CN109994295A - 电阻体的调阻方法及*** - Google Patents

Abstract

本申请提供一种电阻体的调阻方法及***，应用于激光加工技术领域，所述方法包括：获取待调电阻体的切割开始位置；控制激光器基于预先设定的第一功率从所述开始位置处沿预设切割路径对所述待调电阻进行开槽；控制所述激光器基于预先设定的第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述第二功率小于所述第一功率。通过该方式能够清除开槽内的残留物，同时，由于第二功率比较小，因此，回切过程中的电阻体的阻值较稳定，也不会将电阻体的基底破坏。

Description

电阻体的调阻方法及***

技术领域

本申请涉及激光加工技术领域，具体而言，涉及一种电阻体的调阻方法及***。

背景技术

现有的激光调阻机对电阻体的修阻是利用一束极细的激光束打在电阻体上，通过对电阻阻体进行气化蒸发实现切割，随着激光切割过程的进行，同时通过量测***实时测量电阻体的阻值，当电阻体的实际阻值达到目标阻值后，激光束关闭，即实现激光调阻过程。激光调阻具有调阻精度高、速度快、可靠性高、成本低廉等特点。然而，在对电阻体进行开槽修阻时，电阻体的开槽内容易存在残留物和气化不完全的异常状态，继而使得电阻体的阻值稳定性差、不耐高压等。

针对上述问题，现有的激光修阻工艺通常采用增大修阻功率的方式来清除修阻刻痕内的油墨残留物，以及消除电阻体气化不完全的异常状态。然而，增大激光功率的方法容易将电阻体的基底部分破坏，同时，增大功率会使得电阻体上的温度增加，继而导致在修阻过程中的电阻体的阻值不稳定。

申请内容

鉴于此，本申请实施例的目的在于提供一种电阻体的调阻方法及***，以清除修阻刻痕内的油墨残留物，以及消除电阻体气化不完全的异常状态。

第一方面，本申请实施例提供一种电阻体的调阻方法，所述方法包括：获取待调电阻体的切割开始位置；控制激光器基于预先设定的第一功率从所述开始位置处沿预设切割路径对所述待调电阻进行开槽；控制所述激光器基于预先设定的第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述第二功率小于所述第一功率。

在上述实现过程中，不用像现有技术一样，在开槽调阻时调大调阻功率，而是采用常规功率(第一功率)即可，所以在开槽调阻时，不会将电阻体的基底破坏，也不会使得电阻体发生温飘，然后在对待调电阻体进行开槽调阻后，通过控制所述激光器基于小于第一功率的第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至开槽的开始位置，所以也可以达到清除开槽内的残留物的目的，进一步，由于激光束的大小与激光功率有关，激光功率越小，激光束越细，将第二功率设置为小于第一功率，使得回切过程中的激光束比较细，所以回切时也不会将电阻体的基底破坏，也不会使得电阻体发生温飘，并且可以使得回切之后的电阻体的阻值较稳定。

基于第一方面，在一种可能的设计中，所述第二功率为所述第一功率的十分之一。

在上述实现过程中，通过将回切过程中的第二功率设置为所述第一功率的十分之一，可以使得清理残渣的效果和降低回切过程中激光对电阻体的阻值的影响的效果都比较好。

基于第一方面，在一种可能的设计中，控制所述激光器基于预先设定的第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，包括：控制所述激光器基于预先设定的第二功率和回切速度从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述回切速度大于所述开槽时的切割速度。

在上述实现过程中，由于激光束的大小还与激光器的切割速度有关，在激光器的功率相同的情况下，切割速度越大，激光束越细，所以还通过设置回切过程中的激光器的回切速度大于开槽时的切割速度，使得回切过程中的激光比较细，可以兼顾清理残渣效果和降低回切过程中激光对电阻体的阻值的影响的效果。

基于第一方面，在一种可能的设计中，控制所述激光器基于预先设定的第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，包括：控制所述激光器基于预先设定的第二功率和激光的光点密度从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述光点密度小于所述开槽时的光点密度。

在上述实现过程中，由于激光束的大小与光点密度有关，在单脉冲能量(一个光点的能量)相同的情况下，光点密度越小，激光束越细，所以还通过设置回切过程中的激光的光点密度小于开槽时的激光的光点密度，使得回切过程中的激光比较细，可以兼顾清理残渣效果和降低回切过程中激光对电阻体的阻值的影响的效果。

基于第一方面，在一种可能的设计中，所述方法还包括：在所述开槽内还存在残留物时，控制所述激光器再次基于所述第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置。

在上述实现过程中，为了更好的清除开槽内的残留物，因此，在所述开槽内还存在残留物时，控制所述激光器再次基于所述第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，通过该方式能够进一步清除残留物。

基于第一方面，在一种可能的设计中，在控制所述激光器基于预先设定的第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置之前，所述方法还包括：获取待调电阻体的预设阻值；控制所述激光器基于预先设定的第一功率从所述开始位置处沿所述预设切割路径对所述待调电阻体进行开槽时，获取所述待调电阻体的阻值；在所述待调电阻体的阻值达到所述预设值时，获取所述开槽的结束位置。

在上述实现过程中，在对电阻体进行开槽时，通过实时测量待调电阻体的阻值，在所述待调电阻体阻值达到预设值时，获取所述开槽的结束位置，通过该方式能够使得开槽结束时的待调电阻体的阻值达到所述预设值，并且能准确的确定回切的起始位置。

第二方面，本申请实施例提供一种电阻体的调阻***，所述***包括：激光器和控制装置，所述控制装置分别与所述激光器和待调电阻体连接；所述控制装置，用于获取所述待调电阻体的切割开始位置；所述控制装置，还用于控制所述激光器基于预先设定的第一功率从所述开始位置处沿预设切割路径对所述待调电阻进行开槽；所述控制装置，还用于控制所述激光器基于预先设定的第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述第二功率小于所述第一功率。

基于第二方面，在一种可能的设计中，所述控制装置，还用于控制所述激光器基于预先设定的第二功率和回切速度从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述回切速度大于所述开槽时的切割速度。

基于第二方面，在一种可能的设计中，所述控制装置，还用于控制所述激光器基于预先设定的第二功率和激光的光点密度从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述光点密度小于所述开槽时的光点密度。

基于第二方面，在一种可能的设计中，所述控制装置，还用于在所述开槽内还存在残留物时，控制所述激光器再次基于所述第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置。

基于第二方面，在一种可能的设计中，所述控制装置，还用于获取待调电阻体的预设阻值；以及控制所述激光器基于预先设定的第一功率从所述开始位置处沿所述预设切割路径对所述待调电阻体进行开槽时，获取所述待调电阻体的阻值；以及在所述待调电阻体的阻值达到所述预设值时，获取所述开槽的结束位置。

本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例提供的电阻体的调阻方法的流程示意图；

图2为本申请实施例提供的电阻体的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的电阻体的调阻***的结构示意图；

表1为本申请实施例提供的实验数据。

图标：100-电阻体的调阻***；110-激光器；120-控制装置。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

请参照图1和图3，图1为本申请实施例提供的一种电阻体的调阻方法的流程图，图3为本申请实施例提供的电阻体的调阻***的结构示意图，所述方法包括：S100、S200和S300。

为便于说明本申请实施例中的调阻方法的实施过程，下面先简单介绍一下激光调阻的原理：控制激光器110对电阻体的表面发射激光，使电阻浆料层受激光加热气化，形成一定深度的刻痕，从而改变了电阻体的导电截面积和导电长度，实现将电阻体的阻值调整到目标阻值。

S100：获取待调电阻体的切割开始位置。

S200：控制激光器110基于预先设定的第一功率从所述开始位置处沿预设切割路径对所述待调电阻进行开槽。

S300：控制所述激光器110基于预先设定的第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述第二功率小于所述第一功率。

下面对本申请的方法的流程进行详细阐述。

在一种可能的实施方式中，S100可以按照如下方式实施，在需要对待调电阻体进行调阻时，将待调电阻体放置在工件台上，其中，所述待调电阻***于预先建立的二维坐标系内，获取用户设置的或计算出的(该部分内容均为本领域技术人员所熟知的内容，所以在此不再赘述)待调电阻体的切割开始位置在所述二维坐标系中的横坐标和纵坐标。

其中，在本实施例中，所述待调电阻体为小尺寸、轻薄型陶瓷片式电阻，在其他实施例中，所述待调电阻体也可以为大尺寸片式电阻等其他类型的电阻。

在另一种可能的实施方式中，S100可以按照如下方式实施，在需要对待调电阻体进行调阻时，在控制激光器110发射的激光位于待调电阻体的切割开始位置时，获取所述开始位置在所述二维坐标系中的横坐标和纵坐标。

其中，在本实施例中采用的激光器110为型号为JPT MOPA的光纤激光调阻机，在其他实施例中，激光器110可以为其他类型的激光器110。

S200：控制激光器110基于预先设定的第一功率从所述开始位置处沿预设切割路径对所述待调电阻进行开槽。

在一种可能的实施方式中，S200可以按照如下方式实施，在获取到所述开始位置的横坐标和纵坐标时，控制激光器110基于预先设定的第一功率发射的激光从所述开始位置处沿预设切割路径对所述待调电阻进行开槽。

其中，所述预先设定的切割路径为在所述待调电阻体上的切割后的轨迹俯视图，所述切割路径可以为L型，直线型等，切割路径不作限定，在本实施例中，请参照图2，所述预先设定的切割路径的直线型。在所述预先设定切割路径为直线型时，由于两点确定一条直线，因此需要获取所述预先设定的切割路径上除所述开始位置处以外的的至少一个点的位置坐标。在所述预先设定的切割路径为L型时，需要获取所述预先设定的切割路径上除所述开始位置处以外的的至少两个点的位置坐标，以确定唯一切割路径。路径上各点的坐标值的设定和获取，均为本领域技术人员所述熟知的内容，所以在此不再赘述。

作为另一种可能的实施方式，所述切割路径还包括开槽的深度以及开槽的宽度。控制装置120可以根据深度和宽度确定激光束的功率、速度和光点密度等参数。

S300：控制所述激光器110基于预先设定的第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述第二功率小于所述第一功率。

为了在保证不损坏电阻体基底的条件下，清除开槽内的残留物，控制所述激光器110基于预先设定的第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述第二功率小于所述第一功率。由于回切的切割方向与开槽时的切割方向相反，且回切的切割路径与开槽时的切割路径相同，因此，能够将开槽内的残留物去除，同时，由于第二功率小于第一功率，因此，回切过程中的电阻体的温度变化不大，继而使得回切过程中的电阻体的阻值会较稳定，也不会将电阻体的基底破坏。

作为一种实施方式，所述第二功率为所述第一功率的十分之一。

例如，在所述第一功率为3W时，所述第二功率为0.3W。

由于激光束的大小与激光功率有关，激光功率越小，激光束越细，通过将回切过程中的第二功率设置为所述第一功率的十分之一，使得回切过程中的激光束比较细，可以兼顾清理残渣效果和降低回切过程中激光对电阻体的阻值的影响的效果。

作为一种实施方式，所述第二功率也可以为所述第一功率的九分之一。

例如，在所述第一功率为3W时，所述第二功率为0.27W。

作为一种实施方式，所述第二功率为0.2W-0.8W中的任意值。

例如，所述第二功率可以为0.2W，所述第二功率可以为0.5W，所述第二功率可以为0.8W。

在所述第二功率为0.2W-0.8W中的任意值时，不仅能够将残留物去除，而且能够最大程度地降低回切过程中激光对电阻体的阻值的影响。

由于激光束的大小与激光器110的切割速度有关，切割速度越大，激光束越细，同时，回切过程中的激光束越细，回切过程中激光对电阻体的阻值影响越小，因此，作为一种实施方式，S300包括：

控制所述激光器110基于预先设定的第二功率和回切速度从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述回切速度大于所述开槽时的切割速度。

其中，所述回切速度为所述开槽时的切割速度的三倍。

例如，在所述切割速度为30mm/s时，所述回切速度为90mm/s。

作为一种实施方式，所述回切速度为所述开槽时的切割速度的四倍。

例如，在所述切割速度为30mm/s时，所述回切速度为120mm/s。

作为一种实施方式，所述回切速度为80mm/s-150mm/s中的任意值。

例如，所述回切速度可以为80mm/s，所述回切速度可以为90mm/s，所述回切速度还可以为150mm/s。

在所述回切速度为80mm/s-150mm/s中的任意值时，不仅能够将残留物去除，而且能够最大程度地降低回切过程中激光对电阻体的阻值的影响。

由于回切过程中的激光器110的回切速度大于开槽时的切割速度，使得回切过程中的激光比较细，继而降低回切过程中激光对电阻体的阻值的影响。

由于激光束的大小与激光的光点密度有关，在单脉冲能量相同的情况下，光点密度越小，激光束越细，因此，作为一种实施方式，S300包括：

控制所述激光器110基于预先设定的第二功率和激光的光点密度从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述光点密度小于所述开槽时的光点密度。

由于回切过程中的激光的光点密度小于开槽时的激光的光点密度，使得回切过程中的激光比较细，继而降低回切过程中激光对电阻体的阻值的影响。

作为一种实施方式，所述回切时的光点密度为所述开槽时的光点密度的二分之一。

例如，在所述开槽时的光点密度为400p/mm时，所述回切时的光点密度为200p/mm。

例如，在所述开槽时的光点密度为500p/mm时，所述回切时的光点密度为250p/mm。

作为一种实施方式，所述回切时的光点密度为所述开槽时的光点密度的四分之一。

例如，在所述开槽时的光点密度为400p/mm时，所述回切时的光点密度为100p/mm。

作为一种实施方式，所述回切时的光点密度为200p/mm。

在所述回切时的光点密度为200p/mm时，不仅能够将残留物去除，而且能够最大程度地降低回切过程中激光对电阻体的阻值的影响。

作为一种实施方式，S200包括：

控制所述激光器110基于预先设定的第二功率、回切速度以及激光的光点密度从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述回切速度大于所述开槽时的切割速度，且所述光点密度小于所述开槽时的光点密度。

作为一种实施方式，在S200之前，所述方法还包括：A1、A2和A3。

A1：获取待调电阻体的预设阻值。

在需要对电阻体进行调阻时，获取用户设置的待调电阻体的预设阻值，其中，所述预设阻值可以为所述待调电阻体阻值的2倍，所述预设阻值可以为所述待调电阻体阻值的3倍等，所述预设值可以为30欧姆、40欧姆等，所述预设值根据用户需求设定，所述预设值不作限定。

例如，在所述待调电阻的当前阻值为10欧姆时，若所述预设阻值为所述待调电阻的2倍时，那么，所述预设阻值为20欧姆，若所述预设阻值为所述待调电阻的3倍时，那么，所述预设阻值为30欧姆。

A2：控制所述激光器110基于预先设定的第一功率从所述开始位置处沿所述预设切割路径对所述待调电阻体进行开槽时，获取所述待调电阻体的阻值。

在需要对待调电阻体的阻值进行测量时，在所述待调电阻体周围设置一恒流源，以使所述恒流源与所述待调电阻体形成一回路，在控制所述激光器110基于预先设定的第一功率从所述开始位置处沿所述预设切割路径对所述待调电阻体进行开槽时，通过实时测量待调电阻体两端的电压，并利用待调电阻体两端的电压值除以流经所述待调电阻体的恒定电流的电流值，继而获取所述待调电阻体的阻值。

A3：在所述待调电阻体的阻值达到所述预设值时，获取所述开槽的结束位置。

作为一种实施方式，在所述待调电阻体的阻值与所述预设值相等时，获取所述开槽的结束位置在所述二维坐标系中的横坐标和纵坐标。

作为另一种实施方式，在所述待调电阻体的阻值与所述预设值的差值的绝对值小于预设误差值时，获取所述开槽的结束位置在所述二维坐标系中的横坐标和纵坐标。其中，所述预设误差值的取值范围为0.1％与所述预设值的积--0.5％与所述预设值的积，在本实施例中，所述预设误差值为0.4％与所述预设值的积，在其他实施例中，所述预设误差值可以为0.5％与所述预设值的积，所述预设误差值也可以为0.1％与所述预设值的积。

为了彻底清除开槽内的残留物，因此，在所述开槽内还存在残留物时，因此，作为一种实施方式，所述方法还包括：

在所述开槽内还存在残留物时，控制所述激光器110再次基于所述第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置。

作为一种实施方式，在所述开槽内还存在残留物时，控制所述激光器110再次基于所述第二功率、所述回切速度从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置。

作为一种实施方式，在所述开槽内还存在残留物时，控制所述激光器110再次基于所述第二功率、所述激光的光点密度从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置。

为了验证使用回切后的修阻效果，请参照表1，本申请利用封装尺寸为0402、预设阻值1Ω(初始阻值的范围为0.65Ω-0.9Ω)的陶瓷片式电阻做测试。随机选择10颗电阻进行测试，首先，采用不加回切的方式进行修阻得到的电阻体的阻值误差记为“a”，然后，引入回切的修阻方式进行修阻得到的电阻体的阻值误差为“b”。比较回切前后的阻值误差是否在可控范围内(即，若需要生产预设阻值1Ω，阻值误差小于等于1％的电阻，在行业中激光修阻后的电阻体的阻值误差应处于±0.6％与所述预设阻值的乘积的范围内)。

表1

请参照图3，图3是本申请实施例提供的一种电阻体的调阻***100的结构框图。下面将对图3所示的结构框图进行阐述，所示***包括：激光器110和控制装置120，所述控制装置120分别与所述激光器110和待调电阻体连接，其中，所述控制装置120用于执行上述电阻体的调阻方法。

所述控制装置120，用于获取所述待调电阻体的切割开始位置。

所述控制装置120，还用于控制所述激光器110基于预先设定的第一功率从所述开始位置处沿预设切割路径对所述待调电阻体进行开槽。

所述控制装置120，还用于控制所述激光器110基于预先设定的第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述第二功率小于所述第一功率。

作为一种实施方式，所述控制装置120，还用于控制所述激光器110基于预先设定的第二功率和回切速度从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述回切速度大于所述开槽时的切割速度。

作为一种实施方式，所述控制装置120，还用于控制所述激光器110基于预先设定的第二功率和激光的光点密度从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述光点密度小于所述开槽时的光点密度。

作为一种实施方式，所述控制装置120，还用于在所述开槽内还存在残留物时，控制所述激光器110再次基于所述第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置。

作为一种实施方式，所述控制装置120，还用于获取待调电阻体的预设阻值；以及控制所述激光器110基于预先设定的第一功率从所述开始位置处沿所述预设切割路径对所述待调电阻体进行开槽时，获取所述待调电阻体的阻值；以及在所述待调电阻体的阻值达到所述预设值时，获取所述开槽的结束位置。

本实施例中实现控制装置120上述功能的具体实现方式，请参见上述图1所示实施例中描述的内容，此处不再赘述。

综上所述，本申请各实施例提出的电阻体的调阻方法及***，所述方法包括：获取待调电阻体的切割开始位置；控制激光器110基于预先设定的第一功率从所述开始位置处沿预设切割路径对所述待调电阻进行开槽；控制所述激光器110基于预先设定的第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述第二功率小于所述第一功率。通过该方式能够清除开槽内的残留物，同时，由于第二功率比较小，因此，回切过程中的电阻体的阻值较稳定，也不会将电阻体的基底破坏。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本申请的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的装置来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

另外，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

Claims (10)

1.一种电阻体的调阻方法，其特征在于，所述方法包括：

获取待调电阻体的切割开始位置；

控制激光器基于预先设定的第一功率从所述开始位置处沿预设切割路径对所述待调电阻体进行开槽；

控制所述激光器基于预先设定的第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述第二功率小于所述第一功率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二功率为所述第一功率的十分之一。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，控制所述激光器基于预先设定的第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，包括：

控制所述激光器基于预先设定的第二功率和回切速度从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述回切速度大于所述开槽时的切割速度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，控制所述激光器基于预先设定的第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，包括：

控制所述激光器基于预先设定的第二功率和激光的光点密度从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述光点密度小于所述开槽时的光点密度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述开槽内还存在残留物时，控制所述激光器再次基于所述第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在控制所述激光器基于预先设定的第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置之前，所述方法还包括：

获取待调电阻体的预设阻值；

控制所述激光器基于预先设定的第一功率从所述开始位置处沿所述预设切割路径对所述待调电阻体进行开槽时，获取所述待调电阻体的阻值；

在所述待调电阻体的阻值达到所述预设值时，获取所述开槽的结束位置。

7.一种电阻体的调阻***，其特征在于，所述***包括：激光器和控制装置，所述控制装置分别与所述激光器连接；

所述控制装置，用于获取待调电阻体的切割开始位置；

所述控制装置，还用于控制所述激光器基于预先设定的第一功率从所述开始位置处沿预设切割路径对所述待调电阻体进行开槽；

所述控制装置，还用于控制所述激光器基于预先设定的第二功率从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述第二功率小于所述第一功率。

8.根据权利要求1所述的***，其特征在于，所述控制装置，还用于控制所述激光器基于预先设定的第二功率和回切速度从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述回切速度大于所述开槽时的切割速度。

9.根据权利要求1所述的***，其特征在于，所述控制装置，还用于控制所述激光器基于预先设定的第二功率和激光的光点密度从开槽的结束位置处开始沿所述预设切割路径回切直至所述开始位置，其中，所述光点密度小于所述开槽时的光点密度。

10.根据权利要求1所述的***，其特征在于，所述控制装置，还用于获取待调电阻体的预设阻值；控制所述激光器基于预先设定的第一功率从所述开始位置处沿所述预设切割路径对所述待调电阻体进行开槽时，获取所述待调电阻体的阻值；以及在所述待调电阻体的阻值达到所述预设值时，获取所述开槽的结束位置。