JPH11162856A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPH11162856A JPH11162856A JP32462497A JP32462497A JPH11162856A JP H11162856 A JPH11162856 A JP H11162856A JP 32462497 A JP32462497 A JP 32462497A JP 32462497 A JP32462497 A JP 32462497A JP H11162856 A JPH11162856 A JP H11162856A
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- annular member
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Abstract
(57)【要約】
【課題】固体付着物が筒状体の側壁に付着し、これに起
因してウェハが汚染されるのを防止することを課題とす
る。 【解決手段】筒状体11と、ウェハが載置される回転体18
と、筒状体内に配置され不活性ガスを供給する第１ガス
穴を有した断面コ字型の環状部材13と、環状部材の内側
に配置され、ウェハに反応ガスを供給するための第２ガ
ス穴を第１ガス穴より高い位置に有する整流板16と、筒
状体に設けられた天板19と、筒状体と整流板と天板によ
り形成される空洞部に反応ガスを導入する反応ガス導入
口21と、環状部材と筒状体により形成される空洞部に不
活性ガスを供給する不活性ガス導入口15と、筒状体に設
けられたガス排気口22とを具備し、回転体からの反応ガ
スを含むガスを第１ガス穴からの不活性ガスにより強制
的に筒状体下方に流し、ガス排気口から排出させる機能
を有した構成であることを特徴とする真空処理装置。
因してウェハが汚染されるのを防止することを課題とす
る。 【解決手段】筒状体11と、ウェハが載置される回転体18
と、筒状体内に配置され不活性ガスを供給する第１ガス
穴を有した断面コ字型の環状部材13と、環状部材の内側
に配置され、ウェハに反応ガスを供給するための第２ガ
ス穴を第１ガス穴より高い位置に有する整流板16と、筒
状体に設けられた天板19と、筒状体と整流板と天板によ
り形成される空洞部に反応ガスを導入する反応ガス導入
口21と、環状部材と筒状体により形成される空洞部に不
活性ガスを供給する不活性ガス導入口15と、筒状体に設
けられたガス排気口22とを具備し、回転体からの反応ガ
スを含むガスを第１ガス穴からの不活性ガスにより強制
的に筒状体下方に流し、ガス排気口から排出させる機能
を有した構成であることを特徴とする真空処理装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は真空処理装置に関
し、特に反応生成物が筒状体の内壁に付着するのを防止
することに改善を図ったＣＶＤ処理装置に関する。
し、特に反応生成物が筒状体の内壁に付着するのを防止
することに改善を図ったＣＶＤ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＶＤ処理装置としては、図３に
示すものが知られている。図中の付番１は、上部に開口
部２ａを、下部に開口部２ｂを有する筒状体である。こ
の筒状体１内の中央部には、ウェハ３を載置する回転体
４が配置される。この回転体４の上方に位置する前記筒
状体１内壁には、ウェハ３主面と平行となるように整流
板５が係止されている。ここで、整流板５には多数のガ
ス穴が例えば格子状に設けられており、このガス穴を反
応ガスが通過して前記ウェハ３主面に送給されるように
なっている。前記筒状体１の上部側の開口部２ａには、
蓋体としての天板６が設けられている。ここで、整流板
５と天板６と筒状体１により空洞部７が構成されてい
る。この空洞部７には、筒状体１の側壁上部に設けた反
応ガス導入口８より反応ガスが送給されるようになって
いる。前記筒状体１の下部側の開口部２ｂには、排気口
９を備えたベース板10が取り付けられている。ここで、
前記筒状体１や天板６やベース板10により処理室（チャ
ンバー）が構成されている。
示すものが知られている。図中の付番１は、上部に開口
部２ａを、下部に開口部２ｂを有する筒状体である。こ
の筒状体１内の中央部には、ウェハ３を載置する回転体
４が配置される。この回転体４の上方に位置する前記筒
状体１内壁には、ウェハ３主面と平行となるように整流
板５が係止されている。ここで、整流板５には多数のガ
ス穴が例えば格子状に設けられており、このガス穴を反
応ガスが通過して前記ウェハ３主面に送給されるように
なっている。前記筒状体１の上部側の開口部２ａには、
蓋体としての天板６が設けられている。ここで、整流板
５と天板６と筒状体１により空洞部７が構成されてい
る。この空洞部７には、筒状体１の側壁上部に設けた反
応ガス導入口８より反応ガスが送給されるようになって
いる。前記筒状体１の下部側の開口部２ｂには、排気口
９を備えたベース板10が取り付けられている。ここで、
前記筒状体１や天板６やベース板10により処理室（チャ
ンバー）が構成されている。
【０００３】こうした構成のＣＶＤ処理装置において、
反応ガス導入口８より導入された反応ガスは、空洞部７
を経た後、整流板５のガス穴を通過して上部の天井から
直下のウェハ３の主面に略垂直に供給される。しかし、
回転体４が回転するため、回転体４上部のガスは回転体
４の外周側へ排出される。その結果、ガスが筒状体１の
側壁に衝突し、図４に模式的に示すように筒状体の側壁
部で渦Ａを形成する。ところで、通常、回転体４は加熱
されており、排出されたガスも回転体４により加熱され
るため、側壁に接触すると、そこで固体付着物が形成さ
れる。そして、この付着物は、ガスの渦により剥離して
ウェハ３主面に運ばれ、ウェハ３が汚染されることがあ
る。
反応ガス導入口８より導入された反応ガスは、空洞部７
を経た後、整流板５のガス穴を通過して上部の天井から
直下のウェハ３の主面に略垂直に供給される。しかし、
回転体４が回転するため、回転体４上部のガスは回転体
４の外周側へ排出される。その結果、ガスが筒状体１の
側壁に衝突し、図４に模式的に示すように筒状体の側壁
部で渦Ａを形成する。ところで、通常、回転体４は加熱
されており、排出されたガスも回転体４により加熱され
るため、側壁に接触すると、そこで固体付着物が形成さ
れる。そして、この付着物は、ガスの渦により剥離して
ウェハ３主面に運ばれ、ウェハ３が汚染されることがあ
る。
【０００４】なお、従来例として、常圧ＣＶＤ装置の汚
染防止方法が知られている（特開平４−３４１５６
９）。この方法は、常圧ＣＶＤ装置において、供給配管
より窒素ガスを圧入して噴射口より垂直下方に噴射し、
中間リングと筐体との内壁面に沿って窒素ガスのカーテ
ンを形成し、窒素ガスを複数の排気口より排出してＳｉ
Ｏ2 の微粒子が内壁面に蒸着するのを防止しようとした
ものである。しかし、このタイプは、本発明のように整
流板を用いてウェハ主面に反応ガスを均一に流して均一
な膜を形成しようとする技術とは本質的に異なるもので
ある。
染防止方法が知られている（特開平４−３４１５６
９）。この方法は、常圧ＣＶＤ装置において、供給配管
より窒素ガスを圧入して噴射口より垂直下方に噴射し、
中間リングと筐体との内壁面に沿って窒素ガスのカーテ
ンを形成し、窒素ガスを複数の排気口より排出してＳｉ
Ｏ2 の微粒子が内壁面に蒸着するのを防止しようとした
ものである。しかし、このタイプは、本発明のように整
流板を用いてウェハ主面に反応ガスを均一に流して均一
な膜を形成しようとする技術とは本質的に異なるもので
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこうした事情
を考慮してなされたもので、回転体から排出された反応
ガスを含むガスを環状部材の第１ガス穴から供給する不
活性ガスにより強制的に筒状体の下方に流し、ガス排気
口から排出させる機能を有した構成とすることにより、
回転体から排出したガスが直接筒状体側壁に接触するの
を防止し、固体付着物が筒状体の側壁に付着して、これ
に起因してウェハを汚染するのを防止しえる真空処理装
置を提供することを目的とする。
を考慮してなされたもので、回転体から排出された反応
ガスを含むガスを環状部材の第１ガス穴から供給する不
活性ガスにより強制的に筒状体の下方に流し、ガス排気
口から排出させる機能を有した構成とすることにより、
回転体から排出したガスが直接筒状体側壁に接触するの
を防止し、固体付着物が筒状体の側壁に付着して、これ
に起因してウェハを汚染するのを防止しえる真空処理装
置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上部に開口部
を有した筒状体と、この筒状体内の中央部に配置され、
上部にウェハが載置される回転体と、前記筒状体内に配
置され、下端部に筒状体内壁と回転体間の領域に不活性
ガスを供給する第１ガス穴を有した断面コ字型の環状部
材と、前記環状部材の内側に前記ウェハ主面と対向する
ように配置され、前記ウェハに反応ガスを供給するため
の第２ガス穴を第１ガス穴より高い位置に有する整流板
と、前記筒状体の開口部に設けられた天板と、前記筒状
体と整流板と天板により形成される空洞部に反応ガスを
導入する反応ガス導入手段と、前記環状部材と筒状体に
より形成される空洞部に不活性ガスを供給する不活性ガ
ス導入手段と、筒状体の下方に設けられたガス排気口と
を具備し、回転体から排出された反応ガスを含むガスを
環状部材の第１ガス穴から供給する不活性ガスにより強
制的に筒状体の下方に流し、ガス排気口から排出させる
機能を有した構成であることを特徴とする真空処理装置
である。
を有した筒状体と、この筒状体内の中央部に配置され、
上部にウェハが載置される回転体と、前記筒状体内に配
置され、下端部に筒状体内壁と回転体間の領域に不活性
ガスを供給する第１ガス穴を有した断面コ字型の環状部
材と、前記環状部材の内側に前記ウェハ主面と対向する
ように配置され、前記ウェハに反応ガスを供給するため
の第２ガス穴を第１ガス穴より高い位置に有する整流板
と、前記筒状体の開口部に設けられた天板と、前記筒状
体と整流板と天板により形成される空洞部に反応ガスを
導入する反応ガス導入手段と、前記環状部材と筒状体に
より形成される空洞部に不活性ガスを供給する不活性ガ
ス導入手段と、筒状体の下方に設けられたガス排気口と
を具備し、回転体から排出された反応ガスを含むガスを
環状部材の第１ガス穴から供給する不活性ガスにより強
制的に筒状体の下方に流し、ガス排気口から排出させる
機能を有した構成であることを特徴とする真空処理装置
である。
【０００７】本発明において、不活性ガスにより回転体
から排出された反応ガスを含むガスを強制的に排出させ
る手段としては、具体的には、例えば本発明に係る真空
処理装置を、整流板の最外側の第２ガス穴と該穴から最
も離れた位置にある他の第２ガス穴間の距離、筒状体の
内径を夫々Ｄ1 、Ｄ2 とし、環状部材の頂部から底部ま
での距離、環状部材の底部から回転体の頂部までの距離
を夫々Ｌ1 、Ｌ2 とし、かつ反応ガスを含むガスが整流
板の第２ガス穴からウェハへ流れる流速、環状部材の第
１ガス穴からの不活性ガスの流速を夫々Ｖ1 、Ｖ2 とし
たとき、Ｄ1 ＜Ｄ2 、Ｌ1 ＞Ｌ2 、 及びＶ1 ≦Ｖ2と
する。こうした条件を満たすことにより、図２に模式的
に示すように、回転体から排出された反応ガスＡを含む
ガスを環状部材の第１ガス穴から供給する不活性ガスＢ
により強制的に筒状体の側壁に沿って下方に流し、排気
口から排出させることができる。しかし、上記条件を満
たさないと、回転体から排出された反応ガスを含むガス
を強制的に筒状体の下方に排出させることができない。
本発明において、不活性ガスとしては、Ｎ2 ガス、Ａｒ
ガス、Ｈｅガス等が挙げられるが、いずれを用いてもよ
い。
から排出された反応ガスを含むガスを強制的に排出させ
る手段としては、具体的には、例えば本発明に係る真空
処理装置を、整流板の最外側の第２ガス穴と該穴から最
も離れた位置にある他の第２ガス穴間の距離、筒状体の
内径を夫々Ｄ1 、Ｄ2 とし、環状部材の頂部から底部ま
での距離、環状部材の底部から回転体の頂部までの距離
を夫々Ｌ1 、Ｌ2 とし、かつ反応ガスを含むガスが整流
板の第２ガス穴からウェハへ流れる流速、環状部材の第
１ガス穴からの不活性ガスの流速を夫々Ｖ1 、Ｖ2 とし
たとき、Ｄ1 ＜Ｄ2 、Ｌ1 ＞Ｌ2 、 及びＶ1 ≦Ｖ2と
する。こうした条件を満たすことにより、図２に模式的
に示すように、回転体から排出された反応ガスＡを含む
ガスを環状部材の第１ガス穴から供給する不活性ガスＢ
により強制的に筒状体の側壁に沿って下方に流し、排気
口から排出させることができる。しかし、上記条件を満
たさないと、回転体から排出された反応ガスを含むガス
を強制的に筒状体の下方に排出させることができない。
本発明において、不活性ガスとしては、Ｎ2 ガス、Ａｒ
ガス、Ｈｅガス等が挙げられるが、いずれを用いてもよ
い。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１を
参照して説明する。図中の付番11は、上部に開口部12ａ
を、下部に開口部12ｂを有する筒状体である。この筒状
体11の上部内壁には、段差部としての断面コ字型の環状
部材13が設けられている。この環状部材13と筒状体11で
形成される空洞部14には、筒状体11に設けた不活性ガス
導入口15から不活性ガスが導入されるようになってい
る。前記環状部材13の下端部には、不活性ガスを筒状体
11の側壁と後述する回転体との領域に強制的に流すガス
導入穴（第１ガス穴）13ａが複数個設けられている。前
記環状部材13の内側には、後述するウェハ主面と平行と
なるように整流板16が係止されている。ここで、整流板
16には多数のガス穴16ａが例えば格子状に設けられてお
り、このガス穴（第２ガス穴）16ａを後述する反応ガス
が通過してウェハ主面に送給されるようになっている。
なお、ガス穴16ａは、ガス導入穴13ａよりも高い場所に
位置している。
参照して説明する。図中の付番11は、上部に開口部12ａ
を、下部に開口部12ｂを有する筒状体である。この筒状
体11の上部内壁には、段差部としての断面コ字型の環状
部材13が設けられている。この環状部材13と筒状体11で
形成される空洞部14には、筒状体11に設けた不活性ガス
導入口15から不活性ガスが導入されるようになってい
る。前記環状部材13の下端部には、不活性ガスを筒状体
11の側壁と後述する回転体との領域に強制的に流すガス
導入穴（第１ガス穴）13ａが複数個設けられている。前
記環状部材13の内側には、後述するウェハ主面と平行と
なるように整流板16が係止されている。ここで、整流板
16には多数のガス穴16ａが例えば格子状に設けられてお
り、このガス穴（第２ガス穴）16ａを後述する反応ガス
が通過してウェハ主面に送給されるようになっている。
なお、ガス穴16ａは、ガス導入穴13ａよりも高い場所に
位置している。
【０００９】前記筒状体11内の中央部には、上部にウェ
ハ17を載置する回転体18が配置されている。前記筒状体
11の上部側の開口部12ａには、蓋体としての天板19が設
けられている。ここで、整流板16と天板19と筒状体11に
より空洞部20が構成されている。この空洞部20には、筒
状体11の側壁上部に設けた反応ガス導入口21より反応ガ
スが送給されるようになっている。前記筒状体11の下部
側の開口部12ｂには、複数の排気口22を備えたベース板
23が取り付けられている。ここで、前記筒状体11や天板
19やベース板23により処理室（チャンバー）が構成され
ている。
ハ17を載置する回転体18が配置されている。前記筒状体
11の上部側の開口部12ａには、蓋体としての天板19が設
けられている。ここで、整流板16と天板19と筒状体11に
より空洞部20が構成されている。この空洞部20には、筒
状体11の側壁上部に設けた反応ガス導入口21より反応ガ
スが送給されるようになっている。前記筒状体11の下部
側の開口部12ｂには、複数の排気口22を備えたベース板
23が取り付けられている。ここで、前記筒状体11や天板
19やベース板23により処理室（チャンバー）が構成され
ている。
【００１０】こうした構成のＣＶＤ処理装置において、
整流板16の最外側のガス穴16ａと該穴16ａから最も離れ
た位置にある他の第２ガス穴16ａ間の距離、筒状体11の
内径を夫々Ｄ1 、Ｄ2 とし、環状部材13の頂部から底部
までの距離（高さ）、環状部材13の底部から回転体の頂
部までの距離を夫々Ｌ1 、Ｌ2 とし、かつ反応ガスを含
むガスが整流板16のガス穴16ａからウェハ17主面へ流れ
る流速、環状部材13のガス導入穴13ａからの不活性ガス
の流速を夫々Ｖ1 、Ｖ2 としたとき、Ｄ1 ＜Ｄ2 、Ｌ1
＞Ｌ2 、及びＶ1 ≦Ｖ2 とした。こうした構成とするこ
とにより、整流板16からの反応ガス等はウェハ17や回転
体18に供給され、その結果回転体18の回転によりガスが
筒状体11の側壁に向かおうとするが、環状部材13の複数
個のガス導入穴13ａから筒状体11の下方に向かって供給
される不活性ガスによりカーテン状の幕が形成されるた
め、反応ガス等が強制的に下方へ流され、排気口22より
排出される。従って、回転体18から排出したガスは直接
筒状部材側壁と接触することがなく、固体付着物が筒状
部材側壁に付着することを回避できる。
整流板16の最外側のガス穴16ａと該穴16ａから最も離れ
た位置にある他の第２ガス穴16ａ間の距離、筒状体11の
内径を夫々Ｄ1 、Ｄ2 とし、環状部材13の頂部から底部
までの距離（高さ）、環状部材13の底部から回転体の頂
部までの距離を夫々Ｌ1 、Ｌ2 とし、かつ反応ガスを含
むガスが整流板16のガス穴16ａからウェハ17主面へ流れ
る流速、環状部材13のガス導入穴13ａからの不活性ガス
の流速を夫々Ｖ1 、Ｖ2 としたとき、Ｄ1 ＜Ｄ2 、Ｌ1
＞Ｌ2 、及びＶ1 ≦Ｖ2 とした。こうした構成とするこ
とにより、整流板16からの反応ガス等はウェハ17や回転
体18に供給され、その結果回転体18の回転によりガスが
筒状体11の側壁に向かおうとするが、環状部材13の複数
個のガス導入穴13ａから筒状体11の下方に向かって供給
される不活性ガスによりカーテン状の幕が形成されるた
め、反応ガス等が強制的に下方へ流され、排気口22より
排出される。従って、回転体18から排出したガスは直接
筒状部材側壁と接触することがなく、固体付着物が筒状
部材側壁に付着することを回避できる。
【００１１】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、回
転体から排出された反応ガスを含むガスを筒状体の段差
部より供給する不活性ガスにより強制的に筒状体の下方
に流し、ガス排気口から排出させる機能を有した構成と
することにより、回転体から排出したガスが直接筒状体
側壁に接触するのを防止し、固体付着物が筒状体の側壁
に付着して、これに起因してウェハが汚染するのを防止
しえる真空処理装置を提供できる。
転体から排出された反応ガスを含むガスを筒状体の段差
部より供給する不活性ガスにより強制的に筒状体の下方
に流し、ガス排気口から排出させる機能を有した構成と
することにより、回転体から排出したガスが直接筒状体
側壁に接触するのを防止し、固体付着物が筒状体の側壁
に付着して、これに起因してウェハが汚染するのを防止
しえる真空処理装置を提供できる。
【図１】本発明の一実施例に係るＣＶＤ処理装置の全体
を示す概略図。
を示す概略図。
【図２】図１の装置におけるガスの流れを説明するため
の模式的な図。
の模式的な図。
【図３】従来のＣＶＤ処理装置の全体を示す概略図。
【図４】図３の装置における渦の発生を模式的に示す
図。
図。
11…筒状体、 13…環状部材、 14、20…空洞部、 15…不活性ガス導入口、 16…整流板、 17…ウェハ、 18…回転体、 19…天板、 21…反応ガス導入口、 22…排気口、 23…ベース板。
Claims (2)
- 【請求項１】 上部に開口部を有した筒状体と、この筒
状体内の中央部に配置され、上部にウェハが載置される
回転体と、前記筒状体内に配置され、下端部に筒状体内
壁と回転体間の領域に不活性ガスを供給する第１ガス穴
を有した断面コ字型の環状部材と、前記環状部材の内側
に前記ウェハ主面と対向するように配置され、前記ウェ
ハに反応ガスを供給するための第２ガス穴を第１ガス穴
より高い位置に有する整流板と、前記筒状体の開口部に
設けられた天板と、前記筒状体と整流板と天板により形
成される空洞部に反応ガスを導入する反応ガス導入手段
と、前記環状部材と筒状体により形成される空洞部に不
活性ガスを供給する不活性ガス導入手段と、筒状体の下
方に設けられたガス排気口とを具備し、 回転体から排出された反応ガスを含むガスを環状部材の
第１ガス穴から供給する不活性ガスにより強制的に筒状
体の下方に流し、ガス排気口から排出させる機能を有し
た構成であることを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】 前記整流板の最外側の第２ガス穴と該穴
から最も離れた位置にある他の第２ガス穴間の距離、筒
状体の内径を夫々Ｄ1 、Ｄ2 とし、環状部材の頂部から
底部までの距離、環状部材の底部から回転体の頂部まで
の距離を夫々Ｌ1 、Ｌ2 とし、かつ反応ガスを含むガス
が整流板の第２ガス穴からウェハへ流れる流速、環状部
材の第１ガス穴からの不活性ガスの流速を夫々Ｖ1 、Ｖ
2 としたとき、 Ｄ1 ＜Ｄ2 、 Ｌ1 ＞Ｌ2 、 及びＶ1 ≦Ｖ2 であることを特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32462497A JPH11162856A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32462497A JPH11162856A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11162856A true JPH11162856A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18167905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32462497A Pending JPH11162856A (ja) | 1997-11-26 | 1997-11-26 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11162856A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100757470B1 (ko) | 2006-11-22 | 2007-09-11 | (주)퓨전에이드 | 로터리형 가스공급장치 |
| JP2012049339A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置および成膜方法 |
| WO2014103728A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 昭和電工株式会社 | 成膜装置 |
| CN104264128A (zh) * | 2014-09-11 | 2015-01-07 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种用于mocvd反应器的格栅式气体分布装置 |
| US20160194753A1 (en) * | 2012-12-27 | 2016-07-07 | Showa Denko K.K. | SiC-FILM FORMATION DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SiC FILM |
-
1997
- 1997-11-26 JP JP32462497A patent/JPH11162856A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100757470B1 (ko) | 2006-11-22 | 2007-09-11 | (주)퓨전에이드 | 로터리형 가스공급장치 |
| JP2012049339A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置および成膜方法 |
| WO2014103728A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 昭和電工株式会社 | 成膜装置 |
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