JPH10144773A - 基板ホルダー - Google Patents
基板ホルダーInfo
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- JPH10144773A JPH10144773A JP29489396A JP29489396A JPH10144773A JP H10144773 A JPH10144773 A JP H10144773A JP 29489396 A JP29489396 A JP 29489396A JP 29489396 A JP29489396 A JP 29489396A JP H10144773 A JPH10144773 A JP H10144773A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上への成膜効率が向上し、ゴミ付着によ
る基板の欠陥を低減することができる薄膜形成用の基板
ホルダーを提供すること。 【解決手段】 薄膜を成長させる基板を埋設・保持する
基板ホルダーにおいて、基板ホルダー１１の基板３に接
触しない側の面のうち、基板３に対応する部分とそれ以
外の部分とでヒーター４に対する接触面積比率を異なる
ようにすべく凹部１３を形成し、基板ホルダー１１の表
面１５の温度を基板３の表面の温度と同じか、若しくは
それ以下とするようにしたものである。
る基板の欠陥を低減することができる薄膜形成用の基板
ホルダーを提供すること。 【解決手段】 薄膜を成長させる基板を埋設・保持する
基板ホルダーにおいて、基板ホルダー１１の基板３に接
触しない側の面のうち、基板３に対応する部分とそれ以
外の部分とでヒーター４に対する接触面積比率を異なる
ようにすべく凹部１３を形成し、基板ホルダー１１の表
面１５の温度を基板３の表面の温度と同じか、若しくは
それ以下とするようにしたものである。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板ホルダーに関
し、特に半導体，絶縁体及び導体等の薄膜形成用の基板
ホルダーとして有用なものである。 【０００２】 【従来の技術】各種基板上に薄膜を形成する際には基板
をヒーターで加熱し、温度を上げて行うことが多い。こ
のため基板の位置決めや搬送の際には基板ホルダーが必
要であり、基板を基板ホルダーに埋設・保持してヒータ
ー上に載置した状態で加熱することが多い。 【０００３】従来技術に係る基板ホルダーの一例を図７
に示す。同図に示すように、基板ホルダー１は基板を埋
設・保持して位置決めするための位置決め用の凹部２を
有しており、ＳＵＳ，インコネル，ハステロイ等の金属
またはカーボン、セラミックス等の内から一種類の材料
を選択して構成している。かかる基板ホルダー１は、図
８に示すように、基板３を凹部２に埋設した状態でヒー
ター４の上に載置し、ヒーター４に通電して加熱するこ
とにより基板３を加熱する。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】上述の如き従来技術に
係る基板ホルダー１ではこの基板ホルダー１と基板３と
の材質の違いに起因して熱伝導度が異なるため、基板３
の表面の温度より基板ホルダー１の表面５の温度の方が
高くなり、基板３よりも基板ホルダー１の表面５の方に
膜が厚く形成される場合がある。熱ＣＶＤ法等の薄膜形
成方法では温度が高い所に膜が厚く形成されるという性
質を有するためである。したがって、この場合には基板
３への成膜効率（膜となった量／供給した原料の量）が
低下するという問題があった。 【０００５】また、このように基板ホルダー１の表面５
に膜が厚く堆積する場合には、堆積した膜が剥がれて基
板３の表面へ移動し、ゴミ付着による基板３の欠陥の原
因となっていた。このため、時々基板ホルダー１を洗浄
して堆積物を除去しなければならないという問題もあっ
た。特に、カーボン素材にセラミックスをコーティング
した基板ホルダー１の場合には、基板ホルダー１の洗浄
の際にセラミックスコーティングが剥離するという問題
があり、コーティングが剥がれたカーボン製の基板ホル
ダー１は高温の酸化性雰囲気で即座に酸化してしまうた
め、使用に供することができない。 【０００６】さらに、基板ホルダー１の材質がＳＵＳ、
インコネル、ハステロイ等の金属の場合にはヒーター４
の温度が２００℃以上になると基板ホルダー１の厚さが
薄い部分に熱応力が集中して図９に示すように基板ホル
ダー１が変形し、基板３と基板ホルダー１が離れてしま
うので、ヒーター４の熱が基板３に伝わらず、基板３の
温度が上がらないという問題があった。 【０００７】また、基板ホルダー１の材料をカーボン、
セラミックスのような金属以外の材質にすれば、かかる
熱変形は生じないものの、基板ホルダー１の製作コスト
が高騰するばかりでなく、納期がかかるという問題があ
った。特にカーボンの場合、高温で酸化性雰囲気中では
カーボンが著しく酸化されてしまうため、カーボン素材
のみでは使用できず、カーボン素材の表面にセラミック
スの薄膜をコーティングすることが必要となり、このた
めには高度なコーティング技術を要する。このこととも
相俟ち製作コストがさらに高騰する。 【０００８】本発明は、上記従来技術に鑑み、基板上へ
の成膜効率が向上し、ゴミ付着による基板の欠陥を低減
するとともに、安価な金属製でも熱変形を生じることな
く所定の基板加熱が可能な基板ホルダーを提供すること
を目的とする。 【０００９】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の構成は次の１）〜４）に記載する点を特徴とする。 【００１０】１） 薄膜を成長させる基板を埋設・保持
する薄膜形成用等の基板ホルダーにおいて、この基板ホ
ルダーの基板に接する面と反対側の面であって、ヒータ
ーと接触する側の面に凹部を設けてヒーターとの接触面
積を減少させたこと。 【００１１】本発明によれば凹部に対応する基板ホルダ
ーの表面温度を他の部分に比べて低く抑えることができ
る。 【００１２】２） １）に記載する基板ホルダーにおい
て、凹部は、基板ホルダーの基板を埋設・保持する部分
に対応する部分以外の部分に設けたこと。 【００１３】本発明によれば基板ホルダーの、基板を埋
設・保持している部分以外の部分ではヒーターとの接触
面積比率が小さいので、この部分におけるヒーターから
基板ホルダーへの熱伝導による熱の流入を抑えることが
できる。一方、基板ホルダーの、基板を埋設・保持して
いる部分はヒーターと全面接触しているので、ヒーター
から基板ホルダーへの熱伝導による熱の流入が大きく、
この熱が基板へ流入して基板温度を効率良く上昇させ
る。すなわち、本発明のように、ヒーターからの熱伝導
による熱の流入量を基板の埋設・保持部とそれ以外の部
分とで異なる量にすることで基板ホルダーの表面の温度
を基板の表面と同じか、若しくはそれ以下とすることが
できる。 【００１４】３） 薄膜を成長させる基板を埋設・保持
する薄膜形成用等の基板ホルダーにおいて、基板の面に
接する部分と接しない部分とをそれぞれ分離した構造と
すること。 【００１５】４） ３）に記載する基板ホルダーにおい
て、基板の面に接する部分と接しない部分とをそれぞれ
異なる材質で構成したこと。 【００１６】上記３）及び４）の発明によれば、基板の
埋設・保持部とその周辺部とを分離した構造とすること
で、各構成部材の板の厚みを均一にすることができ、そ
の結果基板ホルダーが熱変形を生じることはなく基板と
基板ホルダーが密着するので、基板にヒーターからの熱
が有効に伝達される。すなわち、多構成部材の厚みをそ
れぞれ均一にすることができるので、ヒーター上にホル
ダーを設置して加熱した時の熱応力が厚みの薄い等の特
定の部分に集中することはない。この結果基板ホルダー
が変形することはなく、基板と接する部材が熱変形する
こともないので、ヒーターの熱が基板に有効に伝わり、
基板をヒーター上に直接置いた場合と同程度に基板の温
度を上昇させることができる。 【００１７】 【実施の形態】以下発明の実施の形態を図面に基づき詳
細に説明する。なお、従来技術及び相互の実施の形態間
で同一部分には同一番号を付し重複する説明は省略す
る。 【００１８】図１は本発明の第１の実施の形態を示す断
面構造図である。同図に示すように、基板ホルダー１１
の表面（上面）１５には凹部２が設けられており、この
凹部２で基板３を埋設・保持するように構成してある。
一方、基板ホルダー１１のヒーター４と接触する側の面
である裏面（下面）には、基板３の埋設・保持部である
凹部２に対応する部分以外の部分に凹部１３が設けられ
ている。 【００１９】図２に示すように、上記基板ホルダー１１
をヒーター４上に載置すると、ヒーター４と基板ホルダ
ー１１との間には、基板３の埋設・保持部である凹部２
に対応する部分以外の部分に形成した凹部１３のために
ヒーター４に接しない空間ができる。この結果ヒーター
４に通電してこれを加熱すると、基板３は熱伝導により
温度が上昇するが、基板ホルダー１１の表面１５には凹
部１３でできる空間を輻射で伝わってくる熱しか流入せ
ず、その量は熱伝導による熱量よりもはるかに小さいの
で、基板ホルダー１１の表面１５の温度は基板３の表面
（上面）の温度よりも高くなることがない。この状態で
熱ＣＶＤ法により成膜を行うと、基板３の表面に基板ホ
ルダー１１の表面よりも多くの膜が形成され、成膜効率
が向上する。 【００２０】また、基板ホルダー１１の表面には膜が然
程形成されないので、ここからの剥離によりゴミが基板
３の表面へ移ることが少なくなり、その分基板３の欠陥
の発生が低減される。 【００２１】すなわち本形態は基板ホルダー１１のヒー
ター４と接触する面の、凹部２に対応する部分とそれ以
外の部分とで接触面積比率を異なるようにすることで、
基板ホルダー１１の表面１５の温度を基板３の表面の温
度と同じかそれ以下とする構造としたものである。 【００２２】図３は本発明の第２の実施の形態を示す断
面構造図である。同図に示すように本形態では、基板ホ
ルダー２１とヒータ４との接触面積比率が第１の実施の
形態の場合よりも多くなるように凹部２４ａ、２４ｂを
形成し、基板ホルダー２１の表面２５の温度が第１の実
施の形態の場合よりも高くなるようにしたものである。
このようにヒーター４との接触面積比率を変えることに
より、基板ホルダー２１の表面２５の温度を所望の温度
に制御することができる。 【００２３】図４は本発明の第３の実施の形態を示す断
面構造図である。同図に示すように、本形態に係る基板
ホルダー３１は基板３の面に接するステンレス製の基板
埋設・保持部材３１ａと、基板３の面に接しないステン
レス製の周辺部材３１ｂとを有しており、両者を組み合
わせて周辺部材３１ｂを持ち上げた時に基板埋設・保持
部材３１ａが落下しないように０．３ｍｍ程度の厚みの
鍔部３１ｃ、３１ｄを互いに設けてある。ここで基板埋
設・保持部材３１ａをヒーター４の上に置いた場合にヒ
ーター４の上面との接触を確実なものとするために、周
辺部材３１ｂを持ち上げた時に基板埋設・保持部材３１
ａが下方に１ｍｍ程度出るように設計してある。また、
これら基板埋設・保持部材３１ａ及び周辺部材３１ｂは
独立して作製することができ、それぞれ均一の厚みを有
するように構成してある。 【００２４】図５は基板３を基板埋設・保持部材３１ａ
に埋設・保持し、ヒーター４の上に設置した時の状態を
示す。本形態に係る基板ホルダー３１は各構成部材の厚
みが均一であるので、ヒーター４の温度を上げても基板
ホルダー３１に対する熱応力が特定の位置に集中するこ
とがない。この結果基板ホルダー３１に熱変形を生じる
ことはなく、基板３の温度を有効に上昇させることがで
きる。 【００２５】図６は本発明の第４の実施の形態を示す断
面構造図である。同図に示すように、本形態に係る基板
ホルダー４１は外形形状は第３の実施の形態に係る基板
ホルダー３１と同様である。本形態では基板埋設・保持
部材４１ａの材質を周辺部材３１ｂとは異なる材質で構
成したものであり、基板埋設・保持部材４１ａを熱伝導
率がステンレスよりも高いＣｕ，Ａｇあるいはそれらを
含む合金として基板３の加熱を一層効果的に行えるよう
にしたものである。 【００２６】上記基板ホルダー３１、４１は薄膜形成用
の基板ホルダーとして特に有用なものではあるが、これ
に限定するものでは勿論ない。熱処理装置の基板ホルダ
ーにも適用し得る。 【００２７】 【発明の効果】以上実施の形態とともに詳細に説明した
通り、本発明によれば基板の表面温度と基板ホルダーの
表面温度とを容易に制御することができる。このため本
発明を熱ＣＶＤ法による薄膜形成用の基板ホルダーに適
用すれば基板上への成膜効率を上げることができ、ゴミ
付着による膜の欠陥も少なくすることができる。 【００２８】また、本発明の基板ホルダーによれば基板
の加熱を有効に行うことができる。このため本発明をＣ
ＶＤ，ＰＶＤ等の薄膜形成用の装置の基板ホルダーに適
用すれば、基板の加熱を基板ホルダーの変形を伴うこと
なく行えるので、基板の表面上の温度分布を均一にする
ことができ、均一な薄膜を形成することができる。 【００２９】さらに、本発明を熱処理装置の基板ホルダ
ーに適用すれば、基板温度の分布を均一にできるので、
均一な熱処理効果を得ることができる。
し、特に半導体，絶縁体及び導体等の薄膜形成用の基板
ホルダーとして有用なものである。 【０００２】 【従来の技術】各種基板上に薄膜を形成する際には基板
をヒーターで加熱し、温度を上げて行うことが多い。こ
のため基板の位置決めや搬送の際には基板ホルダーが必
要であり、基板を基板ホルダーに埋設・保持してヒータ
ー上に載置した状態で加熱することが多い。 【０００３】従来技術に係る基板ホルダーの一例を図７
に示す。同図に示すように、基板ホルダー１は基板を埋
設・保持して位置決めするための位置決め用の凹部２を
有しており、ＳＵＳ，インコネル，ハステロイ等の金属
またはカーボン、セラミックス等の内から一種類の材料
を選択して構成している。かかる基板ホルダー１は、図
８に示すように、基板３を凹部２に埋設した状態でヒー
ター４の上に載置し、ヒーター４に通電して加熱するこ
とにより基板３を加熱する。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】上述の如き従来技術に
係る基板ホルダー１ではこの基板ホルダー１と基板３と
の材質の違いに起因して熱伝導度が異なるため、基板３
の表面の温度より基板ホルダー１の表面５の温度の方が
高くなり、基板３よりも基板ホルダー１の表面５の方に
膜が厚く形成される場合がある。熱ＣＶＤ法等の薄膜形
成方法では温度が高い所に膜が厚く形成されるという性
質を有するためである。したがって、この場合には基板
３への成膜効率（膜となった量／供給した原料の量）が
低下するという問題があった。 【０００５】また、このように基板ホルダー１の表面５
に膜が厚く堆積する場合には、堆積した膜が剥がれて基
板３の表面へ移動し、ゴミ付着による基板３の欠陥の原
因となっていた。このため、時々基板ホルダー１を洗浄
して堆積物を除去しなければならないという問題もあっ
た。特に、カーボン素材にセラミックスをコーティング
した基板ホルダー１の場合には、基板ホルダー１の洗浄
の際にセラミックスコーティングが剥離するという問題
があり、コーティングが剥がれたカーボン製の基板ホル
ダー１は高温の酸化性雰囲気で即座に酸化してしまうた
め、使用に供することができない。 【０００６】さらに、基板ホルダー１の材質がＳＵＳ、
インコネル、ハステロイ等の金属の場合にはヒーター４
の温度が２００℃以上になると基板ホルダー１の厚さが
薄い部分に熱応力が集中して図９に示すように基板ホル
ダー１が変形し、基板３と基板ホルダー１が離れてしま
うので、ヒーター４の熱が基板３に伝わらず、基板３の
温度が上がらないという問題があった。 【０００７】また、基板ホルダー１の材料をカーボン、
セラミックスのような金属以外の材質にすれば、かかる
熱変形は生じないものの、基板ホルダー１の製作コスト
が高騰するばかりでなく、納期がかかるという問題があ
った。特にカーボンの場合、高温で酸化性雰囲気中では
カーボンが著しく酸化されてしまうため、カーボン素材
のみでは使用できず、カーボン素材の表面にセラミック
スの薄膜をコーティングすることが必要となり、このた
めには高度なコーティング技術を要する。このこととも
相俟ち製作コストがさらに高騰する。 【０００８】本発明は、上記従来技術に鑑み、基板上へ
の成膜効率が向上し、ゴミ付着による基板の欠陥を低減
するとともに、安価な金属製でも熱変形を生じることな
く所定の基板加熱が可能な基板ホルダーを提供すること
を目的とする。 【０００９】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の構成は次の１）〜４）に記載する点を特徴とする。 【００１０】１） 薄膜を成長させる基板を埋設・保持
する薄膜形成用等の基板ホルダーにおいて、この基板ホ
ルダーの基板に接する面と反対側の面であって、ヒータ
ーと接触する側の面に凹部を設けてヒーターとの接触面
積を減少させたこと。 【００１１】本発明によれば凹部に対応する基板ホルダ
ーの表面温度を他の部分に比べて低く抑えることができ
る。 【００１２】２） １）に記載する基板ホルダーにおい
て、凹部は、基板ホルダーの基板を埋設・保持する部分
に対応する部分以外の部分に設けたこと。 【００１３】本発明によれば基板ホルダーの、基板を埋
設・保持している部分以外の部分ではヒーターとの接触
面積比率が小さいので、この部分におけるヒーターから
基板ホルダーへの熱伝導による熱の流入を抑えることが
できる。一方、基板ホルダーの、基板を埋設・保持して
いる部分はヒーターと全面接触しているので、ヒーター
から基板ホルダーへの熱伝導による熱の流入が大きく、
この熱が基板へ流入して基板温度を効率良く上昇させ
る。すなわち、本発明のように、ヒーターからの熱伝導
による熱の流入量を基板の埋設・保持部とそれ以外の部
分とで異なる量にすることで基板ホルダーの表面の温度
を基板の表面と同じか、若しくはそれ以下とすることが
できる。 【００１４】３） 薄膜を成長させる基板を埋設・保持
する薄膜形成用等の基板ホルダーにおいて、基板の面に
接する部分と接しない部分とをそれぞれ分離した構造と
すること。 【００１５】４） ３）に記載する基板ホルダーにおい
て、基板の面に接する部分と接しない部分とをそれぞれ
異なる材質で構成したこと。 【００１６】上記３）及び４）の発明によれば、基板の
埋設・保持部とその周辺部とを分離した構造とすること
で、各構成部材の板の厚みを均一にすることができ、そ
の結果基板ホルダーが熱変形を生じることはなく基板と
基板ホルダーが密着するので、基板にヒーターからの熱
が有効に伝達される。すなわち、多構成部材の厚みをそ
れぞれ均一にすることができるので、ヒーター上にホル
ダーを設置して加熱した時の熱応力が厚みの薄い等の特
定の部分に集中することはない。この結果基板ホルダー
が変形することはなく、基板と接する部材が熱変形する
こともないので、ヒーターの熱が基板に有効に伝わり、
基板をヒーター上に直接置いた場合と同程度に基板の温
度を上昇させることができる。 【００１７】 【実施の形態】以下発明の実施の形態を図面に基づき詳
細に説明する。なお、従来技術及び相互の実施の形態間
で同一部分には同一番号を付し重複する説明は省略す
る。 【００１８】図１は本発明の第１の実施の形態を示す断
面構造図である。同図に示すように、基板ホルダー１１
の表面（上面）１５には凹部２が設けられており、この
凹部２で基板３を埋設・保持するように構成してある。
一方、基板ホルダー１１のヒーター４と接触する側の面
である裏面（下面）には、基板３の埋設・保持部である
凹部２に対応する部分以外の部分に凹部１３が設けられ
ている。 【００１９】図２に示すように、上記基板ホルダー１１
をヒーター４上に載置すると、ヒーター４と基板ホルダ
ー１１との間には、基板３の埋設・保持部である凹部２
に対応する部分以外の部分に形成した凹部１３のために
ヒーター４に接しない空間ができる。この結果ヒーター
４に通電してこれを加熱すると、基板３は熱伝導により
温度が上昇するが、基板ホルダー１１の表面１５には凹
部１３でできる空間を輻射で伝わってくる熱しか流入せ
ず、その量は熱伝導による熱量よりもはるかに小さいの
で、基板ホルダー１１の表面１５の温度は基板３の表面
（上面）の温度よりも高くなることがない。この状態で
熱ＣＶＤ法により成膜を行うと、基板３の表面に基板ホ
ルダー１１の表面よりも多くの膜が形成され、成膜効率
が向上する。 【００２０】また、基板ホルダー１１の表面には膜が然
程形成されないので、ここからの剥離によりゴミが基板
３の表面へ移ることが少なくなり、その分基板３の欠陥
の発生が低減される。 【００２１】すなわち本形態は基板ホルダー１１のヒー
ター４と接触する面の、凹部２に対応する部分とそれ以
外の部分とで接触面積比率を異なるようにすることで、
基板ホルダー１１の表面１５の温度を基板３の表面の温
度と同じかそれ以下とする構造としたものである。 【００２２】図３は本発明の第２の実施の形態を示す断
面構造図である。同図に示すように本形態では、基板ホ
ルダー２１とヒータ４との接触面積比率が第１の実施の
形態の場合よりも多くなるように凹部２４ａ、２４ｂを
形成し、基板ホルダー２１の表面２５の温度が第１の実
施の形態の場合よりも高くなるようにしたものである。
このようにヒーター４との接触面積比率を変えることに
より、基板ホルダー２１の表面２５の温度を所望の温度
に制御することができる。 【００２３】図４は本発明の第３の実施の形態を示す断
面構造図である。同図に示すように、本形態に係る基板
ホルダー３１は基板３の面に接するステンレス製の基板
埋設・保持部材３１ａと、基板３の面に接しないステン
レス製の周辺部材３１ｂとを有しており、両者を組み合
わせて周辺部材３１ｂを持ち上げた時に基板埋設・保持
部材３１ａが落下しないように０．３ｍｍ程度の厚みの
鍔部３１ｃ、３１ｄを互いに設けてある。ここで基板埋
設・保持部材３１ａをヒーター４の上に置いた場合にヒ
ーター４の上面との接触を確実なものとするために、周
辺部材３１ｂを持ち上げた時に基板埋設・保持部材３１
ａが下方に１ｍｍ程度出るように設計してある。また、
これら基板埋設・保持部材３１ａ及び周辺部材３１ｂは
独立して作製することができ、それぞれ均一の厚みを有
するように構成してある。 【００２４】図５は基板３を基板埋設・保持部材３１ａ
に埋設・保持し、ヒーター４の上に設置した時の状態を
示す。本形態に係る基板ホルダー３１は各構成部材の厚
みが均一であるので、ヒーター４の温度を上げても基板
ホルダー３１に対する熱応力が特定の位置に集中するこ
とがない。この結果基板ホルダー３１に熱変形を生じる
ことはなく、基板３の温度を有効に上昇させることがで
きる。 【００２５】図６は本発明の第４の実施の形態を示す断
面構造図である。同図に示すように、本形態に係る基板
ホルダー４１は外形形状は第３の実施の形態に係る基板
ホルダー３１と同様である。本形態では基板埋設・保持
部材４１ａの材質を周辺部材３１ｂとは異なる材質で構
成したものであり、基板埋設・保持部材４１ａを熱伝導
率がステンレスよりも高いＣｕ，Ａｇあるいはそれらを
含む合金として基板３の加熱を一層効果的に行えるよう
にしたものである。 【００２６】上記基板ホルダー３１、４１は薄膜形成用
の基板ホルダーとして特に有用なものではあるが、これ
に限定するものでは勿論ない。熱処理装置の基板ホルダ
ーにも適用し得る。 【００２７】 【発明の効果】以上実施の形態とともに詳細に説明した
通り、本発明によれば基板の表面温度と基板ホルダーの
表面温度とを容易に制御することができる。このため本
発明を熱ＣＶＤ法による薄膜形成用の基板ホルダーに適
用すれば基板上への成膜効率を上げることができ、ゴミ
付着による膜の欠陥も少なくすることができる。 【００２８】また、本発明の基板ホルダーによれば基板
の加熱を有効に行うことができる。このため本発明をＣ
ＶＤ，ＰＶＤ等の薄膜形成用の装置の基板ホルダーに適
用すれば、基板の加熱を基板ホルダーの変形を伴うこと
なく行えるので、基板の表面上の温度分布を均一にする
ことができ、均一な薄膜を形成することができる。 【００２９】さらに、本発明を熱処理装置の基板ホルダ
ーに適用すれば、基板温度の分布を均一にできるので、
均一な熱処理効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板ホルダー
を示す断面構造図。 【図２】図１に示す基板ホルダーをヒーター上に設置し
て加熱する時の態様を示す断面構成図。 【図３】本発明の第２の実施の形態に係る基板ホルダー
を示す断面構造図。 【図４】本発明の第３の実施の形態に係る基板ホルダー
を示す断面構造図。 【図５】図４に示す基板ホルダーをヒーター上に設置し
て加熱する時の態様を示す断面構成図。 【図６】本発明の第４の実施の形態に係る基板ホルダー
を示す断面構造図。 【図７】従来技術に係る基板ホルダーを示す断面構造
図。 【図８】図７に示す基板ホルダーをヒーター上に設置し
て加熱する時の態様を示す断面構成図。 【図９】図７に示す基板ホルダーをヒーター上に設置し
て加熱する時の態様（熱応力による変形を生起した状
態）を示す断面構成図。 【符号の説明】 ３ 基板 ４ ヒーター １１、２１、３１、４１ 基板ホルダー １３、２４ａ、２４ｂ 凹部 １２ 基板埋設部 １３，１５ 基板ホルダー表面 ３１ａ、４１ａ 基板埋設・保持部材 ３１ｂ 周辺部材
を示す断面構造図。 【図２】図１に示す基板ホルダーをヒーター上に設置し
て加熱する時の態様を示す断面構成図。 【図３】本発明の第２の実施の形態に係る基板ホルダー
を示す断面構造図。 【図４】本発明の第３の実施の形態に係る基板ホルダー
を示す断面構造図。 【図５】図４に示す基板ホルダーをヒーター上に設置し
て加熱する時の態様を示す断面構成図。 【図６】本発明の第４の実施の形態に係る基板ホルダー
を示す断面構造図。 【図７】従来技術に係る基板ホルダーを示す断面構造
図。 【図８】図７に示す基板ホルダーをヒーター上に設置し
て加熱する時の態様を示す断面構成図。 【図９】図７に示す基板ホルダーをヒーター上に設置し
て加熱する時の態様（熱応力による変形を生起した状
態）を示す断面構成図。 【符号の説明】 ３ 基板 ４ ヒーター １１、２１、３１、４１ 基板ホルダー １３、２４ａ、２４ｂ 凹部 １２ 基板埋設部 １３，１５ 基板ホルダー表面 ３１ａ、４１ａ 基板埋設・保持部材 ３１ｂ 周辺部材
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】 【提出日】平成８年１２月２６日 【手続補正１】 【補正対象書類名】明細書 【補正対象項目名】符号の説明 【補正方法】変更 【補正内容】 【符号の説明】１ 、１１、２１、３１、４１ 基板ホルダー２ 基板埋設部 ３ 基板 ４ ヒーター５ 、１５、２５ 基板ホルダー表面 １３、２４ａ、２４ｂ 凹部 ３１ａ、４１ａ 基板埋設・保持部材 ３１ｂ 周辺部材３１ｃ、３１ｄ 鍔部
【手続補正書】 【提出日】平成８年１２月２６日 【手続補正１】 【補正対象書類名】明細書 【補正対象項目名】符号の説明 【補正方法】変更 【補正内容】 【符号の説明】１ 、１１、２１、３１、４１ 基板ホルダー２ 基板埋設部 ３ 基板 ４ ヒーター５ 、１５、２５ 基板ホルダー表面 １３、２４ａ、２４ｂ 凹部 ３１ａ、４１ａ 基板埋設・保持部材 ３１ｂ 周辺部材３１ｃ、３１ｄ 鍔部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 薄膜を成長させる基板を埋設・保持する
薄膜形成用等の基板ホルダーにおいて、この基板ホルダ
ーの基板に接する面と反対側の面であって、ヒーターと
接触する側の面に凹部を設けてヒーターとの接触面積を
減少させたことを特徴とする基板ホルダー。 【請求項２】 〔請求項１〕に記載する基板ホルダーに
おいて、凹部は、基板ホルダーの基板を埋設・保持する
部分に対応する部分以外の部分に設けたことを特徴とす
る基板ホルダー。 【請求項３】 薄膜を成長させる基板を埋設・保持する
薄膜形成用等の基板ホルダーにおいて、基板の面に接す
る部分と接しない部分とをそれぞれ分離した構造とする
ことを特徴とする基板ホルダー。 【請求項４】 〔請求項３〕に記載する基板ホルダーに
おいて、基板の面に接する部分と接しない部分とをそれ
ぞれ異なる材質で構成したことを特徴とする基板ホルダ
ー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29489396A JPH10144773A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 基板ホルダー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29489396A JPH10144773A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 基板ホルダー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144773A true JPH10144773A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17813622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29489396A Withdrawn JPH10144773A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 基板ホルダー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10144773A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005526394A (ja) * | 2002-05-13 | 2005-09-02 | クリー インコーポレイテッド | Ｍｏｃｖｄ反応炉用サセプタ |
| JP2008153316A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | 個片搬送装置 |
| JP2009270170A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長方法 |
| US8366830B2 (en) | 2003-03-04 | 2013-02-05 | Cree, Inc. | Susceptor apparatus for inverted type MOCVD reactor |
| JP2013513236A (ja) * | 2009-12-02 | 2013-04-18 | ビーコ インストゥルメンツ インコーポレイテッド | 基板担体の性能を改善する方法 |
| JP2017098441A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | クアーズテック株式会社 | サセプタ |
-
1996
- 1996-11-07 JP JP29489396A patent/JPH10144773A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005526394A (ja) * | 2002-05-13 | 2005-09-02 | クリー インコーポレイテッド | Ｍｏｃｖｄ反応炉用サセプタ |
| US8372204B2 (en) | 2002-05-13 | 2013-02-12 | Cree, Inc. | Susceptor for MOCVD reactor |
| US8366830B2 (en) | 2003-03-04 | 2013-02-05 | Cree, Inc. | Susceptor apparatus for inverted type MOCVD reactor |
| JP2008153316A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | 個片搬送装置 |
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| US9269565B2 (en) | 2009-12-02 | 2016-02-23 | Veeco Instruments Inc. | Method for improving performance of a substrate carrier |
| US10262883B2 (en) | 2009-12-02 | 2019-04-16 | Veeco Instruments Inc. | Method for improving performance of a substrate carrier |
| JP2017098441A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | クアーズテック株式会社 | サセプタ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040203 |