JPH10229158A - Semiconductor device for high frequency - Google Patents
Semiconductor device for high frequencyInfo
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- JPH10229158A JPH10229158A JP24113297A JP24113297A JPH10229158A JP H10229158 A JPH10229158 A JP H10229158A JP 24113297 A JP24113297 A JP 24113297A JP 24113297 A JP24113297 A JP 24113297A JP H10229158 A JPH10229158 A JP H10229158A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、高周波電力用半導体装
置に関し、特に、高周波電力用の半導体チップと、該半
導体チップがダイボンディングされている支持金属板
と、半導体チップの信号用電極とボンディングワイヤー
等により電気的に接続された外部リードとがモールド樹
脂によりパッケージされた高周波電力用半導体装置に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device for high-frequency power, and more particularly to a semiconductor chip for high-frequency power, a supporting metal plate to which the semiconductor chip is die-bonded, and a signal electrode of the semiconductor chip. The present invention relates to a high-frequency power semiconductor device in which external leads electrically connected by wires or the like are packaged with a mold resin.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体チップと、該半導体チップがダイ
ボンディングされている支持金属板と、半導体チップの
信号用電極と電気的に接続された外部リードとが樹脂に
よりモールドされた高周波電力用半導体装置は、コスト
的に安価であると共に量産性に富んでいるため、現在最
も汎用的に用いられている。2. Description of the Related Art A high-frequency power semiconductor device in which a semiconductor chip, a supporting metal plate to which the semiconductor chip is die-bonded, and external leads electrically connected to signal electrodes of the semiconductor chip are molded with resin. Is currently most commonly used because it is inexpensive and rich in mass production.
【０００３】従来、樹脂モールドパッケージよりなる高
周波電力用半導体装置が用いられる機器は、テレビ、ビ
デオ及びパーソナルコンピューター等であって、その動
作周波数は高くても２００ＭＨｚ以下であった。Conventionally, devices in which a high-frequency power semiconductor device formed of a resin mold package is used include televisions, videos, personal computers, and the like, and the operating frequency is at most 200 MHz or less.
【０００４】ところが、近年の移動体通信の端末機器に
おいては１ＧＨｚから２ＧＨｚの高周波電力が用いられ
ているため、このような端末機器に搭載される高周波電
力用半導体装置においては、高い周波数に対応する対策
が必要である。数百ＭＨｚと数ＧＨｚという動作周波数
の差が高周波電力用半導体装置に及ぼす影響として、イ
ンダクタンスを低減するために接地電位の経路を最短に
しなければならないという問題がある。However, since high-frequency power of 1 GHz to 2 GHz is used in recent mobile communication terminal equipment, high-frequency power semiconductor devices mounted on such terminal equipment correspond to high frequencies. Measures are needed. The effect of the difference between the operating frequencies of several hundred MHz and several GHz on the semiconductor device for high-frequency power is that the path of the ground potential must be minimized in order to reduce the inductance.
【０００５】インダクタンスの低減に関しては、外部引
き出し用の外部リードを介してプリント基板に接地する
従来の構造を、半導体チップがダイボンディングされて
いる支持金属板を樹脂パッケージの裏面に露出させ、支
持金属板を介してプリント基板に接地する構造に変更す
ることにより、接地電位に起因するインダクタンスを低
減できる。In order to reduce the inductance, a conventional structure in which a printed circuit board is grounded via an external lead for external lead-out is provided by exposing a supporting metal plate to which a semiconductor chip is die-bonded to the back surface of a resin package. By changing to a structure in which the printed circuit board is grounded via the board, the inductance due to the ground potential can be reduced.
【０００６】ところで、移動体通信の端末機器は、高周
波電力を扱う機器であると共に、小型化及び軽量化が求
められる機器であるため、該端末機器に搭載される高周
波電力用の半導体装置においては、小型化及び軽量化が
求められている。従って、インダクタンスの低減を図る
ために樹脂パッケージを大きくすることは許されない。
また、プリント基板に実装されている高周波電力用半導
体装置の信頼性が低下することも許されない。[0006] By the way, mobile communication terminal equipment is equipment that handles high-frequency power and is also required to be reduced in size and weight. , Miniaturization and weight reduction are required. Therefore, it is not allowed to increase the size of the resin package in order to reduce the inductance.
Further, the reliability of the high-frequency power semiconductor device mounted on the printed circuit board is not allowed to decrease.
【０００７】以下、図５（ａ）〜（ｄ）を参照しなが
ら、「Fujitsu技法，47,5,pp399〜402，(9,1996)）」に
示されている従来の半導体装置について説明する。尚、
以下の説明においては、便宜上、図面の左右方向を半導
体装置の左右方向と称し、図面の上下方向を半導体装置
の前後方向と称するが、半導体装置の左右方向及び前後
方向は限定されるものではない。図５（ａ）〜（ｄ）は
従来の高周波電力用半導体装置を示しており、（ａ）は
平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＶ−Ｖ線の断面図、
（ｃ）は正面図、（ｄ）は裏面図である。The conventional semiconductor device shown in "Fujitsu technique, 47, 5, pp. 399 to 402, (9, 1996)" will be described below with reference to FIGS. 5 (a) to 5 (d). . still,
In the following description, for convenience, the left-right direction of the drawing is referred to as the left-right direction of the semiconductor device, and the up-down direction of the drawing is referred to as the front-back direction of the semiconductor device. However, the left-right direction and the front-back direction of the semiconductor device are not limited. . 5A to 5D show a conventional high-frequency power semiconductor device, in which FIG. 5A is a plan view, FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line VV in FIG.
(C) is a front view, and (d) is a back view.
【０００８】図５（ａ）〜（ｄ）に示すように、リード
フレームから切り離された支持金属板１００の上に図示
しない高周波電力用の半導体チップがダイボンディング
され、支持金属板１００及び半導体チップは、同じくリ
ードフレームから切り離された外部リード１０１と共に
扁平な直方体状の樹脂パッケージ１０２にモールドされ
ている。図示は省略しているが、半導体チップの信号用
電極はボンディングワイヤー等により外部リード１０１
と電気的に接続されている。この場合、外部リード１０
１は樹脂パッケージ１０２の互いに対向する一対の側面
から外部に突出している。As shown in FIGS. 5A to 5D, a high-frequency power semiconductor chip (not shown) is die-bonded on a supporting metal plate 100 separated from the lead frame, and the supporting metal plate 100 and the semiconductor chip are separated from each other. Are molded in a flat rectangular parallelepiped resin package 102 together with external leads 101 similarly separated from the lead frame. Although not shown, the signal electrodes of the semiconductor chip are connected to the external leads 101 by bonding wires or the like.
Is electrically connected to In this case, the external lead 10
Numeral 1 protrudes outward from a pair of opposing side surfaces of the resin package 102.
【０００９】支持金属板１００は、幅寸法が大きい中央
部１００ａと、該中央部１００ａの前後両側に位置する
幅寸法が小さい側部１００ｂとからなる。支持金属板１
００の各側部１００ｂには樹脂パッケージ１０２の底面
に対してＵ字状に上側へ突出する突出部１００ｃが形成
されており、該突出部１００ｃの裏面側に形成される樹
脂収納用凹部１００ｄには樹脂パッケージ１０２の樹脂
が充填されている。The supporting metal plate 100 includes a central portion 100a having a large width, and side portions 100b having a small width located on both front and rear sides of the central portion 100a. Support metal plate 1
A protrusion 100c is formed on each side portion 100b of the resin package 102 so as to protrude upward in a U-shape with respect to the bottom surface of the resin package 102, and the resin storage recess 100d formed on the back side of the protrusion 100c. Is filled with the resin of the resin package 102.
【００１０】このように、支持金属板１００の樹脂収納
用凹部１００ｄに樹脂パッケージ１０２の樹脂が充填さ
れているため、支持金属板１００に強い引張り力又は外
部圧力が加わった場合に、支持金属板１００が樹脂パッ
ケージ１０２から離脱する事態が防止される。As described above, since the resin of the resin package 102 is filled in the resin accommodating recess 100d of the support metal plate 100, when the support metal plate 100 is subjected to a strong tensile force or an external pressure, the support metal plate 100 A situation in which 100 is detached from resin package 102 is prevented.
【００１１】支持金属板１００の中央部１００ａの裏面
及び各側部１００ｂの端部側の裏面は樹脂パッケージ１
０２から露出している。このように、支持金属板１００
がその裏面において樹脂パッケージ１０２から露出して
いるため、従来の半導体装置を高周波で使う場合、支持
金属板１００の裏面で接地電位に接続することができる
ので、インダクタンスの低減の防止が図られている。The back surface of the central portion 100a of the supporting metal plate 100 and the back surface of the end portion side of each side portion 100b are covered with a resin package 1.
It is exposed from 02. Thus, the supporting metal plate 100
Is exposed from the resin package 102 on the back surface thereof, so that when a conventional semiconductor device is used at a high frequency, it can be connected to the ground potential on the back surface of the supporting metal plate 100, thereby preventing the inductance from being reduced. I have.
【００１２】樹脂パッケージ１０２における前部及び後
部の各中央には直方体状の切り欠き部１０３がそれぞれ
形成されており、支持金属板１００の各側部１００ｂの
表面は樹脂パッケージ１０２の切り欠き部１０３に露出
することにより半田付け部１０４となっている。このた
め、樹脂パッケージ１０２の前後両端部においても、半
田付け部１０４を利用して接地電位に接続することがで
きる。At the center of each of the front part and the rear part of the resin package 102, a rectangular notch 103 is formed, and the surface of each side part 100b of the supporting metal plate 100 is cut at the notch 103 of the resin package 102. Is exposed to form a soldered portion 104. Therefore, the front and rear ends of the resin package 102 can also be connected to the ground potential by using the soldering portions 104.
【００１３】支持金属板１００は樹脂パッケージ１０２
の前後の各側面から突出しておらず、支持金属板１００
の前後の両側面と樹脂パッケージ１０２の前後の両側面
とは面一であって、樹脂パッケージの小型化が図られて
いる。The supporting metal plate 100 is a resin package 102
Of the supporting metal plate 100
The front and rear sides of the resin package 102 and the front and rear sides of the resin package 102 are flush with each other, and the size of the resin package is reduced.
【００１４】図６及び図７は、図５に示した従来の半導
体装置を移動体通信の端末機器に搭載した状態の半導体
装置セットを示しており、図６はプリント基板に実装し
た斜視図、図７は図６におけるVII−VII線の断面図であ
る。FIGS. 6 and 7 show a semiconductor device set in which the conventional semiconductor device shown in FIG. 5 is mounted on a terminal device for mobile communication. FIG. 6 is a perspective view showing the semiconductor device set mounted on a printed circuit board. FIG. 7 is a sectional view taken along line VII-VII in FIG.
【００１５】図６及び図７に示すように、樹脂パッケー
ジ１０２は、表面にリードパターン１１０ａ及び接地パ
ターン１１０ｂが形成されたプリント基板１１０の上に
載置された後、リードパターン１１０ａと外部リード１
０１、接地パターン１１０ｂと支持金属板１００の半田
付け部１０４及び島状に露出した裏面とは半田１１１に
よりそれぞれ接合されている。As shown in FIGS. 6 and 7, the resin package 102 is placed on a printed circuit board 110 having a lead pattern 110a and a ground pattern 110b formed on its surface, and then the lead pattern 110a and the external leads 1 are formed.
01, the ground pattern 110b and the soldered portion 104 of the supporting metal plate 100 and the back surface exposed in an island shape are joined by solder 111, respectively.
【００１６】[0016]
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来の
半導体装置においては、支持金属板１００が樹脂モール
ド１０２から離脱する事態は回避されるが、支持金属板
１００をプリント基板１１０の接地パターン１１０ｂに
確実に接合することができないと言う新たな問題が発生
する。以下、この理由について図７を参照しながら説明
する。In the above-mentioned conventional semiconductor device, the situation in which the supporting metal plate 100 is separated from the resin mold 102 can be avoided, but the supporting metal plate 100 is connected to the ground pattern 110b of the printed circuit board 110. A new problem arises in that joining cannot be performed reliably. Hereinafter, the reason will be described with reference to FIG.
【００１７】支持金属板１００をプリント基板１１０の
接地パターン１１０ｂに半田付けする工程は、接地パタ
ーン１１０ｂにおける支持金属板１００を接合する領域
に半田を塗布した後、塗布された半田の上に半導体装置
を載置し、その後、半田付け部１０４にも半田を塗布す
る。次に、プリント基板１１０の上に載置された状態の
半導体装置をオーブン内に収納して加熱すると、オーブ
ン内の熱は支持金属板１００の半田付け部１０４から中
央部１００ａに向かって伝わりながら、半田付け部１０
４及び接地パターン１１０ｂの上に塗布された半田１１
１を濡れ状態にさせる。In the step of soldering the supporting metal plate 100 to the ground pattern 110b of the printed circuit board 110, the solder is applied to a region of the ground pattern 110b where the supporting metal plate 100 is joined, and then the semiconductor device is placed on the applied solder. After that, solder is applied to the soldering portion 104. Next, when the semiconductor device placed on the printed circuit board 110 is housed in an oven and heated, the heat in the oven is transferred from the soldered portion 104 of the supporting metal plate 100 toward the central portion 100a. , Soldering part 10
4 and the solder 11 applied on the ground pattern 110b
Let 1 be wet.
【００１８】ところが、支持金属板１００の樹脂収納用
凹部１００ｄに樹脂パッケージ１０２の樹脂が充填され
ており、該樹脂が支持金属板１００の突出部１００ｃの
近傍の熱を奪うため、支持金属板１００における半田付
け部１０４の温度と中央部１００ａの温度とが異なる。
従って、接地パターン１１０ｂの上に塗布された半田１
１１の濡れ状態が不均一になる。つまり、半田１１１に
おける支持金属板１００の側部１００ｂの下側部分では
十分に濡れているにも拘わらず、半田１１１における支
持金属板１００の中央部１００ａの下側部分では十分に
濡れていないことがある。However, the resin of the resin package 102 is filled in the resin accommodating recess 100d of the supporting metal plate 100, and the resin removes heat near the protruding portion 100c of the supporting metal plate 100, so that the supporting metal plate 100 Is different from the temperature of the soldering portion 104 at the center portion 100a.
Therefore, the solder 1 applied on the ground pattern 110b
11 becomes non-uniform. That is, although the solder 111 is sufficiently wet at the lower part of the side part 100b of the support metal plate 100, the solder 111 is not sufficiently wet at the lower part of the center part 100a of the support metal plate 100. There is.
【００１９】また、半田１１１における支持金属板１０
０の側部１００ｂの下側部分の濡れ状態は、半田付け部
１０４の上に塗布された半田１１１と同じ程度であるた
め、半田付け部１０４の上の半田１１１の濡れ状態を観
測することにより確認できるが、半田１１１における支
持金属板１００の中央部１００ａの下側部分の濡れ状態
は観測することはできないので、半田１１１における支
持金属板１００の中央部１００ａの下側部分における接
合が不十分になる恐れがある。The supporting metal plate 10 in the solder 111
Since the wet state of the lower portion of the side portion 100b of the “0” is approximately the same as that of the solder 111 applied on the soldering portion 104, the wet state of the solder 111 on the soldering portion 104 can be observed. Although it can be confirmed, the wetting state of the lower part of the central part 100a of the supporting metal plate 100 in the solder 111 cannot be observed, so that the bonding at the lower part of the central part 100a of the supporting metal plate 100 in the solder 111 is insufficient. Might be.
【００２０】さらに、半田１１１における樹脂収納用凹
部１００ｄに充填された樹脂の下側部分では半田は濡れ
状態になるのが遅れるため、半田１１１は先に濡れ状態
になっている支持金属板１００の側部１００ｂの下側の
方に引き寄せられるので、半田１１１における樹脂収納
用凹部１００ｄに充填された樹脂の下側部分では、半田
１１１が途絶える領域が発生する。Further, since the solder is delayed from being wetted at the lower portion of the resin filled in the resin accommodating recess 100d in the solder 111, the solder 111 is removed from the supporting metal plate 100 which has been wetted first. Since it is drawn to the lower side of the side part 100b, an area where the solder 111 is interrupted occurs in the lower part of the resin filled in the resin accommodating recess 100d in the solder 111.
【００２１】尚、接地パターン１１０ｂは、通常極めて
薄く熱の伝達量が少ないので、半田１１１を濡れ状態に
するためには殆ど寄与しない。Since the ground pattern 110b is usually very thin and has a small amount of heat transfer, it hardly contributes to making the solder 111 wet.
【００２２】以上説明したような支持金属板１００と接
地パターン１１０ｂとの間の不十分な接合状態は、最終
の出荷検査でもチェックできないので、支持金属板１０
０と接地パターン１１０ｂとの間における熱抵抗が増加
して、プリント基板に実装されている高周波電力用半導
体装置の長期信頼性が低下するという問題がある。Since the insufficient bonding state between the supporting metal plate 100 and the ground pattern 110b as described above cannot be checked even at the final shipping inspection, the supporting metal plate 10
There is a problem that the thermal resistance between the zero and the ground pattern 110b increases, and the long-term reliability of the high-frequency power semiconductor device mounted on the printed circuit board decreases.
【００２３】前記に鑑み、本発明は、高周波電力用の半
導体装置において、支持金属板が樹脂モールドから離脱
する事態の防止と、支持金属板とプリント基板の接地パ
ターンとの間の確実な接合との両立を図り、数ＧＨｚで
動作する小型の高周波電力用半導体装置を提供すること
を目的とする。In view of the above, the present invention relates to a semiconductor device for high frequency power, in which a support metal plate is prevented from being detached from a resin mold, and a reliable connection between the support metal plate and a ground pattern of a printed circuit board is achieved. It is an object of the present invention to provide a compact high-frequency power semiconductor device operating at several GHz.
【００２４】[0024]
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、支持金属板における外部リードが突出し
ている方の側部に、支持金属板の樹脂パッケージからの
離脱を阻止する離脱阻止部を設ける一方、支持金属板の
裏面における外部リードが突出していない方の互いに対
向する一対の側辺に架けて連続して樹脂パッケージから
露出する露出部を設けることにより、支持金属板の樹脂
モールドからの離脱の防止と、支持金属板とプリント基
板の接地パターンとの間の確実な接合との両立を図るも
のである。SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention is directed to a detachable metal plate provided on a side of a support metal plate where external leads protrude, for preventing the support metal plate from being detached from a resin package. While providing the blocking portion, the resin of the supporting metal plate is provided by providing an exposed portion that is continuously exposed from the resin package over a pair of opposing sides on which the external leads do not protrude on the back surface of the supporting metal plate. An object of the present invention is to achieve both prevention of detachment from the mold and reliable connection between the supporting metal plate and the ground pattern of the printed circuit board.
【００２５】具体的には、本発明に係る高周波電力用半
導体装置は、高周波電力用の半導体チップと、表面に半
導体チップがダイボンディングされている支持金属板
と、支持金属板を周囲からはみ出させることなく且つ支
持金属板の裏面を露出させた状態で半導体チップ及び支
持金属板をモールドしている直方体状の樹脂パッケージ
と、樹脂パッケージの互いに対向する一対の側面からそ
れぞれ外部に突出するように設けられ半導体チップの信
号用電極と電気的に接続されている外部リードとを備
え、接地パターンを有するプリント基板上に実装される
高周波電力用半導体装置を対象とし、支持金属板におけ
る外部リードが突出している方の側部に設けられ、支持
金属板の樹脂パッケージからの離脱を阻止する離脱阻止
部と、樹脂パッケージにおける外部リードが突出してい
ない方の一対の側縁部が切り欠かれることにより露出し
た支持金属板の表面における互いに対向する一対の側縁
部に設けられ、プリント基板の接地パターンと半田付け
される半田付け部と、支持金属板の裏面に設けられ、該
裏面における外部リードが突出していない方の互いに対
向する一対の側辺に架けて連続して樹脂パッケージから
露出する露出部とを備え、露出部と半田付け部とは支持
金属板の側面を介して連続して樹脂パッケージから露出
している。Specifically, the high-frequency power semiconductor device according to the present invention has a semiconductor chip for high-frequency power, a supporting metal plate having a surface on which the semiconductor chip is die-bonded, and the supporting metal plate protruding from the periphery. A rectangular parallelepiped resin package in which the semiconductor chip and the supporting metal plate are molded without the back surface of the supporting metal plate being exposed, and provided so as to protrude outward from a pair of opposing side surfaces of the resin package. External leads electrically connected to the signal electrodes of the semiconductor chip, and intended for a high-frequency power semiconductor device mounted on a printed circuit board having a ground pattern, the external leads of the supporting metal plate are projected. Detachment preventing portion provided on the side of the side, which prevents detachment of the supporting metal plate from the resin package, and a resin package The pair of side edges on which the external leads do not protrude are provided at a pair of side edges facing each other on the surface of the supporting metal plate exposed by being cut out, and are soldered to the ground pattern of the printed circuit board. A soldering portion, and an exposed portion provided on the back surface of the supporting metal plate and continuously exposed from the resin package over a pair of opposite sides on which the external leads do not protrude. The portion and the soldering portion are continuously exposed from the resin package via the side surface of the supporting metal plate.
【００２６】本発明の高周波電力用半導体装置による
と、支持金属板における外部リードが突出している方の
側部に、支持金属板の樹脂パッケージからの離脱を阻止
する離脱阻止部が設けられているため、支持金属板に強
い引張り力又は外部圧力が加わった場合でも、支持金属
板が樹脂パッケージから離脱する事態が防止される。According to the semiconductor device for high frequency power of the present invention, a detachment preventing portion for preventing detachment of the supporting metal plate from the resin package is provided on the side of the supporting metal plate on which the external lead projects. Therefore, even when a strong tensile force or external pressure is applied to the supporting metal plate, it is possible to prevent the supporting metal plate from being detached from the resin package.
【００２７】また、支持金属板の裏面における外部リー
ドが突出していない方の互いに対向する一対の側辺に架
けて連続して樹脂パッケージから露出する露出部を備え
ており、該露出部と支持金属板の表面の半田付け部とは
支持金属板の側面を介して連続して樹脂パッケージから
露出しているため、オーブン内の熱は、樹脂パッケージ
に奪われることなく支持金属板の全面に亘ってスムーズ
に伝わるので、支持金属板の半田付け部及びプリント基
板の接地パターンの上に塗布された半田は均一に濡れ状
態になる。Further, an exposed portion is provided which is continuously exposed from the resin package over a pair of opposing sides on which the external leads do not protrude on the back surface of the supporting metal plate. Since the soldering part on the surface of the plate is continuously exposed from the resin package via the side surface of the supporting metal plate, the heat in the oven is spread over the entire surface of the supporting metal plate without being taken away by the resin package. Since the solder is smoothly transmitted, the solder applied on the soldered portion of the supporting metal plate and the ground pattern of the printed board is uniformly wetted.
【００２８】本発明の高周波電力用半導体装置におい
て、離脱阻止部は、樹脂パッケージの内部において屈曲
する屈曲部よりなることが好ましい。In the high frequency power semiconductor device according to the present invention, it is preferable that the detachment preventing portion is formed of a bent portion bent inside the resin package.
【００２９】また、本発明の高周波電力用半導体装置に
おいて、離脱阻止部は、支持金属板の側面に形成され、
支持金属板の裏面側から表面側に向かうにつれて側方へ
傾斜する傾斜面よりなることが好ましい。In the high frequency power semiconductor device according to the present invention, the detachment preventing portion is formed on a side surface of the supporting metal plate.
It is preferable that the support metal plate has an inclined surface that is inclined laterally from the rear surface side to the front surface side.
【００３０】また、本発明の高周波電力用半導体装置に
おいて、半田との親和性に優れた材料よりなり、支持金
属板における樹脂パッケージから露出している部分を覆
うように設けられた被覆材をさらに備えているが好まし
い。Further, in the semiconductor device for high frequency power of the present invention, a covering material made of a material having excellent affinity for solder and provided so as to cover a portion of the supporting metal plate exposed from the resin package is further provided. Is preferred.
【００３１】[0031]
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態に係る
半導体装置について図面を参照しながら説明する。尚、
従来の技術の説明と同様に、以下の説明においても、便
宜上、図面の左右方向を半導体装置の左右方向と称し、
図面の上下方向を半導体装置の前後方向と称するが、半
導体装置の左右方向及び前後方向は限定されるものでは
ない。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a semiconductor device according to each embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. still,
Similarly to the description of the related art, in the following description, for convenience, the left-right direction of the drawing is referred to as the left-right direction of the semiconductor device.
The vertical direction in the drawing is referred to as the front-rear direction of the semiconductor device, but the left-right direction and the front-rear direction of the semiconductor device are not limited.
【００３２】（第１の実施形態）以下、本発明の第１の
実施形態に係る半導体装置について、図１を参照しなが
ら説明する。(First Embodiment) Hereinafter, a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【００３３】図１（ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態に
係る半導体装置を示しており、図１（ａ）は平面図、図
１（ｂ）は図１（ａ）におけるＩ−Ｉ線の断面図、図１
（ｃ）は正面図、図１（ｄ）は裏面図である。FIGS. 1A to 1D show a semiconductor device according to the first embodiment. FIG. 1A is a plan view, and FIG. FIG. 1 is a sectional view taken along the line I.
1C is a front view, and FIG. 1D is a back view.
【００３４】図１（ａ）〜（ｄ）に示すように、リード
フレームから切り離された支持金属板１０の上に、図示
しない高周波電力用の半導体チップがダイボンディング
され、支持金属板１０及び半導体チップは、同じくリー
ドフレームから切り離された外部リード１１と共に扁平
な直方体状の樹脂パッケージ１２にモールドされてい
る。図示は省略しているが、半導体チップの信号用電極
はボンディングワイヤ等により外部リード１１と電気的
に接続されている。As shown in FIGS. 1A to 1D, a high-frequency power semiconductor chip (not shown) is die-bonded onto the supporting metal plate 10 separated from the lead frame, and the supporting metal plate 10 and the semiconductor The chip is molded in a flat rectangular parallelepiped resin package 12 together with external leads 11 similarly separated from the lead frame. Although not shown, the signal electrodes of the semiconductor chip are electrically connected to the external leads 11 by bonding wires or the like.
【００３５】第１の実施形態の特徴として、外部リード
１１は樹脂パッケージ１２の左右の両側面からそれぞれ
外部に突出していると共に、支持金属板１０は樹脂パッ
ケージ１２の裏面に露出している。また、支持金属板１
０は樹脂パッケージ１２の前後の両側面から突出してお
らず、支持金属板１０の前後の両側面と樹脂パッケージ
１２の前後の両側面とは面一である。このため、支持金
属板１０が前後に突出する突出部の突出量だけ樹脂パッ
ケージ１２のサイズが実質的に拡大する事態が回避され
る。As features of the first embodiment, the external leads 11 protrude outward from the left and right side surfaces of the resin package 12, respectively, and the supporting metal plate 10 is exposed on the back surface of the resin package 12. In addition, the supporting metal plate 1
Numeral 0 does not protrude from both front and rear sides of the resin package 12, and both front and rear sides of the supporting metal plate 10 and both front and rear sides of the resin package 12 are flush. Therefore, it is possible to avoid a situation where the size of the resin package 12 is substantially increased by the amount of protrusion of the protruding portion from which the supporting metal plate 10 protrudes forward and backward.
【００３６】また、樹脂パッケージ１２における前部及
び後部の各中央には直方体状の切り欠き部１２ａがそれ
ぞれ形成されており、支持金属板１０の表面における前
後の各中央部は樹脂パッケージ１２の切り欠き部１２ａ
に露出することにより半田付け部１０ａとなっている。A rectangular parallelepiped notch 12a is formed at each of the center of the front and rear portions of the resin package 12, and the front and rear central portions of the surface of the supporting metal plate 10 are cut out of the resin package 12. Notch 12a
Exposed portion serves as a soldered portion 10a.
【００３７】また、支持金属板１０は、支持金属板１０
の裏面における外部リード１１が設けられていない方の
互いに対向する一対の側辺（支持金属板１０の裏面の前
後の両側辺）に架けて連続して露出する露出部１０ｂを
有しており、該露出部１０ｂと半田付け部１０ａとは支
持金属板１０の前後の側面１０ｃを介して連続して樹脂
パッケージ１２から露出している。Further, the supporting metal plate 10 is
And an exposed portion 10b that is continuously exposed across a pair of opposing sides (on both front and rear sides of the back surface of the supporting metal plate 10) on the back surface of which no external lead 11 is provided. The exposed portion 10b and the soldered portion 10a are continuously exposed from the resin package 12 via front and rear side surfaces 10c of the supporting metal plate 10.
【００３８】また、支持金属板１０における外部リード
１１が設けられている方の互いに対向する一対の側部
（支持金属板１０の左右の両側部）の各中央部には、上
方へ延びた後に左右方向に屈折して延びる屈曲部１０ｄ
がそれぞれ設けられており、各屈曲部１０ｄは樹脂パッ
ケージ１２の内部に入り込んでいる。このため、支持金
属板１０に強い引張り力又は外部圧力が加わった場合
に、支持金属板１０が樹脂パッケージ１２から離脱する
事態が防止される。尚、第１の実施形態においては、屈
曲部１０ｄはＬ字状の断面を有しているが、屈曲部１０
ｄの断面形状については適宜変更可能である。The center of each of a pair of opposite side portions (left and right side portions of the support metal plate 10) of the support metal plate 10 on which the external leads 11 are provided is formed after extending upward. A bent portion 10d that extends while being bent in the left-right direction
Are provided, and each bent portion 10 d enters the inside of the resin package 12. Therefore, when a strong tensile force or an external pressure is applied to the supporting metal plate 10, it is possible to prevent the supporting metal plate 10 from being detached from the resin package 12. In the first embodiment, the bent portion 10d has an L-shaped cross section.
The cross-sectional shape of d can be appropriately changed.
【００３９】図３及び図４は、第１の実施形態に係る高
周波電力用半導体装置が移動体通信の端末機器のプリン
ト基板１５に搭載されてなる半導体装置セットを示して
おり、図４は図３におけるIV−IV線の断面図である。FIGS. 3 and 4 show a semiconductor device set in which the high-frequency power semiconductor device according to the first embodiment is mounted on a printed circuit board 15 of a terminal device for mobile communication. FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG.
【００４０】図３及び図４に示すように、樹脂パッケー
ジ１２は、表面にリードパターン１５ａ及び接地パター
ン１５ｂが形成されたプリント基板１５の上に載置され
た後、リードパターン１５ａと外部リード１１、接地パ
ターン１５ｂと支持金属板１０の半田付け部１０ａとは
半田１６によりそれぞれ接合されている。As shown in FIGS. 3 and 4, the resin package 12 is placed on a printed circuit board 15 having a lead pattern 15a and a ground pattern 15b formed on its surface, and then the lead pattern 15a and the external leads 11 are formed. The ground pattern 15b and the soldering portion 10a of the supporting metal plate 10 are joined by solder 16, respectively.
【００４１】第１の実施形態の特徴として、支持金属板
１０の前後両側面には、半田、銀又はニッケル等よりな
る半田１６との親和性に優れた金属がメッキされてい
る。このように半田との親和性に優れた金属のメッキを
施す理由は次の通りである。すなわち、リードフレーム
は、通常、鉄系の金属例えばクロム−鉄合金により構成
されており半田が付着し難いので、半田の付着性を上げ
るために銀又はニッケル等の金属がメッキされている。
ところが、支持金属板１０の前後両側面はリードフレー
ムから切り離されることにより鉄系の金属が露出するの
で、半田が付着し難くなる。そこで、支持金属板１０の
前後両側面に半田との親和性に優れた金属をメッキして
半田の付着性を向上させている。これにより、支持金属
板１０における樹脂パッケージ１２から露出している部
分は全て半田との親和性に優れた金属よりなるメッキ層
（被覆材）により覆われている。このため、支持金属板
１０と接地パターン１５ｂとの接合性が向上する。As a feature of the first embodiment, on both front and rear side surfaces of the supporting metal plate 10, a metal made of solder, silver, nickel or the like, which has an excellent affinity for the solder 16, is plated. The reason for plating a metal having an excellent affinity with solder as described above is as follows. That is, the lead frame is usually made of an iron-based metal, for example, a chromium-iron alloy, and it is difficult for solder to adhere to the lead frame. Therefore, a metal such as silver or nickel is plated to increase the solder adhesion.
However, since the iron-based metal is exposed by separating the front and rear both side surfaces of the supporting metal plate 10 from the lead frame, the solder does not easily adhere. Therefore, a metal having excellent affinity for solder is plated on both front and rear sides of the supporting metal plate 10 to improve the adhesion of the solder. Thus, all portions of the supporting metal plate 10 exposed from the resin package 12 are covered with the plating layer (covering material) made of metal having excellent affinity with solder. Therefore, the joining property between the supporting metal plate 10 and the ground pattern 15b is improved.
【００４２】また、支持金属板１０が、その裏面におけ
る外部リード１１が設けられていない方の互いに対向す
る一対の側辺に架けて連続して露出する露出部１０ｂを
有し、該露出部１０ｂと半田付け部１０ａとは支持金属
板１０の前後の側面１０ｃを介して連続して樹脂パッケ
ージ１２から露出しているため、支持金属板１０の半田
付け部１０ａ、前後の側面１０ｃ及び露出部１０ｂが連
続して半田によりプリント基板１５の接地パターン１５
ｂに確実に接合された状態で、支持金属板１０ひいては
高周波電力用半導体装置はプリント基板１５に固定され
る。すなわち、従来の技術の項で説明したように、プリ
ント基板１５の上に載置された状態の半導体装置をオー
ブン内に収納して加熱すると、オーブン内の熱は支持金
属板１０の半田付け部１０ａから中央部側に向かって伝
わりながら、半田付け部１０ａ及び接地パターン１５ｂ
の上に塗布された半田１６を濡れ状態にさせるが、支持
金属板１０の半田付け部１０ａ、前後の側面１０ｃ及び
露出部１０ｂは、連続して樹脂パッケージ１２から露出
しているため、オーブン内の熱は、樹脂パッケージ１２
に奪われることなく支持金属板１０の全面に亘ってスム
ーズに伝わる。このため、半田付け部１０ａ及び接地パ
ターン１５ｂの上に塗布された半田１６は均一に濡れ状
態になるので、支持金属板１０はプリント基板１５の接
地パターン１５ｂに確実に固定される。Further, the supporting metal plate 10 has an exposed portion 10b which is continuously exposed over a pair of opposing sides on the back surface on which the external leads 11 are not provided. And the soldering portion 10a are continuously exposed from the resin package 12 via the front and rear side surfaces 10c of the supporting metal plate 10, so that the soldering portion 10a of the supporting metal plate 10, the front and rear side surfaces 10c and the exposed portion 10b Are continuously connected to the ground pattern 15 of the printed circuit board 15 by soldering.
The supporting metal plate 10 and thus the high-frequency power semiconductor device are fixed to the printed circuit board 15 in a state of being securely joined to the printed circuit board 15. That is, as described in the section of the related art, when the semiconductor device placed on the printed circuit board 15 is housed in the oven and heated, the heat in the oven is 10a and the ground pattern 15b while being transmitted from the
The solder 16 applied on the support metal plate 10 is made wet, but the soldering portion 10a, the front and rear side surfaces 10c, and the exposed portion 10b of the supporting metal plate 10 are continuously exposed from the resin package 12, so that the Heat of the resin package 12
It is smoothly transmitted over the entire surface of the supporting metal plate 10 without being robbed. Therefore, the solder 16 applied on the soldering portion 10a and the ground pattern 15b is uniformly wet, so that the supporting metal plate 10 is securely fixed to the ground pattern 15b of the printed circuit board 15.
【００４３】また、第１の実施形態においては、支持金
属板１０における樹脂パッケージ１２から露出している
部分は全て半田との親和性に優れた金属よりなるメッキ
層により覆われているため、半田付け部１０ａの上に塗
布された半田及び接地パターン１５ｂの上に塗布された
半田は濡れ状態でスムーズに拡がるので、支持金属板１
０の裏面側における接地パターン１５ｂとの接合はより
一層確実になる。In the first embodiment, all portions of the supporting metal plate 10 exposed from the resin package 12 are covered with a plating layer made of metal having excellent affinity for solder. Since the solder applied on the attaching portion 10a and the solder applied on the ground pattern 15b spread smoothly in a wet state, the supporting metal plate 1
The bonding with the ground pattern 15b on the back surface side of 0 is further ensured.
【００４４】また、支持金属板１０の半田付け部１０ａ
及び露出部１０ｂとプリント基板１５の接地パターン１
５ｂとは同時に半田１６により接合されているため、半
田１６が半田付け部１０ａに盛り上がった形状を目視検
査又はテレビカメラ等によって確認するだけで、支持金
属板１０の裏面の半田１６の状態も等価的に把握するこ
とができる。The soldering portion 10a of the supporting metal plate 10
And ground pattern 1 between exposed portion 10b and printed circuit board 15
5b is also joined by the solder 16 at the same time, so that the shape of the solder 16 swelling on the soldering portion 10a is confirmed only by visual inspection or a television camera, and the state of the solder 16 on the back surface of the supporting metal plate 10 is equivalent. Can be grasped.
【００４５】以上のような効果が加わって、プリント基
板１５上に高周波電力用半導体装置が実装されてなる半
導体装置セットの信頼性が向上すると共に生産性及び歩
留まりが向上する。With the above effects, the reliability of the semiconductor device set in which the high-frequency power semiconductor device is mounted on the printed circuit board 15 is improved, and the productivity and the yield are improved.
【００４６】さらに、支持金属板１０の半田付け部１０
ａが樹脂パッケージ１２の切り欠き部１２ａに露出して
いるため、第１の実施形態に係る半導体装置に対して高
周波検査を行なう際、支持金属板１０の半田付け部１０
ａを接地電極に対して押圧することができるので、支持
金属板１０の電位を接地電位と確実に同電位にすること
ができる。Further, the soldering portion 10 of the supporting metal plate 10
a is exposed in the notch 12a of the resin package 12, the soldering portion 10 of the supporting metal plate 10 is used when the semiconductor device according to the first embodiment is subjected to the high-frequency inspection.
Since a can be pressed against the ground electrode, the potential of the supporting metal plate 10 can be reliably set to the same potential as the ground potential.
【００４７】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係る半導体装置について、図２を参照しなが
ら説明する。図２（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態に
係る半導体装置を示しており、図２（ａ）は平面図、図
２（ｂ）は図２（ａ）におけるII−II線の断面図、図２
（ｃ）は正面図、図２（ｄ）は裏面図である。(Second Embodiment) Hereinafter, a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2A to 2D show a semiconductor device according to the second embodiment, FIG. 2A is a plan view, and FIG. 2B is a line II-II in FIG. Sectional view of FIG. 2
2C is a front view, and FIG. 2D is a back view.
【００４８】図２（ａ）〜（ｄ）に示すように、第１の
実施形態と同様、リードフレームから切り離された支持
金属板２０の上に、図示しない高周波電力用の半導体チ
ップがダイボンディングされ、支持金属板２０及び半導
体チップは、同じくリードフレームから切り離された外
部リード１１と共に扁平な直方体状の樹脂パッケージ１
２にモールドされている。図示は省略しているが、半導
体チップの信号用電極はボンディングワイヤ等により外
部リード１１と電気的に接続されている。As shown in FIGS. 2A to 2D, similarly to the first embodiment, a high-frequency power semiconductor chip (not shown) is die-bonded on a supporting metal plate 20 separated from a lead frame. Then, the supporting metal plate 20 and the semiconductor chip are combined with the external leads 11 also separated from the lead frame to form a flat rectangular parallelepiped resin package 1.
2 molded. Although not shown, the signal electrodes of the semiconductor chip are electrically connected to the external leads 11 by bonding wires or the like.
【００４９】また、第１の実施形態と同様、外部リード
１１は樹脂パッケージ１２の左右の両側面からそれぞれ
外部に突出していると共に、支持金属板２０は樹脂パッ
ケージ１２の裏面に露出している。また、支持金属板２
０は樹脂パッケージ１２の前後の両側面から突出してお
らず、支持金属板２０の前後の両側面と樹脂パッケージ
１２の前後の両側面とは面一である。As in the first embodiment, the external leads 11 project outward from the left and right side surfaces of the resin package 12, respectively, and the supporting metal plate 20 is exposed on the back surface of the resin package 12. In addition, the supporting metal plate 2
0 does not protrude from the front and rear sides of the resin package 12, and the front and rear sides of the support metal plate 20 and the front and rear sides of the resin package 12 are flush.
【００５０】また、樹脂パッケージ１２における前部及
び後部の各中央には直方体状の切り欠き部１２ａがそれ
ぞれ形成されており、支持金属板２０の表面における前
後の各中央部は樹脂パッケージ１２の切り欠き部１２ａ
に露出することにより半田付け部２０ａとなっている。A rectangular parallelepiped cutout portion 12a is formed at each of the front and rear centers of the resin package 12, and the front and rear central portions of the front surface of the supporting metal plate 20 are cut out of the resin package 12. Notch 12a
Exposed to form a soldered portion 20a.
【００５１】また、支持金属板２０は、支持金属板２０
の裏面における外部リード１１が設けられていない方の
互いに対向する一対の側辺に架けて連続して露出する露
出部２０ｂを有しており、該露出部２０ｂと半田付け部
２０ａとは支持金属板２０の前後の側面２０ｃを介して
連続して樹脂パッケージ１２から露出している。Further, the supporting metal plate 20 is
Has an exposed portion 20b that is continuously exposed across a pair of sides facing each other where the external lead 11 is not provided on the back surface of the device. The exposed portion 20b and the soldered portion 20a are formed of a supporting metal. It is continuously exposed from the resin package 12 through the front and rear side surfaces 20 c of the plate 20.
【００５２】第２の実施形態の特徴として、図２（ｃ）
に示すように、支持金属板２０における外部リード１１
が設けられている方の互いに対向する一対の側部（支持
金属板２０の左右の側部）には、裏面側から表面側に向
かうにつれて側方へ傾斜する傾斜面２０ｄが設けられて
おり、支持金属板２０における表面側の幅Ｌ2 は裏面側
の幅Ｌ1 よりも大きい。このため、支持金属板２０と樹
脂パッケージ１２との接合強度の向上が図られており、
支持金属板２０に強い引張り力又は外部圧力が加わった
場合に、支持金属板２０が樹脂パッケージ１２から離脱
する事態が防止される。As a feature of the second embodiment, FIG.
As shown in FIG.
The pair of opposed side portions (the left and right side portions of the supporting metal plate 20) provided with is provided with an inclined surface 20 d that is inclined laterally from the back surface side to the front surface side, width L 2 of the surface side of the metal support plate 20 is greater than the width L 1 of the back side. Therefore, the bonding strength between the supporting metal plate 20 and the resin package 12 is improved.
When a strong tensile force or an external pressure is applied to the supporting metal plate 20, the supporting metal plate 20 is prevented from being detached from the resin package 12.
【００５３】また、支持金属板２０の半田付け部２０
ａ、前後の側面２０ｃ及び露出部２０ｂは連続して樹脂
パッケージ１２から露出していると共に、支持金属板２
０における樹脂パッケージ１２から露出する部分には、
半田、銀又はニッケル等よりなる半田との親和性に優れ
た金属がメッキされている。このため、半田付け部２０
ａ及びプリント基板の接地パターンの上に塗布された半
田は濡れ状態でスムーズに拡がるので、支持金属板２０
と接地パターンとの接合は極めて確実になる。The soldering portion 20 of the supporting metal plate 20
a, the front and rear side surfaces 20c and the exposed portions 20b are continuously exposed from the resin package 12 and the supporting metal plate 2
0, the portion exposed from the resin package 12 includes:
A metal made of solder, silver, nickel, or the like and having excellent affinity with solder is plated. Therefore, the soldering portion 20
a and the solder applied on the ground pattern of the printed circuit board spreads smoothly in a wet state.
The connection between the ground pattern and the ground pattern is extremely reliable.
【００５４】[0054]
【発明の効果】本発明の高周波電力用半導体装置による
と、支持金属板における外部リードが突出している方の
側部に離脱阻止部が設けられているため、支持金属板に
強い引張り力又は外部圧力が加わった場合でも、支持金
属板が樹脂パッケージから離脱する事態が防止される。According to the semiconductor device for high frequency power of the present invention, since the detachment preventing portion is provided on the side of the supporting metal plate on which the external lead protrudes, a strong tensile force or external force is applied to the supporting metal plate. Even when pressure is applied, the situation in which the supporting metal plate is detached from the resin package is prevented.
【００５５】また、支持金属板における互いに対向する
一対の半田付け部、側面及び露出部が連続して樹脂パッ
ケージから露出しているため、オーブン内の熱は、樹脂
パッケージに奪われることなく支持金属板の全面に亘っ
てスムーズに伝わり、支持金属板の半田付け部及びプリ
ント基板の接地パターンの上に塗布された半田は均一に
濡れ状態になるので、支持金属板はプリント基板の接地
パターンに確実に固定される。また、半田が半田付け部
に盛り上がった形状を確認するだけで、支持金属板の裏
面の半田の状態を等価的に把握することができる。Further, since the pair of opposed soldering portions, side surfaces and exposed portions of the supporting metal plate are continuously exposed from the resin package, heat in the oven is not lost to the supporting metal without being taken away by the resin package. The metal spreads smoothly over the entire surface of the board, and the solder applied on the soldering part of the supporting metal plate and the ground pattern of the printed circuit board becomes uniformly wet, so the supporting metal plate is surely connected to the ground pattern of the printed circuit board. Fixed to Further, the state of the solder on the back surface of the supporting metal plate can be equivalently grasped only by confirming the shape in which the solder is raised on the soldering portion.
【００５６】従って、本発明によると、高周波電力用半
導体装置において、支持金属板が樹脂モールドから離脱
する事態の防止と、支持金属板とプリント基板の接地パ
ターンとの間の確実な接合との両立を図ることができる
ので、数ＧＨｚで動作する小型の高周波電力用半導体装
置の信頼性、生産性及び歩留まりを向上させることがで
きる。Therefore, according to the present invention, in the semiconductor device for high-frequency power, it is possible to prevent the supporting metal plate from being detached from the resin mold and to reliably connect the supporting metal plate and the ground pattern of the printed circuit board. Therefore, reliability, productivity, and yield of a small high-frequency power semiconductor device operating at several GHz can be improved.
【００５７】本発明の高周波電力用半導体装置におい
て、離脱阻止部が樹脂パッケージの内部において屈曲す
る屈曲部よりなると、支持金属板に引張り力又は外部圧
力が加わった場合に、屈曲部が樹脂パッケージに係止さ
れるので、支持金属板が樹脂パッケージから離脱する事
態を確実に防止することができる。In the high-frequency power semiconductor device of the present invention, when the detachment preventing portion is formed by a bent portion bent inside the resin package, the bent portion is formed on the resin package when a tensile force or an external pressure is applied to the supporting metal plate. Since the support metal plate is locked, it is possible to reliably prevent the support metal plate from being detached from the resin package.
【００５８】本発明の高周波電力用半導体装置におい
て、離脱阻止部が、支持金属板の側面に形成され、支持
金属板の裏面側から表面側に向かうにつれて側方へ傾斜
する傾斜面よりなると、支持金属板に引張り力又は外部
圧力が加わった場合に、逆テーパ状の傾斜面が樹脂パッ
ケージに係止されるので、支持金属板が樹脂パッケージ
から離脱する事態を確実に防止することができる。In the high frequency power semiconductor device according to the present invention, when the separation preventing portion is formed on the side surface of the supporting metal plate and is formed of an inclined surface which inclines laterally from the back surface side to the front surface side of the supporting metal plate, When a tensile force or an external pressure is applied to the metal plate, the inclined surface having the reverse taper shape is locked to the resin package, so that the support metal plate can be reliably prevented from detaching from the resin package.
【００５９】本発明の高周波電力用半導体装置が、半田
との親和性に優れた材料よりなり、支持金属板における
樹脂パッケージから露出している部分を覆う被覆材を備
えていると、支持金属板の半田付け部及びプリント基板
の接地パターンの上に塗布された半田は濡れ状態でスム
ーズに拡がるので、支持金属板の裏面と接地パターンと
の接合はより一層確実になる。When the semiconductor device for high frequency power of the present invention is made of a material having an excellent affinity for solder and is provided with a covering material covering a portion of the supporting metal plate exposed from the resin package, Since the solder applied on the soldering portion and the ground pattern of the printed circuit board spreads smoothly in a wet state, the bonding between the back surface of the supporting metal plate and the ground pattern is further ensured.
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施形態に係
る高周波電力用半導体装置を示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）におけるＩ−Ｉ線の断面図、（ｃ）は正
面図、（ｄ）は裏面図である。FIGS. 1A to 1D show a high-frequency power semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, wherein FIG.
(B) is a sectional view taken along line II in (a), (c) is a front view, and (d) is a back view.
【図２】（ａ）〜（ｄ）本発明の第２の実施形態に係る
高周波電力用半導体装置を示し、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）におけるII−II線の断面図、（ｃ）は正
面図、（ｄ）は裏面図である。FIGS. 2A to 2D show a high-frequency power semiconductor device according to a second embodiment of the present invention, wherein FIG.
(B) is a sectional view taken along line II-II in (a), (c) is a front view, and (d) is a back view.
【図３】本発明の第１の実施形態に係る高周波電力用半
導体装置がプリント基板に実装された状態を示す斜視図
である。FIG. 3 is a perspective view showing a state in which the high-frequency power semiconductor device according to the first embodiment of the present invention is mounted on a printed circuit board.
【図４】 本発明の第１の実施形態に係る高周波電力用
半導体装置がプリント基板に実装された状態を示す、図
３におけるVI−VI線の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI in FIG. 3, showing a state in which the semiconductor device for high-frequency power according to the first embodiment of the present invention is mounted on a printed circuit board.
【図５】（ａ）〜（ｄ）は従来の高周波電力用半導体装
置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＶ
−Ｖ線の断面図、（ｃ）は正面図、（ｄ）は裏面図であ
る。5 (a) to 5 (d) show a conventional high frequency power semiconductor device, FIG. 5 (a) is a plan view, and FIG.
FIG. 4C is a cross-sectional view taken along line V, FIG. 4C is a front view, and FIG.
【図６】従来の高周波電力用半導体装置がプリント基板
に実装された状態を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a state in which a conventional high frequency power semiconductor device is mounted on a printed circuit board.
【図７】従来の高周波電力用半導体装置がプリント基板
に実装された状態を示す、図６におけるVII −VII 線の
断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII in FIG. 6, showing a state in which the conventional high-frequency power semiconductor device is mounted on a printed circuit board.
１０ 支持金属板 １０ａ 半田付け部 １０ｂ 露出部 １０ｃ 前後の側面 １０ｄ 屈曲部 １１ 外部リード １２ 樹脂パッケージ １２ａ 切り欠き部 １５ プリント基板 １５ａ リードパターン １５ｂ 接地パターン １６ 半田 ２０ 支持金属板 ２０ａ 半田付け部 ２０ｂ 露出部 ２０ｃ 前後の側面 ２０ｄ 傾斜面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Support metal plate 10a Solder part 10b Exposed part 10c Front and rear sides 10d Bent part 11 External lead 12 Resin package 12a Notch part 15 Printed circuit board 15a Lead pattern 15b Ground pattern 16 Solder 20 Support metal plate 20a Solder part 20b Exposed part 20c Front and rear sides 20d Slope
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 順治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 西嶋 将明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山本 真司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 藤原 俊夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 村松 薫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Junji Ito 1006 Kadoma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Shinji Yamamoto 1006 Kadoma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Toshio Fujiwara 1006 Okadoma Kadoma, Kadoma City Osaka Pref. Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Claims (4)
前記半導体チップがダイボンディングされている支持金
属板と、前記支持金属板を周囲からはみ出させることな
く且つ前記支持金属板の裏面を露出させた状態で前記半
導体チップ及び支持金属板をモールドしている直方体状
の樹脂パッケージと、該樹脂パッケージの互いに対向す
る一対の側面からそれぞれ外部に突出するように設けら
れ前記半導体チップの信号用電極と電気的に接続されて
いる外部リードとを備え、接地パターンを有するプリン
ト基板上に実装される高周波電力用半導体装置におい
て、 前記支持金属板における前記外部リードが突出している
方の側部に設けられ、前記支持金属板の前記樹脂パッケ
ージからの離脱を阻止する離脱阻止部と、 前記樹脂パッケージにおける前記外部リードが突出して
いない方の一対の側縁部が切り欠かれることにより露出
した前記支持金属板の表面における互いに対向する一対
の側縁部に設けられ、前記プリント基板の接地パターン
と半田付けされる半田付け部と、 前記支持金属板の裏面に設けられ、該裏面における前記
外部リードが突出していない方の互いに対向する一対の
側辺に架けて連続して前記樹脂パッケージから露出する
露出部とを備え、 前記露出部と前記半田付け部とは前記支持金属板の側面
を介して連続して前記樹脂パッケージから露出している
ことを特徴とする高周波電力用半導体装置。1. A semiconductor chip for high-frequency power, a supporting metal plate having a surface to which the semiconductor chip is die-bonded, and a back surface of the supporting metal plate being exposed without protruding the supporting metal plate from the periphery. A rectangular parallelepiped resin package that molds the semiconductor chip and the supporting metal plate in a state where the signal electrodes of the semiconductor chip are provided so as to protrude outward from a pair of opposing side surfaces of the resin package. A high-frequency power semiconductor device including an external lead that is electrically connected and mounted on a printed circuit board having a ground pattern, the semiconductor device being provided on a side of the supporting metal plate where the external lead protrudes. A detachment preventing portion for preventing detachment of the supporting metal plate from the resin package; The pair of side edges on which the external leads do not protrude are provided on a pair of side edges facing each other on the surface of the supporting metal plate exposed by being cut out, and are soldered to a ground pattern of the printed board. A soldering portion to be provided, and an exposed portion provided on the back surface of the supporting metal plate and continuously exposed from the resin package over a pair of opposing sides on which the external leads do not protrude. Wherein the exposed portion and the soldered portion are continuously exposed from the resin package via a side surface of the supporting metal plate.
の内部において屈曲する屈曲部よりなることを特徴とす
る請求項１に記載の高周波電力用半導体装置。2. The high-frequency power semiconductor device according to claim 1, wherein the detachment preventing portion comprises a bent portion bent inside the resin package.
面に形成され、前記支持金属板の裏面側から表面側に向
かうにつれて側方へ傾斜する傾斜面よりなることを特徴
とする請求項１に記載の高周波電力用半導体装置。3. The detachment preventing portion is formed on a side surface of the supporting metal plate, and includes an inclined surface that is inclined laterally from the back surface side to the front surface side of the supporting metal plate. 2. The high-frequency power semiconductor device according to 1.
前記支持金属板における前記樹脂パッケージから露出し
ている部分を覆うように設けられた被覆材をさらに備え
ていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に
記載の高周波電力用半導体装置。4. A material made of a material having excellent affinity with solder,
4. The high-frequency power semiconductor according to claim 1, further comprising a covering material provided so as to cover a portion of the supporting metal plate exposed from the resin package. 5. apparatus.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24113297A JP2889213B2 (en) | 1996-12-10 | 1997-09-05 | High frequency power semiconductor device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-329346 | 1996-12-10 | ||
| JP32934696 | 1996-12-10 | ||
| JP24113297A JP2889213B2 (en) | 1996-12-10 | 1997-09-05 | High frequency power semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10229158A true JPH10229158A (en) | 1998-08-25 |
| JP2889213B2 JP2889213B2 (en) | 1999-05-10 |
Family
ID=26535106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24113297A Expired - Fee Related JP2889213B2 (en) | 1996-12-10 | 1997-09-05 | High frequency power semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2889213B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6175150B1 (en) | 1997-04-17 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Plastic-encapsulated semiconductor device and fabrication method thereof |
| JP2009290129A (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2015207705A (en) * | 2014-04-22 | 2015-11-19 | 株式会社デンソー | Electronic device and manufacturing method of the same |
-
1997
- 1997-09-05 JP JP24113297A patent/JP2889213B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6175150B1 (en) | 1997-04-17 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Plastic-encapsulated semiconductor device and fabrication method thereof |
| JP2009290129A (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2015207705A (en) * | 2014-04-22 | 2015-11-19 | 株式会社デンソー | Electronic device and manufacturing method of the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2889213B2 (en) | 1999-05-10 |
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