JP2556615B2 - 導体欠損部の修正方法 - Google Patents
導体欠損部の修正方法Info
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- JP2556615B2 JP2556615B2 JP2264662A JP26466290A JP2556615B2 JP 2556615 B2 JP2556615 B2 JP 2556615B2 JP 2264662 A JP2264662 A JP 2264662A JP 26466290 A JP26466290 A JP 26466290A JP 2556615 B2 JP2556615 B2 JP 2556615B2
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- repairing
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は導体欠損部の修正方法に係り、特に修正用導
体と既存の基板上成膜導体との導通性に優れた修正方法
に関する。
体と既存の基板上成膜導体との導通性に優れた修正方法
に関する。
［従来の技術］ 従来、大型の基板上に薄膜抵抗体、Al導体、及び保護
膜（耐酸化膜、耐磨耗膜）等から成る回路を形成し、例
えばサーマルヘッド等を作成する製造方法が知られてい
る。この様な製造方法においては、回路の欠損が避けら
れず、修正を必要とする場合が多々発生する。
膜（耐酸化膜、耐磨耗膜）等から成る回路を形成し、例
えばサーマルヘッド等を作成する製造方法が知られてい
る。この様な製造方法においては、回路の欠損が避けら
れず、修正を必要とする場合が多々発生する。
第３図は従来の導体欠損部の修正方法を示す工程図で
ある。
ある。
第３図（ａ）はサーマルヘッドの断面図を示し、基板
10上に薄膜抵抗体あるいはAl導体等の導体、ここではAl
導体12が成膜パターン形成されている。Al導体12には、
図示のように欠損部14が発生している。
10上に薄膜抵抗体あるいはAl導体等の導体、ここではAl
導体12が成膜パターン形成されている。Al導体12には、
図示のように欠損部14が発生している。
修正工程は、まず第３図（ｂ）に示すように、基板全
面にフォトレジスト16を塗布することから始める。次
に、第３図（ｃ）に示すように、露光現像を行い、フォ
トレジスト16に開口部を設け、欠損部14を露出させる。
続いて、第３図（ｄ）に示すように、基板の全面に修正
用Al導体18を成膜する。そして、欠損部14以外のフォト
レジスト16上の修正用Al導体18を剥離し（第３図（ｅ）
参照）、さらにフォトレジスト16をも剥離する（第３図
（ｆ）参照）。こうして、Al導体12の欠損を修正してい
た。
面にフォトレジスト16を塗布することから始める。次
に、第３図（ｃ）に示すように、露光現像を行い、フォ
トレジスト16に開口部を設け、欠損部14を露出させる。
続いて、第３図（ｄ）に示すように、基板の全面に修正
用Al導体18を成膜する。そして、欠損部14以外のフォト
レジスト16上の修正用Al導体18を剥離し（第３図（ｅ）
参照）、さらにフォトレジスト16をも剥離する（第３図
（ｆ）参照）。こうして、Al導体12の欠損を修正してい
た。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来の導体欠損部の修正方法によれ
ば、以下のような欠点があった。
ば、以下のような欠点があった。
既存の基板上Al導体12の表面には成膜後、酸化膜が自
然形成されるため、Al導体12と修正用Al導体18との導通
性が不良となり、リード抵抗が高くなってしまう。
然形成されるため、Al導体12と修正用Al導体18との導通
性が不良となり、リード抵抗が高くなってしまう。
修正用Al導体18は、フォトレジスト16の特性上、成膜
温度の上限が制限されているため、基板10あるいはAl導
体12に対する密着性が悪く剥れ易い。
温度の上限が制限されているため、基板10あるいはAl導
体12に対する密着性が悪く剥れ易い。
Al導体12の端部では、修正用Al導体18の膜の回り込み
が悪く、Al導体12と修正用Al導体18との間に隙間（マイ
クロスリット）が発生し、導体間の導通性が不良とな
る。
が悪く、Al導体12と修正用Al導体18との間に隙間（マイ
クロスリット）が発生し、導体間の導通性が不良とな
る。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので
あり、その目的は、導通性、密着性、及び修復性に優れ
た導体欠損部の修正方法を提供することにある。
あり、その目的は、導通性、密着性、及び修復性に優れ
た導体欠損部の修正方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、本発明は、基板上に成膜
された導体の欠損部を修正する導体欠損部の修正方法に
おいて、基板上に成膜された導体上にフォトレジストを
塗布する工程と、前記フォトレジストに露光現象を行な
い、前記導体に発生した欠損部及びこの欠損部が発生し
た導体端部を露出させる開口部を前記フォトレジストに
形成する露光現像工程と、前記開口部から露出された欠
損部上及び導体端部上を含み前記フォトレジスト上に修
正用導体を成膜する修正工程と、前記導体の導体幅より
も小さい照射範囲で前記開口部内の導体端部と修正用導
体とをレーザ照射により溶融させる溶融工程と、溶融
後、不要な修正用導体とフォトレジストを除去する除去
工程と、を含むことを特徴とする。さらに、本発明は、
前記修正用導体と導体とを同一材質で、又は異なる材質
で形成したことを特徴とする。
された導体の欠損部を修正する導体欠損部の修正方法に
おいて、基板上に成膜された導体上にフォトレジストを
塗布する工程と、前記フォトレジストに露光現象を行な
い、前記導体に発生した欠損部及びこの欠損部が発生し
た導体端部を露出させる開口部を前記フォトレジストに
形成する露光現像工程と、前記開口部から露出された欠
損部上及び導体端部上を含み前記フォトレジスト上に修
正用導体を成膜する修正工程と、前記導体の導体幅より
も小さい照射範囲で前記開口部内の導体端部と修正用導
体とをレーザ照射により溶融させる溶融工程と、溶融
後、不要な修正用導体とフォトレジストを除去する除去
工程と、を含むことを特徴とする。さらに、本発明は、
前記修正用導体と導体とを同一材質で、又は異なる材質
で形成したことを特徴とする。
［作用］ 上記構成を有する本発明の導体欠損部の修正方法にお
いては、修正用導体と既存の基板上成膜導体とをレーザ
照射により、短時間及び部分的に溶融させることで、導
体間の導通性に優れ、修正用導体と基板との密着性を向
上させることができる。
いては、修正用導体と既存の基板上成膜導体とをレーザ
照射により、短時間及び部分的に溶融させることで、導
体間の導通性に優れ、修正用導体と基板との密着性を向
上させることができる。
［実施例］ 以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明に係る導体欠損部の修正方法の一実施
例を示す工程図である。なお、第３図と同一部分には同
一の符号を付してある。
例を示す工程図である。なお、第３図と同一部分には同
一の符号を付してある。
まず、第１図（ａ）に示すように、抵抗体、Al導体12
等の成膜、パターン形成後に、電気的特性（導通性）を
測定し、基板10において導体欠損部14が発生している部
分を検出する。
等の成膜、パターン形成後に、電気的特性（導通性）を
測定し、基板10において導体欠損部14が発生している部
分を検出する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、前記基板10の全面
に例えばポジ型フォトレジスト16を塗布する。
に例えばポジ型フォトレジスト16を塗布する。
続いて、第１図（ｃ）に示すように、欠損部14を露光
し現象することにより、Al導体12が欠損している部分を
露出させる。このとき、修正により接続させるべきAl導
体12の端部を両側共に露出させる。
し現象することにより、Al導体12が欠損している部分を
露出させる。このとき、修正により接続させるべきAl導
体12の端部を両側共に露出させる。
次に、第１図（ｄ）に示すように、露出された欠損部
14を含む基板上に修正用Al導体18を成膜する。
14を含む基板上に修正用Al導体18を成膜する。
続いて、第１図（ｅ）に示すように、修正用Al導体18
と既存の基板上成膜Al導体12とをレーザ照射により溶融
させる。第２図はレーザ照射部分を示す基板平面図であ
る。図中、斜線にて示すようにレーザ照射部分20は、例
えばスリットによりスポット径10□〜200□μｍ程度、A
l導体12の1/3幅程度に設定される。このレーザ照射によ
り、修正用Al導体18とAl導体12とが２層に重なっている
部分、そしてマイクロスリットが発生し易いAl導体12の
端部、さらに基板10に接する修正用Al導体18が確実に溶
融される。
と既存の基板上成膜Al導体12とをレーザ照射により溶融
させる。第２図はレーザ照射部分を示す基板平面図であ
る。図中、斜線にて示すようにレーザ照射部分20は、例
えばスリットによりスポット径10□〜200□μｍ程度、A
l導体12の1/3幅程度に設定される。このレーザ照射によ
り、修正用Al導体18とAl導体12とが２層に重なっている
部分、そしてマイクロスリットが発生し易いAl導体12の
端部、さらに基板10に接する修正用Al導体18が確実に溶
融される。
このため、修正用Al導体18とAl導体12の層間の酸化皮
膜が無くなり、良好な導通状態と密着力が得られる。ま
た、マイクロスリットの不連続面も溶融させてしまう
為、連続したAl導体が得られる。さらに、Al導体12のな
かった欠損部14の下地とも密着性が良くなる。
膜が無くなり、良好な導通状態と密着力が得られる。ま
た、マイクロスリットの不連続面も溶融させてしまう
為、連続したAl導体が得られる。さらに、Al導体12のな
かった欠損部14の下地とも密着性が良くなる。
なお、レーザの照射時間はμsec程度とし、そのパワ
ーはAl導体が溶融し、全てが飛散してしまわない程度と
される。
ーはAl導体が溶融し、全てが飛散してしまわない程度と
される。
次に、第１図（ｅ）に示す余分な修正用Al導体18を例
えば剥離用粘着テープで除去する。そして、フォトレジ
スト16を剥離後にて除去する。なお、余分な修正用Al導
体は、レーザ照射時の金属蒸気のマスキング材となって
いる。また、欠損部14の修正用Al導体18は、溶融して下
地と密着している為、余分な修正用Al導体と同時に剥れ
てしまう事はない。さらに、レーザ照射条件により、余
分な修正用Al導体を切断することも可能である。
えば剥離用粘着テープで除去する。そして、フォトレジ
スト16を剥離後にて除去する。なお、余分な修正用Al導
体は、レーザ照射時の金属蒸気のマスキング材となって
いる。また、欠損部14の修正用Al導体18は、溶融して下
地と密着している為、余分な修正用Al導体と同時に剥れ
てしまう事はない。さらに、レーザ照射条件により、余
分な修正用Al導体を切断することも可能である。
上気レーザ照射によって修正用Al導体18は、溶融して
確実にAl導体12と結合しており、欠損の無かったAl導体
12に対して良好な導通状態が得られる。このため、レー
ザ照射時に照射状態をモニターする事により、外観上か
ら導通の可否が判断できる。この事から、修正出来たか
否かを、抵抗値（導通性）で確認する必要がなく、その
まま、後工程に流す事ができる。
確実にAl導体12と結合しており、欠損の無かったAl導体
12に対して良好な導通状態が得られる。このため、レー
ザ照射時に照射状態をモニターする事により、外観上か
ら導通の可否が判断できる。この事から、修正出来たか
否かを、抵抗値（導通性）で確認する必要がなく、その
まま、後工程に流す事ができる。
上気のような本発明の修正方法は、例えばサーマルヘ
ッドを製作するときの回転欠損部の修正に特に有効であ
る。サーマルヘッドは、発熱体とつながる例えばAl導体
の抵抗値が低く、バラツキの小さい方が好ましい。この
導体の抵抗値変化が、そのサーマルヘッドの抵抗値特
性、すなわち印字品位に影響する。従って、サーマルヘ
ッドにおいて、高品質の印字を目的とする場合、当然そ
のサーマルヘッドの抵抗値のバラツキは、できるだけ小
さい方が印字品質も向上する。この様な導体抵抗値のバ
ラツキは、本発明の修正方法を用いることにより小さく
することが可能であり、本発明は、抵抗値のバラツキを
小さくしたい回路の修正に特に有効である。
ッドを製作するときの回転欠損部の修正に特に有効であ
る。サーマルヘッドは、発熱体とつながる例えばAl導体
の抵抗値が低く、バラツキの小さい方が好ましい。この
導体の抵抗値変化が、そのサーマルヘッドの抵抗値特
性、すなわち印字品位に影響する。従って、サーマルヘ
ッドにおいて、高品質の印字を目的とする場合、当然そ
のサーマルヘッドの抵抗値のバラツキは、できるだけ小
さい方が印字品質も向上する。この様な導体抵抗値のバ
ラツキは、本発明の修正方法を用いることにより小さく
することが可能であり、本発明は、抵抗値のバラツキを
小さくしたい回路の修正に特に有効である。
なお、以上説明した実施例では修正用導体が既存の基
板上成膜導体と同一材質（実施例中はAl）である場合を
例示したが、本発明は上気実施例に限定されるものでは
なく、異なる材質の修正用導体を用いても良い。
板上成膜導体と同一材質（実施例中はAl）である場合を
例示したが、本発明は上気実施例に限定されるものでは
なく、異なる材質の修正用導体を用いても良い。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の導体欠損部の修正方法
によれば、基板上成膜導体と修正用導体とがレーザによ
って溶融する事により、連続した導体となる為、欠損の
ない導体と同等の信頼性が得られ、かつ、リード抵抗
も、同等の値が得られる。
によれば、基板上成膜導体と修正用導体とがレーザによ
って溶融する事により、連続した導体となる為、欠損の
ない導体と同等の信頼性が得られ、かつ、リード抵抗
も、同等の値が得られる。
また、余分な修正用導体を剥す以前に、レーザ処理を
行なう為、熱蒸気による汚染が無く、保護膜等の密着力
の低下も招かない。
行なう為、熱蒸気による汚染が無く、保護膜等の密着力
の低下も招かない。
さらに、確実な導体間の溶融接続ができる為、修正前
に導体の表面酸化状態の確認、及び、その酸化膜の除去
を行なわなくて良く修正用導体の成膜条件も密着力があ
る程度得られれば良く成膜条件が簡易になる。
に導体の表面酸化状態の確認、及び、その酸化膜の除去
を行なわなくて良く修正用導体の成膜条件も密着力があ
る程度得られれば良く成膜条件が簡易になる。
また、確実に導体欠損不良を良品とできる為、繰り返
し修正と廃棄が無くなり、修正効率が向上する。
し修正と廃棄が無くなり、修正効率が向上する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明に係る導体欠損部の修正
方法の一実施例を示す工程図、 第２図はレーザ照射部分を示す基板平面図、 第３図（ａ）〜（ｆ）は従来の導体欠損部の修正方法を
示す工程図である。 10……基板 12……Al導体 14……欠損部 16……フォトレジスト 18……修正用Al導体 20……レーザ照射部分
方法の一実施例を示す工程図、 第２図はレーザ照射部分を示す基板平面図、 第３図（ａ）〜（ｆ）は従来の導体欠損部の修正方法を
示す工程図である。 10……基板 12……Al導体 14……欠損部 16……フォトレジスト 18……修正用Al導体 20……レーザ照射部分
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に成膜された導体の欠損部を修正す
る導体欠損部の修正方法において、 基板上に成膜された導体上にフォトレジストを塗布する
工程と、 前記フォトレジストに露光現象を行ない、前記導体に発
生した欠損部及びこの欠損部が発生した導体端部を露出
させる開口部を前記フォトレジストに形成する露光現像
工程と、 前記開口部から露出された欠損部上及び導体端部上を含
み前記フォトレジスト上に修正用導体を成膜する修正工
程と、 前記導体の導体幅よりも小さい照射範囲で前記開口部内
の導体端部と修正用導体とをレーザ照射により溶融させ
る溶融工程と、 溶融後、不要な修正用導体とフォトレジストを除去する
除去工程と、 を含むことを特徴とする導体欠損部の修正方法。 - 【請求項２】請求項（１）記載の修正方法において、 前記修正用導体と導体は同一材質であることを特徴とす
る導体欠損部の修正方法。 - 【請求項３】請求項（１）記載の修正方法において、 前記修正用導体と導体は異なる材質であることを特徴と
する導体欠損部の修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2264662A JP2556615B2 (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 導体欠損部の修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2264662A JP2556615B2 (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 導体欠損部の修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04142037A JPH04142037A (ja) | 1992-05-15 |
| JP2556615B2 true JP2556615B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=17406467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2264662A Expired - Fee Related JP2556615B2 (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 導体欠損部の修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2556615B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4701036B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2011-06-15 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 電子回路基板の配線パターン補修方法及び配線パターン補修装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116790A (en) * | 1977-03-22 | 1978-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | Electrical connection method within semiconductor chip |
| JPH0266545A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-06 | Hoya Corp | 薄膜パターンの欠落欠陥部修正方法 |
-
1990
- 1990-10-01 JP JP2264662A patent/JP2556615B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04142037A (ja) | 1992-05-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |