JPH10135229A - 熱処理装置 - Google Patents
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- JPH10135229A JPH10135229A JP8305652A JP30565296A JPH10135229A JP H10135229 A JPH10135229 A JP H10135229A JP 8305652 A JP8305652 A JP 8305652A JP 30565296 A JP30565296 A JP 30565296A JP H10135229 A JPH10135229 A JP H10135229A
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Abstract
も、搬送機構の精度不良が発生する恐れがなく、真空予
備室を高精度に加工する必要もない熱処理装置を提供す
る。 【解決手段】 熱処理炉19に連設された真空予備室1
0内に搬送機構20を備えた熱処理装置において、上記
搬送機構20を上記真空予備室10から独立したベース
部28に設置している。
Description
る。
板である半導体ウエハに酸化、拡散、CVD等の各種の
処理を施すために、種々の熱処理装置が用いられてい
る。このような熱処理装置の一つとして、例えば枚葉式
などでは、熱処理炉に真空予備室を連設し、この真空予
備室内にウエハの搬送機構を備えたものが知られてい
る。この熱処理装置においては、上記真空予備室内を予
め熱処理炉内とほぼ同じ圧力にしておくことにより、熱
処理炉内の圧力を大気圧に戻すことなく炉口を開放して
ウエハの搬入搬出を行なうことができるため、時間の短
縮やスループットの向上等が図れる。
に直接取付けられている。熱処理炉がランプ加熱等で直
接ウエハを加熱する、いわゆるコールドウォール型であ
る場合には、上記真空予備室が熱処理炉からの熱影響を
受けにくいため、真空予備室に搬送機構が直接取付けら
れていても、それほど問題はない。
処理装置においては、特に熱処理炉が反応管の周囲をヒ
ーター線および断熱層で取り囲んで炉内全体を加熱す
る、いわゆるホットウォール型である場合、真空予備室
が熱処理炉からの熱影響を受けやすい。そのため、真空
予備室に搬送機構が直接取付けられていると、熱影響に
よる真空予備室のひずみや変形により搬送機構の軸芯位
置がずれ、精度不良が発生する恐れがある。また、搬送
機構の精度を出すために、真空予備室を高精度に加工す
る必要があり、製造コストの増大を招く問題もある。
し、真空予備室がひずみや変形を生じたとしても、搬送
機構の精度不良が発生する恐れがなく、真空予備室を高
精度に加工する必要もない熱処理装置を提供することに
ある。
に本発明のうち請求項1記載の熱処理装置は、熱処理炉
に連設された真空予備室内に搬送機構を備えた熱処理装
置において、上記搬送機構を上記真空予備室から独立し
たベース部に設置したことを特徴とする。
連設された真空予備室内に搬送機構を備えた熱処理装置
において、上記真空予備室外に独立して設けられたベー
ス部に上記搬送機構を設置し、上記真空予備室に上記搬
送機構のための開口部を設け、この開口部と上記ベース
部または搬送機構との間に真空シール用のベローズを設
けたことを特徴とする。
部が上記真空予備室の下方に設けられた第1ベース部を
含み、この第1ベース部に、複数枚の被処理基板を保持
する基板保持具を水平に搬送する水平搬送機構と、上記
基板保持具を設置する基板保持具設置台とが設置されて
いることを特徴とする。
部が上記真空予備室の上方に設けられた第2ベース部を
含み、この第2ベース部に、下部に炉口を有する縦型の
熱処理炉と、この熱処理炉に複数枚の被処理基板を保持
した基板保持具を搬入搬出する垂直搬送機構が設置され
ていることを特徴とする。
に基づいて詳述する。
として例示したバッチ式の縦型熱処理装置の筐体、2は
被処理基板である半導体ウエハWを複数枚例えば25枚
程度垂直に立てた状態で所定のピッチで収納する上部に
収納口2aを有する運搬用の容器であるカセットであ
る。上記筐体1の一端には、上記カセット2を搬入搬出
するための開閉ゲートを有する搬出入口3が設けられて
いる。上記筐体1内における搬出入口3近傍には、上記
カセット2を収納口2aが上部にある垂直状態で載置す
るための載置台4が設けられている。
押える押え部5,6、カセット2内のウエハWのオリフ
ラ合せを行うオリフラ整合機等(図示省略)が設けられ
ている。また、載置台4は、垂直に回動可能に設けられ
ており、上記カセット2内のウエハWを垂直状態から水
平状態にすべくカセット2をほぼ90度回動できるよう
になっている。上記筐体1内には、昇降および回転可能
な基台7を有する移載機構8が設けられ、その基台7の
周囲に上記載置台4と、上記カセット2を設置する設置
台9と、後述する第1の真空予備室(ロードロック室と
もいう)10Aとが配置されている。
昇降機構により昇降可能に設けられた昇降アーム11を
有し、この昇降アーム11上に上記基台7が水平に回転
可能に取付けられている。上記昇降アーム11内には、
上記基台7を位置決め可能に回転駆動するための回転駆
動部が設けられている(図示省略)。
平に延出した短冊状のウエハ支持部(フォークともい
う)12を複数段例えば5段有するウエハ移載機13
と、上記カセット2を載置して支持する水平に延出した
カセット支持部14を有するカセット移載機15とが対
向して往復移動可能に設けられ、そのカセット移載機1
5によりカセットWを載置台4から設置台9にまたはそ
の逆に、上記ウエハ移載機13によりウエハWを設置台
9のカセット2内から第1の真空予備室10A内の後述
するボート16にまたはその逆にそれぞれ移載可能に構
成されている。
機15が基台7上の待機位置にある状態において、上記
カセット支持部14が上記ウエハ移載機13の直上に配
置され、これによりカセット2を基台7から外側にはみ
出さない状態で旋回させることができ、旋回半径Rの縮
小化が図られている。上記設置台9は、高さ方向にカセ
ット2を複数個設置可能に棚部17を複数段例えば4段
有している。
18を有する縦型熱処理炉19が設けられ、この熱処理
炉19には、その熱処理時の真空度例えば1Torrと
ほぼ同じ真空度とされる真空予備室10が連設されてい
る。この真空予備室10内には、後述する搬送機構20
が配設されている。上記真空予備室10は、搬出入口3
側の第1の真空予備室10Aと、熱処理炉19側の第2
の真空予備室10Bとからなり、第1および第2の真空
予備室10A,10B間には、これらの間を開閉するゲ
ートバルブ21が介設されている。
19内に複数枚例えば30枚のウエハWを装入するため
に用いられる基板保持具である石英製のボート16を収
容してウエハWの移載と予備真空を行うための部屋で、
上記基台7を挟んで上記載置台4と対向する位置に配置
されている。第1の真空予備室10Aの上記基台7側へ
臨む前面部は開口しており、この前面部にはその開口部
を開閉するロードロックドア22が設けられている。
21を開けて第2の真空予備室10Bと連通するに際し
て第2の真空予備室10Bと同じ圧力に制御され、第1
の真空予備室10Aと第2の真空予備室10Bとの間の
ゲートバルブ21を閉めた状態で第1の真空予備室10
Aのロードロックドア22を開けて筐体1内と連通する
に際して筐体1内と同じ圧力(大気圧)に制御されるよ
うになっている。
理炉19の下方において炉内へのボート16の搬入搬出
を行なうためのローディング室10aと、上記ボート1
6を2個使用する場合にボート16同士が干渉しないよ
う熱処理炉19から搬出されたボート16を仮置きする
バッファー室10bと、ボート16の搬送を行なう後述
の水平搬送機構20Aが配置されたトランスファー室1
0cとから構成され、これら3つの室10a,10b,
10cは互に連通されている。
炉19の炉口18を開閉する蓋体23が後述する垂直搬
送機構(昇降機構)20Bの昇降アーム24により昇降
可能に設けられ、この蓋体23の上部には、石英製の保
温筒25を介して上記ボート16が載置されるようにな
っている。上記垂直搬送機構20Bにより、熱処理炉1
9内へのボート16の搬入または熱処理炉19内からの
ボート16の搬出が行なわれる。
ボート16を第1の真空予備室10Aから上記保温筒2
5上に、または保温筒25上から上記バッファー室10
bを介して第1の真空予備室10Aに搬送するための多
関節アーム構造の搬送アーム26を有する水平搬送機構
20Aが設けられている。なお、上記保温筒25は、洗
浄等のために、上記水平搬送機構20Aにより上記蓋体
23上から第1の真空予備室10Aに搬送され、筐体1
外に搬出可能になっている。
昇降させる機能を有していないため、第1の真空予備室
10Aおよびバッファー室10bには、搬送アーム26
との間でボート16の受取り受渡しを可能とすべくボー
ト16を上下動可能に設置する基板保持具設置台(ボー
トスタンドともいう)27が配置されている。なお、水
平搬送機構20Aとしては、搬送アーム26を介してボ
ート16を昇降させる機能を有していてもよく、その場
合、ボートスタンド27は上下動可能に構成されていな
くてもよい。
独立したベース部28に設置されている。この場合、上
記ベース部28は、真空予備室10の下方に設けられた
第1ベース部28Aと、真空予備室10の上方に設けら
れた第2ベース部28Bとを含んでいる。また、上記搬
送機構20は、第1ベース部28Aに設置される水平搬
送機構20Aと、第2ベース部28Bに設置される垂直
搬送機構20Bとを含んでいる。第1ベース部28A
は、図1に示すように、第1の真空予備室10Aおよび
第2の真空予備室10B(但し、ローデンイング室10
aを除いた部分)の下方にこれらから切り離されて独立
した状態で設置され、この第1ベース部28Aに上記水
平搬送機構20Aと、上記ボートスタンド27とが第1
および第2の真空予備室10A,10Bから独立して設
置されている。上記第1ベース部28Aは、例えばアル
ミニウム合金により形成されている。
搬送アーム26と、この搬送アーム26を駆動する駆動
部29とからなり、その駆動部29が第1ベース部28
Aに取付けられている。また、上記ボートスタンド27
は、ボート16を載置する載置部27aと、この載置部
27aを昇降駆動する例えばエアシリンダ等の駆動部2
7bとからなり、その駆動部27bが第1ベース部28
Aに取付けられている。上記第1および第2の真空予備
室10A,10Bの底部には、上記ボートスタンド27
および水平搬送機構20Aを各真空予備室10A,10
B内に臨ませるための開口部30a,30bがそれぞれ
設けられ、各開口部30a,30bと第1ベース部28
Aとの間には真空シール用として筒状の伸縮可能なベロ
ーズ31a,31bが気密に取付けられている。
は、第1ベース部28Aでなく、水平搬送機構20Aお
よびボートスタンド27の各駆動部29,27bに気密
に接続されていてもよい。上記第1ベース部28Aとし
ては、図2に示すように、水平搬送機構20Aを設置す
る部分28aと、ボートスタンド27を設置する部分2
8bとに分割されていてもよい。
示すように、第2の真空予備室10Bの上方にこれから
切り離されて独立した状態で設置され、この第2ベース
部28Bに垂直搬送機構20Bと、熱処理炉19とが第
2の真空予備室10Bから独立して設置されている。上
記第2ベース部28Bは、例えばステンレス鋼により板
状に形成され、上記筐体1に横架されて取付けられてい
る。上記垂直搬送機構20Bは、上記昇降アーム24
と、この昇降アーム24を垂直の昇降ロッド32を介し
て昇降駆動する駆動部33とからなり、その駆動部33
が上記第2ベース部28B上に取付けられている。
ベース部28Bには、熱処理炉19の炉口18と対応し
た開口部34a,34bと、垂直搬送機構20Bの昇降
ロッド32を貫通させる開口部34c,34dとが設け
られている。上記熱処理炉19は、上記第2ベース部2
8Bの炉口用開口部34bの上端に設置される例えばス
テンレス鋼製の円環状のマニホールド35を有し、この
マニホールド35の上端に例えば石英製の反応管36が
取付けられている。また、上記マニホールド36の上端
には、ヒータベース37が取付けられ、このヒータベー
ス37上には、上記反応管36を覆う円筒状の断熱材3
8の内周に図示しないヒーター線を配線してなる加熱ヒ
ータ39が取付けられている。これにより、ホットウォ
ール型の熱処理炉19が構成されている。
口18を形成しており、その開口端が上記蓋体23によ
って下方から閉じられるようになっている。また、第2
の真空予備室10Bの炉口用開口部34aとマニホール
ド35との間には、真空シール用のベローズ40aが気
密に取付けられ、上記昇降ロッド用開口部34cと昇降
ロッド32の上端部との間にも同様のベローズ40bが
気密に取付けられている。なお、上記マニホールド35
には、処理ガスを導入したり、炉内を減圧排気する図示
しない各種の配管が接続されている。熱処理炉19とし
ては、反応管36の上部に排気管を有するものであって
もよい。マニホールド35は、メンテナンス上、上下に
分割可能に構成されていることが好ましい。
ウエハWを垂直に立てて収納したカセット2を搬出入口
3から熱処理装置の筐体1内に搬入して載置台4上に載
置すると、カセット2が押え部5,6により前後から押
えられ、オリフラ合せ後、カセット2がウエハWを水平
にすべく載置台4と共にほぼ90度回動される。これに
よりカセット2は、上部に収納口2aがある垂直状態か
ら収納口2aが水平に向いた水平状態になる。
降、基台7の旋回およびカセット移載機15の移動によ
り、上記カセット2が載置台4から設置台9の棚部17
に移載される。所定個数のカセット2が設置台9の各棚
部17に移載されたなら、移載機構8における昇降アー
ム11の昇降、基台7の旋回およびウエハ移載機13の
移動により、上記設置台9上のカセット2内からウエハ
Wが予め第1の真空予備室10A内のボートスタンド2
7に設置されているボート16に移載される。
予備室10Aと第2の真空予備室10Bとの間のゲート
バルブ21は閉じられ、第1の真空予備室10Aのロー
ドロックドア22は開放されている。所定枚数のウエハ
Wがボート16に移載されたなら、ロードロックドア2
2が閉じられ、第1の真空予備室10A内が所定の真空
度に真空引きされる。
19における熱処理が終了すると、垂直搬送機構20B
の昇降アーム24による蓋体23の下降により熱処理炉
19の炉口18が開放されると共にボート16および保
温筒25が熱処理炉19内から第2の真空予備室10B
のローディング室10a内に降下され、水平搬送機構2
0Aの搬送アーム26により上記ボート16が保温筒2
5上からバッファー室10b内のボートスタンド27上
に搬送されて仮置きされる。次いで、第1の真空予備室
10Aと第2の真空予備室10Bとの間のゲートバルブ
21が開放され、上記搬送アーム26により第1の真空
予備室10A内のボート16が上記ローディング室10
a内の昇降アーム24の保温筒25上に移載され、バッ
ファー室10b内のボート16が第1の真空予備室10
A内に移載される。
ルブ21が閉じられ、垂直搬送機構20Bの昇降アーム
24による蓋体23の上昇により上記ボート16および
保温筒25が熱処理炉19内に装入されると共に、炉口
18が蓋体23で閉じられ、所定の熱処理が開始され
る。一方、第1の真空予備室10A内に移されたボート
16から設置台9上の空のカセット2内に処理済みのウ
エハWが移載され、そのカセット2が設置台9から載置
台4に搬送されて搬出入口3から搬出されることにな
る。
に連設された真空予備室10内に搬送機構20を備えて
いるが、上記搬送機構20が上記真空予備室10から独
立したベース部28に真空予備室10から独立した状態
で設置されているため、真空予備室10が熱処理炉19
からの熱影響によりひずみや変形を生じたとしても、搬
送機構20の精度不良が発生する恐れがない。また、こ
のように搬送機構20の精度が保たれるので、真空予備
室10を高精度に加工する必要もない。
記真空予備室10外に独立して設けられたベース部28
に設置され、上記真空予備室10には上記搬送機構20
のための開口部30a,30b,34cが設けられ、こ
の開口部30a,30b,34cと上記ベース部28ま
たは搬送機構20との間に真空シール用のベローズ31
a,31b,40bが設けられているため、真空予備室
10が熱処理炉19からの熱影響によりひずみや変形を
生じたとしても、搬送機構20の精度不良の発生を防止
することができると共に、上記ベローズ31a,31
b,40bによって上記開口部30a,30b,34c
を真空シールしつつ真空予備室10とベース部28また
は搬送機構20との間の相対的変位を吸収することがで
きる。また、ベローズ34aによって、熱処理炉19の
炉口18と真空予備室10の開口部34aとを気密に連
結しつつ熱処理炉19と真空予備室10との間の相対的
変位を吸収することができる。
の下方に設けられた第1ベース部28Aを含み、この第
1ベース部28Aに、ボート16を水平に搬送する水平
搬送機構20Aと、上記ボート16を設置するボートス
タンド27とが設置されているため、真空予備室10が
熱処理炉19からの熱影響によりひずみや変形を生じた
としても、ボートスタンド27に対する水平搬送機構2
0Aの精度不良が発生する恐れがない。また、上記ベー
ス部28は、上記真空予備室10の上方に設けられた第
2ベース部28Bを含み、この第2ベース部28Bに、
下部に炉口18を有する縦型の熱処理炉19と、この熱
処理炉19にボート16を搬入搬出する垂直搬送機構2
0Bが設置されているため、真空予備室10が熱処理炉
19からの熱影響によりひずみや変形を生じたとして
も、熱処理炉19に対する垂直搬送機構20Bの精度不
良が発生する恐れがない。従って、炉口18を形成する
マニホールド35と、その炉口18を塞ぐ蓋体23の精
度不良が発生する恐れがなく、蓋体23の昇降によりボ
ート16および保温筒25を熱処理炉19内に確実に搬
入し、あるいは熱処理炉19内から搬出することがで
き、また、蓋体23で炉口18を確実に閉塞することが
できる。
述してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、本発明は、枚葉式の
熱処理装置にも適用可能である。
な優れた効果が得られる。
ば、熱処理炉に連設された真空予備室内に搬送機構を備
えた熱処理装置において、上記搬送機構を上記真空予備
室から独立したベース部に設置したので、真空予備室が
熱処理炉からの熱影響によりひずみや変形を生じたとし
ても、搬送機構の精度不良が発生する恐れがなく、ま
た、真空予備室を高精度に加工する必要もない。
ば、熱処理炉に連設された真空予備室内に、搬送機構を
配設してなる熱処理装置において、上記真空予備室外に
独立して設けられたベース部に上記搬送機構を設置し、
上記真空予備室に上記搬送機構のための開口部を設け、
この開口部と上記ベース部または搬送機構との間に真空
シール用のベローズを設けたので、真空予備室が熱処理
炉からの熱影響によりひずみや変形を生じたとしても、
搬送機構の精度不良の発生を防止することができると共
に、上記ベローズによって上記開口部を真空シールしつ
つ真空予備室とベース部または搬送機構との間の相対的
変位を吸収することができる。
ば、上記ベース部が上記真空予備室の下方に設けられた
第1ベース部を含み、この第1ベース部に、複数枚の被
処理基板を保持する基板保持具を水平に搬送する水平搬
送機構と、上記基板保持具を設置する基板保持具設置台
とが設置されているため、真空予備室が熱処理炉からの
熱影響によりひずみや変形を生じたとしても、基板保持
具設置台に対する水平搬送機構の精度不良が発生する恐
れがない。
ば、上記ベース部が上記真空予備室の上方に設けられた
第2ベース部を含み、この第2ベース部に、下部に炉口
を有する縦型の熱処理炉と、この熱処理炉に複数枚の被
処理基板を保持した基板保持具を搬入搬出する垂直搬送
機構が設置されているため、真空予備室が熱処理炉から
の熱影響によりひずみや変形を生じたとしても、熱処理
炉に対する垂直搬送機構の精度不良が発生する恐れがな
い。
的側断面図である。
る。
る。
Claims (4)
- 【請求項1】 熱処理炉に連設された真空予備室内に搬
送機構を備えた熱処理装置において、上記搬送機構を上
記真空予備室から独立したベース部に設置したことを特
徴とする熱処理装置。 - 【請求項2】 熱処理炉に連設された真空予備室内に搬
送機構を備えた熱処理装置において、上記真空予備室外
に独立して設けられたベース部に上記搬送機構を設置
し、上記真空予備室に上記搬送機構のための開口部を設
け、この開口部と上記ベース部または搬送機構との間に
真空シール用のベローズを取付けたことを特徴とする熱
処理装置。 - 【請求項3】 上記ベース部が上記真空予備室の下方に
設けられた第1ベース部を含み、この第1ベース部に、
複数枚の被処理基板を保持する基板保持具を水平に搬送
する水平搬送機構と、上記基板保持具を設置する基板保
持具設置台とが設置されていることを特徴とする請求項
2記載の熱処理装置。 - 【請求項4】 上記ベース部が上記真空予備室の上方に
設けられた第2ベース部を含み、この第2ベース部に、
下部に炉口を有する縦型の熱処理炉と、この熱処理炉に
複数枚の被処理基板を保持した基板保持具を搬入搬出す
る垂直搬送機構とが設置されていることを特徴とする請
求項2記載の熱処理装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11260891A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-09-24 | Brooks Autom Inc | ロボット非連結取付技術 |
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Families Citing this family (9)
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---|---|---|---|---|
WO2001003167A1 (fr) * | 1999-07-02 | 2001-01-11 | Tokyo Electron Limited | Installation, procede et dispositif de fabrication de semi-conducteurs |
JP4578615B2 (ja) * | 1999-07-21 | 2010-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US6551044B1 (en) * | 1999-09-14 | 2003-04-22 | Asm America, Inc. | Bellows isolation for index platforms |
US20030231698A1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-12-18 | Takatomo Yamaguchi | Apparatus and method for fabricating a semiconductor device and a heat treatment apparatus |
JP4335908B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2009-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び縦型熱処理方法 |
JP5000555B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | ゲートバルブおよび半導体製造装置 |
JP5291965B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-09-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
JP5614352B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2014-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | ローディングユニット及び処理システム |
KR102151323B1 (ko) * | 2017-02-17 | 2020-09-02 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체에 기록된 프로그램 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6135837A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Fujitsu Ltd | 真空装置 |
JP2778020B2 (ja) * | 1989-05-15 | 1998-07-23 | 富士電機 株式会社 | 表面処理装置 |
US5162047A (en) * | 1989-08-28 | 1992-11-10 | Tokyo Electron Sagami Limited | Vertical heat treatment apparatus having wafer transfer mechanism and method for transferring wafers |
JPH04308090A (ja) * | 1991-04-05 | 1992-10-30 | M B K Maikurotetsuku:Kk | 気相化学反応生成装置のロードロック機構 |
US5697749A (en) * | 1992-07-17 | 1997-12-16 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus |
JP3330166B2 (ja) * | 1992-12-04 | 2002-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US5445521A (en) * | 1993-05-31 | 1995-08-29 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treating method and device |
US5565034A (en) * | 1993-10-29 | 1996-10-15 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate |
JP3543996B2 (ja) * | 1994-04-22 | 2004-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
DE4438547A1 (de) * | 1994-10-28 | 1996-05-02 | Bayer Ag | Verfahren zur Hydrierung ungesättigter Fettsäureester |
US5899653A (en) * | 1997-06-23 | 1999-05-04 | Applied Materials, Inc. | Two-stage vacuum bellows |
-
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11260891A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-09-24 | Brooks Autom Inc | ロボット非連結取付技術 |
US11195744B2 (en) | 2018-08-29 | 2021-12-07 | Toshiba Memory Corporation | Substrate treatment apparatus and manufacturing method of a semiconductor device |
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