前記溝部を、ＲＩＥにより形成するよう
にしたことを特徴とする請求項１乃至請求項５記載の半
導体圧力センサ。