JPH10126019A

JPH10126019A - フレキシブルプリント基板、ｆｃテープ及びそれからなるｔａｂテープ

Info

Publication number: JPH10126019A
Application number: JP30944596A
Authority: JP
Inventors: Yoshifumi Okada; 好史岡田; Kosaku Nagano; 広作永野
Original assignee: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1996-08-27
Filing date: 1996-11-20
Publication date: 1998-05-15

Abstract

(57)【要約】【課題】低熱膨張性、低吸水率、低吸湿膨張性などの
優れた特性を有するフレキシブルプリント基板、ＦＣテ
ープ及びＴＡＢテープを提供することを目的とする。【解決手段】ベースフィルムが、吸湿膨張係数が１５
ｐｐｍ以下、熱膨張係数が１．０×１０^-6℃^-1以上２．
５×１０^-6℃^-1以下、吸水率が１．６％以下のうち１以
上の条件をみたすことを特徴とするフレキシブルプリン
ト基板、ＦＣテープ、及びＴＡＢテープを構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
組立て工程において、デバイスの多ピン化、小型化、高
密度実装に際し、注目されているＴＡＢ（Tape Automat
ed Bonding) 方式に用いられる保護層、接着剤層及び有
機絶縁フィルムの３層構造からなるテープ（以下、ＦＣ
テープという。）、及びＦＣテープに銅箔を張り合わせ
回路を描いたＴＡＢテープ、及び、温度変化に対し寸法
変化が小さく、また吸湿寸法変化も小さい、耐熱性に優
れたフレキシブルプリント基板（以下、ＦＰＣと略す
る。）に関する。

【０００２】

【従来技術】

【０００３】近年、各種電子機器において、プリント回
路基板及び接続ケーブルとして柔軟性にすぐれているフ
レキシブルプリント基板（以下、ＦＰＣという。）が多
く使用されている。ＦＰＣは、長尺の絶縁材であるベー
スフィルムをロールツーロールで、接着剤塗布・乾
燥、銅箔ラミネーティング・接着剤硬化、配置パタ
ーン形成（レジスト塗布・銅のエッチング・レジスト剥
離）というような加工工程により製造される。一般にパ
ターン形成時、エッチング処理工程において寸法変化を
生じるため、回路設計の際、以後の工程の変化を予め考
慮し、設計する必要があった。

【０００４】この寸法変化は、ＦＰＣの絶縁材である
ベースフィルムの吸湿・脱湿による寸法変化、銅箔ラ
ミネート時に生じる銅箔とベースフィルムの熱膨張の差
による歪み、及び各工程に生じる張力による歪みが原
因で生じる。

【０００５】このうち、の原因による寸法変化は、ベ
ースフィルムの熱膨張係数が一定であれば、この寸法変
化量を容易に設計に取り込めることができる。また、
の原因による寸法変化は、各工程の張力をコントロール
することにより、制御することができ、この寸法変化量
も容易に設計に取り込めることができる。

【０００６】しかし、ＦＰＣの製造工程は、洗浄工程な
どで、吸湿したり、乾燥したりする工程が繰り返される
ため、のベースフィルムの吸湿・脱湿による寸法変化
をコントロールすることは困難であった。

【０００７】従来の絶縁材であるベースフィルムは、そ
の特性において一般に吸湿膨張係数が大きいため、ＦＰ
Ｃ製造工程における吸湿・脱湿による寸法変化が大き
く、また上記理由により解決されない問題であった。

【０００８】また、近年、半導体デバイスの多ピン化、
小型化、高密度実装に対応できる技術として、長尺の絶
縁フィルムにＬＳＩ等の半導体チップを載置するための
孔（デバイスホール）を設け、その上に非常に薄い銅箔
リードを形成し、このリードを介してＬＳＩ等とプリン
ト配線板などを接続するＴＡＢ技術が注目されている。
このようなＴＡＢ技術において、一般に保護層、接着剤
層、及び有機絶縁フィルム層（ベースフィルム層）の３
層構造からなるＦＣテープが用いられており、ＦＣテー
プを加工したＴＡＢテープ上にＬＳＩ等を実装するまで
の加工工程は以下のようにして行われる。

【０００９】すなわち、ＴＡＢテープの加工工程は、
パンチングによりスプロケットホール、デバイスホール
を形成する工程、保護層を除去した後、銅箔ラミネー
ティング後、接着剤を硬化する工程、配置パターン形
成工程（レジスト塗布、銅のエッチング、レジスト剥
離）、メッキ処理工程、インナーリードボンディン
グ工程、樹脂封止工程、パンチング工程、アウタ
ーリードボンディング工程の８工程で行われ、以上の加
工工程を経て、ＬＳＩが実装されるのである。

【００１０】ＴＡＢテープ上にＬＳＩを実装するため、
パンチングの工程から、メッキ処理工程までは、張
力下で行われる。このため、ベースフィルムの弾性率が
低い場合は、伸びが生じ、細密パターンの回路を描くこ
とが困難であった。

【００１１】また、銅箔ラミネーティング、接着剤硬
化、インナーリードボンディング、樹脂封止、ア
ウターリードボンディングの加工工程においては、熱が
かけられるため、ＴＡＢテープのベースフィルムの熱膨
張係数が大きいと不都合が生じる。例えば、インナー
リードボンディングの加工工程では、ベースフィルムの
熱膨張により、ＬＳＩとの接合位置のずれを生じる。同
様に、アウターリードボンディングの加工工程では、
アウターリードと基板との接合位置のずれを生じる。こ
のずれが生じると、接合が不可能となり、信頼性を低下
することとなる。

【００１２】また、銅箔ラミネーティングの加工工程
では、銅箔とともに加熱されるので、銅箔と異なった熱
挙動を示すと、つまり銅箔と異なった熱膨張係数を有す
るとカールの原因となる。カール、すなわち、ＴＡＢテ
ープの反りが生じると、ボンディングの電気的な接続部
に歪みが生じ回路の電気的信頼性が低下するという問題
があった。

【００１３】また、ベースフィルムの吸水率が大きい場
合、の銅箔ラミネーティングの加工工程においては、
接着剤の硬化反応が終了して硬化用加熱炉から取り出さ
れた直後はベースフィルムが乾燥しているため、歪みな
く銅箔と固定されているが、この銅箔をラミネートした
状態で放置すると、ベースフィルムの性質から、時間と
共に徐々に吸湿膨張する。しかし、銅箔は吸湿膨張せ
ず、また、フィルムと比較して、剛性が高くフィルムの
膨張が原因で寸法変化を起こすこともないため、銅箔と
フィルムに挟まれた接着剤層に内部応力が蓄積されるこ
ととなる。

【００１４】従って、この状態での配置パターン形成
工程（レジスト塗布、銅のエッチング、レジスト剥離）
において、乾燥と吸湿が繰り返されることになり、エッ
チングにより銅箔上に配線パターンを形成すると、エッ
チングにより、銅箔が除去された部分の応力が解放され
て寸法変化が生じ、配線パターン形成のためのフォトマ
スク寸法よりも大きなパターンが形成されることにな
る。その結果、半導体デバイスとの接続不良が発生し、
このような寸法変化はＴＡＢ加工工程における歩留り低
下の原因となっていた。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】

【００１６】上記の問題点を解決するために、ＦＰＣの
製造工程において、ベースフィルムの吸湿・脱湿による
寸法変化をコントロールするため、吸水率が低く、絶縁
材として吸湿膨張係数の小さい特性を有するベースフィ
ルムの出現が待たれていた。

【００１７】さらに、ＴＡＢテープの製造工程における
上記問題点を解決するためには、具体的にはＴＡＢテー
プの加工工程において、インナーリードボンディング
の加工工程においては、ＬＳＩ（シリコンウエハー）と
ベースフィルムの熱膨張係数が近いことが必要であり、
また、アウターリードボンディングの加工工程では、
接合する基板と、ベースフィルムの熱膨張係数が近いこ
と、さらに、銅箔ラミネーティングの加工工程では、
銅箔とベースフィルムの熱膨張係数が近いことが要求さ
れる。なお、ＬＳＩの熱膨張係数は０．４×１０^-5℃^-1
であり、銅箔の熱膨張係数は１．６×１０^-5℃^-1であ
る。

【００１８】以上のことより、ＴＡＢテープ及び、ＦＰ
Ｃに用いられるベースフィルムは、高弾性率のフィルム
である必要がある。また、低い吸水率を有することも必
要であり、さらに、熱膨張係数が０．４×１０^-5℃^-1〜
２．６×１０^-5℃^-1程度であることが望ましい。これら
の性質を併せ有するベースフィルムを用いたＴＡＢテー
プの出現が待ち望まれていた。

【００１９】本発明の目的は、従来のＦＰＣ、ＦＣテー
プ及びそれからなるＴＡＢテープにおける上記のような
問題を解決し、寸法変化を生じないフレキシブルプリン
ト基板、ＦＣテープ及びそれに銅箔を張り合わせ回路を
描いたＴＡＢテープを提供することにある。そこで、本
発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、フレキシブルプリ
ント基板、また、ＦＣテープ及びそれからなるＴＡＢテ
ープにおいて、特定の構造を有するポリアミド酸共重合
体を脱水閉環して得られるポリイミド共重合体からなる
ポリイミドフィルムをベースフィルムに用いることに想
到することにより、上記従来の問題点を解決して初期の
目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至
ったのである。

【００２０】

【課題を解決するための手段】

【００２１】本発明に係るフレキシブルプリント基板の
要旨とするところは、少なくとも導体層とベースフィル
ムとを積層してなるフレキシブルプリント基板におい
て、前記ベースフィルムが、吸水率が１．６％以下、吸
湿膨張係数が１５ｐｐｍ以下、または熱膨張係数が１．
０×１０^-5℃^-1以上２．５×１０^-5℃^-1以下のうち、１
以上の条件を満たすことにある。

【００２２】また、前記ベースフィルムが、一般式
（１）化６

【００２３】

【化６】

【００２４】で表される繰り返し単位を有する芳香族ポ
リアミド酸共重合体を脱水閉環して得られる芳香族ポリ
イミド共重合体からなることにある。

【００２５】さらに、前記ベースフィルムが、前記一般
式（１）化７

【００２６】

【化７】

【００２７】（式中、Ｒ₁は化８

【００２８】

【化８】

【００２９】から選択される２価の有機基、Ｒ₂は化９

【００３０】

【化９】

【００３１】から選択される２価の有機基、Ｒ₃は化１
０

【００３２】

【化１０】

【００３３】から選択される４価の有機基、Ｒ₄はＣＨ
₃−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｆ−、ＣＨ₃Ｏ−を示す。ま
た、ｍ、ｎは整数であり、１≦ｍ、０≦ｎを満たす。）
で表される芳香族ポリアミド酸共重合体を脱水閉環して
得られる芳香族ポリイミド共重合体からなることにあ
る。

【００３４】また、本発明に係るＦＣテープの要旨とす
るところは、ベースフィルムが、吸水率が１．６％以
下、吸湿膨張係数が１５ｐｐｍ以下、熱膨張係数が１．
０×１０^-5℃^-1以上２．５×１０^-5℃^-1以下のうち、１
以上の条件を満たすことにある。

【００３５】また、本発明に係るＴＡＢテープの要旨と
するところは、請求項４に記載するＦＣテープの保護層
を剥離した上に銅箔を張り合わせ、回路を形成したこと
にある。

【００３６】

【発明の実施の形態】本発明に用いられるフレキシブル
プリント基板、ＦＣテープ及びそれからなるＴＡＢテー
プに用いられるベースフィルムは、低熱膨張性、低吸水
率、低吸湿膨張性などの優れた特性を有するフィルムか
らなる。上記の特性を満たすフィルムとして、種々の材
料が考えられるが、上記の優れた特性を有するものとし
て、ポリイミドフィルムがある。ポリイミドフィルムの
１例として、たとえば、一般式（１）化１１

【００３７】

【化１１】

【００３８】（式中、Ｒ₁は、化１２

【００３９】

【化１２】

【００４０】から選択される２価の有機基、Ｒ₂は、化
１３

【００４１】

【化１３】

【００４２】で表される２価の有機基、Ｒ₃は化１４

【００４３】

【化１４】

【００４４】で表される４価の有機基、Ｒ₄はＣＨ
₃−，Ｃｌ−，Ｂｒ−，Ｆ−，ＣＨ₃Ｏ−を示す。ｍ，
ｎは整数であり、１≦ｍ、０≦ｎを満たす。）を、脱水
閉環して得られるポリイミドフィルムがあげられる。

【００４５】上記の特徴を有するポリイミドフィルムを
ベースフィルムとするフレキシブルプリント基板、ＦＣ
テープ及びそれからなるＴＡＢテープは、ソリやカール
がなく、加工中及び実装時の寸法変化が小さいという利
点を有している。

【００４６】以下に、本発明に係るフレキシブルプリン
ト基板、ＦＣテープ及びそれからなるＴＡＢテープの製
造方法について詳細に述べる。

【００４７】低熱膨張性、低吸水率、低吸湿膨張性など
の優れた特性を有するポリイミドフィルムは、その前駆
体であるポリアミド酸共重合体を脱水閉環して得られ
る。このポリアミド酸共重合体溶液は、酸無水物とジア
ミン成分を実質的に等モル使用し、有機極性溶媒中で重
合して得られる。このポリイミドフィルムの１例とし
て、上記特定構造のポリイミドフィルムについて、その
製造方法を述べる。まず、ポリアミド酸共重合体溶液の
製造方法について述べる。

【００４８】アルゴン、窒素などの不活性ガス雰囲気中
において、一般式（２）Ｈ₂Ｎ−Ｒ₂−ＮＨ₂ （２）（式中、Ｒ₂は２価の有機基を示す。）で表される１種
あるいは、２種のジアミンを有機溶媒に溶解、あるい
は、スラリー状に拡散させる。この溶液に、一般式
（３）化１５

【００４９】

【化１５】

【００５０】（式中、Ｒ₁は２価の有機基を示す。）で
表される少なくとも１種の芳香族ジエステル酸二無水物
と、一般式（４）化１６

【００５１】

【化１６】

【００５２】（式中、Ｒ₃は４価の有機基を示す。）で
表される少なくとも１種のテトラカルボン酸二無水物の
混合物を固体の状態または有機溶媒溶液の状態で添加
し、ポリアミド酸共重合体の溶液を得る。

【００５３】この時の反応温度は、−２０℃から１００
℃、望ましくは、６０℃以下が好ましい。反応時間は、
３０分から１２時間程度である。

【００５４】また、この反応において、上記添加手順と
は逆に、まずエステル酸二無水物とテトラカルボン酸二
無水物の混合物を有機溶媒中に溶解または拡散させ、該
溶液中に前記ジアミンの固体若しくは有機溶媒による溶
液若しくはスラリーを添加させてもよい。また、同時に
混合して反応させてもよく、酸無水物成分、ジアミン成
分の混合順序は限定されない。

【００５５】なお、ポリアミド酸共重合体の生成反応に
使用される有機溶媒としては、例えば、ジメチルスルホ
キシド、ジエチルスルホキシド等のスルホキシド系溶
媒、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムア
ミド等のホルムアミド系溶媒、N,N-ジメチルアセトアミ
ド、N,N-ジエチルアセトアミド等のアセトアミド系溶
媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニル−２−ピ
ロリドンなどのピロリドン系溶媒、フェノール、ｏ−、
ｍ−、またはｐ−クレゾール、キシレノール、ハロゲン
化フェノール、カテコールなどのフェノール系溶媒、あ
るいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラクト
ン等をあげることができる。これらを１種類の溶媒のみ
で用いることも、２種以上からなる混合溶媒で用いるこ
ともできる。更には、キシレン、トルエン等の芳香族炭
化水素を混合して使用することも可能である。

【００５６】また、これらの極性溶媒とポリアミド酸の
非溶媒とからなる混合溶媒の用いることもできる。ポリ
アミド酸の非溶媒としてはアセトン、メタノール、エタ
ノール、イソプロパノール、ベンゼン、メチルセロソル
ブ等を挙げることができる。更にキシレン、トルエンの
ような芳香族炭化水素の一部使用も可能である。

【００５７】このポリアミド酸共重合体は各々前記の有
機極性溶媒中に５〜４０重量％、好ましくは１０〜３０
重量％溶解されているのが取扱いの面からも望ましい。

【００５８】生成されるポリアミド酸共重合体の分子量
は、ポリイミドフィルムの強度を維持するためには、数
平均分子量が１万以上１００万が好ましい。平均分子量
が１万未満では、できあがったフィルムが脆くなり、一
方１００万を超えるとポリアミド酸ワニスの粘度が高く
なりすぎ取扱いが難しくなって、好ましくない。

【００５９】かかる反応において、酸無水物成分の割合
は、前記一般式（３）で表されるエステル酸二無水物と
前記一般式（４）で表されるテトラカルボン酸二無水物
のモル比が、１０／９０〜１００／０の範囲であるよう
に用いるのが好ましい。

【００６０】また、前記一般式（２）で表されるジアミ
ンは、酸無水物成分の総量と等モル量用いるのが好まし
い。

【００６１】更に詳しくは、前記ポリアミド酸共重合体
の製造方法に用いられるジアミン成分は、一般式（２）Ｈ₂Ｎ−Ｒ₂−ＮＨ₂ （２）（式中、Ｒ₂は、化１７

【００６２】

【化１７】

【００６３】で表される２価の有機基を示す。）で表さ
れるジアミン成分から選択される。

【００６４】また、前記ポリアミド酸共重合体の製造方
法に用いられる酸無水物は、本質的に種々の酸無水物が
使用可能であるが、より具体的には、諸特性のバランス
から、一般式（３）化１８

【００６５】

【化１８】

【００６６】（式中、Ｒ₁は化１９

【００６７】

【化１９】

【００６８】で表される２価の有機基を示す）から選択
される芳香族ジエステル酸二無水物及び、一般式（４）
化２０

【００６９】

【化２０】

【００７０】式中、Ｒ₃は化２１

【００７１】

【化２１】

【００７２】で表される４価の有機基を示す。）から選
択されるテトラカルボン酸二無水物を使用することが好
ましい。

【００７３】なお、本発明に用いられる酸成分のモノマ
ーは、ベンゼンやトルエン等の溶媒中、ピリジンの存在
下で無水トリメリット酸クロリドとフェノール類との反
応あるいは、高沸点溶媒中、無水トリメリット酸とジア
セテート類とエステル交換反応による方法等により得ら
れる。

【００７４】上記のようにして、得られた一般式（１）
で表されるポリアミド酸共重合体におけるブロック単位
の繰り返し数ｍ、ｎは整数であり、１≦ｍ、０≦ｎを満
たす。

【００７５】つぎに、このポリアミド酸共重合体の溶液
からポリイミド共重合体およびポリイミドフィルムを得
るためには、熱的方法、又は脱水剤を用いる化学的方法
のいずれかの方法を用いて脱水閉環（イミド化）すれば
よい。

【００７６】例を挙げて説明すると、化学的に脱水閉環
する方法では、まず上記ポリアミド酸共重合体またはそ
の溶液に化学量論以上の脱水剤と触媒量の第３級アミン
を加え、支持板やＰＥＴ等の有機フィルム、ドラム又は
エンドレスベルト等の支持体上に流延または塗布して膜
状とし、有機溶媒を蒸発させることにより自己支持性を
有するポリアミド酸の膜を得る。この有機溶媒の蒸発は
１５０℃以下の温度で約５分〜９０分間行うのが好まし
い。

【００７７】次いで、これを支持体より引き剥がし端部
を固定する。その後、約１００℃〜５００℃まで徐々に
加熱することによりイミド化し、冷却後これより取り外
しポリイミドフィルムを得る。

【００７８】また、熱的に脱水閉環する方法では、ポリ
アミド酸共重合体溶液を支持板やＰＥＴ等の有機フィル
ム、ドラムまたエンドレスベルト等の支持体上に流延ま
たは塗布して膜状とし、化学的に脱水する場合と同様の
方法で処理する。

【００７９】熱的にイミド化する方法と化学的にイミド
化する方法とを比較すると、化学的方法によるほうが得
られたポリイミド共重合体の伸びが優れたものとなり、
また、ポリイミドの機械的強度が大きく、かつ線膨張係
数が小さくなる等の機械的特性が良好となること、また
化学的方法によるほうが、短時間でイミド化することが
できる等の利点がある。なお、熱的にイミド化する方法
と化学的にイミド化する方法とを併用することも可能で
ある。

【００８０】更に加熱して乾燥させつつイミド化させ、
ポリイミド共重合体からなるポリイミドフィルムを得
る。加熱の際の温度は、１１０℃から５５０℃の範囲の
温度が好ましい。加熱の際の昇温速度には特に制限はな
いが、徐々に加熱して最高温度が上記の温度になるよう
にするのが好ましい。加熱時間はフィルム厚みや最高温
度によって異なるが一般的には最高温度に達してから１
０秒から１０分の範囲が好ましい。自己支持性を有する
膜を加熱して乾燥・イミド化する際は、自己支持性を有
する膜を支持体から引き剥がし、その状態で端部を固定
して加熱することにより線熱膨張係数が小さいポリイミ
ドフィルムが得られる。

【００８１】ここでいう脱水剤としては、例えば無水酢
酸等の脂肪族酸二無水物、芳香族酸二無水物などが挙げ
られる。また、触媒としては、例えばトリエチルアミン
などの脂肪族アミン類、ジメチルアニリン等の芳香族ア
ミン類、ピリジン、ピコリン、イソキノリン等の複素環
式第３級アミン類などが挙げられる。

【００８２】また、ポリイミドはポリイソイミドと等価
体であることは周知のことであるが、イソイミド構造を
選択すれば溶媒溶解性を向上させることも可能である。
ポリイソイミド共重合体を得るためには上述した化学的
閉環剤をジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）等
のジイミド及び／またはトリフルオロ酢酸等のカルボン
酸に置きかえた上で、該ポリイミド共重合体生成と同様
の反応を行えばよい。

【００８３】また、このポリイミドフィルムの製造にお
いて、ポリイミド共重合体の前駆体であるポリアミド酸
共重合体の溶液中に、ナイロン、ポリ酢酸ビニル、ポリ
テトラフルオロエチレン、ポリメタクリル酸メチル等の
熱可塑性樹脂等の有機添加剤、あるいはガラス繊維等無
機のフィラー類、あるいは各種の強化剤を配合してフィ
ルムを得てもよく、これらを配合することにより、機械
的強度、接着性などの諸特性をさらに向上させることが
可能である。

【００８４】上記の方法により得られる特定構造のポリ
イミドフィルムは、吸湿膨張係数が１５ｐｐｍ以下であ
り、熱膨張係数が、１．０×１０^-5℃^-1以上２．５×１
０^-5℃^-1以下であり、また、吸水率が１．６％以下とい
う特徴を有しており、フレキシブルプリント基板、ＦＣ
テープ及びそれからなるＴＡＢテープのベースフィルム
として好適であり、ソリやカールがなく、加工中及び実
装時の寸法変化が小さいという利点を有している。

【００８５】なお、本発明に係るフレキシブルプリント
基板、ＦＣテープ及びそれからなるＴＡＢテープのベー
スフィルムとしては、吸湿膨張係数が１５ｐｐｍ以下、
熱膨張係数が、１．０×１０^-5℃^-1以上２．５×１０^-5
℃^-1以下、また、吸水率が１．６％以下という特徴を１
以上有しているフィルムであれば、いかなる構成であっ
ても好ましく用いることができ、本発明のベースフィル
ムとして使用されるフィルムは、上述した特定構造のも
のに限定されない。

【００８６】上記の方法により得られるフィルムは、本
発明に係るフレキシブルプリント基板、ＦＣテープ及び
それからなるＴＡＢテープのベースフィルムとして使用
される。この場合、厚みが２５μｍ〜１８０μｍ程度で
用いられるが、取扱い上の利便性、フィルム強度、小型
化対応のための薄層化要求等のバランスから５０μｍ〜
１２５μｍがより好適である。

【００８７】次に、本発明に係るフレキシブルプリント
基板の製造方法について説明する。本発明に係るフレキ
シブルプリント基板は、所定の配合の接着剤を、最終
膜厚として１０〜１００μｍ、好ましくは１５〜３０μ
ｍになるように均一に絶縁材としてのベースフィルムに
塗布する。接着剤溶液を乾燥させ、接着剤層を半硬化
状態（Ｂ−ステージ化状態）にする。接着剤層に銅箔
を重ね合わせ、２０℃〜１８０℃で０．１ｋｇ／ｃｍ²
以上の条件で圧着し、接着剤が硬化する温度で硬化させ
る。レジストを塗布し、露光などでレジスト上に回路
を描き、現像し、銅のエッチングを行い、レジスト剥離
する。上記の製造過程を経て、ＦＰＣが作成されるので
ある。

【００８８】本発明に係るフレキシブルプリント基板
は、ベースフィルムの性質として、低吸湿膨張、低熱膨
張であることより、各加工工程での吸湿・脱湿による寸
法変化が小さいため、回路形成及びＩＣ実装後、電気・
電子部品に実装する際の位置ずれが生じることがなく、
優れた寸法安定性を有する。

【００８９】次に、本発明に係るＦＣテープの製造方法
について述べる。ＰＥＴ等の保護層の上に接着剤を約１
０〜３０μｍ厚みに塗布、８０℃〜１５０℃程度の温度
で、約０．５分〜２０分乾燥し、カバーフィルムをラミ
ネートし、ＰＥＴ／接着剤／カバーフィルムの３層構造
とする。その３層構造のフィルムを所定の幅にスリット
する。

【００９０】別に上記方法により製造したベースフィル
ムを所定の幅にスリットする。３層構造のフィルムのカ
バーフィルムを剥離し、別に上記方法により製造したフ
ィルム（有機絶縁フィルム）に、接着剤が融着するよう
に５０℃〜１５０℃程度の温度条件において、スリット
した有機絶縁フィルムをラミネートし、保護層／接着剤
／有機絶縁フィルムの３層構造からなる本発明に係るＦ
Ｃテープが得られる。

【００９１】次に、本発明に係るＴＡＢテープの製造方
法について説明する。すなわち、ＴＡＢテープは、上記
製法により製造されたＦＣテープをパンチングによりス
プロケットホール、デバイズホールを形成し、保護層を
剥離除去したあと、銅箔ラミネート、接着剤を硬化さ
せ、配置パターン形成し（レジスト塗布、銅のエッチン
グ、レジスト剥離）、メッキ処理を行い、本発明に係る
ＴＡＢ用テープが得られる。

【００９２】接着の方法は、詳しくは、保護フィルム
上に所定の配合の接着剤を、最終膜厚として１０〜４０
μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍになるように均一に
塗布する。接着剤溶液を乾燥させ、接着剤層を半硬化
状態（Ｂ−ステージ化状態）にする。接着剤層に、上
記製造方法により得られたＦＣテープを重ね合わせ、２
０℃〜１８０℃で０．１ｋｇ／ｃｍ²以上の条件で圧着
する。以上のような製造方法により、本発明に係るＴＡ
Ｂテープが得られるのである。

【００９３】なお、接着剤層の保護層となる保護フィル
ムとしては、接着剤の乾燥時に軟化・変質を起こさない
程度の耐熱性を有していれば基本的にどのようなもので
もよいが、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステ
ルフィルムあるいは、ポリプロピレン等のポリオレフィ
ンフィルムが好適である。

【００９４】上記のようにして得られたＴＡＢテープ
は、吸湿膨張係数が、１５ｐｐｍ以下であり、熱膨張係
数が１．０×１０^-5℃^-1以上２．５×１０^-5℃^-1以下で
あり、さらに、吸水率が１．６％以下であるという優れ
た性質を有しているポリイミドフィルムを使用すること
により、インナーリードボンディングの加工工程におけ
るベースフィルムとＬＳＩの接合位置のずれや、アウタ
ーリードボンディングの加工工程におけるアウターリー
ドと基板の接合位置のずれが生じることがなく、銅箔ラ
ミネーティングの加工工程において、カールを生じるこ
とがない等の優れた利点を有する。

【００９５】また、本発明にかかるＴＡＢテープは、低
吸湿膨張、低熱膨張であることより、各加工工程での寸
法変化が小さいため、更に高細線パターンのＴＡＢテー
プを供することができる。また、有機絶縁フィルムの弾
性率が高いため、有機絶縁フィルムの厚みを薄くするこ
とができ、薄いＩＣパッケージをつくることができる。
さらに、各加工工程での寸法変化が小さいため、各接合
面での電気信頼性が高いことより、コンピューターＩＣ
の実装などにも用いることができる。

【００９６】なお、本発明に係るフレキシブルプリント
基板、ＦＣテープ及びそれからなるＴＡＢテープに用い
られる接着剤の材料は、従来公知の材料を用いればよ
く、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、ポリアミド樹
脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、
ゴム系樹脂等を単独または種々の割合で溶剤とともに混
合し、必要に応じて硬化剤や硬化促進剤などの添加剤を
添加したものを用いることができる。

【００９７】以上、本発明に係るフレキシブルプリント
基板、ＦＣテープ及びそれからなるＴＡＢテープについ
て、有用性を明らかにすべく、実施の形態の１例を説明
したが、本発明はこれらのみに限定されるものではな
く、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲内で当業者の知
識に基づき、種々なる改良、変更、修正を加えた態様で
実施しうるものである。

【００９８】

【実施例】以下、実施例により、本発明に係るフレキシ
ブルプリント基板、ＦＣテープ及びそれからなるＴＡＢ
テープについて説明する。まず、本発明に係るフレキシ
ブルプリント基板、ＦＣテープ及びそれからなるＴＡＢ
テープのベースフィルムに使用するポリイミドフィルム
を構成するポリイミド共重合体の製造に供する酸成分の
製造例を説明する。

【００９９】（製造例１）酸成分：Ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエス
テル酸無水物）の合成滴下ロート、還流冷却管のついた３０００ｍｌの３口フ
ラスコの無水トリメリット酸クロリド５１０ｇ（２．４
モル）、トルエン１０００ｍｌを入れ、約８０℃で攪拌
する。ヒドロキノン１３２ｇ（１．２モル）をトルエン
１２００ｍｌ、ピリジン２４０ｍｌに溶かし、上記の３
口フラスコに滴下ロートより滴下する。滴下後、約２時
間還流攪拌を行い、冷却後、沈殿を濾別し、白色固体を
得た。この白色固体を３リットルの水で洗浄後、乾燥
し、無水酢酸で還流攪拌を約２時間行い、濾別する。濾
別により得た白色固体をＤＭＦにより再結晶し、３８０
ｇの白色固体を得た。

【０１００】（製造例２）酸成分：ｐ−メチルフェニレンビス（トリメリット酸モ
ノエステル酸無水物）の合成ヒドロキノンの代わりに、メチルハイドロキノン１４
７．６ｇ（１．２モル）を用いる以外は、製造例１と同
様にして白色の固体３５０ｇを得た。

【０１０１】（製造例３）酸成分：ｐ−（２，３ジメチルフェニレン）ビス（トリ
メリット酸モノエステル酸無水物）の合成ヒドロキノンの代わりに、２，３−ジメチルハイドロキ
ノン１６５．６ｇ（１．２モル）を用いる以外は製造例
１と同様にして白色の固体４００ｇを得た。

【０１０２】（製造例４）酸成分：４，４^'−ビフェニレンビス（トリメリット酸
モノエステル酸無水物）の合成ヒドロキノンの代わりに、４，４^'−ジヒドロキシビフ
ェニル２２３．２ｇ（１．２モル）を用いた以外は、製
造例１と同様にして白色の固体４００ｇを得た。

【０１０３】（製造例５）酸成分：１，４−ナフタレンビス（トリメリット酸モノ
エステル酸無水物）の合成ヒドロキノンの代わりに、１，４−ジヒドロキシナフタ
レン１９２．０ｇ（１．２モル）を用いる以外は、製造
例１と同様にして白色の固体３８０ｇを得た。

【０１０４】（製造例６）酸成分：２，６−ナフタレンビス（トリメリット酸モノ
エステル酸無水物）の合成ヒドロキノンの代わりに、２，６−ジヒドロキシナフタ
レン１９２．０ｇ（１．２モル）を用いる以外は製造例
１と同様にして白色の固体３８５ｇを得た。

【０１０５】次に、実施例により本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例の範囲に限定されるも
のではない。なお、実施例中、ＯＤＡは 4,4'-ジアミノ
ジフェニルエーテル、ＢＡＰＰは、2,2 ’- ビス〔4-
（4-アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、ＢＡＰＢ
は、4,4 ^'- ビス（4-アミノフェノキシ）ビフェニル、
ＴＰＥ−Ｑは、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）
ベンゼン、ｐ−ＰＤＡは、パラフェニレンジアミン、Ｎ
ＭＰは、Ｎ−メチルピロリドン、ＰＭＤＡは無水ピロメ
リット酸、ＤＭＦはジメチルホルムアミドを表す。

【０１０６】（実施例１）セパラブルフラスコに、ＮＭ
Ｐとｐ−ＰＤＡを２当量、ＯＤＡを１当量とり、ジアミ
ン化合物が完全に溶解するまで室温でよく攪拌した。つ
ぎに、製造例１で示したｐ−フェニレンビス（トリメリ
ット酸モノエステル酸無水物）２．８５当量を粉体で徐
々に加え、その後４０分攪拌した。そして、ｐ−フェニ
レンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）０．
１５当量をＮＭＰに溶かし、徐々に加え、このあと１時
間冷却攪拌し、ポリアミド酸共重合体のＮＭＰ溶液を得
た。なお、ＮＭＰの使用量はジアミン類及び芳香族テト
ラカルボン酸二無水物類のモノマー仕込み濃度が、１８
重量％となるようにした。

【０１０７】つぎに、ポリアミド酸共重合体溶液を無水
酢酸、βピコリンと混合し、ガラス板上に流延塗布し、
約１００℃に約５分間乾燥後、ポリアミド酸塗膜をガラ
ス板より剥がし、その塗膜を支持枠に固定し、その後約
１００℃で約５分間、約２００℃で約５分間、約３００
℃で約５分間加熱し、約４００℃で約５分間加熱し、脱
水閉環乾燥し、約５０μｍのポリイミドフィルムを得
た。得られたポリイミドフィルムの物性を表１に示し
た。

【０１０８】なお、熱膨張係数は、窒素気流下で理学電
気製ＴＭＡ８１４０により測定した１００℃〜２００
℃での熱膨張係数をいう。吸水率は、フィルムを１５０
℃で３０分間乾燥させたものの重量をＷ₁をとし、２４
時間蒸留水に浸したあと表面の水滴を拭き取ったものの
重量をＷ₂とし、下記式より算出する。吸水率（％）＝（Ｗ₂−Ｗ₁）÷Ｗ₁×１００

【０１０９】弾性率は、ＡＳＴＭＤ８８２による。

【０１１０】

【表１】

【０１１１】表面に剥離剤処理を施した、保護用ポリエ
チレンテレフタレート（以下ＰＥＴという。）フィルム
にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（Ｅ１００１／油化
シェルエポキシ社製）５０部、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂（１８０Ｈ６５／油化シェルエポキシ社
製）１０部、ポリアミド樹脂（Ｍ１２７６／日本リルサ
ン社製）４０部、ジアミノジフェニルスルフォン７部、
ジシアンジアミド２部、トルエン３５部、イソプロピル
アルコール１５部、からなる接着剤を乾燥後約２０μｍ
になるように塗布し、１５０℃で１０分乾燥した。この
接着剤付きＰＥＴフィルムを２６ｍｍ巾にスリットし、
３５ｍｍ巾にスリットした上記ポリイミドフィルムと約
１００℃で圧着し、ＦＣテープを得た。

【０１１２】このＦＣテープのＰＥＴフィルムを取り除
いた後、接着剤面と銅箔（三井金属製Ｌｏｗ−ｐｒｏｆ
ｉｌｅ電解銅箔ＶＬＰ−３ＥＣ）を１２０℃にてラミネ
ートし、この状態で外観を観察した後、上記方法に従っ
てエッチング後の寸法変化率を測定した。結果を表１に
示す。

【０１１３】なお、寸法安定性は、次の方法により、寸
法変化率を求めることによって、評価した。すなわち、
ベースポリイミドフィルム、接着剤、保護用ＰＥＴフィ
ルムからなるＦＣテープを、ＰＥＴフィルムを除いて銅
箔（三井金属製Ｌｏｗ−ｐｒｏｆｉｌｅ電解銅箔ＶＬＰ
−３ＥＣ）とラミネートし、加熱・キュアを行った後、
寸法変化率測定用の２個のマーキング孔ａ，ｂをＭＤ
（機械製造方向）方向にパンチングによって開け、この
ときのａ−ｂ間の初期値ｌ₁を測定した。次に銅箔を全
面エッチングし、ａ−ｂ間ｌ₂を測定した。次の計算
式、数１

【数１】に基づいて、エッチング前後の寸法変化率を算出した。（実施例２）ＯＤＡの代わりに、ＢＡＰＰ１当量を用い
た他は、実施例１と同様にして、ポリアミド酸共重合体
を得、実施例１と同様の方法で約５０μｍのポリイミド
フィルムを得た。得られたポリイミドフィルムの物性を
表１に示した。

【０１１４】（実施例３）ＯＤＡの代わりに、ＢＡＰＢ
１当量を用いた他は、実施例１と同様にして、ポリアミ
ド酸共重合体を得、実施例１と同様の方法で約５０μｍ
のポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィ
ルムの物性を表１に示した。

【０１１５】（実施例４）ＯＤＡの代わりに、ＴＰＥ−
Ｑ１当量を用いた他は、実施例１と同様にして、ポリア
ミド酸共重合体を得、実施例１と同様の方法で約５０μ
ｍのポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフ
ィルムの物性を表１に示した。

【０１１６】（実施例５）ｐ−フェニレンビス（トリメ
リット酸モノエステル酸無水物）の代わりに、製造例２
で示したｐ−メチルフェニレンビス（トリメリット酸モ
ノエステル酸二無水物）３当量を用いた他は実施例１と
同様にしてポリアミド酸共重合体を得て、実施例１と同
様の方法で約５０μｍのポリイミドフィルムを得た。得
られたポリイミドフィルムの物性を表１に示した。

【０１１７】（実施例６）ｐ−フェニレンビス（トリメ
リット酸モノエステル酸無水物）の代わりに、製造例３
で示したｐ−（２，３ジメチルフェニレン）ビス（トリ
メリット酸モノエステル酸無水物）３当量を用いた他は
実施例１と同様にしてポリアミド酸共重合体を得て、実
施例１と同様の方法で約５０μｍのポリイミドフィルム
を得た。得られたポリイミドフィルムの物性を表１に示
した。

【０１１８】（実施例７）Ｐ−フェニレンビス（トリメ
リット酸モノエステル酸無水物）の代わりに、製造例４
で示した４，４^'−ビフェニレンビス（トリメリット酸
モノエステル酸無水物）を１当量を用いた他は、実施例
１と同様にしてポリアミド酸共重合体を得、実施例１と
同様の方法で約５０μｍのポリイミドフィルムを得た。
得られたポリイミドフィルムの物性を表１に示した。

【０１１９】（実施例８）ＯＤＡの代わりに、ＢＡＰＰ
１当量を用いた他は、実施例７と同様にして、ポリアミ
ド酸共重合体を得、実施例１と同様の方法で約５０μｍ
のポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィ
ルムの物性を表１に示した。

【０１２０】（実施例９）ＯＤＡの代わりに、ＢＡＰＢ
１当量を用いた他は、実施例７と同様にして、ポリアミ
ド酸共重合体を得、実施例１と同様の方法で約５０μｍ
のポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィ
ルムの物性を表１に示した。

【０１２１】（実施例１０）ＯＤＡの代わりに、ＴＰＥ
−Ｑ１当量を用いた他は、実施例７と同様にして、ポリ
アミド酸共重合体を得、実施例１と同様の方法で約５０
μｍのポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミド
フィルムの物性を表１に示した。

【０１２２】（実施例１１）ｐ−フェニレンビス（トリ
メリット酸モノエステル酸無水物）の代わりに、製造例
５で示した１，４−ナフタレンビス（トリメリット酸モ
ノエステル酸二無水物）３当量を用いた他は実施例１と
同様にしてポリアミド酸共重合体を得て、実施例１と同
様の方法で約５０μｍのポリイミドフィルムを得た。得
られたポリイミドフィルムの物性を表１に示した。

【０１２３】（実施例１２）ｐ−フェニレンビス（トリ
メリット酸モノエステル酸無水物）の代わりに、製造例
６で示した２，６−ナフタレンビス（トリメリット酸モ
ノエステル酸無水物）を用いた他は実施例１と同様にし
てポリアミド酸共重合体を得て、実施例１と同様の方法
で約５０μｍのポリイミドフィルムを得た。得られたポ
リイミドフィルムの物性を表１に示した。

【０１２４】（実施例１３）セパラブルフラスコに、Ｎ
ＭＰとｐ−ＰＤＡを２当量、ＯＤＡを１当量とり、ジア
ミン化合物が完全に溶解するまで室温でよく攪拌した。
つぎに、製造例１で示したｐ−フェニレンビス（トリメ
リット酸モノエステル酸無水物）２当量を粉体で徐々に
加え、その後４０分攪拌した。オキシジフタリックアン
ヒドリド０．８５当量を粉体で徐々に加え、その後４０
分攪拌した。そして、オキシジフタリックアンヒドリド
０．１５当量をＮＭＰに溶かし、徐々に加え、このあと
１時間冷却攪拌し、ポリアミド酸共重合体のＮＭＰ溶液
を得た。なお、ＮＭＰの使用量はジアミン類及び芳香族
テトラカルボン酸二無水物類のモノマー仕込み濃度が、
１８重量％となるようにした。得られたポリアミド酸共
重合体溶液を用い、実施例１と同様の方法で約５０μｍ
のポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィ
ルムの物性を表１に示した。

【０１２５】（実施例１４）オキシジフタリックアンヒ
ドリドの代わりに、ベンゾフェノンテトラカルボキシリ
ックアンヒドリド（ＢＴＤＡ）を用いた他は実施例１３
と同様にしてポリアミド酸共重合体を得て、実施例１と
同様の方法で約５０μｍのポリイミドフィルムを得た。
得られたポリイミドフィルムの物性を表１に示した。

【０１２６】（実施例１５）オキシジフタリックアンヒ
ドリドの代わりに、ビフェニルテトラカルボキシリック
アンヒドリド（ＢＰＤＡ）を用いた他は実施例１３と同
様にしてポリアミド酸共重合体を得て、実施例１と同様
の方法で約５０μｍのポリイミドフィルムを得た。得ら
れたポリイミドフィルムの物性を表１に示した。

【０１２７】（実施例１６）オキシジフタリックアンヒ
ドリドの代わりに、ピロメリット酸無水物（ＰＭＤＡ）
を用いた他は実施例１３と同様にしてポリアミド酸共重
合体を得て、実施例１と同様の方法で約５０μｍのポリ
イミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィルムの
物性を表１に示した。

【０１２８】（比較例１）先の実施例１と同様の方法に
より、ＰＭＤＡとＯＤＡを等モルずつ用いて、５０μｍ
のポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィ
ルムの物性を表１に示した。このポリイミドフィルムを
使用し、実施例１と同様の方法で、ＦＣテープを得、銅
箔とラミネートして外観の観察と寸法変化の測定を行っ
た。結果を表１に示した。

【０１２９】（比較例２）２リットルのセパラブルフラ
スコにＤＭＦとＯＤＡを１当量とり、ジアミノ化合物が
完全に溶解するまで室温でよく混合しその後、氷で冷却
しながら攪拌した。次に、ＰＭＤＡ２当量を加え、４０
分冷却攪拌した。そして、ｐ−ＰＤＡ１当量をＤＭＦに
溶かし、徐々に加え、このあと１時間冷却攪拌し、ポリ
アミド酸共重合体のＤＭＦ溶液を得た。実施例１と同様
の方法で焼成し、５０μｍのポリイミドフィルムを得
た。得られたポリイミドフィルムの物性を表１に示し
た。

【０１３０】このポリイミドフィルムを使用し、実施例
１と同様の方法で、ＦＣテープを得、銅箔とラミネート
して外観の観察と寸法変化の測定を行った。結果を表１
に示した。

【０１３１】

【発明の効果】以上、具体的な実施例で示したように、
本発明に係るフレキシブルプリント基板、ＦＣテープ及
びそれからなるＴＡＢテープは、線膨張係数が金属ある
いはガラスに対して極端に差がなく、特異的に弾性率が
高くまた、吸水率が低いという特性を有する。具体的に
は、一般式（１）で表されるポリアミド酸共重合体と化
学脱水剤を混合して得られるポリイミドフィルムを、ベ
ースフィルムとする、フレキシブルプリント基板、ＦＣ
テープ及びそれからなるＴＡＢテープを提供するもので
あり、ソリやカールがなく、加工中及び実装時の寸法変
化が小さいため多ピン・高密度パターンのテープキャリ
アパッケージに好適な材料となる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＢ３２Ｂ 27/34 Ｂ３２Ｂ 27/34 Ｃ０８Ｇ 73/16 ＮＴＫＣ０８Ｇ 73/16 ＮＴＫ // Ｃ０８Ｊ 5/18 ＣＦＧＣ０８Ｊ 5/18 ＣＦＧ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも導体層とベースフィルムとを
積層してなるフレキシブルプリント基板において、前記
ベースフィルムが、吸水率が１．６％以下、吸湿膨張係
数が１５ｐｐｍ以下、または熱膨張係数が１．０×１０
^-5℃^-1以上２．５×１０^-5℃^-1以下のうち、１以上の条
件を満たすことを特徴とするフレキシブルプリント基
板。
【請求項２】前記ベースフィルムが、一般式（１）化
１【化１】で表される繰り返し単位を有する芳香族ポリアミド酸共
重合体を脱水閉環して得られる芳香族ポリイミド共重合
体からなることを特徴とする請求項１に記載するフレキ
シブルプリント基板。
【請求項３】前記ベースフィルムが、前記一般式
（１）化２【化２】（式中、Ｒ₁は化３【化３】から選択される２価の有機基、Ｒ₂は化４【化４】から選択される２価の有機基、Ｒ₃は化５【化５】から選択される４価の有機基、Ｒ₄はＣＨ₃−、Ｃｌ
−、Ｂｒ−、Ｆ−、ＣＨ₃Ｏ−を示す。また、ｍ、ｎは
整数であり、１≦ｍ、０≦ｎを満たす。）で表される芳
香族ポリアミド酸共重合体を脱水閉環して得られる芳香
族ポリイミド共重合体からなることを特徴とする請求項
１又は請求項２に記載するフレキシブルプリント基板。
【請求項４】ベースフィルムが、吸水率が１．６％以
下、吸湿膨張係数が１５ｐｐｍ以下、熱膨張係数が１．
０×１０^-5℃^-1以上２．５×１０^-5℃^-1以下のうち、１
以上の条件を満たすことを特徴とするＦＣテープ。
【請求項５】請求項４に記載するＦＣテープの保護層
を剥離した上に銅箔を張り合わせ、回路を形成したこと
を特徴とするＴＡＢテープ。