JPH10144852A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は半導体チップとリードとをワイヤボン
ディングにより接続する半導体装置の製造方法及び半導
体装置に関し、高密度化,高集積化された半導体装置を
低コストかつ高信頼性をもって製造することを課題とす
る。 【解決手段】半導体装置の製造方法において、複数のリ
ード端子13とサポートバー11が形成された平板状のリー
ドフレーム20に、リード端子13と当接するよう平板状の
ヒートスプレッタ14を重ね合わせると共にサポートバー
11にヒートスプレッタ14を接合し、続いてリードフレー
ム20に接合されたヒートスプレッタ14上に半導体チップ
12を搭載し、続いて半導体チップ12とリード端子13との
間にワイヤ15を配設し、そしてワイヤボンディング工程
の終了後、前記サポートバー11または前記ヒートスプレ
ッタ14を変形させることにより複数のリード端子13とヒ
ートスプレッタ14とを離間させ、複数のリード端子13と
ヒートスプレッタ14とを電気的に分離する。
ディングにより接続する半導体装置の製造方法及び半導
体装置に関し、高密度化,高集積化された半導体装置を
低コストかつ高信頼性をもって製造することを課題とす
る。 【解決手段】半導体装置の製造方法において、複数のリ
ード端子13とサポートバー11が形成された平板状のリー
ドフレーム20に、リード端子13と当接するよう平板状の
ヒートスプレッタ14を重ね合わせると共にサポートバー
11にヒートスプレッタ14を接合し、続いてリードフレー
ム20に接合されたヒートスプレッタ14上に半導体チップ
12を搭載し、続いて半導体チップ12とリード端子13との
間にワイヤ15を配設し、そしてワイヤボンディング工程
の終了後、前記サポートバー11または前記ヒートスプレ
ッタ14を変形させることにより複数のリード端子13とヒ
ートスプレッタ14とを離間させ、複数のリード端子13と
ヒートスプレッタ14とを電気的に分離する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法及び半導体装置に係り、特に半導体チップとリードと
をワイヤボンディングにより接続する半導体装置の製造
方法及び半導体装置に関する。
法及び半導体装置に係り、特に半導体チップとリードと
をワイヤボンディングにより接続する半導体装置の製造
方法及び半導体装置に関する。
【0002】近年、半導体製造プロセスにおけるファイ
ン化及び半導体チップの高集積化により、ハイパワーの
半導体装置の開発が盛んである。この半導体装置のハイ
パワー化に伴い半導体チップの発熱量も増大する傾向に
より、よって放熱特性を向上させるため半導体装置の内
部にヒートスプレッタ(熱放散板)を組み込んだ構成の
ものが提供されている。
ン化及び半導体チップの高集積化により、ハイパワーの
半導体装置の開発が盛んである。この半導体装置のハイ
パワー化に伴い半導体チップの発熱量も増大する傾向に
より、よって放熱特性を向上させるため半導体装置の内
部にヒートスプレッタ(熱放散板)を組み込んだ構成の
ものが提供されている。
【0003】一方、半導体装置には高い信頼性が要求さ
れると共に低コスト化も望まれており、従ってこれらの
各種要求に共に対応しうる半導体装置が望まれている。
れると共に低コスト化も望まれており、従ってこれらの
各種要求に共に対応しうる半導体装置が望まれている。
【0004】
【従来の技術】図14は従来の半導体装置1の断面構成
図であり、また図15は半導体装置1の半導体チップ2
の配設位置近傍を拡大して示す図である。半導体装置1
は、大略すると半導体チップ2,リード端子3,ヒート
スプレッタ4(熱放散板),ワイヤ5,粘着テープ6,
及び封止樹脂7(樹脂パッケージ)等により構成されて
いる。
図であり、また図15は半導体装置1の半導体チップ2
の配設位置近傍を拡大して示す図である。半導体装置1
は、大略すると半導体チップ2,リード端子3,ヒート
スプレッタ4(熱放散板),ワイヤ5,粘着テープ6,
及び封止樹脂7(樹脂パッケージ)等により構成されて
いる。
【0005】半導体チップ2はいわゆるベアチップであ
り、その上面には図15に示すように複数のパッド8が
形成されている。前記したように、半導体装置1は小型
化,高機能化が要求されており、これに伴い多ピン化が
進み半導体チップ2に形成されるパッド3のピッチPは
縮小する傾向にある。
り、その上面には図15に示すように複数のパッド8が
形成されている。前記したように、半導体装置1は小型
化,高機能化が要求されており、これに伴い多ピン化が
進み半導体チップ2に形成されるパッド3のピッチPは
縮小する傾向にある。
【0006】また、リード端子3は半導体チップ2に設
けられたパッド数に対応した数設けられており、従って
リード端子3の配設数も増大する傾向にある。リード端
子3のインナーリード部3aはワイヤ5により半導体チ
ップ2に設けられたパッド8に接続され、またリード端
子3のアウターリード部3bは封止樹脂7の外部に延出
すると共に、半導体装置1の表面実装を可能とするため
ガルウイング状に成形されている。
けられたパッド数に対応した数設けられており、従って
リード端子3の配設数も増大する傾向にある。リード端
子3のインナーリード部3aはワイヤ5により半導体チ
ップ2に設けられたパッド8に接続され、またリード端
子3のアウターリード部3bは封止樹脂7の外部に延出
すると共に、半導体装置1の表面実装を可能とするため
ガルウイング状に成形されている。
【0007】ヒートスプレッタ4は熱伝導性の良好な板
状の部材であり、その略中央位置には半導体チップ2が
接着剤9を用いて固定されている。また、リード端子3
のインナーリード部3aは、粘着テープ6によりヒート
スプレッタ4に接合された構成となっている。この粘着
テープ6は、絶縁性の樹脂フィルムに接着剤が塗布され
た構成となっている。更に、封止樹脂7は少なくとも半
導体チップ2及びワイヤ5を覆うように形成されてお
り、例えばモールド技術を用いて形成されるものであ
る。
状の部材であり、その略中央位置には半導体チップ2が
接着剤9を用いて固定されている。また、リード端子3
のインナーリード部3aは、粘着テープ6によりヒート
スプレッタ4に接合された構成となっている。この粘着
テープ6は、絶縁性の樹脂フィルムに接着剤が塗布され
た構成となっている。更に、封止樹脂7は少なくとも半
導体チップ2及びワイヤ5を覆うように形成されてお
り、例えばモールド技術を用いて形成されるものであ
る。
【0008】上記構成において、インナーリード部3a
を粘着テープ6によりヒートスプレッタ4に接合するの
は次の理由による。即ち、インナーリード部3aと半導
体チップ2に設けられたパッド8にワイヤ5を配設する
際、ワイヤーボンディングが行なわれるが、一般にこの
ワイヤーボンディングは超音波溶接が用いられる。一
方、前記したように多ピン化が進み半導体チップ2に形
成されるパッド3のピッチPが縮小化すると、これに伴
いインナーリード部3aの先端部(即ち、ワイヤ5のボ
ンディング位置)も微細になり、その機械的強度は小さ
くなる。
を粘着テープ6によりヒートスプレッタ4に接合するの
は次の理由による。即ち、インナーリード部3aと半導
体チップ2に設けられたパッド8にワイヤ5を配設する
際、ワイヤーボンディングが行なわれるが、一般にこの
ワイヤーボンディングは超音波溶接が用いられる。一
方、前記したように多ピン化が進み半導体チップ2に形
成されるパッド3のピッチPが縮小化すると、これに伴
いインナーリード部3aの先端部(即ち、ワイヤ5のボ
ンディング位置)も微細になり、その機械的強度は小さ
くなる。
【0009】従って、インナーリード部3aをヒートス
プレッタ4から離間した状態でワイヤボンディングを行
なうと(即ち、いわゆる中空ボンディングを行なう
と)、インナーリード部3aが不安定であるためにリー
ド端子3とヒートスプレッタ4とが接触し易くなり、ま
た一般にヒートスプレッタ4は熱伝導性が良好な金属で
ありため、複数のリード端子3間でショート(短絡)が
発生するおそれがある。このため、インナーリード部3
aを粘着テープ6によりヒートスプレッタ4に接合し、
インナーリード部3aの機械的強度を向上させると共
に、インナーリード部3aとヒートスプレッタ4との電
気的絶縁を図ることが行なわれている。
プレッタ4から離間した状態でワイヤボンディングを行
なうと(即ち、いわゆる中空ボンディングを行なう
と)、インナーリード部3aが不安定であるためにリー
ド端子3とヒートスプレッタ4とが接触し易くなり、ま
た一般にヒートスプレッタ4は熱伝導性が良好な金属で
ありため、複数のリード端子3間でショート(短絡)が
発生するおそれがある。このため、インナーリード部3
aを粘着テープ6によりヒートスプレッタ4に接合し、
インナーリード部3aの機械的強度を向上させると共
に、インナーリード部3aとヒートスプレッタ4との電
気的絶縁を図ることが行なわれている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、インナーリ
ード部3aを粘着テープ6によりヒートスプレッタ4に
接合した従来構成の半導体装置では、インナーリード部
3aをヒートスプレッタ4に接合した後に実施されるキ
ュア(加熱)処理により、粘着テープ6からアウトガス
が発生し、これによりインナーリード部3aが悪影響を
受けてしまう(例えば、腐食する)おそれがある。
ード部3aを粘着テープ6によりヒートスプレッタ4に
接合した従来構成の半導体装置では、インナーリード部
3aをヒートスプレッタ4に接合した後に実施されるキ
ュア(加熱)処理により、粘着テープ6からアウトガス
が発生し、これによりインナーリード部3aが悪影響を
受けてしまう(例えば、腐食する)おそれがある。
【0011】このため、ワイヤボンディングを実施する
前にリード端子3に対しプラズマクリーニング等の洗浄
処理が必要となり、よって半導体製造工程が複雑になる
と共に、半導体装置1の製品コストが上昇してしまうお
それがある。また、これを防止すべく粘着テープ6の配
設面積を小さくすると、上記したようにインナーリード
部3aがヒートスプレッタ4から離間した状態でワイヤ
ボンディングされる中空ボンディングとなりやすく、複
数のリード端子3間でショートが発生し、製造される半
導体装置1の歩留り及び信頼性が低下してしまうという
問題点がある。
前にリード端子3に対しプラズマクリーニング等の洗浄
処理が必要となり、よって半導体製造工程が複雑になる
と共に、半導体装置1の製品コストが上昇してしまうお
それがある。また、これを防止すべく粘着テープ6の配
設面積を小さくすると、上記したようにインナーリード
部3aがヒートスプレッタ4から離間した状態でワイヤ
ボンディングされる中空ボンディングとなりやすく、複
数のリード端子3間でショートが発生し、製造される半
導体装置1の歩留り及び信頼性が低下してしまうという
問題点がある。
【0012】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、高密度化,高集積化された半導体装置を低コストか
つ高信頼性をもって製造しうる半導体装置の製造方法及
び半導体装置を提供することを目的とする。
り、高密度化,高集積化された半導体装置を低コストか
つ高信頼性をもって製造しうる半導体装置の製造方法及
び半導体装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、下記の手
段を講じることにより解決することができる。請求項1
記載の発明に係る半導体装置の製造方法では、複数のリ
ード端子とサポートバーが形成された平板状のリードフ
レームに、少なくとも前記複数のリード端子に当接した
状態となるよう平板状部材を重ね合わせると共に、前記
サポートバーに前記平板状部材を接合する接合工程と、
前記リードフレームに接合された前記平板状部材上に半
導体チップを搭載する素子搭載工程と、前記半導体チッ
プと前記複数のリード端子との間にワイヤを配設するワ
イヤボンディング工程と、前記ワイヤボンディング工程
の終了後、前記サポートバーまたは前記平板状部材を変
形させることにより前記複数のリード端子と前記平板状
部材とを離間させ、前記複数のリード端子と前記平板状
部材とを電気的に分離する分離工程とを含むことを特徴
とするものである。
段を講じることにより解決することができる。請求項1
記載の発明に係る半導体装置の製造方法では、複数のリ
ード端子とサポートバーが形成された平板状のリードフ
レームに、少なくとも前記複数のリード端子に当接した
状態となるよう平板状部材を重ね合わせると共に、前記
サポートバーに前記平板状部材を接合する接合工程と、
前記リードフレームに接合された前記平板状部材上に半
導体チップを搭載する素子搭載工程と、前記半導体チッ
プと前記複数のリード端子との間にワイヤを配設するワ
イヤボンディング工程と、前記ワイヤボンディング工程
の終了後、前記サポートバーまたは前記平板状部材を変
形させることにより前記複数のリード端子と前記平板状
部材とを離間させ、前記複数のリード端子と前記平板状
部材とを電気的に分離する分離工程とを含むことを特徴
とするものである。
【0014】また、請求項2記載の発明では、前記請求
項1記載の半導体装置の製造方法において、前記平板状
部材として熱伝導性の良好な熱放散板を用いたことを特
徴とするものである。
項1記載の半導体装置の製造方法において、前記平板状
部材として熱伝導性の良好な熱放散板を用いたことを特
徴とするものである。
【0015】また、請求項3記載の発明では、前記請求
項1記載の半導体装置の製造方法において、前記平板状
部材として第2のリードフレームを用いたことを特徴と
するものである。
項1記載の半導体装置の製造方法において、前記平板状
部材として第2のリードフレームを用いたことを特徴と
するものである。
【0016】また、請求項4記載の発明では、前記請求
項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記接合工程を実施する前に、前記分離工程で
実施される前記サポートバーの変形を容易とするための
変形部を前記サポートバーに形成することを特徴とする
ものである。
項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記接合工程を実施する前に、前記分離工程で
実施される前記サポートバーの変形を容易とするための
変形部を前記サポートバーに形成することを特徴とする
ものである。
【0017】また、請求項5記載の発明では、前記請求
項4記載の半導体装置の製造方法において、前記サポー
トバーに溝部を形成することにより前記変形部を構成し
たことを特徴とするものである。
項4記載の半導体装置の製造方法において、前記サポー
トバーに溝部を形成することにより前記変形部を構成し
たことを特徴とするものである。
【0018】また、請求項6記載の発明では、前記請求
項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記接合工程を実施する前に、前記分離工程で
実施される前記平板状部材の変形を容易とするための変
形部を前記平板状部材に形成することを特徴とするもの
である。
項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記接合工程を実施する前に、前記分離工程で
実施される前記平板状部材の変形を容易とするための変
形部を前記平板状部材に形成することを特徴とするもの
である。
【0019】また、請求項7記載の発明では、前記請求
項6記載の半導体装置の製造方法において、前記平板状
部材に溝部を形成することにより前記変形部を構成した
ことを特徴とするものである。
項6記載の半導体装置の製造方法において、前記平板状
部材に溝部を形成することにより前記変形部を構成した
ことを特徴とするものである。
【0020】また、請求項8記載の発明では、前記請求
項1乃至7記載の半導体装置の製造方法において、前記
サポートバーと前記平板状部材との接合方法としてレー
ザ溶接法を用いたことを特徴とするものである。
項1乃至7記載の半導体装置の製造方法において、前記
サポートバーと前記平板状部材との接合方法としてレー
ザ溶接法を用いたことを特徴とするものである。
【0021】また、請求項9記載の発明では、半導体チ
ップと、前記半導体チップとワイヤにより接続される複
数のリード端子と前記半導体チップが搭載される平板状
部材と、一端が前記平板状部材に接合されたサポートバ
ーと、少なくとも前記半導体チップ及び前記ワイヤを封
止する封止樹脂とを有してなる半導体装置において、前
記サポートバーまたは前記平板状部材を折曲形状とする
ことにより、前記平板状部材を前記リード端子の延在面
に対し離間させ、前記平板状部材と前記リード端子とを
電気的に絶縁した構成としたことを特徴とするものであ
る。
ップと、前記半導体チップとワイヤにより接続される複
数のリード端子と前記半導体チップが搭載される平板状
部材と、一端が前記平板状部材に接合されたサポートバ
ーと、少なくとも前記半導体チップ及び前記ワイヤを封
止する封止樹脂とを有してなる半導体装置において、前
記サポートバーまたは前記平板状部材を折曲形状とする
ことにより、前記平板状部材を前記リード端子の延在面
に対し離間させ、前記平板状部材と前記リード端子とを
電気的に絶縁した構成としたことを特徴とするものであ
る。
【0022】また、請求項10記載の発明では、前記請
求項9記載の半導体装置において、前記平板状部材は熱
伝導性の良好な熱放散板であることを特徴とするもので
ある。
求項9記載の半導体装置において、前記平板状部材は熱
伝導性の良好な熱放散板であることを特徴とするもので
ある。
【0023】更に、請求項11記載の発明では、前記請
求項9または10記載の半導体装置において、前記サポ
ートバーまたは前記平板状部材の折曲位置に、前記サポ
ートバーまたは前記平板状部材の変形を容易とするため
の変形部が形成されてなることを特徴とするものであ
る。
求項9または10記載の半導体装置において、前記サポ
ートバーまたは前記平板状部材の折曲位置に、前記サポ
ートバーまたは前記平板状部材の変形を容易とするため
の変形部が形成されてなることを特徴とするものであ
る。
【0024】上記の各手段は、次のように作用する。請
求項1記載の発明によれば、接合工程においてリード端
子が平板状部材と当接するよう、平板状部材とリードフ
レームとを重ね合わせる。この重ね合わされた状態で、
複数のリード端子は平板状部材と当接することにより、
平板状部材はリード端子を支持する支持部材として機能
し、よってリード端子が微細化された構成でもその機械
的強度は実質的に向上した状態となっている。
求項1記載の発明によれば、接合工程においてリード端
子が平板状部材と当接するよう、平板状部材とリードフ
レームとを重ね合わせる。この重ね合わされた状態で、
複数のリード端子は平板状部材と当接することにより、
平板状部材はリード端子を支持する支持部材として機能
し、よってリード端子が微細化された構成でもその機械
的強度は実質的に向上した状態となっている。
【0025】この状態において、リードフレームに形成
されているサポートバーと平板状部材とを接合する。こ
れにより、リードフレームと平板状部材とは一体化し、
従ってリードフレームと平板状部材とは電気的に接続し
た状態となる。また、素子搭載工程では、平板状部材上
に半導体チップが搭載される。
されているサポートバーと平板状部材とを接合する。こ
れにより、リードフレームと平板状部材とは一体化し、
従ってリードフレームと平板状部材とは電気的に接続し
た状態となる。また、素子搭載工程では、平板状部材上
に半導体チップが搭載される。
【0026】続いて実施されるワイヤボンディング工程
では、半導体チップと複数のリード端子との間にワイヤ
が配設される。この際、接合工程においてリード端子は
平板状部材と当接し支持された状態となっているため、
中空ボンディングとなることはなく、確実にワイヤボン
ディングを行なうことができる。従って、リード端子と
半導体チップとの電気的接続を確実に行なうことがで
き、信頼性を向上することができる。
では、半導体チップと複数のリード端子との間にワイヤ
が配設される。この際、接合工程においてリード端子は
平板状部材と当接し支持された状態となっているため、
中空ボンディングとなることはなく、確実にワイヤボン
ディングを行なうことができる。従って、リード端子と
半導体チップとの電気的接続を確実に行なうことがで
き、信頼性を向上することができる。
【0027】また、リード端子は平板状部材に直接当接
しており、従来と異なりリード端子と平板状部材との間
に粘着テープは介在しない。よって、後の工程において
加熱(キュア)処理が行なわれてもアウタガスが発生す
るようなことはなく、従って従来必要とされたリード端
子の洗浄処理は不要となる。このため、半導体装置の製
造工程の簡略化を図ることができ、延いては半導体装置
のコスト低減を図ることができる。
しており、従来と異なりリード端子と平板状部材との間
に粘着テープは介在しない。よって、後の工程において
加熱(キュア)処理が行なわれてもアウタガスが発生す
るようなことはなく、従って従来必要とされたリード端
子の洗浄処理は不要となる。このため、半導体装置の製
造工程の簡略化を図ることができ、延いては半導体装置
のコスト低減を図ることができる。
【0028】ワイヤボンディング工程の終了後に実施さ
れる分離工程では、サポートバーまたは平板状部材を変
形させることにより、複数のリード端子と平板状部材と
を離間させ、複数のリード端子と平板状部材とを電気的
に分離する。これにより、複数のリード端子は独立した
状態となり、リード端子同志が平板状部材によりショー
ト(短絡)することはない。
れる分離工程では、サポートバーまたは平板状部材を変
形させることにより、複数のリード端子と平板状部材と
を離間させ、複数のリード端子と平板状部材とを電気的
に分離する。これにより、複数のリード端子は独立した
状態となり、リード端子同志が平板状部材によりショー
ト(短絡)することはない。
【0029】また、請求項2及び請求項10記載の発明
によれば、平板状部材として熱伝導性の良好な熱放散板
を用いたことにより、平板状部材に半導体チップを搭載
するステージの機能、及びワイヤボンディング時におけ
るリード端子を支持する機能に加え、半導体チップで発
生する熱を放熱する放熱板としての機能を持たせること
ができる。よって、各機能を別個の部材により実現する
構成に比べ半導体装置の小型化を図ることができ、また
ハイパワーで発熱し易い半導体チップのパッケージとし
て適用することができる。
によれば、平板状部材として熱伝導性の良好な熱放散板
を用いたことにより、平板状部材に半導体チップを搭載
するステージの機能、及びワイヤボンディング時におけ
るリード端子を支持する機能に加え、半導体チップで発
生する熱を放熱する放熱板としての機能を持たせること
ができる。よって、各機能を別個の部材により実現する
構成に比べ半導体装置の小型化を図ることができ、また
ハイパワーで発熱し易い半導体チップのパッケージとし
て適用することができる。
【0030】また、請求項3記載の発明によれば、平板
状部材として第2のリードフレームを用いたことによ
り、平板状部材の加工もリードフレーム加工装置を用い
て行なうことができるため、製造効率の向上を図ること
ができる。また、平板状部材と第2のリードフレームと
の金属特性が等しくなるため、熱膨張等の影響に対し考
慮する必要がなくなり、設計の簡単化を図ることができ
る。
状部材として第2のリードフレームを用いたことによ
り、平板状部材の加工もリードフレーム加工装置を用い
て行なうことができるため、製造効率の向上を図ること
ができる。また、平板状部材と第2のリードフレームと
の金属特性が等しくなるため、熱膨張等の影響に対し考
慮する必要がなくなり、設計の簡単化を図ることができ
る。
【0031】また、請求項4及び請求項6記載の発明に
よれば、接合工程を実施する前に、サポートバーまたは
平板状部材に変形部を形成したことにより、分離工程で
実施されるサポートバーまたは平板状部材の変形処理を
容易に行なうことができ、リード端子と平板状部材との
電気的分離を確実に行なうことができる。
よれば、接合工程を実施する前に、サポートバーまたは
平板状部材に変形部を形成したことにより、分離工程で
実施されるサポートバーまたは平板状部材の変形処理を
容易に行なうことができ、リード端子と平板状部材との
電気的分離を確実に行なうことができる。
【0032】また、請求項5,請求項7,及び請求項1
1記載の発明によれば、サポートバーまたは平板状部材
に溝部を形成することにより変形部を構成したことによ
り、単に溝部を形成するだけの簡単な処理により変形部
を設けることができる。また、この溝部の形成は、リー
ドフレームまたは平板状部材の形成時に一括的に形成す
ることが可能であり、よって変形部を設けることにより
製造工程が増加することを回避することができる。
1記載の発明によれば、サポートバーまたは平板状部材
に溝部を形成することにより変形部を構成したことによ
り、単に溝部を形成するだけの簡単な処理により変形部
を設けることができる。また、この溝部の形成は、リー
ドフレームまたは平板状部材の形成時に一括的に形成す
ることが可能であり、よって変形部を設けることにより
製造工程が増加することを回避することができる。
【0033】更に、請求項8記載の発明によれば、サポ
ートバーと平板状部材との接合方法としてレーザ溶接法
を用いたことにより、サポートバーと平板状部材との接
合箇所が狭い場合であっても、確実にサポートバーと平
板状部材とを接合することができる。
ートバーと平板状部材との接合方法としてレーザ溶接法
を用いたことにより、サポートバーと平板状部材との接
合箇所が狭い場合であっても、確実にサポートバーと平
板状部材とを接合することができる。
【0034】即ち、多ピン化によりリード端子数が増大
すると、リード端子と同列に配設されるサポートバーの
幅寸法も制限されることとなり、従ってサポートバーと
平板状部材との接合箇所が狭くなる。しかるに、レーザ
溶接法ではレーザ光を絞ることにより狭所を溶接するこ
とが可能であり、よってレーザ溶接法を用いることによ
りサポートバーと平板状部材との接合箇所が狭い場合で
あっても、確実にサポートバーと平板状部材とを接合す
ることができる。
すると、リード端子と同列に配設されるサポートバーの
幅寸法も制限されることとなり、従ってサポートバーと
平板状部材との接合箇所が狭くなる。しかるに、レーザ
溶接法ではレーザ光を絞ることにより狭所を溶接するこ
とが可能であり、よってレーザ溶接法を用いることによ
りサポートバーと平板状部材との接合箇所が狭い場合で
あっても、確実にサポートバーと平板状部材とを接合す
ることができる。
【0035】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面と共に説明する。図1は、本発明の一実施例である
半導体装置10の断面図である。同図に示す半導体装置
10はQFP(Quad Flat Package)タイプのものを例に
示しており、大略するとサポートバー11,半導体チッ
プ12,リード端子13,ヒートスプレッタ14(熱放
散板),ワイヤ15,及び封止樹脂17(樹脂パッケー
ジ)等により構成されている。
図面と共に説明する。図1は、本発明の一実施例である
半導体装置10の断面図である。同図に示す半導体装置
10はQFP(Quad Flat Package)タイプのものを例に
示しており、大略するとサポートバー11,半導体チッ
プ12,リード端子13,ヒートスプレッタ14(熱放
散板),ワイヤ15,及び封止樹脂17(樹脂パッケー
ジ)等により構成されている。
【0036】半導体チップ12はいわゆるベアチップで
あり、その上面には複数のパッド18が形成されてい
る。本実施例に係る半導体装置1は小型化,高機能化に
対応したものであり、従って半導体チップ12には多く
のパッド18が形成され、各パッド3間ピッチPも小さ
くなっている。
あり、その上面には複数のパッド18が形成されてい
る。本実施例に係る半導体装置1は小型化,高機能化に
対応したものであり、従って半導体チップ12には多く
のパッド18が形成され、各パッド3間ピッチPも小さ
くなっている。
【0037】また、リード端子13は銅合金或いは42
アロイ等のリードフレーム材料によりなり、半導体チッ
プ12に設けられたパッド数に対応した数設けられてい
る。従って、リード端子13の配設数も増大する傾向に
あり、その先端部は微細になり機械的強度は弱くなって
いる。
アロイ等のリードフレーム材料によりなり、半導体チッ
プ12に設けられたパッド数に対応した数設けられてい
る。従って、リード端子13の配設数も増大する傾向に
あり、その先端部は微細になり機械的強度は弱くなって
いる。
【0038】このリード端子13のインナーリード部1
3aはワイヤ15により半導体チップ12に設けられた
パッド18に接続され、またリード端子13のアウター
リード部13bは封止樹脂17の外部に延出すると共
に、半導体装置10の表面実装を可能とするためガルウ
イング状に成形されている。
3aはワイヤ15により半導体チップ12に設けられた
パッド18に接続され、またリード端子13のアウター
リード部13bは封止樹脂17の外部に延出すると共
に、半導体装置10の表面実装を可能とするためガルウ
イング状に成形されている。
【0039】ヒートスプレッタ14は熱伝導性の良好な
板状の部材であり、その略中央位置には半導体チップ1
2が接着剤16を用いて固定されている。このヒートス
プレッタ14は、例えば銅タングステン合金材(W−C
u)が使用される。因みに、20%W−Cuにおける熱
膨張係数は400℃において5.1×10-6/℃、80
0℃において7.3〜7.7×10-6/℃であり、熱伝
導度は0.58 cal/cm sec ℃である。また、30%W
−Cuにおける熱膨張係数は400℃において10.6
×10-6/℃、800℃において12.0×10-6/℃
であり、熱伝導度は0.67cal/cm sec℃である。
板状の部材であり、その略中央位置には半導体チップ1
2が接着剤16を用いて固定されている。このヒートス
プレッタ14は、例えば銅タングステン合金材(W−C
u)が使用される。因みに、20%W−Cuにおける熱
膨張係数は400℃において5.1×10-6/℃、80
0℃において7.3〜7.7×10-6/℃であり、熱伝
導度は0.58 cal/cm sec ℃である。また、30%W
−Cuにおける熱膨張係数は400℃において10.6
×10-6/℃、800℃において12.0×10-6/℃
であり、熱伝導度は0.67cal/cm sec℃である。
【0040】即ち、ヒートスプレッタ14に銅タングス
テン合金材を使用することにより、熱伝導度がリード端
子13の材料である銅合金(0.25〜0.85 cal/c
m sec ℃)と比して同等のもので、熱放散性に優れてい
るものである。従って、後述する封止樹脂17を形成す
る樹脂封止工程等により加熱が行なわれても、熱膨張差
に起因した不都合が発生するようなことはない。
テン合金材を使用することにより、熱伝導度がリード端
子13の材料である銅合金(0.25〜0.85 cal/c
m sec ℃)と比して同等のもので、熱放散性に優れてい
るものである。従って、後述する封止樹脂17を形成す
る樹脂封止工程等により加熱が行なわれても、熱膨張差
に起因した不都合が発生するようなことはない。
【0041】一方、サポートバー11は、後述するよう
にリードフレーム状態においてはリード端子13と一体
化しているものであり、樹脂封止工程が終了して後に切
断されてリード端子13に対し独立した状態となるもの
である。このサポートバー11の内側端部はヒートスプ
レッタ14に溶接されることにより接合されている。
にリードフレーム状態においてはリード端子13と一体
化しているものであり、樹脂封止工程が終了して後に切
断されてリード端子13に対し独立した状態となるもの
である。このサポートバー11の内側端部はヒートスプ
レッタ14に溶接されることにより接合されている。
【0042】また、サポートバー11は折曲されてお
り、従ってヒートスプレッタ14はリード端子13の延
在面に対し離間した状態となっている。これにより、ヒ
ートスプレッタ14と各リード端子13は電気的に絶縁
した構成となっており、ヒートスプレッタ14によりリ
ード端子13同志がショート(短絡)するようなことは
ない。
り、従ってヒートスプレッタ14はリード端子13の延
在面に対し離間した状態となっている。これにより、ヒ
ートスプレッタ14と各リード端子13は電気的に絶縁
した構成となっており、ヒートスプレッタ14によりリ
ード端子13同志がショート(短絡)するようなことは
ない。
【0043】更に、封止樹脂17は半導体チップ12及
びワイヤ15を覆うように、またヒートスプレッタ14
と各リード端子13との間に介在するように形成されて
いる。この封止樹脂17は絶縁樹脂をモールド技術を用
いて形成所定形状に形成したものであり、半導体チップ
12及びワイヤ15を保護する機能と、ヒートスプレッ
タ14によりリード端子13とを絶縁する機能とを奏す
る。
びワイヤ15を覆うように、またヒートスプレッタ14
と各リード端子13との間に介在するように形成されて
いる。この封止樹脂17は絶縁樹脂をモールド技術を用
いて形成所定形状に形成したものであり、半導体チップ
12及びワイヤ15を保護する機能と、ヒートスプレッ
タ14によりリード端子13とを絶縁する機能とを奏す
る。
【0044】上記のように本実施例に係る半導体装置1
0は、ヒートスプレッタ14と各リード端子13とを絶
縁するために、従来用いていた粘着テープ6(図14及
び図15参照)は用いられておらず、ヒートスプレッタ
14を支持するサポートバー11を折曲させ、ヒートス
プレッタ14と各リード端子13とを離間させることに
より絶縁を行なっている。このため、薄い厚さの粘着テ
ープ6を用いて絶縁する構成に比べて、ヒートスプレッ
タ14とリード端子13との絶縁を高い信頼性をもって
行なうことができる。
0は、ヒートスプレッタ14と各リード端子13とを絶
縁するために、従来用いていた粘着テープ6(図14及
び図15参照)は用いられておらず、ヒートスプレッタ
14を支持するサポートバー11を折曲させ、ヒートス
プレッタ14と各リード端子13とを離間させることに
より絶縁を行なっている。このため、薄い厚さの粘着テ
ープ6を用いて絶縁する構成に比べて、ヒートスプレッ
タ14とリード端子13との絶縁を高い信頼性をもって
行なうことができる。
【0045】続いて、上記構成とされた半導体装置10
の製造方法について説明する。半導体装置10の製造に
は、接合工程,素子搭載工程,ワイヤボンディング工
程,分離工程,及び樹脂封止工程等の各種工程が実施さ
れる。以下、各工程の実施手順に沿って半導体装置10
の製造方法を説明する。
の製造方法について説明する。半導体装置10の製造に
は、接合工程,素子搭載工程,ワイヤボンディング工
程,分離工程,及び樹脂封止工程等の各種工程が実施さ
れる。以下、各工程の実施手順に沿って半導体装置10
の製造方法を説明する。
【0046】半導体装置10を製造するには、先ず接合
工程が実施される。図2乃至図4は接合工程を説明する
ための図である。図2は、リードフレーム20を示して
おり、このリードフレーム20は接合工程に先立ち実施
されるリードフレーム形成工程において形成されるもの
である。リードフレーム形成工程では、平板帯状の基材
にプレス用金型を用いて打ち抜き加工を行い、図2に示
すリードフレーム20を形成する。
工程が実施される。図2乃至図4は接合工程を説明する
ための図である。図2は、リードフレーム20を示して
おり、このリードフレーム20は接合工程に先立ち実施
されるリードフレーム形成工程において形成されるもの
である。リードフレーム形成工程では、平板帯状の基材
にプレス用金型を用いて打ち抜き加工を行い、図2に示
すリードフレーム20を形成する。
【0047】このリードフレーム20は平板形状をして
おり、枠状のクレドール21にサポートバー11及びリ
ード端子13が形成されている。複数のリード端子13
はタイバー22により連結保持されており、中央部に形
成された開口部29(半導体チップ12が装着される位
置となる)に向け延出するよう形成されている。また各
リード端子13において、タイバー22より内側がイン
ナーリード部13aとなり、タイバー22より外側がア
ウターリード部13bとなる。
おり、枠状のクレドール21にサポートバー11及びリ
ード端子13が形成されている。複数のリード端子13
はタイバー22により連結保持されており、中央部に形
成された開口部29(半導体チップ12が装着される位
置となる)に向け延出するよう形成されている。また各
リード端子13において、タイバー22より内側がイン
ナーリード部13aとなり、タイバー22より外側がア
ウターリード部13bとなる。
【0048】このインナーリード部13aの先端部は自
由端とされている。また、前記したように多ピン化が進
み半導体チップ12に形成されるパッド18のピッチが
縮小化すると、これに伴いインナーリード部13aの先
端部も微細になりその機械的強度は小さくなる。従っ
て、インナーリード部13aの先端部は変形し易い状態
となっている。
由端とされている。また、前記したように多ピン化が進
み半導体チップ12に形成されるパッド18のピッチが
縮小化すると、これに伴いインナーリード部13aの先
端部も微細になりその機械的強度は小さくなる。従っ
て、インナーリード部13aの先端部は変形し易い状態
となっている。
【0049】また、サポートバー11は開口部29の四
隅位置から内側に向け延出形成されており、本実施例で
は同一幅の板状形状とされている。このサポートバー1
1は、接合工程の段階ではリード端子13,クレドール
21と面一の状態となっており、従って折り曲げられて
はいない状態となっている。
隅位置から内側に向け延出形成されており、本実施例で
は同一幅の板状形状とされている。このサポートバー1
1は、接合工程の段階ではリード端子13,クレドール
21と面一の状態となっており、従って折り曲げられて
はいない状態となっている。
【0050】一方、図3はヒートスプレッタ14を示し
ており、このヒートスプレッタ14は接合工程に先立ち
実施されるヒートスプレッタ形成工程において形成され
るものである。ヒートスプレッタ形成工程では、前記し
た材質よりなる基材にプレス用金型を用いて打ち抜き加
工を行い、図3に示すヒートスプレッタ14を形成す
る。このヒートスプレッタ14は矩形形状を有する平板
状部材であり、その大きさは少なくともリードフレーム
20に形成されている開口部29の大きさよりも大きく
設定されている。
ており、このヒートスプレッタ14は接合工程に先立ち
実施されるヒートスプレッタ形成工程において形成され
るものである。ヒートスプレッタ形成工程では、前記し
た材質よりなる基材にプレス用金型を用いて打ち抜き加
工を行い、図3に示すヒートスプレッタ14を形成す
る。このヒートスプレッタ14は矩形形状を有する平板
状部材であり、その大きさは少なくともリードフレーム
20に形成されている開口部29の大きさよりも大きく
設定されている。
【0051】上記構成とされたヒートスプレッタ14
は、図4に示されるように、下側よりリードフレーム2
0に重ね合わされる。前記したようにヒートスプレッタ
14及びリードフレーム20は共に平板形状とされてい
るため、図4(B)に示されるように、ヒートスプレッ
タ14とリードフレーム20とは完全に一致した状態で
隙間なく重ね合わせることができる。従って、重ね合わ
せた状態において、ヒートスプレッタ14はリードフレ
ーム20に形成されている複数のリード端子13の全て
と当接した状態となっている。
は、図4に示されるように、下側よりリードフレーム2
0に重ね合わされる。前記したようにヒートスプレッタ
14及びリードフレーム20は共に平板形状とされてい
るため、図4(B)に示されるように、ヒートスプレッ
タ14とリードフレーム20とは完全に一致した状態で
隙間なく重ね合わせることができる。従って、重ね合わ
せた状態において、ヒートスプレッタ14はリードフレ
ーム20に形成されている複数のリード端子13の全て
と当接した状態となっている。
【0052】また、上記のようにリード端子13とヒー
トスプレッタ14が当接することにより、ヒートスプレ
ッタ14はリード端子13を支持する支持部材として機
能しすることとなる。よって、高密度化に伴いリード端
子13が微細化された構成であっても、その機械的強度
を実質的に向上することができる。
トスプレッタ14が当接することにより、ヒートスプレ
ッタ14はリード端子13を支持する支持部材として機
能しすることとなる。よって、高密度化に伴いリード端
子13が微細化された構成であっても、その機械的強度
を実質的に向上することができる。
【0053】上記のようにヒートスプレッタ14がリー
ドフレーム20と重ね合わされると、リードフレーム2
0に形成されているサポートバー11の先端部とヒート
スプレッタ14との溶接処理が行なわれる。図中、23
はサポートバー11とヒートスプレッタ14との溶接位
置を示している。
ドフレーム20と重ね合わされると、リードフレーム2
0に形成されているサポートバー11の先端部とヒート
スプレッタ14との溶接処理が行なわれる。図中、23
はサポートバー11とヒートスプレッタ14との溶接位
置を示している。
【0054】本実施例では、このサポートバー11とヒ
ートスプレッタ14とを接合する手段としてレーザ溶接
法を用いている。レーザ溶接法は、レーザ光を用いて溶
接を行なうものであるため、他の溶接方法に比べて小さ
な溶接スポットに対し溶接することが可能である。
ートスプレッタ14とを接合する手段としてレーザ溶接
法を用いている。レーザ溶接法は、レーザ光を用いて溶
接を行なうものであるため、他の溶接方法に比べて小さ
な溶接スポットに対し溶接することが可能である。
【0055】サポートバー11は前記したリード端子数
の増大に伴い必要最小限の大きさとする必要があり、そ
の幅は狭くなっている。しかるに、このように狭い幅を
有するサポートバー11であっても、レーザ溶接法を用
いることによりサポートバー11とヒートスプレッタ1
4との溶接を確実に行なうことができる。
の増大に伴い必要最小限の大きさとする必要があり、そ
の幅は狭くなっている。しかるに、このように狭い幅を
有するサポートバー11であっても、レーザ溶接法を用
いることによりサポートバー11とヒートスプレッタ1
4との溶接を確実に行なうことができる。
【0056】また、上記のようにヒートスプレッタ14
がリードフレーム20と重ね合わせ、かつサポートバー
11とヒートスプレッタ14とを溶接することにより、
ヒートスプレッタ14とリードフレーム20とは一体化
し、従って電気的に接続した状態となる。
がリードフレーム20と重ね合わせ、かつサポートバー
11とヒートスプレッタ14とを溶接することにより、
ヒートスプレッタ14とリードフレーム20とは一体化
し、従って電気的に接続した状態となる。
【0057】上記した接合工程が終了すると、続いて素
子搭載工程が実施される。素子搭載工程では、リードフ
レーム20に接合されたヒートスプレッタ14上に半導
体チップ12が搭載される。この際、半導体チップ12
は接着剤16を用いてヒートスプレッタ14に固定さ
れ、またその固定位置はリードフレーム20に形成され
た開口部29の略中央位置となるよう設定されている。
子搭載工程が実施される。素子搭載工程では、リードフ
レーム20に接合されたヒートスプレッタ14上に半導
体チップ12が搭載される。この際、半導体チップ12
は接着剤16を用いてヒートスプレッタ14に固定さ
れ、またその固定位置はリードフレーム20に形成され
た開口部29の略中央位置となるよう設定されている。
【0058】上記のように素子搭載工程において半導体
チップ12がヒートスプレッタ14上に搭載されると、
続いてワイヤボンディング工程が実施される。図5はワ
イヤボンディング工程が行なわれている状態を示し、ま
た図6はワイヤボンディング工程を実施した後の半導体
チップ12の近傍を拡大して示している。
チップ12がヒートスプレッタ14上に搭載されると、
続いてワイヤボンディング工程が実施される。図5はワ
イヤボンディング工程が行なわれている状態を示し、ま
た図6はワイヤボンディング工程を実施した後の半導体
チップ12の近傍を拡大して示している。
【0059】ワイヤボンディング工程では、半導体チッ
プ12に形成されたパッド18と、これに対応するよう
形成された複数のリード端子13との間にワイヤ15が
配設される。このワイヤ15とパッド18及びリード端
子13との接続は、キャピラリ(図示せず)を用いた超
音波溶接法により行なわれる。
プ12に形成されたパッド18と、これに対応するよう
形成された複数のリード端子13との間にワイヤ15が
配設される。このワイヤ15とパッド18及びリード端
子13との接続は、キャピラリ(図示せず)を用いた超
音波溶接法により行なわれる。
【0060】ところで、超音波溶接法は発生した超音波
振動エネルギーを被接合箇所に印加して接合処理を行な
う方法であるため、被接合箇所が移動可能な場合には超
音波振動が拡散してしまい、超音波溶接を良好な状態で
行なうことができなくなる。特に、ワイヤボンディング
処理において、リード端子が変位してしまうことにより
超音波溶接を良好に行なえない状態を中空ボンディング
という。
振動エネルギーを被接合箇所に印加して接合処理を行な
う方法であるため、被接合箇所が移動可能な場合には超
音波振動が拡散してしまい、超音波溶接を良好な状態で
行なうことができなくなる。特に、ワイヤボンディング
処理において、リード端子が変位してしまうことにより
超音波溶接を良好に行なえない状態を中空ボンディング
という。
【0061】しかるに本実施例の製造方法では、ワイヤ
ボンディング工程に先立ち実施される接合工程におい
て、リード端子13はヒートスプレッタ14と当接され
支持された状態となっている。このため、ワイヤボンデ
ィング処理において中空ボンディングとなることはな
く、確実にワイヤ15をリード端子13にボンディング
することができる。従って、リード端子13と半導体チ
ップ12との電気的接続を確実に行なうことができ、製
造される半導体装置10の信頼性を向上することができ
る。
ボンディング工程に先立ち実施される接合工程におい
て、リード端子13はヒートスプレッタ14と当接され
支持された状態となっている。このため、ワイヤボンデ
ィング処理において中空ボンディングとなることはな
く、確実にワイヤ15をリード端子13にボンディング
することができる。従って、リード端子13と半導体チ
ップ12との電気的接続を確実に行なうことができ、製
造される半導体装置10の信頼性を向上することができ
る。
【0062】また、上記のようにリード端子13はヒー
トスプレッタ14に直接当接しており、従来と異なりリ
ード端子13とヒートスプレッタ14との間に粘着テー
プは介在しない。よって、後の工程において加熱(キュ
ア)処理が行なわれても粘着テープに起因してアウタガ
スが発生するようなことはなく、従って従来必要とされ
たリード端子13の洗浄処理は不要となる。このため、
半導体装置の製造工程の簡略化を図ることができ、延い
ては半導体装置10のコスト低減を図ることができる。
トスプレッタ14に直接当接しており、従来と異なりリ
ード端子13とヒートスプレッタ14との間に粘着テー
プは介在しない。よって、後の工程において加熱(キュ
ア)処理が行なわれても粘着テープに起因してアウタガ
スが発生するようなことはなく、従って従来必要とされ
たリード端子13の洗浄処理は不要となる。このため、
半導体装置の製造工程の簡略化を図ることができ、延い
ては半導体装置10のコスト低減を図ることができる。
【0063】上記したワイヤボンディング工程が終了
し、半導体チップ12とリード端子13との間にワイヤ
15が配設されると、続いて分離工程が実施される。こ
の分離工程が実施される前の状態ては、図4(B)及び
図6に示されるように、リード端子13及びサポートバ
ー11が形成されたリードフレーム20はヒートスプレ
ッタ14に直接当接し電気的に接続された状態となって
いる。
し、半導体チップ12とリード端子13との間にワイヤ
15が配設されると、続いて分離工程が実施される。こ
の分離工程が実施される前の状態ては、図4(B)及び
図6に示されるように、リード端子13及びサポートバ
ー11が形成されたリードフレーム20はヒートスプレ
ッタ14に直接当接し電気的に接続された状態となって
いる。
【0064】ワイヤボンディング工程の終了後に実施さ
れる分離工程では、サポートバー11またはヒートスプ
レッタ14を変形させることにより、複数のリード端子
13とヒートスプレッタ14とを離間させ、複数のリー
ド端子13とヒートスプレッタ14とを電気的に分離す
る。
れる分離工程では、サポートバー11またはヒートスプ
レッタ14を変形させることにより、複数のリード端子
13とヒートスプレッタ14とを離間させ、複数のリー
ド端子13とヒートスプレッタ14とを電気的に分離す
る。
【0065】尚、本実施例においては、サポートバー1
1を変形させる例について説明している。また、本実施
例においては、後述するようにリード端子13とヒート
スプレッタ14とを電気的に分離する処理は、封止樹脂
17を成形する樹脂成形工程が実施された後に実施され
る。
1を変形させる例について説明している。また、本実施
例においては、後述するようにリード端子13とヒート
スプレッタ14とを電気的に分離する処理は、封止樹脂
17を成形する樹脂成形工程が実施された後に実施され
る。
【0066】図7乃至図9は分離工程においてサポート
バー11を変形させる処理を示している。サポートバー
11を変形させるには、先ず図7に示されるように、プ
レス装置に接続された変形用治具24をサポートバー1
1の上部に装着する。この変形用治具24の装着位置
は、例えばサポートバー11とヒートスプレッタ14と
の接合部23と一致するよう設定されている。
バー11を変形させる処理を示している。サポートバー
11を変形させるには、先ず図7に示されるように、プ
レス装置に接続された変形用治具24をサポートバー1
1の上部に装着する。この変形用治具24の装着位置
は、例えばサポートバー11とヒートスプレッタ14と
の接合部23と一致するよう設定されている。
【0067】続いて、プレス装置を駆動して変形用治具
24を図中下方に向け移動させる。この際、図示しない
固定治具によりリードフレーム20は位置規制されてい
る。従って、変形用治具24を下動させることにより、
図8に示されるようにサポートバー11は塑性変形す
る。
24を図中下方に向け移動させる。この際、図示しない
固定治具によりリードフレーム20は位置規制されてい
る。従って、変形用治具24を下動させることにより、
図8に示されるようにサポートバー11は塑性変形す
る。
【0068】また、このサポートバー11の変形に伴
い、サポートバー11に溶接固定されたヒートスプレッ
タ14も下動し、よってヒートスプレッタ14はリード
フレーム20から離間した状態となる。このように、サ
ポートバー11が変形しリードフレーム20からヒート
スプレッタ14から離間した状態となると、プレス装置
により変形用治具24は図中上方に向け移動され、図9
に示されるように、変形用治具24はサポートバー11
から離間した状態となる。
い、サポートバー11に溶接固定されたヒートスプレッ
タ14も下動し、よってヒートスプレッタ14はリード
フレーム20から離間した状態となる。このように、サ
ポートバー11が変形しリードフレーム20からヒート
スプレッタ14から離間した状態となると、プレス装置
により変形用治具24は図中上方に向け移動され、図9
に示されるように、変形用治具24はサポートバー11
から離間した状態となる。
【0069】この後、サポートバー11及びリード端子
13はリードフレーム20のクレドール21から切断さ
れ、またタイバー22も切断除去され、サポートバー1
1及びリード端子13は夫々電気的に独立することとな
るが、本実施例ではサポートバー11及びリード端子1
3を夫々電気的に独立させる前に、封止樹脂17を形成
する樹脂封止工程を実施する方法を用いている。
13はリードフレーム20のクレドール21から切断さ
れ、またタイバー22も切断除去され、サポートバー1
1及びリード端子13は夫々電気的に独立することとな
るが、本実施例ではサポートバー11及びリード端子1
3を夫々電気的に独立させる前に、封止樹脂17を形成
する樹脂封止工程を実施する方法を用いている。
【0070】これは、封止樹脂17を形成する前にサポ
ートバー11及びリード端子13を独立させると、樹脂
封止工程を行なう際にサポートバー11及びリード端子
13を支持する治具が別個に必要となるためである。
尚、封止樹脂17を形成する樹脂封止工程は周知の方法
で実施され、具体的には図9に示す状態のリードフレー
ム20及びヒートスプレッタ14をモールド金型に装填
し、モールド金型に形成されている所定形状のキャビテ
ィに樹脂を充填することにより行なう。
ートバー11及びリード端子13を独立させると、樹脂
封止工程を行なう際にサポートバー11及びリード端子
13を支持する治具が別個に必要となるためである。
尚、封止樹脂17を形成する樹脂封止工程は周知の方法
で実施され、具体的には図9に示す状態のリードフレー
ム20及びヒートスプレッタ14をモールド金型に装填
し、モールド金型に形成されている所定形状のキャビテ
ィに樹脂を充填することにより行なう。
【0071】樹脂封止工程が終了し封止樹脂17が形成
された状態で、半導体チップ12,ヒートスプレッタ1
4,ワイヤ15は封止樹脂17に埋設され保護され、ま
たリードフレーム20を構成するサポートバー11及び
リード端子13の一部は封止樹脂17より外部に延出し
た構成となる。具体的には、リード端子13はタイバー
22の形成位置より若干手前位置から封止樹脂17の外
部に露出した状態となり、サポートバー11もこれに相
応する部分が露出する。
された状態で、半導体チップ12,ヒートスプレッタ1
4,ワイヤ15は封止樹脂17に埋設され保護され、ま
たリードフレーム20を構成するサポートバー11及び
リード端子13の一部は封止樹脂17より外部に延出し
た構成となる。具体的には、リード端子13はタイバー
22の形成位置より若干手前位置から封止樹脂17の外
部に露出した状態となり、サポートバー11もこれに相
応する部分が露出する。
【0072】上記のように封止樹脂17が形成される
と、切断用金型(図示せず)を用いてサポートバー11
及びリード端子13をクレドール21から切断すると共
にタイバー22を切断除去する。これにより、サポート
バー11とリード端子13とは夫々電気的に独立した状
態となり、従ってサポートバー11に接合されているヒ
ートスプレッタ14も各リード端子13に対し絶縁され
た状態となる。また、上記の切断処理時に、リード端子
13の封止樹脂17から露出した部分(即ち、アウター
リード部13b)をガルウイング状に成形処理する。上
記した一連の製造工程を実施することにより、図1に示
す半導体装置10が製造される。
と、切断用金型(図示せず)を用いてサポートバー11
及びリード端子13をクレドール21から切断すると共
にタイバー22を切断除去する。これにより、サポート
バー11とリード端子13とは夫々電気的に独立した状
態となり、従ってサポートバー11に接合されているヒ
ートスプレッタ14も各リード端子13に対し絶縁され
た状態となる。また、上記の切断処理時に、リード端子
13の封止樹脂17から露出した部分(即ち、アウター
リード部13b)をガルウイング状に成形処理する。上
記した一連の製造工程を実施することにより、図1に示
す半導体装置10が製造される。
【0073】尚、上記した分離工程において、サポート
バー11及びリード端子13をクレドール21から切断
すると共にタイバー22を切断除去する処理は、従来の
半導体装置の製造方法においても実施されているもので
あり、特に本実施例の製造方法において設けたものでは
ない。
バー11及びリード端子13をクレドール21から切断
すると共にタイバー22を切断除去する処理は、従来の
半導体装置の製造方法においても実施されているもので
あり、特に本実施例の製造方法において設けたものでは
ない。
【0074】また、上記した実施例ではQFPタイプの
表面実装型の半導体装置10を例に挙げて説明したが、
他のパッケージ構成の半導体装置についても本発明に係
る製造方法は適用できるものである。また、上記した実
施例ではヒートスプレッタ14をリードフレーム20と
別材料により構成したが、ヒートスプレッタ14として
リードフレーム20と同質のリードフレーム材(第2の
リードフレーム)を用いる構成としてもよい。この構成
とすることにより、リードフレーム20の加工に用いる
リードフレーム加工装置を用いてヒートスプレッタ14
の加工も行なうことが可能となり、半導体装置の製造効
率の向上を図ることができる。また、ヒートスプレッタ
14とリードフレーム20の金属特性が等しくなるた
め、熱膨張等の影響に対し考慮する必要がなくなり、設
計の簡単化を図ることができる。
表面実装型の半導体装置10を例に挙げて説明したが、
他のパッケージ構成の半導体装置についても本発明に係
る製造方法は適用できるものである。また、上記した実
施例ではヒートスプレッタ14をリードフレーム20と
別材料により構成したが、ヒートスプレッタ14として
リードフレーム20と同質のリードフレーム材(第2の
リードフレーム)を用いる構成としてもよい。この構成
とすることにより、リードフレーム20の加工に用いる
リードフレーム加工装置を用いてヒートスプレッタ14
の加工も行なうことが可能となり、半導体装置の製造効
率の向上を図ることができる。また、ヒートスプレッタ
14とリードフレーム20の金属特性が等しくなるた
め、熱膨張等の影響に対し考慮する必要がなくなり、設
計の簡単化を図ることができる。
【0075】更に、上記した実施例ではサポートバー1
1を変形させることによりリード端子13からヒートス
プレッタ14を離間させる構成としたが、サポートバー
11に相当する構成をヒートスプレッタ14に設け、ヒ
ートスプレッタ14を変形させることによりリード端子
13からヒートスプレッタ14を離間させる構成として
もよい。
1を変形させることによりリード端子13からヒートス
プレッタ14を離間させる構成としたが、サポートバー
11に相当する構成をヒートスプレッタ14に設け、ヒ
ートスプレッタ14を変形させることによりリード端子
13からヒートスプレッタ14を離間させる構成として
もよい。
【0076】ところで、本実施例に係る半導体装置の製
造方法では、ワイヤボンディング工程を実施する前にお
いてはヒートスプレッタ14とリードフレーム20とを
重ね合わせた状態としておき、ワイヤボンディング工程
が終了した後にヒートスプレッタ14とリードフレーム
20とを離間させ、ヒートスプレッタ14と各リード端
子13とを絶縁することを特徴としている。
造方法では、ワイヤボンディング工程を実施する前にお
いてはヒートスプレッタ14とリードフレーム20とを
重ね合わせた状態としておき、ワイヤボンディング工程
が終了した後にヒートスプレッタ14とリードフレーム
20とを離間させ、ヒートスプレッタ14と各リード端
子13とを絶縁することを特徴としている。
【0077】従って、ワイヤ15を配設した後にサポー
トバー11(或いはヒートスプレッタ14)を変形さ
せ、ヒートスプレッタ14をリード端子13から離間さ
せる必要がある。この際、既に半導体チップ12とリー
ド端子13との間にはワイヤ15が配設されているた
め、ワイヤ15にダメージを与えないようサポートバー
11或いはヒートスプレッタ14の変形は円滑に行なえ
ることが望ましい。
トバー11(或いはヒートスプレッタ14)を変形さ
せ、ヒートスプレッタ14をリード端子13から離間さ
せる必要がある。この際、既に半導体チップ12とリー
ド端子13との間にはワイヤ15が配設されているた
め、ワイヤ15にダメージを与えないようサポートバー
11或いはヒートスプレッタ14の変形は円滑に行なえ
ることが望ましい。
【0078】図10乃至図13に示す構成は、サポート
バー11或いはヒートスプレッタ14に変形部25,2
7を設けることによりサポートバー11或いはヒートス
プレッタ14の変形を容易に行なえるよう構成したもの
である。以下、変形部25,27について説明する。
バー11或いはヒートスプレッタ14に変形部25,2
7を設けることによりサポートバー11或いはヒートス
プレッタ14の変形を容易に行なえるよう構成したもの
である。以下、変形部25,27について説明する。
【0079】図10乃至図12は、サポートバー11に
変形部25を設けた構成を示している。図10に示され
るように、変形部25はサポートバー11の溶接部26
に近い位置に形成されている。この変形部25は、図1
1に拡大して示すように、サポートバー11の位置部に
溝部30を形成した構成とされている。この溝部30
は、リードフレーム20を構成するリード端子13,サ
ポートバー11等の形成時に一括的に形成されるもので
あり、この溝部30を形成することにより製造工程が複
雑化するようなことはない。
変形部25を設けた構成を示している。図10に示され
るように、変形部25はサポートバー11の溶接部26
に近い位置に形成されている。この変形部25は、図1
1に拡大して示すように、サポートバー11の位置部に
溝部30を形成した構成とされている。この溝部30
は、リードフレーム20を構成するリード端子13,サ
ポートバー11等の形成時に一括的に形成されるもので
あり、この溝部30を形成することにより製造工程が複
雑化するようなことはない。
【0080】このように、サポートバー11に溝部30
を形成し変形部25を設けることにより、変形部25に
おけるサポートバー11の幅寸法は他の部位に比べて細
くなるため変形し易くなる。このため、分離工程におい
て変形治具24を用いてサポートバー11を変形付勢し
た際、図12に示すように主に変形部25が変形するこ
ととなり、サポートバー11の変形を容易に行なうこと
ができる。これにより、リード端子13とヒートスプレ
ッタ14との電気的分離を確実に行なうことができる。
を形成し変形部25を設けることにより、変形部25に
おけるサポートバー11の幅寸法は他の部位に比べて細
くなるため変形し易くなる。このため、分離工程におい
て変形治具24を用いてサポートバー11を変形付勢し
た際、図12に示すように主に変形部25が変形するこ
ととなり、サポートバー11の変形を容易に行なうこと
ができる。これにより、リード端子13とヒートスプレ
ッタ14との電気的分離を確実に行なうことができる。
【0081】尚、上記したように変形部の形成位置はサ
ポートバー11に限定されるものではなく、図13に示
されるようにヒートスプレッタ14に溝部30を形成し
変形部27を設けた構成としてもよい。この構成では、
分離工程においてヒートスプレッタ14の変形を容易に
行なうことができ、これによってもリード端子13とヒ
ートスプレッタ14との電気的分離を確実に行なうこと
ができる。
ポートバー11に限定されるものではなく、図13に示
されるようにヒートスプレッタ14に溝部30を形成し
変形部27を設けた構成としてもよい。この構成では、
分離工程においてヒートスプレッタ14の変形を容易に
行なうことができ、これによってもリード端子13とヒ
ートスプレッタ14との電気的分離を確実に行なうこと
ができる。
【0082】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項1記載の発
明によれば、接合工程においてリード端子は平板状部材
と当接し支持された状態となっているため、ワイヤボン
ディング工程において半導体チップとリード端子との間
にワイヤを配設する際、中空ボンディングとなることは
なく確実にワイヤボンディングを行なうことができる。
従って、リード端子と半導体チップとの電気的接続を確
実に行なうことができ、信頼性を向上することができ
る。
種々の効果を実現することができる。請求項1記載の発
明によれば、接合工程においてリード端子は平板状部材
と当接し支持された状態となっているため、ワイヤボン
ディング工程において半導体チップとリード端子との間
にワイヤを配設する際、中空ボンディングとなることは
なく確実にワイヤボンディングを行なうことができる。
従って、リード端子と半導体チップとの電気的接続を確
実に行なうことができ、信頼性を向上することができ
る。
【0083】また、リード端子は平板状部材に直接当接
し、両者の間に粘着テープは介在しないため、その後の
工程において加熱(キュア)処理が行なわれてもアウタ
ガスが発生するようなことはなく、従って従来必要とさ
れたリード端子の洗浄処理は不要となる。このため、半
導体装置の製造工程の簡略化を図ることができ、延いて
は半導体装置のコスト低減を図ることができる。
し、両者の間に粘着テープは介在しないため、その後の
工程において加熱(キュア)処理が行なわれてもアウタ
ガスが発生するようなことはなく、従って従来必要とさ
れたリード端子の洗浄処理は不要となる。このため、半
導体装置の製造工程の簡略化を図ることができ、延いて
は半導体装置のコスト低減を図ることができる。
【0084】また、ワイヤボンディング工程の終了後に
実施される分離工程では、サポートバーまたは平板状部
材を変形させることにより複数のリード端子と平板状部
材とを電気的に分離するため、複数のリード端子は独立
した状態となり、リード端子同志が平板状部材によりシ
ョートすることを防止できる。
実施される分離工程では、サポートバーまたは平板状部
材を変形させることにより複数のリード端子と平板状部
材とを電気的に分離するため、複数のリード端子は独立
した状態となり、リード端子同志が平板状部材によりシ
ョートすることを防止できる。
【0085】また、請求項2及び請求項10記載の発明
によれば、平板状部材に半導体チップを搭載するステー
ジの機能、及びワイヤボンディング時におけるリード端
子を支持する機能に加え、半導体チップで発生する熱を
放熱する放熱板としての機能を持たせることができるた
め、各機能を別個の部材により実現する構成に比べ半導
体装置の小型化を図ることができ、またハイパワーで発
熱し易い半導体チップのパッケージとして適用すること
ができる。
によれば、平板状部材に半導体チップを搭載するステー
ジの機能、及びワイヤボンディング時におけるリード端
子を支持する機能に加え、半導体チップで発生する熱を
放熱する放熱板としての機能を持たせることができるた
め、各機能を別個の部材により実現する構成に比べ半導
体装置の小型化を図ることができ、またハイパワーで発
熱し易い半導体チップのパッケージとして適用すること
ができる。
【0086】また、請求項3記載の発明によれば、平板
状部材の加工もリードフレーム加工装置を用いて行なう
ことができるため製造効率の向上を図ることができ、ま
た平板状部材と第2のリードフレームとの金属特性が等
しくなるため、熱膨張等の影響に対し考慮する必要がな
くなり設計の簡単化を図ることができる。
状部材の加工もリードフレーム加工装置を用いて行なう
ことができるため製造効率の向上を図ることができ、ま
た平板状部材と第2のリードフレームとの金属特性が等
しくなるため、熱膨張等の影響に対し考慮する必要がな
くなり設計の簡単化を図ることができる。
【0087】また、請求項4及び請求項6記載の発明に
よれば、分離工程で実施されるサポートバーまたは平板
状部材の変形処理を容易に行なうことができ、リード端
子と平板状部材との電気的分離を確実に行なうことがで
きる。また、請求項5,請求項7,及び請求項11記載
の発明によれば、単に溝部を形成するだけの簡単な処理
により変形部を設けることができ、また溝部の形成はリ
ードフレームまたは平板状部材の形成時に一括的に形成
することが可能であるため、変形部を設けることにより
製造工程が増加することを回避することができる。
よれば、分離工程で実施されるサポートバーまたは平板
状部材の変形処理を容易に行なうことができ、リード端
子と平板状部材との電気的分離を確実に行なうことがで
きる。また、請求項5,請求項7,及び請求項11記載
の発明によれば、単に溝部を形成するだけの簡単な処理
により変形部を設けることができ、また溝部の形成はリ
ードフレームまたは平板状部材の形成時に一括的に形成
することが可能であるため、変形部を設けることにより
製造工程が増加することを回避することができる。
【0088】更に、請求項8記載の発明によれば、サポ
ートバーと平板状部材との接合箇所が狭い場合であって
も、確実にサポートバーと平板状部材とを接合すること
ができる。
ートバーと平板状部材との接合箇所が狭い場合であって
も、確実にサポートバーと平板状部材とを接合すること
ができる。
【図1】本発明の一実施例である半導体装置の断面図で
ある。
ある。
【図2】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
の内、接合工程を説明するための図(その1)である。
の内、接合工程を説明するための図(その1)である。
【図3】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
の内、接合工程を説明するための図(その2)である。
の内、接合工程を説明するための図(その2)である。
【図4】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
の内、接合工程を説明するための図(その3)である。
の内、接合工程を説明するための図(その3)である。
【図5】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
の内、素子搭載工程及びワイヤボンディング工程を説明
するための図(その1)である。
の内、素子搭載工程及びワイヤボンディング工程を説明
するための図(その1)である。
【図6】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
の内、素子搭載工程及びワイヤボンディング工程を説明
するための図(その2)である。
の内、素子搭載工程及びワイヤボンディング工程を説明
するための図(その2)である。
【図7】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
の内、分離工程を説明するための図(その1)である。
の内、分離工程を説明するための図(その1)である。
【図8】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
の内、分離工程を説明するための図(その2)である。
の内、分離工程を説明するための図(その2)である。
【図9】本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
の内、分離工程を説明するための図(その3)である。
の内、分離工程を説明するための図(その3)である。
【図10】サポートバーに形成される変形部を説明する
ための図である。
ための図である。
【図11】サポートバーに形成される変形部を拡大して
示す図である(変形前の状態)。
示す図である(変形前の状態)。
【図12】サポートバーに形成される変形部を拡大して
示す図である(変形後の状態)。
示す図である(変形後の状態)。
【図13】ヒートスプレッタに形成される変形部を説明
するための図である。
するための図である。
【図14】従来の半導体装置の一例を示す図である。
【図15】従来の一例である半導体装置の半導体チップ
近傍を拡大して示す図である。
近傍を拡大して示す図である。
10 半導体装置 11 サポートバー 12 半導体チップ 13 リード端子 13a インナーリード部 14 ヒートスプレッタ 15 ワイヤ 17 封止樹脂 18 パッド 20 リードフレーム 22 タイバー 23,26,28 溶接部 25,27 変形部 30 溝部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若生 克則 宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘1番 地の1 株式会社富士通宮城エレクトロニ クス内
Claims (11)
- 【請求項1】 複数のリード端子とサポートバーが形成
された平板状のリードフレームに、少なくとも前記複数
のリード端子に当接した状態となるよう平板状部材を重
ね合わせると共に、前記サポートバーに前記平板状部材
を接合する接合工程と、 前記リードフレームに接合された前記平板状部材上に半
導体チップを搭載する素子搭載工程と、 前記半導体チップと前記複数のリード端子との間にワイ
ヤを配設するワイヤボンディング工程と、 前記ワイヤボンディング工程の終了後、前記サポートバ
ーまたは前記平板状部材を変形させることにより前記複
数のリード端子と前記平板状部材とを離間させ、前記複
数のリード端子と前記平板状部材とを電気的に分離する
分離工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記平板状部材として熱伝導性の良好な熱放散板を用い
たことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 請求項1記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記平板状部材として第2のリードフレームを用いたこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 請求項1乃至3のいずれかに記載の半導
体装置の製造方法において、 前記接合工程を実施する前に、前記分離工程で実施され
る前記サポートバーの変形を容易とするための変形部を
前記サポートバーに形成することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項5】 請求項4記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記サポートバーに溝部を形成することにより前記変形
部を構成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項6】 請求項1乃至3のいずれかに記載の半導
体装置の製造方法において、 前記接合工程を実施する前に、前記分離工程で実施され
る前記平板状部材の変形を容易とするための変形部を前
記平板状部材に形成することを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項7】 請求項6記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記平板状部材に溝部を形成することにより前記変形部
を構成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項8】 請求項1乃至7記載の半導体装置の製造
方法において、 前記サポートバーと前記平板状部材との接合方法として
レーザ溶接法を用いたことを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項9】 半導体チップと、 前記半導体チップとワイヤにより接続される複数のリー
ド端子と前記半導体チップが搭載される平板状部材と、 一端が前記平板状部材に接合されたサポートバーと、 少なくとも前記半導体チップ及び前記ワイヤを封止する
封止樹脂とを有してなる半導体装置において、 前記サポートバーまたは前記平板状部材を折曲形状とす
ることにより、前記平板状部材を前記リード端子の延在
面に対し離間させ、前記平板状部材と前記リード端子と
を電気的に絶縁した構成としたことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項10】 請求項9記載の半導体装置において、 前記平板状部材は熱伝導性の良好な熱放散板であること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項11】 請求項9または10記載の半導体装置
において、 前記サポートバーまたは前記平板状部材の折曲位置に、
前記サポートバーまたは前記平板状部材の変形を容易と
するための変形部が形成されてなることを特徴とする半
導体装置。
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---|---|---|---|
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US08/839,796 US5804469A (en) | 1996-11-11 | 1997-04-18 | Semiconductor device and method for producing a semiconductor device |
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KR1019970019486A KR100267159B1 (en) | 1996-11-11 | 1997-05-20 | Smiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US09/102,005 US6222258B1 (en) | 1996-11-11 | 1998-06-22 | Semiconductor device and method for producing a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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---|---|
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010177402A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Renesas Electronics Corp | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
JP2018527762A (ja) * | 2015-09-01 | 2018-09-20 | マコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス, インコーポレイテッドMacom Technology Solutions Holdings, Inc. | エアキャビティパッケージ |
Families Citing this family (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6143981A (en) | 1998-06-24 | 2000-11-07 | Amkor Technology, Inc. | Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package |
KR200309906Y1 (ko) * | 1999-06-30 | 2003-04-14 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 |
US6576988B2 (en) | 1999-08-30 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor package |
US6339253B1 (en) * | 1999-08-30 | 2002-01-15 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor package |
JP3062192B1 (ja) * | 1999-09-01 | 2000-07-10 | 松下電子工業株式会社 | リ―ドフレ―ムとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
KR20010037247A (ko) * | 1999-10-15 | 2001-05-07 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지 |
KR100421774B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2004-03-10 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 및 그 제조 방법 |
US7042068B2 (en) | 2000-04-27 | 2006-05-09 | Amkor Technology, Inc. | Leadframe and semiconductor package made using the leadframe |
JP4801243B2 (ja) * | 2000-08-08 | 2011-10-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | リードフレームおよびそれを用いて製造した半導体装置並びにその製造方法 |
JP3602453B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2004-12-15 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US6545345B1 (en) | 2001-03-20 | 2003-04-08 | Amkor Technology, Inc. | Mounting for a package containing a chip |
KR100393448B1 (ko) * | 2001-03-27 | 2003-08-02 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
KR100369393B1 (ko) * | 2001-03-27 | 2003-02-05 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법 |
US6597059B1 (en) | 2001-04-04 | 2003-07-22 | Amkor Technology, Inc. | Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package |
US6608366B1 (en) | 2002-04-15 | 2003-08-19 | Harry J. Fogelson | Lead frame with plated end leads |
US6818973B1 (en) | 2002-09-09 | 2004-11-16 | Amkor Technology, Inc. | Exposed lead QFP package fabricated through the use of a partial saw process |
US6905914B1 (en) | 2002-11-08 | 2005-06-14 | Amkor Technology, Inc. | Wafer level package and fabrication method |
US7723210B2 (en) | 2002-11-08 | 2010-05-25 | Amkor Technology, Inc. | Direct-write wafer level chip scale package |
US6798047B1 (en) | 2002-12-26 | 2004-09-28 | Amkor Technology, Inc. | Pre-molded leadframe |
US6750545B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-06-15 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package capable of die stacking |
US6794740B1 (en) | 2003-03-13 | 2004-09-21 | Amkor Technology, Inc. | Leadframe package for semiconductor devices |
US7507603B1 (en) | 2005-12-02 | 2009-03-24 | Amkor Technology, Inc. | Etch singulated semiconductor package |
US7572681B1 (en) | 2005-12-08 | 2009-08-11 | Amkor Technology, Inc. | Embedded electronic component package |
JP2007300059A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-11-15 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US7902660B1 (en) | 2006-05-24 | 2011-03-08 | Amkor Technology, Inc. | Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7968998B1 (en) | 2006-06-21 | 2011-06-28 | Amkor Technology, Inc. | Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package |
JP5076440B2 (ja) * | 2006-10-16 | 2012-11-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7687893B2 (en) | 2006-12-27 | 2010-03-30 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package having leadframe with exposed anchor pads |
US7829990B1 (en) | 2007-01-18 | 2010-11-09 | Amkor Technology, Inc. | Stackable semiconductor package including laminate interposer |
US7982297B1 (en) | 2007-03-06 | 2011-07-19 | Amkor Technology, Inc. | Stackable semiconductor package having partially exposed semiconductor die and method of fabricating the same |
US7977774B2 (en) | 2007-07-10 | 2011-07-12 | Amkor Technology, Inc. | Fusion quad flat semiconductor package |
US7687899B1 (en) | 2007-08-07 | 2010-03-30 | Amkor Technology, Inc. | Dual laminate package structure with embedded elements |
US7777351B1 (en) | 2007-10-01 | 2010-08-17 | Amkor Technology, Inc. | Thin stacked interposer package |
US8089159B1 (en) | 2007-10-03 | 2012-01-03 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same |
US7847386B1 (en) | 2007-11-05 | 2010-12-07 | Amkor Technology, Inc. | Reduced size stacked semiconductor package and method of making the same |
US7956453B1 (en) | 2008-01-16 | 2011-06-07 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package with patterning layer and method of making same |
US7723852B1 (en) | 2008-01-21 | 2010-05-25 | Amkor Technology, Inc. | Stacked semiconductor package and method of making same |
US8067821B1 (en) | 2008-04-10 | 2011-11-29 | Amkor Technology, Inc. | Flat semiconductor package with half package molding |
US7768135B1 (en) | 2008-04-17 | 2010-08-03 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package with fast power-up cycle and method of making same |
US7808084B1 (en) | 2008-05-06 | 2010-10-05 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package with half-etched locking features |
US8125064B1 (en) | 2008-07-28 | 2012-02-28 | Amkor Technology, Inc. | Increased I/O semiconductor package and method of making same |
US8184453B1 (en) | 2008-07-31 | 2012-05-22 | Amkor Technology, Inc. | Increased capacity semiconductor package |
US7847392B1 (en) | 2008-09-30 | 2010-12-07 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device including leadframe with increased I/O |
US7989933B1 (en) | 2008-10-06 | 2011-08-02 | Amkor Technology, Inc. | Increased I/O leadframe and semiconductor device including same |
US8008758B1 (en) | 2008-10-27 | 2011-08-30 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with increased I/O leadframe |
US8089145B1 (en) | 2008-11-17 | 2012-01-03 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device including increased capacity leadframe |
US8072050B1 (en) | 2008-11-18 | 2011-12-06 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device |
US7875963B1 (en) | 2008-11-21 | 2011-01-25 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device including leadframe having power bars and increased I/O |
US7982298B1 (en) | 2008-12-03 | 2011-07-19 | Amkor Technology, Inc. | Package in package semiconductor device |
US8487420B1 (en) | 2008-12-08 | 2013-07-16 | Amkor Technology, Inc. | Package in package semiconductor device with film over wire |
US20170117214A1 (en) | 2009-01-05 | 2017-04-27 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with through-mold via |
US8680656B1 (en) | 2009-01-05 | 2014-03-25 | Amkor Technology, Inc. | Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package |
US8058715B1 (en) | 2009-01-09 | 2011-11-15 | Amkor Technology, Inc. | Package in package device for RF transceiver module |
US8026589B1 (en) | 2009-02-23 | 2011-09-27 | Amkor Technology, Inc. | Reduced profile stackable semiconductor package |
US7960818B1 (en) | 2009-03-04 | 2011-06-14 | Amkor Technology, Inc. | Conformal shield on punch QFN semiconductor package |
US8575742B1 (en) | 2009-04-06 | 2013-11-05 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with increased I/O leadframe including power bars |
US8796561B1 (en) | 2009-10-05 | 2014-08-05 | Amkor Technology, Inc. | Fan out build up substrate stackable package and method |
US8937381B1 (en) | 2009-12-03 | 2015-01-20 | Amkor Technology, Inc. | Thin stackable package and method |
US9691734B1 (en) | 2009-12-07 | 2017-06-27 | Amkor Technology, Inc. | Method of forming a plurality of electronic component packages |
US8324511B1 (en) | 2010-04-06 | 2012-12-04 | Amkor Technology, Inc. | Through via nub reveal method and structure |
US8294276B1 (en) | 2010-05-27 | 2012-10-23 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device and fabricating method thereof |
US8440554B1 (en) | 2010-08-02 | 2013-05-14 | Amkor Technology, Inc. | Through via connected backside embedded circuit features structure and method |
US8487445B1 (en) | 2010-10-05 | 2013-07-16 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer |
US8791501B1 (en) | 2010-12-03 | 2014-07-29 | Amkor Technology, Inc. | Integrated passive device structure and method |
US8674485B1 (en) | 2010-12-08 | 2014-03-18 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device including leadframe with downsets |
US8390130B1 (en) | 2011-01-06 | 2013-03-05 | Amkor Technology, Inc. | Through via recessed reveal structure and method |
US8648450B1 (en) | 2011-01-27 | 2014-02-11 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands |
TWI557183B (zh) | 2015-12-16 | 2016-11-11 | 財團法人工業技術研究院 | 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置 |
US8552548B1 (en) | 2011-11-29 | 2013-10-08 | Amkor Technology, Inc. | Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device |
US9704725B1 (en) | 2012-03-06 | 2017-07-11 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation |
US9048298B1 (en) | 2012-03-29 | 2015-06-02 | Amkor Technology, Inc. | Backside warpage control structure and fabrication method |
US9129943B1 (en) | 2012-03-29 | 2015-09-08 | Amkor Technology, Inc. | Embedded component package and fabrication method |
KR101486790B1 (ko) | 2013-05-02 | 2015-01-28 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 강성보강부를 갖는 마이크로 리드프레임 |
CN104576565A (zh) * | 2013-10-18 | 2015-04-29 | 飞思卡尔半导体公司 | 具有散热体的半导体器件及其组装方法 |
KR101563911B1 (ko) | 2013-10-24 | 2015-10-28 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 |
US9673122B2 (en) | 2014-05-02 | 2017-06-06 | Amkor Technology, Inc. | Micro lead frame structure having reinforcing portions and method |
CN114597188A (zh) * | 2020-12-02 | 2022-06-07 | 新光电气工业株式会社 | 引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3978578A (en) * | 1974-08-29 | 1976-09-07 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Method for packaging semiconductor devices |
US5202288A (en) * | 1990-06-01 | 1993-04-13 | Robert Bosch Gmbh | Method of manufacturing an electronic circuit component incorporating a heat sink |
DE69128464T2 (de) * | 1990-09-10 | 1998-04-16 | Fujitsu Ltd | Halbleiteranordnung und ihr herstellungsverfahren |
US5177032A (en) * | 1990-10-24 | 1993-01-05 | Micron Technology, Inc. | Method for attaching a semiconductor die to a leadframe using a thermoplastic covered carrier tape |
JPH05304226A (ja) * | 1991-08-16 | 1993-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
KR100552353B1 (ko) * | 1992-03-27 | 2006-06-20 | 가부시키가이샤 히타치초엘에스아이시스템즈 | 리이드프레임및그것을사용한반도체집적회로장치와그제조방법 |
US5541447A (en) * | 1992-04-22 | 1996-07-30 | Yamaha Corporation | Lead frame |
US5327008A (en) * | 1993-03-22 | 1994-07-05 | Motorola Inc. | Semiconductor device having universal low-stress die support and method for making the same |
US5394607A (en) * | 1993-05-20 | 1995-03-07 | Texas Instruments Incorporated | Method of providing low cost heat sink |
US5430331A (en) * | 1993-06-23 | 1995-07-04 | Vlsi Technology, Inc. | Plastic encapsulated integrated circuit package having an embedded thermal dissipator |
US5420752A (en) * | 1993-08-18 | 1995-05-30 | Lsi Logic Corporation | GPT system for encapsulating an integrated circuit package |
JPH0817998A (ja) | 1994-07-04 | 1996-01-19 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム |
JPH09307051A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-11-11 JP JP8298605A patent/JP2936062B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-04-18 US US08/839,796 patent/US5804469A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-06 TW TW086106005A patent/TW353226B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-05-20 KR KR1019970019486A patent/KR100267159B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-06-22 US US09/102,005 patent/US6222258B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010177402A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-12 | Renesas Electronics Corp | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
JP2018527762A (ja) * | 2015-09-01 | 2018-09-20 | マコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス, インコーポレイテッドMacom Technology Solutions Holdings, Inc. | エアキャビティパッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5804469A (en) | 1998-09-08 |
US6222258B1 (en) | 2001-04-24 |
JP2936062B2 (ja) | 1999-08-23 |
TW353226B (en) | 1999-02-21 |
KR100267159B1 (en) | 2000-10-16 |
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