JPH10149574A - 相変化光記録媒体 - Google Patents
相変化光記録媒体Info
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- JPH10149574A JPH10149574A JP8304608A JP30460896A JPH10149574A JP H10149574 A JPH10149574 A JP H10149574A JP 8304608 A JP8304608 A JP 8304608A JP 30460896 A JP30460896 A JP 30460896A JP H10149574 A JPH10149574 A JP H10149574A
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 オーバーライト消去率が高く、さらに、高い
ＣＮＲを有する相変化光記録媒体を提供する。 【解決手段】 記録層の結晶相とアモルファス相との間
の可逆的な相変化を利用して、情報の記録・消去を行な
う相変化光記録媒体において、記録層の基板とは反対側
の面に記録層に接してＳｉ０2 とＷからなる光吸収層を
形成し、かつ、記録層の結晶状態での光吸収率が、アモ
ルファス状態での光吸収率より大きいか又は等しくなる
ようにする。
ＣＮＲを有する相変化光記録媒体を提供する。 【解決手段】 記録層の結晶相とアモルファス相との間
の可逆的な相変化を利用して、情報の記録・消去を行な
う相変化光記録媒体において、記録層の基板とは反対側
の面に記録層に接してＳｉ０2 とＷからなる光吸収層を
形成し、かつ、記録層の結晶状態での光吸収率が、アモ
ルファス状態での光吸収率より大きいか又は等しくなる
ようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は書き換えが可能な光
情報記録媒体のなかで、レ−ザ−ビ−ム等によって記録
層に相変化を生じさせ、情報の記録、再生及び消去を行
なう相変化光記録媒体に関する。
情報記録媒体のなかで、レ−ザ−ビ−ム等によって記録
層に相変化を生じさせ、情報の記録、再生及び消去を行
なう相変化光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】相変化型光記録ディスクは書き換え可能
な光記録ディスクの一種であり、記録層の可逆的な相変
化（多くは結晶−アモルファス間）によって情報を記録
するものである。単一ヘッドにより単層記録膜で光変調
オーバーライトが可能であり、また、相変化に伴う反射
率の変化により信号を読み取るので、ＣＤ−ＲＯＭ等の
既存の光記録ディスクとの互換性が高い等の特徴を有す
ることから、書き換え可能な光記録ディスクとして近年
盛んに研究開発がなされている。
な光記録ディスクの一種であり、記録層の可逆的な相変
化（多くは結晶−アモルファス間）によって情報を記録
するものである。単一ヘッドにより単層記録膜で光変調
オーバーライトが可能であり、また、相変化に伴う反射
率の変化により信号を読み取るので、ＣＤ−ＲＯＭ等の
既存の光記録ディスクとの互換性が高い等の特徴を有す
ることから、書き換え可能な光記録ディスクとして近年
盛んに研究開発がなされている。
【０００３】相変化型光記録ディスクは、一般に、結晶
相の記録層（消去状態）上にレーザービームによってア
モルファス相の記録マークを形成することによって記録
を行ない結晶相とアモルファス相との反射率の差を検出
することによって再生信号を得る。また、信号記録の際
のレーザービームの強度をアモルファス化の強度（ピー
クパワー）と結晶化の強度（バイアスパワー）との間で
強度変調させることにより（図１参照）、単一ビーム、
単層記録膜の組み合わせで光変調オーバーライト（ダイ
レクトオーバーライト）が可能であり、大容量かつ高速
転送レ−トの記録ディスクを得ることができる。
相の記録層（消去状態）上にレーザービームによってア
モルファス相の記録マークを形成することによって記録
を行ない結晶相とアモルファス相との反射率の差を検出
することによって再生信号を得る。また、信号記録の際
のレーザービームの強度をアモルファス化の強度（ピー
クパワー）と結晶化の強度（バイアスパワー）との間で
強度変調させることにより（図１参照）、単一ビーム、
単層記録膜の組み合わせで光変調オーバーライト（ダイ
レクトオーバーライト）が可能であり、大容量かつ高速
転送レ−トの記録ディスクを得ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】相変化型光記録ディス
クに代表される相変化光記録媒体では上述のようにダイ
レクトオ−バ−ライトが可能であるが、既存の信号上に
新たな信号をオ−バ−ライトした場合、オ−バ−ライト
後もオーバーライトする前の信号が完全には消えず、い
わゆる消し残りが生じ、ＯＷ消去率（オーバーライト消
去率）があまり良くなかった。
クに代表される相変化光記録媒体では上述のようにダイ
レクトオ−バ−ライトが可能であるが、既存の信号上に
新たな信号をオ−バ−ライトした場合、オ−バ−ライト
後もオーバーライトする前の信号が完全には消えず、い
わゆる消し残りが生じ、ＯＷ消去率（オーバーライト消
去率）があまり良くなかった。
【０００５】一方、記録層の結晶状態での光吸収率をＡ
ｃ、アモルファス状態での光吸収率をＡａとした時に、
Ａｃ≧Ａａとなるように、いわゆる吸収率補正を行なう
ことによりオ−バ−ライト時におけるマ−ク歪みが低減
でき、ＯＷ消去率が向上することが報告されている（電
子情報通信学会技術報告：ＭＲ９２−７１（１９９２
年））。従来の４層構造（基板／第一保護層／記録層／
第二保護層／反射層）の相変化光記録媒体においては、
この吸収率補正は、通常、構成する各層の膜厚及び屈折
率を変化させることにより行われるが、この吸収率補正
を行なうと、反射率モジュレ−ション（（（結晶相での
反射率）−（アモルファス相での反射率））／（結晶相
での反射率））が小さくなってしまうため、信号レベル
が低下し、その結果、高いＣＮＲ（キャリア対ノイズ
比）を得るのが困難であった。
ｃ、アモルファス状態での光吸収率をＡａとした時に、
Ａｃ≧Ａａとなるように、いわゆる吸収率補正を行なう
ことによりオ−バ−ライト時におけるマ−ク歪みが低減
でき、ＯＷ消去率が向上することが報告されている（電
子情報通信学会技術報告：ＭＲ９２−７１（１９９２
年））。従来の４層構造（基板／第一保護層／記録層／
第二保護層／反射層）の相変化光記録媒体においては、
この吸収率補正は、通常、構成する各層の膜厚及び屈折
率を変化させることにより行われるが、この吸収率補正
を行なうと、反射率モジュレ−ション（（（結晶相での
反射率）−（アモルファス相での反射率））／（結晶相
での反射率））が小さくなってしまうため、信号レベル
が低下し、その結果、高いＣＮＲ（キャリア対ノイズ
比）を得るのが困難であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は上述のような
現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、相変化を利用し
て、情報の記録・消去を行なう相変化光記録媒体におい
て、記録層の基板とは反対側の面に記録層に接してＳｉ
０2 とＷ（タングステン）からなる光吸収層を形成する
ことにより、多層膜を構成する各層の膜厚を調整してＡ
ｃ≧Ａａ（Ａｃ：結晶状態での記録層の光吸収率、Ａ
ａ：アモルファス状態での記録層の光吸収率）とする吸
収率補正を行っても、反射率モジュレーションの低下が
少なく、その結果、ＯＷ消去率が高く、かつ、ＣＮＲの
大きい相変化光記録媒体が得られることを見いだし本発
明を完成するに至った。
現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、相変化を利用し
て、情報の記録・消去を行なう相変化光記録媒体におい
て、記録層の基板とは反対側の面に記録層に接してＳｉ
０2 とＷ（タングステン）からなる光吸収層を形成する
ことにより、多層膜を構成する各層の膜厚を調整してＡ
ｃ≧Ａａ（Ａｃ：結晶状態での記録層の光吸収率、Ａ
ａ：アモルファス状態での記録層の光吸収率）とする吸
収率補正を行っても、反射率モジュレーションの低下が
少なく、その結果、ＯＷ消去率が高く、かつ、ＣＮＲの
大きい相変化光記録媒体が得られることを見いだし本発
明を完成するに至った。
【０００７】すなわち、本発明の相変化光記録媒体は基
板上に記録層を含む多層膜を形成し、この記録層の結晶
相とアモルファス相との間の可逆的な相変化を利用し
て、情報の記録・消去を行なう相変化光記録媒体におい
て、前記記録層の基板とは反対側の面にこの記録層に接
して形成されたＳｉ０2 とＷからなる光吸収層を有し、
かつ、信号の記録に使用する光に対する、前記記録層の
結晶状態での光吸収率（Ａｃ）が、アモルファス状態で
の光吸収率（Ａａ）よりも大きいか又は等しい（Ａｃ≧
Ａａ）ことを特徴とするものである。
板上に記録層を含む多層膜を形成し、この記録層の結晶
相とアモルファス相との間の可逆的な相変化を利用し
て、情報の記録・消去を行なう相変化光記録媒体におい
て、前記記録層の基板とは反対側の面にこの記録層に接
して形成されたＳｉ０2 とＷからなる光吸収層を有し、
かつ、信号の記録に使用する光に対する、前記記録層の
結晶状態での光吸収率（Ａｃ）が、アモルファス状態で
の光吸収率（Ａａ）よりも大きいか又は等しい（Ａｃ≧
Ａａ）ことを特徴とするものである。
【０００８】図２は本発明が適用される相変化光記録媒
体の一実施例の構造を示す部分断面図である。基板１と
しては使用するレーザーの波長領域において十分透明で
あり、機械特性などの媒体基板としての特性を満たすも
のであれば特に限定されず、ガラス、ポリカーボネー
ト、アモルファスポリオレフィン等を用いることができ
る。この基板１の上に第一保護層２としてＺｎＳ、Ａｌ
Ｎ、Ｔａ2 Ｏ5 等からなる誘電体膜を形成する。この上
にＧｅＳｂＴｅ系薄膜、ＩｎＳｂＴｅ系薄膜等からなる
記録層３を形成する。この記録層上にＳｉＯ2 とＷの混
合膜からなる光吸収層４を形成する。さらにこの上に第
二保護層５としてＺｎＳ、ＡｌＮ、Ｔａ2Ｏ５ 等からな
る誘電体膜を形成する。この上に反射層６としてＡｌ合
金等からなる薄膜を形成する。
体の一実施例の構造を示す部分断面図である。基板１と
しては使用するレーザーの波長領域において十分透明で
あり、機械特性などの媒体基板としての特性を満たすも
のであれば特に限定されず、ガラス、ポリカーボネー
ト、アモルファスポリオレフィン等を用いることができ
る。この基板１の上に第一保護層２としてＺｎＳ、Ａｌ
Ｎ、Ｔａ2 Ｏ5 等からなる誘電体膜を形成する。この上
にＧｅＳｂＴｅ系薄膜、ＩｎＳｂＴｅ系薄膜等からなる
記録層３を形成する。この記録層上にＳｉＯ2 とＷの混
合膜からなる光吸収層４を形成する。さらにこの上に第
二保護層５としてＺｎＳ、ＡｌＮ、Ｔａ2Ｏ５ 等からな
る誘電体膜を形成する。この上に反射層６としてＡｌ合
金等からなる薄膜を形成する。
【０００９】なお、第一保護層及び第二保護層は記録層
を保護する役割のほかに、記録層への光吸収効率を高め
たり、また、記録前後の反射光の変化量を大きくする役
割も有するため、これら保護層や記録層、光吸収層およ
び反射層の厚さは、使用するレ−ザ−波長などを考慮し
て、記録層の結晶状態での光吸収率（Ａｃ）が、アモル
ファス状態での光吸収率（Ａａ）よりも大きいか又は等
しく（Ａｃ≧Ａａ）なるように設計する。
を保護する役割のほかに、記録層への光吸収効率を高め
たり、また、記録前後の反射光の変化量を大きくする役
割も有するため、これら保護層や記録層、光吸収層およ
び反射層の厚さは、使用するレ−ザ−波長などを考慮し
て、記録層の結晶状態での光吸収率（Ａｃ）が、アモル
ファス状態での光吸収率（Ａａ）よりも大きいか又は等
しく（Ａｃ≧Ａａ）なるように設計する。
【００１０】上記のＳｉ０２ とＷからなる光吸収層は
薄いと効果が少なく、また、厚いと光吸収層での光吸収
が大きくなり記録膜としての感度が低下してしまうた
め、１ｎｍ以上、８０ｎｍ以下、より好ましくは、２ｎ
ｍ以上、３０ｎｍ以下である。また、Ｗ（タングステ
ン）の含有率が少ないと光吸収の効果が少なく、多いと
光吸収が大きくなり記録膜としての感度が低下してしま
うため、Ｗの含有率としては、５ｍｏｌ％以上、７５ｍ
ｏｌ％以下、より好ましくは、１０ｍｏｌ％以上、５０
ｍｏｌ％以下である。
薄いと効果が少なく、また、厚いと光吸収層での光吸収
が大きくなり記録膜としての感度が低下してしまうた
め、１ｎｍ以上、８０ｎｍ以下、より好ましくは、２ｎ
ｍ以上、３０ｎｍ以下である。また、Ｗ（タングステ
ン）の含有率が少ないと光吸収の効果が少なく、多いと
光吸収が大きくなり記録膜としての感度が低下してしま
うため、Ｗの含有率としては、５ｍｏｌ％以上、７５ｍ
ｏｌ％以下、より好ましくは、１０ｍｏｌ％以上、５０
ｍｏｌ％以下である。
【００１１】多層膜を構成するこれらの第一保護層、第
二保護層及び記録層は上記に列挙した物質などが使用で
きるが、第一保護層及び第二保護層としてＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2、記録層としてＧｅＳｂＴｅを用いるのがより好ま
しい。
二保護層及び記録層は上記に列挙した物質などが使用で
きるが、第一保護層及び第二保護層としてＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2、記録層としてＧｅＳｂＴｅを用いるのがより好ま
しい。
【００１２】上記の第一保護層、第二保護層、記録層、
光吸収層及び反射層はＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ
法、真空蒸着法等の適当な真空成膜技術により成膜する
ことができる。
光吸収層及び反射層はＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ
法、真空蒸着法等の適当な真空成膜技術により成膜する
ことができる。
【００１３】さらに、これらの層を真空成膜技術により
形成した後、更にその上に、必要に応じて合成樹脂等か
らなる保護コ−ト層を形成しても良い。
形成した後、更にその上に、必要に応じて合成樹脂等か
らなる保護コ−ト層を形成しても良い。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
【００１５】（実施例）以下に示すようにして、図２に
示すような構造の相変化光ディスクを製造した。ポリカ
ーボネート製のディスク状の基板１上にＺｎＳ−20mol%
Ｓｉ０2 からなる第一保護層２をＺｎＳ−20mol%Ｓｉ０
2 タ−ゲットのＲＦスパッタリングにより成膜した。こ
の上にＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 からなる記録層３（膜厚１０
ｎｍ）をＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 合金ターゲットのＤＣスパ
ッタリングにより成膜した。この上にＳｉ０2 とＷの混
合膜からなる光吸収層４（Ｓｉ０2 −25mol%Ｗ：膜厚１
０ｎｍ）をＳｉ０2 タ−ゲットとＷタ−ゲットの同時ス
パッタリング法により成膜した。さらにＺｎＳ−20mol%
Ｓｉ０2 からなる第二保護層５（膜厚１０ｎｍ）をＺｎ
Ｓ−20mol%Ｓｉ０2 タ−ゲットのＲＦスパッタリングに
より成膜した。この後、反射層６としてＡｌ−1.5wt%Ｃ
ｒ合金膜（膜厚２００ｎｍ）を形成した。以上のような
構造で第一保護層２の膜厚を種々に変化させた相変化光
ディスクを作製した。
示すような構造の相変化光ディスクを製造した。ポリカ
ーボネート製のディスク状の基板１上にＺｎＳ−20mol%
Ｓｉ０2 からなる第一保護層２をＺｎＳ−20mol%Ｓｉ０
2 タ−ゲットのＲＦスパッタリングにより成膜した。こ
の上にＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 からなる記録層３（膜厚１０
ｎｍ）をＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 合金ターゲットのＤＣスパ
ッタリングにより成膜した。この上にＳｉ０2 とＷの混
合膜からなる光吸収層４（Ｓｉ０2 −25mol%Ｗ：膜厚１
０ｎｍ）をＳｉ０2 タ−ゲットとＷタ−ゲットの同時ス
パッタリング法により成膜した。さらにＺｎＳ−20mol%
Ｓｉ０2 からなる第二保護層５（膜厚１０ｎｍ）をＺｎ
Ｓ−20mol%Ｓｉ０2 タ−ゲットのＲＦスパッタリングに
より成膜した。この後、反射層６としてＡｌ−1.5wt%Ｃ
ｒ合金膜（膜厚２００ｎｍ）を形成した。以上のような
構造で第一保護層２の膜厚を種々に変化させた相変化光
ディスクを作製した。
【００１６】本実施例の構造での記録層の光吸収率、反
射率モジュレ−ションの計算結果（第一保護層膜厚依存
性）を図３に示す。
射率モジュレ−ションの計算結果（第一保護層膜厚依存
性）を図３に示す。
【００１７】以上のようにして得られた相変化光ディス
クを記録再生装置にセットして、線速度１０．１ｍ／ｓ
ｅｃで回転させながら、６８０ｎｍの波長のレーザービ
ームを６ｍＷの強度で照射して記録層を結晶化させた。
次に、記録層を結晶化させた領域のトラック上に同じ装
置を使用して、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで３．５９Ｍ
Ｈｚの変調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）を記録し、この
上に９．５７ＭＨｚの変調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）
をオーバーライト記録した。この記録の際、図４に示す
ようなオフパルスを付加したレ−ザ−変調パタ−ンを使
用し、ピ−クパワ−（Ｐｐ）を１２．０ｍＷ、再生パワ
−（Ｐｒ）を１．０ｍＷ、オフパルスパワ−（Ｐoff ）
を１．０ｍＷとした。また、オフパルスの幅は２５ｎｓ
とした。
クを記録再生装置にセットして、線速度１０．１ｍ／ｓ
ｅｃで回転させながら、６８０ｎｍの波長のレーザービ
ームを６ｍＷの強度で照射して記録層を結晶化させた。
次に、記録層を結晶化させた領域のトラック上に同じ装
置を使用して、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで３．５９Ｍ
Ｈｚの変調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）を記録し、この
上に９．５７ＭＨｚの変調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）
をオーバーライト記録した。この記録の際、図４に示す
ようなオフパルスを付加したレ−ザ−変調パタ−ンを使
用し、ピ−クパワ−（Ｐｐ）を１２．０ｍＷ、再生パワ
−（Ｐｒ）を１．０ｍＷ、オフパルスパワ−（Ｐoff ）
を１．０ｍＷとした。また、オフパルスの幅は２５ｎｓ
とした。
【００１８】上記のようなオ−バ−ライト記録を行なっ
た際、９．５７ＭＨｚの信号のオ−バ−ライト後の９．
５７ＭＨｚの信号のキャリアレベルと３．５９ＭＨｚの
信号のキャリアレベル（消し残り）の差をＯＷ消去率と
して定義して、このＯＷ消去率のバイアスパワ−（Ｐ
ｂ）依存性を測定した。第一保護層の膜厚が１９０ｎｍ
のサンプルの測定結果を図５に示す。このような測定か
ら各々のサンプルのＯＷ消去率の最大値を求めた。これ
らのＯＷ消去率、および９．５７ＭＨｚの信号のＣＮＲ
の測定結果のまとめを表１に示す。
た際、９．５７ＭＨｚの信号のオ−バ−ライト後の９．
５７ＭＨｚの信号のキャリアレベルと３．５９ＭＨｚの
信号のキャリアレベル（消し残り）の差をＯＷ消去率と
して定義して、このＯＷ消去率のバイアスパワ−（Ｐ
ｂ）依存性を測定した。第一保護層の膜厚が１９０ｎｍ
のサンプルの測定結果を図５に示す。このような測定か
ら各々のサンプルのＯＷ消去率の最大値を求めた。これ
らのＯＷ消去率、および９．５７ＭＨｚの信号のＣＮＲ
の測定結果のまとめを表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】（比較例）以下に示すようにして、図６に
示すような構造の相変化光ディスクを製造した。ポリカ
ーボネート製のディスク状の基板１１上にＺｎＳ−20mo
l%Ｓｉ０2 からなる第一保護層１２をＺｎＳ−20mol%Ｓ
ｉ０2 タ−ゲットのＲＦスパッタリングにより成膜し
た。この上にＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 からなる記録層１３
（膜厚１０ｎｍ）をＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 合金ターゲット
のＤＣスパッタリングにより成膜した。さらにＺｎＳ−
20mol%Ｓｉ０2 からなる第二保護層１５（膜厚１０ｎ
ｍ）をＺｎＳ−20mol%Ｓｉ０2 タ−ゲットのＲＦスパッ
タリングにより成膜した。この後、反射層１６としてＡ
ｌ−1.5wt%Ｃｒ合金膜（膜厚２００ｎｍ）を形成した。
以上のような構造で第一保護層１２の膜厚を種々に変化
させた相変化光ディスクを作製した。
示すような構造の相変化光ディスクを製造した。ポリカ
ーボネート製のディスク状の基板１１上にＺｎＳ−20mo
l%Ｓｉ０2 からなる第一保護層１２をＺｎＳ−20mol%Ｓ
ｉ０2 タ−ゲットのＲＦスパッタリングにより成膜し
た。この上にＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 からなる記録層１３
（膜厚１０ｎｍ）をＧｅ1 Ｓｂ2 Ｔｅ4 合金ターゲット
のＤＣスパッタリングにより成膜した。さらにＺｎＳ−
20mol%Ｓｉ０2 からなる第二保護層１５（膜厚１０ｎ
ｍ）をＺｎＳ−20mol%Ｓｉ０2 タ−ゲットのＲＦスパッ
タリングにより成膜した。この後、反射層１６としてＡ
ｌ−1.5wt%Ｃｒ合金膜（膜厚２００ｎｍ）を形成した。
以上のような構造で第一保護層１２の膜厚を種々に変化
させた相変化光ディスクを作製した。
【００２１】本実施例の構造での記録層の光吸収率、反
射率モジュレ−ションの計算結果（第一保護層膜厚依存
性）を図７に示す。
射率モジュレ−ションの計算結果（第一保護層膜厚依存
性）を図７に示す。
【００２２】以上のようにして得られた相変化光ディス
クを記録再生装置にセットして、線速度１０．１ｍ／ｓ
ｅｃで回転させながら、６８０ｎｍの波長のレーザービ
ームを６ｍＷの強度で照射して記録層を結晶化させた。
次に、記録層を結晶化させた領域のトラック上に同じ装
置を使用して、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで３．５９Ｍ
Ｈｚの変調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）を記録し、この
上に９．５７ＭＨｚの変調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）
をオーバーライト記録した。この記録の際、図４に示す
ようなオフパルスを付加したレ−ザ−変調パタ−ンを使
用し、ピ−クパワ−（Ｐｐ）を１２．０ｍＷ、再生パワ
−（Ｐｒ）を１．０ｍＷ、オフパルスパワ−（Ｐoff ）
を１．０ｍＷとした。また、オフパルスの幅は２５ｎｓ
とした。
クを記録再生装置にセットして、線速度１０．１ｍ／ｓ
ｅｃで回転させながら、６８０ｎｍの波長のレーザービ
ームを６ｍＷの強度で照射して記録層を結晶化させた。
次に、記録層を結晶化させた領域のトラック上に同じ装
置を使用して、線速度１０．１ｍ／ｓｅｃで３．５９Ｍ
Ｈｚの変調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）を記録し、この
上に９．５７ＭＨｚの変調信号（パルス幅＝３５ｎｓ）
をオーバーライト記録した。この記録の際、図４に示す
ようなオフパルスを付加したレ−ザ−変調パタ−ンを使
用し、ピ−クパワ−（Ｐｐ）を１２．０ｍＷ、再生パワ
−（Ｐｒ）を１．０ｍＷ、オフパルスパワ−（Ｐoff ）
を１．０ｍＷとした。また、オフパルスの幅は２５ｎｓ
とした。
【００２３】上記のようなオ−バ−ライト記録を行なっ
た際、９．５７ＭＨｚの信号のオ−バ−ライト後の９．
５７ＭＨｚの信号のキャリアレベルと３．５９ＭＨｚの
信号のキャリアレベル（消し残り）の差をＯＷ消去率と
して定義して、このＯＷ消去率のバイアスパワ−（Ｐ
ｂ）依存性を測定した。このような測定から各々のサン
プルのＯＷ消去率の最大値を求めた。これらのＯＷ消去
率、および９．５７ＭＨｚの信号のＣＮＲの測定結果の
まとめを表２に示す。
た際、９．５７ＭＨｚの信号のオ−バ−ライト後の９．
５７ＭＨｚの信号のキャリアレベルと３．５９ＭＨｚの
信号のキャリアレベル（消し残り）の差をＯＷ消去率と
して定義して、このＯＷ消去率のバイアスパワ−（Ｐ
ｂ）依存性を測定した。このような測定から各々のサン
プルのＯＷ消去率の最大値を求めた。これらのＯＷ消去
率、および９．５７ＭＨｚの信号のＣＮＲの測定結果の
まとめを表２に示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】
【発明の効果】本発明の相変化光記録媒体では、表１及
び表２から明らかなように、記録層の基板とは反対側の
面に記録層に接してＳｉ０2 とＷからなる光吸収層を形
成し、結晶状態での記録層の光吸収率をＡｃ、アモルフ
ァス状態での記録層の光吸収率をＡａとしたときにＡｃ
≧Ａａとすることにより、ダイレクトオ−バ−ライトに
よる信号の消し残りが少ない高いＯＷ消去率、および高
いＣＮＲを有する相変化光記録媒体を得る事ができる。
これにより、より信頼性の高い相変化型光記録ディスク
を得ることができる。
び表２から明らかなように、記録層の基板とは反対側の
面に記録層に接してＳｉ０2 とＷからなる光吸収層を形
成し、結晶状態での記録層の光吸収率をＡｃ、アモルフ
ァス状態での記録層の光吸収率をＡａとしたときにＡｃ
≧Ａａとすることにより、ダイレクトオ−バ−ライトに
よる信号の消し残りが少ない高いＯＷ消去率、および高
いＣＮＲを有する相変化光記録媒体を得る事ができる。
これにより、より信頼性の高い相変化型光記録ディスク
を得ることができる。
【図１】記録再生装置のレーザーパワーの関係を示す図
である。
である。
【図２】本発明の実施例の相変化光ディスクの構造を示
す部分断面図である。
す部分断面図である。
【図３】実施例の相変化光ディスクにおける吸収率と反
射率モジュレ−ションの計算結果（第一保護層膜厚依存
性）である。
射率モジュレ−ションの計算結果（第一保護層膜厚依存
性）である。
【図４】実施例の測定に使用したレーザーパワーの関係
を示す図である。
を示す図である。
【図５】実施例の第一保護層膜厚１９０ｎｍのサンプル
のＯＷ消去率とバイアスパワ−との関係を示す図であ
る。
のＯＷ消去率とバイアスパワ−との関係を示す図であ
る。
【図６】比較例の相変化光ディスクの構造を示す部分断
面図である。
面図である。
【図７】比較例の相変化光ディスクにおける吸収率と反
射率モジュレ−ションの計算結果（第一保護層膜厚依存
性）である。
射率モジュレ−ションの計算結果（第一保護層膜厚依存
性）である。
１、１１：基板 ２、１２：第一保護層 ３、１３：記録層 ４ ：光吸収層 ５、１５：第二保護層 ６、１６：反射層
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に記録層を含む多層膜を形成し、
この記録層の結晶相とアモルファス相との間の可逆的な
相変化を利用して、情報の記録・消去を行なう相変化光
記録媒体において、前記記録層の基板とは反対側の面に
この記録層に接して形成されたＳｉ０2 とＷからなる光
吸収層を有し、かつ、信号の記録に使用する光に対す
る、前記記録層の結晶状態での光吸収率（Ａｃ）が、ア
モルファス状態での光吸収率（Ａａ）よりも大きいか又
は等しい（Ａｃ≧Ａａ）ことを特徴とする相変化光記録
媒体。 - 【請求項２】 基板上に記録層を含む多層膜を形成し、
この記録層の結晶相とアモルファス相との間の可逆的な
相変化を利用して、情報の記録・消去を行なう相変化光
記録媒体において、基板上にＺｎＳ−Ｓｉ０2 からなる
第一保護層、ＧｅＳｂＴｅからなる記録層、Ｓｉ０2 −
Ｗからなる光吸収層、ＺｎＳ−Ｓｉ０2 からなる第二保
護層およびＡｌ合金からなる反射層を積層した構造を有
し、かつ、信号の記録に使用する光に対する、前記記録
層の結晶状態での光吸収率（Ａｃ）が、アモルファス状
態での光吸収率（Ａａ）よりも大きいか又は等しい（Ａ
ｃ≧Ａａ）ことを特徴とする相変化光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8304608A JPH10149574A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 相変化光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8304608A JPH10149574A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 相変化光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10149574A true JPH10149574A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=17935060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8304608A Pending JPH10149574A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 相変化光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10149574A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049016A1 (en) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical information medium and its use |
-
1996
- 1996-11-15 JP JP8304608A patent/JPH10149574A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049016A1 (en) * | 2000-12-15 | 2002-06-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical information medium and its use |
| EA005515B1 (ru) * | 2000-12-15 | 2005-02-24 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Оптический носитель информации и его использование |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040422 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040511 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040921 |