JPH10120491A - 結晶膜の形成方法 - Google Patents
結晶膜の形成方法Info
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- JPH10120491A JPH10120491A JP27440296A JP27440296A JPH10120491A JP H10120491 A JPH10120491 A JP H10120491A JP 27440296 A JP27440296 A JP 27440296A JP 27440296 A JP27440296 A JP 27440296A JP H10120491 A JPH10120491 A JP H10120491A
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- substrate
- forming
- amorphous phase
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶性の優れた結晶膜、即ち結晶粒径が大き
い多結晶または単結晶薄膜を、結晶でない絶縁物基板上
でも４００℃以下の低基板温度で形成する。 【解決手段】 石英基板113をヒータ114で250〜350℃に
加熱し、ＳiＨ4ガス、希釈用ガスＨ2を真空容器102内に
導入し、バルブ116を調節して0.1〜2.0Ｔorrとし、電極
103とグリッド電極118間にプラズマを発生させ,基板113
上に非晶質シリコン膜を0.3〜１nm形成する。次に、高
純度Ｈｅガスをボンベ108より真空容器内に導入し、0.1
〜2.0Torrで高周波電力を印加し、電極間にプラズマを
発生させ、ａ-ＳI：Ｈ膜表面に準安定状態にあるＨｅ原
子を接触させてａ-Ｓi：Ｈ膜の原子配列をより結晶に近
いものに変化させ、高純度ＳiＦ4,高純度ＳiＨ4ガス,希
釈用ガスのＨ2を真空容器内に導入し、結晶性Ｓi膜をａ
-Ｓi：Ｈ膜上に成長させる。
い多結晶または単結晶薄膜を、結晶でない絶縁物基板上
でも４００℃以下の低基板温度で形成する。 【解決手段】 石英基板113をヒータ114で250〜350℃に
加熱し、ＳiＨ4ガス、希釈用ガスＨ2を真空容器102内に
導入し、バルブ116を調節して0.1〜2.0Ｔorrとし、電極
103とグリッド電極118間にプラズマを発生させ,基板113
上に非晶質シリコン膜を0.3〜１nm形成する。次に、高
純度Ｈｅガスをボンベ108より真空容器内に導入し、0.1
〜2.0Torrで高周波電力を印加し、電極間にプラズマを
発生させ、ａ-ＳI：Ｈ膜表面に準安定状態にあるＨｅ原
子を接触させてａ-Ｓi：Ｈ膜の原子配列をより結晶に近
いものに変化させ、高純度ＳiＦ4,高純度ＳiＨ4ガス,希
釈用ガスのＨ2を真空容器内に導入し、結晶性Ｓi膜をａ
-Ｓi：Ｈ膜上に成長させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体薄膜を構成
要素とする半導体装置やディスプレイデバイスなどに使
用される多結晶や単結晶の結晶膜を形成する方法に関す
る。
要素とする半導体装置やディスプレイデバイスなどに使
用される多結晶や単結晶の結晶膜を形成する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ガラスや石英などの絶縁物基板上に結晶
膜を形成する手法としては、先ず非晶質膜または多結晶
膜を形成した後、レーザや電子ビームを照射する、また
はストリップヒータで加熱して単結晶化する、あるいは
より大きな粒径（グレインサイズ）の多結晶に再結晶化
する方法が提案されている。
膜を形成する手法としては、先ず非晶質膜または多結晶
膜を形成した後、レーザや電子ビームを照射する、また
はストリップヒータで加熱して単結晶化する、あるいは
より大きな粒径（グレインサイズ）の多結晶に再結晶化
する方法が提案されている。
【０００３】また、絶縁物基板上に直接結晶膜を成膜す
る手法としては、減圧下での化学的気相成長（減圧ＣＶ
Ｄ）で５００℃以上の比較的高基板温度において多結晶
膜を気相成長させる方法が一般的である。さらに、プラ
ズマを使用した化学的気相成長（プラズマＣＶＤ）で
は、原料ガスを水素で高希釈することにより、２００〜
４００℃と、より低基板温度で微結晶膜が得られること
が報告されている（特開昭６３−１６６１６号公報）。
る手法としては、減圧下での化学的気相成長（減圧ＣＶ
Ｄ）で５００℃以上の比較的高基板温度において多結晶
膜を気相成長させる方法が一般的である。さらに、プラ
ズマを使用した化学的気相成長（プラズマＣＶＤ）で
は、原料ガスを水素で高希釈することにより、２００〜
４００℃と、より低基板温度で微結晶膜が得られること
が報告されている（特開昭６３−１６６１６号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】レーザや電子ビームを
照射する手法では、照射するエネルギを調節することに
より、再結晶化したい層のみを加熱することができ、下
地や周辺の膜やデバイス構造にあまり影響を与えること
なく、結晶膜を形成できる。しかし、基板の面積が大き
くなると、ビームの走査に時間がかかること、照射位置
を合わせる精度が悪くなるという問題がある。一方、ス
トリップヒータで加熱する手法では、大面積の基板でも
ヒータの長さを長くすれば結晶化の処理時間を増加させ
なくてもすむが、再結晶化したい層だけ加熱することは
できず、ほぼ基板全体を加熱してしまうため、下地やす
でに形成済みのデバイスに対して影響を与えてしまう問
題がある。
照射する手法では、照射するエネルギを調節することに
より、再結晶化したい層のみを加熱することができ、下
地や周辺の膜やデバイス構造にあまり影響を与えること
なく、結晶膜を形成できる。しかし、基板の面積が大き
くなると、ビームの走査に時間がかかること、照射位置
を合わせる精度が悪くなるという問題がある。一方、ス
トリップヒータで加熱する手法では、大面積の基板でも
ヒータの長さを長くすれば結晶化の処理時間を増加させ
なくてもすむが、再結晶化したい層だけ加熱することは
できず、ほぼ基板全体を加熱してしまうため、下地やす
でに形成済みのデバイスに対して影響を与えてしまう問
題がある。
【０００５】絶縁物基板上に直接結晶膜を成膜する手法
は、先に結晶膜を形成してデバイスに加工して行くた
め、上記のような高温の加熱工程が入らず、所望のデバ
イス特性を得易いという長所がある。しかし、減圧ＣＶ
Ｄでは、下地が絶縁物であるために、単結晶膜の形成は
不可能であり、基板温度も比較的低いため多結晶の粒径
も小さく良質な結晶膜は得られにくいという問題があ
る。また、プラズマＣＶＤ法では、大面積の基板上にも
成膜可能であるという特長はあるが、結晶基板上ではエ
ピタキシャル成長が可能であるが、絶縁物基板上ではや
はり基板温度が低いため、多結晶よりもさらに粒径の小
さい微結晶膜しか得られないという問題がある。
は、先に結晶膜を形成してデバイスに加工して行くた
め、上記のような高温の加熱工程が入らず、所望のデバ
イス特性を得易いという長所がある。しかし、減圧ＣＶ
Ｄでは、下地が絶縁物であるために、単結晶膜の形成は
不可能であり、基板温度も比較的低いため多結晶の粒径
も小さく良質な結晶膜は得られにくいという問題があ
る。また、プラズマＣＶＤ法では、大面積の基板上にも
成膜可能であるという特長はあるが、結晶基板上ではエ
ピタキシャル成長が可能であるが、絶縁物基板上ではや
はり基板温度が低いため、多結晶よりもさらに粒径の小
さい微結晶膜しか得られないという問題がある。
【０００６】以上のように従来の手法では、絶縁物基板
上に結晶性に優れた結晶膜、すなわち単結晶あるいは粒
径の大きい多結晶膜を大面積で、かつ４００℃以下の低
温で形成することが不可能であった。
上に結晶性に優れた結晶膜、すなわち単結晶あるいは粒
径の大きい多結晶膜を大面積で、かつ４００℃以下の低
温で形成することが不可能であった。
【０００７】前記従来技術の課題を解決するため、本願
発明である結晶膜の形成方法は、絶縁物基板上に４００
℃以下の低温で、結晶性に優れた結晶膜、すなわち単結
晶あるいは粒径の大きい多結晶膜を大面積に形成する方
法を提供することを目的とするものである。
発明である結晶膜の形成方法は、絶縁物基板上に４００
℃以下の低温で、結晶性に優れた結晶膜、すなわち単結
晶あるいは粒径の大きい多結晶膜を大面積に形成する方
法を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願発明である結晶膜の
形成方法は、基板上に少なくとも非晶質相を含む膜を形
成した後、少なくとも準安定状態にある粒子を前記非晶
質相を含む膜に接触させて前記非晶質相を含む膜の原子
配列を変化させ、前記非晶質相を含む膜を構成する原子
を少なくとも含有する粒子を前記非晶質相に接触させて
前記非晶質相を含む膜上に結晶膜を形成することを特徴
とする結晶膜の形成方法。
形成方法は、基板上に少なくとも非晶質相を含む膜を形
成した後、少なくとも準安定状態にある粒子を前記非晶
質相を含む膜に接触させて前記非晶質相を含む膜の原子
配列を変化させ、前記非晶質相を含む膜を構成する原子
を少なくとも含有する粒子を前記非晶質相に接触させて
前記非晶質相を含む膜上に結晶膜を形成することを特徴
とする結晶膜の形成方法。
【０００９】また、上記結晶膜の形成方法において、非
晶質相を含む膜の厚みが１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であ
ることを特徴とする。
晶質相を含む膜の厚みが１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であ
ることを特徴とする。
【００１０】また、上記結晶膜の形成方法において、非
晶質相を含む膜を形成する前に、基板表面に水素ラジカ
ルを少なくとも接触させることを特徴とする。
晶質相を含む膜を形成する前に、基板表面に水素ラジカ
ルを少なくとも接触させることを特徴とする。
【００１１】また、上記結晶膜の形成方法において、準
安定状態にある粒子が希ガス原子であることを特徴とす
る。
安定状態にある粒子が希ガス原子であることを特徴とす
る。
【００１２】また、上記結晶膜の形成方法において、結
晶膜を形成する前に、非晶質相を含む膜の形成と準安定
状態にある粒子の接触を複数回繰り返すことを特徴とす
る。
晶膜を形成する前に、非晶質相を含む膜の形成と準安定
状態にある粒子の接触を複数回繰り返すことを特徴とす
る。
【００１３】また、上記結晶膜の形成方法において、非
晶質相を含む膜の厚みが順に減少する、あるいは一定で
あることを特徴とする。
晶質相を含む膜の厚みが順に減少する、あるいは一定で
あることを特徴とする。
【００１４】また、上記結晶膜の形成方法において、結
晶膜を構成する原子がシリコンであることを特徴とす
る。
晶膜を構成する原子がシリコンであることを特徴とす
る。
【００１５】また、上記結晶膜の形成方法において、高
周波電源を接続したカソード電極と前記カソード電極と
離して基板が配置され、かつ前記カソード電極と前記基
板の間に接地または負にバイアスされたグリッド電極を
配置した真空容器内に、準安定準位を有する原子からな
る結晶化処理用ガスを導入し、前記カソード電極と基板
の間にグロー放電を発生させて前記結晶化処理用ガスよ
り生成した準安定粒子を前記基板表面に接触させて前記
非晶質膜の原子配列を変化させることを特徴とする。
周波電源を接続したカソード電極と前記カソード電極と
離して基板が配置され、かつ前記カソード電極と前記基
板の間に接地または負にバイアスされたグリッド電極を
配置した真空容器内に、準安定準位を有する原子からな
る結晶化処理用ガスを導入し、前記カソード電極と基板
の間にグロー放電を発生させて前記結晶化処理用ガスよ
り生成した準安定粒子を前記基板表面に接触させて前記
非晶質膜の原子配列を変化させることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１から図３を用いて説明する。
て、図１から図３を用いて説明する。
【００１７】（実施の形態１）図１は本発明に係る結晶
膜の形成方法の一実施例を示す形成装置の概略図であ
る。電源１０１は、高周波（１ｋＨｚ〜１ＧＨｚ）また
はマイクロ波（１ＧＨｚ以上）電源であり、真空容器１
０２内の電極１０３にマッチング回路１０４を介して接
続されている。
膜の形成方法の一実施例を示す形成装置の概略図であ
る。電源１０１は、高周波（１ｋＨｚ〜１ＧＨｚ）また
はマイクロ波（１ＧＨｚ以上）電源であり、真空容器１
０２内の電極１０３にマッチング回路１０４を介して接
続されている。
【００１８】電極１０３にはシャワー状に多数の孔が設
けてあり、原料ガスボンベ１０５，１０６、希釈用ガス
ボンベ１０７、結晶化処理用ガスボンベ１０８、不純物
ガスボンベ１１９，１２０からこれらのガスがマスフロ
ーコントローラー（ＭＦＣ）１０９〜１１２，１２１，
１２２によって所定の流量に調節されてこれらの孔から
真空容器１０２内に導入される（図１では６本のガスボ
ンベ及びガス系統しか示していないが、これらは形成す
る膜の種類に応じて増減する）。
けてあり、原料ガスボンベ１０５，１０６、希釈用ガス
ボンベ１０７、結晶化処理用ガスボンベ１０８、不純物
ガスボンベ１１９，１２０からこれらのガスがマスフロ
ーコントローラー（ＭＦＣ）１０９〜１１２，１２１，
１２２によって所定の流量に調節されてこれらの孔から
真空容器１０２内に導入される（図１では６本のガスボ
ンベ及びガス系統しか示していないが、これらは形成す
る膜の種類に応じて増減する）。
【００１９】結晶層を形成するための基板１１３は、ヒ
ーター１１４上に配置され所定の温度に加熱される。な
お、図１中、１１５は真空ポンプ、１１６は排気用バル
ブ、１１７は水冷装置である。水冷装置１１７は結晶膜
形成後の基板温度の冷却速度を速めるためのもので、必
ずしも必要とするものでない。また、真空容器１０２内
には基板１１３へ入射するイオン数を調節するための外
部電源を接続したメッシュ状のグリッド電極１１８を配
置している。
ーター１１４上に配置され所定の温度に加熱される。な
お、図１中、１１５は真空ポンプ、１１６は排気用バル
ブ、１１７は水冷装置である。水冷装置１１７は結晶膜
形成後の基板温度の冷却速度を速めるためのもので、必
ずしも必要とするものでない。また、真空容器１０２内
には基板１１３へ入射するイオン数を調節するための外
部電源を接続したメッシュ状のグリッド電極１１８を配
置している。
【００２０】この装置を使ってシリコン結晶膜を以下の
手順で形成した。先ず、石英基板１１３をヒータ１１４
上にセットし、真空容器１０２内を高真空に排気し、基
板１１３を２５０〜３００℃に加熱した。尚、基板温度
を４００℃以下にして結晶膜を形成することが望まし
い。
手順で形成した。先ず、石英基板１１３をヒータ１１４
上にセットし、真空容器１０２内を高真空に排気し、基
板１１３を２５０〜３００℃に加熱した。尚、基板温度
を４００℃以下にして結晶膜を形成することが望まし
い。
【００２１】次に、高純度のＳiＨ4ガスをボンベ１０５
よりＭＦＣ１０９を通して、希釈用ガスのＨ2をボンベ
１０７よってＭＦＣ１１１を通して真空容器１０２内に
導入し、バルブ１１６によって所定の圧力（０．１〜
２．０Ｔｏｒｒ）になるように調整した。
よりＭＦＣ１０９を通して、希釈用ガスのＨ2をボンベ
１０７よってＭＦＣ１１１を通して真空容器１０２内に
導入し、バルブ１１６によって所定の圧力（０．１〜
２．０Ｔｏｒｒ）になるように調整した。
【００２２】電極１０３に１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を電極１０３の単位面積当り０．０１〜０.２Ｗ／ｃ
ｍ2で印加し、電極１０３とグリッド電極１１８間にプ
ラズマを発生させ、図２（ａ）に示すように基板１１３
上に非晶質のシリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと略記す
る）膜２０１を０．３〜１ｎｍ形成した。この時、グリ
ッド電極１１８に印加する電圧は−３００〜０Ｖとしａ
−Ｓｉ：Ｈ膜２０１にイオンが入射しないようにすると
ともに、流量比ＳｉＨ4／Ｈ2は５／１〜１／１００とし
た。
力を電極１０３の単位面積当り０．０１〜０.２Ｗ／ｃ
ｍ2で印加し、電極１０３とグリッド電極１１８間にプ
ラズマを発生させ、図２（ａ）に示すように基板１１３
上に非晶質のシリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと略記す
る）膜２０１を０．３〜１ｎｍ形成した。この時、グリ
ッド電極１１８に印加する電圧は−３００〜０Ｖとしａ
−Ｓｉ：Ｈ膜２０１にイオンが入射しないようにすると
ともに、流量比ＳｉＨ4／Ｈ2は５／１〜１／１００とし
た。
【００２３】次に、これらのガスの導入を止めて高純度
Ｈｅガスをボンベ１０８よりＭＦＣ１１２を通して真空
容器１０２内に導入し、上記と同様の圧力（０．１〜
２．０Ｔｏｒｒ）で０.０５〜１Ｗ／ｃｍ2の密度で高周
波電力を印加し、電極１０３とグリッド電極１１８間に
プラズマを１０秒〜１０分間発生させ、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜
２０１表面に準安定状態にあるＨｅ原子を接触させてａ
−Ｓｉ：Ｈ膜２０１の自由表面側の原子配列をより結晶
に近いものに変化させた。
Ｈｅガスをボンベ１０８よりＭＦＣ１１２を通して真空
容器１０２内に導入し、上記と同様の圧力（０．１〜
２．０Ｔｏｒｒ）で０.０５〜１Ｗ／ｃｍ2の密度で高周
波電力を印加し、電極１０３とグリッド電極１１８間に
プラズマを１０秒〜１０分間発生させ、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜
２０１表面に準安定状態にあるＨｅ原子を接触させてａ
−Ｓｉ：Ｈ膜２０１の自由表面側の原子配列をより結晶
に近いものに変化させた。
【００２４】次に、Ｈｅガスの導入を止めて高純度Ｓi
Ｆ4をボンベ１０６よりＭＦＣ１１０を通して、高純度
のＳiＨ4ガスをボンベ１０５よりＭＦＣ１０９を通し
て、希釈用ガスのＨ2をボンベ１０７よりＭＦＣ１１１
を通して真空容器１０２内に導入し、上記と同様の圧力
（０.１〜２.０Ｔｏｒｒ）で０.０１〜０.２Ｗ／ｃｍ2
の密度で高周波電力を印加し、電極１０３とグリッド電
極１１８間にプラズマを発生させ、図２（ｂ）に示すよ
うに結晶性Ｓｉ膜２０２を１００ｎｍ〜１０μｍ成長さ
せた。この時流量比ＳｉＦ4／ＳｉＨ4は１／１０〜１０
／１、ＳｉＨ4／Ｈ2は１／１０〜１／１００とした。
Ｆ4をボンベ１０６よりＭＦＣ１１０を通して、高純度
のＳiＨ4ガスをボンベ１０５よりＭＦＣ１０９を通し
て、希釈用ガスのＨ2をボンベ１０７よりＭＦＣ１１１
を通して真空容器１０２内に導入し、上記と同様の圧力
（０.１〜２.０Ｔｏｒｒ）で０.０１〜０.２Ｗ／ｃｍ2
の密度で高周波電力を印加し、電極１０３とグリッド電
極１１８間にプラズマを発生させ、図２（ｂ）に示すよ
うに結晶性Ｓｉ膜２０２を１００ｎｍ〜１０μｍ成長さ
せた。この時流量比ＳｉＦ4／ＳｉＨ4は１／１０〜１０
／１、ＳｉＨ4／Ｈ2は１／１０〜１／１００とした。
【００２５】この結晶性Ｓｉ膜２０２をラマン分光およ
び透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて評価したところ、ラマ
ン分光では５２０ｃｍー1付近に結晶Ｓｉに起因するピー
クが観測され、結晶の粒径は少なくとも２０μｍ以上
で、単結晶に近いものも得られていることが分かった。
び透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて評価したところ、ラマ
ン分光では５２０ｃｍー1付近に結晶Ｓｉに起因するピー
クが観測され、結晶の粒径は少なくとも２０μｍ以上
で、単結晶に近いものも得られていることが分かった。
【００２６】比較のために、Ｈｅプラズマを発生させず
に、ａ−Ｓｉ：Ｈ層２０１表面に準安定状態のＨｅ原子
を一切接触させなかった場合も行ってみたが、ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ層２０１上に成長した膜を上記と同様に評価して
みたところ、ラマン分光では５２０ｃｍー1付近のピーク
は見られず、非晶質であることがわかった。
に、ａ−Ｓｉ：Ｈ層２０１表面に準安定状態のＨｅ原子
を一切接触させなかった場合も行ってみたが、ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ層２０１上に成長した膜を上記と同様に評価して
みたところ、ラマン分光では５２０ｃｍー1付近のピーク
は見られず、非晶質であることがわかった。
【００２７】以上の結果から、準安定状態のＨｅ原子
（励起準位２3Ｓ1，２1Ｓ0）を非晶質膜２０１の表面に
接触させることにより、これらの原子のもつエネルギ
（19.82eV，20.61eV）が膜２０１表面に与えられ、表面
が実効的に加熱されるため原子配列が非晶質から結晶に
より近づくためと思われる。また、準安定Ｈｅ原子はグ
リッド電極１１８と電極１０３の間の発光しているプラ
ズマ領域で生成されるが、寿命が２3Ｓ1で６×１０
ー5秒，２1Ｓ0で２×１０ー2秒と長いため、拡散によって
十分膜２０１表面に到達できる。
（励起準位２3Ｓ1，２1Ｓ0）を非晶質膜２０１の表面に
接触させることにより、これらの原子のもつエネルギ
（19.82eV，20.61eV）が膜２０１表面に与えられ、表面
が実効的に加熱されるため原子配列が非晶質から結晶に
より近づくためと思われる。また、準安定Ｈｅ原子はグ
リッド電極１１８と電極１０３の間の発光しているプラ
ズマ領域で生成されるが、寿命が２3Ｓ1で６×１０
ー5秒，２1Ｓ0で２×１０ー2秒と長いため、拡散によって
十分膜２０１表面に到達できる。
【００２８】なお、グリッド電極１１８と基板との距離
は、準安定原子の種類によって異なり、Ｈｅの場合は５
ｍｍ以上５０ｍｍ以下にするのが望ましい。また、膜表
面を加熱する方法として、適度のエネルギで加速したイ
オンを入射してもよいが、イオンの場合はその運動エネ
ルギによって原子をはじき飛ばしたり、位置をずらした
りして原子配列を乱す問題がある。従って、せっかく結
晶に近い原子配列を構成しても、イオンの入射の際に原
子配列を乱してしまうため、結局原子配列は結晶構造に
あまり近づかないという結果になってしまう。一方、準
安定原子の場合は拡散によって膜２０１表面に入射する
ため、大きな運動エネルギを持たず、原子配列を乱すこ
とは無い。そのため、結晶構造に近い原子配列ができ易
い。
は、準安定原子の種類によって異なり、Ｈｅの場合は５
ｍｍ以上５０ｍｍ以下にするのが望ましい。また、膜表
面を加熱する方法として、適度のエネルギで加速したイ
オンを入射してもよいが、イオンの場合はその運動エネ
ルギによって原子をはじき飛ばしたり、位置をずらした
りして原子配列を乱す問題がある。従って、せっかく結
晶に近い原子配列を構成しても、イオンの入射の際に原
子配列を乱してしまうため、結局原子配列は結晶構造に
あまり近づかないという結果になってしまう。一方、準
安定原子の場合は拡散によって膜２０１表面に入射する
ため、大きな運動エネルギを持たず、原子配列を乱すこ
とは無い。そのため、結晶構造に近い原子配列ができ易
い。
【００２９】また、プラズマ領域で発生する準安定原子
の密度は、良質の結晶構造を得るために少なくとも１０
10ｃｍー3以上であることが望ましく、好ましくは１０12
ｃｍ ー3程度である。
の密度は、良質の結晶構造を得るために少なくとも１０
10ｃｍー3以上であることが望ましく、好ましくは１０12
ｃｍ ー3程度である。
【００３０】基板１１３は、石英基板のほかに、ガラス
基板、サファイア基板、ＳｉＯx，ＳｉＮx，ＳｉＣx，
ＧｅＯx，ＧｅＮx，ＧｅＣx，ＡｌＯx，ＡｌＮx，Ｂ
Ｃx，ＢＮxなどの無機絶縁物を形成したＳｉやＧａＡｓ
ウェーハや導電性基板などの絶縁性基板でも、金属基板
やガラス基板上にＩＴＯやＳｎＯ2のＺｎＯなどの透明
導電膜を形成した導電性基板でも上記と同様の効果が得
られる。基板温度は、１５０℃以上４００℃以下で有れ
ば、上記と同様の結果を得ることができた。
基板、サファイア基板、ＳｉＯx，ＳｉＮx，ＳｉＣx，
ＧｅＯx，ＧｅＮx，ＧｅＣx，ＡｌＯx，ＡｌＮx，Ｂ
Ｃx，ＢＮxなどの無機絶縁物を形成したＳｉやＧａＡｓ
ウェーハや導電性基板などの絶縁性基板でも、金属基板
やガラス基板上にＩＴＯやＳｎＯ2のＺｎＯなどの透明
導電膜を形成した導電性基板でも上記と同様の効果が得
られる。基板温度は、１５０℃以上４００℃以下で有れ
ば、上記と同様の結果を得ることができた。
【００３１】結晶膜２０２の伝導性を制御する場合は、
ｎ型伝導を付与するときはＰＨ3，ＰＦ3，ＰＦ5，ＰＣ
ｌ2Ｆ，ＰＣｌ2Ｆ3，ＰＣｌ3，ＰＢｒ3，ＡｓＨ3，Ａｓ
Ｆ3，ＡｓＦ5，ＡｓＣｌ3，ＡｓＢｒ3，ＳｂＨ3，Ｓｂ
Ｆ3，ＳｂＣｌ3，Ｈ2Ｓｅ等の不純物ガスをボンベ１１
９より成膜時に供給すればよく、ｐ型伝導を付与すると
きはＢ2Ｈ6，ＢＦ3，ＢＣｌ3，ＢＢｒ3，（ＣＨ3）3Ａ
ｌ，（Ｃ2Ｈ5）3Ａｌ，（ｉＣ4Ｈ9）3Ａｌ，（ＣＨ3）3
Ｉｎ，（ＣＨ3）3Ｇａ，（Ｃ2Ｈ5）3Ｉｎ，（Ｃ 2Ｈ5）3
Ｇａ等のガスをボンベ１２０より供給すればよい。
ｎ型伝導を付与するときはＰＨ3，ＰＦ3，ＰＦ5，ＰＣ
ｌ2Ｆ，ＰＣｌ2Ｆ3，ＰＣｌ3，ＰＢｒ3，ＡｓＨ3，Ａｓ
Ｆ3，ＡｓＦ5，ＡｓＣｌ3，ＡｓＢｒ3，ＳｂＨ3，Ｓｂ
Ｆ3，ＳｂＣｌ3，Ｈ2Ｓｅ等の不純物ガスをボンベ１１
９より成膜時に供給すればよく、ｐ型伝導を付与すると
きはＢ2Ｈ6，ＢＦ3，ＢＣｌ3，ＢＢｒ3，（ＣＨ3）3Ａ
ｌ，（Ｃ2Ｈ5）3Ａｌ，（ｉＣ4Ｈ9）3Ａｌ，（ＣＨ3）3
Ｉｎ，（ＣＨ3）3Ｇａ，（Ｃ2Ｈ5）3Ｉｎ，（Ｃ 2Ｈ5）3
Ｇａ等のガスをボンベ１２０より供給すればよい。
【００３２】使用できる原料ガスとしては、上記のＳｉ
Ｈ4やＳｉＦ4のほかにＳｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ8，Ｓｉ
4Ｈ10，ＳｉＨ4ーnＦn，ＳｉＨ4ーnＣｌn（但し、n=1,2,
3)，Ｓｉ2Ｆ 6，ＳｉＣｌ4などのシリコン化合物ガスが
挙げられる。
Ｈ4やＳｉＦ4のほかにＳｉ2Ｈ6，Ｓｉ3Ｈ8，Ｓｉ
4Ｈ10，ＳｉＨ4ーnＦn，ＳｉＨ4ーnＣｌn（但し、n=1,2,
3)，Ｓｉ2Ｆ 6，ＳｉＣｌ4などのシリコン化合物ガスが
挙げられる。
【００３３】上記の例はシリコンの結晶膜を形成する場
合であるが、ダイヤモンド、ゲルマニウム、シリコンカ
ーバイド、シリコンゲルマニウムでも原料ガスを変える
だけで同様に結晶膜を得ることができる。
合であるが、ダイヤモンド、ゲルマニウム、シリコンカ
ーバイド、シリコンゲルマニウムでも原料ガスを変える
だけで同様に結晶膜を得ることができる。
【００３４】ダイヤモンドの場合は、ＣＨ4，Ｃ2Ｈ6，
Ｃ3Ｈ8，Ｃ4Ｈ10，Ｃ2Ｈ4，Ｃ3Ｈ6，Ｃ4Ｈ8，Ｃ2Ｈ2，
Ｃ3Ｈ4，Ｃ4Ｈ6，Ｃ6Ｈ6などの炭化水素ガス、ＣＨ
3Ｆ，ＣＨ3Ｃｌ，ＣＨ3Ｂｒ，ＣＨ3Ｉ，Ｃ2Ｈ5Ｃｌ，Ｃ
2Ｈ5Ｂｒ，Ｃ2Ｈ5Ｉなどのハロゲン化アルキル、Ｃ3Ｈ5
Ｆ，Ｃ3Ｈ5Ｃｌ，Ｃ3Ｈ5Ｂｒなどのハロゲン化アリル、
ＣＣｌＦ3，ＣＦ4，ＣＨＦ3，Ｃ2Ｆ6，Ｃ3Ｆ8などのフ
ロンガス、Ｃ6Ｈ6-mＦm（ｍ＝１〜６）の弗化ベンゼン
等の炭素化合物ガスを原料ガスとして使用すればよく、
ゲルマニウムの場合は、ＧｅＨ4，Ｇｅ2Ｈ6，Ｇｅ
3Ｈ8，ＧｅＦ4，ＧｅＣｌ4，ＧｅＢｒ4，ＧｅＩ4，Ｇｅ
Ｆ2，ＧｅＣｌ2，ＧｅＢｒ2，ＧｅＩ2，ＧｅＨＦ3，Ｇ
ｅＨ2Ｆ2，ＧｅＨ3Ｆ，ＧｅＨＣｌ3，ＧｅＨ2Ｃｌ2，Ｇ
ｅＨ3Ｃｌ，ＧｅＨＢｒ3，ＧｅＨ2Ｂｒ2，ＧｅＨ3Ｂ
ｒ，ＧｅＨＩ3，ＧｅＨ2Ｉ2，ＧｅＨ3Ｉなどのゲルマニ
ウム化合物ガスが原料ガスとして使用できる。
Ｃ3Ｈ8，Ｃ4Ｈ10，Ｃ2Ｈ4，Ｃ3Ｈ6，Ｃ4Ｈ8，Ｃ2Ｈ2，
Ｃ3Ｈ4，Ｃ4Ｈ6，Ｃ6Ｈ6などの炭化水素ガス、ＣＨ
3Ｆ，ＣＨ3Ｃｌ，ＣＨ3Ｂｒ，ＣＨ3Ｉ，Ｃ2Ｈ5Ｃｌ，Ｃ
2Ｈ5Ｂｒ，Ｃ2Ｈ5Ｉなどのハロゲン化アルキル、Ｃ3Ｈ5
Ｆ，Ｃ3Ｈ5Ｃｌ，Ｃ3Ｈ5Ｂｒなどのハロゲン化アリル、
ＣＣｌＦ3，ＣＦ4，ＣＨＦ3，Ｃ2Ｆ6，Ｃ3Ｆ8などのフ
ロンガス、Ｃ6Ｈ6-mＦm（ｍ＝１〜６）の弗化ベンゼン
等の炭素化合物ガスを原料ガスとして使用すればよく、
ゲルマニウムの場合は、ＧｅＨ4，Ｇｅ2Ｈ6，Ｇｅ
3Ｈ8，ＧｅＦ4，ＧｅＣｌ4，ＧｅＢｒ4，ＧｅＩ4，Ｇｅ
Ｆ2，ＧｅＣｌ2，ＧｅＢｒ2，ＧｅＩ2，ＧｅＨＦ3，Ｇ
ｅＨ2Ｆ2，ＧｅＨ3Ｆ，ＧｅＨＣｌ3，ＧｅＨ2Ｃｌ2，Ｇ
ｅＨ3Ｃｌ，ＧｅＨＢｒ3，ＧｅＨ2Ｂｒ2，ＧｅＨ3Ｂ
ｒ，ＧｅＨＩ3，ＧｅＨ2Ｉ2，ＧｅＨ3Ｉなどのゲルマニ
ウム化合物ガスが原料ガスとして使用できる。
【００３５】シリコンカーバイドの場合は、上記のシリ
コン化合物ガスおよび炭素化合物ガスを原料ガスとして
使用すればよく、シリコンゲルマニウムの場合は上記の
シリコン化合物ガス及びゲルマニウム化合物ガスを原料
ガスとして使用すればよい。
コン化合物ガスおよび炭素化合物ガスを原料ガスとして
使用すればよく、シリコンゲルマニウムの場合は上記の
シリコン化合物ガス及びゲルマニウム化合物ガスを原料
ガスとして使用すればよい。
【００３６】ＧａＡｓ，ＧａＰやＧａＮなどの化合物半
導体でも、同様に原料ガスを変えることで上記と同様の
効果を得ることができる。
導体でも、同様に原料ガスを変えることで上記と同様の
効果を得ることができる。
【００３７】結晶化処理用ガスとして使用できるガス
は、準安定状態を持っているガスであればよく、例えば
上記のＨｅのほかに、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｈ2，
Ｎ2，が挙げられる。また、これらのガスを混合して使
用してもよい。希釈ガスもこれらのガスが使用できる。
は、準安定状態を持っているガスであればよく、例えば
上記のＨｅのほかに、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｈ2，
Ｎ2，が挙げられる。また、これらのガスを混合して使
用してもよい。希釈ガスもこれらのガスが使用できる。
【００３８】（実施の形態２）実施の形態１に記載した
結晶膜の形成において、石英基板１１３上にａ−Ｓｉ：
Ｈ２０１を形成する前に、Ｈ2ガスのみを真空容器１０
２内に導入し、０.１〜１.０Ｔｏｒｒの圧力下で高周波
電力を０.０１〜０．１Ｗ／ｃｍ2の電力密度で電極１０
３に印加し、プラズマを発生させて石英基板１１３表面
に水素ラジカルを接触させて清浄化を行った。この場
合、ａ−Ｓｉ：Ｈ層２０１上に形成した結晶性Ｓｉ膜２
０２は、結晶粒径が５０μｍ以上と大きくなることを確
認した。
結晶膜の形成において、石英基板１１３上にａ−Ｓｉ：
Ｈ２０１を形成する前に、Ｈ2ガスのみを真空容器１０
２内に導入し、０.１〜１.０Ｔｏｒｒの圧力下で高周波
電力を０.０１〜０．１Ｗ／ｃｍ2の電力密度で電極１０
３に印加し、プラズマを発生させて石英基板１１３表面
に水素ラジカルを接触させて清浄化を行った。この場
合、ａ−Ｓｉ：Ｈ層２０１上に形成した結晶性Ｓｉ膜２
０２は、結晶粒径が５０μｍ以上と大きくなることを確
認した。
【００３９】（実施の形態３）実施の形態１に記載した
結晶膜の形成において、石英基板１１３上に形成するａ
−Ｓｉ：Ｈ層２０１の膜厚を０．３ｎｍから一連に増加
させた場合について調べてみた。その結果、ａ−Ｓｉ：
Ｈ層２０１の膜厚が１０ｎｍを越えるとＨｅプラズマに
よる結晶化処理の後にも、ａ−Ｓｉ：Ｈ層２０１の石英
基板１１３側に非晶質領域が残ることが判明した。
結晶膜の形成において、石英基板１１３上に形成するａ
−Ｓｉ：Ｈ層２０１の膜厚を０．３ｎｍから一連に増加
させた場合について調べてみた。その結果、ａ−Ｓｉ：
Ｈ層２０１の膜厚が１０ｎｍを越えるとＨｅプラズマに
よる結晶化処理の後にも、ａ−Ｓｉ：Ｈ層２０１の石英
基板１１３側に非晶質領域が残ることが判明した。
【００４０】（実施の形態４）実施の形態１に記載した
結晶膜の形成において、石英基板１１３上に形成するａ
−Ｓｉ：Ｈ層２０１の膜厚を概ね１０ｎｍとし、Ｈｅプ
ラズマによる結晶化処理を行った後、図２（ｃ）に示す
ように再度ａ−Ｓｉ：Ｈ層２０３を約５ｎｍ積層しＨｅ
プラズマによる結晶化処理を行った。この場合、ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ層２０１上に形成した結晶性Ｓｉ膜２０２は、結
晶粒径が５０μｍ以上と大きくなることを確認した。
結晶膜の形成において、石英基板１１３上に形成するａ
−Ｓｉ：Ｈ層２０１の膜厚を概ね１０ｎｍとし、Ｈｅプ
ラズマによる結晶化処理を行った後、図２（ｃ）に示す
ように再度ａ−Ｓｉ：Ｈ層２０３を約５ｎｍ積層しＨｅ
プラズマによる結晶化処理を行った。この場合、ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ層２０１上に形成した結晶性Ｓｉ膜２０２は、結
晶粒径が５０μｍ以上と大きくなることを確認した。
【００４１】また、積層するａ−Ｓｉ：Ｈ層の数を増や
すと、結晶性Ｓｉ膜２０２の結晶粒径は大きくなること
も確認した。さらに、積層するａ−Ｓｉ：Ｈの膜厚を順
次減少させて行くことで、結晶粒径の増加が顕著になる
ことも確認した。但し、第１層目のａ−Ｓｉ：Ｈ層２０
１膜厚が２ｎｍ以下の場合は、順次積層するａ−Ｓｉ：
Ｈ層の膜厚を減少させても効果は顕著ではなく、積層す
るａ−Ｓｉ：Ｈ層の膜厚は一定であってもよい。
すと、結晶性Ｓｉ膜２０２の結晶粒径は大きくなること
も確認した。さらに、積層するａ−Ｓｉ：Ｈの膜厚を順
次減少させて行くことで、結晶粒径の増加が顕著になる
ことも確認した。但し、第１層目のａ−Ｓｉ：Ｈ層２０
１膜厚が２ｎｍ以下の場合は、順次積層するａ−Ｓｉ：
Ｈ層の膜厚を減少させても効果は顕著ではなく、積層す
るａ−Ｓｉ：Ｈ層の膜厚は一定であってもよい。
【００４２】（実施の形態５）図３に断面図で示した液
晶表示装置は、アクティブマトリックス型（以下、ＡＭ
ＬＣと称する）のものである。ＡＭＬＣは、液晶層を駆
動するための薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す
る）あるいはダイオード、金属−絶縁体−金属（ＭＩ
Ｍ）素子などの能動素子を各画素に配置したものであ
る。但し、図３ではＴＦＴを使用した例を示す。この場
合は、多結晶半導体（例えば、多結晶シリコンまたは単
結晶シリコン）を半導体層３０１として用いたＴＦＴを
透明絶縁性基板（例えば、ホウ珪酸ガラス基板または石
英基板など）３０２上にマトリックス状に形成したもの
である。
晶表示装置は、アクティブマトリックス型（以下、ＡＭ
ＬＣと称する）のものである。ＡＭＬＣは、液晶層を駆
動するための薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す
る）あるいはダイオード、金属−絶縁体−金属（ＭＩ
Ｍ）素子などの能動素子を各画素に配置したものであ
る。但し、図３ではＴＦＴを使用した例を示す。この場
合は、多結晶半導体（例えば、多結晶シリコンまたは単
結晶シリコン）を半導体層３０１として用いたＴＦＴを
透明絶縁性基板（例えば、ホウ珪酸ガラス基板または石
英基板など）３０２上にマトリックス状に形成したもの
である。
【００４３】ＴＦＴの形成はまず、透明絶縁性基板３０
２上にゲート電極３０３を例えばＣｒまたはＡｌ＋Ｚ
ｒ、Ａｌ＋Ｔａ，Ａｌ−ＷなどのＡｌ合金またはＡｌ／
Ｃｒ積層で形成し、その後、ＳｉＮxゲート絶縁膜３０
４をプラズマＣＶＤ法で形成した。次に、ａ−Ｓｉ：Ｈ
層を１ｎｍ積層し、Ｈｅプラズマ中で準安定Ｈｅ原子と
の接触により該ａ−Ｓｉ：Ｈ層を結晶化処理し、さらに
ＳｉＨ4とＨ2の混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法で１
００ｎｍ厚の半導体層３０１を形成した。
２上にゲート電極３０３を例えばＣｒまたはＡｌ＋Ｚ
ｒ、Ａｌ＋Ｔａ，Ａｌ−ＷなどのＡｌ合金またはＡｌ／
Ｃｒ積層で形成し、その後、ＳｉＮxゲート絶縁膜３０
４をプラズマＣＶＤ法で形成した。次に、ａ−Ｓｉ：Ｈ
層を１ｎｍ積層し、Ｈｅプラズマ中で準安定Ｈｅ原子と
の接触により該ａ−Ｓｉ：Ｈ層を結晶化処理し、さらに
ＳｉＨ4とＨ2の混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法で１
００ｎｍ厚の半導体層３０１を形成した。
【００４４】さらに、ＳiＮx半導体保護層３０５をプラ
ズマＣＶＤ法で形成した後、半導体層３０１および半導
体保護層３０５をパターニングした。次にオーミック性
を改善するためにプラズマＣＶＤ法においてＳiＨ4とＨ
2とＰＨ3の混合ガスを用いて上記の半導体層３０１と同
様にｎ型半導体層３０６を形成した後、ソース電極３０
７・ドレイン電極３０８（例えばＡｌやＭｏ、Ｍｏ/Ａ
ｌ/Ｍｏ多層構造からなる）を一括形成し、最後にＩＴ
Ｏ透明電極３０９を形成し、ＴＦＴを作製した。
ズマＣＶＤ法で形成した後、半導体層３０１および半導
体保護層３０５をパターニングした。次にオーミック性
を改善するためにプラズマＣＶＤ法においてＳiＨ4とＨ
2とＰＨ3の混合ガスを用いて上記の半導体層３０１と同
様にｎ型半導体層３０６を形成した後、ソース電極３０
７・ドレイン電極３０８（例えばＡｌやＭｏ、Ｍｏ/Ａ
ｌ/Ｍｏ多層構造からなる）を一括形成し、最後にＩＴ
Ｏ透明電極３０９を形成し、ＴＦＴを作製した。
【００４５】このＴＦＴを評価したところ、半導体層３
０１の電子の移動度は３００〜５００ｃｍ2／Ｖ・ｓであ
った。これは、レーザアニールで得られる多結晶Ｓｉを
半導体層としたＴＦＴよりは３〜５倍向上していた。
０１の電子の移動度は３００〜５００ｃｍ2／Ｖ・ｓであ
った。これは、レーザアニールで得られる多結晶Ｓｉを
半導体層としたＴＦＴよりは３〜５倍向上していた。
【００４６】その後、有機ポリマー（例えばポリイミド
またはポリビニルアルコール）からなる配向膜３１０を
０．０１〜０．５μｍ厚で塗布、ラビングによる配向処
理をした。もう一方の透明絶縁性基板３１１には対向電
極３１２と遮光用のブラックマトリックス３１３を設
け、同様に配向膜３１４を塗布、配向処理を行うがこの
場合のラビングは先の基板とは約９０゜ずれた方向に行
った。続いて、図３のように両基板の間にねじれネマテ
ィック液晶３１５を封入し、基板の前後に偏光板３１
６，３１７を配置し、液晶表示装置を作製した。
またはポリビニルアルコール）からなる配向膜３１０を
０．０１〜０．５μｍ厚で塗布、ラビングによる配向処
理をした。もう一方の透明絶縁性基板３１１には対向電
極３１２と遮光用のブラックマトリックス３１３を設
け、同様に配向膜３１４を塗布、配向処理を行うがこの
場合のラビングは先の基板とは約９０゜ずれた方向に行
った。続いて、図３のように両基板の間にねじれネマテ
ィック液晶３１５を封入し、基板の前後に偏光板３１
６，３１７を配置し、液晶表示装置を作製した。
【００４７】この液晶表示装置の表示画像を評価したと
ころ、コントラストが１５０：１でＸＧＡクラスの高精
細画像も従来のように分割駆動せずに動作できた。
ころ、コントラストが１５０：１でＸＧＡクラスの高精
細画像も従来のように分割駆動せずに動作できた。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る結晶
膜の形成方法によれば、結晶粒径が大きく結晶性の優れ
た結晶膜を、結晶でない絶縁物基板上でも低基板温度で
形成でき、安価で高速動作可能な半導体装置や液晶表示
装置が得られる。
膜の形成方法によれば、結晶粒径が大きく結晶性の優れ
た結晶膜を、結晶でない絶縁物基板上でも低基板温度で
形成でき、安価で高速動作可能な半導体装置や液晶表示
装置が得られる。
【図１】本発明に係る結晶膜の形成方法において使用し
た製造装置の一実施例を示す概略図
た製造装置の一実施例を示す概略図
【図２】本発明に係る結晶膜の形成方法において作製し
た膜の一実施例を示す断面図
た膜の一実施例を示す断面図
【図３】本発明に係る結晶膜の形成方法において作製し
た液晶表示装置の一実施例を示す断面図
た液晶表示装置の一実施例を示す断面図
１０１ 電源 １０２ 真空容器 １０３ 電極 １０４ マッチング回路 １０５，１０６ 原料ガスボンベ １０７ 希釈用ガスボンベ １０８ 結晶化処理用ガスボンベ １０９〜１１２ マスフローコントローラー（ＭＦＣ） １１３ 基板 １１４ ヒーター １１５ 真空ポンプ １１６ 排気用バルブ １１７ 水冷装置 １１８ グリッド電極 １１９，１２０ 不純物ガスボンベ １２１，１２２ マスフローコントローラー ２０１，２０３ 非晶質シリコン層 ２０２ 結晶性Ｓｉ層
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/336
Claims (8)
- 【請求項１】基板上に少なくとも非晶質相を含む膜を形
成した後、少なくとも準安定状態にある粒子を前記非晶
質相を含む膜に接触させて前記非晶質相を含む膜の原子
配列を変化させ、前記非晶質相を含む膜を構成する原子
を少なくとも含有する粒子を前記非晶質相に接触させて
前記非晶質相を含む膜上に結晶膜を形成することを特徴
とする結晶膜の形成方法。 - 【請求項２】非晶質相を含む膜の厚みが０．３ｎｍ以上
１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の結
晶膜の形成方法。 - 【請求項３】非晶質相を含む膜を形成する前に、基板表
面に水素ラジカルを少なくとも接触させることを特徴と
する請求項１記載の結晶膜の形成方法。 - 【請求項４】準安定状態にある粒子が希ガス原子である
ことを特徴とする請求項１記載の結晶膜の形成方法。 - 【請求項５】結晶膜を形成する前に、非晶質相を含む膜
の形成と準安定状態にある粒子の接触を複数回繰り返す
ことを特徴とする請求項１記載の結晶膜の形成方法。 - 【請求項６】非晶質相を含む膜の厚みが順に減少する、
あるいは一定であることを特徴とする請求項５記載の結
晶膜の形成方法。 - 【請求項７】結晶膜を構成する原子がシリコンであるこ
とを特徴とする請求項１記載の結晶膜の形成方法。 - 【請求項８】高周波電源を接続したカソード電極と前記
カソード電極と離して基板が配置され、かつ前記カソー
ド電極と前記基板の間に接地または負にバイアスされた
グリッド電極を配置した真空容器内に、準安定準位を有
する原子からなる結晶化処理用ガスを導入し、前記カソ
ード電極と基板の間にグロー放電を発生させて前記結晶
化処理用ガスより生成した準安定粒子を前記基板表面に
接触させて前記非晶質膜の原子配列を変化させることを
特徴とする請求項１記載の結晶膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27440296A JPH10120491A (ja) | 1996-10-17 | 1996-10-17 | 結晶膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27440296A JPH10120491A (ja) | 1996-10-17 | 1996-10-17 | 結晶膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10120491A true JPH10120491A (ja) | 1998-05-12 |
Family
ID=17541176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27440296A Pending JPH10120491A (ja) | 1996-10-17 | 1996-10-17 | 結晶膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10120491A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002064854A1 (fr) * | 2001-02-15 | 2002-08-22 | Kaneka Corporation | Procede de constitution d'une couche mince de silicium et pile solaire possedant une couche mince de silicium |
| JP2009158950A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-07-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 結晶性半導体膜の形成方法、薄膜トランジスタの作製方法及び表示装置の作製方法 |
-
1996
- 1996-10-17 JP JP27440296A patent/JPH10120491A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002064854A1 (fr) * | 2001-02-15 | 2002-08-22 | Kaneka Corporation | Procede de constitution d'une couche mince de silicium et pile solaire possedant une couche mince de silicium |
| US6849560B2 (en) | 2001-02-15 | 2005-02-01 | Kaneka Corporation | Method of depositing silicon thin film and silicon thin film solar cell |
| AU2002232197B2 (en) * | 2001-02-15 | 2005-12-15 | Kaneka Corporation | Method of forming silicon thin film and silicon thin film solar cell |
| AU2002232197C1 (en) * | 2001-02-15 | 2006-11-09 | Kaneka Corporation | Method of forming silicon thin film and silicon thin film solar cell |
| JP2009158950A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-07-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 結晶性半導体膜の形成方法、薄膜トランジスタの作製方法及び表示装置の作製方法 |
| US8591650B2 (en) | 2007-12-03 | 2013-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming crystalline semiconductor film, method for manufacturing thin film transistor, and method for manufacturing display device |
| TWI489525B (zh) * | 2007-12-03 | 2015-06-21 | Semiconductor Energy Lab | 結晶半導體膜的形成方法，薄膜電晶體及顯示裝置的製造方法 |
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