JPH0653399A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH0653399A JPH0653399A JP20326892A JP20326892A JPH0653399A JP H0653399 A JPH0653399 A JP H0653399A JP 20326892 A JP20326892 A JP 20326892A JP 20326892 A JP20326892 A JP 20326892A JP H0653399 A JPH0653399 A JP H0653399A
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- Japan
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- resin
- lead
- semiconductor device
- leads
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面実装用樹脂封止型半導体装置のパッケー
ジの構造に関し、製造工程を簡略化すると共に、完成後
のリードの変形を防止することを目的とする。 【構成】 半導体チップ１に電気的に接続された複数の
内部リード３はその長手方向の中間部が下方に屈曲して
なる端子部3aを有し、その端子部3aは樹脂封止体５の底
面から露出している。この端子部3aが外部端子として機
能し、樹脂封止体５の側方に突出する外部リードを持た
ない。
ジの構造に関し、製造工程を簡略化すると共に、完成後
のリードの変形を防止することを目的とする。 【構成】 半導体チップ１に電気的に接続された複数の
内部リード３はその長手方向の中間部が下方に屈曲して
なる端子部3aを有し、その端子部3aは樹脂封止体５の底
面から露出している。この端子部3aが外部端子として機
能し、樹脂封止体５の側方に突出する外部リードを持た
ない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置、
特に表面実装用パッケージの構造に関する。近年、半導
体装置は高密度実装の要求に対応して、そのパッケージ
はリードの微細化・小ピッチ化と共に表面実装型化が進
められている。
特に表面実装用パッケージの構造に関する。近年、半導
体装置は高密度実装の要求に対応して、そのパッケージ
はリードの微細化・小ピッチ化と共に表面実装型化が進
められている。
【０００２】
【従来の技術】従来例を図４を参照しながら説明する。
樹脂封止型半導体装置の表面実装用パッケージとして
は、樹脂封止体の側面二方向に外部リードがあるもので
はＳＯＰ( Small Outline Package ) とＳＯＪ( Small
Outline J-leaded Package )が、又、樹脂封止体の側面
四方向に外部リードがあるものではＱＦＰ( Quad Flat
Package ) とＰＬＣＣ( Plastic Leaded Chip Carrier
) が広く使用されている。ＳＯＰ及びＱＦＰは図４(A)
に示すように外部リード22が樹脂封止体21の側面から
突出し、クランク状に曲げられている。ＳＯＪ及びＰＬ
ＣＣは図４(B) に示すように外部リード23が樹脂封止体
21の側面から突出し、Ｊ字状に内側に曲げられている。
実装面積の点ではＳＯＪ及びＰＬＣＣがＳＯＰ及びＱＦ
Ｐより有利である。
樹脂封止型半導体装置の表面実装用パッケージとして
は、樹脂封止体の側面二方向に外部リードがあるもので
はＳＯＰ( Small Outline Package ) とＳＯＪ( Small
Outline J-leaded Package )が、又、樹脂封止体の側面
四方向に外部リードがあるものではＱＦＰ( Quad Flat
Package ) とＰＬＣＣ( Plastic Leaded Chip Carrier
) が広く使用されている。ＳＯＰ及びＱＦＰは図４(A)
に示すように外部リード22が樹脂封止体21の側面から
突出し、クランク状に曲げられている。ＳＯＪ及びＰＬ
ＣＣは図４(B) に示すように外部リード23が樹脂封止体
21の側面から突出し、Ｊ字状に内側に曲げられている。
実装面積の点ではＳＯＪ及びＰＬＣＣがＳＯＰ及びＱＦ
Ｐより有利である。
【０００３】これらのパッケージの半導体装置は、通
常、次のようにして製造される。多数のリードとこれら
を連結するタイバー、半導体チップを搭載するステージ
（アイランド、ダイパッド等とも呼ぶ）、等からなるリ
ードフレームを使用し、先ずこのリードフレームのステ
ージ上に半導体チップをろう材又は接着剤で固着し、次
にこの半導体チップのボンディングパッドとリードとの
間をワイヤボンディングし、その後、トランスファーモ
ールド法により樹脂封止を行って樹脂封止体を形成し、
外部リードの半田メッキ、樹脂封止体への捺印、更に樹
脂除去、タイバー切断、リード切断、リード曲げ、検査
等の工程を経て、完成する。
常、次のようにして製造される。多数のリードとこれら
を連結するタイバー、半導体チップを搭載するステージ
（アイランド、ダイパッド等とも呼ぶ）、等からなるリ
ードフレームを使用し、先ずこのリードフレームのステ
ージ上に半導体チップをろう材又は接着剤で固着し、次
にこの半導体チップのボンディングパッドとリードとの
間をワイヤボンディングし、その後、トランスファーモ
ールド法により樹脂封止を行って樹脂封止体を形成し、
外部リードの半田メッキ、樹脂封止体への捺印、更に樹
脂除去、タイバー切断、リード切断、リード曲げ、検査
等の工程を経て、完成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
パッケージの樹脂封止型半導体装置は、その製造工程、
特にモールド成形後の外部リードの加工工程が複雑であ
ると共に複雑な設備を必要とする（特にＳＯＪ及びＰＬ
ＣＣにおけるＪ曲げは段階的に成形しなければならない
から複雑となる）、完成後のハンドリングでリードが変
形し易い（特にＳＯＰ及びＱＦＰ）、等の問題があっ
た。
パッケージの樹脂封止型半導体装置は、その製造工程、
特にモールド成形後の外部リードの加工工程が複雑であ
ると共に複雑な設備を必要とする（特にＳＯＪ及びＰＬ
ＣＣにおけるＪ曲げは段階的に成形しなければならない
から複雑となる）、完成後のハンドリングでリードが変
形し易い（特にＳＯＰ及びＱＦＰ）、等の問題があっ
た。
【０００５】本発明はこのような問題を解決して、製造
工程を簡略化すると共に、完成後のリードの変形を防止
することが可能な樹脂封止型半導体装置を提供すること
を目的とする。
工程を簡略化すると共に、完成後のリードの変形を防止
することが可能な樹脂封止型半導体装置を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
れば、半導体チップに電気的に接続された複数の内部リ
ードはその長手方向の中間部が下方に屈曲してなる端子
部を有し、該端子部は樹脂封止体の底面から露出してお
り、該樹脂封止体の側面から突出する外部リードを有し
ないことを特徴とする樹脂封止型半導体装置とすること
で、達成される。
れば、半導体チップに電気的に接続された複数の内部リ
ードはその長手方向の中間部が下方に屈曲してなる端子
部を有し、該端子部は樹脂封止体の底面から露出してお
り、該樹脂封止体の側面から突出する外部リードを有し
ないことを特徴とする樹脂封止型半導体装置とすること
で、達成される。
【０００７】
【作用】本発明の半導体装置は外部リードがないから、
モールド成形後に樹脂除去、タイバー切断、リード曲げ
を行う必要はなく、従って製造工程は簡略化されると共
に製造設備も少なくて済む。尚、リードフレームの加工
工程において内部リード部分の曲げ加工を必要とする
が、この曲げはステージ部分を下げる加工と同時に行な
えるから、工程追加とはならない。
モールド成形後に樹脂除去、タイバー切断、リード曲げ
を行う必要はなく、従って製造工程は簡略化されると共
に製造設備も少なくて済む。尚、リードフレームの加工
工程において内部リード部分の曲げ加工を必要とする
が、この曲げはステージ部分を下げる加工と同時に行な
えるから、工程追加とはならない。
【０００８】又、本発明の半導体装置の外部端子は内部
リードの中間部だけを樹脂封止体から露出させたもので
あり、片持ちではない（内部リードの両端部が樹脂封止
体の中に埋め込まれている）から、完成後のハンドリン
グで変形することはない。
リードの中間部だけを樹脂封止体から露出させたもので
あり、片持ちではない（内部リードの両端部が樹脂封止
体の中に埋め込まれている）から、完成後のハンドリン
グで変形することはない。
【０００９】更に、本発明の半導体装置は樹脂封止体の
側面に外部リードがないから、その分だけ実装面積が減
り、実装密度を高めることが出来る。
側面に外部リードがないから、その分だけ実装面積が減
り、実装密度を高めることが出来る。
【００１０】
【実施例】本発明に係る樹脂封止型半導体装置の実施例
を図１乃至図３を参照しながら説明する。
を図１乃至図３を参照しながら説明する。
【００１１】図１は本発明の実施例の説明図であり、
(A) は断面図、(B) は下面図である。同図において、１
は半導体チップ、２はステージ、３は内部リード、４は
ボンディングワイヤ、５は樹脂封止体である。
(A) は断面図、(B) は下面図である。同図において、１
は半導体チップ、２はステージ、３は内部リード、４は
ボンディングワイヤ、５は樹脂封止体である。
【００１２】内部リード３は、その内側先端が半導体チ
ップ１の近傍にあり、外側先端は樹脂封止体５の側面に
略一致している。この両端部の高さは等しいが、中間部
は下方に屈曲して一部が樹脂封止体５の底面から僅かに
（その板厚程度）突出して露出している。この部分が端
子部3aであり、これが従来の樹脂封止型半導体装置にお
ける外部リード22, 23（図４参照）に相当する外部端子
となっている。従って、この半導体装置には樹脂封止体
５の側面から突出する外部リードはない。
ップ１の近傍にあり、外側先端は樹脂封止体５の側面に
略一致している。この両端部の高さは等しいが、中間部
は下方に屈曲して一部が樹脂封止体５の底面から僅かに
（その板厚程度）突出して露出している。この部分が端
子部3aであり、これが従来の樹脂封止型半導体装置にお
ける外部リード22, 23（図４参照）に相当する外部端子
となっている。従って、この半導体装置には樹脂封止体
５の側面から突出する外部リードはない。
【００１３】図２は本発明の半導体装置の製造工程説明
図である。先ず、リードフレーム11を準備する（図２
(a) 参照）。このリードフレーム11は、半導体チップ１
を載置するためのステージ２と、これを包囲するように
配設された多数の内部リード３と、この多数の内部リー
ド３をその外側先端で連結するタイバー12等からなり、
外部リードはない。ステージ２は内部リード３の両端部
より低い位置にあり、内部リード３は中間部が下方に屈
曲している。
図である。先ず、リードフレーム11を準備する（図２
(a) 参照）。このリードフレーム11は、半導体チップ１
を載置するためのステージ２と、これを包囲するように
配設された多数の内部リード３と、この多数の内部リー
ド３をその外側先端で連結するタイバー12等からなり、
外部リードはない。ステージ２は内部リード３の両端部
より低い位置にあり、内部リード３は中間部が下方に屈
曲している。
【００１４】このリードフレーム11のステージ２に半導
体チップ１をろう材又は接着剤で固着し、更にこの半導
体チップ１のボンディングパッドと内部リード３との間
をボンディングワイヤ４で接続し、その後、これを上型
13と下型14からなるモールド金型15にセットする。尚、
この下型14のキャビティ部分の周縁部には深さがリード
フレーム11の板厚程度の凹部14a が設けられており（図
３参照）、内部リード3aの屈曲部（即ち端子部3a）をこ
の凹部14a に入れる（図２(b) 参照）。
体チップ１をろう材又は接着剤で固着し、更にこの半導
体チップ１のボンディングパッドと内部リード３との間
をボンディングワイヤ４で接続し、その後、これを上型
13と下型14からなるモールド金型15にセットする。尚、
この下型14のキャビティ部分の周縁部には深さがリード
フレーム11の板厚程度の凹部14a が設けられており（図
３参照）、内部リード3aの屈曲部（即ち端子部3a）をこ
の凹部14a に入れる（図２(b) 参照）。
【００１５】このモールド金型15を用いてトランスファ
ーモールド法により樹脂成形して樹脂封止体５を形成
し、モールド金型15から取り出す（図２(c) 参照）。そ
の後、内部リード３の端子部3aの半田メッキ、樹脂封止
体５への捺印、リードフレーム11の切断（タイバー12
等、樹脂封止体５から突出している部分の除去）、検査
等の工程を経て、樹脂封止型半導体装置が完成する（図
１(A) 参照）。
ーモールド法により樹脂成形して樹脂封止体５を形成
し、モールド金型15から取り出す（図２(c) 参照）。そ
の後、内部リード３の端子部3aの半田メッキ、樹脂封止
体５への捺印、リードフレーム11の切断（タイバー12
等、樹脂封止体５から突出している部分の除去）、検査
等の工程を経て、樹脂封止型半導体装置が完成する（図
１(A) 参照）。
【００１６】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施することが出来る。
く、更に種々変形して実施することが出来る。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
外部端子を外部リードに代えて内部リードの中間部を樹
脂封止体から露出させたものとすることにより、製造工
程を簡略化すると共に、完成後のリードの変形を防止す
ることが可能な樹脂封止型半導体装置を提供することが
出来、半導体装置の製造コスト低減、表面実装の信頼性
向上等に寄与する。
外部端子を外部リードに代えて内部リードの中間部を樹
脂封止体から露出させたものとすることにより、製造工
程を簡略化すると共に、完成後のリードの変形を防止す
ることが可能な樹脂封止型半導体装置を提供することが
出来、半導体装置の製造コスト低減、表面実装の信頼性
向上等に寄与する。
【図１】 本発明の実施例の説明図である。
【図２】 本発明の半導体装置の製造工程説明図であ
る。
る。
【図３】 本発明の半導体装置製造用のモールド金型を
示す図である。
示す図である。
【図４】 従来例の説明図である。
１ 半導体チップ ２ ステージ ３ 内部リード 3a 端子部 ４ ボンディングワイヤ ５ 樹脂封止体 11 リードフレーム 12 タイバー 13 上型 14 下型 14a 凹部 15 モールド金型 21 樹脂封止体 22, 23 外部リード
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップ(1) に電気的に接続された
複数の内部リード(3) はその長手方向の中間部が下方に
屈曲してなる端子部(3a)を有し、 該端子部(3a)は樹脂封止体(5) の底面から露出してお
り、 該樹脂封止体(5) の側面から突出する外部リードを有し
ないことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20326892A JPH0653399A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20326892A JPH0653399A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653399A true JPH0653399A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16471233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20326892A Pending JPH0653399A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653399A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987006790A1 (en) * | 1986-04-25 | 1987-11-05 | Yokogawa Medical Systems, Ltd. | Ultrasonic transducer |
| US5592019A (en) * | 1994-04-19 | 1997-01-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and module |
| US6753599B2 (en) | 2001-02-12 | 2004-06-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package and mounting structure on substrate thereof and stack structure thereof |
| JP2005277434A (ja) * | 2005-05-09 | 2005-10-06 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP20326892A patent/JPH0653399A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987006790A1 (en) * | 1986-04-25 | 1987-11-05 | Yokogawa Medical Systems, Ltd. | Ultrasonic transducer |
| US5592019A (en) * | 1994-04-19 | 1997-01-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and module |
| US6753599B2 (en) | 2001-02-12 | 2004-06-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package and mounting structure on substrate thereof and stack structure thereof |
| JP2005277434A (ja) * | 2005-05-09 | 2005-10-06 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000307 |