JPH1012990A - 中継基板、その製造方法、基板と中継基板と取付基板とからなる構造体、基板と中継基板の接続体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ＬＧＡ基板とプリント基板との間に介在させて
容易に両者を接続し、しかも寿命が長く接続信頼性の高
い構造体とするための、中継基板、その製造方法、さら
に、基板と中継基板と取付基板とからなる構造体、基板
と中継基板の接続体を提供する。 【解決手段】中継基板本体１に設けた貫通孔に、容易に
変形する軟質金属体２０６を中継基板本体の両面（第
１、第２面）の少なくともいずれかから突出するように
貫挿し、この突出部の突出高さを両面で異なった高さと
した中継基板２０９とする。ＬＧＡ基板２２０やプリン
ト基板２４０、中継基板本体１の材質や熱膨張係数に応
じてこの突出高さを設定し、軟質金属体２０６の突出高
さを異なるものとすることで、基板２２０と中継基板本
体１との間隔Ａ１と、中継基板本体１とプリント基板２
４０との間隔Ａ２とを適正な間隔とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＢＧＡ型集積回路
パッケージ等の面接続端子を有する基板と、この面接続
端子に対応する位置に同様に面接続端子を備え、この基
板を取付けるためのマザーボード等の取付基板との間に
介在させる中継基板、その製造方法、および基板と中継
基板と取付基板とからなる構造体、基板と中継基板の接
続体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の集積回路（ＩＣ）技術の進展によ
り、ＩＣチップに設けられる入出力端子の数が増大し、
それに伴い、ＩＣチップを搭載するＩＣ搭載基板に形成
される入出力端子も増大している。しかし、入出力端子
を基板の周縁部に設ける場合には、端子の数に従って基
板サイズの増大を招き、ＩＣ搭載基板のコストアップや
歩留りの低下を生じ好ましくない。

【０００３】そこで、ＩＣ搭載基板の主表面（平面）に
ピンを格子状または千鳥状に並べるいわゆるＰＧＡ（ピ
ングリッドアレイ）型基板が広く用いられている。しか
し、更に端子数を増加したり、サイズを小さくするに
は、基板表面にピンを取付けるＰＧＡ型基板では限界が
ある。

【０００４】そこで、以下のような手法が行われてい
る。即ち、基板表面上にピンに代えてパッド（ランド）
を格子状または千鳥状に並べて形成し、このパッドに、
略球状（ボール状）の高温ハンダやＣｕ、Ａｇ等のハン
ダ濡れ性の良い金属からなる端子部材を予め共晶ハンダ
付けしたバンプを設けておく。一方、相手方のマザーボ
ードなどのプリント基板（ＰＣＢ）にもＩＣ搭載基板の
パッドと対応する位置にパッドを形成し、このパッド
に、共晶ハンダペーストを塗布しておく。その後、両者
を重ねて加熱し、ハンダペーストを溶融させてハンダ付
けによって端子部材を介して両者を接続することが行わ
れる。一般には、パッドのみ格子状に設けた基板はＬＧ
Ａ（ランドグリッドアレイ）型基板と、パッド上にボー
ル状の端子部材（接続端子）を備えた基板はＢＧＡ（ボ
ールグリッドアレイ）型基板と呼ばれる。

【０００５】ところで、このようにしてＩＣ搭載基板、
プリント基板の平面上に線状や格子状（千鳥状も含む）
にパッドやバンプなどの端子を形成し、ＩＣ搭載基板と
プリント基板を接続する場合（以下、このような接続を
面接続ともいう）には、ＩＣ搭載基板とプリント基板の
材質の違いにより熱膨張係数が異なるので、平面方向に
熱膨張差が発生する。即ち、端子部材から見ると、接続
しているＩＣ搭載基板およびプリント基板が平面方向に
ついてそれぞれ逆方向に寸法変化しようとするので、端
子部材やパッドにはせん断応力が働くこととなる。

【０００６】このせん断応力は、面接続される端子のう
ち、最も離れた２つの端子間で最大となる。即ち、例え
ば端子が格子状にかつ最外周の端子が正方形をなすよう
に形成されている場合、それぞれこの正方形の最外周の
対角上に位置する２つの端子間で最も大きな熱膨張差が
発生し、最も大きなせん断応力が掛かることとなる。特
に、ＬＧＡ型やＢＧＡ型などの基板をプリント基板と接
続する場合には、端子間の間隔（ピッチ）が比較的大き
く、従って、最も離れた端子間の距離が大きくなりやす
い。特に、ＬＧＡ型やＢＧＡ型基板にセラミック製基板
を用いた場合、一般にガラスエポキシ製のプリント基板
とは、熱膨張係数が大きく異なるので、発生するせん断
応力が大きくなる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このようなせん断応力
が掛かると、ＩＣ搭載基板に形成したパッドとハンダと
の密着強度（接合強度）がそれほど大きくない場合には
両者間で接合が破壊する、即ち、パッドから端子部材と
共にハンダが外れることがあるので、密着強度を十分大
きくすることが望まれる。

【０００８】しかし、このパッドとハンダの密着強度を
高くすると、次には、繰り返し熱応力によってパッドの
近傍のハンダにパッドに略平行なクラックが入り、つい
には破壊（破断）するので、いずれにしても高い接続信
頼性を得ることはできなかった。パッド近傍のハンダ
は、多くの場合上述のように共晶ハンダが用いられ、比
較的硬くて脆く、また熱や応力により経時変化を生じや
すいため繰り返し応力でクラックを生ずるからである。

【０００９】この問題は、特に、比較的熱膨張係数の小
さいセラミック製ＬＧＡ型基板（またはＢＧＡ型基板）
と比較的熱膨張係数の大きいガラスエポキシ等の樹脂製
プリント基板との間で生じやすい。なお、この場合に
は、クラックはセラミック基板側のパッド近傍の共晶ハ
ンダ部分で生ずることが多い。セラミックは硬く、応力
を吸収しがたいが、樹脂製プリント基板は比較的柔らか
く、また樹脂製プリント基板上に形成されたＣｕ等から
なるパッドも柔らかいので応力を吸収するからである。

【００１０】ところで、特開平８−５５９３０号公報に
おいては、絶縁基体下面の凹部底面に形成されたパッド
に、所定の寸法関係を満たすボール状端子をロウ付けし
た半導体素子収納用パッケージが開示され、これによ
り、ボール状の端子を正確、且つ強固にロウ付固着でき
る旨が示されている。しかし、かかる発明においては、
絶縁基体（ＩＣ搭載基板）に凹部を設け、更にこの凹部
底面にパッドを設けなければならず、形状が複雑である
ので、製造が面倒であり、コストアップとなる。また、
このような凹部内にロウ材を設け、ボール状端子をロウ
付けするのは困難であった。

【００１１】更に、ＬＧＡ型基板をプリント基板に接続
するには、まずＬＧＡ型基板のランド（パッド）に、ボ
ール状の高温ハンダやＣｕ球等の端子部材を、共晶ハン
ダ等の端子部材に比して低融点のハンダ（以下、低融点
ハンダともいう）ペースト等で仮固定した上で、リフロ
ーしてパッドに端子部材をハンダ付けしてＢＧＡ型基板
とする。ついで、プリント基板側パッドに低融点ハンダ
ペーストを塗布し、上記ＢＧＡ型基板をプリント基板に
載置して、端子部材をプリント基板側パッドと位置合わ
せする。その後、再リフローしてプリント基板側パッド
と端子部材をハンダ付けするという面倒な手順によって
行われる。

【００１２】さらに、ＩＣチップメーカは、ＩＣチップ
を載置するＬＧＡ型基板を購入し、ＩＣチップをこの基
板に載置しフリップチップ接続した後に、この接続に使
用したハンダ（例えば高温ハンダ）よりも融点の低い低
融点ハンダ（例えば共晶ハンダ）によって基板のパッド
（ランド）に端子部材を接続する必要がある。したがっ
て、ＩＣチップを基板にフリップチップ接続するための
設備のほかに、パッドにハンダペースト（例えば共晶ハ
ンダペースト）を塗布したり、端子部材をパッド上に載
置するなどのパッドに端子部材を接続するための設備、
即ち、ＬＧＡ型基板をＢＧＡ型基板とするための設備が
必要となる。

【００１３】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、基板と取付基板との相互の接続を容易に
し、しかも、耐久性、信頼性の高い接続を可能とする中
継基板、およびその製造方法、さらには、基板と中継基
板と取付基板とからなる構造体、基板と中継基板との接
続体を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】しかして、前記目的を達
成するための請求項１に記載の発明は、面接続パッドを
有する基板と該面接続パッドと対応する位置に面接続取
付パッドを有する取付基板との間に介在させ、第１面側
で該面接続パッドと接続させ、第２面側で該面接続取付
パッドと接続させることにより該基板と該取付基板とを
接続させるための中継基板であって、第１面と第２面と
を有する略板形状をなし、該第１面と該第２面の間を貫
通する複数の貫通孔を有する中継基板本体と、該貫通孔
内に貫挿され、該第１面より突出した第１突出部および
第２面より突出した第２突出部のうち少なくともいずれ
かを備え、かつ第１突出高さＺ１と第２突出高さＺ２が
異なる軟質金属体と、を有する中継基板を要旨とする。
即ち、突出高さＺ１とＺ２を比較したときに、Ｚ１≠Ｚ
２とする。

【００１５】ここで、基板としては、ＩＣチップやその
他の電子部品などが実装されるＩＣ搭載基板等の配線基
板が挙げられる。また、面接続パッドとは、取付基板と
の電気的接続のために基板上に設けられる端子であっ
て、面接続によって接続を行うためのパッドを指す。な
お、面接続とは、前述したようにチップや基板、マザー
ボードの平面上に線状や格子状（千鳥状も含む）にパッ
ドやバンプなどの端子を形成し、基板とマザーボードを
接続する場合の接続方法を指し、線状の配置の例として
は、例えば四角形の枠状配置が挙げられる。また、面接
続パッドを有する基板の例としては、パッド（ランド）
を格子状に配列したＬＧＡ型基板が挙げられるが、必ず
しもパッドが格子状に配列されていなくとも良い。

【００１６】一方、取付基板は、前記基板を取付けるた
めの基板であって、マザーボード等のプリント基板が挙
げられる。この取付基板には、面接続によって基板を取
付けるための面接続取付パッドが形成されている。この
面接続取付パッドとは、基板との電気的接続のために取
付基板上に設けられる端子であって、面接続によって接
続を行うためのパッドを指す。面接続取付パッドを有す
る取付基板の例としては、パッドを格子状に配列したプ
リント基板が挙げられるが、必ずしもパッドが格子状に
配列されていなくとも良いし、複数の基板を取付けるた
めにそれぞれの基板に対応する面接続取付パッド群を複
数有していても良い。なお、本発明の中継基板は、基板
と取付基板の間に介在して、それぞれと接続するもので
あるので、便宜的に基板と接続する側を第１面側、取付
基板と接続する側を第２面側として両者を区別すること
とする。

【００１７】さらに、貫通孔は、単一の孔で構成される
のが通常であるが、その他、互いに近接して設けられた
複数の小貫通孔の集まり（小貫通孔群）をも含む。この
場合には、小貫通孔それぞれに貫挿された軟質金属が全
体として１つの軟質金属体を構成する。

【００１８】また、軟質金属体とは、熱膨張係数の違い
などによって、基板と取付基板間、あるいは、基板と中
継基板本体間や中継基板本体と取付基板間で発生する応
力を変形によって吸収する柔らかい金属からなるもので
あって、具体的な材質としては、鉛（Ｐｂ）やスズ（Ｓ
ｎ）、亜鉛（Ｚｎ）やこれらを主体とする合金などが挙
げられ、Ｐｂ−Ｓｎ系高温ハンダ（例えば、ｐｂ９０％
−Ｓｎ１０％合金、Ｐｂ９５％−Ｓｎ５％合金等）やホ
ワイトメタルなどが挙げられる。なお、鉛、ズス等は再
結晶温度が常温にあるので、塑性変形をしても再結晶す
る。したがって、繰り返し応力がかかっても容易に破断
（破壊）に至らないので都合がよい。その他、純度の高
い銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）も柔らかいので用いることが
できる。

【００１９】また、突出高さとは、中継基板本体表面か
ら突出している軟質金属体の頂部までの高さをいい、表
面と軟質金属体とが面一の場合や表面より窪んでいるば
あいには、突出高さはゼロである。即ち、第１突出高さ
Ｚ１とは、中継基板本体第１面からこの第１面側に突出
する軟質金属体の頂部までの高さをいい、第２突出高さ
Ｚ２とは、中継基板本体第２面からこの第２面側に突出
する軟質金属体の頂部までの高さをいう。

【００２０】なお、中継基板と基板や取付基板との接
続、即ち、軟質金属体と面接続パッドや面接続取付パッ
ドとの接続は、軟質金属体よりも融点の低いハンダを用
いれば良い。このようなハンダを用いる場合には、両者
の融点に適度の差を持つように選択するのが好ましく、
例えば、軟質金属体としてＰｂ９０％−Ｓｎ１０％の高
温ハンダ（融点３０１℃）を用いた場合には、Ｐｂ３６
％−Ｓｎ６４％共晶ハンダ（融点１８３℃）やその近傍
の組成（Ｐｂ２０〜５０％、Ｓｎ８０〜５０％程度）の
Ｐｂ−Ｓｎ合金などを用いればよい。また、その他の成
分として、Ｉｎ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｓｂ等を適当量添加した
ものを用いても良い。

【００２１】この請求項１に記載の発明は、第１面側で
基板と、第２面側で取付基板と面接続する中継基板に関
するものである。この手段によれば、中継基板本体に貫
挿された軟質金属体が、熱膨張係数の違いなどによって
生ずる基板と取付基板あるいは基板と中継基板、中継基
板と取付基板の間に生じる応力を変形（例えば塑性変
形）によって吸収する。したがって、軟質金属体が破断
することもなく、また、基板の面接続パッドや取付基板
の面接続取付パッド（以下、これらを単にパッドともい
う）あるいはその近傍のハンダや軟質金属体が応力によ
って破壊したり破断したりすることがなくなる。しか
も、中継基板本体が軟質金属体から受ける応力は、中継
基板本体の貫通孔壁面に対して垂直方向から受けるの
で、中継基板本体自身が破壊し難い。

【００２２】さらに、軟質金属体は第１面側と第２面側
の少なくともいずれかにおいて、突出部を備えるので、
基板または取付基板と中継基板の間に生ずる応力を、こ
の突出部でより多く吸収できる。突出部は中継基板本体
の貫通孔に拘束されずに変形できるので、より多くの変
形が可能であり、容易に変形して応力を開放するからで
ある。また、中継基板本体の貫通孔に貫挿された軟質金
属体の一部を突出部としているので、軟質金属体のうち
中継基板本体の第１または第２面と交差する部分近傍
（即ち、突出部の根元部）に掛かる応力は軟質金属の変
形で緩和されるため、クラック等を生じることがない。

【００２３】さらに、中継基板に設けた軟質金属体が、
第１面側と第２面側で異なる突出高さを有している（Ｚ
１≠Ｚ２）ので、基板と取付基板の間に中継基板を介在
させて接続したとき、基板と中継基板本体との間隔（距
離）と、取付基板と中継基板本体との間隔とを異なるも
のとすることができる。この間隔が大きいほど応力を吸
収できるが、一方、基板と取付基板との間隔には制限が
あるのが通常である。したがって、基板や取付基板の熱
膨張係数やパッド等の強度を考慮して、適切な距離を選
択することができる。

【００２４】さらに、前記目的を達成するための請求項
２に記載の発明は、前記第１突出高さＺ１に対して前記
第２突出高さＺ２が大きい軟質金属体を有する請求項１
に記載の中継基板を要旨とする。即ち、突出高さＺ１と
Ｚ２を比較したときに、Ｚ１＜Ｚ２とする。

【００２５】この手段によれば、基板および取付基板と
接続したときに、基板と中継基板本体と間隔よりも中継
基板本体と取付基板との間隔を大きくすることができ
る。したがって、中継基板本体と取付基板との間に発生
する熱膨張係数の違いによる応力などをより多く吸収で
きる。これにより、取付基板の面接続取付パッドあるい
はその近傍のハンダや軟質金属体が応力によって破壊し
たり破断したりすることがなくなる。

【００２６】さらに、前記目的を達成するための請求項
３に記載の発明は、前記軟質金属体は、前記第２突出部
を有し、第１面よりほとんど突出しない請求項２に記載
の中継基板を要旨とする。即ち、突出高さＺ２＞Ｚ１≒
０とする。

【００２７】この手段によれば、軟質金属体は、第２突
出部を有するが第１面よりほとんど突出しない形状であ
るので、基板と中継基板とは第１面側の接続用のハンダ
による厚み程度の間隔（距離）を有する、一方、中継基
板と取付基板とは少なくとも第２突出部の高さの分だけ
間隔をおいて接続される。つまり、ほとんど突出しない
第１面側では、基板と中継基板本体との間隔が十分小さ
くなり、逆に第２突出部を有する第２面側では、中継基
板本体と取付基板との間隔を大きくできる。したがっ
て、第２面側での熱膨張係数の差、即ち、中継基板本体
と取付基板との熱膨張係数の差等による応力を十分に吸
収できる。かくして、中継基板を基板と取付基板の間に
介在させた場合のうち、中継基板（中継基板本体）と取
付基板との間にかかる応力を最も緩和することができ、
取付基板の面接続取付パッドあるいはその近傍の第２面
側の接続用のハンダや軟質金属体が破壊することがなく
なる。なお、ほとんど突出しない第１面において軟質金
属体は、第１面と略同一面をなすか、あるいは第１面よ
り陥没していてもよい。

【００２８】さらに、前記目的を達成するための請求項
４に記載の発明は、前記基板はセラミックからなり、前
記中継基板本体は、該基板をなすセラミックと略同材質
のセラミックからなる請求項２または３に記載の中継基
板を要旨とする。

【００２９】この手段によれば、基板と中継基板本体と
は略同材質のセラミックであるので、両者の間には、熱
膨張差がほとんど発生せず、応力もほとんど発生しな
い。一方、中継基板本体と取付基板の間隔は、第２突出
部により比較的大きくされるので、この両者の間の応力
は緩和される。即ち、基板、中継基板、取付基板の三者
の間に発生する応力が小さいので、これらを接続した場
合に高い接続信頼性を有する長寿命の構造体とすること
ができる。

【００３０】なお、基板に用いるセラミックの材質とし
ては、アルミナが広く用いられているが、その他、ムラ
イト、窒化アルミ、ガラスセラミック等、製造の容易さ
や熱伝導率、熱膨張係数の大きさなどを考慮して用いら
れている。中継基板本体に用いるセラミックは、接続す
る基板に用いられている材質と略同材質のものを選択す
ればよく、例えば、アルミナ、ムライト、窒化アルミ、
ガラスセラミックなどが挙げられる。

【００３１】また、中継基板本体をセラミックとする
と、中継基板本体の強度が高く、さらには耐熱性が高い
ので、高強度で、リワークなどによって繰り返し加熱さ
れても変形等を生じない点でも好ましい。

【００３２】さらに、前記目的を達成するための請求項
５に記載の発明は、前記第２突出高さＺ２に対して前記
第１突出高さＺ１が大きい軟質金属体を有する請求項１
に記載の中継基板を要旨とする。即ち、突出高さＺ１と
Ｚ２を比較したときに、Ｚ１＞Ｚ２とする。

【００３３】この手段によれば、基板および取付基板と
接続したときに、基板と中継基板本体と間隔を中継基板
本体と取付基板との間隔よりも大きくすることができ
る。したがって、基板と中継基板本体との間に発生する
熱膨張係数の違いなどによる応力をより多く吸収でき
る。したがって、軟質金属体が破断することもなく、ま
た、基板の面接続パッドあるいはその近傍のハンダや軟
質金属体が応力によって破壊したり破断したりすること
がなくなる。

【００３４】さらに、前記目的を達成するための請求項
６に記載の発明は、前記軟質金属体は、前記第１突出部
を有し、第２面よりほとんど突出しない請求項５に記載
の中継基板を要旨とする。即ち、突出高さＺ１＞Ｚ２≒
０とする。

【００３５】この手段によれば、軟質金属体は、第１突
出部を有するが第２面よりほとんど突出しない形状であ
るので、基板と中継基板とは少なくとも第１突出部の高
さの分だけ間隔（距離）を有するが、一方、中継基板と
取付基板とは、接続用のハンダによる厚み程度の間隔を
おいて接続される。つまり、ほとんど突出しない第２面
側では、中継基板本体と取付基板との間隔が十分小さく
なり、逆に第１突出部を有する第１面側では、基板と中
継基板本体との間隔を大きくできる。したがって、第１
面側での熱膨張係数の差、即ち、基板と中継基板本体と
の熱膨張係数の差による応力等を十分に吸収できる。か
くして、中継基板を基板と取付基板の間に介在させた場
合のうち、基板と中継基板（中継基板本体）との間にか
かる応力を最も緩和することができ、基板の面接続パッ
ドあるいはその近傍の第１面側の接続用のハンダや軟質
金属体が破壊することがなくなる。なお、突出しない第
２面において軟質金属体は、第２面と略同一面をなす
か、あるいは第２面より陥没していてもよい。

【００３６】さらに、前記目的を達成するための請求項
７に記載の発明は、前記中継基板本体の有する熱膨張係
数が、前記基板および前記取付基板の有する熱膨張係数
の中間の値である請求項１〜３、５、６のいずれかに記
載の中継基板を要旨とする。

【００３７】この手段によると、中継基板本体の有する
熱膨張係数を、基板及び取付基板の有する熱膨張係数の
中間の値としたので、基板と取付基板、基板と中継基板
および中継基板と取付基板間で熱膨張係数の違いによっ
て生ずる応力をより緩和することができる。

【００３８】さらに、前記目的を達成するための請求項
８に記載の発明は、前記第１及び第２突出部のうち、少
なくとも前記突出高さの高い側の突出部は、その突出高
さがその突出部の最大径よりも高い略柱状にされている
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の中継
基板を要旨とする。

【００３９】突出部が略球状または略半球状である場合
には、基板あるいは取付基板との間隔を広くするために
突出高さと高くすると、同時に突出部の最大径も大きく
なるので、隣接する軟質金属体との間隔（ピッチ）によ
る制限が生じる。この手段によると、そのような制限が
なく、突出高さの高い側で基板あるいは取付基板との間
隔を広くできる。その上、突出部の径が相対的に細くな
って変形が容易になるのでより多くの応力を吸収でき
る。

【００４０】さらに、前記目的を達成するための請求項
９に記載の発明は、前記中継基板本体の貫通孔内壁面に
金属層を有し、該金属層と前記軟質金属と溶着している
請求項１〜８のいずれかに記載の中継基板を要旨とす
る。

【００４１】このように貫通孔内壁面の金属層と軟質金
属体を溶着させると、金属層を介して中継基板本体を一
体化させることができる。したがって、貫通孔内に貫挿
された軟質金属体が貫通孔から抜け落ちたり、貫通孔の
軸方向に位置ズレを起こしたりすることがない。

【００４２】貫通孔内に形成する金属層の材質や形成方
法は、中継基板本体の材質、貫通孔の寸法、溶着する軟
質金属体の材質等を考慮して適宜選択すればよい。特
に、中継基板本体がセラミックである場合には、未焼成
セラミック板に貫通孔を穿孔した後、金属ペーストを貫
通孔内に塗布して同時焼成したり、セラミックを焼成し
た後に貫通孔内に金属ペースト塗布して焼き付けて形成
する手法が使用でき、例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ、
Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等で形成することができる。ま
た、軟質金属との溶着性の改善や酸化防止等のため、更
に、ＮｉメッキやＡｕメッキ等を施すことも可能であ
る。その他、蒸着やスパッタリングによって金属層を形
成しても良く、この上に更にＣｕやＮｉ、Ａｕメッキ等
を施しても良い。また、無電解メッキによって直接貫通
孔内面に金属層を析出させる手法によっても良く、例え
ば、Ｃｕ、Ｎｉメッキなどが挙げられる。またこれらの
上にＡｕメッキを施しても良い。

【００４３】なお、金属層を有さない中継基板としても
良い。このようにすると、金属層を形成する必要が無
く、コストを下げることができる。なお、この場合に
は、中継基板本体の貫通孔に軟質金属体が固着していな
いので、軟質金属体が貫通孔から抜け落ちるのを防止す
るため、第１面側および第２面側の少なくともいずれか
で、貫通孔より径大の突出部としておくと良い。

【００４４】さらに、前記目的を達成するための請求項
１０に記載の発明は、前記中継基板本体に前記第１面と
第２面とを識別するための標識を設けたことを特徴とす
る請求項１〜９のいずれかに記載の中継基板を要旨とす
る。

【００４５】この手段によると、標識を設けるので、基
板と中継基板との接続、中継基板と取付基板との接続、
あるいは、基板、中継基板、取付基板の三者間の接続を
行うときに、第１面と第２面、即ち、基板との接続面と
取付基板との接続面とを誤ることがない。基板等のパッ
ドの配置は、一般的には格子状（千鳥状をも含む）にさ
れることが多い。したがって、中継基板の軟質金属体の
配置もこれに対応した配置となるので、中継基板の第１
面と第２面との識別が困難となることがある。

【００４６】もし、中継基板の第１面と第２面を取り違
えて接続すると、本来予定されていた基板と中継基板本
体との間隔や中継基板本体と取付基板との間隔を保つこ
とができなくなるので、本来得られるはずの接続部分の
信頼性が低下する危険性がある。標識を設けることでこ
のような誤りを防止でき、結果として中継基板と基板や
取付基板との接続信頼性を高く保つことができる。ま
た、標識は中継基板本体に設けたので、認識が容易とな
り、基板や取付基板との接続などによる加熱後も標識を
認識できる。

【００４７】ここで、標識は、第１面または第２面のい
ずれかに設ければ良いが、両面に設けても良い。また、
標識としては、中継基板本体の適当な部分に、インクの
印刷、セラミックやガラス、メタライズインク等の同時
焼成や焼き付け、レーザマーキング等により識別可能な
文字、記号その他を形成すればよい。また、中継基板本
体に切り欠き、貫通孔等を設けて標識としても良い。

【００４８】さらに、前記目的を達成するための請求項
１１に記載の発明は、前記標識は前記第２面側から見て
識別できるように設けたことを特徴とする請求項１０に
記載の中継基板を要旨とする。

【００４９】この手段によると、標識が第２面側から見
て識別できる。中継基板を基板や取付基板と接続する場
合、まず基板と中継基板とを接続しておき、その後これ
を取付基板と接続する場合も多いと考えられる。基板と
中継基板の接続体は第２面側から見ると、軟質金属体が
端子（バンプ）のように見えるので、接続体全体で１つ
のＢＧＡ型基板あるいはＬＧＡ型基板のように扱うこと
ができるからである。したがって、第２面側から標識を
識別できるようにしておくと、取付基板との接続前に、
正しく基板と中継基板とが接続していることが確認でき
る。なお、標識を第２面側から見て識別できるように設
けるのには、具体的には、第２面上に標識を付したり、
第２面側から見えるように中継基板本体に切り欠きや貫
通孔等を設けたりすることが挙げられる。

【００５０】さらに、前記標識は前記第１面から見て識
別できるように設けたことを特徴とする請求項１０に記
載の中継基板を要旨としても良い。この手段によると、
標識が第１面側から見て識別できる。中継基板を基板
や取付基板と接続する場合、まず中継基板と取付基板と
を接続しておき、その後これに基板と接続する場合が考
えられる。この場合、第１面側から標識を識別できるよ
うにしておくと、基板の接続前に正しく中継基板と取付
基板とが接続していることが確認できる。なお、標識を
第１面側から見て識別できるように設けるのには、具体
的には、第１面上に標識を付したり、第１面側から見え
るように中継基板本体に切り欠きや貫通孔等を設けたり
することが挙げられる。

【００５１】さらに、前記目的を達成するための請求項
１２に記載の発明は、面接続パッドを有し熱膨張係数α
１の基板と、該面接続パッドと対応する位置に面接続取
付パッドを有し熱膨張係数α２の取付基板と、の間に中
継基板を介在させてなる基板と中継基板と取付基板とか
らなる構造体であって、該中継基板は、第１面と第２面
とを有する略板形状をなし、該第１面と該第２面の間を
貫通する複数の貫通孔を有し、熱膨張係数αｍの中継基
板本体と、該貫通孔内に貫挿され、該第１面より突出し
た第１突出部および第２面より突出した第２突出部のう
ち少なくともいずれかを備えた軟質金属体と、を有し、
該基板と中継基板とは、該第１面側でＡ１の間隔をなし
て、該第１突出部と前記面接続パッドとを該軟質金属体
より融点の低いハンダで接続することにより接続し、該
中継基板と取付基板とは、該第２面側でＡ２の間隔をな
して、該第２突出部と前記面接続取付パッドとを該軟質
金属体より融点の低いハンダで接続することにより接続
してなり、該間隔Ａ１とＡ２のうち、α１とαｍとの差
と、α２とαｍとの差の大きい側の間隔を他よりも大き
くしてなることを特徴とする基板と中継基板と取付基板
とからなる構造体を要旨とする。即ち、｜α１−αｍ｜
＞｜α２−αｍ｜である場合に、Ａ１＞Ａ２とし、｜α
１−αｍ｜＜｜α２−αｍ｜である場合に、Ａ１＜Ａ２
とする。

【００５２】基板（熱膨張係数α１）−中継基板本体
（αｍ）間、中継基板本体（αｍ）−取付基板（α２）
間には、熱膨張係数の差に起因する熱膨張差が発生す
る。この手段によれば、中継基板本体に貫挿された軟質
金属体が、熱膨張係数の違いによって生ずる基板と取付
基板あるいは基板と中継基板、中継基板と取付基板の間
に生じる応力を変形（例えば塑性変形）によって吸収す
る。したがって、軟質金属体が破断することもなく、ま
た、基板の面接続パッドや取付基板の面接続取付パッド
あるいはその近傍のハンダや軟質金属体が応力によって
破壊したり破断したりすることがなくなる。

【００５３】さらに、軟質金属体は第１面側と第２面側
の少なくともいずれかにおいて、突出部を備えるので、
基板または取付基板と中継基板の間に生ずる応力を、こ
の突出部でより多く吸収できる。突出部は中継基板本体
の貫通孔に拘束されずに変形できるので、より多くの変
形が可能であり、容易に変形して応力を開放するからで
ある。また、中継基板本体の貫通孔に貫挿された軟質金
属体の一部を突出部としているので、軟質金属体のうち
中継基板本体の第１または第２面と交差する部分近傍
（即ち、突出部の根元部）に掛かる応力は軟質金属の変
形で緩和されるため、クラック等を生じ破断することが
ない。

【００５４】さらに、熱膨張係数の差（｜α１−αｍ
｜、｜αｍ−α２｜）が大きい側には、より大きな熱膨
張差が発生するが、この手段によると、より大きな熱膨
張差が生じる側の間隔（Ａ１またはＡ２）を大きくして
いるので、熱膨張差による応力をより多く吸収でき、し
たがって、熱膨張差の大きい側においてもパッドあるい
はその近傍のハンダや軟質金属体が破壊したり破断した
りすることが無くなる。

【００５５】さらに、前記目的を達成するための請求項
１３に記載の発明は、前記軟質金属体の第１突出高さＺ
１と第２突出高さＺ２のうち、前記α１とαｍとの差
と、α２とαｍとの差の大きい側の突出高さを他よりも
大きくしてなることを特徴とする請求項１２に記載の基
板と中継基板と取付基板とからなる構造体を要旨とす
る。即ち、｜α１−αｍ｜＞｜α２−αｍ｜である場合
に、Ｚ１＞Ｚ２とし、｜α１−αｍ｜＜｜α２−αｍ｜
である場合に、Ｚ１＜Ｚ２とする。

【００５６】この手段によると、軟質金属体の突出高さ
Ｚ１、Ｚ２のうち熱膨張係数の差の大きい側の高さを他
よりも高くするので、容易に間隔Ａ１またはＡ２を他よ
りも大きくすることができる。しかも、熱膨張係数の差
が大きい側では、変形が容易な軟質金属体が高く突出し
ているので、より大きく変形して応力を吸収でき、さら
にパッドあるいはその近傍のハンダや軟質金属体が破壊
したり破断したりすることが無くなって接続の信頼性が
高くなる。

【００５７】さらに、前記目的を達成するための請求項
１４に記載の発明は、前記第１及び第２突出部のうち、
少なくとも突出高さの高い側の突出部は、その突出高さ
がその最大径よりも高い略柱状にされていることを特徴
とする請求項１３に記載の基板と中継基板と取付基板と
からなる構造体を要旨とする。

【００５８】突出部が略球状または略半球状である場合
には、基板あるいは取付基板との間隔を広くするために
突出高さと高くすると、同時に突出部の最大径も大きく
なるので、隣接する軟質金属体との間隔（ピッチ）によ
る制限が生じる。この手段によると、そのような制限が
なく、突出高さの高い側で基板あるいは取付基板との間
隔を広くできる。その上、突出部の径が相対的に細くな
って変形が容易になるのでより多くの応力を吸収でき
る。

【００５９】さらに、前記目的を達成するための請求項
１５に記載の発明は、前記基板の材質がセラミックであ
り、前記中継基板本体の材質が該基板と略同材質のセラ
ミックであり、前記取付基板の材質がエポキシ、ＢＴレ
ジン、ガラスエポキシ、ガラスＢＴレジン等の樹脂であ
り、少なくとも前記第２突出部を有し、前記間隔が、Ａ
１＜Ａ２としてなることを特徴とする請求項１２〜１４
のいずれかに記載の基板と中継基板と取付基板とからな
る構造体を要旨とする。

【００６０】取付基板の材質はセラミックに比較して熱
膨張係数が大きいエポキシ等の樹脂であるので、基板と
取付基板とを直接接続した場合には両者間に熱膨張差に
起因する応力が発生する。しかし、この手段によれば、
基板と取付基板との間には中継基板が介在している。し
かも、基板と中継基板本体の材質が略同材質のセラミッ
クであるので、基板と中継基板本体の間には、熱膨張係
数の差はほとんどなく、熱膨張差もほとんど発生しな
い。したがって、基板と中継基板本体との間には応力は
ほとんど発生せず、大半の応力は中継基板本体と取付基
板との間に発生することとなる。これにより、基板の面
接続パッドあるいはその近傍のハンダや軟質金属体が応
力によって破壊されたり破断することはなくなる。

【００６１】一方、中継基板本体と取付基板との間で発
生した応力は、軟質金属からなる第２突出部が容易に変
形するのでこれによって吸収される。さらに、間隔に関
してＡ１＜Ａ２となるようにしているので、さらに第２
面側においてより多くの応力が吸収できるようにされて
いる。したがって、中継基板本体と取付基板との間にお
いても応力が吸収され、取付基板の面接続取付パッドや
その近傍のハンダが破壊したり破断したりすることがな
くなる。即ち、結果として基板−中継基板間、中継基板
−取付基板間の応力が緩和され、いずれにおいても破壊
が防止され、信頼性の高い接続ができる。

【００６２】さらに、前記目的を達成するための請求項
１６に記載の発明は、面接続パッドを有する基板と、該
基板と該基板の該面接続パッドと対応する位置に面接続
取付パッドを有する取付基板との間に介在させ、第１面
側で該面接続パッドと接続させ、第２面側で該面接続取
付パッドと接続させることにより該基板と該取付基板と
を接続させるための中継基板と、を接続した基板と中継
基板との接続体であって、該中継基板は、第１面と第２
面とを有する略板形状をなし、該第１面と該第２面の間
を貫通する複数の貫通孔を有し、該基板の材質と略同材
質からなる中継基板本体と、該貫通孔内に貫挿され、第
２突出高さＺ２の第２突出部を備える軟質金属体と、を
有し、該基板と中継基板とは、該第１面側でＡ１の間隔
をなして、該軟質金属体と該面接続パッドとを該軟質金
属体より融点の低いハンダで接続することにより接続さ
れており、間隔Ａ１と第２突出高さＺ２とは、Ａ１＜Ｚ
２の関係となっていることを特徴とする基板と中継基板
との接続体を要旨とする。

【００６３】この手段によれば、基板と中継基板本体の
材質は略同材質なので、両者の間には熱膨張差はほとん
ど発生せず、熱応力もほとんど発生しない。したがっ
て、基板の面接続パッドあるいはその近傍のハンダや軟
質金属体が破壊したり破断したりすることがない。ま
た、両者の間隔Ａ１は小さく（狭く）ても良い。間隔を
広くして応力を吸収する必要がないからである。一方、
この基板と中継基板との接続体を取付基板と接続した場
合、取付基板の材質が基板や中継基板本体と異なるとき
には、熱膨張係数が異なり、熱膨張差による応力が生じ
る。しかし、軟質金属からなる第２突出部が中継基板本
体の第２面側に形成されているので、この応力はこの第
２突出部の変形によって吸収される。

【００６４】さらに、この第２突出部の突出高さ（第２
突出高さ）Ｚ２が、Ｚ２＞Ａ１となる高さとされてい
る。中継基板本体と取付基板との間には第２突出部があ
るので、両者の間隔Ａ２は第２突出部の突出高さＺ２よ
り大きくなり、Ａ２＞Ｚ２＞Ａ１となる。即ち、この手
段によれば、中継基板本体と取付基板との間隔Ａ２を基
板と中継基板本体との間隔Ａ１よりも必ず大きくするこ
とができるので、間隔Ａ２が大きい分だけ応力を吸収す
ることができる。したがって、本手段による接続体に取
付基板を接続して三者からなる構造体を構成した場合
に、中継基板本体と取付基板との間でも応力が吸収さ
れ、結果として接続信頼性の高い構造体とすることがで
きる。

【００６５】さらに、前記目的を達成するための請求項
１７に記載の発明は、請求項１〜１１のいずれかに記載
の中継基板の製造方法であって、前記中継基板本体の前
記貫通孔に、前記第１面側または第２面側のいずれかか
ら溶融した軟質金属を注入して前記軟質金属体を形成す
る工程を有する中継基板の製造方法を要旨とする。

【００６６】この手段によれば、中継基板本体の貫通孔
に第１面側または第２面側のいずれかから溶融した軟質
金属を注入して軟質金属体を形成するので、容易に軟質
金属体を形成できる。

【００６７】さらに、前記目的を達成するための請求項
１８に記載の発明は、請求項１７に記載の中継基板の製
造方法であって、前記中継基板本体の下側に、溶融した
軟質金属に濡れない材質からなり、前記貫通孔に対応し
た位置にそれぞれ凹部を有する溶融軟質金属受け治具を
配置する工程と、前記貫通孔に注入された溶融軟質金属
を少なくとも該凹部および貫通孔内に保持し、その後、
溶融軟質金属を冷却し、凝固させる工程と、を有する中
継基板の製造方法を要旨とする。

【００６８】この手段によれば、貫通孔内に注入された
軟質金属は、中継基板本体の下側の溶融軟質金属受け治
具の各凹部及び貫通孔内に保持され、その後の冷却して
凝固させることで、貫通孔に貫挿された突出部を有する
軟質金属体を有する中継基板が容易に形成される。

【００６９】また、この手段によれば、各凹部の形状や
凹部の体積と注入される軟質金属の体積との違いなどに
より、突出部の形状等を任意に変化させることができ
る。即ち、例えば、軟質金属の体積が治具の凹部の体積
と中継基板本体の貫通孔の体積との和よりも多い場合に
は、溶融した軟質金属は貫通孔の上端面から溢れ、その
表面張力により略半球あるいは略球状の盛り上がりとな
り、凝固後もその形状の突出部となる。一方、凹部内の
軟質金属は、凝固後には略凹部の形状に倣った形状の突
出部となる。

【００７０】また、軟質金属の体積と凹部の体積および
貫通孔の体積の和とがほぼ等しい場合には、溶融した軟
質金属は貫通孔の上端面と略面一の高さまで充填され、
貫通孔の上面側には突出部は形成されず、凹部内の軟質
金属は突出部を形成する。さらに、軟質金属の体積が凹
部の体積と貫通孔の体積との和より少ない場合には、軟
質金属が貫通孔内壁面の金属層に濡れる場合など軟質金
属が中継基板本体と一体となるようにしておけば、側面
は凹部の側壁の形状に倣い、下端即ち、突出部の頂部は
略半球状となった突出部が、凹部内で形成されることと
なる。

【００７１】なお、溶融軟質金属受け治具の材質として
は、溶融した軟質金属に濡れない性質を有し、耐熱性の
あるものから適宜選択すればよいが、例えば、カーボン
や窒化ホウ素などを用いれば、凹部などの工作も容易で
ある。また、耐熱性の高いアルミナ、ムライト、窒化珪
素等のセラミックを用いても良い。

【００７２】さらに、前記目的を達成するための請求項
１９に記載の発明は、請求項１７に記載の中継基板の製
造方法であって、溶融した軟質金属に濡れない材質から
なり平面を有する溶融軟質金属受け治具の該平面を、前
記中継基板本体の下側となった第１面または第２面に密
着させて配置する工程と、前記貫通孔に注入された溶融
軟質金属を少なくとも貫通孔内に保持しつつ冷却し、凝
固させる工程と、を有する中継基板の製造方法を要旨と
する。

【００７３】この手段によれば、貫通孔内に注入された
軟質金属は、中継基板本体の下側の溶融軟質金属受け治
具の平面で止まって貫通孔内あるいはその上面側に保持
され、その後の冷却して凝固させることで、治具の平面
と密着した側（下側）にはほとんど突出せず、かつ貫通
孔に貫挿された軟質金属体を有する中継基板が容易に形
成される。また中継基板本体の上側には、注入した軟質
金属の体積によって突出部が形成される。

【００７４】また、この手段によれば、貫通孔の体積と
注入される軟質金属の体積との違いなどにより、上面側
にできる突出部の形状等を変化させることができる。即
ち、例えば、軟質金属の体積が中継基板本体の貫通孔の
体積よりも多い場合には、溶融した軟質金属は貫通孔の
上端面から溢れ、その表面張力により略半球あるいは略
球状の盛り上がりとなり、凝固後もその形状の突出部と
なる。一方、中継基板本体の下面側では、軟質金属は治
具の平面に倣って突出しないかあるいはほとんど突出し
ない平面状となる。

【００７５】さらに、前記目的を達成するための請求項
２０に記載の発明は、請求項１７〜１９に記載の中継基
板の製造方法であって、所定形状の軟質金属からなる金
属片を該貫通孔の前記第１面側または第２面側端部に載
置する工程と、その後加熱して該金属片を溶融し、該貫
通孔に溶融した軟質金属を流動させて注入せしめる工程
と、を有する中継基板の製造方法を要旨とする。

【００７６】この手段によれば、貫通孔に軟質金属を注
入するにあたり、所定形状の軟質金属からなる金属片を
貫通孔の第１面側または第２面側端部に載置し、その後
加熱して金属片を溶融させ貫通孔に溶融した軟質金属を
流動させて注入する。したがって、載置した軟質金属を
加熱して溶融すればよいので、溶融した軟質金属を取り
扱う必要がない。また、加熱によって各貫通孔に溶融し
た軟質金属を一挙に注入することができるので、容易に
中継基板を形成できる。さらに、注入される軟質金属の
体積は、所定形状を有する金属片の体積となるので一定
となり、軟質金属体の寸法を容易に一定とすることがで
きる。したがって、突出部の高さや形状についても一定
となり、基板や取付基板との接続性の高い中継基板とす
ることができる。

【００７７】ここで、所定形状の軟質金属からなる金属
片は、一定形状であり一定の体積を有する金属片を用い
れば良く、形状そのものは、球状、立方体状等いずれの
形状でも良い。金属片は溶融させるので、溶融前の形状
は問わないからである。

【００７８】さらに、前記目的を達成するための請求項
２１に記載の発明は、前記金属片は、球形状の軟質金属
である請求項２０に記載の中継基板の製造方法を要旨と
する。

【００７９】この手段によれば、所定形状の金属片とし
て球状の金属片を用いるので、その直径を管理して一定
の直径を有する球状の金属片を用いることで、その体積
が一定にできて好ましい。また、球状の金属片は入手も
容易である。さらに、この場合には、軟質金属球を貫通
孔の端部に載置するに場合にも、載置のしかたに方向性
がないので載置が容易にできる。また、複数の球状の軟
質金属（軟質金属球）を中継基板本体上にばらまいた後
に傾けるなどして適当に揺動させると、中継基板本体の
貫通孔にはまった軟質金属球は動かなくなり、貫通孔に
はまらなかった軟質金属球は中継基板本体を傾けること
で容易に除去できるので、軟質金属球の載置も容易とな
る。

【００８０】さらに、前記目的を達成するための請求項
２２に記載の発明は、請求項１〜１１のいずれかに記載
の中継基板の製造方法であって、溶融した軟質金属に濡
れない材質からなり前記貫通孔に対応した位置にそれぞ
れ凹部を有する溶融軟質金属受け治具の該凹部上端部に
該凹部の径より大きい寸法の軟質金属からなる金属片を
それぞれ載置する工程と、前記中継基板本体の貫通孔に
該金属片がはまりこむように該中継基板本体を該溶融軟
質金属受け治具の上方に配置する工程と、加熱して該金
属片を溶融させつつ、溶融した軟質金属に濡れない材質
からなる荷重治具によって上方から金属片および中継基
板本体を押圧して、中継基板本体の貫通孔に溶融した軟
質金属を注入すると共に、溶融軟質金属受け治具の凹部
内に溶融した軟質金属を注入する工程と、該溶融した軟
質金属を少なくとも該凹部および貫通孔内に保持しつつ
冷却し、凝固させる工程と、を有する中継基板の製造方
法を要旨とする。

【００８１】この手段によれば、軟質金属からなる金属
片は、溶融軟質金属受け治具の凹部上端部に載置され、
中継基板本体の貫通孔にはまりこむようにされるので、
ずれたり転がったりすることがなく、確実に貫通孔内に
注入できる。また、凹部の形状に倣った突出部が形成で
きるので、半球状等の形状に限らず所望の形状の突出部
を形成することができる。また、載置した軟質金属から
なる金属片を加熱して溶融すればよいので、溶融した軟
質金属を取り扱う必要がない。また、加熱によって各貫
通孔に溶融した軟質金属を一挙に注入することができる
ので、容易に中継基板を形成できる。さらに、注入され
る軟質金属の体積は、所定形状を有する金属片の体積と
なるので一定となり、軟質金属体の寸法を容易に一定と
することができる。したがって、突出部の高さや形状に
ついても一定となり、基板や取付基板との接続性の高い
中継基板とすることができる。

【００８２】なお、溶融軟質金属受け治具の材質として
は、溶融した軟質金属に濡れない性質を有し、耐熱性の
あるものから適宜選択すればよいが、例えば、カーボン
や窒化ホウ素などを用いれば、凹部などの工作も容易で
ある。また、耐熱性の高いアルミナ、ムライト、窒化珪
素等のセラミックを用いても良い。

【００８３】さらに、前記目的を達成するための請求項
２３に記載の発明は、請求項２２に記載の中継基板の製
造方法であって、前記溶融軟質金属受け治具の凹部上端
部に金属片を載置する工程前に、該凹部内に凹部の径よ
りも小さい寸法で軟質金属からなる小金属片を、該小金
属片を溶融させると共に前記金属片を溶融させて凹部内
に注入したときに、溶融した小金属片と金属片とが接触
して一体となるように、それぞれの凹部内に少なくとも
１つ以上投入する工程を有する中継基板の製造方法を要
旨とする。

【００８４】凹部内に多くの軟質金属を注入したい場
合、載置する金属片の寸法を大きくすれば良い。しか
し、金属片の寸法が大きくなりすぎると、加熱時に各々
の凹部に注入される前に隣接する金属片が接触して受け
治具上面に拡がることがある。また、更に金属片の寸法
が大きい場合には、隣接する凹部に注入するための金属
片と接触して所定の位置（凹部上端部）に載置できない
こともある。しかし、この手段によれば、予め受け治具
の凹部内に小金属片を投入しておくので、上述のように
隣接する金属片が接触する等の不具合は生じないで、凹
部内に多くの軟質金属を保持させることができる。した
がって、例えば、凹部の形状を深さの深い（細長の）形
状とし、その凹部形状に倣った略柱状の突出部が形成す
るなど、体積の多い突出部形状を形成することができ
る。

【００８５】なお、この場合に、前記溶融金属受け治具
の凹部上端部に金属片を載置したときに、即ち、溶融前
に前記投入した小金属片と載置した金属片とが接触しな
いように小金属片を凹部に投入するのが好ましい。金属
片が凹部内に投入した小金属片と接触する場合には、金
属片を凹部の上端部に載置するときに小金属片と接触す
るために金属片が凹部上端縁にぴったりと接触せず、金
属片が安定に載置できなかったり、載置することそのも
のが困難となる。逆に金属片と接触しないように小金属
片を投入すれば、金属片が凹部上端部に安定して載置す
ることができる。

【００８６】また、前記金属片は、球形状の軟質金属で
あるのが好ましい。所定形状の金属片として球状の金属
片を用いると、その直径を管理して一定の直径を有する
球状の金属片を用いることで、その体積が一定にできて
好ましい。また、球状の金属片は入手も容易である。さ
らに、この場合には、軟質金属球を貫通孔の端部に載置
するに場合にも、載置のしかたに方向性がないので載置
が容易にできる。また、複数の球状の軟質金属（軟質金
属球）を溶融金属受け治具上にばらまいた後に傾けるな
どして適当に揺動させると、受け治具の凹部にはまった
軟質金属球は動かなくなり、凹部にはまらなかった軟質
金属球は中継基板本体を傾けることで容易に除去できる
ので、軟質金属球の載置も容易となる。

【００８７】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
しつつ説明する。 （実施形態１）以下では、まず中継基板の製造方法につ
いて図１〜３を参照しつつ説明する。まず、周知のセラ
ミックグリーンシート形成技術によって、貫通孔Ｈを有
するアルミナセラミックグリーンシートＧを用意する。
このシートＧの貫通孔Ｈの内周面Ｈ１に、図１(a)に示
すように、タングステンペーストＰを塗布する。

【００８８】次いで、このシートＧを還元雰囲気中で最
高温度約１５５０℃にて焼成し、図１(b)に示すような
セラミック製中継基板本体１およびタングステンを主成
分とする下地金属層２を形成する。焼成後の中継基板本
体（以下、本体ともいう）１は、厚さ０．３ｍｍで、一
辺２５ｍｍの略正方板形状を有し、第１面１ａと第２面
１ｂとの間を貫通する貫通孔Ｈの内径はφ０．８ｍｍ
で、１．２７ｍｍのピッチで格子状に、縦横各１９ヶ、
計３６１ヶ（=19×19）の貫通孔が形成されている。ま
た、下地金属層２の厚さは約１０μｍである。

【００８９】さらに、この下地金属層２上に、図１(c)
に示すように、厚さ約２μｍの無電解Ｎｉ−Ｂメッキ層
３を形成して、両者で後述するように軟質金属を溶着す
る金属層４を形成する。さらに、Ｎｉ−Ｂメッキ層３の
酸化防止のため、厚さ０．１μｍの無電解金メッキ層５
を形成する。

【００９０】次いで、図２(a)に示すように、それぞれ
の貫通孔Ｈの位置に対応させて半径０．４５ｍｍの半球
状の凹部Ｊ１が図中上面に形成してあり、カーボンから
なる溶融軟質金属受け治具（以下、受け治具ともいう）
Ｊを用意し、中継基板本体１の第２面１ｂと治具Ｊの上
面が対向し、貫通孔Ｈが凹部Ｊ１と一致するように本体
１を載置する。カーボンからなる溶融軟質金属受け治具
Ｊは、後述する高温ハンダなどの溶融金属に濡れにくい
性質を有するものである。なお、受け治具Ｊの凹部Ｊ１
の頂部（図中最下部）には、受け治具Ｊを下方に貫通す
る小径（φ０．２ｍｍ）のガス抜き孔Ｊ２がそれぞれ形
成されている。さらに、それぞれの貫通孔Ｈの第１面側
端部（図中上端）には、９０％Ｐｂ−１０％Ｓｎからな
り、直径０．９ｍｍの高温ハンダボールＢを載置する。

【００９１】次いで、窒素雰囲気下で、最高温度３６０
℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投入
し、高温ハンダボールＢを溶融させる。すると、溶融し
た高温ハンダは、重力で図中下方に下がり、貫通孔Ｈに
注入され、金属層４（Ｎｉ−Ｂメッキ層３）に溶着す
る。中継基板本体１の第２面１ｂ側（図中下方）では、
受け治具Ｊの凹部Ｊ１があるため、高温ハンダはこの凹
部Ｊ１の形状に倣って半球状に盛り上がる。一方、中継
基板本体１の第１面１ａ側（図中上方）では、受け治具
Ｊの凹部Ｊ１と貫通孔Ｈとのなす体積よりも高温ハンダ
の体積が多い分だけ、上方に盛り上がる。この上方への
盛り上がり形状は、高温ハンダの表面張力によって形成
され、体積により略球状、半球状などの形状になる。本
例では、略半球状となった。

【００９２】なお、金メッキ層５は、溶融した高温ハン
ダ中に拡散して消滅するので、高温ハンダとＮｉ−Ｂメ
ッキ層３とは直接溶着し、高温ハンダからなる軟質金属
体６は、中継基板本体１に固着される。また、受け治具
Ｊのガス抜き孔Ｊ２は、溶融した高温ハンダが下方に移
動するときに、排除される空気を逃がす役割をするが、
受け治具Ｊがハンダに濡れず、ガス抜き孔Ｊ２が小径で
あるので、ハンダがガス抜き孔Ｊ２に浸入することはな
い。このようにすることで、貫通孔Ｈに高温ハンダから
なる軟質金属体６を形成した。

【００９３】図３に示すように、この軟質金属体６は、
中継基板本体１の貫通孔Ｈに貫挿され、本体１に金属層
４を介して固着されている。また、第２面１ｂ（図中下
面）側では、受け治具Ｊの凹部Ｊ１に倣って本体１から
の高さ（第２突出高さ）Ｚ２が０．４ｍｍ、半径が０．
４３ｍｍの略半球状の突出部（盛り上がり部）６ｂを備
え、第１面１ａ（図中上面）側では、表面張力により同
様に本体１からの高さ（第１突出高さ）Ｚ１が０．２ｍ
ｍ、半径が０．４３ｍｍの略半球状の突出部（盛り上が
り部）６ａを備える。なお、軟質金属体６の突出部６ｂ
の突出高さＺ２は勿論、突出部６ａの突出高さＺ１も一
定の高さとなった。一定体積の高温ハンダボールＢを用
いたからである。また、ハンダボールＢの直径したがっ
て体積を変化させると、突出部６ａと６ｂの突出高さを
異なるものとすることができる。本例において、ハンダ
ボールＢを直径の小さいものに代えると、突出部６ａの
突出高さＺ１を低くでき、直径の大きいものに代えると
突出部６ｂの突出高さＺ１を高くできる。

【００９４】このようにして、図３に示すような中継基
板９を完成した。即ち、この中継基板９は、アルミナセ
ラミックからなり、板形状をなし、第１面１ａと第２面
１ｂとの間を貫通する複数の貫通孔Ｈを有する中継基板
本体１と、この貫通孔Ｈ内に貫挿され両面より突出した
突出部６ａ、６ｂを備え、かつ第１突出高さＺ１と第２
突出高さＺ２が異なる軟質金属体６とを有する。更に具
体的には、突出高さはＺ１＜Ｚ２とされている。

【００９５】次いで、完成した中継基板９を以下のよう
にして、基板および取付基板と接続した。まず、中継基
板９を接続する基板として、図４(a)に示すような、厚
さ１．０ｍｍ、一辺２５ｍｍの略正方形状のＬＧＡ型基
板２０を用意した。このＬＧＡ型基板は、アルミナセラ
ミックからなり、図中上面２０ａにＩＣチップをフリッ
プチップ接続により載置するためのフリップチップパッ
ド２１を備え、図中下面２０ｂに外部接続端子としてパ
ッド（面接続パッド）２２を備えている。このパッド２
２は、直径０．８６ｍｍで、中継基板９の軟質金属体６
の位置に適合するように、ピッチ１．２７ｍｍの格子状
に縦横各１９ヶ配列され、下地のモリブデン層上に無電
解Ｎｉ−Ｂメッキが施され、さらに酸化防止のために薄
く無電解金メッキが施されている。また、図示しない内
部配線によって、フリップチップパッド２１とパッド２
２とがそれぞれ接続している。

【００９６】また、取付基板として、図４(b)に示すよ
うなプリント基板４０を用意した。プリント基板４０
は、厚さ１．６ｍｍ、一辺３０ｍｍの略正方形板状で、
ガラスエポキシ（ＪＩＳ：ＦＲ−４）からなり、主面４
０ａには、ＬＧＡ型基板２０のパッド２２と、したがっ
て、中継基板９の軟質金属体６とも対応する位置に、パ
ッド（面接続取付パッド）４２が形成されている。この
パッド４２は、厚さ２５μｍの銅からなり、直径０．７
２ｍｍで、ピッチ１．２７ｍｍで格子状に縦横各１９
ヶ、計３６１ヶ形成されている。

【００９７】このプリント基板４０を、図５(a)に示す
ように、パッド４２のある主面４０ａが上になるように
置き、パッド４２上に低融点ハンダペースト７ｂ（本例
では共晶ハンダペースト）を２５０μｍの厚さで塗布す
る。次いで、上述の方法によって形成した中継基板９を
載置する。このとき、各パッド４２と軟質金属体６上の
中継基板本体第２面（図中下面）１ｂ側の突出部６ｂと
の位置を合わせるようにする。このようにすると、中継
基板９とプリント基板４０はハンダペースト７ｂの粘着
力により仮固定された状態となる。

【００９８】さらに、予めパッド２２上に厚さ２５０μ
ｍの低融点ハンダ（共晶ハンダ）ペースト７ａを塗布し
ておいた基板２０を、図５(b)に示すように、パッド２
２のある面２０ｂが下になるようにして中継基板９上に
載置する。このとき、各パッド２２と軟質金属体６上の
中継基板本体第１面（図中上面）１ａ側の突出部６ａと
の位置を合わせるようにする。このようにすると、基板
２０と中継基板９とはハンダペースト７ａの粘着力によ
り仮固定された状態となる。

【００９９】次いで、基板２０と中継基板９と取付基板
４０とを、窒素雰囲気下で、最高温度２１８℃、２００
℃以上保持時間２分のリフロー炉に投入し、低融点ハン
ダペースト７ａ、７ｂをそれぞれ溶融させ、図６に示す
ように、ハンダ層８ａ、８ｂを介して一挙にパッド２２
およびパッド４２と軟質金属体６（突出部６ａ、６ｂ）
とをそれぞれ接続させる。

【０１００】なお、このとき、高温ハンダからなる軟質
金属体６は溶融しない。これにより、中継基板９はＬＧ
Ａ型基板２０に接続され、同時にプリント基板４０にも
接続され、基板、中継基板、取付基板の三者が接続、結
合した構造体（以下、単に構造体ともいう）５０が完成
する。このようにすることで、基板２０は、中継基板９
を介して、取付基板４０に接続されたことになる。これ
により、中継基板本体１の第１面１ａとＬＧＡ型基板２
０の下面２０ｂとの間隔Ａ１は０．２４ｍｍ、また、中
継基板本体１の第２面１ｂとプリント基板４０の上面４
０ａとの間隔Ａ２は０．４４ｍｍとなり、Ａ１＜Ａ２と
なった。軟質金属体６の上下の突出部６ａ、６ｂの突出
高さＺ１、Ｚ２が異なり、Ｚ１＜Ｚ２となっていたから
である。

【０１０１】なお、上記に如く三者を接続させるときに
は、ハンダペースト７中にフラックスが含まれているの
で、パッド２２および４２が金メッキ層などによって酸
化防止されていなくとも接続することができる。

【０１０２】従来では、まず、ＬＧＡ型基板２０のパッ
ド２２に低融点ハンダペーストを塗布し、高温ハンダ等
でできたボール状の端子部材を１つずつパッド２２に載
置した後、リフローして端子を形成し、ＢＧＡ型基板と
する。その後、プリント基板４０のパッド４２に低融点
ハンダペーストを塗布し、ＢＧＡ型基板を載置してリフ
ローし三者を接続していた。あるいは、プリント基板４
０のパッド４２に低融点ハンダペーストを塗布し、高温
ハンダ等でできたボール状の端子部材を１つずつパッド
４２に載置した後、低融点ハンダペーストを塗布したＬ
ＧＡ型基板を載置した後、リフローして三者を接続して
いた。

【０１０３】しかし、上述のようにすれば、基板２０お
よびプリント基板４０に低融点ハンダペーストを塗布し
た上で、プリント基板４０、中継基板９、基板２０を順
に重ねて加熱するだけで、プリント基板４０に基板２０
を容易に接続できるため、ＬＧＡ型基板を一旦ＢＧＡ型
基板とするなどのボール状端子部材をパッド（２２、４
２）上に１つずつ載置する工程が不要となる。

【０１０４】なお、上述の例では、プリント基板４０と
中継基板９とＬＧＡ型基板２０をこの順に重ね、リフロ
ーして、基板２０と中継基板９、および中継基板９とプ
リント基板４０とを一挙に接続（ハンダ付け）した例を
示したが、このように一挙に製作しない方法も採ること
ができる。即ち、中継基板９を、いったんＬＧＡ型基板
２０に取付けて中継基板付基板（基板と中継基板との接
続体）とした後に、さらにプリント基板４０に接続して
も良い。また、中継基板９とプリント基板４０とを先に
接続しておいても良い。いずれにしても、本例の中継基
板９を使用すれば、端子部材をパッド上に１つずつ載置
する必要はなく、１回ないしは２回の加熱（リフロー）
によって、基板と取付基板とを中継基板を介して接続す
ることができる。したがって、ＩＣチップメーカやユー
ザにおいて、面倒な工程や設備を省略することができ
る。

【０１０５】なお、２回に分けて加熱する場合には、上
記ハンダペースト７ａと７ｂを融点の異なるハンダペー
ストとしておいても良い。即ち、基板２０と中継基板９
とを先に接続させ、その後プリント基板４０を接続させ
る場合には、ハンダペースト７ａにペースト７ｂよりも
融点の高いハンダペーストを用いる。中継基板付基板と
プリント基板とをハンダペースト７ｂを溶融させて接続
する時に、ハンダ層８ａが溶融しない温度とすること
で、基板と中継基板とが位置ズレを起こさないようにで
きるからである。逆に、プリント基板４０と中継基板９
とを先に接続させ、その後基板２０を接続させる場合に
は、ハンダペースト７ｂにペースト７ａよりも融点の高
いハンダを用いる。中継基板付取付基板と基板とをハン
ダペースト７ａを溶融させて接続する時に、ハンダ層８
ｂが溶融しない温度とすることで、中継基板９とプリン
ト基板４０とが位置ズレを起こさないようにできるから
である。

【０１０６】また、本例における接続体５０において
は、基板２０と中継基板本体１の間ではほとんど応力は
生じない。これは、基板２０と中継基板本体１とは同じ
材質であり、熱膨張差が生じないからである。一方、中
継基板本体１とプリント基板４０の間では応力が発生す
る。中継基板本体１とプリント基板４０とは材質が異な
るからである。この場合、最大応力は、軟質金属体６の
プリント基板４０側の突出部６ｂ部、およびプリント基
板４０近傍のハンダ層８ｂに発生する。ところが、軟質
金属体６（突出部６ｂ）は、容易に塑性変形するから、
突出部６ｂにおいて変形して応力を緩和する。したがっ
て、中継基板本体１とプリント基板４０の間に発生した
応力が結果として小さくなり、破壊しにくい信頼性のあ
る接続とすることができる。

【０１０７】特に、従来では、破壊が生じ易かった基板
２０側のパッド２２近傍のハンダ層８ａには、中継基板
９により応力がかからない。一方、中継基板９とプリン
ト基板４０との間の応力は軟質金属体６が変形して吸収
するので、軟質金属体６の突出部６ｂは破壊し難く、ま
た、プリント基板４０のパッド４２金属のハンダ層８ｂ
も破壊し難くなる。

【０１０８】上記例では、中継基板９の突出部６ａ、６
ｂ上に低融点ハンダ層を設けないで、基板２０やプリン
ト基板４０のパッド上に低融点ハンダペースト７ａ、７
ｂを塗布し、これによって三者を接続した例を示した
が、突出部６ａ、６ｂに低融点ハンダ層を設ける方法も
採用でき、このようにすると更に接続が容易となる。

【０１０９】例えば、その方法として以下のようなもの
がある。即ち、図３に示した中継基板９に対して以下の
ようにして低融点ハンダ層を形成する。図７に示すよう
に、中継基板本体１の貫通孔Ｈの位置に合わせて貫通孔
（充填孔）Ｌ１（直径０．８６ｍｍ×高さ０．１７ｍ
ｍ）を形成した板状カーボン治具（転写板）Ｌを２枚用
意し、この貫通孔Ｌ１にそれぞれ低融点ハンダ（共晶ハ
ンダ）ペースト７をスキージによって刷り込み充填す
る。このようにすることで、貫通孔Ｌ１に充填されたペ
ースト７の量は容易に一定量となる。この転写板Ｌの貫
通孔Ｌ１の位置をそれぞれ軟質金属体６（貫通孔Ｈ）の
位置に合わせ、カーボン台座治具Ｍ上に、転写板Ｌ、中
継基板本体１、転写板Ｌの順に重ねてセットする（図７
(a)参照）。

【０１１０】その後、窒素雰囲気下で、最高温度２２０
℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投入
し、低融点ハンダペースト７を溶融させる。なお、この
温度条件では軟質金属体６は溶融しない。溶融した低融
点ハンダは、図７(b)に示すように、軟質金属体６の上
下の突出部６ａおよび６ｂに濡れて拡がり、それぞれハ
ンダ層８ａ、８ｂとなり、図８に示すようなハンダ層付
中継基板１０が形成される。このハンダ層８ａ、８ｂ
は、ペースト７の量が一定に規制されているので、各々
一定量（体積）となり、高さも各盛り上がり部において
均一になる。

【０１１１】ハンダ層付中継基板１０を用いると、この
中継基板１０と基板２０をプリント基板４０に順に重ね
て加熱するだけで、プリント基板４０に基板２０を容易
に接続できるため、ＬＧＡ型基板をいったんＢＧＡ型基
板とする工程が不要であり、さらに、プリント基板にハ
ンダペーストを塗布する工程が不要となる。

【０１１２】なお、上述のようなハンダ層８ａ、８ｂを
有する中継基板１０を、いったんＬＧＡ型基板２０に取
付けて中継基板付基板とした後に、さらにプリント基板
４０に接続しても良い。また、ハンダ層付中継基板１０
とプリント基板４０とを先に接続しておいても良い。い
ずれにしても、ハンダ層８ａや８ｂを有する中継基板１
０を使用すれば、低融点ハンダペーストを塗布したり、
端子部材をパッド上に１つずつ載置する必要はなく、１
回ないしは２回の加熱（リフロー）によって、基板と取
付基板とを中継基板を介して接続することができる。し
たがって、さらにＩＣチップメーカやユーザにおいて、
面倒な工程や設備を省略することができる。

【０１１３】なお、２回に分けて加熱する場合には、上
記ハンダ層８ａと８ｂを融点の異なるハンダで形成して
おいても良い。即ち、基板２０と中継基板１０とを先に
接続させ、その後プリント基板４０を接続させる場合に
は、ハンダ層８ａにハンダ８ｂよりも融点の高いハンダ
を用いる。中継基板付基板とプリント基板とをハンダ層
８ｂを溶融させて接続する時に、ハンダ層８ａが溶融し
ない温度とすることで、基板と中継基板とが位置ズレを
起こさないようにできるからである。逆に、プリント基
板４０と中継基板１０とを先に接続させ、その後基板２
０を接続させ場合には、ハンダ層８ｂにハンダ８ａより
も融点の高いハンダを用いる。中継基板付取付基板と基
板とをハンダ層８ａを溶融させて接続する時に、ハンダ
層８ｂが溶融しない温度とすることで、中継基板１０と
プリント基板４０とが位置ズレを起こさないようにでき
るからである。

【０１１４】（実施形態２）上記例においては、軟質金
属体６の突出部６ａ、６ｂのいずれもが形成され、突出
高さの差が比較的小さいものを示したが、突出高さの差
が大きくなるように形成するようにしても良い。他の実
施の形態として、一方の面に大きく突出するようにした
中継基板について説明する。まず、上記第１実施形態に
おいて図１を参照して説明したのと同様にして、アルミ
ナセラミックからなり、貫通孔Ｈの内周に金属層４を有
する中継基板本体を形成する。本例における中継基板本
体１も第１実施形態例と同様に、厚さ０．３ｍｍ、１辺
２５ｍｍの略正方形状で、貫通孔Ｈの内径はφ０．８ｍ
ｍで、１．２７ｍｍのピッチで格子状に縦横各１９ケ、
計３６１ヶの貫通孔が形成されている。

【０１１５】次いで、図９(a)に示すように、中継基板
本体１の貫通孔Ｈの図中上端側に高温ハンダボールＢを
載置するのであるが、これには、以下のようにすると容
易である。即ち、貫通孔Ｈに対応する位置にボールＢの
直径よりもわずかに大きい透孔（貫通孔）ＳＨを有する
ボール規制板Ｓを用意しておき、これを中継基板本体１
の図中上方に配置しておく。次いで、高温ハンダボール
Ｂをボール規制板Ｓ上に散播き、中継基板本体１と規制
板Ｓを保持しつつ揺動させると、ボールＢは規制板Ｓ上
を転がって次々に透孔ＳＨ中に落ち込んで移動できなく
なる。その後、すべての透孔ＳＨ中にボールが落ち込ん
だら、規制板Ｓ上の不要なボールＢを除去することで、
図９(a)のように、各貫通孔Ｈの上端にボールＢが載置
できたことになる。本例では、直径０．９ｍｍの高温ハ
ンダボール（９０％Ｐｂ−１０％Ｓｎ）Ｂを用い、規制
板の厚さは０．５ｍｍ、透孔ＳＨの直径は１．０ｍｍと
した。

【０１１６】その後、図９(b)に示すように、規制板Ｓ
を取り外し、耐熱性を有し溶融した高温ハンダに濡れな
い材質であるアルミナセラミックからなり、上面Ｄａが
平面である載置台Ｄ上に、上方に高温ハンダボールＢが
載置された中継基板本体１を載せる。なお、載置台Ｄ上
に中継基板本体１を載せておき、その後上述した方法に
よってボールＢを貫通孔Ｈ上端に載置しても良い。

【０１１７】さらに、窒素雰囲気下で、最高温度３６０
℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投入
し、高温ハンダボールＢを溶融させる。すると、溶融し
た高温ハンダは、重力で図中下方に下がり、貫通孔Ｈに
注入され、金属層４（Ｎｉ−Ｂメッキ層３）に溶着す
る。その後冷却することで、中継基板本体１の貫通孔Ｈ
に高温ハンダからなる軟質金属体２０６が貫挿された中
継基板２０９が出来上がる。

【０１１８】ただし、中継基板本体１の図中下面側には
載置台Ｄがあるため、溶融した高温ハンダは、この載置
台Ｄの上面Ｄａの平面形状に倣う。したがって、図９
(c)に示すように、軟質金属体２０６は、中継基板本体
１の下面側では、ほぼ本体下面と面一となり、突出しな
いあるいはほとんど突出部のない形状となる。本例で
は、中継基板本体１の下面からの突出高さＺｙは０．０
３ｍｍであった。一方、中継基板本体１の図中上面側で
は、概略、貫通孔Ｈの体積よりも高温ハンダの体積が多
い分だけ、上方に盛り上がり、突出部２０６ｘとなる。
この上方への盛り上がり形状は、高温ハンダの表面張力
によって形成され、体積により略球状、半球状などの形
状になる。本例では、最大径０．９ｍｍ、中継基板本体
上面からの突出高さＺｘ０．７ｍｍの略球状（３／４球
状）となった。

【０１１９】なお、第１実施形態と同様に、金メッキ層
５は、溶融した高温ハンダ中に溶食されて拡散してしま
うので、高温ハンダからなる軟質金属体２０６は、直接
Ｎｉ−Ｂメッキ層（金属層４）と溶着して、中継基板本
体１と固着される。また、高温ハンダ溶融時に中継基板
本体１と載置台Ｄの上面Ｄａとの間に隙間があると、溶
融した高温ハンダがこの隙間を通じて図中横方向に拡が
って相互に繋がってしまうことがあるので、中継基板本
体１が載置台Ｄの上面Ｄａに密着するように（浮き上が
らないように）、中継基板本体１に荷重を掛けたり、押
さえたりすると良い。

【０１２０】図１０に示すように、この中継基板２０９
は、上下面で突出高さＺｘ、Ｚｙが大きく異なってい
る。そこで、２つの面（上下面）を区別するために、耐
熱性インクで、図９(c)における上面、即ち、突出部２
０６ｘのある側の中継基板本体表面に標識ＭＫを付し
た。

【０１２１】しかして、このような中継基板２０９を第
１実施形態と同様にＬＧＡ型基板２２０やプリント基板
２４０と接続する。まず、中継基板２０９と接続する基
板として、図１１(a)の上方に示すような、厚さ１．０
ｍｍ、一辺２５ｍｍの略正方形状のＬＧＡ型基板２２０
を用意した。このＬＧＡ型基板２２０は、アルミナセラ
ミックからなり、図中上面２２０ａにＩＣチップをフリ
ップチップ接続により載置するためのフリップチップパ
ッド２２１を備え、図中下面２２０ｂに外部接続端子と
してパッド（面接続パッド）２２２を備えている。この
パッド２２２は、直径０．８６ｍｍで、中継基板の軟質
金属体の位置に適合するように、ピッチ１．２７ｍｍの
格子状に縦横各１９ヶ配列され、下地のモリブデン層上
に無電解Ｎｉ−Ｂメッキが施され、さらに酸化防止のた
めに薄く無電解金メッキが施されている。また、パッド
２２２は、図示しない内部配線によって、フリップチッ
プパッド２２１とそれぞれ接続している。

【０１２２】また、取付基板として、図１１(a)の下方
に示すようなプリント基板２４０を用意した。プリント
基板２４０は、厚さ１．６ｍｍ、一辺２３０×１２５ｍ
ｍの略矩形板状で、ガラスエポキシ（ＪＩＳ：ＦＲ−
４）からなり、主面２４０ａには、ＬＧＡ型基板２２０
のパッド２２２と対応する位置に、したがって、中継基
板２０９の軟質金属体２０６とも対応する位置に、パッ
ド２４２が形成されている。このパッド２４２は、直径
０．７２ｍｍ、厚さ２５μｍの銅からなり、ピッチ１．
２７ｍｍで格子状に縦横各１９ヶ、計３６１ヶ形成され
ている。なお、このプリント基板２４０は、このような
パッド２４２の群が縦２列、横４列の計８群形成されて
おり、基板２２０を同時に８ヶ接続できるようになって
いる。

【０１２３】このプリント基板２４０を、図１１(a)に
示すように、パッド２４２のある主面２４０ａが上にな
るように置き、パッド２４２上に低融点ハンダペースト
２０７ｂを塗布しておく。ついで、中継基板２０９を図
９とは上下逆向きにして載置する。このとき、各パッド
２４２と軟質金属体２０６上の突出部２０６ｘとの位置
を合わせるようにする。なお、上述のように標識ＭＫを
付してあるので、容易に突出部２０６ｘのある面を判別
できた。

【０１２４】さらに、パッド２２２上に低融点ハンダペ
ースト２０７ａを塗布した基板２２０を、パッド２２２
のある面２２０ｂが下になるようにして中継基板２０９
上に載置する。このとき、各パッド２２２と軟質金属体
２０６との位置を合わせるようにする。

【０１２５】次いで、基板２２０と中継基板２０９と取
付基板２４０とを、窒素雰囲気下で、最高温度２１８
℃、２００℃以上保持時間２分のリフロー炉に投入し、
低融点ハンダペースト２０７ａ、２０７ｂをそれぞれ溶
融させ、低融点ハンダ層２０８ａ、２０８ｂを介して一
挙にパッド２２２およびパッド２４２と軟質金属体２０
６とをそれぞれ接続させる。

【０１２６】なお、このとき、高温ハンダからなる軟質
金属体２０６は溶融しない。これにより、図１１(b)に
示すように、中継基板２０９はＬＧＡ型基板２２０に接
続され、同時にプリント基板２４０にも接続され、基
板、中継基板、取付基板の三者が接続、結合した構造体
２５０が完成する。このようにすることで、基板２２０
は、中継基板２０９を介して、取付基板２４０に接続さ
れたことになる。

【０１２７】これにより、中継基板本体１の上面（第１
面）とＬＧＡ型基板２２０の下面２２０ｂとの間隔Ａ１
は０．０５ｍｍ、また、中継基板本体１の下面（第２
面）とプリント基板２４０の上面２４０ａとの間隔Ａ２
は０．７２ｍｍととなり、基板２２０と中継基板本体１
との間隔Ａ１よりも中継基板本体１と取付基板２４０と
の間隔Ａ２が大きい（Ａ１＜Ａ２）構造体２５０を製作
することができた。軟質金属体２０６が、第１面側には
ほとんど突出しないために第１突出高さＺ１（＝Ｚｙ）
が小さく、第２面側には突出部２０６ｘを有しているた
めに第２突出高さＺ２（＝Ｚｘ）が大きくなったからで
ある。

【０１２８】特に本例では、アルミナセラミックからな
るＬＧＡ型基板２２０とアルミナセラミックからなる中
継基板本体１との間隔Ａ１が、中継基板本体１とガラス
エポキシからなるプリント基板２４０との間隔Ａ２に比
較して非常に小さくできた。このようにすると、この構
造体２５０が加熱又は冷却されたときに、材質が同じで
あるＬＧＡ型基板２２０と中継基板２０９（中継基板本
体１）との間には、熱膨張差により応力はほとんど発生
しない。一方、中継基板２０９とプリント基板２４０と
の間には、応力が発生する。

【０１２９】したがって、ＬＧＡ型基板２２０のパッド
２２２やその近傍のハンダ層２０８ａが破壊することは
ない。一方、中継基板２０９とプリント基板２４０との
間に生じる熱応力のうち中継基板側に掛かる応力は、軟
質金属体２０６に対し突出部（第２突出部）２０６ｘの
第２面近傍において第２面に沿う方向（第２面との交差
面方向）に掛かる。しかし、この応力は軟質金属の変形
により吸収され緩和されてしまう。さらに、突出部２０
６ｘにより間隔Ａ２が大きくされているので、このあい
だでも突出部２０６ｘが変形して応力を緩和する。ま
た、中継基板２０９とプリント基板２４０との間の熱応
力のうちプリント基板側に掛かる応力は、パッド２４２
に対し主面２４０ａ方向に掛かる。しかし、パッド２４
２は比較的強固にプリント基板に固着されており、しか
もＣｕからなるので変形して応力を吸収しやすいため、
容易には破壊しない。したがって、中継基板２０９を介
さないで、ＬＧＡ型基板２２０とプリント基板２４０を
従来のように接続した場合に比較して、両者間の接続が
破壊されることが無くなり、あるいは長寿命となる。

【０１３０】なお、図１２に示すように、上記例とは逆
に突出部２０６ｘが基板２２０のパッド２２２と接続す
るように、即ち、突出部２０６ｘが第１突出部となるよ
うに図９(c)と上下同じにして用いた場合には、基板２
２０と中継基板本体１との間隔Ａ１が０．７２ｍｍ、中
継基板本体１とプリント基板２４０との間隔Ａ２が０．
０５ｍｍの構造体２５１となった。この場合には、軟質
金属体２０６の突出部２０６ｘがあるために第１突出高
さＺ１（＝Ｚｘ）が大きいので、間隔Ａ１は大きな値と
なり、一方、第２突出高さＺ２（＝Ｚｙ）は小さいの
で、間隔Ａ２はＡ１に比較して小さな値となったのであ
る。

【０１３１】このようにするのが好ましい場合として
は、例えば、基板の材質がアルミナより熱膨張係数の小
さい窒化アルミからなり、取付基板が中継基板本体と略
同材質のアルミナからなる場合が挙げられる。中継基板
本体と取付基板との間には熱膨張差はほとんど発生せ
ず、その一方で、基板と中継基板本体との間には熱膨張
差が生じるので、基板と中継基板本体との間隔を大きく
し、突出部２０６ｘで応力を吸収するようにすると良い
からである。また、このような配置は、例えば、アルミ
ナ等のセラミックからなる基板と、ガラスエポキシ等の
樹脂材料からなる取付基板との間に中継基板本体が樹脂
材料からなる中継基板を介在させる場合などにおいても
適用できる。

【０１３２】上述の例では、プリント基板２４０と中継
基板２０９とＬＧＡ型基板２２０をこの順に重ね、リフ
ローして、基板２２０と中継基板２０９、および中継基
板２０９とプリント基板２４０とを一挙に接続（ハンダ
付け）して三者からなる構造体２５０を形成した例を示
した。しかし、第１実施形態においても説明したよう
に、一挙に構造体２５０を製作しない方法も採ることが
できる。即ち、図１３(a)に示すように、中継基板２０
９を、一旦ＬＧＡ型基板２２０に取付けて中継基板付基
板（基板と中継基板の接続体）２６０とした後に、さら
にプリント基板２４０に接続しても良い。また、図１３
(b)に示すように、中継基板２０９とプリント基板２４
０とを先に接続して中継基板付プリント基板（中継基板
と取付基板の接続体）２７０としても良い。

【０１３３】特に、一旦このような接続体２６０、２７
０を形成する場合には、上述したように、中継基板本体
に第１面と第２面を識別できるような標識ＭＫを設けて
おくと良い。基板や取付基板との接続時に誤って接続す
ると、基板−中継基板本体間の間隔Ａ１や中継基板本体
−取付基板間の間隔Ａ２が予定されていた値と大きく異
なったものとなってしまい、接続信頼性や寿命に大きく
影響する可能性があるからである。特に標識ＭＫを本体
１の第２面に設けておくと、図１３(a)に示すように、
基板と中継基板の接続体２６０を形成した状態で、正し
く中継基板２０９が基板２２０に接続されていることが
容易に確認できる。同様に標識ＭＫ’を本体１の第１面
に設けておくと、図１３(b)に示すように、中継基板と
取付基板の接続体２７０を形成した状態で、正しく中継
基板２０９が取付基板２４０に接続されていることが容
易に確認できる。

【０１３４】なお、本第２実施態様における中継基板２
０９においても、軟質金属体２０６の両面側に低融点ハ
ンダ層を形成したハンダ層付中継基板とすれば、基板や
取付基板との接続がより簡易となる。その手法として
は、前記第１実施態様において使用したような転写板を
用いる方法の他、軟質金属体２０６の下方に前記第１実
施態様において使用した溶融軟質金属受け治具Ｊと同様
な構造の治具を用いて低融点ハンダ層を形成する手法や
低融点ハンダからなる金属片を軟質金属体上に載置して
溶融させて低融点ハンダ層を形成する手法などがある。

【０１３５】即ち、軟質金属体の突出部に対応した凹部
を形成した治具のこの凹部内に低融点ハンダからなる金
属片（例えば低融点ハンダボール）を投入しておき、そ
の後、この凹部に軟質金属体の突出部を挿入する。さら
に、中継基板本体を治具側に押圧しつつ加熱して金属片
を溶融させると、低融点ハンダが突出部表面に濡れ拡が
ってハンダ層が形成できる。また、透孔を有するボール
規制板のこの透孔が軟質金属体上方に位置するように配
置し、低融点ハンダボールをこの規制板上に散播いて適
当に揺動する。すると、ボールが透孔に落ち込んで動け
なくなる。その後規制板を傾ける等して不要なボールを
除去することで、軟質金属体上に低融点ハンダボールが
載置できたこととなる。その後加熱すれば、溶融した低
融点ハンダが軟質金属体上に濡れ拡がって低融点ハンダ
層が形成できる。

【０１３６】（実施形態３）次に、軟質金属体の突出部
形状を球状、半球状でなく、柱状とした実施形態につい
て説明する。上記第１実施形態において図１を参照して
説明したのと同様にして、アルミナセラミックからな
り、貫通孔Ｈの内周に金属層４を有する中継基板本体１
を用意しておく。本例における中継基板本体１は、上記
第１実施形態で使用したものと同様なもので、厚さ０．
３ｍｍ、１辺２５ｍｍの略正方形状で、貫通孔Ｈの内径
はφ０．８ｍｍで、１．２７ｍｍのピッチで格子状に縦
横各１９ケ、計３６１ヶの貫通孔が形成されている。な
お、本例における中継基板本体１においては、金属層４
を形成するのと同時に、メタライズインクを印刷し同時
焼成することにより一方の面（図中下面）に標識ＭＫを
形成してある。

【０１３７】次いで、貫通孔Ｈ内に軟質金属体３０６を
貫挿する。本例では前記第１実施態様において説明した
溶融軟質金属受け治具Ｊと同様な構造の治具を用いて柱
状の軟質金属体３０６を形成する。即ち、図１４(a)に
示すように、耐熱性があり溶融した高温ハンダに濡れな
い材質であるカーボンからなるハンダ片保持治具Ｎの上
面には、貫通孔Ｈにそれぞれ対応した位置に、直径０．
９ｍｍ、深さ１．９５ｍｍで、先端が円錐状の凹部Ｎ１
が形成されている。また、保持治具Ｎの凹部Ｎ１の頂部
（図中最下部）には、保持治具Ｎを下方に貫通する小径
（φ０．２ｍｍ）のガス抜き孔Ｎ２がそれぞれ形成され
ている。

【０１３８】まず、この保持治具Ｎの各凹部Ｎ１に直径
０．８ｍｍの高温ハンダ（Ｐｂ９０％−Ｓｎ１０％ハン
ダ）ボールＤ１を投入しておく。本例では、各凹部にそ
れぞれ２ヶ投入した。次いで、凹部Ｎ１の端部（上端）
に直径１．０ｍｍの高温ハンダ（Ｐｂ９０％−Ｓｎ１０
％ハンダ）ボールＤ２を載置する。なお、ボールＤ２を
保持治具Ｎの凹部Ｎ１に載置するのには、上記第２実施
形態例において高温ハンダボールＢを貫通孔Ｈの端部に
載置するときに利用したボール規制板Ｓと同様なボール
規制板を利用すると容易に載置できて都合がよい。この
とき、凹部Ｎ１内に既に投入されているボールＤ１とボ
ールＤ２とが接触しないで、かつ後述する高温ハンダの
溶融時には両者が接触するように、間隔をわずかに空け
ておくのが好ましい。このようにするとボールＤ２が凹
部Ｎ１の上端縁にぴったりと接触して動かなくなり（あ
るいは動き難くなり）、後述する中継基板本体１を載せ
るときの位置合わせが容易になるからである。

【０１３９】その後、図１４(b)に示すように、ボール
Ｄ２の図中上方に中継基板本体１を載置する。このと
き、貫通孔ＨにボールＤ２がはまるように位置決めをす
る。さらに、中継基板本体１の上方、即ち、ボールＤ２
のある側とは反対側から、耐熱性があり溶融した高温ハ
ンダに濡れない材質であるステンレスからなる荷重治具
Ｑの平面（図中下面）Ｑ１を本体１の上面に押し当てる
ようにして載せて、下方に圧縮する。

【０１４０】次いで、窒素雰囲気下で、最高温度３６０
℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投入
し、高温ハンダボールＤ１、Ｄ２を溶融させる。する
と、溶融した高温ハンダＤ２は、荷重治具Ｑにより図中
下方に押し下げられた本体１の貫通孔Ｈ内に貫挿される
とともに、貫通孔４の内周の金属層４と溶着する。一
方、貫通孔Ｈの上端部では、荷重治具Ｑの平面Ｑ１に倣
って平面状になる。また、高温ハンダＤ２は、保持治具
Ｎの凹部Ｎ１内にも注入される。すると、溶融した高温
ハンダＤ１と接触し、両者は表面張力により一体となろ
うとする。ところが、はんだＤ２は、金属層４と溶着し
本体１と一体となっているので、本体１から離れて下方
に落下することができないため、重力に抗して高温ハン
ダＤ１を上方に引き上げる形で一体化する。なお、本体
１は荷重治具Ｑにより保持治具Ｎの上面Ｎ３に押し当て
られた状態まで押し下げられる。また、ガス抜き孔Ｎ２
は、高温ハンダボールＤ１、Ｄ２を溶融させるときに、
凹部Ｎ１内に閉じこめられた空気を逃がす役割をする。

【０１４１】その後、冷却して高温ハンダを凝固させる
と、図１５に示すように、中継基板本体１の図中下方側
には、側面は凹部Ｎ１の側壁の形状に倣い、図中下端即
ち、突出部の頂部は略半球状となった突出部３０６ｘを
有し、上方側にはほとんど突出しない形状の軟質金属体
３０６が貫挿された中継基板３０９が形成された。本例
では、突出部３０６ｘは、横断面の直径（最大径）０．
８８ｍｍ、突出高さＺｘ１．７５ｍｍであり、その直径
（最大径）よりも頂部までの高さの高い略円柱状となっ
た。一方、図中上面側においては上面からの突出高さＺ
ｙは０．０１ｍｍであった。なお、本例では中継基板本
体１に形成した標識ＭＫが、図１５図中下面側になるよ
うに配置した。したがって、標識ＭＫは、突出部３０６
ｘの形成された面と同じ面に形成されていることとな
り、突出部３０６ｘの形成された面を表す標識として使
用できる。

【０１４２】ついで、図１６(a)に示すように、軟質金
属体３０６の上面に直径０．４ｍｍの低融点ハンダボー
ル（Ｐｂ−Ｓｎ共晶ハンダボール）Ｅｙを載置する。な
お、このボールＥｙを載置するには、ボール規制板Ｒ’
を軟質金属体の上方に透孔ＲＨ’が位置するようにセッ
トし、この規制板Ｒ’上にボールＥｙを散播いて揺動
し、透孔ＲＨ’にボールＥｙを落とし込む方法によると
容易に載置できる。本例においては、規制板Ｒ’の厚み
は０．５ｍｍ、透孔ＲＨ’の直径は０．６ｍｍである。

【０１４３】ところで、ハンダボールＥｙを載置するに
あたっては、保持治具Ｎの凹部Ｎ１に突出部３０６ｘが
はまりこんだ状態のまま、即ち、図１５において、荷重
治具Ｑのみ除去した状態、あるいは、図１６(a)に示す
ように、突出部３０６ｘの先端がそれぞれはまりこむ凹
部Ｕ１を有する軟質金属体保持治具Ｕを用い、この治具
Ｕの凹部Ｕ１に突出部３０６ｘの先端をそれぞれ嵌め込
んだ状態で行うと都合がよい。軟質金属体３０６は柔ら
かく変形しやすい高温ハンダから形成されているからで
ある。

【０１４４】しかる後、窒素雰囲気下で、最高温度２２
０℃、最高温度保持時間１分のリフロー炉にこれらを投
入し、低融点ハンダボールＥｙを溶融させる。なお、こ
の温度条件では軟質金属体３０６は溶融しない。溶融し
た低融点ハンダは、軟質金属体３０６の図中上面に濡れ
て拡がり、ハンダ層３０８ｙとなる（図１６(b)参
照）。このハンダ層３０８ｙは、低融点ハンダボールＥ
ｙの体積が一定に規制されているので、一定量（体積）
となり、高さも均一になる。本例においては、基板本体
１の図中上面からハンダ層３０８ｙの頂部（図中最上
端）までの高さが０．０８ｍｍであった。

【０１４５】このようにして、図１６(b)に示すよう
に、図中上下面の間を貫通する貫通孔Ｈを有する中継基
板本体１と、貫通孔Ｈ内に貫挿され図中下面より突出し
た突出部３０６ｘを有する軟質金属体３０６とを有する
中継基板３０９について、図中上面側の軟質金属体３０
６上に形成され軟質金属体３０６よりも低い融点を有す
るハンダ層３０８ｙを有するハンダ層付中継基板３１０
が形成できた。なお、本例においては、軟質金属体３０
６の上下両面にハンダ層を設けるのではなく、図中上方
にのみハンダ層３０８ｙを設けたが、例えば、第１、２
実施態様で説明した手法を用いることにより、上下両面
に設けたハンダ層付中継基板３１０’を形成することも
できる（図１７(a)参照）。これとは逆に、下面即ち、
突出部３０６ｘの頂部にのみハンダ層３０８ｘを形成し
たハンダ層付中継基板３１０”とすることもできる（図
１７(b)参照）。

【０１４６】次いで、ハンダ層３０８ｙを有するハンダ
層付中継基板３１０とＬＧＡ型基板３２０とを重ねて加
熱して両者を接続し、図１８(a)に示すように、接続体
３６０を形成する。この接続体３６０では、基板３２０
と中継基板本体１との間隔Ａ１は０．０３ｍｍとなっ
た。一方、中継基板本体１から図中下方に突出する突出
部３０６ｘの突出高さＺ２（＝Ｚｘ）は１．７５ｍｍで
ある。また、この接続体３６０については、図中下方か
ら見ると、中継基板本体１に形成した標識ＭＫが確認で
きるので、中継基板３１０と基板３２０とが正しく接続
していることが確認できる。

【０１４７】その後、パッド３４２上に低融点ハンダペ
ースト（共晶ハンダペースト）を塗布したプリント基板
３４０を用意し、突出部３０６ｘとパッド３４２との位
置を合わせるようにして接続体３６０をプリント基板３
４０上に載置する。その後、加熱することによりパッド
３４２上の低融点ハンダペーストを溶融させ、図１８
(b)に示すように、基板３２０−中継基板３１０−プリ
ント基板３４０の三者を接続した構造体３５０を形成し
た。この構造体３５０は、基板３２０と中継基板本体１
との間隔Ａ１は０．０３ｍｍとなり、一方、中継基板本
体１とプリント基板３４０との間隔Ａ２は１．７８ｍｍ
となった。

【０１４８】即ち、第１、２実施形態の場合に比較し
て、本体１とプリント基板３４０の間隔Ａ２を大きくで
きた。突出部（第２突出部）３０６ｘの突出高さＺ２が
大きくされているからである。このようにすると、この
間隔Ａ２が大きくなった分、中継基板本体１とプリント
基板３４０との間に生ずる応力を緩和することができ
る。また、突出部３０６ｘは、その径に比して高さが高
い柱状の形状となっているので、この形状自体も変形が
容易なようになっており、ここでも応力を吸収できる。
さらに、軟質金属体からできた突出部３０６ｘは、それ
自身が変形容易で応力を吸収できる。

【０１４９】通常の場合、隣接する軟質金属体の間隔
（面接続パッド相互の間隔）は、所定の値にされている
ので、突出部の最大径は、この間隔によって制限され
る。一方、突出部の高さについては、許容範囲大きい場
合が多いと考えられる。したがって、突出部を柱状とす
ると突出部の最大径の制限内で、高さの許容範囲まで高
い突起を形成できるので、基板や取付基板と中継基板本
体との間隔をより大きく、しかも突出部を相対的に細く
できるので、より多くの応力緩和ができる。したがっ
て、このような略柱状の突出部を介在させた基板−中継
基板間、あるいは中継基板−取付基板間の接続信頼性を
向上させ、接続部の寿命を長くすることができる。な
お、パッド３４２上に設ける低融点ハンダペーストは、
中継基板３１０に形成されたハンダ層３０８ｙよりも低
融点のハンダペーストを用いることもできる。このよう
にすると、ハンダ層３０８ｙを溶融させずにハンダペー
スト３０７ｂを溶融させて、中継基板３１０とプリント
基板３４０とを接続することもできる。

【０１５０】（信頼性評価）次いで、図１９に示すよう
に基板−中継基板本体の間隔Ａ１および中継基板本体−
取付基板の間隔Ａ２を変えた場合の基板−中継基板−取
付基板の構造体４５０についての接続信頼性評価を行っ
た。本例において評価に供した試料は、以下のようなも
のである。即ち、中継基板４０９は、アルミナセラミッ
ク（熱膨張係数αｍ＝７×１０^-6）からなり貫通孔Ｈの
内周に金属層４を有する中継基板本体１を有し、Ｐｂ９
０−Ｓｎ１０高温ハンダからなる軟質金属体４０６を有
する。中継基板本体１は、厚さ０．３ｍｍ、１辺２５ｍ
ｍの略正方形状で、貫通孔Ｈの内径はφ０．８ｍｍで、
１．２７ｍｍのピッチで格子状に縦横各１９ケ、計３６
１ヶの貫通孔Ｈが形成されている。

【０１５１】また、基板として、厚さｔ１．０ｍｍ、一
辺２５ｍｍの略正方形平板状の評価用ＬＧＡ型基板４２
０を用意した。このＬＧＡ型基板４２０は、中継基板本
体と略同材質のアルミナセラミック（熱膨張係数α１＝
７×１０^-6）からなり、下面４２０ｂに外部接続端子と
してパッド（面接続パッド）４２２を備えている。この
パッド４２２は、直径０．８６ｍｍで、中継基板の軟質
金属体の位置に適合するように、ピッチ１．２７ｍｍの
格子状に縦横各１９ヶ配列され、下地のモリブデン層上
に無電解Ｎｉ−Ｂメッキが施され、さらに酸化防止のた
めに薄く無電解金メッキが施されている。

【０１５２】また、取付基板として、評価用プリント基
板４４０を用意した。プリント基板４４０は、厚さ１．
６ｍｍ、２３０×１２５ｍｍの略矩形板状で、ガラスエ
ポキシ（ＪＩＳ：ＦＲ−４、熱膨張係数α２＝１５×１
０^-6）からなり、主面４４０ａには、ＬＧＡ型基板４２
０のパッド４２２と、したがって、中継基板４０９の軟
質金属体４０６とも対応する位置に、パッド４４２が形
成されている。このパッド４４２は、厚さ２５μｍの銅
からなり、直径７２ｍｍで、ピッチ１．２７ｍｍで格子
状に縦横各１９ヶ、計３６１ヶ形成されている。なお、
このプリント基板４４０は、このようなパッド４４２の
群が縦２列、横４列の計８群形成されており、基板４２
０を同時に８ヶ接続できるようになっている。

【０１５３】そしてこの三者は、低融点ハンダ（Ｐｂ３
７％−Ｓｎ６３％共晶ハンダ）層４０８ａ、４０８ｂに
よって相互に接続されて構造体４５０を構成している。
また、構造体４５０を構成したときに、すべてのパッド
４２２および４４２を直列に接続するようなディジーチ
ェーンを構成するように、この基板４２０の内部配線４
２０Ｉおよびプリント基板４４０の配線４４０Ｗが構成
されている。したがって、ディジーチェーンの両端で導
通の有無を測定した場合、構造体４５０のすべてのパッ
ド４２２、４４２において導通している場合にのみ導通
と判定され、いずれかのパッドにおいて破断が生じた場
合には、不導通と判定されるようになっている。

【０１５４】本例では、軟質金属体４０６の第１面およ
び第２面側からの突出高さＺ１、Ｚ２を変え、これに伴
って間隔Ａ１、Ａ２を変えることにより、冷熱サイクル
試験（-40〜125℃）を行った場合に、いずれかのパッド
の破断するまでの平均寿命（ＭＴＢＦ）を測定した。供
試試料数はいずれも３２ヶである。なお、試料Ｎｏ．４
においては、突出高さＺ２を大きくするため、上記第３
実施形態において説明した手法を用いて、第２突出部が
略柱状になるように形成したものを用いた。

【０１５５】また、比較例としてＮｏ．５に中継基板４
０９を介在させないで基板４２０とプリント基板４４０
を接続した場合についても表示した。この場合、本例の
軟質金属体４０６に相当する端子部材として直径０．９
ｍｍ、Ｐｂ９０−Ｓｎ１０高温ハンダボールを用い、本
例と同様に共晶ハンダで接続し、基板とプリント基板の
間隔Ａ０は１．０ｍｍとした。また各試料についても、
基板とプリント基板の間隔Ａ０（＝Ａ１＋ｔ＋Ａ２、ｔ
は中継基板本体の厚み＝０．３ｍｍ）を表示した。結果
を表１および図２０に示す。寿命（ＭＴＢＦ値）は、図
２０に示す正規−対数プロットの傾きより求めた。

【０１５６】

【表１】 注）モード欄における記号は、以下の意味である。 ａ：基板のパッド４２２近傍のハンダ４０８ａの破断。 ｂ：プリント基板のパッド４４２近傍のハンダ４０８ｂの破断。 ｃ：軟質金属体４０６の第２面側根元部の破断

【０１５７】図２０及び表１より明らかなように、中継
基板４０９を介在させない従来のもの（Ｎｏ．５）に比
して、中継基板４０９を介在させた場合には、間隔Ａ１
＝Ａ２とした場合（Ｎｏ．２）、即ち、中継基板本体１
を基板４２０とプリント基板４４０のちょうど中間に位
置させた場合でも、寿命が約１．３倍延びることが判
る。さらに中継基板本体１を基板４２０側に近づけた場
合（Ｎｏ．１）には、寿命が約１．８倍となる。また、
第２突出部を柱状にして第２突出高さＺ２および間隔Ａ
２を大きくした場合（Ｎｏ．４）には、さらに寿命が
２．３倍に延びた。一方、中継基板本体１をプリント基
板４４０側に近づけすぎる（Ｎｏ．３）と、逆に寿命が
短くなることも判る。

【０１５８】なお、試料Ｎｏ．１とＮｏ．３は、突出高
さＺ１とＺ２、および間隔Ａ１とＡ２が逆転した関係と
なっている。これに対して寿命は、Ｎｏ．１の方がＮ
ｏ．３の場合より長くなっている。この結果からも中継
基板の第１面と第２面とを誤って接続すると本来得られ
るはずの信頼性（寿命）が得られないことが判る。した
がって、前述したように、第１面と第２面とを識別する
標識を設けることは、このような誤りを防止する上で好
ましいことが裏付けられた。

【０１５９】さらに、試験後の試料について、どの部分
で破断していたかを調査し、基板のパッド４２２付近の
ハンダ４０８ａで破断していた場合をモードａ、プリン
ト基板のパッド４４２付近のハンダ４０８ｂで破断して
いた場合をモードｂ、軟質金属体４０６の第２面側根元
部（第２突出部の根元部）の破断の場合をモードｃとし
て表１に示した。

【０１６０】この結果から以下のことが理解される。即
ち、中継基板本体１の材質が基板４２０の材質と略同材
質であるため、基板４２０−中継基板本体１の間には、
熱膨張差はほとんど発生しないので、応力もほとんど生
じない。一方、中継基板本体１（比較例Ｎｏ．５の場合
は基板４２０）とプリント基板４４０とは材質や熱膨張
係数が異なるので、熱膨張差が発生し、両者の間には、
せん断方向の応力が発生する。

【０１６１】中継基板４０９を介在させない比較例（Ｎ
ｏ．５）においては、このために、モードａであるパッ
ド４２２近傍のハンダ４０８ａでの破断を生じたものと
考えられる。基板のパッド４２２とプリント基板のパッ
ド４４２とを比較すると、セラミックからなる変形しが
たい基板４２０上に形成され、しかも比較的硬いモリブ
デンメタライズを主とするパッド４２２は応力を吸収し
難い。これに対して、比較的変形しやすい樹脂からなる
プリント基板４４０上に形成され、しかも柔らかい銅か
らなるパッド４４２は応力を吸収しやすいので、特に選
択的に基板側で破断したと考えられる。

【０１６２】一方、中継基板４０９を介在させた場合に
は、いずれの場合（Ｎｏ．１〜４）においても、パッド
４２２の付近のハンダ層４０８ａが破断するモードａは
生じなくなる。間隔Ａ１の値の大小に拘わらず、基板４
２０と中継基板本体１との間の熱膨張差がないため、基
板４２０のパッド４２２付近に応力がかからないからで
ある。その代わり、中継基板本体１とプリント基板４４
０との間にせん断応力が生じる。しかし、この応力は、
軟質金属体４０６の第２突出部の変形によって多くが吸
収される。このことは、例えば、比較例Ｎｏ．５におい
て基板とプリント基板との間隔Ａ０＝１．０ｍｍであっ
たものが、試料Ｎｏ．２においては、実質的に中継基板
本体とプリント基板との間隔Ａ２＝０．３４ｍｍ（約３
４％）に置き換わったにも拘わらず、Ｎｏ．５の寿命
（８５０サイクル）よりもＮｏ．２の寿命（１０５０サ
イクル）が延びていることからも判る。

【０１６３】これは、軟質金属体４０６と中継基板本体
１の第２面との交差部分近傍（突出部の根元部）で軟質
金属体が変形して応力を吸収するほか、第２突出部４０
６ｂが傾くようにして変形するなどして応力を吸収した
ためと考えられる。特に中継基板本体１とプリント基板
４４０との間隔Ａ２が大きくなるにつれて、この第２突
出部の変形する量は大きくなるので、間隔Ａ２が大きく
なるにつれて、即ち、Ｎｏ．３、２、１、４の順に寿命
が長くなる結果とも良く符合する。さらに、試料Ｎｏ．
４においては、第２突出部４０６ｂが柱状にされ撓み変
形をも起こしやすくなっているので、より応力を吸収し
たために、寿命が延びたものと思われる。逆に、あまり
に間隔Ａ２が小さくなった場合には、第２突出部で十分
応力を吸収できず、したがって、試料Ｎｏ．３のよう
に、モードｂで破壊し、寿命も従来よりも短くなる。

【０１６４】なお、上記中継基板本体１の材質をアルミ
ナセラミックからガラスエポキシ樹脂に変えた場合に
は、上記結果とは逆に、突出高さＺ１を大きくＺ２を小
さくし、本体１をプリント基板４４０に近づけて、間隔
Ａ１を大きくＡ２を小さくするほど寿命が延びた。

【０１６５】このことから、応力がより大きく生じる側
の突出高さ（上記アルミナセラミック製の中継基板本体
１を用いる例では第２突出高さＺ２）をより大きくし、
これにより間隔（上記例では間隔Ａ２）をより大きくす
ることで寿命を延ばし、接続信頼性を向上させることが
できることが判る。

【０１６６】即ち、基板や中継基板、取付基板の材質や
熱膨張係数に応じて突出高さＺ１とＺ２を異ならせるこ
とで、構造体の寿命を延ばし、信頼性のあるものとする
ことができる。特に本例のように基板と中継基板（本
体）の材質が略同材質の場合、あるいはこの両者の熱膨
張係数の差（｜α１−αｍ｜）が中継基板本体とプリン
ト基板の熱膨張係数の差（｜αｍ−α２｜）よりも小さ
い場合においては、Ｚ１＜Ｚ２とし、これによってＡ１
＜Ａ２とすることにより、構造体の寿命を延ばすことが
できる。逆に、基板と中継基板の熱膨張係数の差（｜α
１−αｍ｜）が中継基板本体とプリント基板の熱膨張係
数の差（｜αｍ−α２｜）よりも大きい場合において
は、Ｚ１＞Ｚ２とし、これによってＡ１＞Ａ２とするこ
とにより、構造体の寿命を延ばすことができる。

【０１６７】上記第１、２、３実施形態を例として本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲におい
て、適宜変更して用いることができる。

【０１６８】上記実施形態においては、中継基板本体１
の材質としてアルミナを使用した例を示したが、これに
限定されることはなく、窒化アルミ、窒化珪素、炭化珪
素、ムライトその他のセラミックを用いることができ
る。特に、中継基板本体１には、比較的高い応力が掛か
るので、破壊強度や靱性の高いものを適宜選択すると良
い。また、基板や取付基板の材質によっては、ガラスエ
ポキシやＢＴレジン等の樹脂系材料を用いても良く、基
板に樹脂系材料製の基板を用いる場合には、熱膨張係数
が近似した値となるので、特に好ましい。

【０１６９】基板についても、上記したアルミナ製基板
に限定されず、その他、窒化アルミ、窒化珪素、ムライ
ト、ガラスセラミック等のセラミック材料を、適宜選択
して用いることができる。さらに、ガラスエポキシやＢ
Ｔレジン等の樹脂系材料を用いた基板でも良い。また、
基板は、集積回路チップを搭載したものに特に限定はさ
れない。即ち、集積回路チップのほか、トランジスタ等
の能動素子、抵抗やコンデンサ等の電子部品を搭載した
ものでも良い。

【０１７０】さらに、取付基板についても、上記実施例
においては、ガラスエポキシ製のプリント基板を用いた
例を示したが、特に限定されることはない。即ち、その
他ＢＴレジンやフェノール樹脂等を用いたもの、例え
ば、ガラスＢＴレジン樹脂や、紙フェノール樹脂でもあ
るいはエポキシ樹脂やＢＴ樹脂を単独で用いても良く、
アルミナ等のセラミックを用いた基板であっても良い。
また、取付基板としては、マザーボードを例示したが、
基板を単数取付けるものであっても、複数取付けるもの
であってもよい。

【０１７１】また、上記実施形態においては、溶融した
軟質金属やハンダをはじく性質を持つ治具として、カー
ボン（黒鉛）やアルミナ、ステンレスを用いた例を示し
たが、耐熱性があり、使用する溶融金属に対して濡れ性
のないものであれば良く、カーボンの他、窒化ホウ素、
窒化珪素、アルミナ等のセラミックや、ステンレス、チ
タン等の金属であってもよい。特に、上述した転写板や
ハンダ片保持治具、ボール規制板などは板状体であるた
め、ステンレス等の金属を用いると、割れ等が生じ難く
都合がよい。また、エッチングにより透孔を高精度かつ
容易に形成できる点でも都合がよい。一方、熱膨張係数
を小さくしたり、熱による反り等を防止するには、セラ
ミックを用いるのが都合がよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】中継基板本体を形成する工程を示す部分拡大断
面図である。（ａ）は焼成前の状態、（ｂ）は焼成後の
状態、（ｃ）はメッキを施した状態を示す。

【図２】第１実施形態にかかり、中継基板本体に軟質金
属体を注入する工程を示す部分拡大断面図である。
（ａ）は注入前の状態、（ｂ）は注入後の状態を示す。

【図３】中継基板本体に軟質金属体を貫挿した中継基板
を示す部分拡大断面図である。

【図４】中継基板と接続する基板（ａ）およびプリント
基板（ｂ）の断面図である。

【図５】中継基板を基板および取付基板と接続する工程
を示す断面図である。（ａ）は中継基板をプリント基板
に重ねた状態、（ｂ）は更に基板を重ねた状態を示す。

【図６】基板と中継基板と取付基板とを接続した状態
（構造体）を示す断面図である。

【図７】軟質金属体に第１面側及び第２面側ハンダ層を
形成する工程を示す部分拡大断面図である。（ａ）は転
写板をセットした状態、（ｂ）はリフロー後の状態の中
継基板を示す部分拡大断面図である。

【図８】完成したハンダ層付中継基板の状態を示す部分
拡大断面図である。

【図９】第２実施形態にかかり、中継基板本体に軟質金
属体を注入、貫挿する工程を説明する部分拡大断面図で
ある。（ａ）は中継基板本体上に軟質金属ボールをセッ
トした状態、（ｂ）はボールをセットした中継基板本体
を載置台に置いた状態、（ｃ）は注入後の状態を示す。

【図１０】第２実施形態にかかる中継基板の部分拡大断
面図である。

【図１１】中継基板を基板および取付基板と接続する工
程を示す断面図である。（ａ）は取付基板、中継基板、
の順に基板に重ねた状態、（ｂ）は三者を接続した状態
（構造体）を示す。

【図１２】中継基板を上下逆向きに接続した構造体を示
す断面図である。

【図１３】中継基板を基板又は取付基板と接続する工程
を示す断面図である。（ａ）は基板と中継基板の接続、
（ｂ）は中継基板と取付基板の接続を示す。

【図１４】第３実施形態にかかり、中継基板本体に軟質
金属体を注入、貫挿する工程を説明する部分拡大断面図
である。（ａ）は治具の凹部内及び上端部に軟質金属ボ
ールをセットした状態、（ｂ）中継基板本体をセットし
荷重治具で押圧する状態を示す。

【図１５】中継基板本体に軟質金属を注入、貫挿し、柱
状の突出部を形成した中継基板状態を説明する部分拡大
断面図である。

【図１６】軟質金属体の上面側にハンダ層を形成する工
程を示す部分拡大断面図である。（ａ）は上面側に低融
点ハンダボールをセットした状態、（ｂ）は上面側にハ
ンダ層を形成した状態を示す。

【図１７】軟質金属体の上面側及び下面側、または下面
側にハンダ層を形成した状態を示す部分拡大断面図であ
る。

【図１８】柱状の突出部を有する中継基板を基板や取付
基板と接続した状態を示す断面図である。（ａ）は基板
と接続した状態、（ｂ）は基板及び取付基板と接続した
状態を示す。

【図１９】信頼性評価にかかる構造体の状態を示す部分
拡大断面図である。

【図２０】冷熱サイクル数に対する故障割合の関係を示
すグラフである。

【符号の説明】

１：中継基板本体 ２：下地金属層 ３：Ｎｉ−Ｂメッキ層 ４：金属層 ５：金メッキ層 ６、２０６、３０６、４０６：軟質金属体 ６ａ、６ｂ、２０６ｘ、３０６ｘ：突出部 ８ａ、８ｂ、２０８ｘ、２０８ｙ、３０８ｘ、３０８
ｙ：ハンダ層 ９、１０９、２０９、３０９、４０９：中継基板 １０、２１０、、３１０、３１０’３１０”：ハンダ層
付中継基板 ２０、２２０、３２０、４２０：ＬＧＡ型基板 ２１、２２１、３２１：フリップチップパッド ２２、２２２、３２２、４２２：パッド ４０、２４０、３４０、４４０：プリント基板 ４２、２４２、３４２、４４２：パッド

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】面接続パッドを有する基板と該面接続パッ
   ドと対応する位置に面接続取付パッドを有する取付基板
   との間に介在させ、 第１面側で該面接続パッドと接続させ、第２面側で該面
   接続取付パッドと接続させることにより該基板と該取付
   基板とを接続させるための中継基板であって、 第１面と第２面とを有する略板形状をなし、該第１面と
   該第２面の間を貫通する複数の貫通孔を有する中継基板
   本体と、 該貫通孔内に貫挿され、該第１面より突出した第１突出
   部および第２面より突出した第２突出部のうち少なくと
   もいずれかを備え、かつ第１突出高さＺ１と第２突出高
   さＺ２が異なる軟質金属体と、を有する中継基板。
2. 【請求項２】前記第１突出高さＺ１に対して前記第２突
   出高さＺ２が大きい軟質金属体を有する請求項１に記載
   の中継基板。
3. 【請求項３】前記軟質金属体は、 前記第２突出部を有し、 第１面よりほとんど突出しない請求項２に記載の中継基
   板。
4. 【請求項４】前記基板はセラミックからなり、前記中継
   基板本体は、該基板をなすセラミックと略同材質のセラ
   ミックからなる請求項２または３に記載の中継基板。
5. 【請求項５】前記第２突出高さＺ２に対して前記第１突
   出高さＺ１が大きい軟質金属体を有する請求項１に記載
   の中継基板。
6. 【請求項６】前記軟質金属体は、 前記第１突出部を有し、 第２面よりほとんど突出しない請求項５に記載の中継基
   板。
7. 【請求項７】前記中継基板本体の有する熱膨張係数が、
   前記基板および前記取付基板の有する熱膨張係数の中間
   の値である請求項１〜３、５、６のいずれかに記載の中
   継基板。
8. 【請求項８】前記第１及び第２突出部のうち、少なくと
   も前記突出高さの高い側の突出部は、その突出高さがそ
   の突出部の最大径よりも高い略柱状にされていることを
   特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の中継基板。
9. 【請求項９】前記中継基板本体の貫通孔内壁面に金属層
   を有し、該金属層と前記軟質金属と溶着している請求項
   １〜８のいずれかに記載の中継基板。
10. 【請求項１０】前記中継基板本体に前記第１面と第２面
    とを識別するための標識を設けたことを特徴とする請求
    項１〜９のいずれかに記載の中継基板。
11. 【請求項１１】前記標識は前記第２面側から見て識別で
    きるように設けたことを特徴とする請求項１０に記載の
    中継基板。
12. 【請求項１２】面接続パッドを有し熱膨張係数α１の基
    板と、該面接続パッドと対応する位置に面接続取付パッ
    ドを有し熱膨張係数α２の取付基板と、の間に中継基板
    を介在させてなる基板と中継基板と取付基板とからなる
    構造体であって、 該中継基板は、 第１面と第２面とを有する略板形状をなし、該第１面と
    該第２面の間を貫通する複数の貫通孔を有し、熱膨張係
    数αｍの中継基板本体と、 該貫通孔内に貫挿され、該第１面より突出した第１突出
    部および第２面より突出した第２突出部のうち少なくと
    もいずれかを備えた軟質金属体と、を有し、 該基板と中継基板とは、該第１面側でＡ１の間隔をなし
    て、該軟質金属体と前記面接続パッドとを該軟質金属体
    より融点の低いハンダで接続することにより接続し、 該中継基板と取付基板とは、該第２面側でＡ２の間隔を
    なして、該軟質金属体と前記面接続取付パッドとを該軟
    質金属体より融点の低いハンダで接続することにより接
    続してなり、 該間隔Ａ１とＡ２のうち、α１とαｍとの差と、α２と
    αｍとの差の大きい側の間隔を他よりも大きくしてなる
    ことを特徴とする基板と中継基板と取付基板とからなる
    構造体。
13. 【請求項１３】前記軟質金属体の第１突出高さＺ１と第
    ２突出高さＺ２のうち、前記α１とαｍとの差と、α２
    とαｍとの差の大きい側の突出高さを他よりも大きくし
    てなることを特徴とする請求項１２に記載の基板と中継
    基板と取付基板とからなる構造体。
14. 【請求項１４】前記第１及び第２突出部のうち、少なく
    とも突出高さの高い側の突出部は、その突出高さがその
    最大径よりも高い略柱状にされていることを特徴とする
    請求項１３に記載の基板と中継基板と取付基板とからな
    る構造体。
15. 【請求項１５】前記基板の材質がセラミックであり、 前記中継基板本体の材質が該基板と略同材質のセラミッ
    クであり、 前記取付基板の材質がエポキシ、ＢＴレジン、ガラスエ
    ポキシ、ガラスＢＴレジン等の樹脂であり、 少なくとも前記第２突出部を有し、 前記間隔をＡ１＜Ａ２としてなることを特徴とする請求
    項１２〜１４のいずれかに記載の基板と中継基板と取付
    基板とからなる構造体。
16. 【請求項１６】面接続パッドを有する基板と、 該基板と該基板の該面接続パッドと対応する位置に面接
    続取付パッドを有する取付基板との間に介在させ、第１
    面側で該面接続パッドと接続させ、第２面側で該面接続
    取付パッドと接続させることにより該基板と該取付基板
    とを接続させるための中継基板と、を接続した基板と中
    継基板との接続体であって、 該中継基板は、 第１面と第２面とを有する略板形状をなし、該第１面と
    該第２面の間を貫通する複数の貫通孔を有し、該基板の
    材質と略同材質からなる中継基板本体と、 該貫通孔内に貫挿され、第２突出高さＺ２の第２突出部
    を備える軟質金属体と、を有し、 該基板と中継基板とは、該第１面側でＡ１の間隔をなし
    て、該軟質金属体と該面接続パッドとを該軟質金属体よ
    り融点の低いハンダで接続することにより接続されてお
    り、間隔Ａ１と第２突出高さＺ２とは、Ａ１＜Ｚ２の関
    係となっていることを特徴とする基板と中継基板との接
    続体。
17. 【請求項１７】請求項１〜１１のいずれかに記載の中継
    基板の製造方法であって、 前記中継基板本体の前記貫通孔に、前記第１面側または
    第２面側のいずれかから溶融した軟質金属を注入して前
    記軟質金属体を形成する工程を有する中継基板の製造方
    法。
18. 【請求項１８】請求項１７に記載の中継基板の製造方法
    であって、 前記中継基板本体の下側に、溶融した軟質金属に濡れな
    い材質からなり、前記貫通孔に対応した位置にそれぞれ
    凹部を有する溶融軟質金属受け治具を配置する工程と、 前記貫通孔に注入された溶融軟質金属を少なくとも該凹
    部および貫通孔内に保持し、その後、溶融軟質金属を冷
    却し、凝固させる工程と、を有する中継基板の製造方
    法。
19. 【請求項１９】請求項１７に記載の中継基板の製造方法
    であって、 溶融した軟質金属に濡れない材質からなり平面を有する
    溶融軟質金属受け治具の該平面を、前記中継基板本体の
    下側となった第１面または第２面に密着させて配置する
    工程と、 前記貫通孔に注入された溶融軟質金属を少なくとも貫通
    孔内に保持しつつ冷却し、凝固させる工程と、を有する
    中継基板の製造方法。
20. 【請求項２０】請求項１７〜１９に記載の中継基板の製
    造方法であって、 所定形状の軟質金属からなる金属片を該貫通孔の前記第
    １面側または第２面側端部に載置する工程と、 その後加熱して該金属片を溶融し、該貫通孔に溶融した
    軟質金属を流動させて注入せしめる工程と、を有する中
    継基板の製造方法。
21. 【請求項２１】前記金属片は、球形状の軟質金属である
    請求項２０に記載の中継基板の製造方法。
22. 【請求項２２】請求項１〜１１のいずれかに記載の中継
    基板の製造方法であって、 溶融した軟質金属に濡れない材質からなり前記貫通孔に
    対応した位置にそれぞれ凹部を有する溶融軟質金属受け
    治具の該凹部上端部に該凹部の径より大きい寸法の軟質
    金属からなる金属片をそれぞれ載置する工程と、 前記中継基板本体の貫通孔に該金属片がはまりこむよう
    に該中継基板本体を該溶融軟質金属受け治具の上方に配
    置する工程と、 加熱して該金属片を溶融させつつ、溶融した軟質金属に
    濡れない材質からなる荷重治具により上方から金属片お
    よび中継基板本体を押圧して、中継基板本体の貫通孔に
    溶融した軟質金属を注入すると共に、溶融軟質金属受け
    治具の凹部内に溶融した軟質金属を注入する工程と、 該溶融した軟質金属を少なくとも該凹部および貫通孔内
    に保持しつつ冷却し、凝固させる工程と、を有する中継
    基板の製造方法。
23. 【請求項２３】請求項２２に記載の中継基板の製造方法
    であって、 前記溶融軟質金属受け治具の凹部上端部に金属片を載置
    する工程前に、該凹部内に凹部の径よりも小さい寸法で
    軟質金属からなる小金属片を、該小金属片を溶融させる
    と共に前記金属片を溶融させて凹部内に注入したとき
    に、溶融した小金属片と金属片とが接触して一体となる
    ように、それぞれの凹部内に少なくとも１つ以上投入す
    る工程を有する中継基板の製造方法。