JP2010098321A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域に高抵抗不純物領域（ＨＲＤ
または低濃度不純物領域）を自己整合的に形成する方法を提供する。
【解決手段】ゲイト電極１０５上面にマスク１０６を残し、比較的低い電圧でポーラスな
第１の陽極酸化膜１０７をゲイト電極の側面に成長させる。この陽極酸化膜をマスクとし
てゲイト絶縁膜１０４’をエッチングする。必要に応じては比較的高い電圧でバリア型の
第２の陽極酸化膜１０８をゲイト電極の側面および上面に形成する。第１の陽極酸化膜を
選択的にエッチングする。不純物ドーピングをおこなうと、ゲイト電極の下部にはドーピ
ングされず、ゲイト電極に近い領域では、不純物濃度の低い高抵抗領域１１１，１１２と
なる。ゲイト電極から遠い領域では、不純物濃度の高い低抵抗領域１１０，１１３となる
。
【選択図】図１

Description

本発明は、ガラス等の絶縁材料、あるいは珪素ウェハー上に酸化珪素等の絶縁被膜を形
成した材料等の絶縁表面上に形成される絶縁ゲイト型トランジスタ（以下、ＴＦＴという
）およびその作製方法に関する。本発明は、特にガラス転移点（歪み温度、歪み点とも言
う）が７５０℃以下のガラス基板上に形成されるＴＦＴに有効である。本発明による半導
体装置は、液晶ディスプレー等のアクティブマトリクスやイメージセンサー等の駆動回路
、あるいは３次元集積回路に使用されるものである。

従来より、アクティブマトリクス型の液晶表示装置やイメージセンサー等の駆動の目的
で、ＴＦＴを形成することが広く知られている。特に、最近は、高速動作の必要から、非
晶質珪素を活性層に用いた非晶質珪素ＴＦＴにかわって、より電界移動度の高い結晶珪素
ＴＦＴが開発されている。しかしながら、より高度な特性と高い耐久性が必要とされるよ
うになると、半導体集積回路技術で利用されるような高抵抗不純物領域（高抵抗ドレイン
（ＨＲＤ）もしくは低濃度ドレイン（ＬＤＤ））を有することが必要とされた。しかしな
がら、公知の半導体集積回路技術とは異なって、ＴＦＴには解決すべき問題が多くあった
。特に、素子が絶縁表面上に形成され、反応性イオン異方性エッチングが十分できないた
め、微細なパターンができないという大きな制約があった。

図６には、現在まで用いられているＨＲＤを作製する代表的なプロセスの断面図を示す
。まず、基板６０１上に下地膜６０２を形成し、活性層を結晶珪素６０３によって形成す
る。そして、この活性層上に酸化珪素等の材料によって絶縁被膜６０４を形成する。（図
６（Ａ））

次に、ゲイト電極６０５が多結晶珪素（燐等の不純物がドーピングされている）やタン
タル、チタン、アルミニウム等で形成される。さらに、このゲイト電極をマスクとして、
イオンドーピング等の手段によって不純物元素（リンやホウ素）を導入し、自己整合的に
ドーピング量の少ない高抵抗な不純物領域（ＨＲＤ）６０６、６０７が活性層６０３に形
成される。不純物が導入されなかったゲイト電極の下の活性層領域はチャネル形成領域と
なる。そして、レーザーもしくはフラッシュランプ等の熱源によって、ドーピングされた
不純物の活性化がおこなわれる。（図６（Ｂ））

次に、プラズマＣＶＤ、ＡＰＣＶＤ等の手段によって酸化珪素等の絶縁膜６０８を形成
（図６（Ｃ））し、これを異方性エッチングすることによって、ゲイト電極の側面に隣接
して側壁６０９を形成する。（図６（Ｄ））
そして、再び、イオンドーピング等の手段によって不純物元素を導入し、ゲイト電極６
０５および側壁６０９をマスクとして自己整合的に十分な高濃度の不純物領域（低抵抗不
純物領域、ソース／ドレイン領域）６１０、６１１が活性層６０３に形成される。そして
、レーザーもしくはフラッシュランプ等の熱源によって、ドーピングされた不純物の活性
化がおこなわれる。（図６（Ｅ））

最後に、層間絶縁物６１２を形成し、さらに、層間絶縁物を通して、ソース／ドレイン
領域にコンタクトホールを形成し、アルミニウム等の金属材料によって、ソース／ドレイ
ンに接続する配線・電極６１３、６１４を形成する。（図６（Ｆ））

以上の方法は従来の半導体集積回路におけるＬＤＤ作製プロセスをそのまま踏襲したも
のであって、ガラス基板上のＴＦＴ作製プロセスにはそのまま適用することの困難な工程
や、あるいは生産性の面で好ましくない工程がある。

第１にはレーザー等の照射による不純物の活性化が２度必要な点である。このため生産
性が低下する。従来の半導体集積回路においては不純物元素の活性化は熱アニールによっ
ておこなわれていた。そのため、不純物の活性化は不純物導入が全て終了してからまとめ
ておこなわれた。

しかしながら、特にガラス基板上のＴＦＴにおいては、基板の温度制約から熱アニール
をおこなうことは難しく、いきおい、レーザーアニール、フラッシュランプアニール（Ｒ
ＴＡあるいはＲＴＰ）に頼らざるをえない。しかしながら、これらの手法は被照射面が選
択的にアニールされるため、例えば、側壁６０９の下の部分はアニールされない。したが
って、不純物ドーピングの度にアニールが必要となる。

第２は側壁の形成の困難さである。絶縁膜６０８の厚さは０．５〜２μｍもある。通常
、基板上に設けられる下地膜６０２の厚さは１００〜３００ｎｍであるので、このエッチ
ング工程において誤って、下地膜をエッチングしてしまって、基板が露出することがよく
あり、歩留りが低下した。ＴＦＴの作製に用いられる基板は珪素半導体にとって有害な元
素が多く含まれているので、このような不良は極力、避けることが必要とされた。また、
側壁の幅を均一に仕上げることも難しいことであった。これは反応性イオンエッチング（
ＲＩＥ）等のプラズマドライエッチングの際に、半導体集積回路で用いられる珪素基板と
は異なって、基板表面が絶縁性であるためにプラズマの微妙な制御が困難であったからで
ある。

高抵抗不純物領域のドレインは高抵抗のため、その幅を可能な限り狭くする必要がある
が、上記のばらつきによって量産化が困難であり、この自己整合的（すなわち、フォリソ
グラフィー法を用いることなく位置を決める）プロセスをいかに制御しやすくおこなうか
が課題であった。また、従来の方法ではドーピングが最低、２回必要とされたが、このド
ーピング回数を減らすこともまた、解決すべき課題であった。

本発明は、上記のような問題を解決し、よりプロセスを簡略化して、高抵抗不純物領域
を形成する方法およびそのようにして形成された高抵抗不純物領域（高抵抗ドレイン、Ｈ
ＲＤ）を有するＴＦＴに関する。ここで、高抵抗ドレイン（ＨＲＤ）という言い方をする
のは、低不純物濃度にして高抵抗化したドレインに加えて、不純物濃度は比較的高いもの
の、炭素、酸素、窒素等を添加して不純物の活性化を妨げて、結果として高抵抗化したド
レインのことも含むからである。

高抵抗領域を形成するうえで、本発明ではゲイト電極の陽極酸化等の手段によって形成
された酸化物層を積極的に用いることを特徴とする。特に陽極酸化物はその厚さの制御が
精密に行え、また、その厚さも１００ｎｍ以下の薄いものから５００ｎｍ以上の厚いもの
まで幅広く、しかも均一に形成できるという特徴を有しているため、従来の異方性エッチ
ングによる側壁に代替する材料として好ましい。

特に、いわゆるバリヤ型の陽極酸化物はフッ酸系のエッチャントでなければエッチング
されないのに対し、多孔質型の陽極酸化物は燐酸等のエッチャントによって選択的にエッ
チングされる。このため、ＴＦＴを構成する他の材料、例えば、珪素、酸化珪素には何ら
ダメージ（損傷）を与えることなく、処理することができるのが特徴である。また、バリ
ヤ型、多孔質型とも陽極酸化物はドライエッチングでは極めてエッチングされにくい。特
に、酸化珪素とのエッチングにおいては選択比が十分に大きいことも特徴である。
本発明は、以下のような作製工程によってＴＦＴ作製することを特徴とし、この工程を
採用することによって、より一層、確実にＨＲＤを構成し、また、量産性を向上させるこ
とができる。

図１は本発明の基本的な工程を示している。まず、基板１０１上に下地絶縁膜１０２を
形成し、さらに活性層１０３を結晶性半導体（本発明では単結晶、多結晶、セミアモルフ
ァス等、結晶が少しでも混在している半導体を結晶性半導体という）によって形成する。
そして、これを覆って酸化珪素等の材料によって絶縁膜１０４を形成し、さらに陽極酸化
可能な材料によって被膜を形成する。この被膜の材料としては、陽極酸化の可能なアルミ
ニウム、タンタル、チタン、珪素等が好ましい。本発明では、これらの材料を単独で使用
した単層構造のゲイト電極を用いてもよいし、これらを２層以上重ねた多層構造のゲイト
電極としてもよい。例えば、アルミニウム上に珪化チタンを重ねた２層構造や窒化チタン
上にアルミニウムを重ねた２層構造である。各々の層の厚さは必要とされる素子特性に応
じて実施者が決定すればよい。

さらにその被膜を覆って、陽極酸化においてマスクとなる膜を形成し、この両者を同時
にパターニング、エッチングして、ゲイト電極１０５とその上のマスク膜１０６を形成す
る。このマスク膜の材料としては通常のフォトリソグラフィー工程で用いられるフォトレ
ジスト、あるいは感光性ポリイミド、もしくは通常のポリイミドでエッチングの可能なも
のを使用すればよい。（図１（Ａ））

次に、ゲイト電極１０５に電解溶液中で電圧を印加することによってゲイト電極の側面
に多孔質の陽極酸化物１０７を形成する。この陽極酸化工程は、３〜２０％のクエン酸も
しくはシュウ酸、燐酸、クロム酸、硫酸等の酸性の水溶液を用いておこなう。溶液の水素
イオン濃度ｐＨは２未満であることが望ましい。最適なｐＨは電解溶液の種類に依存する
が、シュウ酸の場合には０．９〜１．０である。この場合には、１０〜３０Ｖ程度の低電
圧で０．５μｍ以上の厚い陽極酸化物を形成することができる。（図１（Ｂ））

そして、ドライエッチング法、ウェットエッチング法等によって絶縁膜１０４をエッチ
ングする。このエッチング深さは任意であり、下に存在する活性層が露出するまでエッチ
ングをおこなっても、その途中でとめてもよい。しかし、量産性・歩留り・均一性の観点
からは、活性層に至るまでエッチングすることが望ましい。この際には陽極酸化物１０７
およびゲイト電極１０５に覆われた領域の下側の絶縁膜（ゲイト絶縁膜）にはもとの厚さ
の絶縁膜が残される。なお、ゲイト電極がアルミニウム、タンタル、チタンを主成分とし
、一方、絶縁膜１０４が酸化珪素を主成分とする場合において、ドライエッチング法を用
いる場合には、フッ素系（例えばＮＦ_３、ＳＦ_６）のエッチングガスを用いて、ドライエ
ッチングをおこなえば、酸化珪素である絶縁膜１０４は素早くエッチングされるが、酸化
アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンのエッチングレートは十分に小さいので絶縁膜
１０４を選択的にエッチングできる。

また、ウェットエッチングにおいては、１／１００フッ酸等のフッ酸系のエッチャント
を用いればよい。この場合にも酸化珪素である絶縁膜１０４は素早くエッチングされるが
、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンのエッチングレートは十分に小さいので
絶縁膜１０４を選択的にエッチングできる。（図１（Ｃ））

その後、陽極酸化物１０７を除去する。エッチャントとしては、燐酸系の溶液、例えば
、燐酸、酢酸、硝酸の混酸等が好ましい。しかし、単に、例えばゲイト電極がアルミニウ
ムの場合には燐酸系のエッチャントを用いると、同時にゲイト電極もエッチングされてし
まう。そこで、本発明においては、その前の工程でゲイト電極に３〜１０％の酒石液、硼
酸、硝酸が含まれたエチレングルコール溶液中で、電圧を印加することによって、ゲイト
電極の側面および上面にバリヤ型の陽極酸化物１０８を設けておくと良い。この陽極酸化
工程においては、電解溶液のｐＨは２以上、好ましくは３以上、さらに好ましくは６．９
〜７．１とするとよい。このような溶液を得るにはアンモニア等のアルカリ溶液を用いて
中和させると良い。このようにして得られる陽極酸化物の厚さはゲイト電極１０５と対向
の電極との間に印加される電圧の大きさによって決定される。

注目すべきは、バリヤ型の陽極酸化が後の工程であるにもかかわらず、多孔質の陽極酸
化物の外側にバリヤ型の陽極酸化物ができるのではなく、バリヤ型の陽極酸化物１０８は
多孔質陽極酸化物１０７とゲイト電極１０５の間に形成されることである。上記の燐酸系
のエッチャントにおいては、多孔質陽極酸化物のエッチングレートはバリヤ型陽極酸化物
のエッチングレートの１０倍以上である。したがって、バリヤ型の陽極酸化物１０８は、
燐酸系のエッチャントでは実質的にエッチングされないので、内側のゲイト電極を守るこ
とができる。（図１（Ｄ）、（Ｅ））

以上の工程によって、ゲイト電極の下側に選択的に絶縁膜１０４の一部（以下、これを
ゲイト絶縁膜と称することにする）が残存した構造を得ることができる。そして、このゲ
イト絶縁膜１０４’は、もともと多孔質陽極酸化物１０７の下側に存在していたので、ゲ
イト電極１０５、バリヤ型陽極酸化物１０８の下側のみならず、バリヤ型陽極酸化物１０
８からｙの距離だけ離れた位置にまで存在し、その幅ｙは自己整合的に決定されることが
特徴である。換言すれば、活性層１０３におけるゲイト電極下のチャネル形成領域の外側
にはゲイト絶縁膜１０４’の存在する領域と、存在しない領域とが自己整合的に形成され
るのである。

この構造で加速したＮ型もしくはＰ型の不純物のイオンを活性層に注入すると、絶縁膜
１０４が存在しない（もしくは薄い）領域には多くのイオンが注入され、（相対的に）高
濃度の不純物領域（低抵抗不純物領域）１１０、１１３が形成される。一方、ゲイト絶縁
膜１０４’が存在する領域では、このゲイト絶縁膜中にイオンが注入され、それを透過し
たイオンのみが半導体に注入されるため、そのイオン注入量は相対的に減少して、低濃度
の不純物領域（高抵抗不純物領域）１１１、１１２が形成される。低濃度の不純物領域１
１１、１１２と高濃度の不純物領域１１０、１１３との不純物濃度の違いは、絶縁膜１０
４の厚さ等によって異なるが、通常、０．５〜３桁、前者の方が小さい。また、ゲイト電
極の下の領域には実質的には不純物が注入されず、真性または実質的に真性な状態が保た
れ、すなわちチャネル形成領域となる。不純物注入後にはレーザーもしくはそれと同等な
強光を照射することによって不純物の活性化をおこなえばよいが、この工程は、いうまで
もなく実質的に１回で十分である。（図１（Ｅ））

このように、本発明では高抵抗不純物領域の幅を陽極酸化物１０７の厚さｙによって自
己整合的に制御することに特徴がある。そして、さらにゲイト絶縁膜１０４’の端部１０
９と高抵抗領域（ＨＲＤ）１１２の端部１１７を概略一致させることができる。図６に示
した従来の方法ではこのような役割を果たす側壁の幅の制御は極めて困難であったが、本
発明においては、陽極酸化物１０７の幅は、陽極酸化電流（電荷量）によって決定される
ため、極めて微妙な制御が可能である。

さらに、上記の工程からも明らかなように、不純物ドーピングの工程が実質的に１回で
あっても、低抵抗領域、高抵抗領域を形成でき、さらに、その後の活性化の工程も１回の
処理で済む。このように本発明では、ドーピング、活性化の工程を減らすことにより量産
性を高めることができる。従来から、ＨＲＤは抵抗が大きいため、電極とオーム接触させ
ることが難しいこと、および、この抵抗のためドレイン電圧の低下をきたすことが問題と
なっていた。しかし、他方、ＨＲＤの存在により、ホットキャリヤの発生を抑止でき、高
い信頼性を得ることができるというメリットも併せ持っていた。本発明はこの矛盾する課
題を一挙に解決し、自己整合的に形成される０．１〜１μｍ幅のＨＲＤと、ソース／ドレ
イン電極に対してオーム接触を得ることができる。

また、本発明においては図１の陽極酸化物１０８の厚さを適切に利用することによって
、ゲイト電極の端部と不純物領域の位置関係を任意に変更できる。この例を図４に示す。
例えば、イオンドーピング法（プラズマドーピングともいう）のようにイオンが実質的に
質量分離されないまま注入される方法では、イオンの進入角度がまちまちであるので、不
純物の横方向への広がりもかなりあり、すなわち、イオンの進入付加さ程度の横方向への
広がりが見込まれる。以下の例では活性層４０４の厚さを８０ｎｍとする。

したがって、図４（Ａ）に示すように、金属のゲイト電極４０１の外側に陽極酸化物４
０２（図１、１０８に対応）の厚さ（例えば８０ｎｍ）が活性層４０４と同程度の厚さで
あれば、ほとんどゲイト電極４０１の端部４０５と高抵抗不純物領域４０７の端部４０６
が重なりもせず、離れもしない一致状態となる。図４（Ｂ）のように陽極酸化物４０２の
厚さが、例えば３００ｎｍと活性層の厚さ８０ｎｍより大きな場合には、ゲイト電極の端
部４０５と高抵抗不純物領域の端部４０６が離れたオフセット状態となる。逆に図４（Ｃ
）のように陽極酸化物４０２の厚さが小さくなれば、ゲイト電極と高抵抗不純物領域が重
なりあうオーバーラップの状態となる。このオーバーラップは、図４（Ｄ）のようにゲイ
ト電極４０１の周囲に陽極酸化物が存在しない状態で最大となる。

一般にオフセット状態では、逆方向リーク電流が低下し、オン／オフ比が向上するとい
う特徴を有し、例えば、アクティブマトリクス液晶ディスプレーの画素の制御に用いられ
るＴＦＴ（画素ＴＦＴ）のように、リーク電流の少ないことが必要とされる用途に適して
いる。しかしながら、ＨＲＤの端部で発生したホットキャリヤが陽極酸化物にトラップさ
れることによって、劣化するという欠点も合わせ持つ。

オーバーラップ状態のものでは上記のようなホットキャリヤのトラップによる劣化は減
少し、また、オン電流が増加するが、リーク電流が増加するという欠点がある。このため
、大きな電流駆動能力の要求される用途、例えば、モノリシック型アクティブマトリクス
の周辺回路にもちいられるＴＦＴ（ドライバーＴＦＴ）に適している。実際に使用するＴ
ＦＴを図４（Ａ）〜（Ｄ）のいずれのものとするかは、ＴＦＴの用途によって決定されれ
ばよい。

本発明によって、実質的に１回のドーピングおよび１回のレーザーアニール、ＲＴＡ等
の活性化工程によって、高抵抗不純物領域（ＨＲＤ）を形成することができた。この工程
の短縮化は量産性を高め、ＴＦＴ製造ラインへの投資額を減額するうえで有効である。ま
た、本発明ではＨＲＤの幅が極めて精度良く形成されるので、歩留り、均一性の優れたＴ
ＦＴが得られる。

なお、本発明においてはより特性を向上させるためには、より多くのドーピングやレー
ザーアニール、ＲＴＡをおこなってもよく、必ずしもドーピングの回数やレーザーアニー
ル、ＲＴＡの回数を１回に限定するものではない。
本発明のＴＦＴは、半導体集積回路が形成された基板上に３次元集積回路を形成する場
合でも、ガラスまたは有機樹脂等の上に形成される場合でも同様に形成されることはいう
までもないが、いずれの場合にも絶縁表面上に形成されることを特徴とする。特に周辺回
路を同一基板上に有するモノリシック型アクティブマトリクス回路等の電気光学装置に対
する本発明の効果は著しい。

また、本発明において、ＰまたはＮ型の不純物のイオン注入またはイオンドープに加え
て、炭素、酸素、窒素を同時に添加してもよい。かくすると、逆方向リーク電流が低減し
、また、耐圧も向上する。例えばアクティブマトリクス回路の画素ＴＦＴとして用いる場
合に有効である。この場合には、図５のＴＦＴ３の陽極酸化物層の厚さをＴＦＴ１、ＴＦ
Ｔ２と同じ厚さとできる。

実施例１によるＴＦＴの作製方法を示す図。 実施例２によるＴＦＴの作製方法を示す図。 実施例３によるＴＦＴの作製方法を示す図。 本発明におけるオフセット、オーバーラップの関係について示す図。 実施例１および２によって得られたＴＦＴの集積回路の例を示す図。 従来法によるＴＦＴの作製方法を示す図。

以下、本発明の実施の形態を実施例に基づいて説明する。

図１に本実施例を示す。まず、基板（コーニング７０５９、３００ｍｍ×４００ｍｍも
しくは１００ｍｍ×１００ｍｍ）１０１上に下地酸化膜１０２として厚さ１００〜３００
ｎｍの酸化珪素膜を形成した。この酸化膜の形成方法としては、酸素雰囲気中でのスパッ
タ法を使用した。しかし、より量産性を高めるには、ＴＥＯＳをプラズマＣＶＤ法で分解
・堆積した膜を用いてもよい。

その後、プラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法によって非晶質珪素膜を３０〜５００ｎｍ、
好ましくは５０〜１００ｎｍ堆積し、これを、５５０〜６００℃の還元雰囲気に２４時間
放置して、結晶化せしめた。この工程は、レーザー照射によっておこなってもよい。そし
て、このようにして結晶化させた珪素膜をパターニングして島状領域１０３を形成した。
さらに、この上にスパッタ法によって厚さ７０〜１５０ｎｍの酸化珪素膜１０４を形成し
た。

その後、厚さ１００ｎｍ〜３μｍのアルミニウム（１ｗｔ％のＳｉ、もしくは０．１〜
０．３ｗｔ％のＳｃ（スカンジウム）を含む）膜を電子ビーム蒸着法もしくはスパッタ法
によって形成した。そして、フォトレジスト（例えば、東京応化製、ＯＦＰＲ８００／３
０ｃｐ）をスピンコート法によって形成した。フォトレジストの形成前に、陽極酸化法に
よって厚さ１０〜１００ｎｍの酸化アルミニウム膜を表面に形成しておくと、フォトレジ
ストとの密着性が良く、また、フォトレジストからの電流のリークを抑制することにより
、後の陽極酸化工程において、多孔質陽極酸化物を側面のみに形成するうえで有効であっ
た。その後、フォトレジストとアルミニウム膜をパターニングして、アルミニウム膜と一
緒にエッチングし、ゲイト電極１０５マスク膜１０６とした。（図１（Ａ））

さらにこれに電解液中で電流を通じて陽極酸化し、厚さ３００〜６００ｎｍ、例えば、
厚さ５００ｎｍの陽極酸化物１０７を形成した。陽極酸化は、３〜２０％のクエン酸もし
くはショウ酸、燐酸、クロム酸、硫酸等の酸性水溶液を用いておこない、１０〜３０Ｖの
一定電流をゲイト電極に印加すればよい。本実施例ではｐＨ＝０．９〜１．０のシュウ酸
溶液（３０℃）中で電圧を１０Ｖとし、２０〜４０分、陽極酸化した。陽極酸化物の厚さ
は陽極酸化時間によって制御した。（図１（Ｂ））

その後、ドライエッチング法によって酸化珪素膜１０４をエッチングした。このエッチ
ングにおいては、等方性エッチングのプラズマモードでも、あるいは異方性エッチングの
反応性イオンエッチングモードでもよい。ただし、珪素と酸化珪素の選択比を十分に大き
くすることによって、活性層を深くエッチングしないようにすることが重要である。例え
ば、エッチングガスとしてＣＦ_４を使用すれば陽極酸化物はエッチングされず、酸化珪素
膜１０４のみがエッチングされる。また、多孔質陽極酸化物１０７の下の酸化珪素膜１０
４’はエッチングされずに残った。（図１（Ｃ））

次に、再び電解溶液中において、ゲイト電極に電流を印加した。今回は、３〜１０％の
酒石液、硼酸、硝酸が含まれたｐＨ＝６．９〜７．１のエチレングルコールアンモニア溶
液を用いた。溶液の温度は１０℃前後の室温より低い方が良好な酸化膜が得られた。この
ため、ゲイト電極の上面および側面にバリヤ型の陽極酸化物１０８が形成された。陽極酸
化物１０８の厚さは印加電圧に比例し、印加電圧が１５０Ｖで２００ｎｍの陽極酸化物が
形成された。陽極酸化物１０８の厚さは図４に示されるような必要とされるオフセット、
オーバーラップの大きさによって決定したが、３００ｎｍ以上の厚さの陽極酸化物を得る
には２５０Ｖ以上の高電圧が必要であり、ＴＦＴの特性に悪影響を及ぼすので３００ｎｍ
以下の厚さとすることが好ましい。本実施例では８０〜１５０Ｖまで上昇させ、必要とす
る陽極酸化膜１０８の厚さによって電圧を選択した。（図１（Ｄ））

その後、燐酸、酢酸、硝酸の混酸を用いて陽極酸化物１０７をエッチングした。このエ
ッチングでは陽極酸化物１０７のみがエッチングされ、エッチングレートは約６０ｎｍ／
分であった。その下のゲイト絶縁膜１０４’はそのまま残存した。そして、イオンドーピ
ング法によって、ＴＦＴの活性層１０３に、ゲイト電極部（すなわちゲイト電極とその周
囲の陽極酸化膜）およびゲイト絶縁膜をマスクとして自己整合的に不純物を注入し、低抵
抗不純物領域（ソース／ドレイン領域）１１０、１１３、高抵抗不純物領域１１１、１１
２を形成した。ドーピングガスとしてはフォスフィン（ＰＨ_３）を用いたため、Ｎ型の不
純物領域となった。Ｐ型の不純物領域を形成するにはジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）をドーピング
ガスとして用いればよい。ドーズ量は５×１０¹⁴〜５×１０¹⁵ｃｍ^-2、加速エネルギーは
１０〜３０ｋｅＶとした。その後、ＫｒＦエキシマーレーザー（波長２４８ｎｍ、パルス
幅２０ｎｓｅｃ）を照射して、活性層中に導入された不純物イオンの活性化をおこなった
。

ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析法）の結果によると、領域１１０、１１３の不純物濃度
は１×１０²⁰〜２×１０²¹ｃｍ^-3、領域１１１、１１２では１×１０¹⁷〜２×１０¹⁸ｃｍ
^-3であった。ドーズ量換算では、前者は５×１０¹⁴〜５×１０¹⁵ｃｍ^-2、後者は２×１０
¹³〜５×１０¹⁴ｃｍ^-2であった。この違いはゲイト絶縁膜１０４’の有無によってもたら
されたのであって、一般的には、低抵抗不順部鵜領域の不純物濃度は、高抵抗不純物領域
のものより０．５〜３桁大きくなる。（図１（Ｅ））

最後に、全面に層間絶縁物１１４として、ＣＶＤ法によって酸化珪素膜を厚さ３００ｎ
ｍ形成した。ＴＦＴのソース／ドレインにコンタクトホールを形成し、アルミニウム配線
・電極１１５、１１６を形成した。さらに２００〜４００℃で水素アニールをおこなった
。以上によって、ＴＦＴが完成された。（図１（Ｆ））

図１に示した手法を用いて、１枚の基板上に複数のＴＦＴを形成した例を図５（Ａ）に
示す。この例ではＴＦＴはＴＦＴ１〜３の３つを形成した。ＴＦＴ１および２はドライバ
ーＴＦＴとして用いられるもので、図１の陽極酸化物１０８に相当する酸化物５０１、５
０２の厚さを２０〜１００ｎｍ、例えば５０ｎｍの薄いものとし、若干、ゲイト電極と高
抵抗領域（ＨＲＤ）がオーバーラップとなるようにした。図では、ＴＦＴ１のドレインと
ＴＦＴ２のソースとを互いに接続し、また、ＴＦＴ１のソースを接地し、ＴＦＴ２のドレ
インを電源に接続して、ＣＭＯＳインバータとなるように構成した例を示す。周辺回路と
しては、この他にもさまざまな回路があるが、それぞれの仕様にしたがって、このような
ＣＭＯＳ型の回路とすればよい。

一方、ＴＦＴ３は画素ＴＦＴとして用いられるものであり、陽極酸化物５０３を２００
ｎｍと厚くして、オフセット状態（図４（Ｂ）に対応）とし、リーク電流を抑制した。Ｔ
ＦＴ３のソース／ドレイン電極の一方はＩＴＯの画素電極５０１に接続されている。この
ように陽極酸化物の厚さを変えるには、それぞれのＴＦＴのゲイト電極の電圧を独立に制
御できるように分離しておけばよい。なお、ＴＦＴ１およびＴＦＴ３はＮチャネル型ＴＦ
Ｔ、ＴＦＴ２はＰチャネル型ＴＦＴである。

図２に本実施例を示す。まず、絶縁表面を有する基板（例えばコーニング７０５９）２
０１上に実施例１の（Ａ）〜（Ｃ）の工程を用いて、下地酸化膜２０２、島状性珪素半導
体領域（例えば結晶性珪素半導体）２０３、ゲイト絶縁膜２０４、アルミニウム膜（厚さ
２００ｎｍ〜１μｍ）によるゲイト電極２０５とゲイト電極の側面に多孔質の陽極酸化物
（厚さ３００ｎｍ〜１μｍ、例えば５００ｎｍ）２０６を形成した。（図２（Ａ））
そして、実施例１と同様にバリヤ型の厚さ１００〜２５０ｎｍの陽極酸化物２０７を形
成した。（図２（Ｂ））

さらにこのバリヤ型陽極酸化膜２０７をマスクとして、多孔質陽極酸化膜２０６をエッ
チング除去した。その後、ゲイト電極部（２０５、２０７）およびゲイト絶縁膜２０４を
マスクとしてイオンドーピング法によって不純物注入をおこない、低抵抗不純物領域２０
８、２１１、高抵抗不純物領域２０９、２１０を形成した。ドーズ量は１〜５×１０¹⁴ｃ
ｍ^-2、加速電圧は３０〜９０ｋＶとした。不純物としては燐を用いた。（図２（Ｃ））

さらに、全面に適当な金属、例えば、チタン、ニッケル、モリブテン、タングステン、
白金、パラジウム等の被膜、例えば、厚さ５〜５０ｎｍのチタン膜２１２をスパッタ法に
よって全面に形成した。この結果、金属膜（ここではチタン膜）２１２は低抵抗不純物領
域２０８、２１１に密着して形成された。（図２（Ｄ））

そして、ＫｒＦエキシマーレーザー（波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を照射
して、ドーピングされた不純物の活性化とともに、金属膜（ここではチタン）と活性層の
珪素を反応させ、金属珪化物（ここでは珪化チタン）の領域２１３、２１４を形成した。
レーザーのエネルギー密度は２００〜４００ｍＪ／ｃｍ² 、好ましくは２５０〜３００ｍ
Ｊ／ｃｍ² が適当であった。また、レーザー照射時には基板を２００〜５００℃に加熱し
ておくと、チタン膜の剥離を抑制することはできた。

なお、本実施例では上記の如く、エキシマーレーザーを用いたが、他のレーザーを用い
てもよいことはいうまでもない。ただし、レーザーを用いるにあたってはパルス状のレー
ザーが好ましい。連続発振レーザーでは照射時間が長いので、熱によって被照射物が熱に
よって膨張することによって剥離するような危険がある。

パルスレーザーに関しては、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー（Ｑスイッチパルス発振が望ましい
）のごとき赤外光レーザーやその第２高調波のごとき可視光、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ、ＡｒＦ
等のエキシマーを使用する各種紫外光レーザーが使用できるが、金属膜の上面からレーザ
ー照射をおこなう場合には金属膜に反射されないような波長のレーザーを選択する必要が
ある。もっとも、金属膜が極めて薄い場合にはほとんど問題がない。また、レーザー光は
、基板側から照射してもよい。この場合には下に存在するシリコン半導体膜を透過するレ
ーザー光を選択する必要がある。

また、アニールは、可視光線もしくは近赤外光の照射によるランプアニールによるもの
でもよい。ランプアニールを行う場合には、被照射面表面が６００〜１０００℃程度にな
るように、６００℃の場合は数分間、１０００℃の場合は数１０秒間のランプ照射を行う
ようにする。近赤外線（例えば１．２μｍの赤外線）によるアニールは、近赤外線が珪素
半導体に選択的に吸収され、ガラス基板をそれ程加熱せず、しかも一回の照射時間を短く
することで、ガラス基板に対する加熱を抑えることができ、極めて有用である。

この後、過酸化水素とアンモニアと水とを５：２：２で混合したエッチング液でＴｉ膜
のエッチングした。露出した活性層と接触した部分以外のチタン膜（例えば、ゲイト絶縁
膜２０４や陽極酸化膜２０７上に存在したチタン膜）はそのまま金属状態で残っているが
、このエッチングで除去できる。一方、金属珪化物である珪化チタン２１３、２１４はエ
ッチングされないので、残存させることができる。（図２（Ｅ））

最後に、図２（Ｆ）に示すように、全面に層間絶縁物２１７として、ＣＶＤ法によって
酸化珪素膜を厚さ２００ｎｍ〜１μｍ、例えば、３００ｎｍ形成し、ＴＦＴのソース／ド
レインにコンタクトホールを形成し、アルミニウム配線・電極２１８、２１９を２００ｎ
ｍ〜１μｍ、例えば５００ｎｍの厚さに形成した。本実施例においてはアルミニウム配線
がコンタクトする部分は珪化チタンであり、アルミニウムとの界面の安定性が珪素の場合
よりも良好であるので、信頼性の高いコンタクトが得られた。また、このアルミニウム電
極２１８、２１９と珪化物領域２１３、２１４の間にバリヤメタルとして、例えば窒化チ
タンを形成するとより一層、信頼性を向上させることができる。本実施例では、珪化物領
域のシート抵抗は１０〜５０Ω／□となった。一方、高抵抗不純物領域２０９、２１０で
は１０〜１００ｋΩ／□となり、この結果、周波数特性が良く、かつ、高いドレイン電圧
でもホットキャリヤ劣化の少ないＴＦＴを作製することができた。

本実施例では、低抵抗不純物領域２１１と金属珪化物領域とを概略一致させるこができ
た。特にゲイト絶縁膜２０４の端部２１５と高抵抗不純物領域２１０と低抵抗不純物領域
２１１の境界２１６を概略一致せしめ、同時にこの端部２１５と金属珪化物領域２１４の
端部とを概略一致せしめた結果、図４（Ａ）〜（Ｄ）における低抵抗不純物領域を金属珪
化物領域として置き換えればよいことは明らかであろう。

図２に示した手法を用いて、１枚の基板上に複数のＴＦＴを形成した例を図５（Ｂ）に
示す。この例ではＴＦＴはＴＦＴ１〜３の３つを形成した。ＴＦＴ１および２はドライバ
ーＴＦＴとしてＣＭＯＳ化した構成、ここではインバータ構成として用いたもので、図２
の陽極酸化物２０７に相当する酸化物５０５、５０６の厚さを２０〜１００ｎｍ、例えば
５０ｎｍの薄いものとし、若干、オーバーラップとなるようにした。一方、ＴＦＴ３は画
素ＴＦＴとして用いられるものであり、陽極酸化物５０３を２００ｎｍと厚くして、オフ
セット状態とし、リーク電流を抑制した。ＴＦＴ３のソース／ドレイン電極の一方はＩＴ
Ｏの画素電極５０２に接続されている。このように陽極酸化物の厚さを変えるには、それ
ぞれのＴＦＴのゲイト電極の電圧を独立に制御できるように分離しておけばよい。なお、
ＴＦＴ１およびＴＦＴ３はＮチャネル型ＴＦＴ、ＴＦＴ２はＰチャネル型ＴＦＴである。

本実施例ではイオンドーピングの工程の後にチタン膜成膜の工程を配したが、この順番
を逆にしてもよい。この場合には、イオン照射の際にチタン膜が全面を被覆しているので
、絶縁基板で問題となった異状帯電（チャージアップ）防止の上で効果が大である。また
、イオンドーピング後にレーザー等によってアニールしてから、チタン膜を形成して、レ
ーザー等の照射、あるいは熱アニールによって、珪化チタンを形成してもよい。

図３に本実施例を示す。まず、基板（コーニング７０５９）３０１上に実施例１の（Ａ
）〜（Ｃ）の工程を用いて、下地酸化膜３０２、島状結晶性半導体領域、例えば珪素半導
体領域３０３、ゲイト絶縁膜３０４、アルミニウム膜（厚さ２００ｎｍ〜１μｍ）による
ゲイト電極３０５とゲイト電極の側面に多孔質の陽極酸化物（厚さ６００ｎｍ）３０６を
形成した。（図３（Ａ））
そして、実施例１と同様にバリヤ型の厚さ１００〜２５０ｎｍの陽極酸化物３０７を形
成した。（図３（Ｂ））

さらに、多孔質陽極酸化物３０６を選択的にエッチングして、ゲイト絶縁膜３０４の一
部を露出せしめた。その後、全面に適当な金属、例えば、厚さ５〜５０ｎｍのチタン膜３
０８をスパッタ法によって全面に形成した。（図３（Ｃ））
そして、ＫｒＦエキシマーレーザー（波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を照射
して、チタンと活性層の珪素を反応させ、珪化チタン領域３０９、３１０を形成した。レ
ーザーのエネルギー密度は２００〜４００ｍＪ／ｃｍ² 、好ましくは２５０〜３００ｍＪ
／ｃｍ² が適当であった。また、レーザー照射時には基板を２００〜５００℃に加熱して
おくと、チタン膜の剥離を抑制することはできた。この工程は、可視光線もしくは近赤外
光の照射によるランプアニールによるものでもよい。

この後、過酸化水素とアンモニアと水とを５：２：２で混合したエッチング液でＴｉ膜
のエッチングした。露出した活性層と接触した部分以外のチタン膜（例えば、ゲイト絶縁
膜３０４や陽極酸化膜３０７上に存在したチタン膜）はそのまま金属状態で残っているが
、このエッチングで除去できる。一方、珪化チタン３０９、３１０はエッチングされない
ので、残存させることができる。（図３（Ｄ））

その後、ゲイト電極部およびゲイト絶縁膜３０４をマスクとしてイオンドーピング法に
よって不純物注入をおこない、低抵抗不純物領域（≒珪化チタン領域）３１１、３１４、
高抵抗不純物領域３１２、３１３を形成した。ドーズ量は１〜５×１０¹⁴ｃｍ^-2、加速電
圧は３０〜９０ｋＶとした。不純物としては燐を用いた。（図３（Ｅ））

そして、再びＫｒＦエキシマーレーザー（波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を
照射して、ドーピングされた不純物の活性化をおこなった。この工程は、可視光線もしく
は近赤外光の照射によるランプアニールによるものでもよい。 最後に、ゲイト電極部（
３０５、３０７）をマスクとしてゲイト絶縁膜３０４をエッチングした。これはゲイト絶
縁膜３０４にドーピングされた不純物による不安定性を避けるためにおこなった。その結
果、ゲイト電極部の下部にのみゲイト絶縁膜３０４’が残存した。

そして、図３（Ｆ）に示すように、全面に層間絶縁物３１５として、ＣＶＤ法によって
酸化珪素膜を厚さ６００ｎｍ形成し、ＴＦＴのソース／ドレインにコンタクトホールを形
成し、アルミニウム配線・電極３１６、３１７を形成した。
以上の工程によって、ＴＦＴが完成された。

１０１ 絶縁基板
１０２ 下地酸化膜（酸化珪素）
１０３ 活性層（結晶珪素）
１０４ 絶縁膜（酸化珪素）
１０４’ ゲイト絶縁膜
１０５ ゲイト電極（アルミニウム）
１０６ マスク膜（フォトレジスト）
１０７ 陽極酸化物（多孔質酸化アルミニウム）
１０８ 陽極酸化物（バリヤ型酸化アルミニウム）
１０９ ゲイト絶縁膜の端部
１１０、１１３ 低抵抗不純物領域
１１１、１１２ 高抵抗不純物領域（ＨＲＤ）
１１４ 層間絶縁膜（酸化珪素）
１１５、１１６ 金属配線・電極（アルミニウム）
１１７ 低抵抗不純物領域と高抵抗不純物領域の境界

Claims (7)

1. 珪素ウェハー上の酸化珪素上に絶縁ゲイト型トランジスタを有し、
   前記絶縁ゲイト型トランジスタは、
   島状の珪素膜と、前記島状珪素膜の端部よりも内側に形成されたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極とを有し、
   前記島状の珪素膜は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を挟むように設けられた一対の高抵抗不純物領域と、前記一対の高抵抗不純物領域を介して前記チャネル形成領域を挟むように設けられた一対の金属珪化物領域とを有し、
   前記ゲイト電極の少なくとも側面には酸化物層が設けられ、
   前記酸化物層と重なり、且つ、前記ゲイト電極の一部と重なるように前記一対の高抵抗不純物領域が設けられ、
   前記ゲイト絶縁膜と重ならないように前記一対の金属珪化物領域が設けられ、
   前記一対の金属珪化物領域及び前記一対の高抵抗不純物領域にはＮ型またはＰ型の不純物が添加され、前記一対の高抵抗不純物領域は前記一対の金属珪化物領域よりも前記不純物の濃度が低いことを特徴とする半導体装置。
2. 珪素ウェハー上の酸化珪素上に絶縁ゲイト型トランジスタを有し、
   前記絶縁ゲイト型トランジスタは、
   島状の珪素膜と、前記島状珪素膜の端部よりも内側に形成されたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極とを有し、
   前記島状の珪素膜は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を挟むように設けられた一対の高抵抗不純物領域と、前記一対の高抵抗不純物領域を介して前記チャネル形成領域を挟むように設けられた一対の金属珪化物領域とを有し、
   前記ゲイト電極の少なくとも側面には酸化物層が設けられ、
   前記酸化物層と重なり、且つ、前記ゲイト電極の一部と重ならないように前記一対の高抵抗不純物領域が設けられ、
   前記ゲイト絶縁膜と重ならないように前記一対の金属珪化物領域が設けられ、
   前記一対の金属珪化物領域及び前記一対の高抵抗不純物領域にはＮ型またはＰ型の不純物が添加され、前記一対の高抵抗不純物領域は前記一対の金属珪化物領域よりも前記不純物の濃度が低いことを特徴とする半導体装置。
3. 絶縁ゲイト型トランジスタを有し、
   前記絶縁ゲイト型トランジスタは、
   結晶性半導体と、前記結晶性半導体上に選択的に形成されたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極とを有し、
   前記結晶性半導体は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を挟むように設けられた一対の高抵抗不純物領域と、前記一対の高抵抗不純物領域を介して前記チャネル形成領域を挟むように設けられた一対の金属珪化物領域とを有し、
   前記ゲイト電極は窒化チタン上にアルミニウムを重ねて設けられ、
   前記ゲイト電極の少なくとも側面には酸化物層が設けられ、
   前記酸化物層と重なり、且つ、前記ゲイト電極の一部と重なるように前記一対の高抵抗不純物領域が設けられ、
   前記ゲイト絶縁膜と重ならないように前記一対の金属珪化物領域が設けられ、
   前記一対の金属珪化物領域及び前記一対の高抵抗不純物領域にはＮ型またはＰ型の不純物が添加され、前記一対の高抵抗不純物領域は前記一対の金属珪化物領域よりも前記不純物の濃度が低いことを特徴とする半導体装置。
4. 絶縁ゲイト型トランジスタを有し、
   前記絶縁ゲイト型トランジスタは、
   結晶性半導体と、前記結晶性半導体上に選択的に形成されたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極とを有し、
   前記結晶性半導体は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を挟むように設けられた一対の高抵抗不純物領域と、前記一対の高抵抗不純物領域を介して前記チャネル形成領域を挟むように設けられた一対の金属珪化物領域とを有し、
   前記ゲイト電極は窒化チタン上にアルミニウムを重ねて設けられ、
   前記ゲイト電極の少なくとも側面には酸化物層が設けられ、
   前記酸化物層と重なり、且つ、前記ゲイト電極の一部と重ならないように前記一対の高抵抗不純物領域が設けられ、
   前記ゲイト絶縁膜と重ならないように前記一対の金属珪化物領域が設けられ、
   前記一対の金属珪化物領域及び前記一対の高抵抗不純物領域にはＮ型またはＰ型の不純物が添加され、前記一対の高抵抗不純物領域は前記一対の金属珪化物領域よりも前記不純物の濃度が低いことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記一対の金属珪化物領域は、チタン、ニッケル、モリブデン、タングステン、白金またはパラジウムの珪化物でなることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記一対の金属珪化物領域のシート抵抗は、１０〜５０Ω／□であることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
   前記一対の高抵抗不純物領域のシート抵抗は、１０〜１００ｋΩ／□であることを特徴とする半導体装置。

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