JPH10190001A - 有機薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents

有機薄膜トランジスタの製造方法

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JPH10190001A
JPH10190001A JP9331398A JP33139897A JPH10190001A JP H10190001 A JPH10190001 A JP H10190001A JP 9331398 A JP9331398 A JP 9331398A JP 33139897 A JP33139897 A JP 33139897A JP H10190001 A JPH10190001 A JP H10190001A
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insulating material
alkylthiophene
organic
substrate
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JP9331398A
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Zhenan Bao
バオ ゼナン
Ananth Dodabalapur
ドダバラパー アナンス
Yi Feng
フェン イ
Venkataram Reddy Raju
レディ ラジュ ベンカタラム
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 活性層が有機材料であって、そのキャリア移
動度が１０-3ｃｍ2／Ｖｓ以上であり、伝導度が約１０
-5Ｓ／ｃｍ以下であるような、半導体薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を実現する。 【解決手段】 有機半導体材料は、３−アルキルチオフ
ェンモノマーのホモポリマーである。このホモポリマー
は位置規則的(regioregular)構造を有し、チオフェン部
分のアルキル基（Ｒ基）の配向は、ポリマー鎖上で隣接
するチオフェン部分に関して規則的である。すなわち、
ポリマーバックボーンにおいて２つの隣接するチオフェ
ン部分に対して、ただ１個のアルキル基がこれらの２つ
のチオフェン部分の間の空間に配向するように、チオフ
ェン部分のアルキル基は配置される。ポリマー中のほと
んどのチオフェン部分はこの「規則的」配向のアルキル
基を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機材料の活性層
を含む薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、および、そのよう
なトランジスタの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、薄膜電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）内の活性半導体層として使用するために有機材料が
検討されている。有機材料は加工が容易であり、一般に
薄膜ＦＥＴが形成されるプラスチック基板と親和性が高
いので、薄膜デバイス内の活性半導体層としての使用は
魅力的である。このような長所は、低コストで大面積の
デバイスを製造する際に重要である。有機半導体が薄膜
ＦＥＴ内の活性半導体層として使用されるためには、結
果として得られるデバイスのオン／オフ比が受け入れら
れるものでなければならない。一般に、薄膜ＦＥＴのオ
ン／オフ比は少なくとも１０3でなければならない。こ
こで使用するオン／オフ比という用語は、トランジスタ
がオンであるときのソース−ドレイン電流の、トランジ
スタがオフであるときのソース−ドレイン電流に対する
比のことである。
【０００３】有機半導体材料が活性半導体層としての使
用に適しているかどうかを示す有機半導体材料の性質
は、キャリア移動度および（電気）伝導率である。キャ
リア移動度（μ）は、半導体材料の層内での粒子（例え
ば、電子、正孔）の平均のドリフト速度の尺度であり、
このような粒子の運動が、加えられる電界によってどの
くらい強く影響を受けるかを決定するため重要である。
伝導率（σ）は、半導体材料層が電荷を伝導する能力を
記述する。伝導度は次式によってキャリア移動度と関連
づけられる。 σ＝ｑｐμ ただし、ｐはキャリア密度であり、ｑは電気素量であ
る。キャリア移動度が約１０-3ｃｍ2／Ｖｓ（センチメ
ートル2／ボルト・秒）以上で伝導度が約１０-5Ｓ／ｃ
ｍ（ジーメンス／センチメートル）以下の有機半導体材
料は、薄膜ＦＥＴ内の活性半導体層として有用な可能性
がある。このような性質の活性半導体層を有するＦＥＴ
は少なくとも約１０3のオン／オフ比を有するであろ
う。
【０００４】有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）デバイス
を製造する方法として、電気化学重合、溶液塗布および
真空堆積という３つの方法が用いられている。Tsumura,
A.,et al., "Macromolecular electronic device: Fie
ld-effect transistor witha polythiophene thin fil
m", Appl. Phys. Lett., vol.49 (18), pp.1210-1212
(1986)、には、２，２’−ビチオフェンと過塩素酸テト
ラエチルアンモニウム電解質をアセトニトリル溶液中で
１００μＡ／ｃｍ2（マイクロアンペア／センチメート
ル2）の定電流で電気化学重合して半導体有機高分子
（ポリマー）を形成することが記載されている。このよ
うな電気化学重合を用いて形成される有機ポリマーは、
キャリア移動度が約１０-5ｃｍ2／Ｖｓのポリチオフェ
ン化合物であり、薄膜ＦＥＴで使用する材料としては不
満足である。
【０００５】Assadi, A., et al., "Field-effect mobi
lity of poly(3-hexylthiophene)",Appl. Phys. Lett.,
vol.53 (3), pp.195-197 (1988)、には、ポリ（３−ヘ
キシルチオフェン）をクロロホルムに濃度１ｍｇ／ｍｌ
で溶解した後に基板上にスピンコートしてアモルファス
のポリ（３−アルキルチオフェン）半導体高分子膜を形
成することが記載されている。形成される有機ポリマー
は、キャリア移動度が約１０-5ｃｍ2／Ｖｓ〜１０-4ｃ
ｍ2／Ｖｓのポリ（３−ヘキシルチオフェン）膜であ
り、薄膜デバイスで使用する材料としては不満足であ
る。
【０００６】Fuchigami, H., et al., "Polythienylene
vinylene thin-film transistor with high carrier mo
bility", Appl. Phys. Lett., vol.63 (10), pp.1372-1
374(1993)、には、ポリチエニレンビニレン半導体膜を
ポリマーの可溶性プリカーサ（前駆体）から形成するこ
とが記載されている。プリカーサポリマーを溶液から堆
積した後、化学反応によって半導体ポリマーに変換す
る。この２ステップのFuchigami et al.のプロセスを用
いて形成される有機半導体ポリマーのキャリア移動度は
約１０-1ｃｍ2／Ｖｓである。
【０００７】オリゴチオフェンのようなオリゴマーの真
空堆積によって形成される有機半導体ポリマーが、Garn
ier,F., et al., "All-Polymer Field-Effect Transist
or Realized by Printing Techniques", Science, vol.
265, pp.1684-1686 (1994)、に記載されている。真空堆
積によって形成される有機半導体ポリマーのキャリア移
動度は約１０-2ｃｍ2／Ｖｓである。しかし、Garnier e
t al.に記載されているプロセスは高価な蒸発装置を用
いているので、低コスト薄膜ＦＥＴを製造するためにこ
のようなプロセスを利用することは制限される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、有機半導体層
を形成するために用いられる技術がさらに求められてい
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、活性層が有機
材料であって、そのキャリア移動度が１０-3ｃｍ2／Ｖ
ｓ以上であり、伝導度が約１０-5Ｓ／ｃｍ以下であるよ
うな、半導体薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造方法に
関する。この有機半導体材料は、３−アルキルチオフェ
ンモノマーのホモポリマーである。このホモポリマーは
位置規則的(regioregular)構造を有する。
【００１０】３−アルキルチオフェンモノマーの位置規
則的ホモポリマーでは、与えられたチオフェン部分のア
ルキル基（Ｒ基）の配向は、ポリマー鎖上で隣接するチ
オフェン部分に関して規則的である。すなわち、ポリマ
ーバックボーンにおいて与えられた２つの隣接するチオ
フェン部分に対して、ただ１個のアルキル基がこれらの
２つのチオフェン部分の間の空間に配向するように、チ
オフェン部分のアルキル基は配置される。ポリマー中の
ほとんどのチオフェン部分はこの「規則的」配向のアル
キル基を有する。しかし、少なくとも９５パーセントの
チオフェン部分がこのような配向のアルキル置換基を有
するような位置規則的３−アルキルチオフェンポリマー
であれば適当であると考えられる。
【００１１】本発明の一実施例では、ＴＦＴは、有機半
導体材料の活性層を有する金属−絶縁体−半導体電界効
果トランジスタ（ＭＩＳ−ＦＥＴ）である。このＴＦＴ
は、ガラス、シリコン、あるいはプラスチックのような
従来の基板材料上に形成される。絶縁材料の層は、スピ
ンコート、鋳込成形あるいはスクリーンプリントなどの
さまざまな技術を用いて基板上に形成される。絶縁材料
という用語は、伝導度が約１０-12Ｓ／ｃｍ以下の材料
をいう。活性層は絶縁層上に形成される。
【００１２】一般に、デバイスは、離間した３個の接点
を有する。これらの接点のうちの少なくとも２個は、有
機半導体層と物理的に接触し、このような半導体層の少
なくとも一部を通る電流路を有する。第３の接点は、基
板と物理的に接触し、第１の接点と第２の接点の間に位
置する半導体層を通る電流を制御する。接点は金属から
なる。ＭＩＳ−ＦＥＴデバイスにおける接点として用い
られる金属は従来どおりであり、当業者に周知である。
適当な金属の一例は金である。
【００１３】本発明のプロセスにおいて、活性半導体層
は、有機材料と溶媒からなる溶液を絶縁材料の層の上に
塗布することによって形成される。有機材料と溶媒の溶
液は、スピンコート、鋳込成形およびプリントなどのさ
まざまな技術を用いて塗布される。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明は、活性半導体層を有する
ＴＦＴデバイスの製造方法に関する。活性半導体層は、
キャリア移動度が約１０-3ｃｍ2／Ｖｓ以上で伝導度が
約１０-5Ｓ／ｃｍ以下の有機ポリマーである。本発明の
プロセスによって製造されるデバイスの２０℃でのオン
／オフ比は約１０3以上である。
【００１５】図１に、ＴＦＴの活性半導体層として用い
られる３−アルキルチオフェンモノマーの位置規則的ホ
モポリマーを示す。アルキル基は少なくとも２〜１２個
の炭素原子を有し、図１および図２では文字Ｒで一般的
に表している。このアルキル基の例としては、イソプロ
ピルやイソブチルのような分岐鎖や、直鎖アルキルがあ
る。アルキル基は、置換されていても置換されていなく
てもよい。置換されている場合、適当な置換基の例とし
ては、カルボン酸、スルホン酸、およびチオールがあ
る。
【００１６】３−アルキルチオフェンモノマーの位置規
則的ホモポリマーでは、チオフェン部分のアルキル基の
配向は、ポリマー鎖の隣接するチオフェン部分に関して
規則的である。すなわち、ポリマーバックボーンにおい
て与えられた２つの隣接するチオフェン部分に対して、
ただ１個のアルキル基がこれらの２つのチオフェン部分
の間の空間に配向する。２つの異なる位置規則的ポリ
（３−アルキルチオフェン）構造をそれぞれ図１および
図２に示す。図１の構造では、チオフェン部分はポリマ
ーバックボーンに対して一定の配向である。その結果、
図１のＲ基はポリマー鎖の片側にある。図２の構造で
は、鎖中のチオフェン部分の配向はポリマーバックボー
ンに対して第１の配向と第２の配向の間で交互になって
いる。第１配向のチオフェン部分のＲ基はポリマーバッ
クボーンの第１の側にある。第２配向のチオフェン部分
のＲ基はポリマーバックボーンの第１の側とは反対の側
にある。図１および図２に示したポリマー内のＲ基の位
置は規則的であるため、位置規則的(regioregular)とい
う。ポリマーバックボーンを構成するチオフェン部分の
Ｒ基のこのような位置規則的配向のことを以下ではＨＴ
(head-to-tail)連結という。一般に、３−アルキルチオ
フェンモノマーのホモポリマーは少なくとも９５％のＨ
Ｔ連結を有し、ポリマー鎖中の少数のチオフェン部分
（約５％以下）は、位置規則的配向に従わない配向を有
する。
【００１７】図３に、本発明のプロセスを用いて形成さ
れる金属−絶縁体−半導体（ＭＩＳ）ＦＥＴ型のデバイ
スの例を示す。ＭＩＳＦＥＴ１００は基板１１０を有
し、その上に、絶縁材料層１２０および金属接点１３０
が形成される。さらに２つの金属接点１４０および１５
０が、絶縁材料層上に形成される。有機半導体材料層１
６０が、接点１４０および１５０の上およびそれらの間
に形成される。（ＭＩＳＦＥＴの別の例（図４）では、
金属接点１３０は基板と絶縁材料層１２０の間に形成さ
れ、金属接点１４０および１５０は有機半導体材料層１
６０の上に形成される。）
【００１８】基板１１０は、シリコン、ガラス、あるい
はプラスチックのような従来の材料からなる。接点１３
０、１４０、１５０は、金、インジウムスズ酸化物（Ｉ
ＴＯ）、導電性インク、あるいは導電性ポリマーのよう
なこの目的のための従来の材料からなる。接点１３０、
１４０、１５０は従来の周知の方法を用いて形成され、
ここでは詳細には説明しない。
【００１９】一実施例では、絶縁材料層１２０は有機材
料である。有機絶縁材料の例には、ポリイミド、ポリエ
ステル、およびポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）
がある。絶縁材料層は、有機絶縁材料を基板表面上に鋳
込成形、スピンコートあるいはプリントすることによっ
て形成される。一実施例では、絶縁材料はスクリーンマ
スクを用いて基板上にプリントされる。スクリーンマス
クは、１インチあたり４００メッシュカウントで乳剤の
厚さが約７．５マイクロメートル（μｍ）のステンレス
スチール織布からなる。有機材料をステンレススチール
織布に塗布し、スクイージー（ドクターブレード）を用
いてスクリーンの開口を通して有機材料を基板表面上に
押し出す。このようなスクリーンプリントを用いて形成
される絶縁材料の厚さは約０．１マイクロメートル（μ
ｍ）〜１．０マイクロメートル（μｍ）である。一般
に、絶縁材料のキャパシタンスは約１０-8Ｆ／ｃｍ
2（ファラド／平方センチメートル）とする。別法とし
て、絶縁材料層は、二酸化シリコン、窒化シリコン（Ｓ
ｉ3Ｎ4）、あるいは酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）のよ
うな無機材料から、従来技術で周知の方法を用いて形成
することも可能である。
【００２０】活性有機半導体材料層１６０は、位置規則
的有機ポリマーと適当な溶媒の溶液を、スピンコート、
鋳込成形、あるいはプリントのような従来の方法を用い
て塗布することによって形成される。例えば、位置規則
的ポリ（３−アルキルチオフェン）化合物は、クロロホ
ルム、塩化メチレン、クロロベンゼン、およびテトラク
ロロエチレンのような塩素化有機溶媒に可溶である。沈
殿したポリマーを含む溶液から形成した膜には不連続が
生じるので、有機ポリマーは溶媒に完全に溶解すること
が望ましい。有機半導体材料層１６０の厚さは少なくと
も３００Åである。
【００２１】例として、図３のＭＩＳＦＥＴのようなＭ
ＩＳ−ＦＥＴ型ＴＦＴは、ｎドープしたシリコン基板１
１０上にチャネル長１２μｍ、ゲート長２５０μｍで形
成される。厚さ３０００Åの二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2）層が基板１１０上に形成される。絶縁材料層１２
０は、キャパシタンスが約１０ｎＦ／ｃｍ2（ナノファ
ラド／平方センチメートル）のＳｉＯ2層である。２つ
の別々の金接点１４０、１５０が絶縁材料層１２０の上
に形成される。第３の接点はシリコン基板１１０上に直
接形成される。ポリ（３−アルキルチオフェン）層が絶
縁材料層１２０の上に形成され、その上に接点１４０、
１５０が形成される。
【００２２】
【実施例】位置規則的なポリ（３−ヘキシルチオフェ
ン）（ＰＨＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）（Ｐ
ＯＴ）およびポリ（３−ドデシルチオフェン）（ＰＤ
Ｔ）を、Aldrich Chemical Companyから入手した。これ
らのポリマーにおける連結は、少なくとも９８．５％が
ＨＴ連結であった。ポリマーの平均分子量は２５，００
０以上であり、多分散度(polydispersity)は約１．５で
あった。これらのポリマーをトルエンに溶解してアセト
ンから沈殿させることにより精製した。精製を全部で３
回実行した後、アセトンで抽出した。
【００２３】それぞれの位置規則的ポリ（３−アルキル
チオフェン）（０．０１ｇ／ｍｌ）を室温でクロロホル
ムに溶解し、孔径０．２００μｍのポリテトラフルオロ
エチレン（ＰＴＦＥ）メンブランシリンジフィルタで濾
過した。
【００２４】上記の位置規則的ポリ（３−アルキルチオ
フェン）化合物を活性層として用いて、図３に関して上
記で一般的に説明したようにして、デバイスを形成し
た。溶解したポリマーを含む溶液を鋳込成形によって絶
縁層上に塗布した。結果として得られた膜の厚さは溶液
の濃度に依存した。この基板を真空環境で２４時間乾燥
させた。さらに、一部の基板については、窒素（Ｎ2）
ガスを水酸化アンモニウム水溶液中で発泡させた容器内
にこの基板を入れることによって、ポリ（３−アルキル
チオフェン）を気体アンモニア（ＮＨ3）に１０時間暴
露した。
【００２５】上記のようにして調整した膜のキャリア移
動度および伝導度を以下の表１にまとめる。これらの膜
から製造したデバイスのオン／オフ比も示す。
【００２６】
【表１】 ＊ＰＨＴ膜を鋳込成形により塗布した後、基板を真空環
境で乾燥させ、ＮＨ3に暴露した。
【００２７】表１にまとめたキャリア移動度、伝導度、
およびオン／オフ比の値の範囲は、角半導体材料層ごと
に少なくとも２つの基板を用いて形成したデバイスで測
定した。例えば、ヘキシル置換基を有する半導体有機ポ
リマー層を１０個の基板上に形成し、少なくとも２０個
のデバイスを各基板上に形成した。
【００２８】表１にまとめたキャリア移動度μは次式を
用いて計算した。 ＩDS＝（ＷＣi／２Ｌ）μ（ＶG−Ｖ0）2 ただし、Ｗはチャネル幅（２５０μｍ）、Ｌはチャネル
長（１２μｍ）、および、Ｃiは絶縁材料層の単位面積
あたりのキャパシタンス（１０ｎＦ／ｃｍ2）である。
上記の式を用いてキャリア移動度μを計算するため、飽
和領域におけるドレイン−ソース電流（ＩDS）の平方根
と、デバイスのゲート電圧（ＶG）の間の関係から、測
定値からＩDS＝０へ外挿することによって、見かけのし
きい値電圧（Ｖ0）が決定される。飽和領域におけるＩ
DSは、与えられたＶGにおけるドレイン−ソース電圧
（ＶDS）とドレイン−ソース電流の間の関係を観測する
ことによって決定される。飽和領域におけるＩDSとは、
ドレイン−ソース電圧を上げてもＩDSがもはや増大しな
いときのＩDSである。飽和領域におけるＩDSはＶGとと
もに変動する。Ｖ0を決定するこの方法は従来のもので
あり、当業者には周知である。
【００２９】伝導度は次式から決定した。 σ＝ＣiＶ0μ／ｄ ただし、Ｃiは絶縁層のキャパシタンス、Ｖ0は見かけの
しきい値電圧、μはキャリア移動度、および、ｄは半導
体ポリマー膜の厚さである。
【００３０】オン／オフ比は、ゲート電圧（ＶG）がド
レイン電圧（ＶD）以上であるときに飽和状態で流れる
ドレイン電流の、ＶGが０のときに流れるドレイン電流
に対する比である。例えば、ＶDおよびＶGがいずれも−
１００ＶのときＩDSが９×１０-6Ａで、ＶG＝０かつＶD
＝−１００ＶのときＩDSが１×１０-9Ａである場合、デ
バイスのオン／オフ比は９×１０3である。
【００３１】発明者は特定の理論にこだわるものではな
いが、デバイスの性能はポリ（３−アルキルチオフェ
ン）膜の形態（モルフォロジー）に関連していると考え
られる。表１に列挙した位置規則的ポリ（３−ヘキシル
チオフェン）膜のＸ線回折分析を図５に示す。これによ
れば、非常に強く鋭い１次回折ピークが５．４°にあ
り、２次回折ピークは１０．８°、３次回折ピークは１
６．３°にあり、１６．３６Åの分子間間隔に対応する
（グラフ参照）。このような分子間間隔は、アルキル基
によって離間された、チオフェン鎖の層の（基板面に平
行な）平面状積層を提供する。このようにして、チオフ
ェンポリマーバックボーンは一般に基板表面に平行とな
る。
【００３２】同じ位置規則的ポリ（３−ヘキシルチオフ
ェン）膜に対して実行した電子回折分析も図５に示して
ある。電子回折は約３．７〜３．８Åに主要なピークを
示しており、これは、隣接する鎖中の積層したチオフェ
ン環の間の距離に対応する。チオフェン環間隔に対する
このような値は、ヘキシル基が基板の表面にほぼ垂直に
配向し、積層したチオフェン鎖の方向が基板に平行であ
るという好ましい配向を示している。
【００３３】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、活
性層が有機材料であって、そのキャリア移動度が１０-3
ｃｍ2／Ｖｓ以上であり、伝導度が約１０-5Ｓ／ｃｍ以
下であるような、半導体薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が
実現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＨＴ(head-to-tail)連結の配位規則的構造を含
むポリ（３−アルキルチオフェン）化合物の構造の図で
ある。
【図２】図１に示した配位規則的構造に相補的なＨＴ連
結の図である。
【図３】本発明のプロセスを用いて形成される金属−絶
縁体−半導体（ＭＩＳ）ＦＥＴの図である。
【図４】図３のＭＩＳＦＥＴの変形例の図である。
【図５】ポリ（３−ヘキシルチオフェン）層のＸ線回折
および電子回折分析の図である。
【符号の説明】
１００ ＭＩＳＦＥＴ １１０ 基板 １２０ 絶縁材料層 １３０ 金属接点 １４０ 金属接点 １５０ 金属接点 １６０ 有機半導体材料層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ゼナン バオ アメリカ合衆国、07060 ニュージャージ ー、ノース プレインフィールド、ロック アベニュー 1275、アパートメント ジ ェイジェイ８ (72)発明者 アナンス ドダバラパー アメリカ合衆国、07946 ニュージャージ ー、ミリントン、ヒルトップ ロード 62 (72)発明者 イ フェン アメリカ合衆国、44321 オハイオ、コー プリー、コブルストーン ドライブ 4343 (72)発明者 ベンカタラム レディ ラジュ アメリカ合衆国、07974 ニュージャージ ー、ニュー プロビデンス、プリンストン ドライブ 49

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上にゲート電極を形成するステップ
    と、 前記基板上に絶縁材料層を形成するステップと、 有機材料と溶媒からなる溶液を前記絶縁材料層の上に塗
    布して有機材料活性層を形成するステップと、 前記有機材料活性層に接触してソース電極およびドレイ
    ン電極を形成するステップとからなる、有機薄膜トラン
    ジスタの製造方法において、 前記有機材料活性層のキャリア移動度は約１０-2ｃｍ2
    ／Ｖｓ以上であることを特徴とする、有機薄膜トランジ
    スタの製造方法。
  2. 【請求項２】 前記有機材料活性層は位置規則的ポリ
    （３−アルキルチオフェン）からなることを特徴とする
    請求項１の方法。
  3. 【請求項３】 位置規則的ポリ（３−アルキルチオフェ
    ン）は、 【化１】 および 【化２】 からなる群から選択される構造を有することを特徴とす
    る請求項２の方法。
  4. 【請求項４】 Ｒは置換アルキル基または非置換アルキ
    ル基であることを特徴とする請求項３の方法。
  5. 【請求項５】 アルキル基は２〜１２個の炭素原子を有
    することを特徴とする請求項４の方法。
  6. 【請求項６】 前記溶媒は塩素化有機溶媒からなること
    を特徴とする請求項１の方法。
  7. 【請求項７】 前記塩素化有機溶媒はクロロホルムであ
    ることを特徴とする請求項６の方法。
  8. 【請求項８】 前記溶液は前記絶縁材料層上にプリント
    されることを特徴とする請求項１の方法。
  9. 【請求項９】 前記絶縁材料層は、ポリイミド、ポリエ
    ステル、およびポリメチルメタクリレートからなる群か
    ら選択されることを特徴とする請求項１の方法。
  10. 【請求項１０】 前記絶縁材料層は前記基板上にプリン
    トされることを特徴とする請求項９の方法。
  11. 【請求項１１】 基板上にゲート電極を形成するステッ
    プと、 前記基板上に絶縁材料層をプリントするステップと、 有機材料と溶媒からなる溶液を前記絶縁材料層の上にプ
    リントして有機材料活性層を形成するステップと、 前記有機材料活性層に接触してソース電極およびドレイ
    ン電極を形成するステップとからなる、有機薄膜トラン
    ジスタの製造方法において、 前記有機材料活性層のキャリア移動度は約１０-2ｃｍ2
    ／Ｖｓ以上であることを特徴とする、有機薄膜トランジ
    スタの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記有機材料活性層は位置規則的ポリ
    （３−アルキルチオフェン）からなることを特徴とする
    請求項１１の方法。
  13. 【請求項１３】 位置規則的ポリ（３−アルキルチオフ
    ェン）は、 【化３】 および 【化４】 からなる群から選択される構造を有することを特徴とす
    る請求項１２の方法。
  14. 【請求項１４】 Ｒは置換アルキル基または非置換アル
    キル基であることを特徴とする請求項１３の方法。
  15. 【請求項１５】 アルキル基は２〜１２個の炭素原子を
    有することを特徴とする請求項１４の方法。
  16. 【請求項１６】 前記溶媒は塩素化有機溶媒からなるこ
    とを特徴とする請求項１１の方法。
  17. 【請求項１７】 前記塩素化有機溶媒はクロロホルムで
    あることを特徴とする請求項１６の方法。
  18. 【請求項１８】 前記絶縁材料層は、ポリイミド、ポリ
    エステル、およびポリメチルメタクリレートからなる群
    から選択されることを特徴とする請求項１１の方法。
  19. 【請求項１９】 基板（１１０）上のゲート電極（１３
    ０）と、 前記基板上の絶縁材料層（１２０）と、 前記絶縁材料層上の位置規則的ポリ（３−アルキルチオ
    フェン）活性層（１５０）と、 前記位置規則的ポリ（３−アルキルチオフェン）活性層
    に接触するソース電極およびドレイン電極（１４０，１
    ５０）とからなる薄膜トランジスタ（１００）におい
    て、 前記位置規則的ポリ（３−アルキルチオフェン）は基板
    表面に平行に配向したポリマーバックボーンを有し、前
    記活性層のキャリア移動度は約１０-2ｃｍ2／Ｖｓ以上
    であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  20. 【請求項２０】 位置規則的ポリ（３−アルキルチオフ
    ェン）は、 【化５】 および 【化６】 からなる群から選択される構造を有することを特徴とす
    る請求項１９の薄膜トランジスタ。
  21. 【請求項２１】 Ｒは置換アルキル基または非置換アル
    キル基であることを特徴とする請求項２０の薄膜トラン
    ジスタ。
  22. 【請求項２２】 アルキル基は２〜１２個の炭素原子を
    有することを特徴とする請求項２１の薄膜トランジス
    タ。
  23. 【請求項２３】 前記絶縁材料層は、ポリイミド、ポリ
    エステル、およびポリメチルメタクリレートからなる群
    から選択されることを特徴とする請求項１９の薄膜トラ
    ンジスタ。
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TW (1) TW395059B (ja)

Cited By (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6312971B1 (en) 1999-08-31 2001-11-06 E Ink Corporation Solvent annealing process for forming a thin semiconductor film with advantageous properties
US6545291B1 (en) 1999-08-31 2003-04-08 E Ink Corporation Transistor design for use in the construction of an electronically driven display
JP2003264327A (ja) * 2002-01-11 2003-09-19 Xerox Corp ポリチオフェン類を用いたデバイス
JP2003261655A (ja) * 2002-01-11 2003-09-19 Xerox Corp ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス
JP2003292588A (ja) * 2002-01-11 2003-10-15 Xerox Corp ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス
JP2004140359A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Xerox Corp 自己組織化ポリマーを用いる方法及びデバイス
JP2004137497A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Xerox Corp ゲル化可能組成物を用いる方法及びデバイス
US6747287B1 (en) 2001-10-18 2004-06-08 Nec Corporation Organic thin film transistor
US6784452B2 (en) 2001-10-05 2004-08-31 Nec Corporation Organic thin film transistor
WO2005045939A1 (ja) * 2003-11-11 2005-05-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2006093725A (ja) * 2005-10-18 2006-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子デバイス
WO2006038459A1 (ja) * 2004-10-01 2006-04-13 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
JP2006219550A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
JP2006232986A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Mitsubishi Chemicals Corp 導電性高分子並びにそれを用いた有機電子デバイス及び電界効果トランジスタ
JP2006265555A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Xerox Corp ポリチオフェンから不純物を除去する方法
US7166859B2 (en) 2003-11-17 2007-01-23 Fuji Xerox Co., Ltd. Organic semiconductor transistor element, semiconductor device using the same, and process for producing the semiconductor device
WO2007094361A1 (ja) 2006-02-16 2007-08-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ
WO2008059816A1 (fr) 2006-11-14 2008-05-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Transistor en couche mince organique et transistor en couche mince organique photoémetteur
WO2008059817A1 (fr) 2006-11-14 2008-05-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Transistor mince film organique et transistor électrolumiscent à mince film organique
US7378683B2 (en) 2004-04-15 2008-05-27 Nec Corporation Transistor using organic material having a bridged cyclic hydrocarbon lactone structure and process for producing the same
JP2008533701A (ja) * 2005-02-10 2008-08-21 プレックストロニクス インコーポレーティッド 正孔注入／輸送層組成物およびデバイス
US7511296B2 (en) 2005-03-25 2009-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Organic semiconductor device, field-effect transistor, and their manufacturing methods
JP2009076868A (ja) * 2000-07-12 2009-04-09 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 可溶性セクシチオフェン誘導体およびそれを用いた薄膜電界効果トランジスタ
WO2009101862A1 (ja) 2008-02-12 2009-08-20 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機半導体層の成膜方法、および有機薄膜トランジスタの製造方法
US7598518B2 (en) 2005-03-07 2009-10-06 Ricoh Company, Ltd. Organic transistor with light emission, organic transistor unit and display device incorporating the organic transistor
US7605392B2 (en) 2004-06-14 2009-10-20 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor and production process thereof
US7645630B2 (en) 2003-02-18 2010-01-12 Konica Minolta Holdings, Inc. Manufacturing method for thin-film transistor
JP2010028123A (ja) * 2000-11-28 2010-02-04 Merck Patent Gmbh 電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法
US7670870B2 (en) 2006-05-22 2010-03-02 Konica Minolta Holdings, Inc. Method of manufacturing organic thin film transistor and organic thin film transistor
US7749921B2 (en) 2006-06-07 2010-07-06 Panasonic Corporation Semiconductor element, method for manufacturing the semiconductor element, electronic device and method for manufacturing the electronic device
US7754525B2 (en) 2005-11-14 2010-07-13 Konica Minolta Holdings Inc. Film formation method and manufacturing equipment for forming semiconductor layer
US7776666B2 (en) 2006-02-10 2010-08-17 Konica Minolta Holdings, Inc. Thin film transistor and method of manufacturing thin film transistor
US7795611B2 (en) 2003-07-14 2010-09-14 Canon Kabushiki Kaisha Field effect organic transistor
US7829375B2 (en) 2007-07-18 2010-11-09 Konica Minolta Holdings, Inc. Method for manufacturing organic thin film transistor and organic thin film transistor
US8039294B2 (en) 2006-09-11 2011-10-18 Electronics And Telecommunications Research Institute Insulating layer, organic thin film transistor using the insulating layer, and method of fabricating the organic thin film transistor
JP4857519B2 (ja) * 2002-02-08 2012-01-18 大日本印刷株式会社 有機半導体構造物、その製造方法、および有機半導体装置
US8148720B2 (en) 2006-11-24 2012-04-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic thin film transistor and organic thin film light-emitting transistor
US8203139B2 (en) 2006-11-24 2012-06-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd Organic thin film transistor and organic thin film light-emitting transistor using an organic semiconductor layer having an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group in the center thereof
US8207525B2 (en) 2006-12-04 2012-06-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic thin film transistor and organic thin film light emitting transistor
US8217391B2 (en) 2009-03-24 2012-07-10 Fuji Xerox Co., Ltd. Organic semiconductor transistor, method of producing the same, and electronic device
US8217389B2 (en) 2006-10-12 2012-07-10 Idemitsu Kosan, Co., Ltd. Organic thin film transistor device and organic thin film light-emitting transistor
US8263972B2 (en) 2009-04-30 2012-09-11 Fuji Xerox Co. Ltd. Organic electroluminescent device and display medium
US8330147B2 (en) 2006-12-04 2012-12-11 Idemitsu Kosan, Co., Ltd. Organic thin film transistor and organic thin film light emitting transistor having organic semiconductor compound with divalent aromatic hydrocarbon group and divalent aromatic heterocyclic group
US8487298B2 (en) 2009-03-23 2013-07-16 Fuji Xerox Co., Ltd. Organic semiconductor transistor
US8716703B2 (en) 2011-12-26 2014-05-06 Fuji Xerox Co., Ltd. Organic semiconductor transistor
US9011729B2 (en) 2010-04-22 2015-04-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic thin-film transistor
US11031558B2 (en) 2017-08-31 2021-06-08 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. P-type semiconductor film containing heterofullerene, and electronic device
US11518677B2 (en) 2017-08-31 2022-12-06 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Heterofullerene and n-type semiconductor film using same, and electronic device

Families Citing this family (137)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7075502B1 (en) 1998-04-10 2006-07-11 E Ink Corporation Full color reflective display with multichromatic sub-pixels
AU3552699A (en) * 1998-04-10 1999-11-01 E-Ink Corporation Electronic displays using organic-based field effect transistors
AU3987299A (en) 1998-05-12 1999-11-29 E-Ink Corporation Microencapsulated electrophoretic electrostatically-addressed media for drawing device applications
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
NO314525B1 (no) 1999-04-22 2003-03-31 Thin Film Electronics Asa Fremgangsmåte ved fremstillingen av organiske halvledende innretninger i tynnfilm
GB9914489D0 (en) * 1999-06-21 1999-08-25 Univ Cambridge Tech Transistors
AU777444B2 (en) 1999-06-21 2004-10-14 Flexenable Limited Aligned polymers for an organic TFT
US6335539B1 (en) 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
DE10034873B4 (de) * 2000-07-18 2005-10-13 Pacifica Group Technologies Pty Ltd Verfahren und Bremsanlage zum Regeln des Bremsvorgangs bei einem Kraftfahrzeug
DE10043204A1 (de) * 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
JP3963693B2 (ja) * 2001-10-15 2007-08-22 富士通株式会社 導電性有機化合物及び電子素子
US6602974B1 (en) * 2001-12-04 2003-08-05 Carnegie Mellon University Polythiophenes, block copolymers made therefrom, and methods of forming the same
JP4247377B2 (ja) * 2001-12-28 2009-04-02 独立行政法人産業技術総合研究所 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US6777529B2 (en) 2002-01-11 2004-08-17 Xerox Corporation Polythiophenes and devices thereof
US6872801B2 (en) * 2002-01-11 2005-03-29 Xerox Corporation Polythiophenes and devices thereof
US7141644B2 (en) * 2002-01-11 2006-11-28 Xerox Corporation Polthiophenes and devices thereof
US7250625B2 (en) * 2002-01-11 2007-07-31 Xerox Corporation Polythiophenes and electronic devices generated therefrom
AU2003220363A1 (en) 2002-03-20 2003-10-08 Michigan Biotechnology Institute Conductive polymer-based material
JP4736324B2 (ja) * 2002-04-22 2011-07-27 コニカミノルタホールディングス株式会社 半導体素子及びその製造方法
US20030227014A1 (en) * 2002-06-11 2003-12-11 Xerox Corporation. Process for forming semiconductor layer of micro-and nano-electronic devices
DE10228772A1 (de) * 2002-06-27 2004-01-15 Infineon Technologies Ag Verringerung des Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekttransistoren mit Palladiumkontakten durch Verwendung von Nitrilen und Isonitrilen
US7078702B2 (en) * 2002-07-25 2006-07-18 General Electric Company Imager
JP2004095874A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Pioneer Electronic Corp 有機半導体素子及びその製造方法
KR100524552B1 (ko) * 2002-09-28 2005-10-28 삼성전자주식회사 유기 게이트 절연막 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터
DE10248876B4 (de) * 2002-10-18 2006-07-06 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung linearer organischer Oligomere
US20040119049A1 (en) * 2002-12-04 2004-06-24 Martin Heeney Mono-, oligo- and poly-bis(thienyl) arylenes and their use as charge transport materials
US6855951B2 (en) 2003-03-19 2005-02-15 Xerox Corporation Fluorinated polythiophenes and devices thereof
US6897284B2 (en) * 2003-03-19 2005-05-24 Xerox Corporation Polythiophenes and devices thereof
US6960643B2 (en) * 2003-03-19 2005-11-01 Xerox Corporation Fluorinated polythiophenes and devices thereof
US7297621B2 (en) * 2003-04-15 2007-11-20 California Institute Of Technology Flexible carbon-based ohmic contacts for organic transistors
JP4366116B2 (ja) * 2003-05-20 2009-11-18 キヤノン株式会社 電界効果型有機トランジスタ
JP4470398B2 (ja) * 2003-06-23 2010-06-02 Ｔｄｋ株式会社 電界効果トランジスタ
CN100490205C (zh) * 2003-07-10 2009-05-20 国际商业机器公司 淀积金属硫族化物膜的方法和制备场效应晶体管的方法
US7049629B2 (en) * 2003-08-22 2006-05-23 Xerox Corporation Semiconductor polymers and devices thereof
US7169883B2 (en) * 2003-08-22 2007-01-30 Xerox Corporation Polymers
WO2005022660A1 (ja) * 2003-08-29 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 有機半導体膜、それを用いた電子デバイス、およびそれらの製造方法
KR101007787B1 (ko) * 2003-12-08 2011-01-14 삼성전자주식회사 퀴녹살린환을 주쇄에 포함하는 유기박막 트랜지스터용유기반도체 고분자
WO2005089450A2 (en) * 2004-03-19 2005-09-29 Ohio University Organic semiconductor devices and methods
US7312469B2 (en) * 2004-06-10 2007-12-25 Xerox Corporation Device with small molecular thiophene compound
US7476599B2 (en) * 2004-06-22 2009-01-13 Changchun Institute Of Applied Chemistry Two-phase thermal method for preparation of cadmium sulfide quantum dots
US7300861B2 (en) * 2004-06-24 2007-11-27 Palo Alto Research Center Incorporated Method for interconnecting electronic components using a blend solution to form a conducting layer and an insulating layer
US7351606B2 (en) * 2004-06-24 2008-04-01 Palo Alto Research Center Incorporated Method for forming a bottom gate thin film transistor using a blend solution to form a semiconducting layer and an insulating layer
KR101069519B1 (ko) * 2004-07-08 2011-09-30 삼성전자주식회사 올리고티오펜과 ｎ-형 방향족 화합물을 주쇄에 교호로 포함하는 유기 반도체 고분자
KR101001441B1 (ko) 2004-08-17 2010-12-14 삼성전자주식회사 유무기 금속 하이브리드 물질 및 이를 포함하는 유기절연체 조성물
US7270694B2 (en) 2004-10-05 2007-09-18 Xerox Corporation Stabilized silver nanoparticles and their use
KR101224708B1 (ko) * 2004-10-19 2013-01-21 삼성전자주식회사 (올리고티오펜-아릴렌) 유도체 및 이를 이용한유기박막트랜지스터
US7355199B2 (en) * 2004-11-02 2008-04-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Substituted anthracenes and electronic devices containing the substituted anthracenes
KR101151082B1 (ko) * 2004-11-29 2012-06-01 삼성전자주식회사 스타형 (올리고티오펜-아릴렌) 유도체 및 이를 이용한유기박막 트랜지스터
KR20060081441A (ko) * 2005-01-07 2006-07-13 삼성전자주식회사 신규한 티오펜-티아졸 유도체 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터
US7619242B2 (en) * 2005-02-25 2009-11-17 Xerox Corporation Celluloses and devices thereof
US8089062B2 (en) * 2005-03-23 2012-01-03 Xerox Corporation Wax encapsulated electronic devices
KR101102158B1 (ko) 2005-05-11 2012-01-02 삼성전자주식회사 신규한 유기 고분자 반도체, 이를 이용한 유기 고분자반도체 박막의 형성방법 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터
US20090111210A1 (en) * 2005-06-21 2009-04-30 Reiko Obuchi Method for Organic Semiconductor Material Thin-Film Formation and Process for Producing Organic Thin Film Transistor
KR101139038B1 (ko) * 2005-06-28 2012-05-02 삼성전자주식회사 피리미도피리미딘 유도체 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터
GB2445487B (en) 2005-08-31 2011-11-02 Sumitomo Chemical Co Transistor, method for manufacturing same, and semiconductor device comprising such transistor
US7977149B2 (en) 2005-08-31 2011-07-12 Sumitomo Chemical Company, Limited Transistor, organic semiconductor device, and method for manufacture of the transistor or device
US8637138B2 (en) * 2005-12-27 2014-01-28 Palo Alto Research Center Incorporated Layered structures on thin substrates
US7784173B2 (en) * 2005-12-27 2010-08-31 Palo Alto Research Center Incorporated Producing layered structures using printing
US7816146B2 (en) * 2005-12-27 2010-10-19 Palo Alto Research Center Incorporated Passive electronic devices
US7640749B2 (en) * 2006-02-16 2010-01-05 Yousoufian Hrant H Moisture separator and reheater
US7563860B2 (en) * 2006-04-06 2009-07-21 Xerox Corporation Semiconductors and electronic devices generated therefrom
US7517477B2 (en) * 2006-04-06 2009-04-14 Xerox Corporation Polydiazaacenes and electronic devices generated therefrom
US7586120B2 (en) * 2006-04-06 2009-09-08 Xerox Corporation Ethynylene acene polymers and electronic devices generated therefrom
US7550760B2 (en) * 2006-04-06 2009-06-23 Xerox Corporation Polyacenes and electronic devices generated therefrom
US7619055B2 (en) * 2006-04-06 2009-11-17 Xerox Corporation Linked arylamine polymers and electronic devices generated therefrom
US7615607B2 (en) * 2006-04-06 2009-11-10 Xerox Corporation Semiconductor polymers
US8334391B2 (en) * 2006-04-06 2012-12-18 Xerox Corporation Functionalized heteroacenes
US7372071B2 (en) * 2006-04-06 2008-05-13 Xerox Corporation Functionalized heteroacenes and electronic devices generated therefrom
US8049205B2 (en) * 2006-04-06 2011-11-01 Xerox Corporation Poly(alkynylthiophene)s and electronic devices generated therefrom
US7449715B2 (en) * 2006-04-06 2008-11-11 Xerox Corporation Poly[bis(ethynyl)heteroacene]s and electronic devices generated therefrom
US7517476B2 (en) * 2006-04-06 2009-04-14 Xerox Corporation Polydiazaacenes
US7557370B2 (en) * 2006-04-06 2009-07-07 Xerox Corporation Heteroacene polymers and electronic devices generated therefrom
US7795373B2 (en) * 2006-04-06 2010-09-14 Xerox Corporation Ethynylene acene polymers
US7705111B2 (en) * 2006-04-06 2010-04-27 Xerox Corporation Poly(alkynylthiophene)s
US7847052B2 (en) * 2006-04-06 2010-12-07 Xerox Corporation Linked arylamine polymers
CN100555702C (zh) * 2006-04-29 2009-10-28 中国科学院长春应用化学研究所 有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法和应用
US20080224127A1 (en) * 2006-08-22 2008-09-18 Marks Tobin J Gate dielectric structures, organic semiconductors, thin film transistors and related methods
KR101314931B1 (ko) * 2006-10-30 2013-10-04 삼성전자주식회사 유기 고분자 반도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 양극성 유기 박막 트랜지스터
KR101249090B1 (ko) * 2006-11-14 2013-03-29 삼성전자주식회사 유기 절연막 형성용 조성물, 이를 이용하여 제조된 유기절연막
US7718998B2 (en) * 2006-12-14 2010-05-18 Xerox Corporation Thiophene electronic devices
KR101430260B1 (ko) * 2007-01-24 2014-08-14 삼성전자주식회사 티아졸 함유 유기반도체 고분자, 이의 제조방법 및 이를이용한 유기박막트랜지스터
US7795614B2 (en) 2007-04-02 2010-09-14 Xerox Corporation Device with phase-separated dielectric structure
US7754510B2 (en) 2007-04-02 2010-07-13 Xerox Corporation Phase-separated dielectric structure fabrication process
JP2009021297A (ja) * 2007-07-10 2009-01-29 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機半導体素子の製造方法、有機半導体素子及び有機半導体装置
US7932344B2 (en) 2007-09-06 2011-04-26 Xerox Corporation Diketopyrrolopyrrole-based polymers
US7910684B2 (en) * 2007-09-06 2011-03-22 Xerox Corporation Diketopyrrolopyrrole-based derivatives for thin film transistors
EP2043061A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-01 Innospense Capital B.V. Dispenser and method for dispensing individual goods, in particular packages containing a medicament
US20090111086A1 (en) * 2007-10-18 2009-04-30 Katz Howard E Kit for facile deposition and evaluation of semiconductor devices
KR101377924B1 (ko) 2007-11-08 2014-03-25 삼성전자주식회사 페닐렌 비닐렌-올리고아릴렌 비닐렌 교호공중합체, 이의제조방법 및 이를 포함하는 유기박막 트랜지스터
KR101377842B1 (ko) * 2007-11-08 2014-03-25 삼성전자주식회사 페닐렌 비닐렌-바이아릴렌 비닐렌 교호공중합체, 이의제조방법 및 이를 포함하는 유기박막 트랜지스터
US20090142482A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Xerox Corporation Methods of Printing Conductive Silver Features
US20090148600A1 (en) * 2007-12-05 2009-06-11 Xerox Corporation Metal Nanoparticles Stabilized With a Carboxylic Acid-Organoamine Complex
ES2345739T3 (es) 2007-12-27 2010-09-30 Industrial Technology Research Institute Derivados de politiofeno solubles.
KR101450137B1 (ko) * 2008-01-25 2014-10-13 삼성전자주식회사 유기반도체용 공중합체 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터 및 유기 전자소자
US20090224011A1 (en) * 2008-03-07 2009-09-10 Sperbeck Bryanlee P Method of and an apparatus for assisting in putting on and taking off a wet suit used by water enthusiasts
US8298314B2 (en) 2008-08-18 2012-10-30 Xerox Corporation Silver nanoparticles and process for producing same
US8419822B2 (en) 2008-08-18 2013-04-16 Xerox Corporation Methods for producing carboxylic acid stabilized silver nanoparticles
US7821068B2 (en) 2008-08-18 2010-10-26 Xerox Corporation Device and process involving pinhole undercut area
US8834965B2 (en) 2009-02-12 2014-09-16 Xerox Corporation Organoamine stabilized silver nanoparticles and process for producing same
US8357432B2 (en) * 2009-03-04 2013-01-22 Xerox Corporation Mixed solvent process for preparing structured organic films
US7935278B2 (en) 2009-03-05 2011-05-03 Xerox Corporation Feature forming process using acid-containing composition
US20100233361A1 (en) * 2009-03-12 2010-09-16 Xerox Corporation Metal nanoparticle composition with improved adhesion
TWI418571B (zh) * 2009-05-15 2013-12-11 Ind Tech Res Inst 可溶性聚噻吩衍生物
US8164089B2 (en) * 2009-10-08 2012-04-24 Xerox Corporation Electronic device
US8366971B2 (en) 2010-04-02 2013-02-05 Xerox Corporation Additive for robust metal ink formulations
US9076975B2 (en) 2010-04-27 2015-07-07 Xerox Corporation Dielectric composition for thin-film transistors
US8147908B2 (en) 2010-06-09 2012-04-03 Xerox Corporation Increased throughput for large-scale production of low melt organoamine stabilized silver nano-particles
US8765025B2 (en) 2010-06-09 2014-07-01 Xerox Corporation Silver nanoparticle composition comprising solvents with specific hansen solubility parameters
US9567425B2 (en) 2010-06-15 2017-02-14 Xerox Corporation Periodic structured organic films
US8697322B2 (en) 2010-07-28 2014-04-15 Xerox Corporation Imaging members comprising structured organic films
US8318892B2 (en) 2010-07-28 2012-11-27 Xerox Corporation Capped structured organic film compositions
US8257889B2 (en) 2010-07-28 2012-09-04 Xerox Corporation Imaging members comprising capped structured organic film compositions
US8119315B1 (en) 2010-08-12 2012-02-21 Xerox Corporation Imaging members for ink-based digital printing comprising structured organic films
US8119314B1 (en) 2010-08-12 2012-02-21 Xerox Corporation Imaging devices comprising structured organic films
US8158032B2 (en) 2010-08-20 2012-04-17 Xerox Corporation Silver nanoparticle ink composition for highly conductive features with enhanced mechanical properties
US8623447B2 (en) 2010-12-01 2014-01-07 Xerox Corporation Method for coating dielectric composition for fabricating thin-film transistors
US8759473B2 (en) 2011-03-08 2014-06-24 Xerox Corporation High mobility periodic structured organic films
US8586134B2 (en) 2011-05-06 2013-11-19 Xerox Corporation Method of fabricating high-resolution features
US20120288697A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 Xerox Corporation Coating methods using silver nanoparticles
US8353574B1 (en) 2011-06-30 2013-01-15 Xerox Corporation Ink jet faceplate coatings comprising structured organic films
US8247142B1 (en) 2011-06-30 2012-08-21 Xerox Corporation Fluorinated structured organic film compositions
US8377999B2 (en) 2011-07-13 2013-02-19 Xerox Corporation Porous structured organic film compositions
US8313560B1 (en) 2011-07-13 2012-11-20 Xerox Corporation Application of porous structured organic films for gas separation
US8410016B2 (en) 2011-07-13 2013-04-02 Xerox Corporation Application of porous structured organic films for gas storage
US20130029034A1 (en) 2011-07-28 2013-01-31 Xerox Corporation Process for producing silver nanoparticles
US8460844B2 (en) 2011-09-27 2013-06-11 Xerox Corporation Robust photoreceptor surface layer
US8372566B1 (en) 2011-09-27 2013-02-12 Xerox Corporation Fluorinated structured organic film photoreceptor layers
US8529997B2 (en) 2012-01-17 2013-09-10 Xerox Corporation Methods for preparing structured organic film micro-features by inkjet printing
US8558109B2 (en) 2012-03-19 2013-10-15 Xerox Corporation Semiconductor composition for high performance organic devices
US8563851B2 (en) 2012-03-19 2013-10-22 Xerox Corporation Method to increase field effect mobility of donor-acceptor semiconductors
US8765340B2 (en) 2012-08-10 2014-07-01 Xerox Corporation Fluorinated structured organic film photoreceptor layers containing fluorinated secondary components
KR101461136B1 (ko) * 2012-10-18 2014-11-13 광주과학기술원 세미플루오로 알킬기가 치환된 유기 반도체 고분자 및 이를 포함하는 유기 박막 트랜지스터
US8575477B1 (en) 2012-12-27 2013-11-05 Xerox Corporation Diketopyrrolopyrrole-based polymers containing a diene group for semiconductors
US8906462B2 (en) 2013-03-14 2014-12-09 Xerox Corporation Melt formulation process for preparing structured organic films
KR20160082344A (ko) 2014-12-30 2016-07-08 도레이케미칼 주식회사 플렉서블 oled소자 및 이의 제조방법
KR20160082287A (ko) 2014-12-30 2016-07-08 도레이케미칼 주식회사 플렉서블 oled소자의 기재용 평탄화 필름 및 이를 포함하는 플렉서블 oled소자
TWI692002B (zh) * 2017-02-28 2020-04-21 財團法人國家實驗研究院 可撓式基板結構、可撓式電晶體及其製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5498761A (en) * 1988-10-11 1996-03-12 Wessling; Bernhard Process for producing thin layers of conductive polymers
FR2664430B1 (fr) * 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
US5574291A (en) * 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
TW293172B (ja) * 1994-12-09 1996-12-11 At & T Corp

Cited By (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6545291B1 (en) 1999-08-31 2003-04-08 E Ink Corporation Transistor design for use in the construction of an electronically driven display
US6312971B1 (en) 1999-08-31 2001-11-06 E Ink Corporation Solvent annealing process for forming a thin semiconductor film with advantageous properties
US6750473B2 (en) 1999-08-31 2004-06-15 E-Ink Corporation Transistor design for use in the construction of an electronically driven display
JP2009076868A (ja) * 2000-07-12 2009-04-09 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 可溶性セクシチオフェン誘導体およびそれを用いた薄膜電界効果トランジスタ
JP2010028123A (ja) * 2000-11-28 2010-02-04 Merck Patent Gmbh 電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法
US6784452B2 (en) 2001-10-05 2004-08-31 Nec Corporation Organic thin film transistor
US6747287B1 (en) 2001-10-18 2004-06-08 Nec Corporation Organic thin film transistor
JP4520093B2 (ja) * 2002-01-11 2010-08-04 ゼロックス コーポレイション ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス
JP2003292588A (ja) * 2002-01-11 2003-10-15 Xerox Corp ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス
JP4530613B2 (ja) * 2002-01-11 2010-08-25 ゼロックス コーポレイション ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス
JP2003261655A (ja) * 2002-01-11 2003-09-19 Xerox Corp ポリチオフェン類及びそれを用いたデバイス
JP2003264327A (ja) * 2002-01-11 2003-09-19 Xerox Corp ポリチオフェン類を用いたデバイス
JP4857519B2 (ja) * 2002-02-08 2012-01-18 大日本印刷株式会社 有機半導体構造物、その製造方法、および有機半導体装置
JP2004137497A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Xerox Corp ゲル化可能組成物を用いる方法及びデバイス
JP4574975B2 (ja) * 2002-10-17 2010-11-04 ゼロックス コーポレイション 自己組織化ポリマーを用いる方法及びデバイス
JP2004140359A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Xerox Corp 自己組織化ポリマーを用いる方法及びデバイス
US7645630B2 (en) 2003-02-18 2010-01-12 Konica Minolta Holdings, Inc. Manufacturing method for thin-film transistor
US7795611B2 (en) 2003-07-14 2010-09-14 Canon Kabushiki Kaisha Field effect organic transistor
WO2005045939A1 (ja) * 2003-11-11 2005-05-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR100783851B1 (ko) 2003-11-11 2007-12-10 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 박막 트랜지스터와 그 제조 방법, 액티브 매트릭스형 디스플레이, 무선 ｉｄ 태그 및 휴대용 기기
US7465955B2 (en) 2003-11-11 2008-12-16 Panasonic Corporation Thin-film transistor and method of fabricating same
US7166859B2 (en) 2003-11-17 2007-01-23 Fuji Xerox Co., Ltd. Organic semiconductor transistor element, semiconductor device using the same, and process for producing the semiconductor device
US7378683B2 (en) 2004-04-15 2008-05-27 Nec Corporation Transistor using organic material having a bridged cyclic hydrocarbon lactone structure and process for producing the same
US7605392B2 (en) 2004-06-14 2009-10-20 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor and production process thereof
JPWO2006038459A1 (ja) * 2004-10-01 2008-05-15 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
WO2006038459A1 (ja) * 2004-10-01 2006-04-13 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
JP2006219550A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子
JP2008533701A (ja) * 2005-02-10 2008-08-21 プレックストロニクス インコーポレーティッド 正孔注入／輸送層組成物およびデバイス
JP2006232986A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Mitsubishi Chemicals Corp 導電性高分子並びにそれを用いた有機電子デバイス及び電界効果トランジスタ
US7598518B2 (en) 2005-03-07 2009-10-06 Ricoh Company, Ltd. Organic transistor with light emission, organic transistor unit and display device incorporating the organic transistor
JP2006265555A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Xerox Corp ポリチオフェンから不純物を除去する方法
US7511296B2 (en) 2005-03-25 2009-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Organic semiconductor device, field-effect transistor, and their manufacturing methods
US7795636B2 (en) 2005-03-25 2010-09-14 Canon Kabushiki Kaisha Organic semiconductor device, field-effect transistor, and their manufacturing methods
JP2006093725A (ja) * 2005-10-18 2006-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子デバイス
US7754525B2 (en) 2005-11-14 2010-07-13 Konica Minolta Holdings Inc. Film formation method and manufacturing equipment for forming semiconductor layer
US7776666B2 (en) 2006-02-10 2010-08-17 Konica Minolta Holdings, Inc. Thin film transistor and method of manufacturing thin film transistor
WO2007094361A1 (ja) 2006-02-16 2007-08-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ
US7670870B2 (en) 2006-05-22 2010-03-02 Konica Minolta Holdings, Inc. Method of manufacturing organic thin film transistor and organic thin film transistor
US7749921B2 (en) 2006-06-07 2010-07-06 Panasonic Corporation Semiconductor element, method for manufacturing the semiconductor element, electronic device and method for manufacturing the electronic device
US8039294B2 (en) 2006-09-11 2011-10-18 Electronics And Telecommunications Research Institute Insulating layer, organic thin film transistor using the insulating layer, and method of fabricating the organic thin film transistor
US8217389B2 (en) 2006-10-12 2012-07-10 Idemitsu Kosan, Co., Ltd. Organic thin film transistor device and organic thin film light-emitting transistor
WO2008059816A1 (fr) 2006-11-14 2008-05-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Transistor en couche mince organique et transistor en couche mince organique photoémetteur
WO2008059817A1 (fr) 2006-11-14 2008-05-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Transistor mince film organique et transistor électrolumiscent à mince film organique
US8022401B2 (en) 2006-11-14 2011-09-20 Idemitsu Kosan, Co., Ltd. Organic thin film transistor and organic thin film light-emitting transistor
US8148720B2 (en) 2006-11-24 2012-04-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic thin film transistor and organic thin film light-emitting transistor
US8203139B2 (en) 2006-11-24 2012-06-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd Organic thin film transistor and organic thin film light-emitting transistor using an organic semiconductor layer having an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group in the center thereof
US8207525B2 (en) 2006-12-04 2012-06-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic thin film transistor and organic thin film light emitting transistor
US8330147B2 (en) 2006-12-04 2012-12-11 Idemitsu Kosan, Co., Ltd. Organic thin film transistor and organic thin film light emitting transistor having organic semiconductor compound with divalent aromatic hydrocarbon group and divalent aromatic heterocyclic group
US7829375B2 (en) 2007-07-18 2010-11-09 Konica Minolta Holdings, Inc. Method for manufacturing organic thin film transistor and organic thin film transistor
WO2009101862A1 (ja) 2008-02-12 2009-08-20 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機半導体層の成膜方法、および有機薄膜トランジスタの製造方法
US8329504B2 (en) 2008-02-12 2012-12-11 Konica Minolta Holdings, Inc. Method of forming organic semiconductor layer and method of manufacturing organic thin film transistor
US8487298B2 (en) 2009-03-23 2013-07-16 Fuji Xerox Co., Ltd. Organic semiconductor transistor
US8217391B2 (en) 2009-03-24 2012-07-10 Fuji Xerox Co., Ltd. Organic semiconductor transistor, method of producing the same, and electronic device
US8263972B2 (en) 2009-04-30 2012-09-11 Fuji Xerox Co. Ltd. Organic electroluminescent device and display medium
US9011729B2 (en) 2010-04-22 2015-04-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic thin-film transistor
US8716703B2 (en) 2011-12-26 2014-05-06 Fuji Xerox Co., Ltd. Organic semiconductor transistor
US11031558B2 (en) 2017-08-31 2021-06-08 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. P-type semiconductor film containing heterofullerene, and electronic device
US11518677B2 (en) 2017-08-31 2022-12-06 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Heterofullerene and n-type semiconductor film using same, and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980064344A (ko) 1998-10-07
EP0852403A1 (en) 1998-07-08
US6107117A (en) 2000-08-22
TW395059B (en) 2000-06-21

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