JPH10144508A - チップ抵抗器におけるレーザトリミング方法 - Google Patents
チップ抵抗器におけるレーザトリミング方法Info
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- JPH10144508A JPH10144508A JP8295014A JP29501496A JPH10144508A JP H10144508 A JPH10144508 A JP H10144508A JP 8295014 A JP8295014 A JP 8295014A JP 29501496 A JP29501496 A JP 29501496A JP H10144508 A JPH10144508 A JP H10144508A
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- trimming
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
- H01C17/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by removing or adding resistive material
- H01C17/242—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by removing or adding resistive material by laser
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 集光したレーザ光線を、絶縁基板１に形成し
た抵抗膜４及びこれをガラスのアンダーコート５に対し
て、抵抗膜とレーザ光線との相対的な間欠移動に合わせ
て間欠的に照射することにより、トリミング溝を刻設す
るレーザトリミング方法において、この際における不良
品を発生を低減する。 【手段】 前記レーザ光線を、トリミング溝４の溝幅を
１５〜４５ミクロンとするように集光し、且つ、抵抗膜
５とレーザ光線との間における相対的な間欠移動のピッ
チ間隔を７〜１５ミクロンに設定する。
た抵抗膜４及びこれをガラスのアンダーコート５に対し
て、抵抗膜とレーザ光線との相対的な間欠移動に合わせ
て間欠的に照射することにより、トリミング溝を刻設す
るレーザトリミング方法において、この際における不良
品を発生を低減する。 【手段】 前記レーザ光線を、トリミング溝４の溝幅を
１５〜４５ミクロンとするように集光し、且つ、抵抗膜
５とレーザ光線との間における相対的な間欠移動のピッ
チ間隔を７〜１５ミクロンに設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型絶縁基板
の上面に少なくとも一つの抵抗膜を厚膜状に形成して成
るチップ抵抗器において、その抵抗膜における全抵抗値
を、当該抵抗膜にレーザ光線の照射にてトリミング溝を
刻設することにより、所定抵抗値の許容範囲内に入るよ
うに調節するためのレーザトリミング方法に関するもの
である。
の上面に少なくとも一つの抵抗膜を厚膜状に形成して成
るチップ抵抗器において、その抵抗膜における全抵抗値
を、当該抵抗膜にレーザ光線の照射にてトリミング溝を
刻設することにより、所定抵抗値の許容範囲内に入るよ
うに調節するためのレーザトリミング方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種のチップ抵抗器を製造す
るには、先づ、チップ型絶縁基板の上面に、左右一対の
上面電極を形成したのち、抵抗膜を、その両端が前記両
上面電極に重なるように形成し、次いで、前記抵抗膜の
上面に、ガラスのアンダーコートを、抵抗膜を覆うよう
に形成し、このアンダーコートの上から前記抵抗膜に、
レーザ光線の間欠的な照射にてトリミング溝刻設するこ
とにより、前記抵抗膜における全抵抗値が所定抵抗値の
許容範囲内に入るようにレーザトリミングする。
るには、先づ、チップ型絶縁基板の上面に、左右一対の
上面電極を形成したのち、抵抗膜を、その両端が前記両
上面電極に重なるように形成し、次いで、前記抵抗膜の
上面に、ガラスのアンダーコートを、抵抗膜を覆うよう
に形成し、このアンダーコートの上から前記抵抗膜に、
レーザ光線の間欠的な照射にてトリミング溝刻設するこ
とにより、前記抵抗膜における全抵抗値が所定抵抗値の
許容範囲内に入るようにレーザトリミングする。
【０００３】そして、前記アンダーコートの上面に、ガ
ラスによるミドルコートを形成したのちガラス又は合成
樹脂によるオーバーコートを形成するか、ガラス又は合
成樹脂によるオーバーコートを形成し、次いで、前記絶
縁基板の左右両端面に、側面電極を前記上面電極に導通
するように形成し、更に、全体に対してニッケルのメッ
キ処理を施したのち半田のメッキ処理を施すことによ
り、前記各電極の表面にニッケルメッキ層及び半田メッ
キ層から成る金属メッキ層を形成すると言う方法を採用
している（例えば、特開昭５６−１４８８０４号及び特
開平４−１０２３０２号公報等を参照）。
ラスによるミドルコートを形成したのちガラス又は合成
樹脂によるオーバーコートを形成するか、ガラス又は合
成樹脂によるオーバーコートを形成し、次いで、前記絶
縁基板の左右両端面に、側面電極を前記上面電極に導通
するように形成し、更に、全体に対してニッケルのメッ
キ処理を施したのち半田のメッキ処理を施すことによ
り、前記各電極の表面にニッケルメッキ層及び半田メッ
キ層から成る金属メッキ層を形成すると言う方法を採用
している（例えば、特開昭５６−１４８８０４号及び特
開平４−１０２３０２号公報等を参照）。
【０００４】そして、従来、前記レーザトリミングに際
しては、レンズにて集光したレーザ光線を、絶縁基板に
形成した抵抗膜及びこの抵抗膜を覆うように形成したガ
ラスのアンダーコートに対して、前記絶縁基板とレーザ
光線とを相対的に適宜ピッチの間隔だけ間欠的に移動
し、この間欠移動が停止しているときに照射すると言う
ように、前記相対的な間欠移動に合わせて間欠的に照射
することにより、前記抵抗膜及びこれを覆うアンダーコ
ートに対してトリミング溝を刻設すると言う方法が採用
している。
しては、レンズにて集光したレーザ光線を、絶縁基板に
形成した抵抗膜及びこの抵抗膜を覆うように形成したガ
ラスのアンダーコートに対して、前記絶縁基板とレーザ
光線とを相対的に適宜ピッチの間隔だけ間欠的に移動
し、この間欠移動が停止しているときに照射すると言う
ように、前記相対的な間欠移動に合わせて間欠的に照射
することにより、前記抵抗膜及びこれを覆うアンダーコ
ートに対してトリミング溝を刻設すると言う方法が採用
している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来は、前記
レーザ光線を、直径４５〜５５ミクロンに集光すること
により、溝幅が５０〜６０ミクロンのトリミング溝を刻
設することができるように設定して、この状態で、前記
抵抗膜とレーザ光線との間における相対的な間欠移動の
ピッチ間隔を、３〜６ミクロンにしているから、以下に
述べるような問題があった。
レーザ光線を、直径４５〜５５ミクロンに集光すること
により、溝幅が５０〜６０ミクロンのトリミング溝を刻
設することができるように設定して、この状態で、前記
抵抗膜とレーザ光線との間における相対的な間欠移動の
ピッチ間隔を、３〜６ミクロンにしているから、以下に
述べるような問題があった。
【０００６】すなわち、前記したように、レーザ光線
を、トリミング溝の溝幅を５０〜６０ミクロンとするよ
うに直径４５〜５５ミクロンに集光し、且つ、抵抗膜と
レーザ構成との間における相対的な間欠移動のピッチ間
隔を３〜６ミクロンにした場合には、レーザ光線の照射
にて抵抗膜及びアンダーコートから気化して消失しなけ
ればならない部分の容量が、トリミング溝の溝幅が５０
〜６０ミクロンであることで多いことに加えて、レーザ
光線の照射回数が、相対的な間欠移動のピッチ間隔を３
〜６ミクロンしたことで多く、ひいては、レーザ光線の
照射にて気化した成分が周囲に飛散する回数が多く、換
言すると、気化した成分を短い時間間隔で周囲に飛散す
ることになるから、レーザ光線の照射にて抵抗膜及びア
ンダーコートから気化して消失する成分のうち前記アン
ダーコートの表面に付着する量が多くなる。
を、トリミング溝の溝幅を５０〜６０ミクロンとするよ
うに直径４５〜５５ミクロンに集光し、且つ、抵抗膜と
レーザ構成との間における相対的な間欠移動のピッチ間
隔を３〜６ミクロンにした場合には、レーザ光線の照射
にて抵抗膜及びアンダーコートから気化して消失しなけ
ればならない部分の容量が、トリミング溝の溝幅が５０
〜６０ミクロンであることで多いことに加えて、レーザ
光線の照射回数が、相対的な間欠移動のピッチ間隔を３
〜６ミクロンしたことで多く、ひいては、レーザ光線の
照射にて気化した成分が周囲に飛散する回数が多く、換
言すると、気化した成分を短い時間間隔で周囲に飛散す
ることになるから、レーザ光線の照射にて抵抗膜及びア
ンダーコートから気化して消失する成分のうち前記アン
ダーコートの表面に付着する量が多くなる。
【０００７】このために、前記したレーザトリミングし
た後において、その上にミドルコート又はオーバーコー
トを形成するときにおいて、このミドルコート又はオー
バーコートの前記アンダーコートの表面に対する密着性
が大幅に低下することにより、前記オーバーコートの一
部が剥がれたり、前記したメッキ工程に際して、メッキ
液がアンダーコートとミドルコート又はオーバーコート
との間に侵入し、抵抗膜のうちトリミング溝内の部分に
金属メッキが成長することにより、抵抗膜における全抵
抗値が所定抵抗値の許容範囲から外れたりすることが多
発するから、不良品の発生率が高いのであった。
た後において、その上にミドルコート又はオーバーコー
トを形成するときにおいて、このミドルコート又はオー
バーコートの前記アンダーコートの表面に対する密着性
が大幅に低下することにより、前記オーバーコートの一
部が剥がれたり、前記したメッキ工程に際して、メッキ
液がアンダーコートとミドルコート又はオーバーコート
との間に侵入し、抵抗膜のうちトリミング溝内の部分に
金属メッキが成長することにより、抵抗膜における全抵
抗値が所定抵抗値の許容範囲から外れたりすることが多
発するから、不良品の発生率が高いのであった。
【０００８】そこで、従来は、レーザトリミングを施し
た後において、フッ酸等による酸洗い工程又は純水によ
る洗い工程に移行して、前記レーザトリミングに際して
アンダーコートの表面に付着する成分を除去することに
より、不良品の発生率を下げるようにしているが、前記
した酸又は純水による洗い工程に多大の手数を必要とす
るばかりか、洗い工程に使用した酸又は純水の後処理に
も多大の手数を必要とするので、チップ抵抗器の製造コ
ストが著しくアップするのであった。
た後において、フッ酸等による酸洗い工程又は純水によ
る洗い工程に移行して、前記レーザトリミングに際して
アンダーコートの表面に付着する成分を除去することに
より、不良品の発生率を下げるようにしているが、前記
した酸又は純水による洗い工程に多大の手数を必要とす
るばかりか、洗い工程に使用した酸又は純水の後処理に
も多大の手数を必要とするので、チップ抵抗器の製造コ
ストが著しくアップするのであった。
【０００９】本発明は、前記の問題を解消したレーザト
リミング方法を提供することを技術的課題とするもので
ある。
リミング方法を提供することを技術的課題とするもので
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明のレーザトリミング方法は、「集光したレ
ーザ光線を、絶縁基板に形成した抵抗膜及びこの抵抗膜
を覆うように形成したガラスのアンダーコートに対し
て、前記絶縁基板とレーザ光線とを相対的に適宜ピッチ
の間隔だけ間欠的に移動しながら、この相対的な間欠移
動に合わせて間欠的に照射することにより、トリミング
溝を刻設するようにレーザトリミング方法において前記
レーザ光線を、トリミング溝の溝幅を１５〜４５ミクロ
ンとするように集光し、且つ、抵抗膜とレーザ光線との
間における相対的な間欠移動のピッチ間隔を７〜１５ミ
クロンに設定することを特徴とする。」ものである。
るため本発明のレーザトリミング方法は、「集光したレ
ーザ光線を、絶縁基板に形成した抵抗膜及びこの抵抗膜
を覆うように形成したガラスのアンダーコートに対し
て、前記絶縁基板とレーザ光線とを相対的に適宜ピッチ
の間隔だけ間欠的に移動しながら、この相対的な間欠移
動に合わせて間欠的に照射することにより、トリミング
溝を刻設するようにレーザトリミング方法において前記
レーザ光線を、トリミング溝の溝幅を１５〜４５ミクロ
ンとするように集光し、且つ、抵抗膜とレーザ光線との
間における相対的な間欠移動のピッチ間隔を７〜１５ミ
クロンに設定することを特徴とする。」ものである。
【００１１】
【発明の効果】このように、レーザ光線を、トリミング
溝の溝幅を２５〜４５ミクロンとするように集光して照
射することにより、このレーザ光線の照射にて抵抗膜及
びアンダーコートから気化して消失しなければならない
部分の容量を少なくできるのである。
溝の溝幅を２５〜４５ミクロンとするように集光して照
射することにより、このレーザ光線の照射にて抵抗膜及
びアンダーコートから気化して消失しなければならない
部分の容量を少なくできるのである。
【００１２】しかも、抵抗膜とレーザ光線との間におけ
る相対的な間欠移動のピッチ間隔を７〜１５ミクロンし
たことにより、レーザ光線の照射回数が少なくなり、ひ
いては、レーザ光線の照射にて気化した成分が周囲に飛
散する回数が少なくなると共に、気化した成分を周囲に
飛散することの時間的間隔が長くなるから、このこと
と、前記したように、抵抗膜及びアンダーコートから気
化して消失しなければならない部分の容量を少なくでき
ることとが相俟って、レーザ光線の照射にて抵抗膜及び
アンダーコートから気化して消失する成分のうち前記ア
ンダーコートの表面に付着する量を、大幅に低減できる
のである。
る相対的な間欠移動のピッチ間隔を７〜１５ミクロンし
たことにより、レーザ光線の照射回数が少なくなり、ひ
いては、レーザ光線の照射にて気化した成分が周囲に飛
散する回数が少なくなると共に、気化した成分を周囲に
飛散することの時間的間隔が長くなるから、このこと
と、前記したように、抵抗膜及びアンダーコートから気
化して消失しなければならない部分の容量を少なくでき
ることとが相俟って、レーザ光線の照射にて抵抗膜及び
アンダーコートから気化して消失する成分のうち前記ア
ンダーコートの表面に付着する量を、大幅に低減できる
のである。
【００１３】従って、本発明によると、レーザトリミン
グに際して、抵抗膜を覆うアンダーコートの表面に対す
るミドルコート又はオーバーコートの密着性が低下する
ことを確実に防止できて、従来において必要であった酸
又は純水による洗浄工程を省略できるから、チップ抵抗
器の製造コストを大幅に低減できる効果を有する。特
に、「請求項２」に記載したように、レーザ光線を、ト
リミング溝の溝幅を１５〜４５ミクロンとするように集
光し、且つ、抵抗膜とレーザ光線との間における相対的
な間欠移動のピッチ間隔を７〜１５ミクロンにすること
に加えて、前記レーザ光線の照射するときにおける一回
当たりの出力を、０．１５×１０-3〜０．５×１０-3Ｗ
に設定することにより、レーザ光線の照射にて抵抗膜及
びアンダーコートから気化して飛散する範囲を縮小でき
るから、その飛散物が前記アンダーコートの表面に付着
する量を更に低減できて、前記の効果をより助長できる
利点がある。
グに際して、抵抗膜を覆うアンダーコートの表面に対す
るミドルコート又はオーバーコートの密着性が低下する
ことを確実に防止できて、従来において必要であった酸
又は純水による洗浄工程を省略できるから、チップ抵抗
器の製造コストを大幅に低減できる効果を有する。特
に、「請求項２」に記載したように、レーザ光線を、ト
リミング溝の溝幅を１５〜４５ミクロンとするように集
光し、且つ、抵抗膜とレーザ光線との間における相対的
な間欠移動のピッチ間隔を７〜１５ミクロンにすること
に加えて、前記レーザ光線の照射するときにおける一回
当たりの出力を、０．１５×１０-3〜０．５×１０-3Ｗ
に設定することにより、レーザ光線の照射にて抵抗膜及
びアンダーコートから気化して飛散する範囲を縮小でき
るから、その飛散物が前記アンダーコートの表面に付着
する量を更に低減できて、前記の効果をより助長できる
利点がある。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、チ
ップ抵抗器の製造方法と併せて図面について説明する。
先づ、図１の示すように、チップ型に形成した絶縁基板
１の上面に、左右一対の上面電極２，３を形成したの
ち、前記絶縁基板１の上面に、図２に示すように、厚さ
５〜１５ミクロンの抵抗膜４を、その両端が前記両上面
電極２，３に一部重なるように形成する。
ップ抵抗器の製造方法と併せて図面について説明する。
先づ、図１の示すように、チップ型に形成した絶縁基板
１の上面に、左右一対の上面電極２，３を形成したの
ち、前記絶縁基板１の上面に、図２に示すように、厚さ
５〜１５ミクロンの抵抗膜４を、その両端が前記両上面
電極２，３に一部重なるように形成する。
【００１５】次に、前記抵抗膜４の上面に、図３〜図５
に示すように、厚さ７〜１０ミクロンにしたガラスによ
るアンダーコート５を、抵抗膜４を覆うように形成した
のち、このアンダーコート５の上から前記抵抗膜４に、
レーザ光線発射装置１５からのレーザ光線を、そのレン
ズ（図示せず）にて直径Ｄに集光して、間欠的に照射し
て溝幅Ｗのトリミング溝６をＬ字状に刻設することによ
り、前記抵抗膜４における全抵抗値が所定抵抗値の許容
範囲内に入るようにトリミング調節（これを、レーザト
リミングと称する）。
に示すように、厚さ７〜１０ミクロンにしたガラスによ
るアンダーコート５を、抵抗膜４を覆うように形成した
のち、このアンダーコート５の上から前記抵抗膜４に、
レーザ光線発射装置１５からのレーザ光線を、そのレン
ズ（図示せず）にて直径Ｄに集光して、間欠的に照射し
て溝幅Ｗのトリミング溝６をＬ字状に刻設することによ
り、前記抵抗膜４における全抵抗値が所定抵抗値の許容
範囲内に入るようにトリミング調節（これを、レーザト
リミングと称する）。
【００１６】このレーザトリミングは、絶縁基板１を不
動に保持する一方、レーザ光線発射装置１５を適宜ピッ
チＰの間隔で間欠的に移動するか、或いは、レーザ光線
発射装置１５を不動に保持する一方、絶縁基板１を適宜
ピッチＰの間隔で間欠的に移動すると言うように、絶縁
基板１とレーザ光線発射装置１５とを相対的に適宜ピッ
チＰの間隔で間欠的に移動し、この間欠移動が停止して
いるときにおいて、そのレンズにて直径Ｄに集光したレ
ーザ光線を、前記抵抗膜４及びこの抵抗膜４を覆うアン
ダーコート５に対して照射することにより行うのであ
る。
動に保持する一方、レーザ光線発射装置１５を適宜ピッ
チＰの間隔で間欠的に移動するか、或いは、レーザ光線
発射装置１５を不動に保持する一方、絶縁基板１を適宜
ピッチＰの間隔で間欠的に移動すると言うように、絶縁
基板１とレーザ光線発射装置１５とを相対的に適宜ピッ
チＰの間隔で間欠的に移動し、この間欠移動が停止して
いるときにおいて、そのレンズにて直径Ｄに集光したレ
ーザ光線を、前記抵抗膜４及びこの抵抗膜４を覆うアン
ダーコート５に対して照射することにより行うのであ
る。
【００１７】この場合において、従来は、レーザ光線の
集光直径Ｄを、トリミング溝６における溝幅Ｗが５０〜
６０ミクロンになるようにＤ＝４５〜５５ミクロンに設
定する一方、相対的な間欠移送のピッチ間隔Ｐを、３〜
６ミクロンに設定しているから、前記したように、アン
ダーコート５の表面に、レーザ光線の照射によって抵抗
膜４及びアンダーコート５から気化して消失する成分の
うち前記アンダーコート５の表面に付着する量が多くな
ると言う問題があった。
集光直径Ｄを、トリミング溝６における溝幅Ｗが５０〜
６０ミクロンになるようにＤ＝４５〜５５ミクロンに設
定する一方、相対的な間欠移送のピッチ間隔Ｐを、３〜
６ミクロンに設定しているから、前記したように、アン
ダーコート５の表面に、レーザ光線の照射によって抵抗
膜４及びアンダーコート５から気化して消失する成分の
うち前記アンダーコート５の表面に付着する量が多くな
ると言う問題があった。
【００１８】これに対して、本発明においては、レーザ
光線の集光直径Ｄを、トリミング溝６における溝幅Ｗが
１５〜４５ミクロンになるように、例えば、Ｄ＝１０〜
４０ミクロンに設定する一方、相対的な間欠移送のピッ
チ間隔Ｐを、７〜１５ミクロンに設定して、この条件に
て、レーザトリミングを行うのである。すなわち、レー
ザ光線を、トリミング溝６の溝幅をＷ＝１５〜４５ミク
ロンにするように、例えば、直径Ｄ＝２０〜４０ミクロ
ンに集光して照射することにより、このレーザ光線の照
射にて抵抗膜４及びアンダーコート５から気化して消失
しなければならない部分の容量を、前記従来の場合より
も少なくすることができる。
光線の集光直径Ｄを、トリミング溝６における溝幅Ｗが
１５〜４５ミクロンになるように、例えば、Ｄ＝１０〜
４０ミクロンに設定する一方、相対的な間欠移送のピッ
チ間隔Ｐを、７〜１５ミクロンに設定して、この条件に
て、レーザトリミングを行うのである。すなわち、レー
ザ光線を、トリミング溝６の溝幅をＷ＝１５〜４５ミク
ロンにするように、例えば、直径Ｄ＝２０〜４０ミクロ
ンに集光して照射することにより、このレーザ光線の照
射にて抵抗膜４及びアンダーコート５から気化して消失
しなければならない部分の容量を、前記従来の場合より
も少なくすることができる。
【００１９】しかも、抵抗膜とレーザ光線との間におけ
る相対的な間欠移動のピッチ間隔をＰ＝７〜１５ミクロ
ンしたことにより、レーザ光線の照射回数が少なくな
り、ひいては、レーザ光線の照射にて気化した成分が周
囲に飛散する回数が少なくなると共に、気化した成分を
周囲に飛散することの時間的間隔が長くなるから、この
ことと、前記したように、抵抗膜４及びアンダーコート
５から気化して消失しなければならない部分の容量を少
なくできることとが相俟って、レーザ光線の照射にて抵
抗膜４及びアンダーコート５から気化して消失する成分
のうち前記アンダーコート５の表面に付着する量を、前
記した従来の場合よりも大幅に低減することができる。
る相対的な間欠移動のピッチ間隔をＰ＝７〜１５ミクロ
ンしたことにより、レーザ光線の照射回数が少なくな
り、ひいては、レーザ光線の照射にて気化した成分が周
囲に飛散する回数が少なくなると共に、気化した成分を
周囲に飛散することの時間的間隔が長くなるから、この
ことと、前記したように、抵抗膜４及びアンダーコート
５から気化して消失しなければならない部分の容量を少
なくできることとが相俟って、レーザ光線の照射にて抵
抗膜４及びアンダーコート５から気化して消失する成分
のうち前記アンダーコート５の表面に付着する量を、前
記した従来の場合よりも大幅に低減することができる。
【００２０】このようにしてレーザトリミングを完了す
ると、前記アンダーコート５の上面に、図６に示すよう
に、ガラスのミドルコート７を、前記トリミング溝６を
塞ぐと共に、アンダーコート５を覆うように形成したの
ち、このミドルコート７の上面に、図７に示すように、
ガラス又は合成樹脂によるオーバーコート８を、前記ミ
ドルコート７の全体を覆うように形成する。
ると、前記アンダーコート５の上面に、図６に示すよう
に、ガラスのミドルコート７を、前記トリミング溝６を
塞ぐと共に、アンダーコート５を覆うように形成したの
ち、このミドルコート７の上面に、図７に示すように、
ガラス又は合成樹脂によるオーバーコート８を、前記ミ
ドルコート７の全体を覆うように形成する。
【００２１】次いで、前記両上面電極２，３の各々に、
図８に示すように、補助電極９，１０を形成したのち、
前記絶縁基板１の左右両端面１ａ，１ｂの各々に、図９
に示すように、側面電極１１，１２を形成する。そし
て、全体に対してニッケルのメッキ処理を施したのち、
半田のメッキ処理を施して、前記両補助電極９，１０及
び両側面電極１１，１２の表面に、図１０に二点鎖線で
示すように、ニッケルメッキ層及び半田メッキ層から成
る金属メッキ層１３，１４を形成することにより、チッ
プ抵抗器を完成するのである。
図８に示すように、補助電極９，１０を形成したのち、
前記絶縁基板１の左右両端面１ａ，１ｂの各々に、図９
に示すように、側面電極１１，１２を形成する。そし
て、全体に対してニッケルのメッキ処理を施したのち、
半田のメッキ処理を施して、前記両補助電極９，１０及
び両側面電極１１，１２の表面に、図１０に二点鎖線で
示すように、ニッケルメッキ層及び半田メッキ層から成
る金属メッキ層１３，１４を形成することにより、チッ
プ抵抗器を完成するのである。
【００２２】本発明者の実験によると、チップ抵抗器
を、前記した従来のレーザトリミング方法に適用して製
造した場合に、オーバーコート８の一部が剥がれたり、
前記したメッキ工程に際して、抵抗膜４のうちトリミン
グ溝６内の部分に金属メッキが成長することにより、抵
抗膜４における全抵抗値が所定抵抗値の許容範囲から外
れたりすると言うような不良品の発生率が可成り高いの
で、前記したレーザトリミングを終わった時点で、酸又
は純水による洗浄工程を施すようにしなければならなか
った。
を、前記した従来のレーザトリミング方法に適用して製
造した場合に、オーバーコート８の一部が剥がれたり、
前記したメッキ工程に際して、抵抗膜４のうちトリミン
グ溝６内の部分に金属メッキが成長することにより、抵
抗膜４における全抵抗値が所定抵抗値の許容範囲から外
れたりすると言うような不良品の発生率が可成り高いの
で、前記したレーザトリミングを終わった時点で、酸又
は純水による洗浄工程を施すようにしなければならなか
った。
【００２３】これに対して、チップ抵抗器を、前記した
ように、レーザ光線を、トリミング溝６の溝幅をＷ＝１
５〜４５ミクロンとするように、例えば、直径Ｄ＝１０
〜４０ミクロンに集光し、且つ、抵抗膜とレーザ光線と
の間における相対的な間欠移動のピッチ間隔をＰ＝７〜
１５ミクロンにすると言う本発明のレーザトリミング方
法を適用して製造した場合には、レーザトリミングを終
わった時点で酸又は純水による洗浄工程を施すことを省
略しても、オーバーコート１０の一部が剥がれたり、抵
抗膜４における全抵抗値が所定抵抗値の許容範囲から外
れたりすると言うような不良品の発生率を、従来の場合
の１０分の１以下にすることができるのであった。
ように、レーザ光線を、トリミング溝６の溝幅をＷ＝１
５〜４５ミクロンとするように、例えば、直径Ｄ＝１０
〜４０ミクロンに集光し、且つ、抵抗膜とレーザ光線と
の間における相対的な間欠移動のピッチ間隔をＰ＝７〜
１５ミクロンにすると言う本発明のレーザトリミング方
法を適用して製造した場合には、レーザトリミングを終
わった時点で酸又は純水による洗浄工程を施すことを省
略しても、オーバーコート１０の一部が剥がれたり、抵
抗膜４における全抵抗値が所定抵抗値の許容範囲から外
れたりすると言うような不良品の発生率を、従来の場合
の１０分の１以下にすることができるのであった。
【００２４】なお、本発明者の実験によると、前記レー
ザトリミングに際して、そのトリミング溝６における溝
幅Ｗを、１５ミクロン未満にした場合には、過電圧に対
して弱く（過電圧が印加するとトリミング溝６に通電が
発生する）なると共に、電流ノイズが増大し、これに加
えて、これにミドルコート７を形成するとき、又は、こ
れにオーバーコート１０を形成するときにおいて、前記
トリミング溝６内を完全に塞ぐことができずに、このト
リミング溝６内に空気を抱き込む等と言う別の問題が多
発するのであり、また、相対的な間欠移動のピッチ間隔
Ｐを、１５ミクロンを越えるようにした設定した場合に
は、トリミング溝６が不完全なものになることが多発す
るのであった。
ザトリミングに際して、そのトリミング溝６における溝
幅Ｗを、１５ミクロン未満にした場合には、過電圧に対
して弱く（過電圧が印加するとトリミング溝６に通電が
発生する）なると共に、電流ノイズが増大し、これに加
えて、これにミドルコート７を形成するとき、又は、こ
れにオーバーコート１０を形成するときにおいて、前記
トリミング溝６内を完全に塞ぐことができずに、このト
リミング溝６内に空気を抱き込む等と言う別の問題が多
発するのであり、また、相対的な間欠移動のピッチ間隔
Ｐを、１５ミクロンを越えるようにした設定した場合に
は、トリミング溝６が不完全なものになることが多発す
るのであった。
【００２５】更に、本発明者の実験によると、従来のレ
ーザトリミング方法は、前記した条件のもとで、レーザ
光線の照射するときにおける一回当たりの出力を、０．
６×１０-3〜１．５×１０-3Ｗに設定したために、レー
ザ光線の照射にて抵抗膜４及びアンダーコート５から気
化して消失する成分が可成り広い範囲にわたって飛散す
る現象が認められたが、このレーザ光線の照射するとき
における一回当たりの出力を、前記したように、レーザ
光線を、トリミング溝６の溝幅をＷ＝１５〜４５ミクロ
ンとするように集光し、且つ、抵抗膜とレーザ光線との
間における相対的な間欠移動のピッチ間隔をＰ＝７〜１
５ミクロンにした条件のもとで、０．１５×１０-3〜
０．５×１０-3Ｗに設定することにより、レーザ光線の
照射にて抵抗膜４及びアンダーコート５から気化して消
失する成分が飛散する範囲を可成り狭くできて、前記ア
ンダーコート５の表面に付着する量を更に低減できるの
であった。
ーザトリミング方法は、前記した条件のもとで、レーザ
光線の照射するときにおける一回当たりの出力を、０．
６×１０-3〜１．５×１０-3Ｗに設定したために、レー
ザ光線の照射にて抵抗膜４及びアンダーコート５から気
化して消失する成分が可成り広い範囲にわたって飛散す
る現象が認められたが、このレーザ光線の照射するとき
における一回当たりの出力を、前記したように、レーザ
光線を、トリミング溝６の溝幅をＷ＝１５〜４５ミクロ
ンとするように集光し、且つ、抵抗膜とレーザ光線との
間における相対的な間欠移動のピッチ間隔をＰ＝７〜１
５ミクロンにした条件のもとで、０．１５×１０-3〜
０．５×１０-3Ｗに設定することにより、レーザ光線の
照射にて抵抗膜４及びアンダーコート５から気化して消
失する成分が飛散する範囲を可成り狭くできて、前記ア
ンダーコート５の表面に付着する量を更に低減できるの
であった。
【図１】チップ抵抗器の製造に際し絶縁基板に上面電極
を形成したときの斜視図である。
を形成したときの斜視図である。
【図２】前記絶縁基板に抵抗膜を形成したときの斜視図
である。
である。
【図３】前記絶縁基板にアンダーコートを形成したのち
レーザトリミングを施したときの斜視図である。
レーザトリミングを施したときの斜視図である。
【図４】図３の要部拡大平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ視拡大断面図である。
【図６】前記絶縁基板にミドルコートを形成したときの
斜視図である。
斜視図である。
【図７】前記絶縁基板にオーバーコートを形成したとき
の斜視図である。
の斜視図である。
【図８】前記上面電極に対して補助電極を形成したとき
の斜視図である。
の斜視図である。
【図９】前記絶縁基板に側面電極う形成したときの斜視
図である。
図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ視拡大断面図である。
１ 絶縁基板 ２，３ 上面電極 ４ 抵抗膜 ５ アンダーコート ６ トリミング溝 ７ ミドルコート ８ オーバーコート ９，１０ 補助電極 １１，１２ 側面電極 １３，１４ 金属メッキ層 １５ レーザ光線発射装置 １６ レンズ
Claims (2)
- 【請求項１】集光したレーザ光線を、絶縁基板に形成し
た抵抗膜及びこの抵抗膜を覆うように形成したガラスの
アンダーコートに対して、前記絶縁基板とレーザ光線と
を相対的に適宜ピッチの間隔だけ間欠的に移動しなが
ら、この相対的な間欠移動に合わせて間欠的に照射する
ことにより、トリミング溝を刻設するようにレーザトリ
ミング方法において前記レーザ光線を、トリミング溝の
溝幅を１５〜４５ミクロンとするように集光し、且つ、
抵抗膜とレーザ光線との間における相対的な間欠移動の
ピッチ間隔を７〜１５ミクロンに設定することを特徴と
するチップ抵抗器におけるレーザトリミング方法。 - 【請求項２】集光したレーザ光線を、絶縁基板に形成し
た抵抗膜及びこの抵抗膜を覆うように形成したガラスの
アンダーコートに対して、前記絶縁基板とレーザ光線と
を相対的に適宜ピッチの間隔だけ間欠的に移動しなが
ら、この相対的な間欠移動に合わせて間欠的に照射する
ことにより、トリミング溝を刻設するようにレーザトリ
ミング方法において前記レーザ光線を、トリミング溝の
溝幅を１５〜４５ミクロンとするように集光し、且つ、
抵抗膜とレーザ光線との間における相対的な間欠移動の
ピッチ間隔を７〜１５ミクロンに設定することに加え
て、前記レーザ光線を照射するときにおける一回当たり
の出力を、０．１５×１０-3〜０．５×１０-3Ｗに設定
することを特徴とするチップ抵抗器におけるレーザトリ
ミング方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8295014A JPH10144508A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | チップ抵抗器におけるレーザトリミング方法 |
| MYPI97005240A MY123804A (en) | 1996-11-07 | 1997-11-05 | Process for adjusting the resistance of a chip resistor. |
| GB9723527A GB2319119A (en) | 1996-11-07 | 1997-11-06 | Process for adjusting the resistance of a resistor chip |
| SG1997003973A SG70041A1 (en) | 1996-11-07 | 1997-11-06 | Process for adjusting the resistance of a chip resistor |
| TW086116601A TW394962B (en) | 1996-11-07 | 1997-11-07 | Process for adjusting the resistance of a chip resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8295014A JPH10144508A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | チップ抵抗器におけるレーザトリミング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144508A true JPH10144508A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17815227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8295014A Pending JPH10144508A (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | チップ抵抗器におけるレーザトリミング方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10144508A (ja) |
| GB (1) | GB2319119A (ja) |
| MY (1) | MY123804A (ja) |
| SG (1) | SG70041A1 (ja) |
| TW (1) | TW394962B (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109994295A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-07-09 | 深圳市杰普特光电股份有限公司 | 电阻体的调阻方法及*** |
| CN113369707B (zh) * | 2021-06-08 | 2023-05-05 | 宁波汽车软轴软管有限公司 | 电子油门踏板电路板的调阻机及调阻方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4159461A (en) * | 1977-11-22 | 1979-06-26 | Stackpole Components Co. | Resistor network having horizontal geometry |
| US4429298A (en) * | 1982-02-22 | 1984-01-31 | Western Electric Co., Inc. | Methods of trimming film resistors |
-
1996
- 1996-11-07 JP JP8295014A patent/JPH10144508A/ja active Pending
-
1997
- 1997-11-05 MY MYPI97005240A patent/MY123804A/en unknown
- 1997-11-06 SG SG1997003973A patent/SG70041A1/en unknown
- 1997-11-06 GB GB9723527A patent/GB2319119A/en not_active Withdrawn
- 1997-11-07 TW TW086116601A patent/TW394962B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB9723527D0 (en) | 1998-01-07 |
| MY123804A (en) | 2006-06-30 |
| TW394962B (en) | 2000-06-21 |
| GB2319119A (en) | 1998-05-13 |
| SG70041A1 (en) | 2000-01-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040707 |
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