JPH10135257A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその金型 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその金型

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JPH10135257A
JPH10135257A JP28662296A JP28662296A JPH10135257A JP H10135257 A JPH10135257 A JP H10135257A JP 28662296 A JP28662296 A JP 28662296A JP 28662296 A JP28662296 A JP 28662296A JP H10135257 A JPH10135257 A JP H10135257A
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JP
Japan
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resin
semiconductor element
mold
semiconductor device
gate
Prior art date
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Pending
Application number
JP28662296A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuhito Oouchi
伸仁 大内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP28662296A priority Critical patent/JPH10135257A/ja
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  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 モールド樹脂注入時の樹脂の流れが、半導体
素子の表面と裏面へ均一に流れ、半導体素子の裏面側の
薄い樹脂の充填性を良好にし、薄型化された信頼性の高
い樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその金型を提供
する。 【解決手段】 半導体素子のサイズ内にリードを設けた
半導体素子サイズにほぼ等しい樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、上金型15と下金型16によって形
成されるキャビティに前記半導体素子11をセットし、
前記キャビティの垂直方向の対角線上にゲート17とエ
アーベント18を配置し、前記ゲート17からモールド
樹脂13を充填し、前記エアーベント18からエアーを
抜く。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置の製造方法及びその金型に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、ICカードやメモリーカードが急
速に発達し、これに従ってカードの中に搭載される樹脂
封止型半導体装置も薄型、小型のものが要求されるよう
になっており、これらに対応するために、数多くの樹脂
封止型半導体装置が提案されている。
【0003】その一つとして、例えば、以下に示すよう
なものがあった。図7はかかる従来の樹脂封止型半導体
装置の断面図、図8は図7の側面図である。これらの図
において、1は半導体素子、2はリード、3は金線、4
はモールド樹脂であり、半導体素子1裏面を露出させる
ことで、薄型化を図り、且つ半導体素子1のサイズ内に
リード2を設けた半導体素子1サイズに、ほぼ等しい面
積の半導体装置を得るようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の樹脂封止型半導体装置では、図9に示すよう
に、半導体素子1裏面が外部に露出しているため、何ら
かの外力に影響されやすく、クラック5などを生じ、特
性を損なう恐れがある。また、図10に示すように、半
導体素子1の裏面を露出をさせず、非常に薄く、樹脂4
で覆った装置を考える。
【0005】この装置のタイプでは、図11に示すよう
に、樹脂注入のゲート8の位置と、エアーベント9は同
一面上にあるため、図12に示すように、半導体素子1
裏面側の樹脂の充填性が悪くなる。なお、これらの図に
おいて、6は上金型、7は下金型である。本発明は、上
記問題点を除去し、モールド樹脂注入時の樹脂の流れ
が、半導体素子の表面と裏面へ均一に流れ、半導体素子
の裏面側の薄い樹脂の充填性を良好にし、薄型化された
信頼性の高い樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその
金型を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 (1)半導体素子のサイズ内にリードを設けた半導体素
子サイズに、ほぼ等しい樹脂封止型半導体装置の製造方
法において、上金型と下金型によって形成されるキャビ
ティに前記半導体素子をセットし、前記キャビティの垂
直方向の対角線上にゲートとエアーベントを配置し、前
記ゲートからモールド樹脂を充填し、前記エアーベント
からエアーを抜くようにしたものである。
【0007】このように、キャビティの垂直方向の対角
線上にゲートとエアーベントをそれぞれ形成するように
したので、モールド樹脂注入時の樹脂の流れが、半導体
素子の表面と裏面へ均一に流れ、モールド樹脂の充填性
がよくなる。 (2)半導体素子のサイズ内にリードを設けた半導体素
子サイズに、ほぼ等しい樹脂封止型半導体装置製造用金
型において、半導体素子の厚み方向の対角線上の位置に
ゲートとエアーベントを形成するように上金型と下金型
を組み合わせるようにしたものである。
【0008】このように、半導体素子のリードフレーム
を上金型と下金型とで挟んで、半導体装置素子の厚み方
向の対角線上にゲートとエアーベントとを形成するよう
にしたので、モールド樹脂の充填性がよい金型を提供す
ることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明の
実施例を示す樹脂封止型半導体装置の断面図、図2はそ
の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止工程を示す図であ
る。これらの図において、11は半導体素子、12はリ
ード、13はモールド樹脂、15は上金型、15Aはそ
の上金型の平面部、16は下金型、16Aはその下金型
の凸部、17はゲート、18はエアーベントである。
【0010】これらの図に示すように、半導体素子11
のサイズ内にリード12を設け、モールド樹脂13は全
体を覆っている。そして、装置全体の厚みは0.8〜
0.6mm程度となる。また、ゲート17の位置と、エ
アーベント18の位置は、装置の垂直方向の対角線上の
位置にあり、上金型15と下金型16の境界に形成され
ている。
【0011】以下、この実施例の製造方法について説明
する。まず、半導体素子11裏面近傍の装置コーナにゲ
ート17を形成し、対角線上の半導体素子11表面近傍
の装置コーナにエアーベント18を形成している。これ
により、図2に示すように、モールド樹脂13が、ゲー
ト17から半導体素子11の表面/裏面に分かれて流れ
ていく。
【0012】このように、キャビティの垂直方向の厚み
方向の対角線上にゲート17とエアーベント18をそれ
ぞれ形成するようにしたので、図2に示すように、モー
ルド樹脂注入時の樹脂の流れが、半導体素子11の表面
と裏面へ均一に流れ、モールド樹脂の充填性がよくな
る。次に、本発明の実施例を示す金型について詳細に説
明する。
【0013】図3は本発明の実施例を示す上金型の構造
を示す図であり、図3(a)はその上金型の平面図、図
3(b)はその上金型の正面図、図3(c)は図3
(a)のA−A線断面図である。図4は本発明の実施例
を示す下金型の構造を示す図であり、図4(a)はその
下金型の平面図、図4(b)はその下金型の正面図、図
4(c)はその下金型の側面図である。
【0014】まず、上金型は、図3に示すように、略長
方形の凹部15B(キャビティを形成する)が形成され
ており、その周囲は平面部15Aとなっている。次に、
下金型は、図4に示すように、凸部16Aが形成されて
おり、その周囲は平面部16Bとなっている。図5は本
発明の実施例を示す下金型への半導体素子のセット状態
を示す平面図、図6はその下金型と上金型との組み合わ
せ図であり、図6(a)はその下金型と上金型との組み
合わせの上面図、図6(B)はその下金型と上金型との
組み合わせの正面図、図6(c)は図6(a)のA−A
線断面図である。
【0015】これらの図に示すように、上金型15と下
金型16との組み合わせで、キャビティが形成され、そ
のキャビティにリードフレーム19付の半導体素子11
がセットされる。つまり、キャビティの垂直方向の対角
線上にゲート17とエアーベント18とが形成されるこ
とになる。また、リードフレーム19は上金型15と下
金型16間に挟まれる構造になっている。なお、21は
樹脂供給口である。
【0016】このように、それぞれの金型は、図6のよ
うに組み合わせ、そのキャビティに図5のようにセット
された半導体素子11のリードフレーム19を挟んで、
モールド樹脂注入を行う。このように、半導体素子11
のリードフレーム19を上金型15と下金型16とで挟
んで、キャビティの垂直方向の対角線上にゲート17と
エアーベント18とを形成して、樹脂封止を行うことよ
り、図1に示すような半導体装置を製造することがで
き、現有の生産ラインがそのまま使用できる。
【0017】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形をす
ることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除す
るものではない。
【0018】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 (1)請求項1記載の発明によれば、キャビティの垂直
方向の対角線上にゲートとエアーベントをそれぞれ形成
するようにしたので、モールド樹脂注入時の樹脂の流れ
が、半導体素子の表面と裏面へ均一に流れ、モールド樹
脂の充填性がよくなる。
【0019】(2)請求項2記載の発明によれば、半導
体素子のリードフレームを上金型と下金型とで挟んで、
半導体装置素子の厚み方向の対角線上にゲートとエアー
ベントとを形成するようにしたので、モールド樹脂の充
填性がよい金型を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
断面図である。
【図2】本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
樹脂封止工程を示す図である。
【図3】本発明の実施例を示す上金型の構造を示す図で
ある。
【図4】本発明の実施例を示す下金型の構造を示す図で
ある。
【図5】本発明の実施例を示す下金型への半導体素子の
セット状態を示す平面図である。
【図6】本発明の実施例を示す下金型と上金型との組み
合わせ図である。
【図7】従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図8】図7のA側側面図である。
【図9】従来技術の問題点を示す図である。
【図10】従来の他の樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある。
【図11】従来の他の樹脂封止型半導体装置の形成方法
を示す図である。
【図12】従来の他の樹脂封止型半導体装置の問題点の
説明図である。
【符号の説明】
11 半導体素子 12 リード 13 モールド樹脂 15 上金型 15A 上金型の平面部 15B 略長方形の凹部 16 下金型 16A 下金型の凸部 16B 平面部 17 ゲート 18 エアーベント 19 リードフレーム 21 樹脂供給口

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子のサイズ内にリードを設けた
    半導体素子サイズにほぼ等しい樹脂封止型半導体装置の
    製造方法において、 上金型と下金型によって形成されるキャビティに前記半
    導体素子をセットし、前記キャビティの垂直方向の対角
    線上にゲートとエアーベントを配置し、前記ゲートから
    モールド樹脂を充填し、前記エアーベントからエアーを
    抜くことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  2. 【請求項2】 半導体素子のサイズ内にリードを設けた
    半導体素子サイズにほぼ等しい樹脂封止型半導体装置製
    造用金型において、 半導体素子の厚み方向の対角線上の位置にゲートとエア
    ーベントを形成するように上金型と下金型を組み合わせ
    たことを特徴とする樹脂封止型半導体装置製造用金型。
JP28662296A 1996-10-29 1996-10-29 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその金型 Pending JPH10135257A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20030401