JPH10185946A - 静電容量型センサ - Google Patents
静電容量型センサInfo
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- JPH10185946A JPH10185946A JP8353925A JP35392596A JPH10185946A JP H10185946 A JPH10185946 A JP H10185946A JP 8353925 A JP8353925 A JP 8353925A JP 35392596 A JP35392596 A JP 35392596A JP H10185946 A JPH10185946 A JP H10185946A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor element
- mounting surface
- stem
- capacitance type
- fixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 外部環境等の影響を受けにくい静電容量型セ
ンサ装置を提供する。 【構成】 静電容量型加速度センサ装置は，静電容量型
加速度センサ素子10とこのセンサ素子10を実装するステ
ム１から構成される。センサ素子10はその一側面（被実
装面）のみがステム１の内部の側壁（実装面）に接着樹
脂３により接着されている。センサ素子10の側面に底面
に比べて面積が小さく，またセンサ素子10の巾（または
長さ）は，その厚さよりも一般に長い。さらにセンサ素
子10が実装される側面は，可動電極15の振動方向と垂直
である。これらにより，センサ素子10は外部環境の変化
（たとえば温度変化）によってステム１が変形したとし
てもその影響を受けにくく，正確な加速度の検出を行う
ことができる。
ンサ装置を提供する。 【構成】 静電容量型加速度センサ装置は，静電容量型
加速度センサ素子10とこのセンサ素子10を実装するステ
ム１から構成される。センサ素子10はその一側面（被実
装面）のみがステム１の内部の側壁（実装面）に接着樹
脂３により接着されている。センサ素子10の側面に底面
に比べて面積が小さく，またセンサ素子10の巾（または
長さ）は，その厚さよりも一般に長い。さらにセンサ素
子10が実装される側面は，可動電極15の振動方向と垂直
である。これらにより，センサ素子10は外部環境の変化
（たとえば温度変化）によってステム１が変形したとし
てもその影響を受けにくく，正確な加速度の検出を行う
ことができる。
Description
【０００１】
【技術分野】この発明は加速度センサ，圧力センサ等を
含む静電容量型センサに関する。
含む静電容量型センサに関する。
【０００２】
【従来技術とその問題点】図12は樹脂製ステムに静電容
量型加速度センサ素子を実装した静電容量型加速度セン
サ装置の従来例を示す。(A) は(B) のXII-XII 線にそう
断面図，(B) は静電容量型加速度センサ装置の平面図を
示している。
量型加速度センサ素子を実装した静電容量型加速度セン
サ装置の従来例を示す。(A) は(B) のXII-XII 線にそう
断面図，(B) は静電容量型加速度センサ装置の平面図を
示している。
【０００３】リード・フレーム62がインサート成形され
た樹脂製ステム61の内底面に静電容量型加速度センサ素
子50の底面が接着樹脂64により接着されている。ステム
61の内底面がセンサ素子50の実装面である。
た樹脂製ステム61の内底面に静電容量型加速度センサ素
子50の底面が接着樹脂64により接着されている。ステム
61の内底面がセンサ素子50の実装面である。
【０００４】静電容量型加速度センサ素子50は，ガラス
などの絶縁材料からなる上部固定基板51および下部固定
基板52，ならびにこれらの間に挟まれた導電性のあるシ
リコン半導体基板53から構成される。
などの絶縁材料からなる上部固定基板51および下部固定
基板52，ならびにこれらの間に挟まれた導電性のあるシ
リコン半導体基板53から構成される。
【０００５】シリコン半導体基板53にはフレーム部54，
重り部55およびこれらを連結する梁部56が形成されてい
る。梁部56は薄く形成されているので，加えられる加速
度に応じて重り部55が上下に振動する。重り部55が可動
電極となる。
重り部55およびこれらを連結する梁部56が形成されてい
る。梁部56は薄く形成されているので，加えられる加速
度に応じて重り部55が上下に振動する。重り部55が可動
電極となる。
【０００６】上部固定基板51および下部固定基板52の重
り部55にそれぞれ対向する面には，固定電極57および58
がそれぞれ形成されている。センサ素子50の上面（また
は下面）から加速度が加えられると，重り部55と２つの
固定電極57，58との間の静電容量が変化する。これらの
静電容量の変化に基づいて加速度が検出される。
り部55にそれぞれ対向する面には，固定電極57および58
がそれぞれ形成されている。センサ素子50の上面（また
は下面）から加速度が加えられると，重り部55と２つの
固定電極57，58との間の静電容量が変化する。これらの
静電容量の変化に基づいて加速度が検出される。
【０００７】上部固定基板51の上面には，固定電極用お
よび可動電極用の２対のボンディング・パッド68a が
左，右にそれぞれ２つずつ設けられている。一方の対の
ボンディング・パッド68a は可動電極55および固定電極
57に配線パターンおよび接続孔（図示略）を通して電気
的に接続され，他方の対のボンディング・パッド68a は
可動電極55および固定電極58に接続されている。
よび可動電極用の２対のボンディング・パッド68a が
左，右にそれぞれ２つずつ設けられている。一方の対の
ボンディング・パッド68a は可動電極55および固定電極
57に配線パターンおよび接続孔（図示略）を通して電気
的に接続され，他方の対のボンディング・パッド68a は
可動電極55および固定電極58に接続されている。
【０００８】ステム61の左，右には，上述のように，リ
ード・フレーム62が２つずつ設けられている。ステム61
の段差部61a 上に設けられたボンディング・パッド68b
と，リード・フレーム62のそれぞれ対応するもの同士が
電気的に接続されている。
ード・フレーム62が２つずつ設けられている。ステム61
の段差部61a 上に設けられたボンディング・パッド68b
と，リード・フレーム62のそれぞれ対応するもの同士が
電気的に接続されている。
【０００９】ボンディング・パッド68a と，対応するボ
ンディング・パッド68b はワイヤ63によってそれぞれ電
気的に接続されている。このようにして，静電容量型加
速度センサ素子50の可動電極55および固定電極57，58は
リード・フレーム62を通して外部の加速度検出回路（図
示略）に接続される。
ンディング・パッド68b はワイヤ63によってそれぞれ電
気的に接続されている。このようにして，静電容量型加
速度センサ素子50の可動電極55および固定電極57，58は
リード・フレーム62を通して外部の加速度検出回路（図
示略）に接続される。
【００１０】静電容量型圧力センサも固定基板と半導体
基板とが接合されることにより構成され，半導体基板に
は薄いダイヤフラム部が形成される。ダイヤフラム部に
は可動電極が，固定基板には固定電極がそれぞれ設けら
れる。外部から導入される被測定圧力と基準圧力（大気
圧または真空圧）との差に応じてダイヤフラム部が変位
し，これに応じて可動電極と固定電極との間の静電容量
が変化する。可動電極と固定電極との間の静電容量に基
づいて被測定圧力が検出される。
基板とが接合されることにより構成され，半導体基板に
は薄いダイヤフラム部が形成される。ダイヤフラム部に
は可動電極が，固定基板には固定電極がそれぞれ設けら
れる。外部から導入される被測定圧力と基準圧力（大気
圧または真空圧）との差に応じてダイヤフラム部が変位
し，これに応じて可動電極と固定電極との間の静電容量
が変化する。可動電極と固定電極との間の静電容量に基
づいて被測定圧力が検出される。
【００１１】静電容量型センサにおいては，可動電極と
固定電極との間の電極間隔（静電容量）に基づいて被測
定外力が検出されるので，被測定外力以外の影響によっ
てこの電極間隔が変化しないことが望ましい。しかしな
がら，ステムおよびセンサ素子（ガラス基板とシリコン
半導体基板）は外部環境（気温，気圧，湿度など）の変
化，使用されている材料の経時的変化によって膨張また
は収縮を起こす。
固定電極との間の電極間隔（静電容量）に基づいて被測
定外力が検出されるので，被測定外力以外の影響によっ
てこの電極間隔が変化しないことが望ましい。しかしな
がら，ステムおよびセンサ素子（ガラス基板とシリコン
半導体基板）は外部環境（気温，気圧，湿度など）の変
化，使用されている材料の経時的変化によって膨張また
は収縮を起こす。
【００１２】従来の静電容量型センサの構造は，ステム
の内底面が実装面であり，この実装面上にセンサ素子の
底面が実装されている。このため，次のような問題が生
じる。(1) 実装されるセンサ素子の底面は，その面積が
広いので，ステムに生じた応力の影響が伝わりやすい。
(2) ステムの底面はセンサ素子の可動電極の振動方向に
変形しやすく，このため，ステムに生じた応力により電
極間隔が変化しやすく，センサ素子の出力特性に影響が
生じやすい。
の内底面が実装面であり，この実装面上にセンサ素子の
底面が実装されている。このため，次のような問題が生
じる。(1) 実装されるセンサ素子の底面は，その面積が
広いので，ステムに生じた応力の影響が伝わりやすい。
(2) ステムの底面はセンサ素子の可動電極の振動方向に
変形しやすく，このため，ステムに生じた応力により電
極間隔が変化しやすく，センサ素子の出力特性に影響が
生じやすい。
【００１３】
【発明の開示】この発明は，外部環境等の変化の影響を
受けにくい静電容量型センサを提供するものである。
受けにくい静電容量型センサを提供するものである。
【００１４】この発明は，外力の変化を対応する静電容
量の変化に変換する静電容量型センサ素子とこのセンサ
素子を内部に収める凹部をもつ支持部材とを備え，少な
くとも凹部内の一面が実装面であり，この実装面に上記
センサ素子の被実装面が固定された静電容量型センサに
おいて，上記支持部材の実装面が外力の加わる方向と異
なる方向を向く面であり，上記センサ素子の被実装面が
外力の加わる方向と異なる方向を向く面であることを特
徴とする。
量の変化に変換する静電容量型センサ素子とこのセンサ
素子を内部に収める凹部をもつ支持部材とを備え，少な
くとも凹部内の一面が実装面であり，この実装面に上記
センサ素子の被実装面が固定された静電容量型センサに
おいて，上記支持部材の実装面が外力の加わる方向と異
なる方向を向く面であり，上記センサ素子の被実装面が
外力の加わる方向と異なる方向を向く面であることを特
徴とする。
【００１５】静電容量型センサ素子は，一般に，外力が
加えられる面（およびそれに対向する面）が大きく形成
され，これと異なる面（外力がセンサ素子の表，裏面
（上，下面）に加えられるときには，側面に相当する
面）は小さい。この発明によると，センサ素子が外力の
加わる方向の面と異なる面積の小さい面を被実装面とし
ているので，支持部材からセンサ素子に伝わる応力を小
さくすることができる。また，支持部材の実装面も外力
が加わる方向と異なる面であるので，支持部材の実装面
からセンサ素子の被実装面に応力が伝わる方向は，可動
電極の振動方向と異なる方向となる。したがって，支持
部材からの応力は，センサ素子の静電容量の変化を生じ
させにくい。
加えられる面（およびそれに対向する面）が大きく形成
され，これと異なる面（外力がセンサ素子の表，裏面
（上，下面）に加えられるときには，側面に相当する
面）は小さい。この発明によると，センサ素子が外力の
加わる方向の面と異なる面積の小さい面を被実装面とし
ているので，支持部材からセンサ素子に伝わる応力を小
さくすることができる。また，支持部材の実装面も外力
が加わる方向と異なる面であるので，支持部材の実装面
からセンサ素子の被実装面に応力が伝わる方向は，可動
電極の振動方向と異なる方向となる。したがって，支持
部材からの応力は，センサ素子の静電容量の変化を生じ
させにくい。
【００１６】このようにして，この発明によると，外部
環境の変化による支持部材の変形またはそこに生じた応
力によって影響を受けにくい静電容量型センサが実現さ
れる。
環境の変化による支持部材の変形またはそこに生じた応
力によって影響を受けにくい静電容量型センサが実現さ
れる。
【００１７】好ましくは，上記センサ素子の被実装面が
上記実装面に接着樹脂によって固定される。センサ素子
の外力が加わる方向を向いた面は支持部材に単に接する
だけであるから支持部材の変形や応力による影響を受け
にくくなっている。
上記実装面に接着樹脂によって固定される。センサ素子
の外力が加わる方向を向いた面は支持部材に単に接する
だけであるから支持部材の変形や応力による影響を受け
にくくなっている。
【００１８】一の実施態様では，上記実装面の一部に第
１の突起部材が設けられ，そのまわりに接着剤が充填さ
れる。他の実施態様では，上記実装面に段差が設けられ
てその一部がへこんでおり，このへこんだ部分と上記セ
ンサ素子の被実装面との間に接着樹脂が充填される。充
填された接着樹脂は応力の緩衝効果を果たす。
１の突起部材が設けられ，そのまわりに接着剤が充填さ
れる。他の実施態様では，上記実装面に段差が設けられ
てその一部がへこんでおり，このへこんだ部分と上記セ
ンサ素子の被実装面との間に接着樹脂が充填される。充
填された接着樹脂は応力の緩衝効果を果たす。
【００１９】この発明は接着樹脂を用いることなく，セ
ンサ素子を支持部材に固定した静電容量型センサも提供
している。この発明によると，上記実装面上の少なくと
も一部に弾性部材が設けられ，上記弾性部材によってと
上記センサ素子が上記支持部材内に固定される。センサ
素子は支持部材に接合されておらず，弾性部材が応力を
緩衝するので，支持部材に生じた応力はセンサ素子に伝
わりにくい。
ンサ素子を支持部材に固定した静電容量型センサも提供
している。この発明によると，上記実装面上の少なくと
も一部に弾性部材が設けられ，上記弾性部材によってと
上記センサ素子が上記支持部材内に固定される。センサ
素子は支持部材に接合されておらず，弾性部材が応力を
緩衝するので，支持部材に生じた応力はセンサ素子に伝
わりにくい。
【００２０】他の実施態様では，上記実装面上の一部に
第２の突起部材が設けられ，上記センサ素子の被実装面
の上記第２の突起部材と対向する部分に凹部が形成さ
れ，上記第２の突起部材が上記凹部に係合される。スナ
ップによってセンサ素子が支持部材に拘束されるので，
接着樹脂等によってセンサ素子を支持部材に固定する必
要がない。センサ素子は支持部材に接合されていないの
で，支持部材に生じた応力がセンサ素子に伝わりにく
い。またスナップにより，センサ素子の支持部材からの
脱落を防止することができる。
第２の突起部材が設けられ，上記センサ素子の被実装面
の上記第２の突起部材と対向する部分に凹部が形成さ
れ，上記第２の突起部材が上記凹部に係合される。スナ
ップによってセンサ素子が支持部材に拘束されるので，
接着樹脂等によってセンサ素子を支持部材に固定する必
要がない。センサ素子は支持部材に接合されていないの
で，支持部材に生じた応力がセンサ素子に伝わりにく
い。またスナップにより，センサ素子の支持部材からの
脱落を防止することができる。
【００２１】好ましくは，上記支持部材に，上記センサ
素子を上記支持部材に係止させるための係止部材が設け
られる。上記支持部材の開口部分にカバーを設け，上記
カバーの下面と上記センサ素子の上面との間に，上記セ
ンサ素子を押えるための部材を設けてもよい。センサ素
子の支持部材からの脱落を防ぐことができる。
素子を上記支持部材に係止させるための係止部材が設け
られる。上記支持部材の開口部分にカバーを設け，上記
カバーの下面と上記センサ素子の上面との間に，上記セ
ンサ素子を押えるための部材を設けてもよい。センサ素
子の支持部材からの脱落を防ぐことができる。
【００２２】
第１実施例 図１は第１実施例の静電容量型加速度センサ装置を示し
ている。(A) は(B) のＩ−Ｉ線にそう断面図，(B) は静
電容量型加速度センサ装置の平面図である。図１(A) に
おいて，作図の便宜上および分かりやすくするために，
センサ素子を構成する部材の肉厚が厚めに強調して描か
れている。このことは，後に説明する他の実施例におい
ても同様である。
ている。(A) は(B) のＩ−Ｉ線にそう断面図，(B) は静
電容量型加速度センサ装置の平面図である。図１(A) に
おいて，作図の便宜上および分かりやすくするために，
センサ素子を構成する部材の肉厚が厚めに強調して描か
れている。このことは，後に説明する他の実施例におい
ても同様である。
【００２３】静電容量型加速度センサ装置は静電容量型
加速度センサ素子10と，センサ素子10をその内部に実装
するステム（パッケージ）１とから構成される。ステム
１は４つの側壁と底壁とによって形成され，上面が開口
している。ステム１の一側壁の内面がセンサ素子10の実
装面であり，加速度センサ素子10はその側面が接着樹脂
３により実装面に接着されている。
加速度センサ素子10と，センサ素子10をその内部に実装
するステム（パッケージ）１とから構成される。ステム
１は４つの側壁と底壁とによって形成され，上面が開口
している。ステム１の一側壁の内面がセンサ素子10の実
装面であり，加速度センサ素子10はその側面が接着樹脂
３により実装面に接着されている。
【００２４】静電容量型加速度センサ素子10は，差動タ
イプのもので，上部固定基板11および下部固定基板12，
ならびにこれらの固定基板11と12との間に挟まれた導電
性をもつシリコン半導体基板13から構成されている。上
部固定基板11および下部固定基板12はガラス等の絶縁材
料で形成される。ガラスにより形成された基板11，12は
半導体基板13と陽極接合される。基板11および12は半導
体材料を用いて形成することもできる。この場合には基
板11および12は半導体基板13と絶縁体を介して接合され
る。
イプのもので，上部固定基板11および下部固定基板12，
ならびにこれらの固定基板11と12との間に挟まれた導電
性をもつシリコン半導体基板13から構成されている。上
部固定基板11および下部固定基板12はガラス等の絶縁材
料で形成される。ガラスにより形成された基板11，12は
半導体基板13と陽極接合される。基板11および12は半導
体材料を用いて形成することもできる。この場合には基
板11および12は半導体基板13と絶縁体を介して接合され
る。
【００２５】シリコン半導体基板13は，枠状のフレーム
部（または支持部）14と，梁部16と，梁部16に片持ち状
に支持された逆角錐台状の重り部15とから構成されてい
る。これらは好ましくはアルカリ系エッチング液を用い
てシリコン半導体基板13上に高精度に垂直エッチングを
施すことにより形成される。フレーム部14が上部固定基
板11および下部固定基板12に陽極接合されている。
部（または支持部）14と，梁部16と，梁部16に片持ち状
に支持された逆角錐台状の重り部15とから構成されてい
る。これらは好ましくはアルカリ系エッチング液を用い
てシリコン半導体基板13上に高精度に垂直エッチングを
施すことにより形成される。フレーム部14が上部固定基
板11および下部固定基板12に陽極接合されている。
【００２６】梁部16はかなり薄く形成されている。梁部
は１つではなく，２つ以上設けてもよい。重り部15もフ
レーム部14よりも少し薄く形成され，重り部15と上部固
定基板11および下部固定基板12との間には，微小な間隙
が形成されている。重り部15はシリコン半導体基板13に
よって形成されているため導電性を有し，可動電極とし
て用いられる。
は１つではなく，２つ以上設けてもよい。重り部15もフ
レーム部14よりも少し薄く形成され，重り部15と上部固
定基板11および下部固定基板12との間には，微小な間隙
が形成されている。重り部15はシリコン半導体基板13に
よって形成されているため導電性を有し，可動電極とし
て用いられる。
【００２７】梁部16は弾性を有している。梁部16に支持
された重り部15は加えられる加速度に応じて上下に振動
する。
された重り部15は加えられる加速度に応じて上下に振動
する。
【００２８】上部固定基板11および下部固定基板12に
は，重り部15と対向する面に固定電極21および22がそれ
ぞれ一つずつ形成されている。固定電極21，22は上部固
定基板11，下部固定基板12上にアルミニウム等を蒸着す
ることによって形成される。固定電極21と可動電極15が
対をなす。固定電極22と可動電極15とがもう一つの対を
なす。
は，重り部15と対向する面に固定電極21および22がそれ
ぞれ一つずつ形成されている。固定電極21，22は上部固
定基板11，下部固定基板12上にアルミニウム等を蒸着す
ることによって形成される。固定電極21と可動電極15が
対をなす。固定電極22と可動電極15とがもう一つの対を
なす。
【００２９】上部固定基板11の上面には，可動電極用お
よび固定電極用の２対のボンディング・パッド18a が
左，右にそれぞれ２つずつ設けられている。一方の対の
ボンディング・パッド18a は可動電極15および固定電極
21に配線パターンおよび接続孔（図示略）を通して電気
的に接続され，他方の対のボンディング・パッド18a は
可動電極15および固定電極22に接続されている。
よび固定電極用の２対のボンディング・パッド18a が
左，右にそれぞれ２つずつ設けられている。一方の対の
ボンディング・パッド18a は可動電極15および固定電極
21に配線パターンおよび接続孔（図示略）を通して電気
的に接続され，他方の対のボンディング・パッド18a は
可動電極15および固定電極22に接続されている。
【００３０】リード・フレーム２はステム１の左，右に
それぞれ２つずつインサート成形により設けられ，ステ
ム１から外に突出している。ステム１の側壁の内側には
全周にわたって段差部１a が形成され，段差部１a の上
面にはボンディング・パッド18b が左，右にそれぞれ２
つずつ設けられている。これらのボンディング・パッド
18b は対応するリード・フレーム２と電気的に接続され
ている。
それぞれ２つずつインサート成形により設けられ，ステ
ム１から外に突出している。ステム１の側壁の内側には
全周にわたって段差部１a が形成され，段差部１a の上
面にはボンディング・パッド18b が左，右にそれぞれ２
つずつ設けられている。これらのボンディング・パッド
18b は対応するリード・フレーム２と電気的に接続され
ている。
【００３１】ステム１の段差部１a の上面に設けられた
４つのボンディング・パッド18b とセンサ素子10の上面
（上部固定基板11の上面）に形成された４つのボンディ
ング・パッド18a のそれぞれ対応するものがボンディン
グ・ワイヤ（金線，アルミニウム線等など）17によって
互いに電気的に接続されている。
４つのボンディング・パッド18b とセンサ素子10の上面
（上部固定基板11の上面）に形成された４つのボンディ
ング・パッド18a のそれぞれ対応するものがボンディン
グ・ワイヤ（金線，アルミニウム線等など）17によって
互いに電気的に接続されている。
【００３２】このようにして加速度センサ素子10の可動
電極15ならびに固定電極21および22は，リード・フレー
ム２を通して外部の加速度測定回路（図示略）に接続さ
れる。
電極15ならびに固定電極21および22は，リード・フレー
ム２を通して外部の加速度測定回路（図示略）に接続さ
れる。
【００３３】センサ素子10には，図１(A) における上方
または下方から加速度が加えられる。センサ素子10に加
速度が加えられると，シリコン半導体基板13の重り部15
が上下に振動し，これによって重り部（可動電極）15と
固定電極21との間の静電容量（第１の静電容量という）
が変化する。また，重り部（可動電極）15と固定電極22
との間の静電容量（第２の静電容量という）も変化す
る。これらの静電容量の変化に基づいて被測定加速度が
検知される。
または下方から加速度が加えられる。センサ素子10に加
速度が加えられると，シリコン半導体基板13の重り部15
が上下に振動し，これによって重り部（可動電極）15と
固定電極21との間の静電容量（第１の静電容量という）
が変化する。また，重り部（可動電極）15と固定電極22
との間の静電容量（第２の静電容量という）も変化す
る。これらの静電容量の変化に基づいて被測定加速度が
検知される。
【００３４】ステム１は，その側壁の内面がセンサ素子
10の実装面である。この側壁の内面にセンサ素子10の側
面が接着されている。センサ素子10の側面は底面に比べ
て面積が小さいので，ステム１から伝わる応力は小さ
い。またセンサ素子の巾（または長さ）はその厚さより
も一般に長いので，センサ素子10の側面に伝えられる応
力による変形は小さい。センサ素子が実装される側面は
可動電極15の振動方向と垂直であるから，この側面に伝
わる応力が影響して可動電極と固定電極との間の間隙が
変化することは殆ど無いかまたは小さい。さらにセンサ
素子10とステム１とを接合する接着樹脂３は弾性を有す
るので，接着樹脂３はステム１に発生した応力を緩衝す
る働きをもつ。
10の実装面である。この側壁の内面にセンサ素子10の側
面が接着されている。センサ素子10の側面は底面に比べ
て面積が小さいので，ステム１から伝わる応力は小さ
い。またセンサ素子の巾（または長さ）はその厚さより
も一般に長いので，センサ素子10の側面に伝えられる応
力による変形は小さい。センサ素子が実装される側面は
可動電極15の振動方向と垂直であるから，この側面に伝
わる応力が影響して可動電極と固定電極との間の間隙が
変化することは殆ど無いかまたは小さい。さらにセンサ
素子10とステム１とを接合する接着樹脂３は弾性を有す
るので，接着樹脂３はステム１に発生した応力を緩衝す
る働きをもつ。
【００３５】これらのことによって，外部環境の変化等
からセンサ素子10が受ける影響を小さくすることがで
き，より正確な加速度を検出することができる。
からセンサ素子10が受ける影響を小さくすることがで
き，より正確な加速度を検出することができる。
【００３６】センサ素子10の底面とステム１とは接して
いるが接合されていない。したがってセンサ素子10の底
面においてはステム１からの応力がほとんど伝わらず，
センサ素子10の出力に影響が生じることはほとんどな
い。
いるが接合されていない。したがってセンサ素子10の底
面においてはステム１からの応力がほとんど伝わらず，
センサ素子10の出力に影響が生じることはほとんどな
い。
【００３７】第１実施例に示すセンサ素子10は，固定電
極21および22が可動電極（重り部）15の上下面にそれぞ
れ対向するように設けられた差動タイプの静電容量型セ
ンサ素子である。差動タイプにおいて，外部環境等の影
響を取り除く効果は一層顕著になる。差動タイプでは可
動電極15と固定電極21との間の第１の静電容量と，可動
電極15と固定電極22との間の第２の静電容量との差（ま
たはそれらの逆数の差）に基づいて加速度が算出され
る。熱変形等によって固定基板11，12が多少変形して
も，この変形に起因する電極間の静電容量の変化分は，
２つの静電容量の差をとることによってほぼ相殺される
からである。したがってステム１の変形だけでなく，固
定基板11，12の変形が静電容量型センサ素子10の出力に
及ぼす影響を小さくすることができる。
極21および22が可動電極（重り部）15の上下面にそれぞ
れ対向するように設けられた差動タイプの静電容量型セ
ンサ素子である。差動タイプにおいて，外部環境等の影
響を取り除く効果は一層顕著になる。差動タイプでは可
動電極15と固定電極21との間の第１の静電容量と，可動
電極15と固定電極22との間の第２の静電容量との差（ま
たはそれらの逆数の差）に基づいて加速度が算出され
る。熱変形等によって固定基板11，12が多少変形して
も，この変形に起因する電極間の静電容量の変化分は，
２つの静電容量の差をとることによってほぼ相殺される
からである。したがってステム１の変形だけでなく，固
定基板11，12の変形が静電容量型センサ素子10の出力に
及ぼす影響を小さくすることができる。
【００３８】図２に示すように実装面の下部にその全幅
にわたって樹脂溜め溝30a を形成しておくとよい。セン
サ素子10の側面を実装面に接着樹脂３を用いて接着する
ときに余分な接着樹脂がこの溝30a 内に入るので，セン
サ素子10の底面にまで接着樹脂がはみ出すことがない。
これによって，センサ素子10の底面はステム１B の底面
に接着されることが防止される。
にわたって樹脂溜め溝30a を形成しておくとよい。セン
サ素子10の側面を実装面に接着樹脂３を用いて接着する
ときに余分な接着樹脂がこの溝30a 内に入るので，セン
サ素子10の底面にまで接着樹脂がはみ出すことがない。
これによって，センサ素子10の底面はステム１B の底面
に接着されることが防止される。
【００３９】図３に示すように，樹脂溜め溝30b をステ
ム１C の底面であって実装面に接する部分に形成しても
よい。
ム１C の底面であって実装面に接する部分に形成しても
よい。
【００４０】第２実施例 図４は，第２実施例の静電容量型加速度センサ装置を示
している。(A) は(B)のIV-IV 線にそう断面図，(B) は
静電容量型加速度センサ装置の平面図である。図１に示
すものと同一物には同一符号を付し，重複説明を省略す
る。このことは後述する第３実施例から第６実施例の静
電容量型加速度センサ装置においても同様である。
している。(A) は(B)のIV-IV 線にそう断面図，(B) は
静電容量型加速度センサ装置の平面図である。図１に示
すものと同一物には同一符号を付し，重複説明を省略す
る。このことは後述する第３実施例から第６実施例の静
電容量型加速度センサ装置においても同様である。
【００４１】図１に示す加速度センサ装置の構造と異な
る点は，ステム１の実装面に突起部材４が設けられてい
る点，およびセンサ素子10の側面（被実装面）とステム
１の側壁の内面（実装面）との間の間隔が大きい点であ
る。
る点は，ステム１の実装面に突起部材４が設けられてい
る点，およびセンサ素子10の側面（被実装面）とステム
１の側壁の内面（実装面）との間の間隔が大きい点であ
る。
【００４２】センサ素子10は，その被実装面が突起部材
４の先端部分に，その底面がステム１の内底面にそれぞ
れ接するように配置される。センサ素子10の側面とステ
ム１の側壁の内面との間に接着樹脂３が充填されてい
る。
４の先端部分に，その底面がステム１の内底面にそれぞ
れ接するように配置される。センサ素子10の側面とステ
ム１の側壁の内面との間に接着樹脂３が充填されてい
る。
【００４３】センサ素子10の側面とステム１の側壁の内
面との間の間隔を，突起部材４の高さに相当する幅以
上，確実に確保することができる。この間隙に接着樹脂
３が流し込まれ，接着樹脂３はこの間隙に相当する厚さ
をもつ。このように厚さをもつ接着樹脂３がステム１か
ら伝わる応力を一層効果的に緩衝するので，外部環境等
の変化によるステムの変形がセンサ素子に及ぼす影響を
小さくすることができる。
面との間の間隔を，突起部材４の高さに相当する幅以
上，確実に確保することができる。この間隙に接着樹脂
３が流し込まれ，接着樹脂３はこの間隙に相当する厚さ
をもつ。このように厚さをもつ接着樹脂３がステム１か
ら伝わる応力を一層効果的に緩衝するので，外部環境等
の変化によるステムの変形がセンサ素子に及ぼす影響を
小さくすることができる。
【００４４】第３実施例 図５は，第３実施例の静電容量型加速度センサ装置を示
している。(A) は(B)のＶ−Ｖ線にそう断面図，(B) は
静電容量型加速度センサ装置の平面図である。
している。(A) は(B)のＶ−Ｖ線にそう断面図，(B) は
静電容量型加速度センサ装置の平面図である。
【００４５】ステム１A の実装面には，段差部１b が形
成されている。
成されている。
【００４６】センサ素子10は，その被実装面がステム１
A の実装面の段差部１b よりも下の面に，その底面がス
テム１A の内底面それぞれ接するように配置されてい
る。実装面の段差部１b よりも上の面とセンサ素子10の
被実装面との間の間隙に接着樹脂３が充填されている。
この構造においても，接着樹脂３が実装面の段差に相当
する厚さをもっているので，応力の伝達を緩衝する効果
が高められる。センサ素子10の被実装面の下方部分とス
テム１A の実装面とは接しているが接合されていないの
で，この部分から伝わる応力がセンサ素子10の出力に与
える影響は小さい。
A の実装面の段差部１b よりも下の面に，その底面がス
テム１A の内底面それぞれ接するように配置されてい
る。実装面の段差部１b よりも上の面とセンサ素子10の
被実装面との間の間隙に接着樹脂３が充填されている。
この構造においても，接着樹脂３が実装面の段差に相当
する厚さをもっているので，応力の伝達を緩衝する効果
が高められる。センサ素子10の被実装面の下方部分とス
テム１A の実装面とは接しているが接合されていないの
で，この部分から伝わる応力がセンサ素子10の出力に与
える影響は小さい。
【００４７】第４実施例 図６は，第４実施例の静電容量型加速度センサを示して
いる。(A) は(B) のVI-VI 線にそう断面図，(B) は静電
容量型加速度センサ装置の平面図である。
いる。(A) は(B) のVI-VI 線にそう断面図，(B) は静電
容量型加速度センサ装置の平面図である。
【００４８】センサ素子10の一側面（被実装面）とステ
ム１の一側面の内面（実装面）との間には弾性部材５が
きつく設けられている。弾性部材５は，たとえばシリコ
ン・ゴムである。弾性部材５の復元力によって，センサ
素子10の他側面がステム１の他側壁の内面に押しつけら
れ，センサ素子10はステム１の内部に固定される。
ム１の一側面の内面（実装面）との間には弾性部材５が
きつく設けられている。弾性部材５は，たとえばシリコ
ン・ゴムである。弾性部材５の復元力によって，センサ
素子10の他側面がステム１の他側壁の内面に押しつけら
れ，センサ素子10はステム１の内部に固定される。
【００４９】センサ素子10の左，右の側面は，それぞれ
ステム１の側壁と弾性部材５とに接しているが接合され
ていない。センサ素子10の底面とステム１の内底面も接
しているだけである。このため外部環境の変化によって
ステム１が変形しても，センサ素子10はその影響をほと
んど受けない。さらに弾性部材５はステム１から伝わる
応力を緩衝する。これによってもセンサ素子10の出力特
性が外部環境の変化から受ける影響は小さくなる。
ステム１の側壁と弾性部材５とに接しているが接合され
ていない。センサ素子10の底面とステム１の内底面も接
しているだけである。このため外部環境の変化によって
ステム１が変形しても，センサ素子10はその影響をほと
んど受けない。さらに弾性部材５はステム１から伝わる
応力を緩衝する。これによってもセンサ素子10の出力特
性が外部環境の変化から受ける影響は小さくなる。
【００５０】図６において弾性部材５はセンサ素子10の
幅の全体にわたって設けられている。図７に示すよう
に，小さな弾性部材５a によりセンサ素子10を固定する
こともできる。このように幅の狭い弾性部材５a を２個
以上設けてもよい。
幅の全体にわたって設けられている。図７に示すよう
に，小さな弾性部材５a によりセンサ素子10を固定する
こともできる。このように幅の狭い弾性部材５a を２個
以上設けてもよい。
【００５１】第５実施例 図８は，第５実施例の静電容量型加速度センサ装置を示
している。(A) は(B)のVIII-VIII 線にそう断面図，(B)
は静電容量型加速度センサ装置の平面図である。
している。(A) は(B)のVIII-VIII 線にそう断面図，(B)
は静電容量型加速度センサ装置の平面図である。
【００５２】センサ素子10a は，図１から図７に示すセ
ンサ素子10および後述する図９から図11に示すセンサ素
子10と異なる構造をもつ。すなわち，センサ素子10a を
構成するシリコン基板13a の左，右方向の長さがその上
下を挟む上部固定基板11および下部固定基板12の左，右
方向の長さよりもわずかに短く形成されている。これに
よってセンサ素子10a の一側面には凹部が形成される。
ンサ素子10および後述する図９から図11に示すセンサ素
子10と異なる構造をもつ。すなわち，センサ素子10a を
構成するシリコン基板13a の左，右方向の長さがその上
下を挟む上部固定基板11および下部固定基板12の左，右
方向の長さよりもわずかに短く形成されている。これに
よってセンサ素子10a の一側面には凹部が形成される。
【００５３】ステム１の一側壁には，弾性をもつ突起部
材６が一側壁からほぼ垂直に突出するように設けられて
いる。突起部材６の先端部分には斜面が形成され，下面
の方が上面より長い。また，突起部材６はその下面がセ
ンサ素子10の下部固定基板12の上面とほぼ同一高さとな
る位置に固定されている。
材６が一側壁からほぼ垂直に突出するように設けられて
いる。突起部材６の先端部分には斜面が形成され，下面
の方が上面より長い。また，突起部材６はその下面がセ
ンサ素子10の下部固定基板12の上面とほぼ同一高さとな
る位置に固定されている。
【００５４】センサ素子10a をステム１の上方からステ
ム１内に押し込むと，突起部材６の下面が下部固定基板
12の上面にかかり，センサ素子10a は上，下方向に拘束
される。また，突起部材６がセンサ素子10をステム１の
他側壁に押し付けるので，センサ素子10a は左，右方向
にも拘束される。突起部材６はスナップとして働く。
ム１内に押し込むと，突起部材６の下面が下部固定基板
12の上面にかかり，センサ素子10a は上，下方向に拘束
される。また，突起部材６がセンサ素子10をステム１の
他側壁に押し付けるので，センサ素子10a は左，右方向
にも拘束される。突起部材６はスナップとして働く。
【００５５】センサ素子10a はその側面が突起部材６と
ステム１の他側壁に，その底面がステム１の内底面に接
しているが接合されていない。このため，外部環境の変
化によってステム１が変形してもセンサ素子10a の出力
特性への影響はほとんど生じない。さらに突起部材６が
センサ素子10a を上方から拘束しているので，センサ素
子10a をステム１の内部に確実に固定し，ステム１から
の脱落を防止することができる。
ステム１の他側壁に，その底面がステム１の内底面に接
しているが接合されていない。このため，外部環境の変
化によってステム１が変形してもセンサ素子10a の出力
特性への影響はほとんど生じない。さらに突起部材６が
センサ素子10a を上方から拘束しているので，センサ素
子10a をステム１の内部に確実に固定し，ステム１から
の脱落を防止することができる。
【００５６】第６実施例 図９は，第６実施例の静電容量型加速度センサを示して
いる。(A) は(B) のIX-IX 線にそう断面図，(B) は静電
容量型加速度センサ装置の平面図である。図１に示すセ
ンサとは，押え部材が新たに設けられている点のみが異
なっている。
いる。(A) は(B) のIX-IX 線にそう断面図，(B) は静電
容量型加速度センサ装置の平面図である。図１に示すセ
ンサとは，押え部材が新たに設けられている点のみが異
なっている。
【００５７】押え部材７はばね性をもつ１本の金属また
は合成樹脂製の線状体が屈曲されて形成され，２つの取
付部とこれらを結ぶ押え部とから構成されている。押え
部材７は全体的に斜め上方を向いた姿勢でその取付部が
ステム１の側壁に埋込まれている（インサート成形）。
は合成樹脂製の線状体が屈曲されて形成され，２つの取
付部とこれらを結ぶ押え部とから構成されている。押え
部材７は全体的に斜め上方を向いた姿勢でその取付部が
ステム１の側壁に埋込まれている（インサート成形）。
【００５８】押え部材７を上方に持ち上げて曲げた状態
でセンサ素子10をステム１に実装する。押え部材７は弾
性力を持つので，センサ素子10の上面の中央部分が下方
（ステム１の底面方向）に押圧される。センサ素子10は
ステム１の内部に確実に固定され，ステム１からの脱落
が防止される。
でセンサ素子10をステム１に実装する。押え部材７は弾
性力を持つので，センサ素子10の上面の中央部分が下方
（ステム１の底面方向）に押圧される。センサ素子10は
ステム１の内部に確実に固定され，ステム１からの脱落
が防止される。
【００５９】図10は第６実施例の変形例を示すもので，
(A) は(B) のＸ−Ｘ線にそう断面図，(B) は静電容量型
加速度センサ装置の平面図である。
(A) は(B) のＸ−Ｘ線にそう断面図，(B) は静電容量型
加速度センサ装置の平面図である。
【００６０】押え部材８は合成樹脂製で，その下端面が
ステム１の実装面と対向する側の段差部１a の上面に固
定されている。押え部材８は段差部１a の上面から上方
にのび，センサ素子10の上面に接するように，途中でほ
ぼ直角に折れ曲がっている。押え部材８はセンサ素子10
をステム１に実装した後に，その下端面が段差部１a上
に接着されることにより設けられる。センサ素子10は押
え部材８によってステム１の内部に確実に固定され，ス
テム１からの脱落が防止される。
ステム１の実装面と対向する側の段差部１a の上面に固
定されている。押え部材８は段差部１a の上面から上方
にのび，センサ素子10の上面に接するように，途中でほ
ぼ直角に折れ曲がっている。押え部材８はセンサ素子10
をステム１に実装した後に，その下端面が段差部１a上
に接着されることにより設けられる。センサ素子10は押
え部材８によってステム１の内部に確実に固定され，ス
テム１からの脱落が防止される。
【００６１】図11は第６実施例の他の変形例を示すもの
で，(A) は(B) のXI-XI 線にそう断面図，(B) は静電容
量型加速度センサ装置の一部切り抜き平面図である。
で，(A) は(B) のXI-XI 線にそう断面図，(B) は静電容
量型加速度センサ装置の一部切り抜き平面図である。
【００６２】ステム１の上端の開口はカバー25によって
閉鎖される。カバー25はステム１の側壁の上面の全体
に，たとえば接着剤を用いて接着される。
閉鎖される。カバー25はステム１の側壁の上面の全体
に，たとえば接着剤を用いて接着される。
【００６３】カバー25の下面とセンサ素子10の上面との
間には，これらの面のほぼ中央部分に位置するように押
え部材９が設けられている。押え部材９は，カバー25の
下面とセンサ素子10の上面との間の幅とほぼ同じ厚さを
もって形成される。あらかじめ押え部材９を設けたカバ
ー25をステム１の側壁の上面に固定してもよいし，セン
サ素子10の上面に押え部材９を固定したのち，カバー25
をステム１の側壁に固定することもできる。押え部材９
は弾性体であってもよい。押え部材９がカバー25の下面
とセンサ素子10の上面との間の間隙を埋めるので，セン
サ素子10はステム１の内部に確実に固定される。
間には，これらの面のほぼ中央部分に位置するように押
え部材９が設けられている。押え部材９は，カバー25の
下面とセンサ素子10の上面との間の幅とほぼ同じ厚さを
もって形成される。あらかじめ押え部材９を設けたカバ
ー25をステム１の側壁の上面に固定してもよいし，セン
サ素子10の上面に押え部材９を固定したのち，カバー25
をステム１の側壁に固定することもできる。押え部材９
は弾性体であってもよい。押え部材９がカバー25の下面
とセンサ素子10の上面との間の間隙を埋めるので，セン
サ素子10はステム１の内部に確実に固定される。
【００６４】上記実施例はいずれも静電容量型加速度セ
ンサに関するものであるが，この発明は圧力センサ等，
他の物理量を測定する静電容量型センサにも適用できる
のはいうまでもない。
ンサに関するものであるが，この発明は圧力センサ等，
他の物理量を測定する静電容量型センサにも適用できる
のはいうまでもない。
【図１】第１実施例を示すもので，(A) は(B) のＩ−Ｉ
線にそう断面図，(B) は静電容量型加速度センサの平面
図である。
線にそう断面図，(B) は静電容量型加速度センサの平面
図である。
【図２】第１実施例の変形例を示すもので，図１(A) に
対応する静電容量型加速度センサの断面図である。
対応する静電容量型加速度センサの断面図である。
【図３】第１実施例の他の変形例を示すもので，図１
(A) に対応する静電容量型加速度センサの断面図であ
る。
(A) に対応する静電容量型加速度センサの断面図であ
る。
【図４】第２実施例を示すもので，(A) は(B) のIV-IV
線にそう断面図，(B) は静電容量型加速度センサの平面
図である。
線にそう断面図，(B) は静電容量型加速度センサの平面
図である。
【図５】第３実施例を示すもので，(A) は(B) のＶ−Ｖ
線にそう断面図，(B) は静電容量型加速度センサの平面
図である。
線にそう断面図，(B) は静電容量型加速度センサの平面
図である。
【図６】第４実施例を示すもので，(A) は(B) のVI-VI
線にそう断面図，(B) は静電容量型加速度センサの平面
図である。
線にそう断面図，(B) は静電容量型加速度センサの平面
図である。
【図７】第４実施例の変形例を示すもので，(A) は(B)
のVII-VII 線にそう断面図，(B) は静電容量型加速度セ
ンサの平面図である。
のVII-VII 線にそう断面図，(B) は静電容量型加速度セ
ンサの平面図である。
【図８】第５実施例を示すもので，(A) は(B) のVIII-V
III 線にそう断面図，(B) は静電容量型加速度センサの
平面図である。
III 線にそう断面図，(B) は静電容量型加速度センサの
平面図である。
【図９】第６実施例を示すもので，(A) は(B) のIX-IX
線にそう断面図，(B) は静電容量型加速度センサの平面
図である。
線にそう断面図，(B) は静電容量型加速度センサの平面
図である。
【図１０】第６実施例の変形例を示すもので，(A) は
(B) のＸ−Ｘ線にそう断面図，(B)は静電容量型加速度
センサの平面図である。
(B) のＸ−Ｘ線にそう断面図，(B)は静電容量型加速度
センサの平面図である。
【図１１】第６実施例の他の変形例を示すもので，(A)
は(B) のXI-XI 線にそう断面図，(B) は静電容量型加速
度センサの平面図である。
は(B) のXI-XI 線にそう断面図，(B) は静電容量型加速
度センサの平面図である。
【図１２】従来の静電容量型加速度センサ装置を示すも
ので，(A) は(B) のXII-XII 線にそう断面図，(B) は平
面図である。
ので，(A) は(B) のXII-XII 線にそう断面図，(B) は平
面図である。
１，１A ，１B ，１C ステム（パッケージ） ２ リードフレーム ３ 接着樹脂 ４ 突起部材 ５，５a 弾性変形部材 ６ スナップ用突起部材 ７，８，９ ストッパ 10，10a 静電容量型加速度センサ 11 上部固定基板 12 下部固定基板 13，13a シリコン基板 14 フレーム部 15 重り部 16 片持ち梁部 17 ボンディング・ワイヤ 18a ，18b ボンディング・パッド 21，22 固定電極 25 カバー
Claims (9)
- 【請求項１】 外力の変化を対応する静電容量の変化に
変換する静電容量型センサ素子とこのセンサ素子を内部
に収める凹部をもつ支持部材とを備え，少なくとも凹部
内の一面が実装面であり，この実装面に上記センサ素子
の被実装面が固定された静電容量型センサにおいて，上
記支持部材の実装面が外力の加わる方向と異なる方向を
向く面であり，上記センサ素子の被実装面が外力の加わ
る方向と異なる方向を向く面である，静電容量型セン
サ。 - 【請求項２】 上記センサ素子の被実装面が上記実装面
に接着樹脂によって固定されている，請求項１に記載の
静電容量型センサ。 - 【請求項３】 上記実装面の一部に第１の突起部材が設
けられ，そのまわりに接着樹脂が充填されている，請求
項２に記載の静電容量型センサ。 - 【請求項４】 上記実装面に段差が設けられてその一部
がへこんでおり，このへこんだ部分と上記センサ素子の
被実装面との間に接着樹脂が充填されている，請求項２
に記載の静電容量型センサ。 - 【請求項５】 上記実装面の一部または近傍に上記接着
樹脂を溜めるための溝が形成されている，請求項２から
４のいずれか一項に記載の静電容量型センサ。 - 【請求項６】 上記実装面上の少なくとも一部に弾性部
材が設けられ，上記弾性部材によって上記センサ素子を
上記支持部材内に固定している，請求項１に記載の静電
容量型センサ。 - 【請求項７】 上記実装面上の一部に第２の突起部材が
設けられ，上記センサ素子の被実装面の上記第２の突起
部材と対向する部分に凹部が形成され，上記第２の突起
部材が上記凹部に係合している，請求項１に記載の静電
容量型センサ。 - 【請求項８】 上記支持部材に，上記センサ素子を上記
支持部材に係止させるための係止部材が設けられてい
る，請求項１から７のいずれか一項に記載の静電容量型
センサ。 - 【請求項９】 上記支持部材の開口部分にカバーが設け
られ，上記カバーの下面と上記センサ素子の上面との間
に，上記センサ素子を押えるための部材が設けられてい
る，請求項１から８のいずれか一項に記載の静電容量型
センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8353925A JPH10185946A (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 静電容量型センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8353925A JPH10185946A (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 静電容量型センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10185946A true JPH10185946A (ja) | 1998-07-14 |
Family
ID=18434153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8353925A Pending JPH10185946A (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 静電容量型センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10185946A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006300904A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 物理量センサ |
| JP2007171059A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Univ Nagoya | センサ装置 |
| WO2015119103A1 (ja) * | 2014-02-05 | 2015-08-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光器 |
| US20170199217A1 (en) * | 2016-01-13 | 2017-07-13 | Seiko Epson Corporation | Electronic device, method for manufacturing electronic device, and physical-quantity sensor |
| JP2017126627A (ja) * | 2016-01-13 | 2017-07-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器、および移動体 |
| JP2017133945A (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、電子機器および移動体 |
| JP2020197423A (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-10 | セイコーエプソン株式会社 | センサーユニット、電子機器および移動体 |
-
1996
- 1996-12-19 JP JP8353925A patent/JPH10185946A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006300904A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 物理量センサ |
| JP2007171059A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Univ Nagoya | センサ装置 |
| US10184834B2 (en) | 2014-02-05 | 2019-01-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Spectroscope |
| JP2015148484A (ja) * | 2014-02-05 | 2015-08-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光器 |
| CN105960580A (zh) * | 2014-02-05 | 2016-09-21 | 浜松光子学株式会社 | 分光器 |
| KR20160117417A (ko) * | 2014-02-05 | 2016-10-10 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 분광기 |
| WO2015119103A1 (ja) * | 2014-02-05 | 2015-08-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光器 |
| US10883877B2 (en) | 2014-02-05 | 2021-01-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Spectroscope |
| US11262240B2 (en) | 2014-02-05 | 2022-03-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Spectroscope |
| KR20220088516A (ko) * | 2014-02-05 | 2022-06-27 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 분광기 |
| US20170199217A1 (en) * | 2016-01-13 | 2017-07-13 | Seiko Epson Corporation | Electronic device, method for manufacturing electronic device, and physical-quantity sensor |
| JP2017126627A (ja) * | 2016-01-13 | 2017-07-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器、および移動体 |
| JP2017133945A (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、電子機器および移動体 |
| JP2020197423A (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-10 | セイコーエプソン株式会社 | センサーユニット、電子機器および移動体 |
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