JPH10189984A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄膜トランジスタの製造方法に関し、ゲート
電極等の配線層の表面に設ける陽極酸化膜の表面に形成
される凹凸を抑制して、その上に設ける配線層の断線を
防止する。 【解決手段】 オフリーク電流低減構造を形成する際の
配線層２の陽極酸化工程において、電源を介して印加す
る電圧が設定値に達した時点において、電源を遮断する
か、或いは、電圧値を０Ｖのいずれかにして陽極酸化工
程を終了する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜トランジスタの
製造方法に関するものであり、特に、画素に対応して設
けた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のスイッチング作用を
用いて液晶セルへの電圧書込動作及び保持動作を行うア
クティブマトリクス型液晶表示装置におけるＴＦＴのＬ
ＤＤ構造或いはオフセット構造の形成の際の陽極酸化工
程に特徴のある薄膜トランジスタの製造方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶表示装置は小型・軽量・低消
費電力であるため、ＯＡ端末やプロジェクター等に使用
されたり、或いは、携帯可能性を利用して小型液晶テレ
ビ等に使用されており、特に、高品質液晶表示装置用に
用いられるアクティブマトリクス型液晶表示装置は１０
インチクラスまで実用化されているが、さらに、大型テ
レビやパーソナルコンピュータ用としての需要が見込ま
れており、画像品質のより一層の向上が要請されてい
る。

【０００３】この様なアクティブマトリクス型液晶表示
装置において、アドレス用ＴＦＴや、各画素ＴＦＴのゲ
ート線或いはデータ線に印加する電圧を制御する画素周
辺部の駆動ドライバー用のＴＦＴは、近年の液晶表示装
置の高精細化、高品質化の要請に伴って高移動度のもの
が求められており、この様な要請に応えるためにＴＦＴ
を構成する半導体層として多結晶シリコン膜を用いた多
結晶シリコンＴＦＴが採用され始めている。

【０００４】この様な多結晶シリコン膜は、いずれも廉
価なガラス基板を用いているため、より高温での熱処理
を行うことができず、単結晶シリコンＴＦＴと比較して
オフリーク電流が高いという問題があるため、ＬＤＤ
（Ｌｉｇｈｔｌｙ ＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ）構造やオフ
セット構造の採用が検討されており、高不純物濃度のソ
ース・ドレイン領域とチャネル領域との間に低不純物濃
度のＬＤＤ領域或いはノンドープのオフセット領域を設
けることによって、ＴＦＴのオフ状態の時のチャネル−
ドレイン領域間の電界を緩和して、オフリーク電流を低
減しようというものである。

【０００５】ここで、アクティブマトリクス型液晶表示
装置に用いるＴＦＴにおける、従来のＬＤＤ領域の形成
工程を、図４及び図５を参照して説明するが、図４は製
造工程の説明図であり、また、図５はその中の陽極酸化
工程の説明図である。

【０００６】図４（ａ）参照 まず、ガラス基板３１上に下地酸化膜３２を介して多結
晶シリコン膜３３を堆積し、所定形状にパターニングし
たのち、ゲート酸化膜３４及びＡｌ膜を堆積させ、次い
で、フォトレジストパターン３６を用いてＡｌ膜をパタ
ーニングしてＡｌゲート電極３５を形成したのち、蓚
酸：水＝３：９７からなるｐＨが約１．０の酸性の蓚酸
水溶液中で陽極酸化を行うことによりポーラスな酸化ア
ルミニウムからなる多孔質陽極酸化膜３７を形成する。

【０００７】図４（ｂ）参照 次いで、フォトレジストパターン３６を除去したのち、
エチレングリコール：酒石酸：アンモニア：水＝８５：
３：２：１０からなるｐＨが約７．０の中性の溶液中で
陽極酸化を行うことによって、Ａｌゲート電極３５の表
面に強固で緻密な陽極酸化膜３８を形成する。なお、こ
の緻密な陽極酸化膜３８は、３００℃程度の低温熱処理
でも発生するヒロック（ｈｉｌｌｏｃｋ）を低減する効
果があるため、最近の液晶表示装置パネルにおける標準
的なプロセスになりつつある。

【０００８】図５（ａ）参照 ここで、陽極酸化工程を簡単に説明すると、図５（ａ）
に示すように、溶液槽４３内に収容したエチレングリコ
ール：酒石酸：アンモニア：水＝８５：３：２：１０か
らなる溶液４２中に、白金等からなる電極板４４、及
び、Ａｌゲート電極３５を形成したガラス基板３１を浸
漬させ、ガラス基板３１側を配線を介して電源４５の陽
極に接続し、且つ、電極板４４側を配線を介して電源４
５の陰極側に接続する。

【０００９】この時、電源４５としては定電圧設定及び
定電流設定が可能な電源を用い、定電圧として１００
Ｖ、定電流として６０ｍＡに設定して陽極酸化を行うも
のであり、配線に電流計４６及び電圧計４７を接続する
ことによって、電流及び電圧の変化を監視しながら陽極
酸化を行う。

【００１０】図５（ｂ）参照 図５（ｂ）は、陽極酸化工程における電流・電圧変化を
示すもので、最初は、Ａｌゲート電極３５の抵抗値が非
常に低いために溶液４２を介して電流が十分流れるが、
電源４５は６０ｍＡの定電流設定となっており、それ以
上は流れないため、６０ｍＡで一定の電流が流れ定電流
状態で陽極酸化が進行する。

【００１１】そして、時間の経過に伴って、溶液４２中
の陰イオンである酸素イオンとＡｌゲート電極３５のＡ
ｌとが結合して、Ａｌゲート電極３５の表面に緻密な陽
極酸化膜３８が形成され抵抗値が徐々に高くなるが、定
電流設定であるため、結局電圧が時間と共に上昇して、
この場合には、約１５分後に定電圧設定値である１００
Ｖに達する。

【００１２】そして、定電圧設定値である１００Ｖに達
すると、それ以上は上昇できないので、１００Ｖで一定
となり、この定電圧状態で３０分乃至６０分程度放置し
ておくことによって酸化が進行し、さらに抵抗値が上昇
するが電圧が一定に制限されているため電流が減少する
ことになる。

【００１３】この設定した定電圧に達したのちの放置に
よる酸化工程は、主として緻密化のための酸化工程で、
緻密な陽極酸化膜３８の耐圧を向上するために必要な工
程として行われるものであり、要求される耐圧に応じ
て、放置時間は任意に制御される。

【００１４】なお、図４（ａ）における蓚酸水溶液を用
いた陽極酸化工程も、基本的には溶液として蓚酸水溶液
を用いる以外は、上述の図５に関して説明した手段及び
工程と同様に行うものである。

【００１５】図４（ｃ）参照 次いで、Ａｌゲート電極３５及び多孔質陽極酸化膜３７
をマスクとして、ドライ・エッチングによってゲート酸
化膜３４をパターニングして、多結晶シリコン膜３３の
ソース・ドレイン形成予定領域を露出させる。

【００１６】図４（ｄ）参照 次いで、燐酸：酢酸：硝酸：水＝１５：３：１：１から
なるエッチング液を用いたエッチング工程によって多孔
質陽極酸化膜３７のみを選択的に除去したのち、１０ｋ
ｅＶ程度の低加速エネルギーで高ドーズ量のＰイオン３
９をイオン注入して、ゲート酸化膜３４に自己整合する
ｎ⁺ 型ソース・ドレイン領域４０を形成すると共に、７
０ｋｅＶの高加速エネルギーで低ドーズ量のＰイオン３
９をゲート酸化膜３４を透過してイオン注入することに
よって、緻密な陽極酸化膜３８に自己整合するｎ^- 型Ｌ
ＤＤ領域４１を形成する。なお、この場合、低ドーズ量
のイオン注入を行わない場合には、ノン・ドープのオフ
セット領域となる。

【００１７】次いで、図示を省略するが、ＳｉＯ₂ 膜及
びＳｉＮ膜とからなる層間絶縁膜を成膜したのち、コン
タクトホールを介して配線層用メタルを成膜してパター
ニングすることによってソース・ドレイン電極を形成し
て、オフリーク電流の少ないＴＦＴが完成する。

【００１８】この様に、薄膜トランジスタにＬＤＤ領域
或いはオフセット領域を設けることによって、オフリー
ク電流が低減するので、アクティブマトリクス型液晶表
示装置の画像品質が向上する。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の酒石酸
を含む溶液を用いた陽極酸化工程において、実際には、
緻密な陽極酸化膜３８の表面に凹凸が生じ、この凹凸が
その上に設けるドレイン電極用或いはソース電極用の配
線層の断線を引き起こすという問題があるので、この様
な問題点を図６を参照して説明する。

【００２０】図６参照 図６は、素子部以外において回路構成上の必要によりＡ
ｌゲート電極３５とドレイン電極４９とが交差している
場所における要部断面図であり、図に示すように、Ａｌ
ゲート電極３５はパターニングされたゲート酸化膜３４
を介して下地酸化膜３２上に延在し、Ａｌゲート電極３
５上には、厚さ１００ｎｍ程度の緻密な陽極酸化膜３８
及び厚さ５００ｎｍ程度の層間絶縁膜４８を介してドレ
イン電極４９の引出部が延在している。

【００２１】この定電圧に達した後に１５分放置した場
合の緻密な陽極酸化膜３８の表面に形成される凹凸をＳ
ＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察すると、凹凸の凸部と
凸部との平均間隔は３００ｎｍ程度で、高低差は１０〜
２０ｎｍ程度になっており、この様な凹凸が層間絶縁膜
４８上のドレイン電極４９に反映されてしまい、結局ド
レイン電極４９に凹凸が生ずることになる。なお、この
凹凸の状態は、定電圧状態になった後の放置時間が１５
分乃至２時間の場合には、ほとんど変化が見られなかっ
た。

【００２２】そして、配線が微細化するにしたがって、
この様な凹凸は配線層の断線の原因となり、Ａｌゲート
電極３５とソース・ドレイン電極の引出部との交差部に
おいてドレイン電極４９或いはソース電極の引出部が断
線し、表示劣化或いは製造歩留りの低下をもたらすこと
になる。

【００２３】したがって、本発明は、ゲート電極等の配
線層の表面に設ける陽極酸化膜の表面に形成される凹凸
を抑制して、その上に設ける配線層の断線を防止するこ
とを目的とする。

【００２４】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図１
（ａ）は、陽極酸化工程における電流・電圧変化を示す
図であり、また、図１（ｂ）は配線層近傍の要部断面図
である。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、オフリーク電流低減構造を有する薄膜
トランジスタの製造方法において、配線層２を陽極酸化
する際に、陽極酸化のために電源を介して印加する電圧
が設定値に達した時点において、電源を遮断するか、或
いは、電圧値を０Ｖのいずれかにして陽極酸化工程を終
了することを特徴とする。

【００２５】この様に、電圧が電源に設定した設定値に
達した時点で陽極酸化を終了することによって、ゲート
電極及びゲート接続配線層、或いは、他のバスライン等
の配線層２の表面に形成する陽極酸化膜４の表面の凹凸
を小さくすることができ、それによって、その上に設け
る上層配線層の断線を防止することができる。

【００２６】即ち、陽極酸化膜４の表面の凹凸の発生原
因について鋭意検討した結果、陽極酸化時の定電圧状態
に切り替わった後の緻密化のための放置時間により凹凸
の状態が左右されることを見いだし、放置時間が短いほ
ど表面の凹凸が小さくなるとの結論に至ったものであ
る。

【００２７】この現象のメカニズムは明確には解明され
ていないが、ゲート電極等の配線層２として用いる金属
膜が場所により純度、不純物濃度、或いは、結晶化度等
が異なっており、その違いが陽極酸化時における差とな
って現れるものと考えられ、具体的には、陽極酸化時に
流れる電流値により形成される陽極酸化膜４の厚さの増
加が場所によって異なるということである。

【００２８】例えば、最初の定電流状態においては、電
流値が設定値に制限されているため、場所によって勝手
に電流値が定まることがなく、配線層２のどの表面でも
均一な速度で陽極酸化膜４が形成される。

【００２９】次に、定電圧状態に切り替わった後は、配
線層２の特性のばらつきにより、場所により抵抗値が一
定でないが、電圧が設定値に制限されるために、配線層
２の表面の場所により電流値がばらつき、電流値のばら
つきによって形成される陽極酸化膜４の膜厚増加速度が
場所によってことなり、凹凸が形成されるものと考えら
れる。

【００３０】したがって、形成される陽極酸化膜４の膜
厚がほぼ一定である定電流状態の間だけ陽極酸化を行う
ことによって、即ち、定電圧状態に切り替わった直後に
陽極酸化工程を終了することによって、配線層２の表面
に形成する陽極酸化膜４の表面の凹凸を小さくすること
ができる。

【００３１】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、オフリーク電流低減構造が、低不純物濃度のソース
・ドレイン領域から構成されることを特徴とする。

【００３２】この様な陽極酸化工程を利用してゲート絶
縁膜をパターニングしたのち、陽極酸化膜４及びゲート
絶縁膜をマスクとした２度のイオン注入工程により、多
孔質膜３の横方向の幅に相当する不純物濃度のソース・
ドレイン領域、即ち、ＬＤＤ領域を形成することができ
る。なお、図１（ｂ）においては、ゲート絶縁膜、半導
体薄膜、下地絶縁膜、及び、絶縁性基板等を一括して基
体１として示している。

【００３３】（３）また、本発明は、上記（１）におい
て、オフリーク電流低減構造が、ノン・ドープのオフセ
ット領域から構成されることを特徴とする。

【００３４】この様な陽極酸化工程を利用してゲート絶
縁膜をパターニングしたのち、陽極酸化膜４及びゲート
絶縁膜をマスクとした１度のイオン注入工程により、多
孔質膜３の横方向の幅に相当するノン・ドープのオフセ
ット領域を形成することができる。

【００３５】（４）また、本発明は、上記（１）乃至
（３）のいずれかにおいて、印加する電圧が設定値に達
するまでは、配線層２に定電流が流れるように電源を設
定したことを特徴とする。

【００３６】この様な陽極酸化工程においては、形成さ
れる陽極酸化膜４の厚さを一定にするためには、流れる
電流を一定にする必要があり、そのためには、印加する
電圧が設定値に達するまでは、配線層２に定電流が流れ
るように電源を設定する必要がある。

【００３７】（５）また、本発明は、上記（１）乃至
（４）のいずれかにおいて、配線層２が、アルミニウム
を主成分とする金属により形成されることを特徴とす
る。

【００３８】この様に、配線層２としてアルミニウムを
主成分とする金属、例えば、Ａｌ或いはＡｌ−Ｓｃを用
いることによって、信号遅延を低減することができると
共に、配線層２のエッチング工程におけるマスクとなる
緻密性の高い陽極酸化膜４を形成することができ、特
に、Ｓｃを混入した場合にはヒロックの発生を抑制する
ことができる。

【００３９】（６）また、本発明は、上記（１）乃至
（５）のいずれかにおいて、陽極酸化工程が、少なくと
も酒石酸を含んだ溶液を用いた陽極酸化工程であること
を特徴とする。

【００４０】上述の様な陽極酸化膜４に発生する凹凸の
影響は、最終的に保護膜として残る、少なくとも酒石酸
を含んだ溶液を用いた陽極酸化工程において形成される
緻密性の高い陽極酸化膜４において重要になる。

【００４１】

【発明の実施の形態】ここで、本発明の実施の形態の製
造工程を、図２乃至図３を参照して説明するが、図２は
一連の製造工程の説明図であり、また、図３はその内の
陽極酸化工程の説明図である。なお、図２（ｂ）の陽極
酸化工程以外は、従来のＬＤＤ領域の形成工程と同様で
ある。

【００４２】図２（ａ）参照 まず、ＴＦＴ基板となる透明のガラス基板１１上に、Ｌ
Ｐ−ＣＶＤ法（減圧化学気相成長法）を用いて、厚さ１
０〜５００ｎｍ、例えば、２００ｎｍの下地酸化膜１２
となるＳｉＯ₂ 膜、及び、厚さ１０〜２００ｎｍ、例え
ば、５０ｎｍの多結晶シリコン膜１３を堆積させたの
ち、パターニングすることによって周辺駆動回路部及び
画素部の所定の場所に多結晶シリコン膜１３からなる島
状領域を形成する。

【００４３】次いで、多結晶シリコン膜１３の表面を軽
くフッ酸処理して汚染物質を除去したのち、ＬＰ−ＣＶ
Ｄ法を用いて、厚さ５０〜２００ｎｍ、例えば、１００
ｎｍのゲート酸化膜１４となるＳｉＯ₂ 膜を堆積させ、
次いで、スパッタリング法を用いて、厚さ１００〜５０
０ｎｍ、例えば、２００ｎｍのＡｌ膜を堆積させたの
ち、フォトレジストパターン１６を用いてＡｌ膜をパタ
ーニングすることによってＡｌゲート電極１５及びＡｌ
ゲート電極１５と一体に繋がるゲート接続配線層（図示
せず）を形成する。

【００４４】次いで、図５（ａ）に示す陽極酸化装置を
用いて、蓚酸：水＝３：９７からなるｐＨが約１．０の
酸性の蓚酸水溶液中で陽極酸化を行うことにより、横方
向の厚さが２００〜２０００ｎｍ、例えば、１０００ｎ
ｍのポーラスな酸化アルミニウムからなる多孔質陽極酸
化膜１７を形成する。

【００４５】図２（ｂ）参照 次いで、フォトレジストパターン１６を除去したのち、
エチレングリコール：酒石酸：アンモニア：水＝８５：
３：２：１０からなるｐＨが約７．０の中性の溶液中で
陽極酸化を行うことによって、厚さ５０〜２００ｎｍ、
例えば、１００ｎｍのＡｌゲート電極１５の表面に強固
で緻密な陽極酸化膜１８を形成する。

【００４６】図３参照 ここで、この場合の陽極酸化工程を簡単に説明すると、
電源として定電圧設定及び定電流設定が可能な電源を用
い、定電圧として１００Ｖ、定電流として６０ｍＡに設
定して陽極酸化を行うものであり、約１５分後に定電圧
設定値である１００Ｖに達するので、その時点で電源を
遮断して陽極酸化工程を終了する。

【００４７】この様に、定電流状態においてのみ陽極酸
化工程を行うので、Ａｌゲート電極１５の表面に均一に
電流が流れ、形成される緻密な陽極酸化膜１８の厚さは
ほぼ均一になり、ＳＥＭによって表面観察を行っても、
緻密な陽極酸化膜１８の表面に形成される凹凸は非常に
小さなものになっているのが分かった。

【００４８】なお、この場合の溶液の組成比は上記の比
率に限られるものではなく、また、設定電圧値及び設定
電流値も、必要とする陽極酸化膜の厚さに応じて適宜設
定するものであり、設定電圧値及び設定電流値に応じて
定電流状態から定電圧状態に切り替わる時間が変化する
ことになる。また、電源を遮断する代わりに、０Ｖの電
圧値を印加するようにしても良く、いずれの場合にも同
様の結果が得られる。

【００４９】図２（ｃ）参照 次いで、Ａｌゲート電極１５及び多孔質陽極酸化膜１７
をマスクとして、ドライ・エッチングによってゲート酸
化膜１４をパターニングして、多結晶シリコン膜１３の
ソース・ドレイン形成予定領域を露出させる。

【００５０】図２（ｄ）参照 次いで、燐酸：酢酸：硝酸：水＝１５：３：１：１から
なるエッチング液を用いたエッチング工程によって多孔
質陽極酸化膜１７のみを選択的に除去したのち、加速エ
ネルギー５〜３０ｋｅＶ、例えば、１０ｋｅＶで、５．
０×１０¹⁴〜１．０×１０¹⁶ｃｍ^-2、例えば、２．０×
１０¹⁵ｃｍ^-2のドーズ量でＰイオン１９をイオン注入し
てゲート酸化膜１４に自己整合するｎ⁺ 型ソース・ドレ
イン領域２０を形成すると共に、加速エネルギー３０〜
１００ｋｅＶ、例えば、７０ｋｅＶで、１．０×１０¹³
〜１．０×１０¹⁵ｃｍ^-2、例えば、１．０×１０¹⁴ｃｍ
^-2のドーズ量でＰイオン１９をゲート酸化膜１４を透過
してイオン注入することによって、緻密な陽極酸化膜１
８に自己整合するｎ^- 型ＬＤＤ領域２１を形成する。

【００５１】次いで、図示を省略するが、Ｐ−ＣＶＤ法
（プラズマＣＶＤ法）を用いて、厚さ１０〜１００ｎ
ｍ、例えば、１００ｎｍのエッチングストッパーとなる
ＳｉＯ ₂ 膜、及び、厚さ２００〜５００ｎｍ、例えば、
４００ｎｍの層間絶縁膜となるＳｉＮ膜を堆積させ、次
いで、パターニングすることによってｎ⁺ 型ソース・ド
レイン領域２０に対するコンタクトホールを形成する。

【００５２】次いで、駆動回路及びデータバスライン、
即ち、ドレインバスライン等を形成するために、スパッ
タリング法を用いて、厚さ２０〜２００ｎｍ、例えば、
１００ｎｍのＴｉ膜、及び、厚さ１００〜５００ｎｍ、
例えば、３００ｎｍのＡｌ配線層を堆積させ、次いで、
パターニングすることによって駆動回路及びデータバス
ラインを形成するための所定パターンの配線層を形成す
る。

【００５３】以上、説明したように、この様な製造工程
を採用することによって、バリア層となる緻密な陽極酸
化膜１８の表面が平坦になるので、その上に層間絶縁膜
を介して設けるデータバスライン等の配線層も平坦に形
成することができ、断線が生ずることがない。

【００５４】また、緻密な陽極酸化膜１８を形成する工
程においては、設定電圧値に達した時点で陽極酸化工程
を終了しているので、従来の陽極酸化膜より緻密化が進
まず、耐圧が低くなっているが、緻密な陽極酸化膜１８
上には合計の厚さが２１０〜６００ｎｍ、例えば、５０
０ｎｍとなるＳｉＯ₂ 膜及びＳｉＮ膜からなる層間絶縁
膜が介在しており、この層間絶縁膜によって実質的な耐
圧を確保しているので、緻密な陽極酸化膜１８の耐圧は
問題にならない。

【００５５】なお、上記の実施の形態の説明において
は、オフリーク電流を低減するための構造として低不純
物濃度のｎ^- 型ＬＤＤ領域２１を設けているが、ＬＤＤ
領域に限られるものではなく、二度目のイオン注入を行
わずにゲート酸化膜１４の端部と緻密な陽極酸化膜１８
の端部との間をノン・ドープ領域のままにすることによ
って、オフセット領域としても良いものであり、この場
合にもＬＤＤ領域と同様なオフリーク電流低減効果が得
られる。

【００５６】また、上記の実施の形態においては、ｎチ
ャネル型ＴＦＴの製造工程と説明しているが、実際の周
辺回路はｐチャネル型ＴＦＴも用いた相補型の回路構成
が取られるので、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する際に
は、Ｂ（ボロン）等のｐ型不純物をイオン注入すれば良
い。

【００５７】また、上記の実施の形態においては、多結
晶シリコン膜をＬＰ−ＣＶＤ法を用いて直接多結晶シリ
コン膜を形成しているが、Ｐ−ＣＶＤ法によって形成し
たアモルファスシリコン膜をレーザアニールによって多
結晶化したものを用いても良い。

【００５８】また、上記の各実施の形態においては、多
結晶シリコン膜を用いてＴＦＴを構成しているが、多結
晶シリコン膜に限られるものではなく、アモルファスシ
リコン膜、或いは、単結晶シリコン薄膜でも良い。

【００５９】また、上記の各実施の形態においては、ゲ
ート電極材料としてＡｌを用いているが、Ａｌに限られ
るものではなく、Ａｌ−Ｓｃ等のＡｌを主成分とした金
属であれば良く、この様な金属を用いることによって配
線抵抗が低減し、且つ、パターニング工程が簡単にな
り、特に、Ｓｃを含んだＡｌ−Ｓｃを用いた場合にはヒ
ロックの発生を抑制することができる。

【００６０】また、上記の実施の形態においては、高不
純物濃度のソース・ドレイン領域を形成したのち、ＬＤ
Ｄ領域を形成しているが、この順序は逆にしても良いも
のである。

【００６１】また、上記の実施の形態においては、アク
ティブマトリクス型液晶表示装置に用いる駆動ドライバ
ー等に用いるＴＦＴの製造方法として説明しているが、
アクティブマトリクス型液晶表示装置用に限られるもの
ではなく、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌ
ａｔｏｒ）構造やＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｓａ
ｐｐｈｉｒｅ）構造のＴＦＴに用いて通常の半導体集積
回路装置を構成しても良い。

【００６２】また、絶縁性基板としても、廉価なガラス
基板以外に、パイレックス基板、石英ガラス基板、単結
晶シリコン基板上に絶縁膜を設けた基板、或いは、サフ
ァイア等の単結晶絶縁体基板を用いても良いものであ
る。

【００６３】

【発明の効果】本発明によれば、ＬＤＤ構造或いはオフ
セット構造を有する薄膜トランジスタを製造する際に、
最終的に保護膜として残存させる陽極酸化膜を、定電圧
状態後の放置時間を設けないで定電流状態における陽極
酸化工程のみによって形成しているので、その表面が平
坦になり、したがって、その上に設ける配線層の断線が
なくなるので、製造歩留り及び信頼性の向上した高精細
で高品質なアクティブマトリクス型液晶表示装置を実現
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理的構成の説明図である。

【図２】本発明の実施の形態の製造工程の説明図であ
る。

【図３】本発明の実施の形態の陽極酸化工程の説明図で
ある。

【図４】従来のＬＤＤ領域の形成工程の説明図である。

【図５】従来の陽極酸化工程の説明図である。

【図６】従来の陽極酸化工程における問題点の説明図で
ある。

【符号の説明】

１ 基体 ２ 配線層 ３ 多孔質膜 ４ 陽極酸化膜 １１ ガラス基板 １２ 下地酸化膜 １３ 多結晶シリコン膜 １４ ゲート酸化膜 １５ Ａｌゲート電極 １６ フォトレジストパターン １７ 多孔質陽極酸化膜 １８ 緻密な陽極酸化膜 １９ Ｐイオン ２０ ｎ⁺ 型ソース・ドレイン領域 ２１ ｎ^- 型ＬＤＤ領域 ３１ ガラス基板 ３２ 下地酸化膜 ３３ 多結晶シリコン膜 ３４ ゲート酸化膜 ３５ Ａｌゲート電極 ３６ フォトレジストパターン ３７ 多孔質陽極酸化膜 ３８ 緻密な陽極酸化膜 ３９ Ｐイオン ４０ ｎ⁺ 型ソース・ドレイン領域 ４１ ｎ^- 型ＬＤＤ領域 ４２ 溶液 ４３ 溶液槽 ４４ 電極板 ４５ 電源 ４６ 電流計 ４７ 電圧計 ４８ 層間絶縁膜 ４９ ドレイン電極

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 配線層を陽極酸化する際に、陽極酸化の
   ために電源を介して印加する電圧が設定値に達した時点
   において、前記電源を遮断するか、或いは、電圧値を０
   Ｖのいずれかにして陽極酸化工程を終了することを特徴
   とするオフリーク電流低減構造を有する薄膜トランジス
   タの製造方法。
2. 【請求項２】 上記オフリーク電流低減構造が、低不純
   物濃度のソース・ドレイン領域から構成されることを特
   徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
3. 【請求項３】 上記オフリーク電流低減構造が、ノン・
   ドープのオフセット領域から構成されることを特徴とす
   る請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
4. 【請求項４】 上記印加する電圧が設定値に達するまで
   は、上記配線層に定電流が流れるように上記電源を設定
   したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に
   記載の薄膜トランジスタの製造方法。
5. 【請求項５】 上記配線層が、アルミニウムを主成分と
   する金属により形成されることを特徴とする請求項１乃
   至４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方
   法。
6. 【請求項６】 上記陽極酸化工程が、少なくとも酒石酸
   を含んだ溶液を用いた陽極酸化工程であることを特徴と
   する請求項１乃至５のいずれか１項に記載の薄膜トラン
   ジスタの製造方法。