JPH10242018A - 露光光学系 - Google Patents

露光光学系

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JPH10242018A
JPH10242018A JP5252397A JP5252397A JPH10242018A JP H10242018 A JPH10242018 A JP H10242018A JP 5252397 A JP5252397 A JP 5252397A JP 5252397 A JP5252397 A JP 5252397A JP H10242018 A JPH10242018 A JP H10242018A
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JP
Japan
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mirror
light beam
light
optical system
exposure
Prior art date
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Pending
Application number
JP5252397A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Uehara
誠 上原
Shinichi Nagata
信一 永田
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MEJIRO PRECISION KK
Mejiro Precision KK
Original Assignee
MEJIRO PRECISION KK
Mejiro Precision KK
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Publication date
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Publication of JPH10242018A publication Critical patent/JPH10242018A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低コストかつ光路長が短いにもかかわらず、
平行度の優れた露光光学系を提供すること。 【解決手段】 光源10と、集光手段20と、2次光源
作成手段30と、コリメーター40と、ミラー50から
成る露光光学系において、光線Aのミラー50への入射
角をθとし、光線Bと光線Aの平行誤差をφとしたと
き、光線Bのミラー50への入射角がθ+φ/2となる
ようにミラー50を弾性変形させる。ただし、光線Aは
ミラー50へ入射する光軸上の主光線、光線Bはミラー
50へ入射する光軸外を通る主光線である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクに描かれた
パターンを半導体基板やガラス基板等(以下基板とい
う)に露光する装置に関し、特にマスクと基板の間に微
少な間隔を隔てて露光するいわゆるプロキシミティ露光
装置の光学系に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のプロキシミティ露光装置の光学系
は9図のような構成になっている。すなわち、ランプ1
1から出た光を楕円鏡21で2次光源作成手段30に集
め、ここに2次光源を作る。2次光源から出た光はコリ
メーター40によって平行光に変換され、露光面60に
設置されたマスクと基板を照射する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ここで、コ
リメーター40の性能が不十分で、光線の平行度に誤差
があると、マスク上の場所によって光線の照射角が異な
ることになる。たとえば、図2において、プロキシミテ
ィギャップ65が500ミクロンで、光線の平行度に
0.1度の誤差がある場合、マスク61に描かれたパタ
ーン62の転写位置ズレ66は0.9ミクロンになり、
半導体や液晶の製造に支障をきたす。このため、従来は
コリメーター40の性能を高めるべく以下の2つのアプ
ローチがとられてきた。
【0004】第1は、コリメーターに放物面鏡を使うア
プローチである。図3のような軸外し放物面鏡を使用す
れば、1点から出た光を完全な平行光に変換できること
は広く知られている。しかし、軸外し放物面を製作する
には、図3のように軸を含む直径Dの放物面の生成が必
要であることに加え、曲率が鏡の場所によって変化する
ため研磨が容易でない。このため、コリメーターに軸外
し放物面鏡を使うときわめてコストが高くなるという弊
害がある。
【0005】第2は、コリメーターに球面鏡を使い、そ
の焦点距離をできるだけ長くするアプローチである。1
点から出た光を球面鏡で平行光に変換しようとすると、
球面収差によって平行誤差が発生する。ここで、平行誤
差は球面鏡のFナンバー(焦点距離を口径で割った値)
の2乗に逆比例するので、焦点距離を長くすれば平行誤
差を実用上支障のないレベルまで引き下げることができ
る。だいたい、Fナンバーを5以上にとれば実用上支障
ないレベルになる。しかし、焦点距離を長くすると光路
長が長くなるという弊害がある。特に近年は液晶基板の
大面積化が進み、露光サイズも対角で1m程度のが必要
になった。この場合には焦点距離が5mも必要になり、
2次光源から露光面までの光路長は10mにもなる。装
置がこんなに大きくなっては装置コストが上昇するだけ
でなく、高価なクリーンルームの占有面積も増してしま
う。そこで、本発明は装置コストを上昇させることな
く、かつ装置サイズを増大させることなく、露光光の平
行度の改善された露光光学系を提供することを課題とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】光源10と、集光手段2
0と、2次光源作成手段30と、コリメーター40と、
ミラー50から成る露光光学系において、光線Aのミラ
ー50への入射角をθとし、光線Bと光線Aの平行誤差
をφとしたとき、光線Bのミラー50への入射角がθ+
φ/2となるようにミラー50を弾性変形させる。ただ
し、光線Aはミラー50へ入射する光軸上の主光線、光
線Bはミラー50へ入射する光軸外を通る主光線であ
る。
【0007】
【発明の実施の形態】本実施形態は740mm×620
mmの領域を均一強度の紫外光(主波長365nm)で
露光するため光学系で、1図にその構成を示す。10は
光源であり、本実施形態においては超高圧水銀灯が用い
られているが、基板上に塗布される感光材料によっては
キセノン水銀ランプ等へも代替可能である。20は集光
手段であり、本実施形態においては楕円鏡が用いられて
いる。集光手段にはこの他、球面鏡、コンデンサーレン
ズなどが含まれる。30は2次光源作成手段である。本
実施形態においてはロッド31とレンズ33から成る。
集光手段20によって集光された光はロッド31に投入
され、その内部で全反射を繰り返し、出射端面32で均
一な光強度分布になる。レンズ33はロッドの出射端面
32を露光面60に拡大投影し、均一な照度分布での露
光を実現する。2次光源作成手段には、図4のようなフ
ライアイレンズも含まれる。これは光束を分割重畳させ
ることによって露光面60で均一な照度分布を実現する
ものである。
【0008】コリメーター40には球面鏡が用いられ
る。これは2次光源から2.46mの位置に配置され、
その焦点距離は2.5m、口径は840mm×720m
mである。軸外し角は28度に設置されている。本発明
では後述するように光線の平行度の補正をミラー50で
行うので、コリメーターには高価な軸外し放物面鏡を使
う必要もなければ、球面鏡の焦点距離をむやみに長くす
る必要もない。しかし、もちろんコリメーターは球面鏡
に限られるものではなく、他の非球面鏡とレンズを含
む。
【0009】ミラー50は5mm厚のガラスにアルミニ
ウムを蒸着したもので、そのサイズは980mm×84
0mmである。このミラーはホルダー51に収納されて
いる。図5はミラー50が完全な平面の場合に、露光面
60における光線の平行度を表したものである。矢印の
起点は露光面60上の位置を表し、矢印の方向は光線の
倒れ方向を表している。そして、矢印の長さが光線の平
行度を示している。コリメーター40に球面収差がある
ため平行度は最悪0.42度に達しており、露光位置誤
差が無視できない。次に図6はミラー50を図7のよう
な形状に弾性変形させた場合の光線の平行度を表したも
のである。ミラー50は比較的薄いため容易に変形でき
る。図7はミラー50の等高線図であり、ミラー50は
±2ミリほど変形されていることがわかる。図6にある
ように、平行度は最悪値でも0.06度と実用上支障の
ないレベルにまで改善されている。ここで、ミラー50
の理想形状の求めかたについて図8を用いて説明する。
以下の説明において、光線Aはミラー50へ入射する光
軸上の主光線、光線Bはミラー50へ入射する光軸外を
通る主光線である。
【0010】ここで、光線Aと、光線Aがミラー50に
入射する点でのミラーの法線Nのなす角をθとする。ま
た、光線Aがミラー50で反射した後の光線をPとす
る。光線Pは法線Nと角θをなし、かつ光線Aと法線N
が作る面内にある。一方、光線Bと光線Aの平行誤差を
φとしたとき、光線Bがミラー50で反射した後光線P
と平行になるには、図8のように光線Bがミラー50に
入射する点でのミラーの法線Mをφ/2だけ傾ければよ
い。
【0011】以上の操作をミラー50の多くの点で繰り
返せば、ミラー50の各点の傾きが決まる。これを全面
にわたって積分すればミラー50の理想形状が決まる。
一方、上記理想形状を研磨によって創生すると、きわめ
てコストが高くなる。そこで、本発明の好適な実施の形
態においては、上記形状はミラー50を弾性変形させる
ことによって得ている。ミラー50をホルダー51に入
れていくつかの場所に圧力をかけた場合に生じる弾性変
形量は、上記理想形状とはわずかに異なる。このため、
ミラー50で反射した後、必ずしも光束は平行にならな
いが、図6に見られる通り、0.06度の残存量であれ
ば実用上支障はない。また図7に見られる通り変形量は
±2ミリ程度で足り、ミラー50の弾性変形の領域内で
ある。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、露光光束の平行度を改
善するのにコリメーターを非球面化する必要がない。こ
のため、コリメーターに非球面鏡を用いた露光光学系に
比較して露光光学系のコストを下げることができる。
【0013】さらに、本発明によれば、露光光束の平行
度を改善するのにコリメーターの焦点距離を長くする必
要もない。従って、露光光学系の全光路長を短くするこ
とができ、ひいては露光装置の設置床面積を小さくでき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる露光光学系の全体構成図であ
る。
【図2】露光光の平行度の誤差がパターンの転写ずれの
原因になることを説明する図である。
【図3】軸外し放物面鏡を説明する図である。
【図4】フライアイレンズを表す図である。
【図5】ミラー50で補正をしない場合の露光光の平行
度を表す図である。
【図6】ミラー50で補正をした場合の露光光の平行度
を表す図である。
【図7】ミラー50の弾性変形量を表す等高線図であ
る。
【図8】光線A、Bがミラー50へ入射する様子を説明
する図である。
【図9】従来の露光光学系を説明する図である。
【符号の説明】
10 光源 20 集光手段 30 2次光源作成手段 40 コリメーター 50 ミラー

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光源10と、集光手段20と、2次光源作
    成手段30と、コリメーター40と、ミラー50から成
    る露光光学系において、光線Aのミラー50への入射角
    をθとし、光線Bと光線Aの平行誤差をφとしたとき、
    光線Bのミラー50への入射角がθ+φ/2となるよう
    にミラー50を弾性変形させたことを特徴とする露光光
    学系。ただし、光線Aはミラー50へ入射する光軸上の
    主光線、光線Bはミラー50へ入射する光軸外を通る主
    光線である。
JP5252397A 1997-02-21 1997-02-21 露光光学系 Pending JPH10242018A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013011715A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Hitachi High-Technologies Corp 露光方法及びその装置

Cited By (2)

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JP2013011715A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Hitachi High-Technologies Corp 露光方法及びその装置
KR101432888B1 (ko) * 2011-06-29 2014-08-21 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 노광 방법 및 그 장치

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