JPS6379328A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPS6379328A JPS6379328A JP22360586A JP22360586A JPS6379328A JP S6379328 A JPS6379328 A JP S6379328A JP 22360586 A JP22360586 A JP 22360586A JP 22360586 A JP22360586 A JP 22360586A JP S6379328 A JPS6379328 A JP S6379328A
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- gas
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- nozzles
- gases
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、処理技術、特に、複数種類のガスを吹き出す
ヘッドを用いて処理が行われる処理技術に関し、例えば
、半導体装置の製造工程において、ウェハ上にCVDf
ftiを生成する自公転式のCVD技術に利用して有効
なものに関する。
ヘッドを用いて処理が行われる処理技術に関し、例えば
、半導体装置の製造工程において、ウェハ上にCVDf
ftiを生成する自公転式のCVD技術に利用して有効
なものに関する。
半導体装置の製造工程において、ウェハ上にCVD膜を
生成するCVD装置として、処理室と、処理室内に配置
された略円錐形状のバッファと、バッファの裾の周囲を
公転するように配設されているヒータカバーと、ヒータ
カバーに開設された複数の窓孔内に回転するように配設
されている複数のサセプタと、バッファの頂上に配され
て複数種類の処理ガスを吹き出すヘッドとを備えており
、サセプタ上に被処理物としてのウェハを収容して自公
転させながら、ヘッドから複数種類の処理ガスをそれぞ
れ同時に吹き出せ、そのガスのCVD反応により所望の
成膜処理を行うように構成されているものがある。
生成するCVD装置として、処理室と、処理室内に配置
された略円錐形状のバッファと、バッファの裾の周囲を
公転するように配設されているヒータカバーと、ヒータ
カバーに開設された複数の窓孔内に回転するように配設
されている複数のサセプタと、バッファの頂上に配され
て複数種類の処理ガスを吹き出すヘッドとを備えており
、サセプタ上に被処理物としてのウェハを収容して自公
転させながら、ヘッドから複数種類の処理ガスをそれぞ
れ同時に吹き出せ、そのガスのCVD反応により所望の
成膜処理を行うように構成されているものがある。
なお、CVD技術を述べである例゛としては、株式会社
工業調査会発行「電子材11985年11月号別冊」昭
和60年11月20日発行 P53〜P54、がある。
工業調査会発行「電子材11985年11月号別冊」昭
和60年11月20日発行 P53〜P54、がある。
このような自公転式のCVD装置においては、処理ガス
同士がヘッドから吹き出されると同時に接触して反応す
るため、ヘッドの表面に反応生成物等の異物が付着する
という問題点があることが、本発明者によって明らかに
された。
同士がヘッドから吹き出されると同時に接触して反応す
るため、ヘッドの表面に反応生成物等の異物が付着する
という問題点があることが、本発明者によって明らかに
された。
本発明の目的は、異物の付着を抑制することができる処
理技術を提供することにある。
理技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細嘗の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細嘗の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。
を説明すれば、次の通りである。
すなわち、相異なるガスをそれぞれ吹き出すノズルを複
数備えているヘッドを多重管構造に構成するとともに、
相異なるガスを吹き出すノズル同士に挟まれたノズルは
不活性ガスを吹き出すように構成したものである。
数備えているヘッドを多重管構造に構成するとともに、
相異なるガスを吹き出すノズル同士に挟まれたノズルは
不活性ガスを吹き出すように構成したものである。
前記した手段によれば、相異なるガスを吹き出すノズル
同士に挟まれたノズルから不活性ガスが吹き出されるた
め、相異な全ガスはヘッドから吹き出されてからその不
活性ガスに互いに遮蔽されることにより、直ちに接触せ
ずに、ヘッドから離れてから接触することになる。その
結果、ヘッド付近における反応生成物の発生および付着
が抑制される。
同士に挟まれたノズルから不活性ガスが吹き出されるた
め、相異な全ガスはヘッドから吹き出されてからその不
活性ガスに互いに遮蔽されることにより、直ちに接触せ
ずに、ヘッドから離れてから接触することになる。その
結果、ヘッド付近における反応生成物の発生および付着
が抑制される。
第1図は本発明の一実施例である自公転式CVD装置を
示す縦断面図、第2図はそのガスヘッド示す拡大部分断
面図である。
示す縦断面図、第2図はそのガスヘッド示す拡大部分断
面図である。
本実施例において、このCVD装置は下部に排気口2が
開設されているチャンバ1を備えており、チャンバ1内
の上部には底面開口の略円錐筒形状に形成されているベ
ルジャ3が吊持されている。
開設されているチャンバ1を備えており、チャンバ1内
の上部には底面開口の略円錐筒形状に形成されているベ
ルジャ3が吊持されている。
ベルジャ3の頂部には複数種類の処理ガスを吹き出すヘ
ッドく後記する。)が配設されており、ベルジャ3内に
はバッファ4が同心的に配設されている。バッファ4は
ベルジャ3に対して所定寸法小さく相似する略円錐形状
に形成されており、その円錐面が凹状に弯曲されている
。
ッドく後記する。)が配設されており、ベルジャ3内に
はバッファ4が同心的に配設されている。バッファ4は
ベルジャ3に対して所定寸法小さく相似する略円錐形状
に形成されており、その円錐面が凹状に弯曲されている
。
一方、チャンバ1内の下部にはターンテーブル5が水平
に支持されており、ターンテーブル5はモータや減速機
構等からなる回転駆動装置6により回転されるように構
成されている。ターンテーブル5上には複数の回転軸7
が外周辺部において周方向に略等間隔に配されて、それ
ぞれ略垂直に支承されており、各回転軸7はモータや減
速機構等からなる回転駆動装置8により回転されるよう
に構成されている。各回転軸7上には被処理物としての
ウェハ9を支持するためのサセプタ10がそれぞれ水平
に支持されており、このサセプタ10群は前記バッファ
4の下端辺の周囲を自転しながら公転するように配設さ
れている。
に支持されており、ターンテーブル5はモータや減速機
構等からなる回転駆動装置6により回転されるように構
成されている。ターンテーブル5上には複数の回転軸7
が外周辺部において周方向に略等間隔に配されて、それ
ぞれ略垂直に支承されており、各回転軸7はモータや減
速機構等からなる回転駆動装置8により回転されるよう
に構成されている。各回転軸7上には被処理物としての
ウェハ9を支持するためのサセプタ10がそれぞれ水平
に支持されており、このサセプタ10群は前記バッファ
4の下端辺の周囲を自転しながら公転するように配設さ
れている。
サセプタ10は石英ガラス等を用いてウェハ9よりも大
径の円板形状に作成されており、そのウェハ支持面であ
る上面は平坦面に形成されている。
径の円板形状に作成されており、そのウェハ支持面であ
る上面は平坦面に形成されている。
サセプタ10の上面には先の丸まった略円柱形状に形成
された複数本の突起11がウェハ9を同心円的に位置決
めし得るように配されて、サセプタ10と一体的にそれ
ぞれ突設されており、各突起11はその高さがウェハ9
の高さよりも高くなるように、かつまた、その周方向の
ピッチがウェハ9におけるオリエンテーションフラット
の幅より小さくなるように設定されている。
された複数本の突起11がウェハ9を同心円的に位置決
めし得るように配されて、サセプタ10と一体的にそれ
ぞれ突設されており、各突起11はその高さがウェハ9
の高さよりも高くなるように、かつまた、その周方向の
ピッチがウェハ9におけるオリエンテーションフラット
の幅より小さくなるように設定されている。
サセプタ10の下にはヒータ12が配設されており、こ
れらヒータ12はサセプタ10が支持しているウェハ9
をそれぞれ加熱し得るように構成されている。バッファ
4の下端辺にはヒータカバー13がターンテーブル5上
に立設された複数本の支柱14を介して支持されて配設
されている。
れらヒータ12はサセプタ10が支持しているウェハ9
をそれぞれ加熱し得るように構成されている。バッファ
4の下端辺にはヒータカバー13がターンテーブル5上
に立設された複数本の支柱14を介して支持されて配設
されている。
また、ヒータカバー13には複数の窓孔15がサセプタ
10を収容し得る大きさにそれぞれ開設されており、各
窓孔15の開口縁には面取り部が凸状弯曲面形状に形成
されている。各窓孔15にはサセプタ10がヒータカバ
ー13によって取り囲まれるように遊嵌されており、こ
れにより、ヒータカバー13はサセプタ10の下位置に
配されてヒータ12を被覆し、加熱が有効に行われるよ
うにしている。
10を収容し得る大きさにそれぞれ開設されており、各
窓孔15の開口縁には面取り部が凸状弯曲面形状に形成
されている。各窓孔15にはサセプタ10がヒータカバ
ー13によって取り囲まれるように遊嵌されており、こ
れにより、ヒータカバー13はサセプタ10の下位置に
配されてヒータ12を被覆し、加熱が有効に行われるよ
うにしている。
ベルジャ3の頂部に配設されているヘッド20は第1〜
第4ノズル21〜24を備えており、第2図に示されて
いるように、4m管構造に構成されているとともに、バ
ッファ4の頂上に同心的に配されて設備されている。
第4ノズル21〜24を備えており、第2図に示されて
いるように、4m管構造に構成されているとともに、バ
ッファ4の頂上に同心的に配されて設備されている。
第1ノズル21は最小口径の円筒形状に形成された本体
21aを備えており、本体21aの中空部はその一端(
以下、下端とするゆ)開口が吹出口21bを、中間部が
供給路21Cをそれぞれ実質的に形成している0本体2
1aの上端部には円盤形状に形成されたフランジ部21
dが清心に対して直角に、かつ同心的に配されて一体的
に突設されており、フランジ部21dには導入路21e
が半径方向に配されて供給路21Cとしての中空部の上
端に連通ずるように開設されている。この導入路21e
はモノシランまたはホスフィン等のような処理ガスを供
給する第1処理ガス供給源(図示せず)に接続されるよ
うになっている。
21aを備えており、本体21aの中空部はその一端(
以下、下端とするゆ)開口が吹出口21bを、中間部が
供給路21Cをそれぞれ実質的に形成している0本体2
1aの上端部には円盤形状に形成されたフランジ部21
dが清心に対して直角に、かつ同心的に配されて一体的
に突設されており、フランジ部21dには導入路21e
が半径方向に配されて供給路21Cとしての中空部の上
端に連通ずるように開設されている。この導入路21e
はモノシランまたはホスフィン等のような処理ガスを供
給する第1処理ガス供給源(図示せず)に接続されるよ
うになっている。
第2ノズル22は第1ノズル本体21aよりも大口径の
円筒形状に形成された本体22aを備えており、第2ノ
ズル22は第1ノズル21の外側に側本体の筒心同士が
合致するように配設されている。第2ノズル本体22a
の中空部は第1ノズル本体2taとの間で、下端開口が
第1ノズル吹出口21bを取り囲む円形リング形状の吹
出口22bを、その中間部が中空円筒形状の供給路22
Cをそれぞれ実質的に形成している。第2ノズル本体2
2aの上端部には略円盤形状に形成されたフランジ部2
2dが清心に対して直角に、かつ同心的に配されて一体
的に突設されており、フランジ部22dの内部にはガス
溜22fが清心に対して直角に、かつ同心的に配されて
、略円盤形状の中空に開設されている。フランジ部22
dには導入路22i3が半径方向に配されてガス溜22
〔に連通ずるように開設されており、この導入路22e
は不活性ガスとしての窒素ガスを供給するための供給源
(図示せず)に接続されるようになっている。フランジ
部22dの上端部には嵌合孔22gが同心的に開設され
ており、この嵌合孔22gに第1ノズル本体21aを上
方から嵌入されることにより、第2ノズル22は第1ノ
ズル21に同心円的に配されて下側にgi層されること
になる。
円筒形状に形成された本体22aを備えており、第2ノ
ズル22は第1ノズル21の外側に側本体の筒心同士が
合致するように配設されている。第2ノズル本体22a
の中空部は第1ノズル本体2taとの間で、下端開口が
第1ノズル吹出口21bを取り囲む円形リング形状の吹
出口22bを、その中間部が中空円筒形状の供給路22
Cをそれぞれ実質的に形成している。第2ノズル本体2
2aの上端部には略円盤形状に形成されたフランジ部2
2dが清心に対して直角に、かつ同心的に配されて一体
的に突設されており、フランジ部22dの内部にはガス
溜22fが清心に対して直角に、かつ同心的に配されて
、略円盤形状の中空に開設されている。フランジ部22
dには導入路22i3が半径方向に配されてガス溜22
〔に連通ずるように開設されており、この導入路22e
は不活性ガスとしての窒素ガスを供給するための供給源
(図示せず)に接続されるようになっている。フランジ
部22dの上端部には嵌合孔22gが同心的に開設され
ており、この嵌合孔22gに第1ノズル本体21aを上
方から嵌入されることにより、第2ノズル22は第1ノ
ズル21に同心円的に配されて下側にgi層されること
になる。
この積層状態において、第1ノズル21のフランジ部2
Id下面と第2ノズル22のフランジ部22d上面とは
接合されており、両接合面間にはシールリング25が挟
設されている。
Id下面と第2ノズル22のフランジ部22d上面とは
接合されており、両接合面間にはシールリング25が挟
設されている。
第3ノズル23は第2ノズル本体22aよりも大口径の
円筒形状に形成された本体23aを備えており、第3ノ
ズル23は第2ノズル22の外側に側本体の筒心同士が
合致するように配設されている。第3ノズル本体23a
の中空部は第2ノズル本体22aとの間で、下端開口が
第2ノズル吹出口22bを取り囲む円形リング形状の吹
出口23bを、その中間部が中空円筒形状の供給路23
Cをそれぞれ実質的に形成している。第3ノズル本体2
3aの上端部には略円盤形状に形成されたフランジ部2
3dが筒心に対して直角に、かつ同心的に配されて一体
的に突設されており、フランジ部23dの内部にはガス
溜23fが清心に対して直角に、かつ同心的に配されて
、略円盤形状の中空に開設されている。フランジ部23
dには導入路23eが半径方向に配されてガス溜23f
に連通ずるように開設されており、この導入路23eは
酸素ガス等のような前記とは異なるiiaの処理ガスを
供給するための第2処理ガス供給源(図示せず)に接続
されるようになっている。フランジ部23dの上端部に
は嵌合孔23gが同心的に開設されており、この嵌合孔
23gに第2ノズル本体22aを上方から嵌入されるこ
とにより、第3ノズル23は第2ノズル22に同心円的
に配されて下側に積層されることになる。この積層状態
において、第2ノズル22のフランジ部22d下面と第
3ノズル23のフランジ部23d上面とは接合されてお
り、両接合面間にはシールリング26カくi突設されて
いる。
円筒形状に形成された本体23aを備えており、第3ノ
ズル23は第2ノズル22の外側に側本体の筒心同士が
合致するように配設されている。第3ノズル本体23a
の中空部は第2ノズル本体22aとの間で、下端開口が
第2ノズル吹出口22bを取り囲む円形リング形状の吹
出口23bを、その中間部が中空円筒形状の供給路23
Cをそれぞれ実質的に形成している。第3ノズル本体2
3aの上端部には略円盤形状に形成されたフランジ部2
3dが筒心に対して直角に、かつ同心的に配されて一体
的に突設されており、フランジ部23dの内部にはガス
溜23fが清心に対して直角に、かつ同心的に配されて
、略円盤形状の中空に開設されている。フランジ部23
dには導入路23eが半径方向に配されてガス溜23f
に連通ずるように開設されており、この導入路23eは
酸素ガス等のような前記とは異なるiiaの処理ガスを
供給するための第2処理ガス供給源(図示せず)に接続
されるようになっている。フランジ部23dの上端部に
は嵌合孔23gが同心的に開設されており、この嵌合孔
23gに第2ノズル本体22aを上方から嵌入されるこ
とにより、第3ノズル23は第2ノズル22に同心円的
に配されて下側に積層されることになる。この積層状態
において、第2ノズル22のフランジ部22d下面と第
3ノズル23のフランジ部23d上面とは接合されてお
り、両接合面間にはシールリング26カくi突設されて
いる。
第4ノズル24は第3ノズル本体23aよりも大口径の
円筒形状に形成された本体24aを備えており、第4ノ
ズル24は第2ノズル22の外側に両本体の清心同士が
合致するように配設されている。第4ノズル本体24a
の下部は焼結材等のような多孔質材28を用いて形成さ
れており、その下端開口も多孔質材28により第3ノズ
ル吹出口23bを取り囲む円形リング形状に閉塞されて
いる。この多孔質材28はその多孔群が互いに連通ずる
ことにより、本体24aの内外を連通させる連通路(図
示せず)を実質的に形成しており、本体24aの中空部
はこれに接続する供給路24Cを実質的に形成している
。第4ノズル本体24aの上端部には略円盤形状に形成
されたフランジ部24dが清心に対して直角に、かつ同
心的に配されて固定的に突設されており、フランジ部2
4dの内部にはガス溜2.1が箇心に対して直角に、か
つ同心的に配されて、略円盤形状の中空に開設されてい
る。フランジ部24dには導入路246が半径方向に配
されてガス溜24fに連通ずるように開設されており、
この導入路23eは不活性ガスとしての窒素ガスを供給
するための供給源(図示せず)に接続されるようになっ
ている。フランジ部24dの上端部には嵌合孔24gが
同心的に開設されており、この嵌合孔24gに第3ノズ
ル本体23aを上方から嵌入されることにより、第4ノ
ズル24は第3ノズルに同心円的に配されて下側に積層
されることになる。この積層状態において、第3ノズル
23のフランジ部23d下面と第4ノズル24のフラン
ジ部24d上面とは接合されており、両接合面間にはシ
ールリング27が挟設されている。
円筒形状に形成された本体24aを備えており、第4ノ
ズル24は第2ノズル22の外側に両本体の清心同士が
合致するように配設されている。第4ノズル本体24a
の下部は焼結材等のような多孔質材28を用いて形成さ
れており、その下端開口も多孔質材28により第3ノズ
ル吹出口23bを取り囲む円形リング形状に閉塞されて
いる。この多孔質材28はその多孔群が互いに連通ずる
ことにより、本体24aの内外を連通させる連通路(図
示せず)を実質的に形成しており、本体24aの中空部
はこれに接続する供給路24Cを実質的に形成している
。第4ノズル本体24aの上端部には略円盤形状に形成
されたフランジ部24dが清心に対して直角に、かつ同
心的に配されて固定的に突設されており、フランジ部2
4dの内部にはガス溜2.1が箇心に対して直角に、か
つ同心的に配されて、略円盤形状の中空に開設されてい
る。フランジ部24dには導入路246が半径方向に配
されてガス溜24fに連通ずるように開設されており、
この導入路23eは不活性ガスとしての窒素ガスを供給
するための供給源(図示せず)に接続されるようになっ
ている。フランジ部24dの上端部には嵌合孔24gが
同心的に開設されており、この嵌合孔24gに第3ノズ
ル本体23aを上方から嵌入されることにより、第4ノ
ズル24は第3ノズルに同心円的に配されて下側に積層
されることになる。この積層状態において、第3ノズル
23のフランジ部23d下面と第4ノズル24のフラン
ジ部24d上面とは接合されており、両接合面間にはシ
ールリング27が挟設されている。
次に作用を説明する。
処理すべきウェハ9は各サセプタ10上において突起1
1群によって位置決めされるように載置状態にそれぞれ
支持される。サセプタ10に支持されたウェハ9はヒー
タ12により加熱される。
1群によって位置決めされるように載置状態にそれぞれ
支持される。サセプタ10に支持されたウェハ9はヒー
タ12により加熱される。
このとき、ヒータ12はヒータカバー13によって被覆
されているため、加熱が有効に行われるとともに、ヒー
タカバー13の上方空間への放熱が防止される。
されているため、加熱が有効に行われるとともに、ヒー
タカバー13の上方空間への放熱が防止される。
ウェハ9がセットされると、サセプタ10はヒータカバ
ー13における窓孔15内においてターンテーブル5お
よび回転軸7によりバッファ4の周囲を自公転される。
ー13における窓孔15内においてターンテーブル5お
よび回転軸7によりバッファ4の周囲を自公転される。
この自公転中、モノシランまたはホスフィンと酸素ガス
等のような処理ガスおよび窒素ガスがヘッド20の第1
〜第4ノズル21〜24からそれぞれバッファ4に向け
て供給される。
等のような処理ガスおよび窒素ガスがヘッド20の第1
〜第4ノズル21〜24からそれぞれバッファ4に向け
て供給される。
供給された処理ガスはバッファ4の錐面に沿って流下し
、その周囲において自公転されているウェハ9群に接触
した後、排気口2から排気される。
、その周囲において自公転されているウェハ9群に接触
した後、排気口2から排気される。
処理ガスがウェハ9に接触したときのCVD反応により
、ウェハ9上に所望のCVD膜が生成される。このとき
、ウェハ9は自公転されているため、ウェハ9はガス流
に対して全方位を均等に向けることになり、その結果、
ガスによる成膜処理がウェハ9の全周にわたって均一に
行われることになる。
、ウェハ9上に所望のCVD膜が生成される。このとき
、ウェハ9は自公転されているため、ウェハ9はガス流
に対して全方位を均等に向けることになり、その結果、
ガスによる成膜処理がウェハ9の全周にわたって均一に
行われることになる。
ところで、モノシランガスまたはホスフィンガスと酸素
ガスとがヘッドから吹き出された直後に互いに接触する
と、CVD反応を起こすため、ヘッドには反応生成物が
異物として付着し堆積することがある。この異物がヘッ
ドから剥離することによってウェハに付着すると、製造
歩留りが低下するため、ヘッドの表面を定期的に清掃す
る必要がある。
ガスとがヘッドから吹き出された直後に互いに接触する
と、CVD反応を起こすため、ヘッドには反応生成物が
異物として付着し堆積することがある。この異物がヘッ
ドから剥離することによってウェハに付着すると、製造
歩留りが低下するため、ヘッドの表面を定期的に清掃す
る必要がある。
しかし、本実施例においては、モノシランガスまたはホ
スフィンガスを吹き出す第1ノズル21と、酸素ガスを
吹き出す第3ノズル23との間において、第2ノズル2
2により窒素ガスが吹き出されているため、モノシラン
ガスまたはホスフィンガスと酸素ガスとはベンド20付
近において互いに接触することはなく、その結果、異物
がヘッド20に付着堆積することはない。
スフィンガスを吹き出す第1ノズル21と、酸素ガスを
吹き出す第3ノズル23との間において、第2ノズル2
2により窒素ガスが吹き出されているため、モノシラン
ガスまたはホスフィンガスと酸素ガスとはベンド20付
近において互いに接触することはなく、その結果、異物
がヘッド20に付着堆積することはない。
すなわち、第1ノズル21から吹き出されるガス流と第
3ノズル23から吹き出されるガス流との間には、第2
ノズル22から吹き出される窒素ガス流がエアカーテン
状に形成されるため、第1ノズル21からのガスと第3
ノズル23からのガスは吹き出し直後に互いに接触する
ことはない。
3ノズル23から吹き出されるガス流との間には、第2
ノズル22から吹き出される窒素ガス流がエアカーテン
状に形成されるため、第1ノズル21からのガスと第3
ノズル23からのガスは吹き出し直後に互いに接触する
ことはない。
そして、両ノズル21と23とからそれぞれ吹き出され
たガスは第2ノズル22が形成する窒素ガスのエアカー
テンが薄れたところで、接触し初めてCVD反応を起こ
し所期のCVDIJをウェハ9上に適正に形成すること
になる。
たガスは第2ノズル22が形成する窒素ガスのエアカー
テンが薄れたところで、接触し初めてCVD反応を起こ
し所期のCVDIJをウェハ9上に適正に形成すること
になる。
ここで、第2ノズル22にはガス溜22fが形成されて
いるため、導入路226により導入された窒素ガスはガ
ス溜22fに一時的に停滞した後、供給路22Cを通じ
て吹出口22bから環状に吹き出されることになる。そ
の結果、吹き出される窒素ガス流はその周方向において
均一な層流になるため、適正なエアカーテンが形成され
ることにより、前記両ガス流の遮蔽効果は一層確実化さ
れることになる。
いるため、導入路226により導入された窒素ガスはガ
ス溜22fに一時的に停滞した後、供給路22Cを通じ
て吹出口22bから環状に吹き出されることになる。そ
の結果、吹き出される窒素ガス流はその周方向において
均一な層流になるため、適正なエアカーテンが形成され
ることにより、前記両ガス流の遮蔽効果は一層確実化さ
れることになる。
また、第3ノズル23にもガス溜23fが形成されてい
るため、第3ノズル23の吹出口23bから吹き出され
る酸素ガス流も周方向において均一な層流となる。その
結果、酸素ガスはバッファ4の周方向において均等に供
給されることになり、CVD反応が全周方向において均
一に起こり、ウェハ間においてCVD膜が均一に形成さ
れることになる。ちなみに、第1ノズル21においては
、吹出口21bがリング形状でなく円形全面に形成され
ているため、ガス溜を省略することができる。
るため、第3ノズル23の吹出口23bから吹き出され
る酸素ガス流も周方向において均一な層流となる。その
結果、酸素ガスはバッファ4の周方向において均等に供
給されることになり、CVD反応が全周方向において均
一に起こり、ウェハ間においてCVD膜が均一に形成さ
れることになる。ちなみに、第1ノズル21においては
、吹出口21bがリング形状でなく円形全面に形成され
ているため、ガス溜を省略することができる。
ところで、第4ノズル24に供給された窒素ガスは多孔
質材28が形成する無数の開口から流出することになる
。したがって、万一、処理ガスやそれによって発生した
生成物等の異物がヘッド20の外方付近に逆流して来た
としても、多孔質材28により流出する窒素ガスにより
押し戻されるため、ヘッド20に付着するのは阻止され
ることになる。
質材28が形成する無数の開口から流出することになる
。したがって、万一、処理ガスやそれによって発生した
生成物等の異物がヘッド20の外方付近に逆流して来た
としても、多孔質材28により流出する窒素ガスにより
押し戻されるため、ヘッド20に付着するのは阻止され
ることになる。
前記実施例によれば次の効果が得られる。
(11相異なるガスを吹き出すノズル同士に挟まれたノ
ズルから不活性ガスを吹き出してエアカーテンを形成さ
せることにより、ガスヘッド付近において両ガスが互い
に接触するのを阻止することができるため、反応生成物
が発生するのを防止することができるとともに、異物が
ガスヘッド付近の表面に付着堆積するのを防止すること
ができる。
ズルから不活性ガスを吹き出してエアカーテンを形成さ
せることにより、ガスヘッド付近において両ガスが互い
に接触するのを阻止することができるため、反応生成物
が発生するのを防止することができるとともに、異物が
ガスヘッド付近の表面に付着堆積するのを防止すること
ができる。
(2)ガスヘッド付近に異物が付着するのを防止するこ
とにより、剥離した異物によるウェハの汚染を未然に回
避することができるため、製造歩留り並びに製品の品質
および信頼性を高めることができ、また、ガスヘッドお
よびその付近における処理室内面の清掃作業を省略ない
しは減少させることができるため、装置の稼働率を高め
ることにより、生産性を向上させることができる。
とにより、剥離した異物によるウェハの汚染を未然に回
避することができるため、製造歩留り並びに製品の品質
および信頼性を高めることができ、また、ガスヘッドお
よびその付近における処理室内面の清掃作業を省略ない
しは減少させることができるため、装置の稼働率を高め
ることにより、生産性を向上させることができる。
(3) 複数のノズルを同心円に、かつ、外側のもの
が内側のものにガス吹き出し方向に重ね合わせて多重管
構造に構成することにより、外側のノズルから内側のノ
ズルを順次積み重ねることにより多重管構造のヘッドを
構築することができるため、ヘッドの製作を簡単化する
ことができる。
が内側のものにガス吹き出し方向に重ね合わせて多重管
構造に構成することにより、外側のノズルから内側のノ
ズルを順次積み重ねることにより多重管構造のヘッドを
構築することができるため、ヘッドの製作を簡単化する
ことができる。
(4) ヘッドの外周から不活性ガスを流出させるこ
とにより、異物がヘッドに付着するのを防止することが
できるため、前記(1)、(2)の効果を一層高めるこ
とができる。
とにより、異物がヘッドに付着するのを防止することが
できるため、前記(1)、(2)の効果を一層高めるこ
とができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を通説しない範囲で種々変更何滴
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を通説しない範囲で種々変更何滴
であることはいうまでもない。
例えば、ヘッドは4重管構造に構成するに限らず、3重
管構造や5重管構造等のような他の多重管構造に形成し
てもよい。
管構造や5重管構造等のような他の多重管構造に形成し
てもよい。
ガス溜は導入路を周方向に複数本配設した場合等におい
ては省略することができる。
ては省略することができる。
ヘッドの最外周において不活性ガスを流出させる開口は
焼結材等の多孔質材により構成するに限らず、板材に小
孔を多数開設することによって構成してもよい。
焼結材等の多孔質材により構成するに限らず、板材に小
孔を多数開設することによって構成してもよい。
また、多孔質材としては焼結材を使用するに限らず、処
理に対する悪影響を回避することができる場合にはスポ
ンジ等のような多孔質の樹脂製材料等を使用してもよい
。
理に対する悪影響を回避することができる場合にはスポ
ンジ等のような多孔質の樹脂製材料等を使用してもよい
。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である自公転弐〇VD装置
に通用した場合について説明したが、それに躍定される
ものではなく、その他のCVD装置、酸化膜形成装置、
拡散装置、ドライエツチング装置等に通用することがで
きる。本発明は少なくとも処理ガスを使用する処理!l
l!i置全般装通用することができる。
をその背景となった利用分野である自公転弐〇VD装置
に通用した場合について説明したが、それに躍定される
ものではなく、その他のCVD装置、酸化膜形成装置、
拡散装置、ドライエツチング装置等に通用することがで
きる。本発明は少なくとも処理ガスを使用する処理!l
l!i置全般装通用することができる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
相異なるガスを吹き出す、ノズル同士に挟まれたノズル
から不活性ガスを吹き出してエアカーテンを形成させる
ことにより、ガスヘッド付近において両ガスが互いに接
触するのを阻止することができるため、反応生成物が発
生するのを防止することができるとともに、異物がガス
ヘッド付近の表面に付着堆積するのを防止することがで
きる。
から不活性ガスを吹き出してエアカーテンを形成させる
ことにより、ガスヘッド付近において両ガスが互いに接
触するのを阻止することができるため、反応生成物が発
生するのを防止することができるとともに、異物がガス
ヘッド付近の表面に付着堆積するのを防止することがで
きる。
第1図は本発明の一実施例である自公転式CVD装置を
示す縦断面図、 第2図はそのガスヘッドを示す拡大部分断面図である。 1・・・チャンバ、2・・・排気口、3・・・ベルジャ
、4・・・バッファ、5・・・ターンテーブル、6.8
・・・回転駆動装置、7・・・回転軸、9・・・ウェハ
(被処理物)、10・・・サセプタ、11・・・突起、
12・・・ヒータ、13・・・ヒータカバー、14・・
・支柱、15・・・窓孔、20・・・ヘッド、21・・
・第1ノズル、22・・・第2ノズル、23・・・第3
ノズル、24・・・第4ノズル、21a〜24a・・・
ノズル本体、21b〜24b・・・吹出口、21c〜2
4C・・・供給路、21d〜24d・・・フランジ部、
21e〜24e・・・導入路、22f〜24f・・・ガ
ス溜、22g〜24g・・・嵌合孔、25.26.27
・・・シールリング、28・・・多孔質材。 第 1 図 りl /−デーf>八゛。 /2−ご−ソ 7.3−と−りnハ゛′− 第 2 図 27f〜219−で・・ズ尭「
示す縦断面図、 第2図はそのガスヘッドを示す拡大部分断面図である。 1・・・チャンバ、2・・・排気口、3・・・ベルジャ
、4・・・バッファ、5・・・ターンテーブル、6.8
・・・回転駆動装置、7・・・回転軸、9・・・ウェハ
(被処理物)、10・・・サセプタ、11・・・突起、
12・・・ヒータ、13・・・ヒータカバー、14・・
・支柱、15・・・窓孔、20・・・ヘッド、21・・
・第1ノズル、22・・・第2ノズル、23・・・第3
ノズル、24・・・第4ノズル、21a〜24a・・・
ノズル本体、21b〜24b・・・吹出口、21c〜2
4C・・・供給路、21d〜24d・・・フランジ部、
21e〜24e・・・導入路、22f〜24f・・・ガ
ス溜、22g〜24g・・・嵌合孔、25.26.27
・・・シールリング、28・・・多孔質材。 第 1 図 りl /−デーf>八゛。 /2−ご−ソ 7.3−と−りnハ゛′− 第 2 図 27f〜219−で・・ズ尭「
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、複数種類のガスを吹き出すヘッドを備えており、こ
のヘッドは複数のノズルが同心円に、かつ、外側のもの
が内側のものにガス吹き出し方向に重ね合わされて多重
管構造に構成されているとともに、相異なるガスを吹き
出すノズル同士に挟まれたノズルは不活性ガスを吹き出
すように構成されている処理装置。 2、各ノズルが、ガス溜をそれぞれ備えていることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の処理装置。 3、最外周のノズルが、多孔質材により形成されて不活
性ガスを流出するように構成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22360586A JPS6379328A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22360586A JPS6379328A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6379328A true JPS6379328A (ja) | 1988-04-09 |
Family
ID=16800806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22360586A Pending JPS6379328A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6379328A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4797200A (en) * | 1984-05-04 | 1989-01-10 | Exxon Research And Engineering Company | Upgrading heavy oils by solvent dissolution and ultrafiltration |
US5264040A (en) * | 1991-07-11 | 1993-11-23 | Sematech, Inc. | Rapid-switching rotating disk reactor |
KR100224461B1 (ko) * | 1995-04-20 | 1999-10-15 | 히가시 데쓰로 | 샤워헤드 및 이를 이용한 성막장치 |
US10651016B2 (en) * | 2017-03-15 | 2020-05-12 | Hermes-Epitek Corporation | Detachable gas injector used for semiconductor equipment |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP22360586A patent/JPS6379328A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4797200A (en) * | 1984-05-04 | 1989-01-10 | Exxon Research And Engineering Company | Upgrading heavy oils by solvent dissolution and ultrafiltration |
US5264040A (en) * | 1991-07-11 | 1993-11-23 | Sematech, Inc. | Rapid-switching rotating disk reactor |
US5284805A (en) * | 1991-07-11 | 1994-02-08 | Sematech, Inc. | Rapid-switching rotating disk reactor |
KR100224461B1 (ko) * | 1995-04-20 | 1999-10-15 | 히가시 데쓰로 | 샤워헤드 및 이를 이용한 성막장치 |
US10651016B2 (en) * | 2017-03-15 | 2020-05-12 | Hermes-Epitek Corporation | Detachable gas injector used for semiconductor equipment |
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