EA005515B1 - Оптический носитель информации и его использование - Google Patents

Оптический носитель информации и его использование Download PDF

Info

Publication number
EA005515B1
EA005515B1 EA200300683A EA200300683A EA005515B1 EA 005515 B1 EA005515 B1 EA 005515B1 EA 200300683 A EA200300683 A EA 200300683A EA 200300683 A EA200300683 A EA 200300683A EA 005515 B1 EA005515 B1 EA 005515B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
layer
recording
optical information
information carrier
recording layer
Prior art date
Application number
EA200300683A
Other languages
English (en)
Other versions
EA200300683A1 (ru
Inventor
Йоханнес К. Н. Рейперс
Гуо-Фу Чжоу
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Publication of EA200300683A1 publication Critical patent/EA200300683A1/ru
Publication of EA005515B1 publication Critical patent/EA005515B1/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25706—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing transition metal elements (Zn, Fe, Co, Ni, Pt)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/2571—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 14 elements except carbon (Si, Ge, Sn, Pb)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25715—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing oxygen
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25716—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing sulfur
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
    • G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
    • G11B7/2542—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
    • G11B7/2585—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Abstract

Предусматривается оптический носитель информации (20) для многократной записи посредством луча лазерного света (10). Подложка (1) содержит слоистую структуру (2) с записывающим слоем (5), с изменением фазового состояния между первым диэлектрическим слоем (4) и вторым диэлектрическим слоем (6). Слой (7), поглощающий свет, присутствует после записывающего слоя (5) и изготовлен из соединения формулы QRx, в котором Q представляет собой элемент Si, Ge, Ti, Zr, Hf, Nb или Та, R представляет собой элемент О или N, и 0<х=2,5, в порядке достижения того, чтобы 0,8<А/А<1,50, где Аи Апредставляют собой соответствующие количества лазерного света, поглощаемого в записывающем слое (5), в кристаллическом состоянии и в аморфном состоянии, на длине волны лазерного света, выбранной в диапазоне 350-450 нм. Таким образом, высокая скорость обмена данных и малые искажения данных достигаются в этом диапазоне коротких длин волн путем подбора оптимального значения х во время изготовления оптического носителя информации.

Description

Настоящее изобретение относится к оптическому носителю информации для многократной записи посредством луча лазерного света, имеющего заданную длину волны лазерного света, указанный носитель содержит подложку и сформированную на ней слоистую структуру, при этом указанная слоистая структура содержит записывающий слой, способный переходить из аморфного состояния в кристаллическое состояние и обратно, указанный записывающий слой располагается между первым диэлектрическим слоем и вторым диэлектрическим слоем, и слой, поглощающий свет, расположенный после записывающего слоя.
Настоящее изобретение также относится к использованию такого оптического носителя информации для высокоскоростной записи.
Оптический носитель информации типа, описанного в первом абзаце, известен из патента США И8А-5652036. Указанный известный носитель содержит подложку, несущую на себе слоистую структуру, включающую в себя слои, описанные в первом абзаце, и дополнительные слои.
Носитель для оптического хранения данных, основанный на принципе изменения фазового состояния, является предпочтительным при использовании, поскольку он объединяет в себе возможности прямой перезаписи (ΌΟν) и высокую плотность хранения информации с легкой совместимостью с оптическими системами для хранения данных, предназначенными только для считывания. Оптическая запись с изменением фазового состояния включает в себя формирование аморфных маркеров записи субмикрометрового размера в кристаллическом записывающем слое с использованием сфокусированного луча лазерного света относительно высокой мощности. Во время записи информации носитель перемещается по отношению к фокусированному лучу лазерного света, который модулируется в соответствии с информацией, которая должна быть записана. Маркеры записи формируются при расплавлении лучом лазерного света высокой мощности кристаллического записывающего слоя. Когда луч лазерного света выключается и/или затем перемещается по отношению к записывающему слою, имеет место гашение расплавленных маркеров в записывающем слое, после которого остается аморфный информационный маркер в экспонированных областях записывающего слоя, который остается кристаллическим в неэкспонированных областях. Стирание записанных аморфных маркеров осуществляется путем повторной кристаллизации посредством нагревания с помощью того же самого лазера при более низком уровне мощности, без плавления записывающего слоя. Аморфные маркеры представляют собой биты данных, которые могут считываться, например, через подложку с помощью фокусированного луча лазерного света относительно низкой мощности. Различия в отражении аморфных маркеров, по сравнению с кристаллическим записывающим слоем, формируют модулированный луч лазерного света, который впоследствии преобразуется с помощью детектора в модулированный фототок в соответствии с записанной информацией.
Одним из наиболее важных требований, предъявляемых к оптической записи с изменением фазового состояния, является высокая скорость обмена данных, что означает, что данные должны записываться и перезаписываться в среде носителя со скоростью, по меньшей мере, 30 Мбит/с. Такая высокая скорость обмена данных требует, чтобы записывающий слой имел высокую скорость кристаллизации, то есть короткое время кристаллизации. Для обеспечения повторной кристаллизации аморфных маркеров, записанных ранее во время прямой перезаписи, записывающий слой должен иметь соответствующую скорость кристаллизации для согласования со скоростью движения носителя по отношению к лучу лазерного света. Если скорость кристаллизации не является достаточно высокой, аморфные маркеры от предыдущей записи, представляющие старые данные, не могут быть стерты полностью, что означает повторную кристаллизацию, во время ΌΟν. Это приводит к высокому уровню шумов. Высокая скорость кристаллизации является необходимым требованием в оптических записывающих носителях с высокой плотностью записи и высокой скоростью обмена данных, например в дисках Όνϋ+Ρ,ν, ЭУК-красных и голубых, которые представляют собой аббревиатуры нового поколения Όί§ίία1 УегааШе Пкс+Ρ,ν высокой плотности, где Ρ,ν относится к возможности многократной записи для таких дисков и оптических дисков для хранения информации Όφίΐαΐ Убео Кесотбшд, где красный и голубой относятся к используемой длине волны лазера. Для этих дисков время полного стирания (ВПС) должно составлять, самое большее, 60 нс. ВПС определяется как минимальная продолжительность стирающего импульса, необходимая для полной кристаллизации записанного аморфного маркера в кристаллическом окружении, которое измеряется статически. Для Όνϋ+Ρ,ν, который имеет плотность записи 4,7 Гбайт на 120 мм диске, требуется скорость обмена битов 33 Мбит/с, а для ΌνΡ,-красного указанная скорость составляет 35 Мбит/с. Для оптических записывающих систем с многократной записью с изменением фазового состояния, таких как ΌνΡ,-голубой, требуется скорость обмена данных пользователя более высокая, чем 50 Мбит/с.
Важным дополнительным пунктом в оптических записывающих носителях с изменением фазового состояния является получение высокой емкости памяти, с тем, чтобы такие носители были пригодными для записи с высокой плотностью, например, с емкостью памяти более 3 Гбайт на диске диаметром 120 мм. Плотность хранения информации для оптического носителя информации с изменением фазового состояния определяется как радиальной плотностью, так и тангенциальной плотностью маркеров. Шаг дорожки определяет радиальную плотность, то есть расстояние между центральными линиями соседних дорожек. Шаг дорожки ограничивается термическими наводками. Это означает, что данные, записанные на дорожке, под
-1005515 вержены влиянию соседних дорожек. Поэтому форма записанных маркеров может быть изменена, что приводит к большим искажениям. Тангенциальная плотность определяется длиной бита на дорожке, которая ограничивается тем явлением, что поглощение света в аморфном состоянии является более высоким, чем в кристаллическом состоянии, когда используется стандартная слоистая структура ΙΡΙΜ. В этой слоистой структуре I представляет собой диэлектрический слой, Р представляет собой записывающий слой с изменением фазового состояния, и М представляет собой отражающий или зеркальный слой. По этой причине аморфная часть нагревается до более высокой температуры, чем кристаллическая часть, когда записывающий слой облучается лазерным светом. В результате, маркеры, записанные в кристаллической области, имеют меньший размер, чем те, которые перезаписываются в аморфной области. Такое явление вызывает увеличение искажений (за счет дрожания луча), которые обратно пропорциональны длине бита на дорожке. Для решения указанной проблемы количество лазерного света, поглощаемого в исключительно кристаллической области записывающего слоя, предпочтительно должно быть по существу равным или большим, чем количество лазерного света, поглощенного в исключительно аморфной области записывающего слоя. Эти поглощенные количества света сокращенно обозначаются как Ас и Аа, соответственно.
Из указанного патента США И8-А-5652036 известны различные сочетания возможных слоистых структур, например слоистая структура ΙΑΙΡΙΜ, в которой I, Ρ и М имеют значения, указанные выше, и А представляет собой слой, поглощающий свет. Слой, поглощающий свет, состоит из смеси диэлектрического материала и металла или полупроводника. Результатом добавления слоя А, поглощающего свет, является уменьшение различия между Ас и Аа, таким образом уменьшая искажение маркера.
Недостатком известного из уровня техники записывающего носителя является то, что он является предназначенным только для записи на относительно большой длине волны лазерного света около 680 нм. Для записи с высокой плотностью, предпочтительно используется меньшая длина волны, например меньшая чем 450 нм, поскольку диаметр записывающего пятна лазера прямо пропорционален используемой при записи длине волны лазерного света. Меньшее записывающее пятно лазера приводит к получению меньших аморфных маркеров, а, следовательно, к более высокой плотности записи информации. На длине волны 400 нм указанный известный слой, поглощающий свет, содержащий диэлектрический материал и металл или полупроводник, как правило, имеет гораздо более высокое поглощение, чем на длине волны 680 нм, из-за характеристик оптической дисперсии материала металла или полупроводника. Это делает область конструирования и производства оптических записывающих носителей нежелательно узкой. Поглощение лазерного света с малой длиной волны в поглощающем слое является очень чувствительным к небольшим изменениям в композиции и толщине этого слоя. Кроме того, его толщина должна быть очень малой из-за его высокого поглощения, что является нежелательным с точки зрения характеристик его производства.
Целью настоящего изобретения является создание оптического носителя информации для многократной записи, для записи с высокой скоростью обмена данных и высокой плотностью записи информации на длине волны лазерного света в диапазоне 350-450 нм, который при этом является простым в изготовлении.
Эта цель достигается тем, что слой, поглощающий свет, содержит соединение с формулой ОБ,., в которой О представляет собой элемент, выбранный из группы, состоящей из δί, Се, Τι, Ζγ, Н£, ΝΗ и Та, Я представляет собой элемент, выбранный из группы, состоящей из О и Ν, и 0<х<2,5, для достижения условия 0,8<Ас/Аа<1,50, где Ас и Аа представляют собой соответствующее количество лазерного света, поглощаемое в записывающем слое, в кристаллическом состоянии и в аморфном состоянии, на длине волны лазерного света, выбранной из диапазона 350-450 нм.
Термин высокоскоростной обмен данными, который рассматривался выше, должен пониматься в контексте настоящего описания как линейная скорость носителя по отношению к лучу лазерного света, по меньшей мере, 7,2 м/с, что в шесть раз больше, чем скорость в соответствии со стандартом Сотрас! ББе. Важный параметр представляет собой ВПС, которое определяется выше. ВПС является обратно пропорциональным скорости кристаллизации, которая, в свою очередь, определяет максимальную скорость обмена данными. Предпочтительно, значение ВПС должно быть ниже, чем 45 нс, необходимые для линейной скорости 9,6 м/с, что соответствует скорости для СБ, увеличенной в восемь раз, или даже ниже 35 нс, необходимых для линейной скорости 14,4 м/с, что соответствует скорости для СБ, увеличенной в двенадцать раз. Искажения носителя должны быть на низком, постоянном уровне. Использование оптического записывающего носителя в соответствии с настоящим изобретением, по этой причине, является преимущественным, поскольку скорость кристаллизации является достаточно быстрой, чтобы сделать возможной, по меньшей мере, такую скорость записи без увеличения искажений, вызываемых разбросом диаметров аморфных маркеров.
Наличие слоя, поглощающего свет, из соединения ОЯ,: обеспечивает то, что Ас является по существу равным или более высоким, чем Аа на длине волны, выбранной в диапазоне 350-450 нм. Это отношение может точно подбираться путем изменения х. Например, значение кк=400нм, который представляет собой мнимую часть комплексного показателя преломления η соединения 8ίΘχ на длине волны 400 нм, является, по существу, гладкой функцией переменной х. Если х = 0, тогда кк=400 нм = 2,66, и если х=1, то
-2005515 гда 1λ 400 нм=0,17. Переменная к представляет собой непосредственное измерение поглощения лазерного света в соединении. По этой причине это соединение является очень удобным в качестве настраиваемого слоя, поглощающего свет. Соответствующую характеристику поглощения слоя, поглощающего свет, для реализации условия 0.8<Ас/Ан<1.50. легко получить путем изменения, например, доли О в δί. В особенности, прогнозируемая и непрерывная зависимость 1у_ 4оо нм от х является преимущественной с точки зрения возможности производства. В результате, может быть выбран оптимальный слой, поглощающий свет, и маркеры, записываемые в кристаллической области, имеют по существу такой же размер, как и те, которые записываются поверх старых маркеров в аморфной области. Этот эффект уменьшает искажения, и плотность хранения информации в такой записывающей среде значительно повышается. Зависимость к как функции х, когда длина волны не равна 400 нм, но все еще находится в диапазоне 350-450 нм, является сходной. Даже когда Ас и Аа являются по существу одинаковыми, оптический контраст С для считывания оптического носителя информации должен оставаться высоким. Оптический контраст С определяется как 100(Вс-Ва)/Вс, где Вс и На представляют собой коэффициенты отражения среды в кристаллическом и аморфном состояниях, соответственно. Высокий оптический контраст достигается с помощью оптической конструкции слоев слоистой структуры.
Более высокая скорость обмена данных может быть получена, когда Ас>Аа. В этом случае кристаллическая часть записывающего слоя может нагреваться до температуры более высокой, чем аморфные маркеры при облучении записывающего слоя лазерным светом, с заданной длительностью импульса или временем воздействия. Для стирания аморфного маркера температура должна поддерживаться выше температуры кристаллизации Тх, в период времени, который, по меньшей мере, равен значению ВПС. Поскольку кристаллический фон приобретает более высокую температуру, чем аморфный маркер, который должен быть стерт, тепло будет диффундировать в маркер, в результате чего маркер охлаждается с более низкой скоростью и будет оставаться при температуре выше Тх в течение более долгого периода времени. Благодаря медленной скорости охлаждения, аморфные маркеры могут находиться при температуре выше Тх в течение времени, равного ВПС или более длинного, при использовании одного и того же времени воздействия. Для структуры носителя, имеющей слой, поглощающий свет, в соответствии с настоящим изобретением, достигается более высокая скорость обмена данных, без понижения ВПС. В противоположность этому, слоистая структура, в которой Ас является значительно более низким, чем Аа, должна приводить к получению быстро остывающей структуры, то есть кристаллический фон будет иметь более низкую температуру, чем аморфный маркер. Затем тепло диффундирует из маркера в кристаллическое окружение. При одном и том же времени воздействия и мощности время, в течение которого маркер находится при температуре выше Тх, должно быть более коротким, чем ВПС, в этом случае аморфный маркер не стирается полностью.
В одном из вариантов реализации изобретения О представляет собой δί или Се, и В представляет собой О. 8ί является предпочтительным, поскольку он очень легко получается, благодаря его частому использованию в промышленности полупроводников.
Третий диэлектрический слой может присутствовать за слоем, поглощающим свет, на стороне, удаленной от записывающего слоя. Третий диэлектрический слой предотвращает миграцию вещества между слоем, поглощающим свет, и материалом, присутствующим на стороне третьего диэлектрического слоя, противоположной стороне слоя, поглощающего свет, если он имеется. Более того, он настраивает скорость охлаждения слоистой структуры и, таким образом, чувствительность при записи. В дополнение к этому, третий диэлектрический слой функционирует в качестве защитного покрытия против воздействий окружающей среды, в особенности, когда третий диэлектрический слой присутствует на стороне, удаленной от подложки. Луч лазерного света может поступать в слоистую структуру через первый диэлектрический слой или через третий диэлектрический слой.
Толщина третьего диэлектрического слоя предпочтительно находится в пределах между 2 и 200 нм, более конкретно, в пределах между 10 и 100 нм, в порядке получения соответствующего баланса между защитной функцией и простотой производства. Когда толщина является меньшей, чем 2 нм, ее термоизоляция может стать слишком низкой. Например, рядом с третьим диэлектрическим слоем может присутствовать металлический отражающий слой или подложка. В результате, увеличивается скорость охлаждения слоистой структуры и, как следствие, также и мощность, необходимая для записи. При толщине выше 200 нм скорость охлаждения слоистой структуры может стать слишком низкой.
Записывающий слой содержит соединение Се и Те, например СеТе. Этот материал с изменением фазового состояния имеет преимущество, заключающееся в относительно высоком оптическом контрасте С.
Другие известные материалы, предназначенные для использования в качестве записывающего слоя, представляют собой, например, сплавы Се-8Ь-Те, 1и-8е, 1и-8е-8Ь, 1и-8Ь-Те, Те-Се, Те-8е-8Ь, Те-Се-8е или Ад-1и-8Ь-Те. Преимущественными для использования являются соединения, описанные в патенте США 5876822, выданном авторам. Эти соединения демонстрируют короткое время полного стирания (ВПС) и имеют композицию, определяемую в атомных процентах формулой Се50х8Ь40-40хТе60-10х, где 0,166<х<0,444. Эти соединения располагаются на линии, соединяющей соединения СеТе и 8Ь2Те3, на
-3005515 тройной фазовой диаграмме Сс-8Ь-Тс. и включают в себя стехиометрические соединения Се28Ь2Те5 (х=0,445), Се8Ь2Те4 (х=0,286) и Се8Ь4Те7 (х=0,166).
Другие, предназначенные для использования соединения, описаны в патенте США 6127049, выданном авторам. Эти соединения имеют композицию, определяемую некоторой областью на тройной фазовой диаграмме Се-8Ь-Те, указанная область имеет пятиугольную форму, имеющую следующие вершины Р, О, К, 8 и Т:
Се14,28Ь25,8Те60,0 (Р) Се12,78Ь27,3Те60,0 (О)
Се13,48Ь29,2Те57,1 (К) Се15,18Ь27,8Те57,1 (8) Се13,28Ь26,4Те60,4 (Т) Для этих соединений, могут быть получены значения ВПС ниже 50 нс.
Другие предназначенные для использования соединения имеют композицию (Се8Ь2Те4)1-хТех где х удовлетворяет условию: 0,01<х<0,37. Эти соединения располагаются на соединительной линии, соединяющей Се8Ь2Те4 и Те, на тройной фазовой диаграмме, но внутри пятиугольной области РСК8Т. Для этих соединений получаются значения ВПС ниже, чем 45 нс. Когда к любому из рассмотренных выше соединений Се-8Ь-Те добавляют до 3,5 атомных % кислорода, получаются еще более низкие значения ВПС.
Скорость кристаллизации или значение ВПС рассмотренных соединений Се-8Ь-Те зависит от толщины слоя для записывающего слоя. ВПС быстро уменьшается, когда увеличивается толщина слоя. Когда записывающий слой толще, чем 25 нм, ВПС по существу не зависит от его толщины. При толщине больше 35 нм происходит отрицательное воздействие на циклируемость носителя. Циклируемость носителя измеряется с помощью относительного изменения оптического контраста С после большого количества циклов, например 105, ЭО\У. В каждом цикле процесс повторной кристаллизации путем нагревания с помощью луча лазерного света осуществляет стирание старых аморфных маркеров, при этом записываются новые аморфные маркеры. В идеальном случае оптический контраст С остается неизменным после циклирования. Циклируемость остается практически постоянной до толщины слоя для записывающего слоя 35 нм. Как результат объединенных требований относительно ВПС и циклируемости, толщина записывающего слоя предпочтительно находится в пределах между 5 и 35 нм, более предпочтительно в пределах между 10 и 30 нм. Носитель, имеющий записывающий слой с толщиной, находящейся в пределах между 10 и 30 нм, имеет постоянные, низкие искажения во время первых 105 циклов ЭО\У.
В слоистой структуре может присутствовать отражающий слой, который содержит по меньшей мере один из металлов, выбранных из группы, состоящей из А1, Т1, Аи, Ад, Си, Кй, Ρΐ, Рб, N1, Со, Мп, Сг, Мо, Н£ и Та, включая их сплавы. Как правило, этот отражающий слой, если он присутствует, присутствует на стороне слоистой структуры, противоположной той стороне слоистой структуры, с которой входит луч лазерного света. Поглощающий слой может функционировать в качестве отражающего слоя, когда луч лазерного света сначала проходит через записывающий слой, в этом случае не требуется отражающего металлического слоя. Но в зависимости от вида оптического носителя информации, отражающий металлический слой может потребоваться для получения достаточного абсолютного отражения, чтобы удовлетворить требования к нему.
Первый, второй и третий диэлектрические слои могут состоять из смеси Ζη8 и 81О2, например (Ζη8)80(8ίΟ2)20. Слои также могут состоять из 81О2, Т1О2, Ζη8, 8ί3Ν4, Α1Ν или Та2О5. Предпочтительно используется карбид, подобный 81С, ^С, ТаС, ΖγΟ или Т1С. Эти материалы дают более высокую скорость кристаллизации и лучшую циклируемость, чем смесь Ζη8-8Ώ2.
Как рассмотрено ранее, второй диэлектрический слой предотвращает миграцию или образование сплава путем диффузии вещества между слоем, поглощающим свет, и записывающим слоем. В дополнение к этому, его толщина может точно настраивать отношение Ас и Аа благодаря эффектам интерференции. Толщина предпочтительно находится в пределах между 2 и 75 нм, более предпочтительно в пределах между 15 и 60 нм. Толщина, меньшая чем 2 нм, может вызывать образование трещин и понижает циклируемость. Толщина, большая чем 75 нм, понижает скорость охлаждения записывающего слоя и уменьшает воздействие слоя, поглощающего свет.
Записывающий слой с изменением фазового состояния может быть нанесен на подложку с помощью вакуумного осаждения, такого как испарение с помощью электронного луча, химическое осаждение из паровой фазы, ионное осаждение или напыление. При осаждении слой является аморфным и демонстрирует низкий коэффициент отражения. Для получения пригодного для использования записывающего слоя, имеющего высокий коэффициент отражения, этот слой должен сначала быть полностью кристаллизован, что обычно упоминается как инициализация. Для этой цели записывающий слой должен нагреваться в печи до температуры, превышающей температуру кристаллизации соединения Се-Те, Се-Те-О или Се-Те-Ν, например 190°С. Альтернативно, подложка из синтетической смолы, такой как поликарбонат, может нагреваться с помощью луча лазерного света достаточной мощности. Это может происходить, например, в записывающем устройстве, в этом случае луч лазерного света сканирует движущийся
-4005515 записывающий слой. Затем аморфный слой локально нагревается до температуры, необходимой для кристаллизации слоя, без воздействия на подложку нежелательной тепловой нагрузки.
Слой, поглощающий свет, может быть нанесен на подложку путем напыления. Может быть использована мишень для напыления из δί, Се, Τι, Ζγ, Ηί, N6 или Та, имеющая достаточное количество кислорода или азота, или могут использоваться чистые мишени из указанных элементов, при этом контролируется количество кислорода или азота в газе для напыления. На практике концентрация кислорода или азота в газе для напыления, как правило, будет находиться в пределах, практически от нуля примерно до 30 об.%.
Подложка носителя информации состоит, например, из поликарбоната (РС), полиметилметакрилата (РММА), аморфного полиолефина или стекла. В типичном примере, подложка имеет форму диска и имеет диаметр 120 мм и толщину 0,1, 0,6 или 1,2 мм. При использовании подложки толщиной 0,6 или 1,2 мм, слои могут наноситься на подложку, начиная с первого диэлектрического слоя. Если лазерный свет проникает в слоистую структуру через подложку, указанная подложка должна быть прозрачной, по меньшей мере, на длине волны лазерного света. Слои слоистой структуры на подложке могут также наноситься в обратном порядке, то есть начиная с третьего диэлектрического слоя, в этом случае луч лазерного света не будет поступать в слоистую структуру через подложку. Необязательно, крайний снаружи прозрачный слой может присутствовать на слоистой структуре в качестве покровного слоя, который защищает лежащие под ним слои от окружающей среды. Этот слой может состоять из одного из указанных выше материалов подложки или из прозрачной смолы, например из полиметакрилата, отверждаемого УФ светом, с толщиной, например, 0,1 мм. Если луч лазерного света поступает в слоистую структуру через входную лицевую сторону этого прозрачного слоя, подложка может быть непрозрачной.
Поверхность подложки оптического носителя информации на стороне записывающего слоя, предпочтительно, обеспечивается контрольной дорожкой, которая может оптически сканироваться с помощью луча лазерного света. Эта контрольная дорожка часто состоит из дорожки спиральной формы и формируется в подложке посредством штамповки во время инжекционного формования или прессования. Альтернативно, эта дорожка может формироваться в процессе реплицирования в слое синтетической смолы, например в слое отверждаемого УФ светом акрилата, который отдельно формируется на подложке. При записи высокой плотности такая бороздка имеет шаг, например, 0,5-0,8 мкм и ширину примерно в половину от шага.
Оптический носитель информации в соответствии с настоящим изобретением будет описываться более подробно посредством примерного варианта реализации и со ссылками на прилагаемый чертеж, в котором фиг. 1 изображает схематический вид в поперечном разрезе оптического носителя информации со слоистой структурой, имеющей конфигурацию ΜΙΡΙΑΙ.
Описание предпочтительного варианта реализации изобретения
На фиг. 1 оптический носитель информации (20) для многократной записи посредством луча лазерного света (10) имеет подложку (1) и слоистую структуру (2), сформированную на ней. Слоистая структура (2) имеет записывающий слой (5), который способен переходить из аморфного состояния в кристаллическое состояние и обратно. Записывающий слой (5) располагается между первым диэлектрическим слоем (4) и вторым диэлектрическим слоем (6).
Первый и второй диэлектрические слои (4, 6) изготавливаются из (Ζηδ)80(8ίΘ2)20 и имеют толщину 20 нм и 49 нм, соответственно.
Слой (7), поглощающий свет, присутствует за записывающим слоем (5) и имеет толщину 20 нм. Слой (7), поглощающий свет, выполнен из соединения с формулой 8ίΘ0>7, что достигается выполнением условия Ас/Аа = 0,85 на длине волны лазерного света 405 нм. Без присутствия этого слоя (7), поглощающего свет, условие Ас/Аа = 0,71 приводит к значительно большим искажениям маркера при записи.
Третий диэлектрический слой (8) присутствует за слоем (7), поглощающим свет, на стороне, удаленной от записывающего слоя (5). Толщина третьего диэлектрического слоя (8) составляет 55 нм. Записывающий слой (5) состоит из СеТе.
В слоистой структуре присутствует отражающий слой (3) из А1, который имеет толщину 100 нм. В такой слоистой структуре на длине волны лазерного света 405 нм коэффициент отражения аморфного материала Ка=4%, и коэффициент отражения кристаллического материала Кс=14%.
Подложка 1 представляет собой поликарбонатную подложку в форме диска с диаметром 120 мм и толщиной 0,6 мм.
Необязательный покровный слой (9), изготовленный из УФ-отверждаемой смолы Оаюиге 8Ό 415 с толщиной 100 мкм, присутствует рядом с третьим диэлектрическим слоем.
В соответствии с настоящим изобретением предусматривается оптический носитель информации для многократной записи с высокой плотностью, такой как ЭУК-голубой, со слоем, поглощающим свет, за записывающим слоем из материала с изменением фазового состояния. Величина поглощения лазерного света слоем, поглощающим свет, легко подбирается путем изменения содержания в нем О или N во время изготовления. Это необходимо для достижения следующего условия 0,8<Ас/Аа<1,50, где Ас и Аа представляют собой соответствующее количество лазерного света, поглощаемое в записывающем слое, находящимся в кристаллическом и в аморфном состоянии, на длине волны лазерного света, выбираемой
-5005515 из диапазона 350-450 нм. Таким образом, в указанном диапазоне длин волн достигаются высокие скорости обмена данных и высокие скорости записи.

Claims (10)

  1. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
    1. Оптический носитель информации (20) для многократной записи посредством луча (10) лазерного света, содержащий подложку (1) и слоистую структуру (2) на ней, причем слоистая структура (2) содержит записывающий слой (5), который способен переходить из аморфного состояния в кристаллическое состояние и обратно, расположенный между первым диэлектрическим слоем (4) и вторым диэлектрическим слоем (6), и слой (7), поглощающий свет, за записывающим слоем (5), отличающийся тем, что слой (7), поглощающий свет, изготовлен из соединения с формулой ОИх. в котором О представляет собой элемент, выбранный из группы, состоящей из δί, Ое, Τι, Ζτ, Н£, N6 и Та, Я представляет собой элемент, выбранный из группы, состоящей из О и Ν, и 0<х<1, для достижения условия 0,8<Ас/Аа<1,50, где Ас и Аа представляют собой соответствующее количество лазерного света, поглощаемое в записывающем слое (5), в кристаллическом состоянии и в аморфном состоянии, на длине волны лазерного света, выбранной в диапазоне 350-450 нм.
  2. 2. Оптический носитель информации (20) по п.1, отличающийся тем, что 0 представляет собой элемент, выбранный из группы, состоящей из δί и Ое.
  3. 3. Оптический носитель информации (20) по п.1 или 2, отличающийся тем, что Я представляет собой элемент О.
  4. 4. Оптический носитель информации (20) по пп.1, 2 или 3, отличающийся тем, что длина волны лазерного света выбирается из диапазона 375-425 нм.
  5. 5. Оптический носитель информации (20) по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что третий диэлектрический слой (8) присутствует за слоем (7), поглощающим свет, на стороне, удаленной от записывающего слоя (5).
  6. 6. Оптический носитель информации (20) по п.5, отличающийся тем, что толщина третьего диэлектрического слоя (7) находится в пределах между 2 и 200 нм.
  7. 7. Оптический носитель информации (20) по п.1 или 5, отличающийся тем, что записывающий слой (5) содержит соединения Ое и Те.
  8. 8. Оптический носитель информации (20) по п.1 или 5, отличающийся тем, что записывающий слой (5) содержит соединения Ое, 8Ь и Те.
  9. 9. Оптический носитель информации (20) по п.1 или 5, отличающийся тем, что в слоистой структуре присутствует отражающий слой (3), который содержит по меньшей мере один из металлов, выбранных из группы, состоящей из А1, Τι, Аи, Ад, Си, Яй, Р1, Рб, N1, Со, Мп, Сг, Мо, Н£ и Та, включая их сплавы.
  10. 10. Способ высокоскоростной записи оптического носителя информации (20), в котором относительная скорость луча лазерного света и носителя составляет по меньшей мере 7,2 м/с, отличающийся тем, что в качестве носителя информации используется оптический носитель информации (20) по любому из пп.1-9.
EA200300683A 2000-12-15 2001-11-27 Оптический носитель информации и его использование EA005515B1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP00204602 2000-12-15
PCT/EP2001/014151 WO2002049016A1 (en) 2000-12-15 2001-11-27 Optical information medium and its use

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA200300683A1 EA200300683A1 (ru) 2003-10-30
EA005515B1 true EA005515B1 (ru) 2005-02-24

Family

ID=8172451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA200300683A EA005515B1 (ru) 2000-12-15 2001-11-27 Оптический носитель информации и его использование

Country Status (14)

Country Link
US (1) US6901044B2 (ru)
EP (1) EP1350245A1 (ru)
JP (2) JP2004515875A (ru)
KR (1) KR20020080422A (ru)
CN (1) CN1235200C (ru)
AR (1) AR031920A1 (ru)
BR (1) BR0108370A (ru)
CA (1) CA2400111A1 (ru)
EA (1) EA005515B1 (ru)
HU (1) HUP0300115A2 (ru)
MX (1) MXPA02007886A (ru)
TW (1) TW554341B (ru)
WO (1) WO2002049016A1 (ru)
ZA (1) ZA200206471B (ru)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW584849B (en) * 2001-07-12 2004-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical information recording medium and recording method using the same
WO2004038706A1 (ja) * 2002-10-28 2004-05-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 光学情報記録媒体及びその製造方法
WO2004057593A1 (en) * 2002-12-19 2004-07-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Writable optical record carrier
KR100587322B1 (ko) * 2003-01-14 2006-06-08 엘지전자 주식회사 고강성 광 디스크의 제조 방법
JP2005071450A (ja) * 2003-08-22 2005-03-17 Tdk Corp 光記録媒体及びその製造方法、並びに、光記録媒体に対するデータ記録方法及びデータ再生方法
JP4227091B2 (ja) * 2004-10-01 2009-02-18 株式会社東芝 相変化光記録媒体
JP4466315B2 (ja) * 2004-10-21 2010-05-26 株式会社日立製作所 相変化メモリ
KR101105765B1 (ko) * 2005-05-21 2012-01-17 엘지전자 주식회사 공기조화기
US20150125342A1 (en) * 2013-11-06 2015-05-07 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Controlled Retention and Removal of Biomaterials and Microbes
GB201518371D0 (en) * 2015-10-16 2015-12-02 Isis Innovation Optical Device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06150382A (ja) * 1992-11-10 1994-05-31 Ricoh Co Ltd 追記型光ディスク
JPH07161071A (ja) * 1993-12-08 1995-06-23 Toray Ind Inc 光記録媒体
EP0766240A2 (en) * 1995-09-27 1997-04-02 Nec Corporation Phase change optical disk
US5652036A (en) * 1994-09-21 1997-07-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Information recording medium and method of manufacturing the same
JPH10149574A (ja) * 1996-11-15 1998-06-02 Tosoh Corp 相変化光記録媒体
WO1999066505A2 (en) * 1998-06-18 1999-12-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Rewritable optical information medium

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4357616A (en) * 1979-03-26 1982-11-02 Hitachi, Ltd. Recording medium
US5272326A (en) * 1988-06-21 1993-12-21 Kyodo Printing Co., Ltd. Optical card having light absorbing layer
CN1132166C (zh) * 1997-11-07 2003-12-24 皇家菲利浦电子有限公司 可重写锗－锑－碲合金光信息介质
EP0960419B1 (en) * 1997-12-11 2007-02-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Rewritable optical information medium
JPH11259912A (ja) * 1997-12-25 1999-09-24 Tdk Corp 光記録媒体
JPH11203725A (ja) * 1998-01-16 1999-07-30 Nec Corp 相変化光ディスク
JP2000182274A (ja) * 1998-10-06 2000-06-30 Tdk Corp 光記録媒体および光記録方法
JP2000298875A (ja) * 1999-02-13 2000-10-24 Sony Corp 光記録媒体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06150382A (ja) * 1992-11-10 1994-05-31 Ricoh Co Ltd 追記型光ディスク
JPH07161071A (ja) * 1993-12-08 1995-06-23 Toray Ind Inc 光記録媒体
US5652036A (en) * 1994-09-21 1997-07-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Information recording medium and method of manufacturing the same
EP0766240A2 (en) * 1995-09-27 1997-04-02 Nec Corporation Phase change optical disk
JPH10149574A (ja) * 1996-11-15 1998-06-02 Tosoh Corp 相変化光記録媒体
WO1999066505A2 (en) * 1998-06-18 1999-12-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Rewritable optical information medium

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 018, no. 473, 2 September 1994 (1994-09-02) & JP 06150382 A (RICOH), 31 May 1994 (1994-05-31) abstract *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1995, no. 09, 31 October 1995 (1995-10-31) & JP 07161071 A (TORAY), 23 June 1995 (1995-06-23) abstract *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1998, no. 11, 30 September 1998 (1998-09-30) & JP 10149574 A (TOSOH), 2 June 1998 (1998-06-02) abstract *

Also Published As

Publication number Publication date
CN1401116A (zh) 2003-03-05
AR031920A1 (es) 2003-10-08
US6901044B2 (en) 2005-05-31
HUP0300115A2 (en) 2003-07-28
MXPA02007886A (es) 2003-03-10
JP2004515875A (ja) 2004-05-27
ZA200206471B (en) 2003-11-13
WO2002049016A1 (en) 2002-06-20
JP2007128647A (ja) 2007-05-24
CA2400111A1 (en) 2002-06-20
EA200300683A1 (ru) 2003-10-30
KR20020080422A (ko) 2002-10-23
US20020110081A1 (en) 2002-08-15
EP1350245A1 (en) 2003-10-08
TW554341B (en) 2003-09-21
BR0108370A (pt) 2003-03-11
CN1235200C (zh) 2006-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950006840B1 (ko) 광기록매체와 광기록매체의 제법
KR100746263B1 (ko) 분리된 기록층을 갖는 광 정보매체
JP4571238B2 (ja) フェーズ変化記録層を有する光学記録媒体
KR100770768B1 (ko) 광 기록매체와 이 광 기록매체를 이용한 기록방법
EA005347B1 (ru) Оптический носитель информации и его использование
US5395669A (en) Optical record medium
JP2007128647A (ja) 光学情報媒体及びその使用
US5876822A (en) Reversible optical information medium
US5442619A (en) Erasable optical recording medium with a reversible light absorption layer
US6660451B1 (en) Optical information recording medium
US5811217A (en) Optical information recording medium and optical information recording/reproducing method
JPH05286249A (ja) 情報記録用媒体
JP4018340B2 (ja) 書換可能型光学情報媒体
US5273861A (en) Optical information recording medium, method of making an optical information recording medium and method of recording/reproducing optical information
US5935672A (en) Reversible optical information medium
JPH11513166A (ja) 可逆性光情報媒体
RU2232436C2 (ru) Перезаписываемая оптическая информационная среда
KR20050059098A (ko) 재기록가능형 광 데이터 저장매체 및 그 매체의 용도
JP4248327B2 (ja) 相変化型光情報記録媒体
JP2001010232A (ja) 相変化型光記録媒体
JPH0262736A (ja) 光学情報記録媒体
EP0613128A1 (en) Optical information carrier
JPH09265657A (ja) 光記録媒体
JPH08156423A (ja) 光学的情報記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM AZ BY KZ KG MD TJ TM RU