JPH10163153A - 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、ウエット処理装置及びウエット処理方法 - Google Patents
洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、ウエット処理装置及びウエット処理方法Info
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- JPH10163153A JPH10163153A JP8334632A JP33463296A JPH10163153A JP H10163153 A JPH10163153 A JP H10163153A JP 8334632 A JP8334632 A JP 8334632A JP 33463296 A JP33463296 A JP 33463296A JP H10163153 A JPH10163153 A JP H10163153A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ウエット処理液の使用量を従来の１０分の１以
下へと低減することができ、しかも従来よりも高い清浄
度を得ることができる省水型のウエット処理液供給ノズ
ル、ウエット処理装置及びウエット処理方法を提供する
こと。 【解決手段】 導入口７を有する導入通路１０と排出口
１５を有する排出通路１２とを形成し、導入通路１０と
排出通路１２とをそれぞれの他端において交差せしめて
交差部１４を形成するとともに交差部１４に、被処理物
１に向けて開口する開口部６を設けてなるノズル構成体
５０と、開口部６を介して被処理物１に接触したウエッ
ト処理液がウエット処理後に、排出通路１２外に流れな
いように、被処理物１と接触しているウエット処理液の
圧力と大気圧との差を制御するための圧力制御手段１３
とを少なくとも排出通路１２側に有することを特徴とす
る。
下へと低減することができ、しかも従来よりも高い清浄
度を得ることができる省水型のウエット処理液供給ノズ
ル、ウエット処理装置及びウエット処理方法を提供する
こと。 【解決手段】 導入口７を有する導入通路１０と排出口
１５を有する排出通路１２とを形成し、導入通路１０と
排出通路１２とをそれぞれの他端において交差せしめて
交差部１４を形成するとともに交差部１４に、被処理物
１に向けて開口する開口部６を設けてなるノズル構成体
５０と、開口部６を介して被処理物１に接触したウエッ
ト処理液がウエット処理後に、排出通路１２外に流れな
いように、被処理物１と接触しているウエット処理液の
圧力と大気圧との差を制御するための圧力制御手段１３
とを少なくとも排出通路１２側に有することを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄やエッチン
グ、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の
液体供給ノズル、ウエット処理装置及びウエット処理方
法に関する。
グ、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の
液体供給ノズル、ウエット処理装置及びウエット処理方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池用基板、液晶基板、磁性体基
板、プラスティックパッケージ用基板その他の大型基板
の表面のウエット処理のうち洗浄の観点から従来の技術
および課題について説明する。
板、プラスティックパッケージ用基板その他の大型基板
の表面のウエット処理のうち洗浄の観点から従来の技術
および課題について説明する。
【０００３】従来、図１９に示す洗浄装置が一般的に用
いられている。図１９において図１９（ａ）は側面図で
あり、図１９（ｂ）は平面図である。
いられている。図１９において図１９（ａ）は側面図で
あり、図１９（ｂ）は平面図である。
【０００４】基板１を例えば、矢印Ａの方向に移動しな
がら基板１の上面にウエット処理液供給ノズル２を用い
て超純水、電解イオン水、オゾン水、水素水等その他の
洗浄液を供給することにより洗浄を行っている。
がら基板１の上面にウエット処理液供給ノズル２を用い
て超純水、電解イオン水、オゾン水、水素水等その他の
洗浄液を供給することにより洗浄を行っている。
【０００５】このウエット処理液供給ノズル２には、図
２０に示すように、洗浄液供給室４、洗浄液を基板に向
けて導出する開口部６と洗浄液を洗浄液供給室４へ導入
するための洗浄液導入口７が形成されている。
２０に示すように、洗浄液供給室４、洗浄液を基板に向
けて導出する開口部６と洗浄液を洗浄液供給室４へ導入
するための洗浄液導入口７が形成されている。
【０００６】また、洗浄液にＭＨｚ帯近辺の超音波を付
与し洗浄効果を向上させるために洗浄液供給室４上に超
音波素子３を設けてある。
与し洗浄効果を向上させるために洗浄液供給室４上に超
音波素子３を設けてある。
【０００７】超純水、電解イオン水、オゾン水、水素水
等その他の洗浄液を洗浄液導入口７から洗浄液供給室４
に導入し、開口部６を介して被洗浄物である基板表面に
供給し洗浄を行う。この洗浄液による洗浄の後には、被
洗浄物表面から洗浄液を除去する目的で、また、残留す
るパーティクルなどを除去する目的で、図２０に示すウ
エット処理液供給ノズル２と同じような構造のノズルを
用いてリンス洗浄液（一般的には超純水）によりリンス
洗浄を行う。
等その他の洗浄液を洗浄液導入口７から洗浄液供給室４
に導入し、開口部６を介して被洗浄物である基板表面に
供給し洗浄を行う。この洗浄液による洗浄の後には、被
洗浄物表面から洗浄液を除去する目的で、また、残留す
るパーティクルなどを除去する目的で、図２０に示すウ
エット処理液供給ノズル２と同じような構造のノズルを
用いてリンス洗浄液（一般的には超純水）によりリンス
洗浄を行う。
【０００８】しかし、上記した従来の洗浄技術には次の
ような問題点がある。
ような問題点がある。
【０００９】（１）第１は洗浄液やリンス洗浄液の使用
量が多いという問題である。
量が多いという問題である。
【００１０】例えば、５００mm角の基板１の洗浄を電解
イオン水などの洗浄液を用いて行い、かかる洗浄液によ
る洗浄とリンス洗浄水によるリンスを行った後における
基板１上のパーティクル（例えば、Ａｌ2Ｏ3粒子）の残
存量を０．５個／ｃｍ2レベルの清浄度を達成しようと
すると、２５〜３０L／ｍｉｎ程度の洗浄液およびリン
ス洗浄液を供給しなければならない。２５〜３０L／ｍ
ｉｎと言う量は安定して超音波を付与できるためのもの
である。従って、２５〜３０L／ｍｉｎ以下の量にする
と超音波の安定付与は出来なくなり、清浄に洗浄出来な
くなってしまう。 現状、洗浄液の多くなる理由として
は、上記で述べた通りであるが、それでも、２５〜３０
L／ｍｉｎ程度の液の使用量となっているのは、超音波
の周波数を上げ、超音波洗浄ノズルスリット幅を小さく
していることの結果であり、現有技術の限界が此処にあ
る。
イオン水などの洗浄液を用いて行い、かかる洗浄液によ
る洗浄とリンス洗浄水によるリンスを行った後における
基板１上のパーティクル（例えば、Ａｌ2Ｏ3粒子）の残
存量を０．５個／ｃｍ2レベルの清浄度を達成しようと
すると、２５〜３０L／ｍｉｎ程度の洗浄液およびリン
ス洗浄液を供給しなければならない。２５〜３０L／ｍ
ｉｎと言う量は安定して超音波を付与できるためのもの
である。従って、２５〜３０L／ｍｉｎ以下の量にする
と超音波の安定付与は出来なくなり、清浄に洗浄出来な
くなってしまう。 現状、洗浄液の多くなる理由として
は、上記で述べた通りであるが、それでも、２５〜３０
L／ｍｉｎ程度の液の使用量となっているのは、超音波
の周波数を上げ、超音波洗浄ノズルスリット幅を小さく
していることの結果であり、現有技術の限界が此処にあ
る。
【００１１】（２）第２は、使用できるＭＨｚ帯近辺の
超音波の使用の制限があるいう問題である。現状では、
０．７〜１．５ＭＨｚの超音波しか使えないという問題
である。すべてのウエット処理において、被処理物にダ
メージを起こさないということが必要である。そのため
に、洗浄等ではキャビテーションによるダメージを起こ
さないＭＨｚ帯近辺の超音波を使用している。被処理物
にダメージが生ずるという観点から使用下限が決まって
いる。上限は、２ＭＨｚ以上の周波数の超音波は、現
状、洗浄等に使用可能な実効パワーが取り出せないこと
により決まっている。洗浄等に使用可能な実効パワーが
取り出せない理由としては、超音波素子の回路的問題か
ら実効パワーが低いことと、図２０の通り、超音波素子
と被ウエット処理物との距離がとおく、超音波パワーの
減衰が大きいことが上げられる。
超音波の使用の制限があるいう問題である。現状では、
０．７〜１．５ＭＨｚの超音波しか使えないという問題
である。すべてのウエット処理において、被処理物にダ
メージを起こさないということが必要である。そのため
に、洗浄等ではキャビテーションによるダメージを起こ
さないＭＨｚ帯近辺の超音波を使用している。被処理物
にダメージが生ずるという観点から使用下限が決まって
いる。上限は、２ＭＨｚ以上の周波数の超音波は、現
状、洗浄等に使用可能な実効パワーが取り出せないこと
により決まっている。洗浄等に使用可能な実効パワーが
取り出せない理由としては、超音波素子の回路的問題か
ら実効パワーが低いことと、図２０の通り、超音波素子
と被ウエット処理物との距離がとおく、超音波パワーの
減衰が大きいことが上げられる。
【００１２】（３）第３は、洗浄液供給室４のように超
音波を付与した洗浄液を細い開口部６を介して被洗浄物
に供給するため超音波出力の減衰が大きく、必要以上に
入力電力を上げる必要があり、超音波振動子の寿命が短
いという問題がある。0.7〜1.5ＭＨｚの周波数の超音波
では、洗浄等に使用可能な実効パワーは取り出せるが、
図２０に示す通り、超音波素子と洗浄物との距離がとお
く、超音波パワーの減衰が大きいことに違いがなく、超
音波振動子の接着面への負荷は、非常に大きく、洗浄液
等の供給量のわずかの変動で、故障する場合がしばしば
ある。
音波を付与した洗浄液を細い開口部６を介して被洗浄物
に供給するため超音波出力の減衰が大きく、必要以上に
入力電力を上げる必要があり、超音波振動子の寿命が短
いという問題がある。0.7〜1.5ＭＨｚの周波数の超音波
では、洗浄等に使用可能な実効パワーは取り出せるが、
図２０に示す通り、超音波素子と洗浄物との距離がとお
く、超音波パワーの減衰が大きいことに違いがなく、超
音波振動子の接着面への負荷は、非常に大きく、洗浄液
等の供給量のわずかの変動で、故障する場合がしばしば
ある。
【００１３】（４）第４は、洗浄後の清浄度に問題があ
る。前記した通り、大量の洗浄水（２５〜３０L／ｍｉ
ｎ）を使用し、かつ洗浄後のリンス洗浄を十分行なった
としても得られる清浄度には限界があり、平均的な清浄
度としては０．５個／ｃｍ2程度である。
る。前記した通り、大量の洗浄水（２５〜３０L／ｍｉ
ｎ）を使用し、かつ洗浄後のリンス洗浄を十分行なった
としても得られる清浄度には限界があり、平均的な清浄
度としては０．５個／ｃｍ2程度である。
【００１４】より高い清浄度（０．０５個／ｃｍ2程度
の清浄度）が求められる場合には、従来の洗浄技術で
は、対応できないという問題がある。さらに同一基板内
においても清浄度のばらつきがあり、図１９に示す基板
１の進行反対側ｂの部分が進行方向側の部分ａよりも清
浄度が低い。清浄度の分布状態は図１９（ｂ）に示すよ
うに進行方向先端ａの部分ほど清浄度が高く、進行方向
の後端ｂに向かうにつれ清浄度は悪くなる様な分布をし
ているという問題があることがわかった。
の清浄度）が求められる場合には、従来の洗浄技術で
は、対応できないという問題がある。さらに同一基板内
においても清浄度のばらつきがあり、図１９に示す基板
１の進行反対側ｂの部分が進行方向側の部分ａよりも清
浄度が低い。清浄度の分布状態は図１９（ｂ）に示すよ
うに進行方向先端ａの部分ほど清浄度が高く、進行方向
の後端ｂに向かうにつれ清浄度は悪くなる様な分布をし
ているという問題があることがわかった。
【００１５】これは、供給ノズルから基板表面に供給さ
れた洗浄液が、図１９（ａ）に示すように大型基板表面
上に液膜となって基板エッジまで流れるうちに、一度除
去されたパーティクルが基板表面に再付着することに由
来している。
れた洗浄液が、図１９（ａ）に示すように大型基板表面
上に液膜となって基板エッジまで流れるうちに、一度除
去されたパーティクルが基板表面に再付着することに由
来している。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来のウエッ
ト処理装置及びウエット処理方法の問題を解決し、ウエ
ット処理液の使用量を従来の１０分の１以下へと低減す
ることができ、しかも従来よりも高い清浄度を得ること
ができる省水型のウエット処理液供給ノズル、ウエット
処理装置及びウエット処理方法を提供することを目的と
する。
ト処理装置及びウエット処理方法の問題を解決し、ウエ
ット処理液の使用量を従来の１０分の１以下へと低減す
ることができ、しかも従来よりも高い清浄度を得ること
ができる省水型のウエット処理液供給ノズル、ウエット
処理装置及びウエット処理方法を提供することを目的と
する。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のウエット処理液供給ノズルは、一端にウエッ
ト処理液を導入するための導入口を有する導入通路と一
端にウエット処理後のウエット処理液をウエット処理の
系外へ排出するための排出口を有する排出通路とを形成
し、該導入通路と該排出通路とをそれぞれの他端におい
て交差せしめて交差部を形成するとともに該交差部に、
被ウエット処理物に向けて開口する開口部を設けてなる
ノズル構成体と、該開口部を介して被ウエット処理物に
接触したウエット処理液がウエット処理後に、該排出通
路外に流れないように、被ウエット処理物と接触してい
るウエット処理液の圧力と大気圧との差を制御するため
の圧力制御手段とを有することを特徴とするウエット処
理液供給ノズルである。
の本発明のウエット処理液供給ノズルは、一端にウエッ
ト処理液を導入するための導入口を有する導入通路と一
端にウエット処理後のウエット処理液をウエット処理の
系外へ排出するための排出口を有する排出通路とを形成
し、該導入通路と該排出通路とをそれぞれの他端におい
て交差せしめて交差部を形成するとともに該交差部に、
被ウエット処理物に向けて開口する開口部を設けてなる
ノズル構成体と、該開口部を介して被ウエット処理物に
接触したウエット処理液がウエット処理後に、該排出通
路外に流れないように、被ウエット処理物と接触してい
るウエット処理液の圧力と大気圧との差を制御するため
の圧力制御手段とを有することを特徴とするウエット処
理液供給ノズルである。
【００１８】本発明のウエット処理装置は、一端にウエ
ット処理液を導入するための導入口を有する導入通路と
一端にウエット処理後のウエット処理液をウエット処理
の系外へ排出するための排出口を有する排出通路とを形
成し、該導入通路と該排出通路とをそれぞれの他端にお
いて交差せしめて交差部を形成するとともに該交差部
に、被ウエット処理物に向けて開口する開口部を設けて
なるノズル構成体と、該開口部を介して被ウエット処理
物に接触したウエット処理液がウエット処理後に、該排
出通路外に流れないように、被ウエット処理物と接触し
ているウエット処理液の圧力と大気圧との差を制御する
ための圧力制御手段とを有するウエット処理液供給ノズ
ルと、該ウエット処理液供給ノズルと被ウエット処理物
とを相対的に移動させるための手段と、ウエット処理液
供給源と、該ウエット処理液供給源から該ウエット処理
液供給ノズルの導入口へウエット処理液を供給するため
の手段と、を少なくとも有することを特徴とするウエッ
ト処理装置である。
ット処理液を導入するための導入口を有する導入通路と
一端にウエット処理後のウエット処理液をウエット処理
の系外へ排出するための排出口を有する排出通路とを形
成し、該導入通路と該排出通路とをそれぞれの他端にお
いて交差せしめて交差部を形成するとともに該交差部
に、被ウエット処理物に向けて開口する開口部を設けて
なるノズル構成体と、該開口部を介して被ウエット処理
物に接触したウエット処理液がウエット処理後に、該排
出通路外に流れないように、被ウエット処理物と接触し
ているウエット処理液の圧力と大気圧との差を制御する
ための圧力制御手段とを有するウエット処理液供給ノズ
ルと、該ウエット処理液供給ノズルと被ウエット処理物
とを相対的に移動させるための手段と、ウエット処理液
供給源と、該ウエット処理液供給源から該ウエット処理
液供給ノズルの導入口へウエット処理液を供給するため
の手段と、を少なくとも有することを特徴とするウエッ
ト処理装置である。
【００１９】ここで、ウエット処理液供給ノズルと被ウ
エット処理物との相対的な移動においてウエット処理液
供給ノズルを移動させる際、ノズル構成体と圧力制御部
とが一体化した構造の場合はその一体化したウエット処
理液供給ノズルを移動させればよく、圧力制御部の一部
たとえば大型のポンプにより構成されているような場合
には、圧力制御部は移動させる必要はなくノズル構成体
のみを移動させればいいことはいうまでもない。
エット処理物との相対的な移動においてウエット処理液
供給ノズルを移動させる際、ノズル構成体と圧力制御部
とが一体化した構造の場合はその一体化したウエット処
理液供給ノズルを移動させればよく、圧力制御部の一部
たとえば大型のポンプにより構成されているような場合
には、圧力制御部は移動させる必要はなくノズル構成体
のみを移動させればいいことはいうまでもない。
【００２０】また、本発明のウエット処理方法は、被ウ
エット処理物とウエット処理液供給ノズルとを相対的に
移動させながらウエット処理液をウエット処理液供給ノ
ズルから被ウエット処理物に順次供給し、該ウエット処
理液供給ノズルから被ウエット処理物に供給したウエッ
ト処理液を、被ウエット処理物と接触しているウエット
処理液の圧力と大気圧との差を制御することにより供給
した部分以外の部分に接触させることなく被ウエット処
理物上から排出することを特徴とする被ウエット処理方
法である。
エット処理物とウエット処理液供給ノズルとを相対的に
移動させながらウエット処理液をウエット処理液供給ノ
ズルから被ウエット処理物に順次供給し、該ウエット処
理液供給ノズルから被ウエット処理物に供給したウエッ
ト処理液を、被ウエット処理物と接触しているウエット
処理液の圧力と大気圧との差を制御することにより供給
した部分以外の部分に接触させることなく被ウエット処
理物上から排出することを特徴とする被ウエット処理方
法である。
【００２１】本発明者は、たとえばウエット処理の一つ
の態様である洗浄に関し次のような知見を得た。すなわ
ち、従来の洗浄装置により洗浄を行っても高い清浄度が
得られない理由を考察したところ次のような理由に基づ
くのであろうとの知見を得た。すなわち、ノズルの開口
部６から洗浄液が供給されると、基板１の先端側（ａ）
が洗浄されるが、基板１は矢印Ａ方向に進行しているた
め、表面を洗浄した洗浄後の洗浄液は、基板１の表面を
なめるように基板１の後端ｂに運ばれる。洗浄後の洗浄
液はパーティクルを含んでいるためｂ端側に向かうとき
にそのパーティクルは基板１の表面に再付着してしま
う。後端ほど洗浄後の洗浄液中へのパーティクルの蓄積
量は増えるわけであるから再付着量も増加し清浄度も悪
くなる。
の態様である洗浄に関し次のような知見を得た。すなわ
ち、従来の洗浄装置により洗浄を行っても高い清浄度が
得られない理由を考察したところ次のような理由に基づ
くのであろうとの知見を得た。すなわち、ノズルの開口
部６から洗浄液が供給されると、基板１の先端側（ａ）
が洗浄されるが、基板１は矢印Ａ方向に進行しているた
め、表面を洗浄した洗浄後の洗浄液は、基板１の表面を
なめるように基板１の後端ｂに運ばれる。洗浄後の洗浄
液はパーティクルを含んでいるためｂ端側に向かうとき
にそのパーティクルは基板１の表面に再付着してしま
う。後端ほど洗浄後の洗浄液中へのパーティクルの蓄積
量は増えるわけであるから再付着量も増加し清浄度も悪
くなる。
【００２２】このように、清浄度を悪くし、リンス洗浄
液の消費量を多大たらしめている原因が一旦除去したパ
ーティクルなどの再付着にあることを本発明者は解明し
た。
液の消費量を多大たらしめている原因が一旦除去したパ
ーティクルなどの再付着にあることを本発明者は解明し
た。
【００２３】そこで、本発明では、ウエット処理液をウ
エット処理物に順次供給するウエット処理方法におい
て、該ウエット処理供給ノズルから被ウエット処理物に
供給したウエット処理液を、ウエット処理液を供給した
部分以外の部分に実質的に接触させることなく被ウエッ
ト処理物上から除去することにより再付着を防止せんと
するものである。すなわち、ウエット処理に寄与したウ
エット処理液を直ちに系外に運び去ることにより再付着
を防止せんとするものである。
エット処理物に順次供給するウエット処理方法におい
て、該ウエット処理供給ノズルから被ウエット処理物に
供給したウエット処理液を、ウエット処理液を供給した
部分以外の部分に実質的に接触させることなく被ウエッ
ト処理物上から除去することにより再付着を防止せんと
するものである。すなわち、ウエット処理に寄与したウ
エット処理液を直ちに系外に運び去ることにより再付着
を防止せんとするものである。
【００２４】再付着を防止するための技術として本発明
者は、上記ウエット処理液供給ノズル、ウエット処理装
置、ウエット処理方法を開発した。
者は、上記ウエット処理液供給ノズル、ウエット処理装
置、ウエット処理方法を開発した。
【００２５】以下に実施例により詳細に説明する。
【００２６】
（１）ウエット処理液供給ノズルの実施例を図１及び図
２に示す。
２に示す。
【００２７】図１は側断面図であり、図２（ａ）は下面
図、図２（ｂ）は平面図である。
図、図２（ｂ）は平面図である。
【００２８】図１において、２がウエット処理液供給ノ
ズルである。このウエット処理液供給ノズル２は、主と
して、ノズル構成体５０と圧力制御部とから構成されて
いる。
ズルである。このウエット処理液供給ノズル２は、主と
して、ノズル構成体５０と圧力制御部とから構成されて
いる。
【００２９】すなわち、ノズル構成体５０は、一端にウ
エット処理液５を導入するための導入口７を有する導入
通路１０と、一端にウエット処理後のウエット処理液５
‘をウエット処理の系外へ排出するための排出口１５を
有する排出通路１２とを形成し、該導入通路１０と該排
出通路１２とをそれぞれの他端において交差せしめて交
差部１４を形成するとともに該交差部１４に、被ウエッ
ト処理物（基板）１に向けて開口する開口部６を設けて
なる。圧力制御部１３は、被ウエット処理物１に接触し
たウエット処理液がウエット処理後に、該排出通路１２
に流れるように、開口部６の大気と接触しているウエッ
ト処理液の圧力（ウエット処理液の表面張力と被ウエッ
ト処理物の処理面の表面張力も含む）と大気圧との均衡
がとれるように少なくとも排出通路１２側に設けてあ
る。
エット処理液５を導入するための導入口７を有する導入
通路１０と、一端にウエット処理後のウエット処理液５
‘をウエット処理の系外へ排出するための排出口１５を
有する排出通路１２とを形成し、該導入通路１０と該排
出通路１２とをそれぞれの他端において交差せしめて交
差部１４を形成するとともに該交差部１４に、被ウエッ
ト処理物（基板）１に向けて開口する開口部６を設けて
なる。圧力制御部１３は、被ウエット処理物１に接触し
たウエット処理液がウエット処理後に、該排出通路１２
に流れるように、開口部６の大気と接触しているウエッ
ト処理液の圧力（ウエット処理液の表面張力と被ウエッ
ト処理物の処理面の表面張力も含む）と大気圧との均衡
がとれるように少なくとも排出通路１２側に設けてあ
る。
【００３０】本例では、圧力制御部は１３は排出口１５
側に設けられた減圧ポンプにより構成されている。すな
わち、減圧ポンプの吸引圧力を制御することにより被ウ
エット処理液の圧力ひいては大気圧と被ウエット処理物
１に接触しているウエット処理液の圧力との差を制御す
る。
側に設けられた減圧ポンプにより構成されている。すな
わち、減圧ポンプの吸引圧力を制御することにより被ウ
エット処理液の圧力ひいては大気圧と被ウエット処理物
１に接触しているウエット処理液の圧力との差を制御す
る。
【００３１】すなわち、排出通路１２側の圧力制御部１
に減圧ポンプを用いて、減圧ポンプで、交差部１４のウ
エット処理液を吸引する力を制御して、開口部６の大気
と接触しているウエット処理液の圧力（ウエット処理液
の表面張力と被ウエット処理物の処理面の表面張力も含
む）と大気圧との均衡をとるようになっている。つま
り、開口部６の大気と接触しているウエット処理液の圧
力Ｐw（ウエット処理液の表面張力と被ウエット処理物
の処理面の表面張力も含む）と大気圧Ｐaの関係をＰw≒
Ｐaとすることにより、開口部６を介して基板１に供給
され、基板１に接触した被ウエット処理液は、ウエット
処理液供給ノズルの外部に漏れることなく、該排出通路
１２に排出される。
に減圧ポンプを用いて、減圧ポンプで、交差部１４のウ
エット処理液を吸引する力を制御して、開口部６の大気
と接触しているウエット処理液の圧力（ウエット処理液
の表面張力と被ウエット処理物の処理面の表面張力も含
む）と大気圧との均衡をとるようになっている。つま
り、開口部６の大気と接触しているウエット処理液の圧
力Ｐw（ウエット処理液の表面張力と被ウエット処理物
の処理面の表面張力も含む）と大気圧Ｐaの関係をＰw≒
Ｐaとすることにより、開口部６を介して基板１に供給
され、基板１に接触した被ウエット処理液は、ウエット
処理液供給ノズルの外部に漏れることなく、該排出通路
１２に排出される。
【００３２】なお、交差部の天井の形状としてコアンダ
効果が生じる様な形状にすれば圧力の均衡が取りやすく
なりより好ましい。
効果が生じる様な形状にすれば圧力の均衡が取りやすく
なりより好ましい。
【００３３】すなわち、ウエット処理液供給ノズルから
被ウエット処理物（基板）１に供給したウエット処理液
５’を、ウエット処理液を供給した部分（開口部６）以
外の部分に接触させることなく被ウエット処理物（基
板）１上から除去される。
被ウエット処理物（基板）１に供給したウエット処理液
５’を、ウエット処理液を供給した部分（開口部６）以
外の部分に接触させることなく被ウエット処理物（基
板）１上から除去される。
【００３４】図２からわかるように、本例では、導入通
路１０が平行に３本設けられている。
路１０が平行に３本設けられている。
【００３５】排出通路１２も導入通路１０と対向してそ
れぞれ平行に３本設けられている。このように、ウエッ
ト処理液供給ノズル２の長手方向（図２における図面上
下方向）に向かって複数の導入通路、排出通路を設ける
ことにより長手方向における洗浄効率を均一にすること
ができる。
れぞれ平行に３本設けられている。このように、ウエッ
ト処理液供給ノズル２の長手方向（図２における図面上
下方向）に向かって複数の導入通路、排出通路を設ける
ことにより長手方向における洗浄効率を均一にすること
ができる。
【００３６】なお、ウエット処理液供給ノズル２の接液
面は、ＰＦＡ等のフッ素樹脂や用いるウエット処理液に
よっては、最表面がクロム酸化物のみからなる不動態膜
面のステンレス、あるいは酸化アルミニウムとクロム酸
化物の混合膜を表面に備えたステンレス、オゾン水に対
しては、電解研磨表面を備えたチタン等、とすることが
不純物の洗浄液への溶出がないことから好ましい。接液
面を石英により構成すれば、フッ酸を除くすべてのウエ
ット処理液の供給に好ましい。
面は、ＰＦＡ等のフッ素樹脂や用いるウエット処理液に
よっては、最表面がクロム酸化物のみからなる不動態膜
面のステンレス、あるいは酸化アルミニウムとクロム酸
化物の混合膜を表面に備えたステンレス、オゾン水に対
しては、電解研磨表面を備えたチタン等、とすることが
不純物の洗浄液への溶出がないことから好ましい。接液
面を石英により構成すれば、フッ酸を除くすべてのウエ
ット処理液の供給に好ましい。
【００３７】導入通路１０が基板１となす角はθ1は０
〜９０°の範囲で適宜選択可能である。
〜９０°の範囲で適宜選択可能である。
【００３８】一方、排出通路１２と基板１となす角度θ
2は０〜９０°の範囲で適宜選択可能である。
2は０〜９０°の範囲で適宜選択可能である。
【００３９】導入通路１０が基板１となす角はθ1と排
出通路１２と基板１となす角度θ2は、ウエット処理液
の基板への接触効率と処理物の排出効率、交差部の形
状、開口部の形状、面積等から任意に設定する。
出通路１２と基板１となす角度θ2は、ウエット処理液
の基板への接触効率と処理物の排出効率、交差部の形
状、開口部の形状、面積等から任意に設定する。
【００４０】交差部１４を形成する被ウエット処理物
（基板）に対向する天井部１８の最も被ウエット処理物
（基板）１に近い部分と、開口部６の被ウエット処理物
（基板）１に近い部分との距離Ｈ2は、好ましくは１〜
５０ｍｍで、より好ましくは２〜２０ｍｍである。ただ
し、距離Ｈ２を１ｍｍよりも小さくしすぎるとウエット
処理液が流れにくくなり、ウエット処理液の基板への接
触効率と処理物の排出効率が悪くなる。一方、距離Ｈ２
が、大きくなりすぎると多量のウエット処理液がウエッ
ト処理液供給ノズル２に存在することになり、ウエット
処理液供給ノズル２が重くなってしまい、ウエット処理
液供給ノズル２の移動等に支障がでる。
（基板）に対向する天井部１８の最も被ウエット処理物
（基板）１に近い部分と、開口部６の被ウエット処理物
（基板）１に近い部分との距離Ｈ2は、好ましくは１〜
５０ｍｍで、より好ましくは２〜２０ｍｍである。ただ
し、距離Ｈ２を１ｍｍよりも小さくしすぎるとウエット
処理液が流れにくくなり、ウエット処理液の基板への接
触効率と処理物の排出効率が悪くなる。一方、距離Ｈ２
が、大きくなりすぎると多量のウエット処理液がウエッ
ト処理液供給ノズル２に存在することになり、ウエット
処理液供給ノズル２が重くなってしまい、ウエット処理
液供給ノズル２の移動等に支障がでる。
【００４１】また、Ｈ1（被ウエット処理物１と開口部
６との距離としては０．１〜５ｍｍが好ましく、１〜２
ｍｍがより好ましい。
６との距離としては０．１〜５ｍｍが好ましく、１〜２
ｍｍがより好ましい。
【００４２】Ｈ1の値は、搬送機の振動、基板自体の凹
凸などで一定でないことがある。そのため、Ｈ1を測定
するためのセンサーを設けておくとともに、センサーか
らの信号に応じて、ウエット処理液供給ノズル２を被ウ
エット処理物１から脱離、接近させるための手段を設け
ておくことが好ましい。なお、上記測長器は図２（ａ）
に示す図面においてノズル構成体５０を挟んで上下に少
なくとも２個所設けることが好ましい。なぜなら、ウエ
ット処理物１と開口部６との距離をウエット処理液供給
ノズル全体で一定とし、確実にウエット処理液の流れを
制御するためである。また、測長精度は０．１ｍｍ以下
であることが好ましい。なぜなら、ウエット処理液供給
ノズルと被ウエット処理物の好ましい距離の下限として
０．１ｍｍがよく、この距離を確実に制御するためであ
る。
凸などで一定でないことがある。そのため、Ｈ1を測定
するためのセンサーを設けておくとともに、センサーか
らの信号に応じて、ウエット処理液供給ノズル２を被ウ
エット処理物１から脱離、接近させるための手段を設け
ておくことが好ましい。なお、上記測長器は図２（ａ）
に示す図面においてノズル構成体５０を挟んで上下に少
なくとも２個所設けることが好ましい。なぜなら、ウエ
ット処理物１と開口部６との距離をウエット処理液供給
ノズル全体で一定とし、確実にウエット処理液の流れを
制御するためである。また、測長精度は０．１ｍｍ以下
であることが好ましい。なぜなら、ウエット処理液供給
ノズルと被ウエット処理物の好ましい距離の下限として
０．１ｍｍがよく、この距離を確実に制御するためであ
る。
【００４３】また、図１において、１９は、接触防止用
ガス噴出部である。この接触ガス防止よう噴出部は、開
口部の大気と接触している被ウエット処理液の圧力と大
気圧との均衡がとれなくなり、被ウエット処理物１が持
ち上げられる際に、開口部６と被ウエット処理物とが接
触しないように少なくとも導入通路１０側又は排出通路
側のいずれか一方に設ける。かかる用途に使用するガス
としては窒素ガスあるいは不活性ガスが好ましく、不純
物（特に水分）を含まない空気でもよい。 （２）図３に他の実施例を示す。
ガス噴出部である。この接触ガス防止よう噴出部は、開
口部の大気と接触している被ウエット処理液の圧力と大
気圧との均衡がとれなくなり、被ウエット処理物１が持
ち上げられる際に、開口部６と被ウエット処理物とが接
触しないように少なくとも導入通路１０側又は排出通路
側のいずれか一方に設ける。かかる用途に使用するガス
としては窒素ガスあるいは不活性ガスが好ましく、不純
物（特に水分）を含まない空気でもよい。 （２）図３に他の実施例を示す。
【００４４】本例は、被ウエット処理物１と接触してい
るウエット処理液の圧力と大気圧との平衡をより簡単な
系で制御することができる実施例である。
るウエット処理液の圧力と大気圧との平衡をより簡単な
系で制御することができる実施例である。
【００４５】排出通路１２側の圧力制御部１は開口部６
と排出通路１２の端部（大気に解放される部分）との高
低差により発生するサイフォンの原理に基づく被ウエッ
ト処理液自身の重量による交差部１４の被ウエット処理
液を吸引する力を高低差で制御して、開口部６の大気と
接触しているウエット処理液の圧力（ウエット処理液の
表面張力と被ウエット処理物の処理面の表面張力も含
む）と大気圧との均衡をとるようになっている。
と排出通路１２の端部（大気に解放される部分）との高
低差により発生するサイフォンの原理に基づく被ウエッ
ト処理液自身の重量による交差部１４の被ウエット処理
液を吸引する力を高低差で制御して、開口部６の大気と
接触しているウエット処理液の圧力（ウエット処理液の
表面張力と被ウエット処理物の処理面の表面張力も含
む）と大気圧との均衡をとるようになっている。
【００４６】より具体的に述べると、排水装置２７とウ
エット処理液供給ノズル２の排出口１５とは排水配管２
５を介して接続され、排水装置２７は保持体２８により
保持されている。保持体２８は図面上上下にスライド可
能に例えば支柱に取り付けられる。
エット処理液供給ノズル２の排出口１５とは排水配管２
５を介して接続され、排水装置２７は保持体２８により
保持されている。保持体２８は図面上上下にスライド可
能に例えば支柱に取り付けられる。
【００４７】排水装置２７の先端部にはバルブ３０が取
り付けてあり、このバルブ３０は、バルブ開閉駆動装置
２９により開閉が行われる。
り付けてあり、このバルブ３０は、バルブ開閉駆動装置
２９により開閉が行われる。
【００４８】一方、本実施例では制御装置２２を有して
おり、制御装置２２は導入通路１０におけるウエット処
理液の圧力を探査するための圧力センサからの信号に基
づき、ロボットおよびバルブ開閉装置２９を駆動する。
ロボットは保持体２８を上下動させるためのものであ
る。バルブ３０開の場合に、排水装置２７の上下動によ
り被ウエット処理物と接触しているウエット処理液の圧
力を制御することができる。
おり、制御装置２２は導入通路１０におけるウエット処
理液の圧力を探査するための圧力センサからの信号に基
づき、ロボットおよびバルブ開閉装置２９を駆動する。
ロボットは保持体２８を上下動させるためのものであ
る。バルブ３０開の場合に、排水装置２７の上下動によ
り被ウエット処理物と接触しているウエット処理液の圧
力を制御することができる。
【００４９】（３）図４に他の実施例を示す。
【００５０】図４において、２がウエット処理液供給ノ
ズルである。このウエット処理液供給ノズル２は、次の
ように構成されている。
ズルである。このウエット処理液供給ノズル２は、次の
ように構成されている。
【００５１】すなわち、一端にウエット処理液５を導入
するための導入口７を有する導入通路１０と、一端にウ
エット処理後のウエット処理液５‘をウエット処理の系
外へ排出するための排出口１５を有する排出通路１２と
を形成し、該導入通路１０と該排出通路１２とをそれぞ
れの他端において交差せしめて交差部１４を形成すると
ともに該交差部１４に、被ウエット処理物（基板）に向
けて開口する開口部６を設け、被ウエット処理物に対向
して、超音波素子１６を設け、被ウエット処理物がウエ
ット処理される間、超音波を付与するようになってい
る。さらに、被ウエット処理物に接触したウエット処理
液がウエット処理後に、該排出通路１２に流れるよう
に、開口部６の大気と接触しているウエット処理液の圧
力（ウエット処理液の表面張力と被ウエット処理物の処
理面の表面張力も含む）と大気圧との均衡がとれるよう
に圧力制御部１３を排出通路１２側に設けてある。この
圧力制御部は前述した圧力制御部と同じである。
するための導入口７を有する導入通路１０と、一端にウ
エット処理後のウエット処理液５‘をウエット処理の系
外へ排出するための排出口１５を有する排出通路１２と
を形成し、該導入通路１０と該排出通路１２とをそれぞ
れの他端において交差せしめて交差部１４を形成すると
ともに該交差部１４に、被ウエット処理物（基板）に向
けて開口する開口部６を設け、被ウエット処理物に対向
して、超音波素子１６を設け、被ウエット処理物がウエ
ット処理される間、超音波を付与するようになってい
る。さらに、被ウエット処理物に接触したウエット処理
液がウエット処理後に、該排出通路１２に流れるよう
に、開口部６の大気と接触しているウエット処理液の圧
力（ウエット処理液の表面張力と被ウエット処理物の処
理面の表面張力も含む）と大気圧との均衡がとれるよう
に圧力制御部１３を排出通路１２側に設けてある。この
圧力制御部は前述した圧力制御部と同じである。
【００５２】なお、図５は図４に示すウエット処理液供
給ノズルの平面図（図５（ｂ））と下面図（図５
（ａ））である。
給ノズルの平面図（図５（ｂ））と下面図（図５
（ａ））である。
【００５３】超音波素子１６は、１９ＫＨｚ以上の周波
数の超音波を出力するものである。好ましくは、０．２
〜５ＭＨｚの周波数のメガソニック超音波素子である。
数の超音波を出力するものである。好ましくは、０．２
〜５ＭＨｚの周波数のメガソニック超音波素子である。
【００５４】超音波素子１６が基板１となす角はθ３は
０〜９０°の範囲で適宜選択可能である。好ましくは、
２〜４５°の範囲が望ましい。
０〜９０°の範囲で適宜選択可能である。好ましくは、
２〜４５°の範囲が望ましい。
【００５５】このようにメガソニックの超音波を付与し
た場合には、清浄度の向上効果が著しい。
た場合には、清浄度の向上効果が著しい。
【００５６】図５に示す例は、超音波素子１６を１個設
けた例であるが、図６には複数個設ける例を示す。図６
に示す例は３個の超音波素子１６ａ，１６ｂ，１６ｃを
長手方向（図面上上下方向）に並べて設けた例である。
このように複数個設けた場合には、超音波周波数、出力
をそれぞれ適宜変えることができるため均一な洗浄を行
うことができる。
けた例であるが、図６には複数個設ける例を示す。図６
に示す例は３個の超音波素子１６ａ，１６ｂ，１６ｃを
長手方向（図面上上下方向）に並べて設けた例である。
このように複数個設けた場合には、超音波周波数、出力
をそれぞれ適宜変えることができるため均一な洗浄を行
うことができる。
【００５７】なお、長手方向のみならず、横方向に複数
個を並べて設けてもよい。また、長手方向、横方向とも
に複数個を並べて設けてもよい。
個を並べて設けてもよい。また、長手方向、横方向とも
に複数個を並べて設けてもよい。
【００５８】（４）図７に次の実施例を示す。
【００５９】本実施例では、ウエット処理液の圧力と大
気圧との差を制御するための手段は、排出通路１２側下
流に設けられた減圧ポンプ（本例では排水ポンプ）１６
と、導入通路１０側上流に設けられた供給ポンプ３３と
から構成し、さらに被ウエット処理物１と接触している
ウエット処理液の圧力を探知するための圧力センサ３１
を設け、該圧力センサ３１からの信号により該減圧ポン
プ１６と該供給ポンプ３３の駆動を制御するための制御
装置３２を設けたものである。図１に示す場合は、導入
口７側のウエット処理液の圧力が一定の場合に有効であ
るが、本例の場合には、導入側のウエット処理液圧力を
も探知しているためより精密な圧力制御が達成され優れ
た清浄度が得られる。
気圧との差を制御するための手段は、排出通路１２側下
流に設けられた減圧ポンプ（本例では排水ポンプ）１６
と、導入通路１０側上流に設けられた供給ポンプ３３と
から構成し、さらに被ウエット処理物１と接触している
ウエット処理液の圧力を探知するための圧力センサ３１
を設け、該圧力センサ３１からの信号により該減圧ポン
プ１６と該供給ポンプ３３の駆動を制御するための制御
装置３２を設けたものである。図１に示す場合は、導入
口７側のウエット処理液の圧力が一定の場合に有効であ
るが、本例の場合には、導入側のウエット処理液圧力を
も探知しているためより精密な圧力制御が達成され優れ
た清浄度が得られる。
【００６０】（５）図８に示す例は、被ウエット処理物
１の処理面に対向する天井の部分を複数の段差４０ａ，
４０ｂ，４０ｃ，４１，４１ｂ，４１ｃとしてある。そ
して、図面上では右下がりの段差天井部４０ａ，４０
ｂ，４０ｃにそれぞれ超音波素子１６ａ，１６，ｂ，１
６ｃが設けてある。
１の処理面に対向する天井の部分を複数の段差４０ａ，
４０ｂ，４０ｃ，４１，４１ｂ，４１ｃとしてある。そ
して、図面上では右下がりの段差天井部４０ａ，４０
ｂ，４０ｃにそれぞれ超音波素子１６ａ，１６，ｂ，１
６ｃが設けてある。
【００６１】本実施例では、天井の右肩下がりの部分に
超音波素子１６ａ，１６，１６ｃを設けてあるため導入
通路１０から交差部１４に供給されるウエット処理液と
対し対向するように超音波を付与することができると同
時に、天井を段差形状としているため超音波素子と被ウ
エット処理物とのギャップがほぼ均一となり均一な洗浄
を行うことができる。
超音波素子１６ａ，１６，１６ｃを設けてあるため導入
通路１０から交差部１４に供給されるウエット処理液と
対し対向するように超音波を付与することができると同
時に、天井を段差形状としているため超音波素子と被ウ
エット処理物とのギャップがほぼ均一となり均一な洗浄
を行うことができる。
【００６２】また、１６ａ，１６ｂ，１６ｃは周波数の
異なった超音波素子によって構成されていてもよい。
異なった超音波素子によって構成されていてもよい。
【００６３】また、図８に示す例では、導入通路１０と
排出通路１２のそれぞれ交差部１４に臨む部分にウエッ
ト処理液の流れを均一にするための整流部を設けた。こ
の整流部は、例えば、フィルター、スリットなどで構成
すればよい。
排出通路１２のそれぞれ交差部１４に臨む部分にウエッ
ト処理液の流れを均一にするための整流部を設けた。こ
の整流部は、例えば、フィルター、スリットなどで構成
すればよい。
【００６４】（６）図９にウエット処理液供給ノズルの
他の例を示す。
他の例を示す。
【００６５】この形態では、排出通路１２が基板１に対
して垂直に設けられており、この排出通路１２を挟んで
対称的に導入通路１０ａ，１０ｂが設けられている。
して垂直に設けられており、この排出通路１２を挟んで
対称的に導入通路１０ａ，１０ｂが設けられている。
【００６６】この形態では、ウエット処理液液は左右の
導入通路１０，１０から対向して基板１上に供給される
ため洗浄液の漏れがより一層少なくなり、洗浄後の洗浄
液はより速やかに排出通路１２に運び去られる。２つの
超音波素子から照射する周波数は同じであっても異なっ
ていてもよい。２つの超音波素子はパルス条に一定時間
交互に発振または同時に発振させてもよい。
導入通路１０，１０から対向して基板１上に供給される
ため洗浄液の漏れがより一層少なくなり、洗浄後の洗浄
液はより速やかに排出通路１２に運び去られる。２つの
超音波素子から照射する周波数は同じであっても異なっ
ていてもよい。２つの超音波素子はパルス条に一定時間
交互に発振または同時に発振させてもよい。
【００６７】（７）図１０にウエット処理液供給ノズル
の他の例を示す。
の他の例を示す。
【００６８】この形態では、導入通路１０が基板１に対
して垂直に設けられており、この導入通路１０を挟んで
対称的に排出通路１２ａ，１２ｂが設けられている。
して垂直に設けられており、この導入通路１０を挟んで
対称的に排出通路１２ａ，１２ｂが設けられている。
【００６９】このウエット処理液供給ノズルは裏面洗浄
用であり、導入通路、排出通路ともに基板に垂直に形成
されている。
用であり、導入通路、排出通路ともに基板に垂直に形成
されている。
【００７０】（８）次にウエット処理装置の実施例を説
明する。
明する。
【００７１】図１、図２に示すウエット処理液供給ノズ
ル２を用いてウエット処理装置を構成する場合は、図１
１に示すように、ウエット処理液供給ノズル２の開口部
６を基板１に向けて配置し、また、ウエット処理液供給
ノズル２と基板１とを相対的に移動させるための手段、
たとえば基板１のローラ搬送機（図示せず）を設ければ
よい。
ル２を用いてウエット処理装置を構成する場合は、図１
１に示すように、ウエット処理液供給ノズル２の開口部
６を基板１に向けて配置し、また、ウエット処理液供給
ノズル２と基板１とを相対的に移動させるための手段、
たとえば基板１のローラ搬送機（図示せず）を設ければ
よい。
【００７２】また、ウエット処理液供給源と、ウエット
処理液供給源から該ウエット処理液供給ノズルの導入口
へウエット処理液を供給するための手段とを有してい
る。ウエット処理液は、レジストの剥離工程のように、
７０〜８０℃の温度で被ウエット処理物を処理する必要
があるときのために加熱装置、温度調節装置、保温装置
を適宜の位置に設けておくことが好ましい。
処理液供給源から該ウエット処理液供給ノズルの導入口
へウエット処理液を供給するための手段とを有してい
る。ウエット処理液は、レジストの剥離工程のように、
７０〜８０℃の温度で被ウエット処理物を処理する必要
があるときのために加熱装置、温度調節装置、保温装置
を適宜の位置に設けておくことが好ましい。
【００７３】図１１には被ウエット処理物の表面、裏面
のウエット処理をを同時に行うべく、被ウエット処理物
１をはさんで、ウエット処理液供給ノズル２ａＳと２ａ
Ｂとが対をなして配置してある。
のウエット処理をを同時に行うべく、被ウエット処理物
１をはさんで、ウエット処理液供給ノズル２ａＳと２ａ
Ｂとが対をなして配置してある。
【００７４】さらに、たとえば、被ウエット処理物１の
進行方向に順に、電解イオン水洗浄（ウエット処理の一
態様）を目的とするウエット処理液供給ノズル（２ａ
Ｆ，２ａＢ）、超純水によるリンス洗浄（ウエット処
理）を目的とするウエット処理液供給ノズル（２ｂＦ，
２ｂＢ）、たとえばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）
乾燥を目的とするウエット処理液供給ノズル（２ｃＦ，
２ｃＢ）の３列が配置されている。なお、図面上圧力制
御部は図示を省略してある。
進行方向に順に、電解イオン水洗浄（ウエット処理の一
態様）を目的とするウエット処理液供給ノズル（２ａ
Ｆ，２ａＢ）、超純水によるリンス洗浄（ウエット処
理）を目的とするウエット処理液供給ノズル（２ｂＦ，
２ｂＢ）、たとえばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）
乾燥を目的とするウエット処理液供給ノズル（２ｃＦ，
２ｃＢ）の３列が配置されている。なお、図面上圧力制
御部は図示を省略してある。
【００７５】一対のウエット処理液供給ノズル２ａＦと
２ａＢとはその両端において接触させ、トンネル状空間
を形成し、その中を被ウエット処理物１を流す。従っ
て、被ウエット処理物１の端面（図面上紙面に垂直な
面）側からウエット処理液が流れたとしてもその流れ出
たウエット処理液は下側のウエット処理液供給ノズル２
ａＢで受けることができる。
２ａＢとはその両端において接触させ、トンネル状空間
を形成し、その中を被ウエット処理物１を流す。従っ
て、被ウエット処理物１の端面（図面上紙面に垂直な
面）側からウエット処理液が流れたとしてもその流れ出
たウエット処理液は下側のウエット処理液供給ノズル２
ａＢで受けることができる。
【００７６】また、裏面（下面）の洗浄効率は高いた
め、超音波素子は表面（上面）のみに設けてある。もし
全て同一のウエット処理液を使用する場合は、１つの圧
力制御部で圧力制御を行ってもかまわない。
め、超音波素子は表面（上面）のみに設けてある。もし
全て同一のウエット処理液を使用する場合は、１つの圧
力制御部で圧力制御を行ってもかまわない。
【００７７】図１２は被ウエット処理物を上下に移動さ
せた場合の例であり、図１２（ａ）は側面図、図１２
（ｂ）は平面図である。
せた場合の例であり、図１２（ａ）は側面図、図１２
（ｂ）は平面図である。
【００７８】図１３は上方から見た図であり、図１３は
（ａ），（ｂ），（ｃ）とも被ウエット処理物１を立
て、ウエット処理液供給ノズルは被ウエット処理物１の
移動方向に直交してウエット処理液供給ノズルの長手方
向に設置し、被ウエット処理物１は水平に搬送するもの
である。この場合被ウエット処理物に上下関係はなく、
表面、裏面とも洗浄効率は同じであるため、超音波素子
は、裏面（図１３（ｃ））、表面（図１３（ｂ））、裏
面と表面（図１３（ａ））に設ける場合がある。
（ａ），（ｂ），（ｃ）とも被ウエット処理物１を立
て、ウエット処理液供給ノズルは被ウエット処理物１の
移動方向に直交してウエット処理液供給ノズルの長手方
向に設置し、被ウエット処理物１は水平に搬送するもの
である。この場合被ウエット処理物に上下関係はなく、
表面、裏面とも洗浄効率は同じであるため、超音波素子
は、裏面（図１３（ｃ））、表面（図１３（ｂ））、裏
面と表面（図１３（ａ））に設ける場合がある。
【００７９】図１４は横から見た図であり、被ウエット
処理物１を立てて上方に垂直搬送を行うものである。
処理物１を立てて上方に垂直搬送を行うものである。
【００８０】図１４に示す場合も図１３に示した場合と
同様、被ウエット処理物に上下関係はなく、表面、裏面
とも洗浄効率は同じであるため、超音波素子は、裏面
（図１４（ｃ））、表面（図１４（ｂ））、裏面と表面
（図１４（ａ））に設ける場合がある。
同様、被ウエット処理物に上下関係はなく、表面、裏面
とも洗浄効率は同じであるため、超音波素子は、裏面
（図１４（ｃ））、表面（図１４（ｂ））、裏面と表面
（図１４（ａ））に設ける場合がある。
【００８１】図１５は横から見た図であり、裏面が下
面、表面が上面となっている。すなわち、被ウエット処
理物１は水平にし、水平搬送を行う場合の例である。超
音波素子の配置に関しては、裏面の洗浄効果は高いため
一般的には図１５（ｂ）が用いられる。
面、表面が上面となっている。すなわち、被ウエット処
理物１は水平にし、水平搬送を行う場合の例である。超
音波素子の配置に関しては、裏面の洗浄効果は高いため
一般的には図１５（ｂ）が用いられる。
【００８２】なお、ウエット処理液としては、例えば、
洗浄工程においては超純水、電解イオン水、オゾン水、
水素水その他の洗浄液があげられ、また、他のウエット
処理工程においては、エッチング液、現像液、剥離液な
ども好適に用いられる。
洗浄工程においては超純水、電解イオン水、オゾン水、
水素水その他の洗浄液があげられ、また、他のウエット
処理工程においては、エッチング液、現像液、剥離液な
ども好適に用いられる。
【００８３】（９）図１６にウエット処理液供給ノズル
の他の変形例を示す。
の他の変形例を示す。
【００８４】本例は、基本構造が図９に示す構造と同様
であり、向かい合う２つの導入通路１０ａ，１０ｂを挟
んで排出通路１２ａ，１２ｂが設けられている。ただ本
例では、導入通路１０ａ，１０ｂのそれぞれの出口と、
排出通路１２ａ，１２ｂの入口との距離が図９に示した
場合よりも短くしてある。従って、導入通路１０ａ，１
０ｂから導入されたウエット処理液はより効率よく排出
通路１２ａ，１２ｂに排出される。
であり、向かい合う２つの導入通路１０ａ，１０ｂを挟
んで排出通路１２ａ，１２ｂが設けられている。ただ本
例では、導入通路１０ａ，１０ｂのそれぞれの出口と、
排出通路１２ａ，１２ｂの入口との距離が図９に示した
場合よりも短くしてある。従って、導入通路１０ａ，１
０ｂから導入されたウエット処理液はより効率よく排出
通路１２ａ，１２ｂに排出される。
【００８５】なお、図１６では、排出通路を導入通路で
はさむ構造としたが、逆に導入通路を排出通路ではさむ
構造としてもよい。
はさむ構造としたが、逆に導入通路を排出通路ではさむ
構造としてもよい。
【００８６】（１０）図１７にウエット処理液供給ノズ
ルのさらに他の変形例を示す。
ルのさらに他の変形例を示す。
【００８７】本例に示すウエット処理液供給ノズルは主
に水平搬送される被ウエット処理物の裏面ウエット処理
に好適に用いられる。
に水平搬送される被ウエット処理物の裏面ウエット処理
に好適に用いられる。
【００８８】この例では、導入通路１０が中央に設けら
れ、その両サイドに排出通路１２ａ，１２ｂが導入通路
１０を挟んで導入通路１０と平行に設けられている。ま
た、導入通路１０の出口の高さは、排出通路１２ａ，１
２ｂの入口の高さより少し下がった位置に設けてある。
その高さの差ｋとしては０．１〜２ｍｍが好ましい。
れ、その両サイドに排出通路１２ａ，１２ｂが導入通路
１０を挟んで導入通路１０と平行に設けられている。ま
た、導入通路１０の出口の高さは、排出通路１２ａ，１
２ｂの入口の高さより少し下がった位置に設けてある。
その高さの差ｋとしては０．１〜２ｍｍが好ましい。
【００８９】
【実験例】以下に実験例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明がこれら実施例に限定されるものではな
いことはいうまでもない。
するが、本発明がこれら実施例に限定されるものではな
いことはいうまでもない。
【００９０】（実験１）５００ｍｍ×４００ｍｍ角のガ
ラス基板を用意した。
ラス基板を用意した。
【００９１】このガラス基板を、Ａｌ2Ｏ3パーティクル
を含有する純水に浸漬し基板表面を汚染した。汚染後に
おける基板表面全面におけるパーティクルの数の測定を
行ったところ、４１６３０個であった。なお、パーティ
クルは０．５μｍ以上の寸法を有するものみを測定し
た。
を含有する純水に浸漬し基板表面を汚染した。汚染後に
おける基板表面全面におけるパーティクルの数の測定を
行ったところ、４１６３０個であった。なお、パーティ
クルは０．５μｍ以上の寸法を有するものみを測定し
た。
【００９２】上記汚染後、図１に示すウエット処理液供
給ノズルを用いて、図１１に示すような横移動方式で洗
浄を行った。ただし、本例では、裏面洗浄は行わなかっ
た。
給ノズルを用いて、図１１に示すような横移動方式で洗
浄を行った。ただし、本例では、裏面洗浄は行わなかっ
た。
【００９３】ウエット処理液供給ノズルの条件は次のと
おりである。
おりである。
【００９４】・ウエット処理液供給ノズル条件 ノズル長：５００ｍｍ 導入通路の角度θ1：４５° 排出通路の角度θ2：４５° 基板との距離：１ｍｍ 開口部幅：１０ｍｍ 洗浄条件は次のとおりとした。
【００９５】・洗浄条件 洗浄液：電解カソードイオン水（ｐＨ１０） 洗浄液使用量：１２Ｌ／ｍｉｎ 超音波周波数：１ＭＨｚ 超音波電力：１５０Ｗ 送り速度：２０ｍｍ／ｓｅｃ （実質洗浄時間＝開口径／送り速度 ＝（４ｍｍ）／（２０ｍｍ／ｓｅｃ） ＝２０ｓｅｃ 洗浄回数：１回洗浄 洗浄後のパーティクルは１５０個であった。
【００９６】（従来例１）実施例１と同様に５００ｍｍ
×４００ｍｍ角のガラス基板を用意した。
×４００ｍｍ角のガラス基板を用意した。
【００９７】このガラス基板を、Ａｌ2Ｏ3パーティクル
を含有する純水に浸漬し基板表面を汚染した。汚染後に
おける基板表面全面におけるパーティクルの数の測定を
行ったところ、４１０００個であった。なお、パーティ
クルは０．５μｍ以上の寸法を有するものみを測定し
た。
を含有する純水に浸漬し基板表面を汚染した。汚染後に
おける基板表面全面におけるパーティクルの数の測定を
行ったところ、４１０００個であった。なお、パーティ
クルは０．５μｍ以上の寸法を有するものみを測定し
た。
【００９８】上記汚染後、図１９（ａ）に示すウエット
処理液供給ノズルを用いて、図１９（ｂ）に示すような
横移動方式で洗浄を行った。
処理液供給ノズルを用いて、図１９（ｂ）に示すような
横移動方式で洗浄を行った。
【００９９】ウエット処理液供給ノズルの条件は次のと
おりである。
おりである。
【０１００】・ウエット処理液供給ノズル条件 ノズル長：５００ｍｍ 開口部幅：２ｍｍ 洗浄条件は次のとおりとした。
【０１０１】・洗浄条件 洗浄液：電解カソードイオン水（ｐＨ１０） 洗浄液使用量：２５Ｌ／ｍｉｎ 超音波周波数：１ＭＨｚ 超音波電力：９００Ｗ 洗浄時間：２０ｓｅｃ 洗浄回数：１回洗浄 洗浄後のパーティクルは６４０個であった。従来例１と
実験例１との結果を図１８（ｂ）に示す、両者を比較し
て明らかなとおり、本実験例では、洗浄液の使用量が従
来例の１／２であり、しかも約４倍の清浄度が達成され
ている。また、超音波電力は１／６である。 （実験例２）本例ではスピン洗浄を行った。
実験例１との結果を図１８（ｂ）に示す、両者を比較し
て明らかなとおり、本実験例では、洗浄液の使用量が従
来例の１／２であり、しかも約４倍の清浄度が達成され
ている。また、超音波電力は１／６である。 （実験例２）本例ではスピン洗浄を行った。
【０１０２】６インチの円形ガラス基板を用意した。
【０１０３】このガラス基板を、Ａｌ2Ｏ3パーティクル
を含有する純水に浸漬し基板表面を汚染した。汚染後に
おける基板表面全面におけるパーティクルの数の測定を
行ったところ、２０１４０個であった。なお、パーティ
クルは０．５μｍ以上の寸法を有するものみを測定し
た。
を含有する純水に浸漬し基板表面を汚染した。汚染後に
おける基板表面全面におけるパーティクルの数の測定を
行ったところ、２０１４０個であった。なお、パーティ
クルは０．５μｍ以上の寸法を有するものみを測定し
た。
【０１０４】上記汚染後、図１に示すウエット処理液供
給ノズルを用いて、回転移動方式で洗浄を行った。
給ノズルを用いて、回転移動方式で洗浄を行った。
【０１０５】ウエット処理液供給ノズルの条件は次のと
おりである。
おりである。
【０１０６】・ウエット処理液供給ノズル条件 ノズル長：１５２ｍｍ 導入通路の角度θ1：３０° 排出通路の角度θ2：３０° 基板と開口部との距離：１ ｍｍ 開口部幅：１０ｍｍ 洗浄条件は次のとおりとした。
【０１０７】・洗浄条件 洗浄液：電解イオン水 洗浄液使用量：１Ｌ／ｍｉｎ 超音波周波数：１ＭＨｚ 超音波電力：６０Ｗ 洗浄時間：１０ｓｅｃ 回転数：３００ｒｐｍ 洗浄後のパーティクルは１３個であった。
【０１０８】（従来例２）実験例２と同様に６インチ径
の円形ガラス基板を用意した。
の円形ガラス基板を用意した。
【０１０９】このガラス基板を、Ａｌ2Ｏ3パーティクル
を含有する純水に浸漬し基板表面を汚染した。汚染後に
おける基板表面全面におけるパーティクルの数の測定を
行ったところ、１９９３０個であった。なお、パーティ
クルは０．５μｍ以上の寸法を有するものみを測定し
た。
を含有する純水に浸漬し基板表面を汚染した。汚染後に
おける基板表面全面におけるパーティクルの数の測定を
行ったところ、１９９３０個であった。なお、パーティ
クルは０．５μｍ以上の寸法を有するものみを測定し
た。
【０１１０】上記汚染後、図１９（ａ）に示すウエット
処理液供給ノズルを用いて、スピン洗浄を行った。
処理液供給ノズルを用いて、スピン洗浄を行った。
【０１１１】ウエット処理液供給ノズルの条件は次のと
おりである。
おりである。
【０１１２】・ウエット処理液供給ノズル条件 ノズル長：１５２ｍｍ 開口部幅：２ｍｍ 洗浄条件は次のとおりとした。
【０１１３】・洗浄条件 洗浄液：電解カソードイオン水 洗浄液使用量：１０Ｌ／ｍｉｎ 超音波周波数：１ＭＨｚ 超音波電力：３００Ｗ 洗浄時間：１０ｓｅｃ 回転数：３００ｒｐｍ 洗浄後のパーティクルは３２個であった。従来例２と実
験例２との結果を図１８（ａ）に示す、従来例２と実験
例２とを比較して明らかなとおり、回転洗浄においても
本実施例では、洗浄液の使用量が従来例の１／１０であ
り、超音波電力は１／５であり、しかも約３倍の清浄度
が達成されている。以上の実験例のほか、ＤとＨを各種
変化させて実験を行ったところ、Ｐw≧Ｐaが満たされて
いれば実験例１、実験例２と同様に高い清浄度が少ない
洗浄液使用量によって達成された。
験例２との結果を図１８（ａ）に示す、従来例２と実験
例２とを比較して明らかなとおり、回転洗浄においても
本実施例では、洗浄液の使用量が従来例の１／１０であ
り、超音波電力は１／５であり、しかも約３倍の清浄度
が達成されている。以上の実験例のほか、ＤとＨを各種
変化させて実験を行ったところ、Ｐw≧Ｐaが満たされて
いれば実験例１、実験例２と同様に高い清浄度が少ない
洗浄液使用量によって達成された。
【０１１４】
【発明の効果】本発明によれば、従来の約十分の一の水
使用量で、従来よりも高い洗浄度を達成することができ
る。
使用量で、従来よりも高い洗浄度を達成することができ
る。
【図１】実施例に係るウエット処理液供給ノズルの側断
面図である。
面図である。
【図２】（ａ）は図１の下面図、（ｂ）は図１の平面図
である。
である。
【図３】他の実施例に係るウエット処理液供給ノズルの
概念図である。
概念図である。
【図４】さらに他の実施例に係るウエット処理液供給ノ
ズルの側断面図である。
ズルの側断面図である。
【図５】（ａ）は図４の下面図、（ｂ）は図４の平面図
である。
である。
【図６】他の実施例に係るウエット処理液供給ノズルの
平面図である。
平面図である。
【図７】他の実施例に係るウエット処理液供給ノズルの
側断面図である。
側断面図である。
【図８】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面図、
（ｂ）は平面図である。
（ｂ）は平面図である。
【図９】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面図、
（ｂ）は平面図である。
（ｂ）は平面図である。
【図１０】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。
図、（ｂ）は平面図である。
【図１１】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。
図、（ｂ）は平面図である。
【図１２】実施例に係るウエット処理装置を示し、
（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
【図１３】（ａ），（ｂ），（ｃ）とも実施例に係る洗
浄装置を示す平面図である。
浄装置を示す平面図である。
【図１４】（ａ），（ｂ），（ｃ）とも実施例に係る洗
浄装置を示す側面図である。
浄装置を示す側面図である。
【図１５】（ａ），（ｂ），（ｃ）とも実施例に係る洗
浄装置を示す側面図である。
浄装置を示す側面図である。
【図１６】実施例に係るウエット処理装置の断面図であ
る。
る。
【図１７】実施例に係るウエット処理装置の断面図であ
る。
る。
【図１８】実験例及び従来例の結果を示すグラフであ
る。（ａ）回転洗浄の場合を示し、（ｂ）は搬送洗浄の
場合を示す。
る。（ａ）回転洗浄の場合を示し、（ｂ）は搬送洗浄の
場合を示す。
【図１９】従来例に係る洗浄装置の側面図及び平面図で
ある。
ある。
【図２０】図１９に示すウエット処理液供給ノズルの拡
大図である。
大図である。
１ 被ウエット処理物（基板）、 ２ ウエット処理液供給ノズル、 ３ 超音波素子、 ４ 洗浄液供給室、 ５ 洗浄液 ５’ 洗浄液（洗浄後） ６ 開口部、 ７ 導入口、 １０ 導入通路、 １２ 排出通路、 １３ 圧力制御部、 １４ 交差部、 １５ 排出口、 １６ 減圧ポンプ、 １８ 天井部、 １９ 接触ガス防止用噴出部、 ２２ 制御装置、 ２４ センサ、 ２５ 排水配管 ２６ 連結部、 ２７ 排水装置、 ２８ 保持体、 ２９ バルブ開閉駆動部、 ３０ バルブ、 ３１ 圧力センサ、 ３２ 制御装置、 ３３ 供給ポンプ、 ３４ 減圧ポンプ（排水ポンプ）、 ４０ａ，４０ｂ，４０ｃ 天井段差部、 ５０ ノズル構成体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｒ (72)発明者 三森 健一 宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地株式会 社フロンテック内 (72)発明者 呉 義烈 宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地株式会 社フロンテック内 (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ヶ袋２の１の17の 301 (72)発明者 笠間 泰彦 宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地株式会 社フロンテック内 (72)発明者 阿部 章 宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地株式会 社フロンテック内 (72)発明者 今岡 孝之 埼玉県戸田市川岸１丁目４番９号オルガノ 株式会社総合研究所内
Claims (24)
- 【請求項１】 一端にウエット処理液を導入するための
導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエ
ット処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出
口を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通
路とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形
成するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて
開口する開口部を設けてなるノズル構成体と、該開口部
を介して被ウエット処理物に接触したウエット処理液が
ウエット処理後に、該排出通路外に流れないように、被
ウエット処理物と接触しているウエット処理液の圧力と
大気圧との差を制御するための圧力制御手段とを有する
ことを特徴とするウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項２】 前記排出通路の排出口の大気への解放部
分を上下方向に移動可能とし、被ウエット処理物に接触
したウエット処理液と、上記解放部分との高低差により
発生するサイフォンの原理に基づく吸引力により被ウエ
ット処理物に接触したウエット処理液の圧力と大気圧と
の差を制御するようにしたことを特徴とする請求項１記
載のウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項３】 ウエット処理液の圧力と大気圧との差を
制御するための圧力制御手段には、排出通路側下流に設
けられた減圧ポンプをその構成要素の一部として用いら
れていることを特徴とする請求項１記載のウエット処理
液供給ノズル。 - 【請求項４】 ウエット処理液の圧力と大気圧との差を
制御するための手段は、排出通路側下流に設けられた減
圧ポンプと、導入通路側上流に設けられた供給ポンプと
から構成し、さらに少なくとも１つの被ウエット処理物
と接触しているウエット処理液の圧力を探知するための
圧力センサを設け、該圧力センサからの信号により該減
圧ポンプと該供給ポンプの駆動を制御するための制御装
置が設けられたことを特徴とする請求項１記載のウエッ
ト処理液供給ノズル。 - 【請求項５】 ウエット処理液を該開口部に均一に供給
するための整流部を該交差部に臨ませて該導入通路及び
／又は該排出通路に設けたことを特徴とする請求項１な
いし４のいずれか１項記載のウエット処理液供給ノズ
ル。 - 【請求項６】 該ウエット処理液に超音波を付与するた
めの手段を設けたことを特徴とする請求項１ないし５の
いずれか１項記載のウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項７】 超音波の周波数は０.2〜５ＭＨｚのメガ
ソニック超音波であることを特徴とする請求項６記載の
ウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項８】 超音波素子は超音波素子の超音波発振面
の延長線と被ウエット処理物の処理面の延長線とが交差
して形成される角度が０〜９０度のうちのいずれかの角
度を有して設けられていることを特徴とする請求項１な
いし７のいずれか１項記載のウエット処理液供給ノズ
ル。 - 【請求項９】 該被ウエット処理物の処理面に対向する
天井の部分を複数の山形ないし波形の段差形状とし、段
差部に複数の超音波素子を被ウエット処理物の処理面に
対し、一定の角度を付けて設置したことを特徴とする請
求項１ないし８のいずれか１項記載のウエット処理液供
給ノズル。 - 【請求項１０】 ウエット処理液体を所定に温度に保持
する温度調節部及び保温機構を設けたことを特徴とする
請求項１ないし９のいずれか１項記載のウエット処理液
供給ノズル。 - 【請求項１１】 該排出通路又は該導入通路は複数であ
ることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項
記載のウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項１２】 被ウエット処理物の被ウエット処理面
までの距離を測長できる計測部を設けたことを特徴とす
る請求項１ないし１１のいずれか１項記載のウエット処
理液供給ノズル。 - 【請求項１３】 被ウエット処理物の被ウエット処理面
に対し、平行方向又は垂直方向又は0〜90度の角度の内
のいずれかの方向に移動できる機構を設けたことを特徴
とする請求項１ないし１２のいずれか１項記載のウエッ
ト処理液供給ノズル。 - 【請求項１４】該排出通路をはさみ該導入通路を交差部
の左右に２本形成したことを特徴とする請求項１ないし
１３のいずれか１項記載のウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項１５】 前記導入通路のいずれか一方に超音波
素子を設けたことを特徴とする請求項１４記載のウエッ
ト処理液供給ノズル。 - 【請求項１６】 前記導入通路のいずれの側にも超音波
素子を設け、超音波素子はパルス状に一定時間交互に発
振又は同時連続発振できる機構を設けたことを特徴とす
る請求項１４記載のウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項１７】導入通路をはさみ排出通路が交差部の左
右に２本形成したこと特徴とする請求項１ないし１３の
いずれか１項記載のウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項１８】 ウエット処理液が洗浄液又はエッチン
グ液又は現像液又は剥離液又は超純水であることを特徴
とする請求項１ないし１７のいずれか１項記載のウエッ
ト処理液供給ノズル。 - 【請求項１９】 該開口部の大気と接触している被ウエ
ット処理液の圧力と大気圧との均衡がとれなくなり、被
ウエット処理物が持ち上げられる際に、該開口部と被ウ
エット処理物が接触しないように少なくとも導入通路側
又は、排出通路側に、一方に該開口部と被ウエット処理
物接触防止用ガス噴出部を設けたことを特徴とする請求
項１ないし１８のいずれか１項記載のウエット処理液供
給ノズル。 - 【請求項２０】 ウエット処理液の供給を停止した場
合、導入通路及び排出通路及び交差部内の処理液の落下
防止のためバルブ又はシャッターを備えたことを特徴と
する請求項１ないし１９のいずれか１項記載のウエット
処理液供給ノズル。 - 【請求項２１】 導入通路又は排出通路又は交差部内の
処理液の落下した際、排出通路及び交差部内に処理液を
満たすための第２のウエット処理液導入通路が排出通路
に設けられていることを特徴とする請求項１ないし２０
のいずれか１項記載のウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項２２】 請求項１ないし２１のいずれか１項記
載のウエット処理液供給ノズルと、 該ウエット処理液供給ノズルと被ウエット処理物とを相
対的に移動させるための手段と、 ウエット処理液供給源と、 該ウエット処理液供給源から該ウエット処理液供給ノズ
ルの導入口へウエット処理液を供給するための手段と、
を少なくとも有することを特徴とするウエット処理装
置。 - 【請求項２３】 前記ウエット処理液供給ノズルが、被
ウエット処理物の進行方向に少なくとも２個以上配置さ
れていることを特徴とする請求項２２記載のウエット処
理装置。 - 【請求項２４】 被ウエット処理物とウエット処理液供
給ノズルとを相対的に移動させながらウエット処理液を
ウエット処理液供給ノズルから被ウエット処理物に順次
供給し、被ウエット処理物と接触しているウエット処理
液の圧力と大気圧との差を制御することにより該ウエッ
ト処理液供給ノズルから被ウエット処理物に供給したウ
エット処理液を、供給した部分以外の部分に接触させる
ことなく被ウエット処理物上から排出することを特徴と
する被ウエット処理方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33463296A JP3511441B2 (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、ウエット処理装置及びウエット処理方法 |
| US09/803,588 US6517635B2 (en) | 1996-11-29 | 2001-03-09 | Liquid feed nozzle, wet treatment apparatus and wet treatment method |
| US11/043,890 USRE42420E1 (en) | 1996-11-29 | 2005-01-26 | Liquid feed nozzle, wet treatment apparatus and wet treatment method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33463296A JP3511441B2 (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、ウエット処理装置及びウエット処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163153A true JPH10163153A (ja) | 1998-06-19 |
| JP3511441B2 JP3511441B2 (ja) | 2004-03-29 |
Family
ID=18279556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33463296A Expired - Fee Related JP3511441B2 (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、ウエット処理装置及びウエット処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3511441B2 (ja) |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10177978A (ja) * | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Tadahiro Omi | 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、省液型の液体供給ノズル装置及びウエット処理装置 |
| JP2001007017A (ja) * | 1999-04-21 | 2001-01-12 | Sharp Corp | レジスト剥離装置 |
| KR100445041B1 (ko) * | 2000-08-30 | 2004-08-18 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 습식 처리 장치 |
| KR100468529B1 (ko) * | 2002-05-18 | 2005-01-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 에천트 도포장비 및 이를 이용한 습식식각 방법 |
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